JP6334675B2 - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本明細書は、2013年3月15日に出願された米国特許仮出願第61/799、112号、表題「STRUCTURES AND METHODS FOR IMPROVING ELECTRICAL PROPERTIES OF SOLAR CELLS」の利益を主張し、これらの開示内容全体は、参照により本明細書に組み入れられる。
太陽電池として既知の光起電力(PV)電池は、太陽放射を電気エネルギーに直接変換させるための装置として既知である。一般的に、太陽電池の基板の表面に衝突し、太陽電池の基板に入射する太陽放射は、基板のバルク内に電子−正孔対を生じさせる。電子−正孔対は、基板のp型ドープ領域及びn型ドープ領域内に移動し、それによってドープ領域の間に電圧差を生じさせる。ドープ領域は、太陽電池からの電流を、外部回路に方向付けるように、太陽電池上の導電性領域に接続される。PVモジュールなどのアレイ内でPV電池が連結されるとき、すべてのPV電池から集められた電気エネルギーは、特定の電圧及び電流の電力を提供するように、直列で、及び並列配置で連結され得る。
太陽電池のコンタクト形成及びめっき金属に関する改善された手法は、太陽電池の全製造時間を削減し、かつ販売可能な製品の収率を増加させながら、製造工程を削減し、かつ全体的な生産収率を改善し得る。
発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲を、同様の参照番号がその全体を通じて同様の要素を指し示す以下の図面と併せて考察し参照することによって、本主題のより完全な理解を得ることができる。
一部の実施形態による、代表的な太陽電池の断面図を示す。
一部の実施形態による、図1の代表的な太陽電池のための単一のコンタクト領域の断面図を示す。
一部の実施形態による、太陽電池のコンタクト領域を形成するための様々な操作の断面図を示す。 一部の実施形態による、太陽電池のコンタクト領域を形成するための様々な操作の断面図を示す。 一部の実施形態による、太陽電池のコンタクト領域を形成するための様々な操作の断面図を示す。
一部の実施形態による、別の代表的な太陽電池の断面図を示す。
一部の実施形態による、更に別の代表的な太陽電池の断面図を示す。
一部の実施形態による、図7の代表的な太陽電池のための単一のコンタクト領域の断面図を示す。
一部の実施形態による、様々な代表的な太陽電池の断面図を示す。
一部の実施形態による、太陽電池のコンタクト領域を形成するための様々な代表的な方法のフローチャート図を示す。 一部の実施形態による、太陽電池のコンタクト領域を形成するための様々な代表的な方法のフローチャート図を示す。
以下の発明を実施するための形態は、本質的には、単なる例に過ぎず、本主題の用途の実施形態、又はそのような実施形態の応用を限定することを意図するものではない。本明細書で用いる場合、「代表的」という語は、「実施例、例、実例としての役割を果たす」ことを意味する。本明細書に代表的として説明した実施は、必ずしも、他の実施よりも好ましいとか有利であると解釈されるべきものではない。更に、上記の技術分野、背景技術、概要、又は以下の発明を実施するための形態で提示される、明示又は暗示の何らかの理論に拘束されることを意図するものではない。
本明細書は、「一実施形態」又は「ある実施形態」への参照を含む。「一実施形態において」又は「ある実施形態において」の語句の出現は、同じ実施形態を必ずしも指すものではない。特定の形状、構造、又は特性は、本開示と適合する任意の適した方法により組み合わせられ得る。
用語について、以下のパラグラフは、本開示(添付の請求項を含む)において見られる用語の定義及び/又は内容を提供する。
「含む」について、この用語には、制約がない。添付の特許請求の範囲で使用されるように、この用語は、追加の構造又はステップを除外しない。
「ように構成される」について、様々なユニット又は構成要素が、タスク(単数及び複数)を実行する「ように構成される」として説明され、又は請求され得る。このような文脈では、「ように構成される」は、ユニット/構成要素が、操作中にこれらのタスク(単数及び複数)を実行する構造を含むことを示すことにより、構造を暗示させるように使用される。この場合、特定のユニット/構成要素がその時点で動作可能でないとき(例えば、オンではない/起動していない)でさえも、タスクを実行するように構成されると言うことができる。ユニット/回路/構成要素が1つ以上のタスクを実行する「ように構成される」ということを引用することは、このユニット/構成要素に関して、35米国特許法第112条第6項を行使しないということが明らかに意図されている。
