JP6322197B2 - ナノワイヤサイズの光電構造及びその選択された部分を改質させる方法。 - Google Patents

Description

本発明は、一般にナノ構造化デバイスに関し、特にナノワイヤＬＥＤに関する。

ナノワイヤ発光ダイオード（ＬＥＤ）は、プレーナＬＥＤに代わる構造として大きな関心を集めるようになっている。ナノワイヤは三次元の性質を有するので、従来のプレーナ技術によって製造されたＬＥＤと比較して、ナノワイヤＬＥＤは独自の特性を示し、格子整合の制約が少ないために材料の組み合わせを自由に選択でき、以前より大きな基板での処理が可能になる。

ナノワイヤＬＥＤの利点にもかかわらず、ナノワイヤＬＥＤのコンタクト形成にはプレーナ技術にはない新たな方法が必要である。ナノワイヤＬＥＤはナノワイヤの大型アレイから構成されるため、アスペクト比の大きい構造を有する三次元面を形成するので、直進的処理を使用するコンタクト材料の成膜は難しい作業であり、それに代わるコンタクト形成方法が有効だろう。

１つの側面において、本発明は方法を提供する。特定の実施形態において、本発明は、平坦な支持体の上の複数のナノワイヤのアレイを備えるＬＥＤ構造を物質によって処理する方法であって、物質源で物質を生成し、前記物質を線に沿ってアレイまで移動させることを含み、（ｉ）物質がたどる線と支持体の平面とが成す角度は、支持体の中心から測定した場合に９０°未満であり、且つ（ｉｉ）物質は、物質により処理される前と比較して複数のナノワイヤの部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させることが可能である方法を提供する。特定の実施形態において、物質は絶縁体であり、ナノワイヤの部分を被覆することにより、その部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させ、例えば、物質はＡｌ_２Ｏ_３を含む。

特定の実施形態において、ナノワイヤの部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させるために、物質はその部分と反応する。特定の実施形態において、物質は^２Ｈ^＋より成る。特定の実施形態において、角度は、４５°未満であり、例えば３０°未満である。特定の実施形態において、物質は、物理気相成長（ＰＶＤ）により生成され、ナノワイヤまで移動される。特定の実施形態において、ＰＶＤは蒸着を含む。特定の実施形態において、ＰＶＤはスパッタ成膜を含む。特定の実施形態において、ナノワイヤは先端部及び側壁を備え、アレイは縁部ナノワイヤ及び中心部ナノワイヤを備え、角度は、中心部ナノワイヤが先端部で非導電性にされ且つ側壁の全体ではなく一部分に沿って非導電性にされるような角度である。特定の実施形態において、方法は、Ａｌ_２Ｏ_３又はそれと同等の有機及び無機の電気絶縁性材料の成膜を含み、ナノワイヤの先端部におけるＡｌ_２Ｏ_３の深さは５０〜２００ｎｍの間である。特定の実施形態において、ナノワイヤは、第１の導電型のナノワイヤコアと、第２の導電型のナノワイヤシェルとを備える。特定の実施形態において、動作中に光を発生する活性領域を構成するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するために、第１の導電型の半導体ナノワイヤコアは、第２の導電型の半導体シェルにより取り囲まれる。特定の実施形態において、第１の導電型はｎ型であり、第２の導電型はｐ型である。特定の実施形態において、支持体はｎ型バッファ層を備え、ナノワイヤのアレイの製造中、ナノワイヤコアはバッファ層から成長される。特定の実施形態において、バッファ層は、窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムのうち少なくとも一方より成る。特定の実施形態において、支持体は誘電体マスク層を更に備え、コアはマスク層の開口部を通ってバッファ層から突出し、シェルはマスク層の上に配置される。特定の実施形態において、支持体は、バッファ層の下に基板層を備え、それは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３を含む基板層である。特定の実施形態において、支持体層は、Ａｇを含む層のような反射層を更に備える。

