JP6334380B2 - Method for peeling resin film layer and method for manufacturing thin film element device - Google Patents
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Description
本発明は、樹脂フィルム層の剥離方法及び薄膜素子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for peeling a resin film layer and a method for manufacturing a thin film element device.
近年、ディスプレイ等の薄膜素子デバイスには、薄型かつ軽量であり、フレキシブルであることが望まれている。そのような要求に応えるためには、薄膜素子を樹脂基板又は樹脂フィルム上に形成する必要がある。しかし、樹脂基板及び樹脂フィルムは、ガラス基板と比べて耐熱性及び耐薬品性に劣るため、その上に薄膜素子を直接形成するという手法は採用できない。そこで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の薄膜素子を備えた薄膜素子デバイスの製造において、ガラス基板上に樹脂層を形成した後、その上に薄膜素子を一旦形成し、それをガラス基板から剥離させて他の基板に転写する技術が開発されているものの、通常、ガラス基板と樹脂層とは密着性が高いため、物理的な力により剥離させることは困難である。そこで、特許文献１には、基板上に分離層として非晶質シリコン層を形成し、その上に薄膜トランジスタを形成した後、分離層にレーザー光等を照射して水素を発生させて分離層界面に空隙を生じさせることにより基板から薄膜トランジスタを剥離させる技術が開示されている。 In recent years, thin film element devices such as displays have been desired to be thin, lightweight, and flexible. In order to meet such a demand, it is necessary to form a thin film element on a resin substrate or a resin film. However, since a resin substrate and a resin film are inferior in heat resistance and chemical resistance as compared with a glass substrate, a method of directly forming a thin film element thereon cannot be employed. Therefore, in the manufacture of a thin film element device including a thin film element such as a thin film transistor (TFT), after forming a resin layer on the glass substrate, the thin film element is once formed on the resin layer and then peeled off from the glass substrate. Although a technique for transferring to the substrate has been developed, usually, the glass substrate and the resin layer have high adhesion, and therefore it is difficult to peel them off by physical force. Therefore, in Patent Document 1, an amorphous silicon layer is formed as a separation layer on a substrate, a thin film transistor is formed thereon, and then the separation layer is irradiated with laser light or the like to generate hydrogen to generate an interface between the separation layers. A technique for peeling a thin film transistor from a substrate by generating a void in the substrate is disclosed.
しかしながら、特許文献１の技術では、非晶質シリコンからなる分離層を形成するための減圧ＣＶＤ装置及び分離層にレーザー光を照射するためのレーザー装置を新たに導入することが必要となり、イニシャルコストが高くなる上に、生産性が低いという問題がある。更に、特許文献１の技術では、薄膜トランジスタを剥離させた後の基板を再利用しようとすると、分離層の除去にコストが掛かるという問題もある。
従って、本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、イニシャルコストが低くて生産性が高く、更に、使用後の基板を低コストで再利用することのできる樹脂フィルム層の剥離方法及び薄膜素子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
However, in the technique of Patent Document 1, it is necessary to newly introduce a low-pressure CVD apparatus for forming a separation layer made of amorphous silicon and a laser apparatus for irradiating the separation layer with laser light. In addition, there is a problem that productivity is low. Furthermore, in the technique of Patent Document 1, there is a problem that if the substrate after the thin film transistor is peeled is reused, the cost for removing the separation layer is increased.
Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and has a low initial cost, high productivity, and a resin film that can reuse a used substrate at a low cost. An object of the present invention is to provide a layer peeling method and a thin film element device manufacturing method.
本発明に係る樹脂フィルム層の剥離方法は、支持基板上にナノ粒子層を形成する工程と、ナノ粒子層上に樹脂フィルム層を形成する工程と、支持基板から樹脂フィルム層を剥離する工程とを備えるものである。 The method for peeling a resin film layer according to the present invention includes a step of forming a nanoparticle layer on a support substrate, a step of forming a resin film layer on the nanoparticle layer, and a step of peeling the resin film layer from the support substrate; Is provided.