本明細書で使用される、「第1」「第2」などのこれらの用語は、その後に来る名詞を標識するために使用され、なんらかの種類の順序(例えば、空間的、経時的、論理的など)を意味するものではない。例えば、「第1」誘電体に対する言及は、この誘電体が、順序において第1の誘電体であることを必ずしも意味せず、この用語「第1」は、この誘電体を他の誘電体(例えば、「第2」誘電体)から識別するために使用される。
「基づいて」について、本明細書で使用されるとき、本用語は、判定に影響を及ぼす1つ以上の要因を記載するために使用される。本用語は、判定に影響を及ぼし得る追加の要因を除外しない。すなわち、判定は、これらの要因に単独で、又はこれらの要因の少なくとも一部分に基づき得る。「Bに基づいてAを判定する」の語句を考えると、Bは、Aの判定に影響を及ぼす要因であり得る一方で、このような語句は、Cに基づくAの判定を除外しない。他の例では、Aは、単独にBに基づいて判定され得る。
「結合された」−以下の説明では、素子又はノード又は機構がともに「結合される」ことを指す。本明細書で使用する場合、明示的に別段の定めがある場合を除き、「結合された」は、1つの素子/ノード/機構が、別の素子/ノード/機構に直接的又は非直接的に連結される(又は直接的若しくは非直接的にこれらと連絡する)ことを意味し、それは必ずしも機械的である必要はない。
また更に、特定の用語は、参照目的のためだけに以下の説明に用いることがあり、したがって、制限的であることを意図しない。例えば、「上側」、「下側」、「上方」、及び「下方」などの用語は、参照している図における方向を示す。「前部」、「後部」、「後方」、「側部」、「外側」、及び「内側」などの用語は、説明中の構成要素について記述する本文及び関連図面の参照によって明らかにされる、一貫性はあるが任意の基準系内において、構成要素の一部分の向き及び/又は場所を記述するものである。かかる用語は、特に上述した語、それらの派生語、及び類似の意味の語を含み得る。
「層」について、本明細書で使用される場合、層は、連続した領域であり得、又は孔及び/若しくは空隙を備えた領域、並びに/又は太陽電池の全長及び/若しくは全幅を覆わない領域であり得る。
以下の説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、特定の操作などの多数の特定の詳細が記載される。これらの特定の詳細がなくても、本発明の実施形態を実践することができることが、当業者には明らかであろう。他の例では、本発明の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、周知の技術については詳細に説明されない。
本明細書は、まず、本開示のコンタクト領域を含む代表的な太陽電池を説明し、次に本開示のコンタクト領域を形成する代表的な方法を説明する。コンタクト領域の様々な実施形態のより詳細な説明は、全体において提供される。
図1を参照して、通常動作中に太陽を向く前面102と、前面102とは反対側にある裏面104と、を有する太陽電池100が図示される。太陽電池100は、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114を有するシリコン基板110を含み得る。シリコン基板は、洗浄、研磨、平坦化及び/又は薄型化され、又はないしは他の方法で処理され得る。ある実施形態では、シリコン基板110は、ポリシリコン又は多結晶質シリコンである。
ある実施形態では、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114は、熱プロセスによって成長させられ得る。ある実施形態では、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114は、ドーパントをシリコン基板内に従来のドーピングプロセスによって堆積させることにより形成され得る。第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114はそれぞれ、ホウ素等のp型ドーパント、又はリン等のn型ドーパントに限定されないドープ材料を含み得る。