特定の実施形態において、方法は、ＬＥＤ構造の第１の領域で、例えばレーザーアブレーションによりバッファ層を露出させることを更に含む。特定の実施形態において、方法は、露出されたバッファ層と接触するｎ電極と、物質にさらされなかったナノワイヤの側壁と接触するｐ電極とを形成することを更に含む。

１つの態様において、本発明は構造を提供する。

特定の実施形態において、本発明は、ｎ−ＧａＮバッファ層及び非導電性基板層を備える支持体と支持体上のナノワイヤのアレイとを備え、ナノワイヤは、ｐ−ＧａＮシェルにより取り囲まれたｎ−ＧａＮコアを備えるＬＥＤ構造であって、構造は、（ｉ）ｎ−ＧａＮバッファ層と電気的に接触する金属コンタクトを備えるｎ電極領域と、（ｉｉ）ｐ電極領域とを備え、ｐ電極領域は、（ａ）ナノワイヤの先端部及び第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分を含むが、第１グループのナノワイヤの側壁の第２の部分を含まない非導電層と、（ｂ）第１グループのナノワイヤの側壁の第２の部分と電気的に接触する導電層と、（ｃ）導電層と電気的に接触する金属コンタクトとを備えるＬＥＤ構造を提供する。

特定の実施形態において、非導電層は、第２グループのナノワイヤの側壁のすべてを含み、第１グループのナノワイヤはナノワイヤアレイの内側にあり、第２グループのナノワイヤはナノワイヤアレイの外側縁部にある。特定の実施形態において、非導電層は、先端部の最上部及び側壁の各部の絶縁材料層より成る。特定の実施形態において、非導電層は、Ａｌ_２Ｏ_３又はそれと同等の有機及び無機の電気絶縁材料より成る。特定の実施形態において、非導電層は、導電率を低下させるか又は零にするために改質されたｐ−ＧａＮシェルの改質部分から形成される。特定の実施形態において、第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分は、ナノワイヤの先端部から側壁に沿って下方へ４００ｎｍ未満の長さで延設される。特定の実施形態において、金属コンタクトは、Ａｌの層、Ｔｉの層及びＡｕの層を備える。これらの実施形態のうちいくつかにおいて、Ａｌ層は、ｎ電極ではｎ−ＧａＮバッファ層と直接接触し且つｐ電極では導電層と直接接触している。特定の適切な金属は、ＴｉＡｕ、ＴｉＡｌＴｉＡｕ及びＣｒＰｄＡｕを含む。

図１Ａ及び図１Ｂは、電流漏れを伴う例示的なナノワイヤＬＥＤを概略的に示す図である。 図２は、複数の発光波長を有する例示的なナノワイヤＬＥＤを概略的に示す図である。 図３は、本発明の実施形態に係るナノワイヤＬＥＤの基礎を概略的に示す側横断面図である。 図４は、本発明の実施形態に係るバッファ層上のナノワイヤＬＥＤ構造を概略的に示す側横断面図である。 図５Ａ本発明の方法の一実施形態を示す図である。 図５Ｂは、本発明の方法の一実施形態を示す図である。 図５Ｃは、本発明の方法の一実施形態を示す図である。 図６Ａ〜図６Ｆは、本発明の方法の第２の実施形態を示す図である。 図７Ａは、隔離された密なナノワイヤにおける絶縁材料の成膜を示す図である。 図７Ｂは、隔離された密なナノワイヤにおける絶縁材料の成膜を示す図である。 図８は、１５°の成膜角度による密なナノワイヤの形状を示す図である。 図９は、本発明の方法の一実施形態を示す概略図である。 図１０Ａ〜図１０Ｇは、本発明の方法の一実施形態を示す図である。 図１１は、本発明の方法の一実施形態を示すフローチャートである。 図１２は、本発明の方法の一実施形態を示すフローチャートである。 図１３Ａは、本発明の方法の一実施形態における工程を示す概略図である。 図１３Ｂは、本発明の方法の一実施形態における工程を示す概略図である。 図１４は、先端部を除去した後のナノワイヤの横断面ＳＥＭ画像を示す図である。