また、本発明に係る薄膜素子デバイスの製造方法は、支持基板上にナノ粒子層を形成する工程と、ナノ粒子層上に樹脂フィルム層を形成する工程と、樹脂フィルム層上に、薄膜素子を含む薄膜素子層を形成する工程と、薄膜素子層が形成された樹脂フィルム層を支持基板から剥離する工程とを備えるものである。 In addition, the method for manufacturing a thin film element device according to the present invention includes a step of forming a nanoparticle layer on a support substrate, a step of forming a resin film layer on the nanoparticle layer, and a thin film element on the resin film layer. A step of forming a thin film element layer including the step of peeling the resin film layer on which the thin film element layer is formed from the support substrate.
本発明によれば、イニシャルコストが低くて生産性が高く、更に、使用後の基板を低コストで再利用することのできる樹脂フィルム層の剥離方法及び薄膜素子デバイスの製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for peeling a resin film layer and a method for manufacturing a thin film element device, which have low initial cost and high productivity, and can reuse a used substrate at low cost. it can.
以下、本発明に係る樹脂フィルム層の剥離方法及び薄膜素子デバイスの製造方法の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of a method for peeling a resin film layer and a method for producing a thin film element device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
実施の形態１．
図１の（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る樹脂フィルム層の剥離方法の各工程を説明する模式図である。実施の形態１に係る樹脂フィルム層の剥離方法では、まず、図１（ａ）に示すように、耐熱性に優れた支持基板１０（例えば、石英ガラス、耐熱性ガラス等）上にナノ粒子層１１を形成する。ナノ粒子層１１の形成方法は、ナノ粒子１２を支持基板１０表面に分子間力や静電気力により強固に付着させることができる（後述する樹脂フィルム層を形成する際にナノ粒子１２が支持基板１０上で移動しないことが好ましい）手法であれば特に制限されるものではないが、均一なナノ粒子層１１が形成し易く、ナノ粒子１２の付着量を制御し易いという点から、ナノ粒子分散液を支持基板１０上に塗布した後、乾燥させる方法が好ましい。ナノ粒子分散液の塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。ナノ粒子分散液中のナノ粒子１２の濃度を増減させたり、ナノ粒子分散液の塗布を複数回行うことで、支持基板１０上へのナノ粒子１２の付着量が変わり、支持基板１０と後述する樹脂フィルム層との密着力を制御することができる。更に、支持基板１０上にナノ粒子分散液を塗布する部分とナノ粒子分散液を塗布しない部分を設けることで、支持基板１０と後述する樹脂フィルム層との密着力を制御することもできる。図２に、支持基板１０と樹脂フィルム層との密着力を制御する一例を示す。図２では、支持基板１０上の周縁部２０の密着力を高くし、周縁部以外の部分の密着力を小さくしている。このように密着力を制御するには、ナノ粒子分散液を支持基板１０上の周縁部以外の部分に塗布して乾燥させた後、先に塗布したナノ粒子分散液よりもナノ粒子濃度が低い低濃度ナノ粒子分散液を支持基板１０上の全面に塗布して乾燥させる方法、ナノ粒子分散液を支持基板１０上の全面に塗布して乾燥させた後、支持基板１０上の周縁部２０に形成されたナノ粒子層を除去する方法等が挙げられる。ナノ粒子分散液のナノ粒子濃度は、必要とされる密着力に応じて適宜設定すればよいが、ナノ粒子分散液の塗工性及び安定性の観点より、２質量％〜２０質量％であることが好ましい。図２に示したように、支持基板１０上の周縁部２０の密着力を高くし、周縁部以外の部分の密着力を小さくすることで、薄膜素子デバイスの製造方法の各工程において周縁部２０からの樹脂フィルム層１３の剥離を防止し、且つ工程終了後には樹脂フィルム層１３を支持基板１０から簡易に剥離させることができる。
Embodiment 1 FIG.