第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114の両方は、それぞれ熱プロセスによって成長させられると記載されるが、ここに記載若しくは引用される任煮の他の形成、堆積、又は成長プロセス操作のように、各層又は物質は、任意の適切なプロセスを使用して形成される。例えば、形成が説明されるところでは、化学蒸着(CVD)プロセス、減圧CVD(LPCVD)、常圧CVD(APCVD)、プラズマ助長CVD(PECVD)、熱成長、スパッタリング、並びに任意の他の所望の技法が使用される。第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114は、堆積技法、スパッタ、又はインクジェット印刷若しくはスクリーン印刷などの印刷プロセスによって、シリコン基板110上に形成され得る。
ある実施形態では、酸化物層は、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114の上に、両方の領域の保護障壁として機能するように堆積され得る。第1誘電体層122が、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114の上に形成され得る。ある実施形態では、第1誘電体層122及び第2誘電体層124は、窒化ケイ素を含み得る。
太陽電池100は、追加の光吸収のための粗面化表面120と、粗面化表面120の上に形成された第2誘電体層124とを含み得る。一部の実施形態では、第1誘電体層122及び第2誘電体層124の両方は、反射防止コーティングを含み得る。粗面化表面120は、入射光を散乱させて太陽電池100の表面を反射して戻る光の量を減少させる、規則的又は不規則的な形状の表面を有するものであり得る。ある実施形態では、第1誘電体層122及び第2誘電体層124の両方は、前面102上に反射防止コーティング(ARC)を、裏面104上に裏反射防止コーティング(BARC)を含み得る。
第1金属層が、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114にわたるコンタクト領域を通って形成され得る。ある実施形態では、第1金属層は、金属粒子130を含む第1金属ペーストを堆積させた後に、第1金属ペーストを加熱することにより形成され得る。一部の実施形態では、金属粒子130は、アルミニウム粒子である。加熱する工程の間、金属粒子130は、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114のシリコンと反応し、ドープ領域上にダメージ領域140を形成し得る。アルミニウムとシリコンとの反応である、アルミニウム−シリコン反応は、ピット142を形成し得る。これらピット142は、太陽電池100の電荷キャリアの耐用期間に対して悪影響をもたらし得、太陽電池の全体的な仕事量を低下させる。
一部の実施形態では、第2金属層150は、標準めっきプロセスを使用して第1金属層上に形成され得る。一部の実施形態では、太陽電池100は、制限するものではないが、裏面コンタクト太陽電池、前面コンタクト太陽電池、単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池及び/又はアモルファスシリコン太陽電池などの太陽電池を含み得る。
図2を参照して、図1の太陽電池の単一のコンタクト領域が示される。第1金属層が金属粒子130又はアルミニウム粒子を含む場合、接触抵抗率は、アルミニウム粒子の有孔率に起因して高くなり得る。これらに限定されないが、本明細書では、第1ドープ領域112として記載される、アルミニウム粒子とシリコン基板110との間のコンタクト場所138は小さいので、接触抵抗率は高い。別の注目すべき問題は、シリコン基板110上(本明細書に記載では、これらに限定されないが、第1ドープ領域112)の反応済み領域すなわちダメージ領域140内のピット142である。ピット142は、バルクシリコン内の電荷の再結合の機会を増加させ、シリコン内での破損又は障害を生じさせ、これにより、太陽電池100の耐用期間を低下させ得る。接触抵抗率を低減させるための従来の手法は、上述の、第1金属ペーストを高温で加熱することを含み得る。高温での加熱の欠点は、アルミニウムが、第1ドープ領域112及び第2ドープ領域114からシリコンを溶解させ、太陽電池100の耐用期間の低下を引き起こさせることである。
図3〜6は、太陽電池上にコンタクト領域を形成するための方法の断面図を示す。1つ以上の方法は、上述の限界を克服することに関する。詳細及び実施形態が、以下に記載される。