本発明は、ナノワイヤ系構造、特にＬＥＤ、例えばナノワイヤ発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光電構造の選択された領域の特性を変化させる方法、例えば、ナノワイヤＬＥＤのナノワイヤの選択された部分の導電率を低下させるために特性を変化させる方法を提供する。本発明は、例えば本発明の方法を使用して製造できる構成を更に提供する。

平坦な面から突き出したナノワイヤから製造されるＬＥＤは三次元であるという性質を有するため、デバイスの構成には難しい問題が伴う可能性がある。結晶面が異なれば、成長速度、材料組成及び添加不純物も異なる。その結果、例えば、デバイスには望ましくない漏れ経路や複数の発光波長が発生する。その一例は、図１Ａ及び図１Ｂに示されるようなナノワイヤＬＥＤである。本例において、ナノワイヤＬＥＤ１００は、ｎ−ＧａＮバッファ層１０３と電気的に接触するｎ−ＧａＮコア１０１と、Ｉｎ−ＧａＮ層１０５、ＧａＮ層１０７及びｐ−ＡｌＧａＮ層１０９を含む中間層と、それらの中間層を覆うｐ−ＧａＮの外側層１１１とを含み、垂直の側壁１１３及び円錐形の先端部１１５を有する。側壁１１３のｍ面にある成長面と、円錐形の先端部１１５のｐ面にある成長面という２つの成長面がある。図１Ａのｐ面では、ｐ−ＧａＮ１１１の成長速度は非常に遅い。コンタクト１１７がナノワイヤ１００全体を覆っている場合、図１Ｂに示されるｐ面の表面の薄いｐ−ＧａＮ層１１１を通して漏れ（短絡）が起こる可能性がある。更に、図２に示されるように、ｐ−ＧａＮの分布が不均等であると、ｍ面（１０‐１０）からの波長が短くなり、ｐ面（１０‐１１）からの波長は長くなるような２つのピーク２０１、２０３を示すエレクトロルミネセンススペクトルにより示される通り、ＬＥＤからの発光波長は複数になる。

光の発生を最大にするために、短絡及び複数波長の放射を減少させるか又はなくすようにＬＥＤのナノワイヤの特定の部分の特性を選択的に変化させることが望ましい。本発明は、ナノワイヤの選択された部分の特性を変化させる方法及び構造、特に、ＬＥＤナノワイヤにおけるナノワイヤの先端部及び角部の導電率は選択的に低下されるが、側壁の一部の導電率は全く変化されないか又はほぼ変化されないような方法及び構造を提供する。本発明のいくつかの実施形態において、絶縁材料の層は、ナノワイヤの先端部を覆うが、側壁のいずれかの部分を覆わないように選択的に成膜される。本発明の他の実施形態において、ナノワイヤの先端部の面は、その部分の導電率を低下させるために選択的に変化されるが、側壁のいずれかの部分の導電率は変化されないままであるか又はほぼ変化されないままである。本発明の方法において、材料は材料源で生成される。材料源は、材料が材料源からＬＥＤまである角度で進むように配置される。材料は、ＬＥＤのナノワイヤの選択された面の特性を変化させるために、例えばその面を被覆するか又はその面の一部を変化させるために、その面と相互に作用する。材料源とＬＥＤとが成す角度により、ナノワイヤのどの部分が側壁から隔離されるかを制御することができるので、変化されないままであるか又はほぼ変化されないままである側壁の部分を制御することができる。特定の実施形態において、ＬＥＤ構造の所望の特性を生成するために、ナノワイヤＬＥＤ構造の選択された部分のレーザーアブレーションが材料の傾斜移動と組み合わされる。レーザーアブレーションは、本明細書に参照によって全内容が取り入れられている本出願と同一の出願日に出願された名称「Ｎａｎｏｗｉｒｅ ＬＥＤ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ」、代理人書類番号９３０８‐０１６Ｐの米国特許出願で更に詳細に説明されている。

