JP6335272B2 - ナノ粒子合成用の連続フロー反応器 - Google Patents
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- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims description 92
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 111
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 23
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 20
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 20
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000012683 anionic precursor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 2
- 241001659321 ANME-2 cluster Species 0.000 claims 1
- 241000043587 Collimonas fungivorans Species 0.000 claims 1
- 230000000449 premovement Effects 0.000 claims 1
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 8
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 7
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 5
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000012682 cationic precursor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)sulfide Chemical compound C[Si](C)(C)S[Si](C)(C)C RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010415 colloidal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012921 fluorescence analysis Methods 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011234 nano-particulate material Substances 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- -1 nanocrystallites Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 238000004917 polyol method Methods 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012372 quality testing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G21/00—Compounds of lead
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00788—Three-dimensional assemblies, i.e. the reactor comprising a form other than a stack of plates
- B01J2219/00792—One or more tube-shaped elements
- B01J2219/00795—Spiral-shaped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
- B01J2219/00851—Additional features
- B01J2219/00858—Aspects relating to the size of the reactor
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Description
図1及び図2には、ナノ粒子製造システム20の概念図が概略的に示されており、この概念図は、システムの具体例を提供する。システム20は、少なくとも4つのゾーン(それぞれ、1〜4)を通過する連続流路22を含む。ゾーン1においては、2種以上の前駆体32、34が、計量され、混合され、チューブ40を通過しており、ここでは、混合物が次のゾーンへと通過するのに伴って、窒素、アルゴンなどの反応的に不活性であるガス42がその内部に挿入されて、混合物のセグメントフローを提供する。例えば、開示されている一実施形態においては、2つの前躯体32、34は、還元剤と、1つ又は複数のカチオン前躯体と、であってもよい。或いは、2つの前躯体32、34は、1つ又は複数のアニオン前躯体と、1つ又は複数のカチオン前躯体であってもよい。
ゾーン1においては、少なくとも1つの前躯体32、好ましくは、少なくとも2つの前躯体32、34が、それぞれの貯蔵器から計量供給され、且つ、ゾーン2〜4を通じて延在する連続流路22内に適切な比率において計量供給される。流路22は、好ましくは1/16インチ〜1インチの、更に好ましくは1/4〜1/2インチの、内径を有するチューブ40である。
流路22を通じたこのゾーンは、核生成を開始するためのものである。エネルギー源50によって前躯体32、34のエネルギーレベルを迅速に増大させることにより、流路チューブ40内の溶液及び/又は前躯体は、1分以内で、好ましくは10秒以下で、更に好ましくは3秒未満以内で、より一層好ましくは2秒未満以内で、前躯体が核生成し、そして動力学的成長するエネルギーレベル(温度を含む)に迅速にされる。
COV=((粒子サイズの標準偏差)/(粒子サイズの平均))*100%