図3を参照して、太陽電池のためのコンタクト領域を形成するための方法のステップが示される。本方法は、通常動作中に太陽を向く前面202と、前面202とは反対側にある裏面204と、を有する太陽電池200を提供することを含み得る。太陽電池200は、シリコン基板210を含み得る。太陽電池200はまた、第1ドープ領域212及び第2ドープ領域214を含み得る。太陽電池200はまた、第1ドープ領域212及び第2ドープ領域214の上に形成されたポリシリコン層206を含み得る。ある実施形態では、ポリシリコン層206は、非ドープのポリシリコン層である。ある実施形態では、ポリシリコン層206は、ドープポリシリコン層である。第1誘電体層222が、ポリシリコン層206の上に形成され得る。ある実施形態では、第1誘電体層222は、BARC層であり得る。上述と同様に、第1誘電体層212及び第2誘電体層214は、窒化ケイ素を含み得る。コンタクト開口部226はまた、ウェットエッチング及びアブレーション技術を含む任意の数のリソグラフィープロセスによって、第1ドープ領域212及び第2ドープ領域214の上に形成され得る。太陽電池200はまた、シリコン基板210上に粗面化表面220を含み得、第2誘電体層224は、粗面化表面220の上に形成され得る。ある実施形態では、第2誘電体層224は、ARC層であり得る。
図4は、一部の実施形態による、太陽電池のコンタクト領域を形成するための方法の別のステップを示す。方法は、コンタクト開口部226の上に、第1金属ペースト、又は金属粒子230及び粘着性マトリックス232を含む金属ペーストを形成することを含み得る。ある実施形態では、第1金属ペーストは、アルミニウムペースト又はいくつかの他の導電性ペーストであり得る。
図5を参照して、太陽電池のコンタクト領域を形成するための方法の更に別のステップが示される。方法は、第1金属ペーストを加熱すること220を含み得、加熱することにより粘着性マトリックス232を取り除く。図5では、加熱すること260の間の粘着性マトリックスが図示される。ある実施形態では、第1金属ペースト又はアルミニウムペーストを加熱すること260は、550℃の温度でアニールすることを含む。ある実施形態では、加熱すること260は、第1金属ペーストに、第1金属ペーストの下方に配置されたポリシリコン層206を消費して導電性充填材240を形成することを可能にする。図5では、加熱すること260の間の導電性充填材240が図示される。ある実施形態では、導電性充填材240は、他の例の中でも特に、アルミニウム粒子、シリコン粒子及び/又はアルミニウムーシリコン合金粒子を含む。ある実施形態では、導電性充填材は、第1合金であり得る(例えば、アルミニウムーシリコン合金)。一部の実施形態では、加熱すること260は、第1金属ペースト又はアルミニウムーシリコン合金粒子が、調節可能に第1金属ペーストの下方に配置されたポリシリコン層206を消費することを可能にする。ある実施形態では、以下の図6で図示される導電性充填材240は、0.2〜1μmの範囲の厚さを有し得る。一部の実施形態では、導電性充填材240は、これらに限定されないが、10−4Ωcm未満の接触抵抗率を有し得る。第2金属層250は、金属化及び/又はめっきプロセスを使用して第1金属層上に形成され得る。
図6は、太陽電池のコンタクト領域を形成するための方法の更に別のステップを示す。ある実施形態では、太陽電池は、金属粒子230を含む第1金属層、及び第1金属層と第1ドープ領域212及び第2ドープ領域214との間に形成された導電性充填材240を含み得る。ある実施形態では、第1金属層230は、アルミニウムであり得る。ある実施形態では、第2金属層250は、第1金属層上に形成され得、ここで、第1金属層及び導電性充填材240は、第1ドープ領域212及び第2ドープ領域214と第2金属層250との間に電気的接続を提供する。ある実施形態では、第2金属層250は、他の例の中では特に、銅、すず、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び/又は白金であり得る。第2金属層250は、金属化及び/又はめっきプロセスを使用して第2金属層250上に形成され得る。
図7を参照して、別の太陽電池の断面図が図示される。ある実施形態では、第3金属層252は、図6の太陽電池200上に形成され得る。ある実施形態では、第3金属層252は、他の例の中では特に、銅、すず、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び/又は白金であり得る。