(A)-(c) of FIG. 1 is a schematic diagram explaining each process of the peeling method of the resin film layer which concerns on Embodiment 1 of this invention. In the method for peeling a resin film layer according to Embodiment 1, first, as shown in FIG. 1A, a nanoparticle layer is formed on a support substrate 10 (for example, quartz glass, heat resistant glass, etc.) having excellent heat resistance. 11 is formed. As a method for forming the
また、ナノ粒子層１１を構成するナノ粒子１２としては、後述する樹脂フィルム層上に薄膜素子を更に形成する場合の温度条件に応じて無機材料や有機材料から適宜選択すればよいが、耐熱性が高いという点から、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の無機材料であることが好ましい。ナノ粒子１２の粒径は、樹脂フィルム層上に更に形成される薄膜素子の用途に応じて適宜選択すればよいが、通常、１ｎｍ〜１００ｎｍ程度、樹脂フィルム層に透明性が求められる場合には可視光波長よりも粒径が小さいこと、具体的には４０ｎｍ以下であることが必要である。４０ｎｍ以下の粒径を有するナノ粒子１２を用いることで、透明性を維持することができる。
The
次いで、図１（ｂ）に示すように、ナノ粒子層１１上に樹脂フィルム層１３を形成する。樹脂フィルム層１３の形成方法は、３５０℃〜４５０℃程度の温度に耐えられる耐熱性を有する樹脂フィルムを形成できる手法であれば特に制限されるものではないが、既存の製造装置をそのまま利用して支持基板１０上に薄膜素子を形成することができ、薄膜素子の完成後に支持基板１０から剥離させることでフレキシブルデバイスを設備投資不要で製造できるという点から、樹脂ワニスを塗布した後、硬化させる方法が好ましい。樹脂ワニスの塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。また、樹脂ワニスを構成する樹脂としては、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂から適宜選択すればよいが、耐熱性が高く、熱による寸法変動が小さいという点から、ポリイミド及びシルセスキオキサンが好ましい。樹脂フィルム層の厚さは、既存の製造装置をそのまま利用するという点から、支持基板１０の厚さと合計して１０μｍ〜２０μｍであることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 1B, a
最後に、図１（ｃ）に示すように、支持基板１０から樹脂フィルム層１３を剥離する。剥離方法としては、物理的な力により剥離させる手法であれば特に制限されるものではないが、樹脂フィルム層１３上に更に形成される薄膜素子にダメージを与えないという点から、ピーリングが好ましい。また、樹脂フィルム層１３を剥離した後の支持基板１０には、ナノ粒子層１１が残存しない（樹脂フィルム層１３側に取り込まれる）ので、支持基板１０は簡易な洗浄工程を経て再利用することが可能である。
Finally, as shown in FIG. 1C, the
実施の形態１による樹脂フィルム層の剥離方法は、減圧ＣＶＤ装置やレーザー装置を新たに導入する必要がなく、スピンコーター等の既存の装置を用いて実施することができるのでイニシャルコストが低く且つ生産性が高く、更に、使用後の支持基板を簡易な洗浄で再利用することができるので、製造コストを低減することができる。 The resin film layer peeling method according to Embodiment 1 does not require the introduction of a low-pressure CVD apparatus or a laser apparatus, and can be carried out using an existing apparatus such as a spin coater. In addition, since the support substrate after use can be reused by simple cleaning, the manufacturing cost can be reduced.
実施の形態２．
図３の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係る薄膜素子デバイスの製造方法の各工程を説明する模式図である。図３（ａ）及び（ｂ）の各工程は、実施の形態１で説明した図１（ａ）及び（ｂ）と同様であるので、ここでは説明を省略する。なお、図２に示したように、支持基板１０上の周縁部２０の密着力を高くし、周縁部以外の部分の密着力を小さくすることで、薄膜素子デバイスの製造方法の各工程において周縁部２０からの樹脂フィルム層１３の剥離を防止し、且つ工程終了後には樹脂フィルム層１３を支持基板１０から簡易に剥離させることができる。
図３（ｃ）に示すように、樹脂フィルム層１３上に薄膜素子を含む薄膜素子層１４を形成する。ここで、薄膜素子とは、薄膜により形成された所定の機能を果たす素子であり、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）等が含まれる。このような薄膜素子層１４は、公知の方法に準じて形成することができる。
次に、図３（ｄ）に示すように、薄膜素子層１４が形成された樹脂フィルム層１３を支持基板１０から剥離させる。剥離方法としては、物理的な力により剥離させる手法であれば特に制限されるものではないが、樹脂フィルム層１３上に形成した薄膜素子にダメージを与えないという点から、ピーリングが好ましい。こうして、樹脂フィルム層１３上に薄膜素子層１４が形成されてなる薄膜素子デバイスを、薄膜素子層へダメージを与えることなく得ることができる。また、薄膜素子層１４が形成された樹脂フィルム層１３を剥離した後の支持基板１０には、ナノ粒子層１１が残存しない（樹脂フィルム層１３側に取り込まれる）ので、支持基板１０は簡易な洗浄工程を経て再利用することが可能である。
Embodiment 2. FIG.