ここで、単一のランにおけるCOV<15%は、均一な粒子サイズを実証し、且つ、バッチの間におけるCOV<15%は、再現可能性を実証している。
Ni(O2CCH3)2+プロピレングリコール→Ni(0)ナノ粒子
AgNO3+エチレングリコール→Ag(0)ナノ粒子
Pb(オレイン酸塩)2+TMS2S→PbS(オレイン酸塩)ナノ粒子
これは、成長ゾーンである。この時点において、核には、(1)正しいコアサイズのナノ粒子又は量子ドットを形成するためのその他の核との組合せ、或いは、(2)厳密に制御されたペースにおけるナノ粒子/量子ドットの形成を可能とするエピタキシャル成長システムを形成するための未反応の前躯体との組合せ、という2つのプロセスのうちの1つが行われる。材料は、特定の望ましいコアサイズに成長するべく必要とされる時間にわたって成長ゾーン内において滞留され、その後に、材料は、ゾーン4に移送される。
流路は、ゾーン3を通過してゾーン4に継続し、ここで、反応は、急冷浴又はこれに類似したものなどの急冷システム86を使用することにより、降温により即座に停止される。ナノ粒子70の成長を急冷して停止させた後に、シェルの成長のために、且つ、容易なインライン分析の実行のために、より多くの材料を導入できるように、セグメント化が、脱ガス工程150(図7)によって除去される。
図1に示されているように、ナノ粒子の生成の後に、生成されたナノ粒子の品質を試験する試験システム72を設けることができる。例えば、動的光散乱(Dynamic Light Scattering:「DLS」)を使用することにより、生成された粒子の特性を試験することができる。その他の可能なインライン試験システムは、UV、VIS及びIRスペクトル、蛍光分析法、及び屈折率等の計測などの分光法である。
図1に示されているナノ粒子の生成の後に、生成後シェル適用システム100が設けられてもよい。図2に示されているように、シェル製作システムは、1つ又は複数の更なる前躯体(ここでは、前躯体170、172、174、及び176が示されている)を供給するための構造と、この下流における加熱のための補完的熱源61と、を含んでもよい。連続フローループ180が設けられてもよく、ここで、前躯体の任意の組合せを任意の所定のシェル層に適用することが可能であり、熱源61を通過させることにより、それぞれのナノ粒子上に複数のシェル層の形成を可能にすることができる。それぞれのシェル層の適用の後に、第2品質試験システム72’が設けられてもよい。この試験システム72’とシェル製作システムのコンポーネントとが制御システム80と動作可能な通信状態において、制御システム80は、必要に応じて、生成されるそれぞれのナノ粒子上におけるシェル層の品質を最適化するべく、シェル製作システムのリアルタイム変調を提供することができる。
図8に示されているように、2つのエネルギー源50及び2つの熱源60などの製造ラインの複数の冗長要素に、1つのコンポーネントが動作不能となった場合に、代替コンポーネントを通じて流路22の供給先変更が可能となるように、個々の前躯体32、24と、弁300又はこれに類似したもので相互接続可能なナノ粒子フロー22経路との冗長なセットが備えられてもよい。
図10に概略的に示されているように、ゾーン2内のエネルギー源50がマイクロ波オーブンである場合には、ゾーン3内の成長エリア加熱源60を加熱することによって支援するべく、過剰なマイクロ波エネルギーを誘導してもよい。例えば、一連のミラー又はこれに類似したものを過剰なマイクロ波を収集し、これらを熱に変換するゴムなどのヒートシンクに誘導することができる。
H2X
ここで、X=O、S、Se、Teである。
R3P=X
ここで、R=−H、−(CH2)n−CH3、−C6H5、−C6H4−R’であり、
n=3〜18であり、
R’=−(CH2)m−CH3、−CH(CH3)2、−C(CH3)3であり
m=0〜17であり、
X=Se、Teである。
R3N=X
ここで、R=−H、−(CH2)n−CH3、−Si(CH3)3であり、
n=0〜4であり、
X=S、Se、Teである。
((CH3)3Si)2X
ここで、X=S、Se、Teである。
(((CH3)3Si)2N)2X
ここで、X=S、Se、Teである。
H−X−(CH2)n−CH3
ここで、X=O、S、Se、Teであり、
n=1〜18であり、好ましくは、n=4〜12であり、更に好ましくは、n=8〜10である。
HO−CH2−(CH(OH))n−CH3
n=1〜50であり、好ましくは、n=1〜25であり、更に好ましくは、n=1〜5である。
HO−CH2−(CH(OH))n−CH2−OH
n=1〜50であり、好ましくは、n=1〜25であり、更に好ましくは、n=1〜5である。
H2NNH2
NaBH4
NaCNBH3
及びこれらの混合物であり、
これには、アニオン性前躯体及び/又は還元剤が含まれる。
M(リガンド)y
y=1のとき、M=Tl、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Zn、Cd、Hg、Cu、Pb、Niであり、
y=3のとき、M=Al、Ga、B、In、Bi、Feであり、
リガンド=−(O2C−(CH2)n−CH3)、−(O2C−(CH2)m−CH=CH−(CH2)o−CH3)、−S−(CH2)n−CH3、−PR3、−OPR3であり、
n=2〜24であり、好ましくは、n=8〜20であり、更に好ましくは、n=12〜16であり、
m及びo=1〜15であり、好ましくは、n及びo=12〜16であり、更に好ましくは、n及びo=7〜9であり、
R=−(CH2)pCH3、−C6H5、−C6H4−R’であり、
p=0〜18であり、
R’=−(CH2)p−CH3、−CH(CH3)2、−C(CH3)3である。
又はこれらの混合物。
M(リガンド)y
y=1のとき、M=Na、K、Rb、Cs、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Mg、Ca、Sr、Ba、Pd、Pt、Cu、Niであり、
y=3のとき、M=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Auであり、
y=4のとき、M=Ti、Zr、Hf、Pt、Pdであり、
リガンド=−O2C−CH3、−Cl、−F、−NO3である。
又はこれらの混合物。
Claims (20)
- 少なくとも第1前躯体と少なくとも第2前躯体とを1つに混合し、連続流路内においてチューブを下流に移動する前躯体の混合物を形成し;