図8を参照して、図7の太陽電池の単一のコンタクト領域が示される。図2の太陽電池の第1コンタクト場所138と、シリコン基板210との電気的接続をする合計領域(これらに限定されないが、本明細書では、第1ドープ領域212として記載の)とは対照的に、図8に示される第1コンタクト場所244と、図8で示されるシリコン基板210との電気的接続する合計領域は、増加される。図2と異なり、図8は、ポリシリコン層206を通って、又は少なくとも部分的にポリシリコン層206を通って形成され、かつ金属粒子230と第1ドープ領域212との間に形成された導電性コンタクト240を図示し、金属粒子230は、第2コンタクト場所238において導電性コンタクト240と接している。また図2と対照的に、電気的接続する合計面積の増加により、第1金属層の金属粒子230と、シリコン基板210との間の接触抵抗率は低減される。ある実施形態では、シリコン基板210内のピットもまた、低減され得る。したがって、図3〜8に図示されるコンタクト領域は、増加された合計コンタクト面積、低減された接触抵抗率及び、シリコン基板210の低減されたピットを提供し得る。
図9は、一部の実施形態による、通常動作中に太陽を向く前面402と、前面402とは反対側にある裏面404とを有する更に別の太陽電池400を図示する。太陽電池400は、第1ドープ領域412及び第2ドープ領域414を有するシリコン基板410を含み得る。ある実施形態では、第1ドープ領域412及び第2ドープ領域414は、熱プロセスによって成長させられ得る。第1ドープ領域412及び第2ドープ領域414はそれぞれ、ホウ素等のp型ドーパント、又はリン等のn型ドーパントに限定されないドープ材料を含み得る。第1誘電体層422が、第2ドープ領域414の上に形成され得る。第2誘電体層424が、第1ドープ領域412の上に形成され得る。太陽電池400は、追加の光吸収のための粗面化表面420と、粗面化表面420の上に形成された第2誘電体層424とを含み得る。ある実施形態では、太陽電池は、金属粒子430を含む第1金属層と、第1金属層と第1ドープ領域412及び第2ドープ領域414との間に形成された導電性充填材440とを含み得る。ある実施形態では、導電性充填材440は、ポリシリコン層406を少なくとも部分的に通って形成され得る。ある実施形態では、第2金属層450は、第1金属層上に形成され得、ここで、第1金属層及び導電性充填材440は、第1ドープ領域412及び第2ドープ領域414と第2金属層450との間に電気的接続を提供する。
一部の実施形態では、太陽電池400は、第2金属層450上に形成された第3金属層452を含み、ここで、導電性充填材440、第1金属層及び第2金属層450は、第1ドープ領域412及び第2ドープ領域414と、第3金属層452との間の電気的接続を提供する。ある実施形態では、第2金属層450及び/又は第3金属層452は、特に、銅、すず、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び/又は白金であり得る。第2金属層450及び/又は第3金属層452は、めっきプロセスを使用して形成され得る。
図10を参照して、太陽電池のコンタクト領域を形成するための方法を図示するフローチャートが示される。
501において、本方法は、通常動作中に太陽を向く前面と、前面と反対の裏面と、シリコン基板とを有する太陽電池を提供することを含む。
502において、ポリシリコン層は、太陽電池のシリコン基板上に形成され得、ここで、ポリシリコン層は、シリコン基板の少なくとも1つのドープ領域上に形成される。
503において、第1誘電体層が、ポリシリコン層上に形成され得る。
504において、少なくとも1つのコンタクト開口部は、ポリシリコン層上の第1誘電体層を通って形成され得る。
505において、第1金属層が、コンタクト開口部上に形成され得る。
506において、第1金属ペーストは、加熱され、第1金属層を形成し得、この加熱により、第1合金を含む導電性充填材が、コンタクト開口部内に形成され、かつポリシリコン層を通って又は少なくとも部分的に通って形成され、充填材は、第1金属層とドープ領域とを電気的に結合する。
図11は、太陽電池のコンタクト領域を形成するための別の方法を示すフローチャートを図示する。
511において、本方法は、通常動作中に太陽を向く前面と、前面と反対の裏面と、シリコン基板とを有する太陽電池を提供することを含み得る。