FIGS. 3A to 3D are schematic views for explaining each step of the method for manufacturing the thin film element device according to the second embodiment of the present invention. 3A and 3B are the same as those in FIGS. 1A and 1B described in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here. In addition, as shown in FIG. 2, by increasing the adhesion force of the
As shown in FIG. 3C, a thin
Next, as shown in FIG. 3D, the
実施の形態２による薄膜素子デバイスの製造方法は、減圧ＣＶＤ装置やレーザー装置を新たに導入する必要がなく、スピンコーター等の既存の装置を用いて実施することができるのでイニシャルコストが低く且つ生産性が高く、更に、使用後の支持基板を簡易な洗浄で再利用することができるので、製造コストを低減することができる。 The thin film element device manufacturing method according to the second embodiment does not require the introduction of a low-pressure CVD apparatus or a laser apparatus, and can be carried out using an existing apparatus such as a spin coater. In addition, since the support substrate after use can be reused by simple cleaning, the manufacturing cost can be reduced.
以下、実施例及び比較例により本発明の詳細を説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
＜実施例１＞
支持基板としてのガラス基板（４１ｍｍ×４１ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）を洗剤や純水を用いて洗浄した後、ＵＶ洗浄した。続いて、回転数を１０００ｒｐｍに設定したスピンコーターを用いて、ガラス基板上に６ｎｍの粒径を有するＴｉＯ２粒子の水分散液（テイカ株式会社製ＴＫＳ−２０３、ＴｉＯ２濃度：２０質量％）を塗布した後、１００℃で３分間乾燥することによりナノ粒子層を形成した。
次に、ナノ粒子層上に、回転数を１０００ｒｐｍに設定したスピンコーターを用いて、透明ポリイミドワニス（東洋紡株式会社製ＫＳ−ＴＤ）を塗布した後、１００℃で１０分間プリベークし、その後、窒素雰囲気下、３００℃で１時間ポストベークして、最終厚さが約１０μｍの樹脂フィルム層を形成した。
形成された樹脂フィルム層の端部にテープを貼り付けて引っ張ったところ、ガラス基板から樹脂フィルム層を完全に剥離させることができた。剥離後のガラス基板及び樹脂フィルム層の観察結果を図４に示す。
Hereinafter, although an example and a comparative example explain the details of the present invention, the present invention is not limited to these examples.
<Example 1>
A glass substrate (41 mm × 41 mm × thickness 0.7 mm) as a supporting substrate was washed with a detergent or pure water, and then washed with UV. Subsequently, an aqueous dispersion of TiO 2 particles having a particle size of 6 nm on a glass substrate using a spin coater with the number of revolutions set at 1000 rpm (TKS-203 manufactured by TEIKA CORPORATION, TiO 2 concentration: 20% by mass) After coating, the nanoparticle layer was formed by drying at 100 ° C. for 3 minutes.
Next, a transparent polyimide varnish (KS-TD manufactured by Toyobo Co., Ltd.) was applied on the nanoparticle layer using a spin coater whose rotation speed was set to 1000 rpm, and then prebaked at 100 ° C. for 10 minutes, and then nitrogen. Under an atmosphere, post-baking was performed at 300 ° C. for 1 hour to form a resin film layer having a final thickness of about 10 μm.
When a tape was applied to the end of the formed resin film layer and pulled, the resin film layer could be completely peeled from the glass substrate. The observation result of the glass substrate and resin film layer after peeling is shown in FIG.