前記前躯体の混合物のセグメント間にパーティションを生成し、これにより、前記前躯体の混合物が前記チューブ内において前記流路を下流に移動する際に、セグメント内で前記前躯体の混合物が混合されるように、前記流路が前記第1エネルギー源に進入する前に不混和性ガスのプラグを連続流路内の前記混合物に挿入し;
前記前躯体の混合物にマイクロ波エネルギーを印加する第1エネルギー源を通じて前記連続流路を延在させ、第1エネルギーレベルにおいて第1持続時間にわたって前記チューブ内の前記前躯体の混合物を均一に活性化し、これにより、前記前躯体の混合物の均一な核生成を可能にし;
制御された温度において第2持続時間にわたって加熱源を通じて前記連続流路を延在させ、予め形成された核の周囲における均一な熱力学的成長を可能にして望ましいコアサイズのナノ粒子を形成し;そして、
前記ナノ粒子の前記成長を急冷して停止することを含み、
前記チューブは、1.58mm〜25.40mmの内径を有する、均一サイズのナノ粒子を生成する方法。 - 少なくとも第1前躯体と少なくとも第2前躯体とを1つに混合し、連続流路内においてチューブを下流に移動する前躯体の混合物を形成し;
前記前躯体の混合物のセグメント間にパーティションを生成し、これにより、前記前躯体の混合物が前記チューブ内において前記流路を下流に移動する際に、セグメント内で前記前躯体の混合物が混合されるように、前記流路が前記第1エネルギー源に進入する前に不混和性ガスのプラグを連続流路内の前記混合物に挿入し;
前記前躯体の混合物にマイクロ波エネルギーを印加する第1エネルギー源を通じて前記連続流路を延在させ、第1エネルギーレベルにおいて第1持続時間にわたって前記チューブ内の前記前躯体の混合物を均一に活性化し、これにより、前記前躯体の混合物の均一な核生成を可能にし;
制御された温度において第2持続時間にわたって加熱源を通じて前記連続流路を延在させ、予め形成された核の周囲における均一な熱力学的成長を可能にして望ましいコアサイズのナノ粒子を形成し;そして、
前記ナノ粒子の前記成長を急冷して停止することを含み、
前記マイクロ波エネルギーは、前記第1及び第2前躯体が同時に核生成し、これにより、均質なナノ粒子を生成するようにする周波数において動作する、均一サイズのナノ粒子を生成する方法。 - 前記マイクロ波エネルギーは、単一モード、マルチモード、又はマルチ可変周波数である請求項1又は2に記載の方法。
- 不混和性ガスのプラグの前記混合物への挿入が、加圧されたガスを前記連続流路内に提供することを含む請求項1又は2に記載の方法。
- 前記不混和性ガスは、前記マイクロ波エネルギー、前記前躯体、及び前記ナノ粒子に対して不活性且つ非反応性である請求項1又は2に記載の方法。
- 前記不混和性ガスは、窒素及びアルゴンからなる群から選択される請求項5に記載の方法。
- 前記第1持続時間は、60秒以下である請求項1又は2に記載の方法。
- センサ、アクチュエータ、及びコンピュータシステムに動作可能に接続された制御システムを更に含み、前記センサは、生成されるナノ粒子の品質を監視し、且つ、前記制御システムは、前記生成されるナノ粒子の検出品質に応答して、前記第1持続時間、第1エネルギーレベル、第2持続時間、及び温度を調節するべく、前記アクチュエータを変調する請求項1又は2に記載の方法。
- 下記群B及びCからの、異なるマイクロ波吸収断面を有する、2つ以上の前躯体の混合物は、前記前躯体が、前記エネルギー源を通じて移動しながら同一の速度で下記群Aの前躯体と核を形成する方法により、前記マイクロ波と相互作用する請求項1又は2に記載の方法。
群A
H 2 X
ここで、X=O、S、Se、Teである。
R 3 P=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
n=3〜18であり、
R’=−(CH 2 ) m −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 であり
m=0〜17であり、
X=Se、Teである。
R 3 N=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−Si(CH 3 ) 3 であり、
n=0〜4であり、
X=S、Se、Teである。
((CH 3 ) 3 Si) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
(((CH 3 ) 3 Si) 2 N) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
H−X−(CH 2 ) n −CH 3
ここで、X=O、S、Se、Teであり、
n=1〜18である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 3
n=1〜50である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 2 −OH
n=1〜50である。
H 2 NNH 2
NaBH 4
NaCNBH 3
及びこれらの混合物であり、
これには、アニオン性前躯体及び/又は還元剤が含まれる。
群B
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Tl、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Zn、Cd、Hg、Cu、Pb、Niであり、
y=3のとき、M=Al、Ga、B、In、Bi、Feであり、
リガンド=−(O 2 C−(CH 2 ) n −CH 3 )、−(O 2 C−(CH 2 ) m −CH=CH−(CH 2 ) o −CH 3 )、−S−(CH 2 ) n −CH 3 、−PR 3 、−OPR 3 であり、
n=2〜24であり、
m及びo=1〜15であり、
R=−(CH 2 ) p CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
p=0〜18であり、
R’=−(CH 2 ) p −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 である。
又はこれらの混合物。
群C
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Na、K、Rb、Cs、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Mg、Ca、Sr、Ba、Pd、Pt、Cu、Niであり、