512において、第1の厚さを有する非ドープのポリシリコン層は、太陽電池のシリコン基板上に堆積され得、ここで、非ドープのポリシリコン層は、太陽電池の裏面上のシリコン基板の少なくとも1つのドープ領域上に形成され得る。
513において、第1誘電体層が、ポリシリコン層上に堆積され得る。
514において、少なくとも1つのコンタクト開口部は、非ドープのポリシリコン層上の第1誘電体層を通って形成され得る。
515において、アルミニウムペーストは、コンタクト開口部上に堆積され得、ここで、アルミニウムペーストは、ドープ領域と電気的に結合される。
516において、アルミニウムペーストは、アルミニウム層を形成するように硬化され得る。
517において、アルミニウム層及びシリコン基板が、550℃の温度でアニールされ得ることにより、アルミニウム層が、アルミニウム層の下方に配置されたポリシリコン層は消費して導電性充填材を形成する。ある実施形態では、導電性充填材は、アルミニウムーシリコン合金を含み得る。ある実施形態では、導電性充填材は、第1の厚さと等しい厚さを有し、かつアルミニウム層とドープ領域との電気的結合を有し得る。
518において、第2金属層は、第1金属層上に形成され得、ここで、導電性充填材及びアルミニウム層はドープ領域を第2金属層に電気的に結合する。
特定の実施形態は、上述されてきたが、これらの実施形態は、たとえ単一の実施形態のみが特定の形態に対して記載されている場合でも、本発明の範囲を制限することは意図されない。本開示における形態の例は、他に明記されない限り、限定するよりもむしろ例示されることを意図する。上述の説明は、本開示の利益を有する当業者には明らかであろうそのような代替例、修正案、及び均等物を包含することを意図する。
本開示において対処される問題のいずれか又は全てを軽減するかどうかにかかわらず、本開示の範囲は、本明細書中に(明示的に又は暗黙的にのいずれかで)開示された任意の特徴又は任意の特徴の組み合わせ、又は任意の一般化を含む。したがって、新しい請求項は、任意のこのような特徴の組み合わせに対する本出願(又はその優先権を主張する明細書)の手続中に考案され得る。具体的には、添付の特許請求の範囲を参照して、従属請求項からの特徴は、各独立請求項からの特徴と組み合され得、各独立請求項からの特徴は、それらの任意の適切な方法で組み合わされ得、かつ単に添付の特許請求の範囲に列挙された特定の組み合わせで組み合わせられ得ない。
[項目1]
通常動作中に太陽を向く前面と、前記前面とは反対側にある裏面と、を有する太陽電池であって、前記太陽電池は、
ドープ領域上に配置されたポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層上に少なくとも部分的に配置された第1金属層であって、前記第1金属層は、前記ドープ領域と整列する、第1金属層と、
前記ポリシリコン層にわたって形成された第1誘電体層であって、少なくとも1つのコンタクト開口部が、前記第1誘電体層を通って形成される、第1誘電体層と、
第1合金及びポリシリコンを含み、前記少なくとも1つのコンタクト開口部の下方に形成され、かつ少なくとも部分的に前記ポリシリコン層を通って形成された導電性充填材であって、前記導電性充填材は、前記第1金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する、導電性充填材と、を含む、太陽電池。
[項目2]
前記ポリシリコン層は、非ドープのポリシリコン層である、項目1に記載の太陽電池。
[項目3]
前記第1誘電体層は、窒化ケイ素を含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目4]
前記シリコン基板は、n型バルクシリコン及びp型バルクシリコンからなる群から選択される材料を含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目5]
前記ドープ領域は、n型ドープシリコン及びp型ドープシリコンからなる群から選択される材料を含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目6]
前記ドープ領域は、リン及びホウ素からなる群から選択されるドーパントを含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目7]
前記導電性充填材は、アルミニウム粒子、シリコン粒子、及びアルミニウムーシリコン合金粒子からなる群から選択される材料を含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目8]