いくつかの実施形態において、絶縁材料は、ナノワイヤのＬＥＤアレイ上に周知の技術、例えば電子ビーム物理気相成長により成膜され、その場合、絶縁材料源はＬＥＤアレイに対してある角度を成すように配置され、ナノワイヤＬＥＤアレイにおけるナノワイヤの先端部における所望の成膜の程度と側壁における所望の成膜の程度との関係に基づいて、その角度を選択できる。成膜中、ＬＥＤアレイは回転される。絶縁材料が成す角度が小さく且つナノワイヤの形状の性質上、すべてのナノワイヤの先端部、グループを構成するナノワイヤの外側リング及び空いたフィールド（ナノワイヤがない）のみが被覆される。斜方成膜中、内側ナノワイヤの中でナノワイヤの側壁（長さ部分）は「陰に入る」。絶縁体は、先端部では非導電性又は低導電率の層として作用し、成膜角度に応じて、ナノワイヤの側壁のすべてではなく、側壁の一部で非導電性又は低導電率の層として作用する。内側のナノワイヤの側壁のうち、どの部分に絶縁体が成膜されないかは、成膜中に絶縁体材料源とナノワイヤのＬＥＤアレイとが成す角度によって決まる。

いくつかの実施形態において、本明細書において説明されるように、ＬＥＤの面の特性を変化させることが可能な材料、例えば導電率を低下させるＨ_２ ^＋が周知の技術によりナノワイヤのＬＥＤアレイに向けられ、材料源は、ＬＥＤアレイからある角度を成して配置され、ナノワイヤＬＥＤアレイにおいて隔離することが望まれるナノワイヤの所望の部分に基づいて、その角度を選択できる。材料源からアレイまで材料が所定の方向に送出される間、ＬＥＤアレイは回転される。材料が成す角度が小さく且つナノワイヤの形状の性質上、すべてのナノワイヤの先端部の面、グループを構成するナノワイヤの外側リングの面及び空いたフィールド（１つ以上の側面に近接する隣接ナノワイヤがないナノワイヤ）の面のみが変化される。物質が傾斜方向に送出される間、内側ナノワイヤの中でナノワイヤの側壁（長さ部分）は「陰に入る」。材料は、ナノワイヤＬＥＤ構造の選択された面の特性を変化させる。例えば、Ｈ_２ ^＋は、ｐ−ＧａＮの面の導電率を低下させるようにその面と相互に作用する。内側ナノワイヤの側壁のどの部分が変化されないかは、材料がＬＥＤアレイに向けられている間に材料源とナノワイヤのＬＥＤアレイとが成す角度によって決まる。

ナノテクノロジーの分野では、ナノワイヤは、横寸法（例えば、円筒形のナノワイヤの場合は直径、角錐形又は六角形のナノワイヤの場合は幅）がナノ単位又はナノメートル単位であるようなナノ構造として通常解釈されるが、縦寸法に制約はない。そのようなナノ構造は、通常ナノウィスカー、一次元ナノ要素、ナノロッド、ナノチューブなどとも呼ばれる。一般に、横断面が多角形であるナノワイヤは、少なくとも２つの次元を有すると考えられ、各次元は３００ｎｍを超えない。しかし、ナノワイヤは約１μまでの直径又は幅を有してもよい。ナノワイヤは一次元の性質を有するので、独自の物理的特性、光学的特性及び電子的特性を示す。例えば、量子力学効果を利用する（例えば、量子ワイヤを使用する）デバイスを形成するために、又は格子不整合が大きいために通常は組み合わせ不可能な組成の異なる材料のヘテロ構造を形成するために、それらの特性を利用できる。ナノワイヤという用語が示唆する通り、一次元の性質は細長い形状と関連付けられる場合が多い。言い換えれば、「一次元」は、１ミクロン未満の幅又は直径及び１ミクロンを超える長さを表す。ナノワイヤは種々の横断面形状を有してもよいので、直径は有効直径を表すことを意図する。有効直径とは、構造の横断面の長軸と短軸との平均である。尚、図面には、ナノ要素は柱状であり且つナノワイヤコア、すなわちほぼ「一次元」のコアに基づくとして示されているが、コアは、正方形、六角形、八角形などの種々の多角形の底面を有する角錐のような他の幾何学形状を有してもよい。従って、本明細書において使用される場合のコアは、１ミクロン未満の幅又は直径及び１ミクロンを超える長さを有する何らかの適切なナノ要素であってもよく且つ単一の構造又は多要素構造のいずれであってもよい。例えば、コアは、１つの導電型の半導体ナノワイヤを備えてもよいが、１つの導電型の１つ以上の半導体シェルにより取り囲まれた同一の導電型の半導体ナノワイヤを備え、コアは柱状又は角錐形の形状を有してもよい。簡単にするため、以下に構成要素が１つのナノワイヤ柱状コアを説明し、図面にも示す。