y=3のとき、M=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Auであり、
y=4のとき、M=Ti、Zr、Hf、Pt、Pdであり、
リガンド=−O 2 C−CH 3 、−Cl、−F、−NO 3 である。
又はこれらの混合物。
- 前記第1持続時間における前記第1及び第2前躯体の前記核生成は、均一なナノ粒子を生成する請求項9に記載の方法。
- 連続プロセスを使用し、下記群Aからの少なくとも第3前躯体及び下記群B及び群Cからの第4前躯体の混合物に前記ナノ粒子を曝露させる工程と;
熱源内において前記曝露されたナノ粒子を加熱し、前記ナノ粒子の周囲に第1シェルを形成する工程と;
を更に含む請求項1又は2に記載の方法。
群A
H 2 X
ここで、X=O、S、Se、Teである。
R 3 P=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
n=3〜18であり、
R’=−(CH 2 ) m −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 であり
m=0〜17であり、
X=Se、Teである。
R 3 N=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−Si(CH 3 ) 3 であり、
n=0〜4であり、
X=S、Se、Teである。
((CH 3 ) 3 Si) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
(((CH 3 ) 3 Si) 2 N) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
H−X−(CH 2 ) n −CH 3
ここで、X=O、S、Se、Teであり、
n=1〜18である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 3
n=1〜50である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 2 −OH
n=1〜50である。
H 2 NNH 2
NaBH 4
NaCNBH 3
及びこれらの混合物であり、
これには、アニオン性前躯体及び/又は還元剤が含まれる。
群B
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Tl、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Zn、Cd、Hg、Cu、Pb、Niであり、
y=3のとき、M=Al、Ga、B、In、Bi、Feであり、
リガンド=−(O 2 C−(CH 2 ) n −CH 3 )、−(O 2 C−(CH 2 ) m −CH=CH−(CH 2 ) o −CH 3 )、−S−(CH 2 ) n −CH 3 、−PR 3 、−OPR 3 であり、
n=2〜24であり、
m及びo=1〜15であり、
R=−(CH 2 ) p CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
p=0〜18であり、
R’=−(CH 2 ) p −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 である。
又はこれらの混合物。
群C
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Na、K、Rb、Cs、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Mg、Ca、Sr、Ba、Pd、Pt、Cu、Niであり、
y=3のとき、M=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Auであり、
y=4のとき、M=Ti、Zr、Hf、Pt、Pdであり、
リガンド=−O 2 C−CH 3 、−Cl、−F、−NO 3 である。
又はこれらの混合物。
- 連続プロセスを使用し、少なくとも、少なくとも第5前躯体及び第6前躯体の混合物に前記ナノ粒子を曝露させる工程と;
前記曝露されたナノ粒子を熱源内において加熱し、前記ナノ粒子の周囲に2つの層を有する第2シェルを形成する工程と;
を更に含む請求項11に記載の方法。 - 連続プロセスを使用し、少なくとも下記群Aからの第5前躯体及び下記群B又は群Cからの第6前躯体の混合物に前記ナノ粒子を曝露させる工程と;
前記曝露されたナノ粒子を補完的熱源によって加熱し、前記ナノ粒子の周囲に2つの層を有するシェルを形成する工程と;
を更に含む請求項12に記載の方法。
群A
H 2 X
ここで、X=O、S、Se、Teである。
R 3 P=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
n=3〜18であり、
R’=−(CH 2 ) m −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 であり
m=0〜17であり、
X=Se、Teである。
R 3 N=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−Si(CH 3 ) 3 であり、
n=0〜4であり、
X=S、Se、Teである。
((CH 3 ) 3 Si) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
(((CH 3 ) 3 Si) 2 N) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
H−X−(CH 2 ) n −CH 3
ここで、X=O、S、Se、Teであり、
n=1〜18である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 3
n=1〜50である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 2 −OH
n=1〜50である。
H 2 NNH 2
NaBH 4
NaCNBH 3
及びこれらの混合物であり、
これには、アニオン性前躯体及び/又は還元剤が含まれる。
群B