前記導電性充填材は、0.2〜1μmの範囲の厚さを有する、項目1に記載の太陽電池。
[項目9]
前記導電性充填材は、10 −4 Ωcm 未満の接触抵抗率を有する、項目1に記載の太陽電池。
[項目10]
前記第1金属層は、アルミニウムを含む、項目1に記載の太陽電池。
[項目11]
第1金属層上に配置された第2金属層を更に含み、前記第1金属層及び導電性充填材は、前記第2金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する、項目1に記載の太陽電池。
[項目12]
前記第2金属層は、銅、すず、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び白金からなる群から選択される金属を含む、項目11に記載の太陽電池。
[項目13]
通常動作中に太陽を向く前面と、前記前面とは反対側にある裏面と有する太陽電池であって、前記太陽電池は、
前記太陽電池の前記裏面上にドープ領域を有するシリコン基板と、
前記ドープ領域上に配置された非ドープのポリシリコン層であって、前記非ドープのポリシリコンは、第1の厚さを有する、非ドープのポリシリコン層と、
前記非ドープのポリシリコン層の上に少なくとも部分的に配置されたアルミニウム粒子であって、前記アルミニウム粒子は、前記ドープ領域の上に位置合わせされている、アルミニウム粒子と、
第1誘電体層を通って形成された少なくとも1つのコンタクト開口部と、
アルミニウム−シリコン合金を含み、前記少なくとも1つのコンタクト開口部の下方に形成され、かつ前記非ドープのポリシリコン層を通って形成された導電性充填材であって、前記導電性充填材は、前記第1の厚さと等しい厚さ、10 −4 Ω/cm 未満の接触抵抗率を有し、前記アルミニウム粒子及び前記ドープ領域を電気的に結合する、導電性充填材と、
前記アルミニウム粒子上に配置された第2金属層であって、前記アルミニウム粒子及び前記導電性充填材は、前記第2金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する、第2金属層と、を含む、太陽電池。
[項目14]
前記第1の厚さは、0.2〜1μmの範囲である、項目13に記載の太陽電池。
[項目15]
前記第2金属層は、銅、すず、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び白金からなる群から選択される金属を含む、項目13に記載の太陽電池。
[項目16]
太陽電池のコンタクト領域を製造するための方法であって、前記太陽電池は、通常動作中に太陽を向く前面と、前記前面とは反対側にある裏面と、を有し、前記方法が、
ポリシリコン層を前記太陽電池のシリコン基板上に形成することであって、前記ポリシリコン層は、前記シリコン基板の少なくとも1つのドープ領域上に形成される、ことと、
第1誘電体層を前記ポリシリコン層上に形成することと、
少なくとも1つのコンタクト開口部を前記ポリシリコン層上の前記第1誘電体層を通って形成することと、
第1金属ペーストを前記コンタクト開口部上に形成することであって、前記第1金属ペーストは、前記ドープ領域と電気的に結合される、ことと、
前記第1金属ペーストを加熱して第1金属層を形成することであって、前記加熱することにより、第1合金を含む導電性充填材は、前記コンタクト開口部内に形成され、かつ前記ポリシリコン層を通って形成されることが可能になり、前記導電性充填材は、前記第1金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する、こととを含む、方法。
[項目17]
前記第1金属ペーストが、アルミニウムペーストである、項目16に記載の方法。
[項目18]
前記第1金属ペーストを加熱することが、550℃の温度でアニールすることを含む、項目16に記載の方法。
[項目19]
前記加熱することにより、前記第1金属ペーストが、前記第1金属ペーストの下方に配置されたポリシリコン層を消費することが可能になる、項目16に記載の方法。
[項目20]
前記ポリシリコン層は、非ドープのポリシリコン層である、項目16に記載の方法。

Claims (10)

  1. 通常動作中に太陽を向く前面と、前記前面とは反対側にある裏面と、を有する太陽電池であって、
    前記太陽電池は、
    ドープ領域上に配置されたポリシリコン層と、