基板は下部に位置しており且つナノワイヤは基板から上に向かって延設されるものと考える、上側、上部、下側、下方などの表現が用いられる。垂直はナノワイヤの長いほうの延設部分に対して平行な方向を表し、水平は基板により形成される平面と平行な方向を表す。この表記法は単に理解を容易にするために導入されただけであり、構体を特定の向きなどに限定すると考えられるべきではない。

本発明の方法において、構造の特定のナノワイヤの特定の部分の特性を選択的に変化させるが、他の部分は変化しないままにするために、例えばナノワイヤの先端部の導電率を低下させるために先端部の特性を変化させるが、ナノワイヤの側壁の一部又は全体の導電率は変化しないままにするか又はほぼ変化しないままにするために、方法の１つ以上の工程でナノワイヤＬＥＤアレイに対する材料の傾斜方向付けが使用される。ナノワイヤアレイに対して向けられる材料は、例えば絶縁体であってもよく、あるいは、例えば本明細書において更に詳細に説明されるようにナノワイヤの選択された面の特性を変化させる材料であってもよい。側壁でなく先端部で導電率を変化させること、例えば導電率を低下させることにより先端部における漏れは減少し且つナノワイヤＬＥＤディスプレイからの発光は更に最適になる。特定の実施形態において、本明細書において更に詳細に説明されるように、所望の結果を取得するために、ナノワイヤディスプレイの選択された部分のレーザーアブレーションが使用されてもよい。

本発明の方法において、当該技術で知られている何らかの適切なナノワイヤＬＥＤ構造が使用されてよい。

ナノワイヤＬＥＤは、通常、１つ以上のｐｎ接合又はｐ−ｉ−ｎ接合に基づく。ｐｎ接合とｐ−ｉ−ｎ接合との相違は、ｐ−ｉ−ｎ接合の活性領域のほうが広いという点である。活性領域が広いと、ｉ領域における再結合の確率が高くなる。各ナノワイヤは、第１の導電型（例えば、ｎ型）のナノワイヤコアと、それを取り囲む第２の導電型（例えば、ｐ型）のシェルとを備え、コア及びシェルにより、動作中に光を発生する活性領域を構成するｐｎ接合又はｐｉｎ接合が形成される。本明細書において、第１の導電型のコアはｎ型半導体コアであると説明され且つ第２の導電型のシェルはｐ型半導体シェルであると説明されるが、それらの導電型を逆にしてもよいことを理解すべきである。

図３は、本発明のいくつかの実施形態に従って変更されたナノワイヤＬＥＤ構造の基礎を概略的に示す。理論上、１つのナノワイヤＬＥＤを形成する場合、１つのナノワイヤがあれば十分であるが、ナノワイヤは極小であるので、ＬＥＤ構造を形成するために何百、何千、何万、あるいはそれ以上の数のナノワイヤを並列させたアレイとしてナノワイヤを配列するのが好ましい。例示の便宜上、本明細書においては、ｎ型ナノワイヤコア２と、ナノワイヤコア２の少なくとも一部を取り囲むｐ型シェル３と、その中間に位置する活性層４とを有するナノワイヤ１から個別のＬＥＤデバイスが構成されるものとして説明する。しかし、本発明の実施形態に関して、ナノワイヤＬＥＤはこの構造に限定されない。例えば、ナノワイヤコア２、活性層４及びｐ型シェル３は、多数の層又はセグメントから構成されてもよい。成長条件を制御することにより、完成後のＬＥＤは、細長い「柱状構造」から相対的に広い底面を有する角錐形構造まで広い範囲にわたる形状を示すことができる。