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Tl、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Zn、Cd、Hg、Cu、Pb、Niであり、
y=3のとき、M=Al、Ga、B、In、Bi、Feであり、
リガンド=−(O 2 C−(CH 2 ) n −CH 3 )、−(O 2 C−(CH 2 ) m −CH=CH−(CH 2 ) o −CH 3 )、−S−(CH 2 ) n −CH 3 、−PR 3 、−OPR 3 であり、
n=2〜24であり、
m及びo=1〜15であり、
R=−(CH 2 ) p CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
p=0〜18であり、
R’=−(CH 2 ) p −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 である。
又はこれらの混合物。
群C
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Na、K、Rb、Cs、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Mg、Ca、Sr、Ba、Pd、Pt、Cu、Niであり、
y=3のとき、M=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Auであり、
y=4のとき、M=Ti、Zr、Hf、Pt、Pdであり、
リガンド=−O 2 C−CH 3 、−Cl、−F、−NO 3 である。
又はこれらの混合物。
- 連続プロセスを使用し、少なくとも前記群Aからの第7前躯体及び前記群B又は群Cからの第8前躯体の混合物に前記ナノ粒子を曝露させる工程と;
前記曝露された粒子を加熱源内において加熱し、前記ナノ粒子の周囲に3つの層を有するシェルを形成する工程と;
を更に含む請求項13に記載の方法。 - 前記ナノ粒子の前記成長を急冷して停止させる前記工程の後に、前記混合物から前記プラグを取り除く工程を更に含む請求項6に記載の方法。
- 前記チューブは、1.58mm〜25.40mmの内径を有する請求項2に記載の方法。
- 前記ナノ粒子を第3前躯体及び第4前躯体の混合物に曝露する;そして
前記第3及び第4前躯体の前記混合物に熱を印加し、前記ナノ粒子の周囲にシェル層を形成する;
ことを更に含む請求項1又は2に記載の方法。 - 前記第1前躯体は、下記群Aからなる群から選択される請求項1又は2に記載の方法。
群A
H 2 X
ここで、X=O、S、Se、Teである。
R 3 P=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
n=3〜18であり、
R’=−(CH 2 ) m −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 であり
m=0〜17であり、
X=Se、Teである。
R 3 N=X
ここで、R=−H、−(CH 2 ) n −CH 3 、−Si(CH 3 ) 3 であり、
n=0〜4であり、
X=S、Se、Teである。
((CH 3 ) 3 Si) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
(((CH 3 ) 3 Si) 2 N) 2 X
ここで、X=S、Se、Teである。
H−X−(CH 2 ) n −CH 3
ここで、X=O、S、Se、Teであり、
n=1〜18である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 3
n=1〜50である。
HO−CH 2 −(CH(OH)) n −CH 2 −OH
n=1〜50である。
H 2 NNH 2
NaBH 4
NaCNBH 3
及びこれらの混合物であり、
これには、アニオン性前躯体及び/又は還元剤が含まれる。 - 前記第2前躯体は、下記群B及び下記群Cからなる群から選択される請求項18に記載の方法。
群B
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Tl、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Zn、Cd、Hg、Cu、Pb、Niであり、
y=3のとき、M=Al、Ga、B、In、Bi、Feであり、
リガンド=−(O 2 C−(CH 2 ) n −CH 3 )、−(O 2 C−(CH 2 ) m −CH=CH−(CH 2 ) o −CH 3 )、−S−(CH 2 ) n −CH 3 、−PR 3 、−OPR 3 であり、
n=2〜24であり、
m及びo=1〜15であり、
R=−(CH 2 ) p CH 3 、−C 6 H 5 、−C 6 H 4 −R’であり、
p=0〜18であり、
R’=−(CH 2 ) p −CH 3 、−CH(CH 3 ) 2 、−C(CH 3 ) 3 である。
又はこれらの混合物。
群C
M(リガンド) y
y=1のとき、M=Na、K、Rb、Cs、Ag、Cuであり、
y=2のとき、M=Mg、Ca、Sr、Ba、Pd、Pt、Cu、Niであり、
y=3のとき、M=La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Auであり、
y=4のとき、M=Ti、Zr、Hf、Pt、Pdであり、
リガンド=−O 2 C−CH 3 、−Cl、−F、−NO 3 である。
又はこれらの混合物。 - 前記第3前躯体は前記群Aからなる群から選択され、そして、第4前躯体は前記群B及び前記群Cからなる群から選択される請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361784107P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US201361784306P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US201361784257P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US201361783753P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US201361784183P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US201361783911P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US201361784358P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