＜比較例１＞
ガラス基板（４１ｍｍ×４１ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）を洗剤や純水を用いて洗浄した後、ＵＶ洗浄した。続いて、回転数を１０００ｒｐｍに設定したスピンコーターを用いて、ガラス基板上に透明ポリイミドワニス（東洋紡株式会社製ＫＳ−ＴＤ）を塗布した後、１００℃で１０分間プリベークし、その後、窒素雰囲気下、３００℃で１時間ポストベークして、最終厚さが約１０μｍの樹脂フィルム層を形成した。
形成された樹脂フィルム層の端部にテープを貼り付けて引っ張ったところ、樹脂フィルム層に亀裂（膜切れ）が生じ、ガラス基板から剥離させることができなかった。剥離後のガラス基板及び樹脂フィルム層の観察結果を図５に示す。
<Comparative Example 1>
A glass substrate (41 mm × 41 mm × thickness 0.7 mm) was washed with a detergent or pure water, and then washed with UV. Subsequently, after applying a transparent polyimide varnish (KS-TD manufactured by Toyobo Co., Ltd.) on a glass substrate using a spin coater whose rotation speed was set at 1000 rpm, it was pre-baked at 100 ° C. for 10 minutes, and then in a nitrogen atmosphere. And post-baking at 300 ° C. for 1 hour to form a resin film layer having a final thickness of about 10 μm.
When a tape was applied to the end portion of the formed resin film layer and pulled, the resin film layer was cracked (film cut) and could not be peeled off from the glass substrate. The observation result of the glass substrate and resin film layer after peeling is shown in FIG.
＜実施例２＞
６ｎｍの粒径を有するＴｉＯ２粒子の水分散液（テイカ株式会社製ＴＫＳ−２０３、ＴｉＯ２濃度：２０質量％）又はそれを水で希釈してＴｉＯ２濃度を２質量％、３質量％、４質量％、５質量％若しくは１０質量％に変更した水分散液を、回転数を２０００ｒｐｍに設定したスピンコーターを用いて、ガラス基板上に塗布する以外は実施例１と同様にしてナノ粒子層を形成した。続いて、ナノ粒子層上に実施例１と同様にして樹脂フィルム層を形成した。
株式会社イマダ製ＭＸ−５００Ｎ−Ｅを用いて、形成された樹脂フィルム層の剥離試験（９０度法）を行い、ガラス基板と樹脂フィルム層との間の密着力を測定した。結果を表１に示す。
<Example 2>
An aqueous dispersion of TiO 2 particles having a particle diameter of 6 nm (TKS-203, manufactured by Teika Co., Ltd., TiO 2 concentration: 20% by mass) or diluted with water to obtain a TiO 2 concentration of 2% by mass, 3% by mass, The nanoparticle layer was formed in the same manner as in Example 1 except that the aqueous dispersion changed to 4% by mass, 5% by mass, or 10% by mass was applied onto a glass substrate using a spin coater with a rotation speed set to 2000 rpm. Formed. Subsequently, a resin film layer was formed on the nanoparticle layer in the same manner as in Example 1.
A peel test (90 degree method) of the formed resin film layer was performed using MX-500N-E manufactured by Imada Co., Ltd., and the adhesion between the glass substrate and the resin film layer was measured. The results are shown in Table 1.
これらの結果から、ＴｉＯ２濃度を増減させることで、ガラス基板と樹脂フィルム層との密着力を制御することができることが分かる。 From these results, it can be seen that the adhesive force between the glass substrate and the resin film layer can be controlled by increasing or decreasing the TiO 2 concentration.