    前記ポリシリコン層上に少なくとも部分的に配置された第1金属層であって、前記第1金属層は、前記ドープ領域と整列する、第1金属層と、
    前記ポリシリコン層にわたって形成された第1誘電体層であって、少なくとも1つのコンタクト開口部が、前記第1誘電体層を通って形成される、第1誘電体層と、
    第1合金及びポリシリコンを含み、前記少なくとも1つのコンタクト開口部の下方に形成され、かつ少なくとも部分的に前記ポリシリコン層を通って形成された導電性充填材であって、前記導電性充填材は、前記第1金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する、導電性充填材と、
    を含む、
    太陽電池。
  2. 前記ポリシリコン層は、非ドープのポリシリコン層である、
    請求項1に記載の太陽電池。
  3. 前記第1誘電体層は、窒化ケイ素を含む、
    請求項1または2に記載の太陽電池。
  4. 前記導電性充填材は、0.2から1μmの範囲の厚さを有する、
    請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池。
  5. 前記導電性充填材は、10−4Ωcm未満の接触抵抗率を有する、
    請求項1から4のいずれか1項に記載の太陽電池。
  6. 通常動作中に太陽を向く前面と、前記前面とは反対側にある裏面と有する太陽電池であって、
    前記太陽電池は、
    前記太陽電池の前記裏面上にドープ領域を有するシリコン基板と、
    前記ドープ領域上に配置された非ドープのポリシリコン層であって、前記非ドープのポリシリコン層は、第1の厚さを有する、非ドープのポリシリコン層と、
    前記非ドープのポリシリコン層の上に少なくとも部分的に配置されたアルミニウム粒子であって、前記アルミニウム粒子は、前記ドープ領域の上に位置合わせされている、アルミニウム粒子と、
    第1誘電体層を通って形成された少なくとも1つのコンタクト開口部と、
    アルミニウム−シリコン合金を含み、前記少なくとも1つのコンタクト開口部の下方に形成され、かつ前記非ドープのポリシリコン層を通って形成された導電性充填材であって、前記導電性充填材は、前記第1の厚さと等しい厚さ、10−4Ω/cm未満の接触抵抗率を有し、前記アルミニウム粒子及び前記ドープ領域を電気的に結合する、導電性充填材と、
    前記アルミニウム粒子上に配置された第2金属層であって、前記アルミニウム粒子及び前記導電性充填材は、前記第2金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する、第2金属層と、
    を含む、
    太陽電池。
  7. 前記第1の厚さは、0.2から1μmの範囲である、
    請求項6に記載の太陽電池。
  8. 前記第2金属層は、銅、すず、アルミニウム、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、亜鉛、ルテニウム、パラジウム、及び白金からなる群から選択される金属を含む、
    請求項6または7に記載の太陽電池。
  9. 太陽電池を製造するための方法であって、前記太陽電池は、通常動作中に太陽を向く前面と、前記前面とは反対側にある裏面と、を有し、前記方法が、
    ポリシリコン層を前記太陽電池のシリコン基板上に形成する段階であって、前記ポリシリコン層は、前記シリコン基板の少なくとも1つのドープ領域上に形成される段階と、
    第1誘電体層を前記ポリシリコン層上に形成する段階と、
    少なくとも1つのコンタクト開口部を前記ポリシリコン層上の前記第1誘電体層を通って形成する段階と、
    第1金属ペーストを前記コンタクト開口部上に形成する段階であって、前記第1金属ペーストは、前記ドープ領域と電気的に結合される段階と、
    前記第1金属ペーストを加熱して第1金属層を形成する段階であって、前記加熱する段階により、第1合金を含む導電性充填材は、前記コンタクト開口部内に形成され、かつ前記ポリシリコン層を通って形成されることが可能になり、前記導電性充填材は、前記第1金属層及び前記ドープ領域を電気的に結合する段階
    を含む、
    方法。
  10. 前記加熱する段階により、前記第1金属ペーストが、前記第1金属ペーストの下方に配置されたポリシリコン層から前記導電性充填材を形成することが可能になる、
    請求項9に記載の方法。
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