US61/783,911 | 2013-03-14 | ||
US61/784,306 | 2013-03-14 | ||
US61/784,257 | 2013-03-14 | ||
US61/784,107 | 2013-03-14 | ||
US61/784,358 | 2013-03-14 | ||
US61/783,753 | 2013-03-14 | ||
US61/784,183 | 2013-03-14 | ||
PCT/US2014/029837 WO2014153266A2 (en) | 2013-03-14 | 2014-03-14 | Continuous flow reactor for the synthesis of nanoparticles |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016520414A JP2016520414A (ja) | 2016-07-14 |
JP2016520414A5 JP2016520414A5 (ja) | 2017-04-20 |
JP6335272B2 true JP6335272B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=51523492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016503232A Active JP6335272B2 (ja) | 2013-03-14 | 2014-03-14 | ナノ粒子合成用の連続フロー反応器 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9592555B2 (ja) |
EP (2) | EP3578254B1 (ja) |
JP (1) | JP6335272B2 (ja) |
KR (1) | KR102302598B1 (ja) |
CN (2) | CN105246586A (ja) |
IL (1) | IL240821B (ja) |
TW (1) | TWI641556B (ja) |
WO (1) | WO2014153266A2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5909594B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2016-04-26 | 第一高周波工業株式会社 | 強磁性体微粒子製造装置 |
US9751071B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-09-05 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Continuous microwave-assisted segmented flow reactor for high-quality nanocrystal synthesis |
US9850184B2 (en) * | 2014-06-20 | 2017-12-26 | National University Of Singapore | Triphasic flow millireactors |
TWI707994B (zh) | 2015-07-23 | 2020-10-21 | 日商昭榮化學工業股份有限公司 | 奈米結晶之製造方法及奈米結晶製造裝置 |
CN106563811B (zh) * | 2015-10-13 | 2018-07-03 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种利用微通道反应器连续制备海胆状Ag-ZnO纳米粒子的方法 |
WO2017069758A1 (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Vadients Optics Llc | Nanocomposite-ink factory |
US10369538B2 (en) * | 2015-12-31 | 2019-08-06 | Kuantag Nanoteknolojiler Gelistirme Ve Uretim A.S. | Flow system and process for photoluminescent nanoparticle production |
US10815424B2 (en) | 2015-12-31 | 2020-10-27 | Kuantag Nanoteknolojiler Gelistirme Ve Uretim A.S. | One-step process for synthesis of core shell nanocrystals |
US11667838B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-06-06 | Shoei Chemical, Inc. | Quantum dot material and method for producing quantum dot material |
JP2017226916A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 株式会社新光化学工業所 | 微粒子の製造方法及び製造装置ならびに微粒子 |
CN106735306A (zh) * | 2017-01-22 | 2017-05-31 | 武汉璟泓万方堂医药科技股份有限公司 | 一种连续制备胶体金的反应装置 |
WO2018182995A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Methods of making metal particles |
KR102566832B1 (ko) | 2017-09-13 | 2023-08-17 | 노쓰 캐롤라이나 스테이트 유니버시티 | 장치 및 이의 사용 방법 |