＜実施例３＞
６ｎｍの粒径を有するＴｉＯ２粒子の水分散液（テイカ株式会社製ＴＫＳ−２０３、ＴｉＯ２濃度：２０質量％）を水で希釈してＴｉＯ２濃度を３質量％及び５質量％に変更した水分散液を用意した。回転数を２０００ｒｐｍに設定したスピンコーターを用いて、ガラス基板上にＴｉＯ２濃度３質量％の水分散液を塗布した後、１００℃で３分間乾燥させた後、その上に、回転数を２０００ｒｐｍに設定したスピンコーターを用いて、ＴｉＯ２濃度５質量％の水分散液を塗布した後、１００℃で３分間乾燥させてナノ粒子層を形成した。続いて、ナノ粒子層上に実施例１と同様にして樹脂フィルム層を形成した。
株式会社イマダ製ＭＸ−５００Ｎ−Ｅを用いて、形成された樹脂フィルム層の剥離試験（９０度法）を行い、ガラス基板と樹脂フィルム層との間の密着力を測定したところ、０．１Ｎであった。この結果から、ＴｉＯ２粒子の水分散液を２回塗布することで、ガラス基板と樹脂フィルム層との密着力が変化することが分かった。
<Example 3>
An aqueous dispersion of TiO 2 particles having a particle diameter of 6 nm (TKS-203 manufactured by Teika Co., Ltd., TiO 2 concentration: 20% by mass) was diluted with water to change the TiO 2 concentration to 3% by mass and 5% by mass. An aqueous dispersion was prepared. Using a spin coater with a rotation speed set to 2000 rpm, an aqueous dispersion with a TiO 2 concentration of 3% by mass was applied on a glass substrate, dried at 100 ° C. for 3 minutes, and then the rotation speed was adjusted to 2000 rpm. After applying an aqueous dispersion with a TiO 2 concentration of 5% by mass using a spin coater set to 1, a nanoparticle layer was formed by drying at 100 ° C. for 3 minutes. Subsequently, a resin film layer was formed on the nanoparticle layer in the same manner as in Example 1.
A peel test (90 degree method) of the formed resin film layer was performed using MX-500N-E made by Imada Co., Ltd., and the adhesion between the glass substrate and the resin film layer was measured. Met. From this result, it was found that the adhesive force between the glass substrate and the resin film layer changes by applying the aqueous dispersion of TiO 2 particles twice.
１０ 支持基板、１１ ナノ粒子層、１２ ナノ粒子、１３ 樹脂フィルム層、１４ 薄膜素子層、２０ 周縁部。
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記ナノ粒子層上に樹脂フィルム層を形成する工程と、
前記支持基板から前記樹脂フィルム層を剥離する工程と
を備える樹脂フィルム層の剥離方法であって、
前記ナノ粒子層が、ナノ粒子分散液を前記支持基板上に部分的に塗布して乾燥させた後、前記ナノ粒子分散液よりもナノ粒子濃度が低い低濃度ナノ粒子分散液を前記支持基板上の全面に塗布して乾燥させることにより形成されることを特徴とする樹脂フィルム層の剥離方法。 Forming a nanoparticle layer on a support substrate;
Forming a resin film layer on the nanoparticle layer;
From said supporting substrate a stripping method of said resin film layer tree fat film layer Ru and a step of peeling a
After the nanoparticle layer is partially coated with the nanoparticle dispersion on the support substrate and dried, a low concentration nanoparticle dispersion having a lower nanoparticle concentration than the nanoparticle dispersion is applied to the support substrate. A method for peeling a resin film layer, wherein the method is formed by applying to the entire surface and drying .
前記ナノ粒子層上に樹脂フィルム層を形成する工程と、
前記樹脂フィルム層上に、薄膜素子を含む薄膜素子層を形成する工程と、
前記薄膜素子層が形成された前記樹脂フィルム層を前記支持基板から剥離する工程と
を備える薄膜素子デバイスの製造方法であって、
前記ナノ粒子層が、ナノ粒子分散液を前記支持基板上の周縁部以外の部分に塗布して乾燥させた後、前記ナノ粒子分散液よりもナノ粒子濃度が低い低濃度ナノ粒子分散液を前記支持基板上の全面に塗布して乾燥させることにより形成されることを特徴とする薄膜素子デバイスの製造方法。 Forming a nanoparticle layer on a support substrate;
Forming a resin film layer on the nanoparticle layer;
Forming a thin film element layer including a thin film element on the resin film layer;
A method of manufacturing a thin-film element device that comprises a step of removing the resin film layer in which the thin film element layer has been formed from the support substrate,
After the nanoparticle layer is coated with the nanoparticle dispersion on a portion other than the peripheral edge on the support substrate and dried, the low-concentration nanoparticle dispersion having a lower nanoparticle concentration than the nanoparticle dispersion is used. A method for producing a thin film element device, wherein the thin film element device is formed by coating the entire surface of a support substrate and drying .
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