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CN108355595A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-03 | 邱洪 | 微波催化连续管道反应器 |
US20190308157A1 (en) * | 2018-04-09 | 2019-10-10 | COMSATS University Islamabad | One-step Dual Heater Based Flow Synthesis Setup for Synthesis of Inorganic Particles in Near Ambient Conditions |
KR102308148B1 (ko) * | 2018-12-27 | 2021-10-06 | 주식회사 오디텍 | 양자점 제조장치 및 이를 이용한 양자점 제조방법 |
EP3942050A4 (en) * | 2019-03-19 | 2023-02-22 | Arcturus Therapeutics, Inc. | PROCEDURE FOR THE PRODUCTION OF LIPID-COATED RNA NANOPARTICLES |
EP4335544A2 (en) | 2019-05-29 | 2024-03-13 | Saudi Arabian Oil Company | Flow synthesis of polymer nanoparticles |
US11566165B2 (en) | 2019-05-30 | 2023-01-31 | Saudi Arabian Oil Company | Polymers and nanoparticles for flooding |
GB201908940D0 (en) | 2019-06-21 | 2019-08-07 | C Tech Innovation Ltd | Electromagnetic heating reactor |
CN110865618A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-03-06 | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 | 量子点合成方案调控方法及其光学特性采样子*** |
KR20210097254A (ko) * | 2020-01-29 | 2021-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 제조 장치 및 이를 이용한 양자점 제조 방법 |
US11773715B2 (en) | 2020-09-03 | 2023-10-03 | Saudi Arabian Oil Company | Injecting multiple tracer tag fluids into a wellbore |
AU2021340876A1 (en) | 2020-09-13 | 2023-04-13 | Arcturus Therapeutics, Inc. | Lipid nanoparticles encapsulation of large RNA |
US11660595B2 (en) | 2021-01-04 | 2023-05-30 | Saudi Arabian Oil Company | Microfluidic chip with multiple porosity regions for reservoir modeling |
US11534759B2 (en) | 2021-01-22 | 2022-12-27 | Saudi Arabian Oil Company | Microfluidic chip with mixed porosities for reservoir modeling |
WO2022216234A1 (en) * | 2021-04-07 | 2022-10-13 | Nanyang Technological University | Feedback-controlled automated nanoparticle synthesis |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998002237A1 (en) * | 1996-07-15 | 1998-01-22 | Kemgas Limited | Production of powders |
US6322901B1 (en) | 1997-11-13 | 2001-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials |
US6179912B1 (en) | 1999-12-20 | 2001-01-30 | Biocrystal Ltd. | Continuous flow process for production of semiconductor nanocrystals |
US6833019B1 (en) | 2003-01-31 | 2004-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microwave assisted continuous synthesis of nanocrystalline powders and coatings using the polyol process |
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JP4740862B2 (ja) | 2003-05-07 | 2011-08-03 | インディアナ ユニヴァーシティ リサーチ アンド テクノロジー コーポレイション | 合金化された半導体量子ドットおよび合金化された濃度勾配量子ドット、これらの量子ドットを含むシリーズ、ならびにこれらに関する方法 |
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FR2912070B1 (fr) * | 2007-02-02 | 2010-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Synthese de nanoparticules par pyrolyse laser |
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GB2457314A (en) * | 2008-02-11 | 2009-08-12 | Ct Angewandte Nanotech Can | Apparatus and method for the manufacture of nanoparticles |
US20110229397A1 (en) * | 2008-10-03 | 2011-09-22 | Life Technologies Corporation | Process and apparatus for continuous flow synthesis of nanocrystals |
EP2387478B1 (en) * | 2009-01-15 | 2018-09-26 | Clene Nanomedicine, Inc. | Continuous process and apparatus for forming gold-based nanoparticles |
AT508283A1 (de) | 2009-06-02 | 2010-12-15 | Isovoltaic Gmbh | Kompositmaterial umfassend nanopartikel sowie herstellung von photoaktiven schichten enthaltend quaternäre, pentanäre und höher zusammengesetzte halbleiternanopartikel |
US8801979B2 (en) * | 2010-06-10 | 2014-08-12 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Apparatus and method for continuous production of materials |
US9751071B2 (en) * | 2013-12-27 | 2017-09-05 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Continuous microwave-assisted segmented flow reactor for high-quality nanocrystal synthesis |
-
2014
- 2014-03-14 EP EP19181014.2A patent/EP3578254B1/en active Active
- 2014-03-14 EP EP14769712.2A patent/EP2969178B1/en active Active
- 2014-03-14 KR KR1020157028974A patent/KR102302598B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-14 CN CN201480014725.4A patent/CN105246586A/zh active Pending
- 2014-03-14 WO PCT/US2014/029837 patent/WO2014153266A2/en active Application Filing
- 2014-03-14 CN CN202110798239.8A patent/CN113813899A/zh active Pending
- 2014-03-14 JP JP2016503232A patent/JP6335272B2/ja active Active
- 2014-03-14 US US14/214,587 patent/US9592555B2/en not_active Ceased
-
2015
- 2015-03-13 TW TW104108205A patent/TWI641556B/zh active
- 2015-08-25 IL IL240821A patent/IL240821B/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2969178B1 (en) | 2019-07-31 |
EP3578254B1 (en) | 2021-08-04 |
TW201602005A (zh) | 2016-01-16 |
US20140264171A1 (en) | 2014-09-18 |
IL240821B (en) | 2020-03-31 |
WO2014153266A3 (en) | 2014-12-24 |
EP3578254A1 (en) | 2019-12-11 |
TWI641556B (zh) | 2018-11-21 |
US9592555B2 (en) | 2017-03-14 |
IL240821A0 (en) | 2015-10-29 |
EP2969178A4 (en) | 2017-06-07 |
KR102302598B1 (ko) | 2021-09-16 |
CN105246586A (zh) | 2016-01-13 |
EP2969178A2 (en) | 2016-01-20 |
KR20160009018A (ko) | 2016-01-25 |
US20160375495A9 (en) | 2016-12-29 |
WO2014153266A2 (en) | 2014-09-25 |
CN113813899A (zh) | 2021-12-21 |
JP2016520414A (ja) | 2016-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170313 |
|
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|
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|
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|
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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