別の実施形態において、コア２のみが１μ以下の幅又は直径を有することによりナノ構造又はナノワイヤを構成し、シェル３は１ミクロンを超える幅又は直径を有してもよい。

ナノワイヤを製造する場合、高速低出力の電子回路の製造を容易にする特性を有することから、ＩＩＩ〜Ｖ族半導体が特に関心を集めている。ナノワイヤはどのような半導体材料から形成されてもよく、ナノワイヤに適する材料は、ＧａＡｓ（ｐ）、ＩｎＡｓ、Ｇｅ、ＺｎＯ、ＩｎＮ、ＧａＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＢＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ：Ｓｉ、ＩｎＧａＰ：Ｚｎ、ＧａＩｎＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＳｂ、ＩｎＳｂ、Ｓｉなどであるが、それらに限定されない。例えばＧａＰに対して使用可能なドナー不純物はＳｉ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓなどであり、同じ材料に対するアクセプタ不純物はＺｎ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃｄなどである。尚、ナノワイヤ技術によりＧａＮ、ＩｎＮ及びＡｌＮなどの窒化物の使用が可能になったため、従来の技術では簡単に実現できなかった波長領域の光を発するＬＥＤの製造が容易になった。商業的に特に重要である他の材料の組み合わせは、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＧａＰの各系であるが、それらに限定されない。典型的な不純物添加レベルは１０^１８〜１０^２０の範囲である。当業者は上記の材料及び他の材料を周知しており、他の材料及び材料の組み合わせも可能であることを理解している。

ナノワイヤＬＥＤに好適な材料は、ＩＩＩ族窒化物半導体（例えば、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＩｎＧａＮなど）又は他の半導体（例えば、ＩｎＰ、ＧａＡｓ）のようなＩＩＩ〜Ｖ族半導体である。ＬＥＤとして機能するためには、各ナノワイヤ１のｎ側及びｐ側でコンタクトが形成されなければならず、本発明は、ＬＥＤ構造のナノワイヤのｎ側及びｐ側でコンタクトを形成することに関連する方法及び組成を提供する。

本明細書において説明される例示的な製造方法は、ナノワイヤ製造方法に関連して本明細書に参照によって取り入れられている、例えばＳｅｉｆｅｒｔ他の米国特許第７，８２９，４４３号で説明されるように、コア−シェル型ナノワイヤを形成するためにコア上に半導体シェル層を成長させるようにナノワイヤコアを利用するのが好ましいが、本発明はそれに限定されない。例えば、別の実施形態において、コアのみがナノ構造（例えば、ナノワイヤ）を構成し、シェルは、典型的なナノワイヤシェルより大きい寸法を任意に有してもよい。更に、デバイスは、多くのファセットを含むように形成可能であり、異なる種類のファセットの面積比が制御されてもよい。このことは、図において「角錐」形ファセット及び垂直側壁ファセットにより例示される。主要な角錐形ファセット又は側壁ファセットを備えるテンプレート上に発光層が形成されるように、ＬＥＤを製造可能である。発光層の形状とは関係なく、コンタクト層についても同じことが言える。

連続（例えばシェル）層を使用すると、その結果、完成後の個々のデバイス（ｐｎデバイス又はｐｉｎデバイス）は、デバイスの長軸に対して垂直な横断面が円形又は六角形又は他の多角形である角錐形（すなわち、上部又は先端部で狭く、底面は広い）と柱形状（例えば先端部と底面の幅がほぼ同一）との間の何らかの形状を有するようになってもよい。従って、シェルが完成した状態の個別のデバイスは、種々の大きさを有してもよい。例えば、底面の幅は１００ｎｍ〜１μｍ未満のように１００ｎｍから数（例えば５）μｍの範囲であり、高さは数百ｎｍ〜数（例えば１０）μｍのような種々の大きさを有してもよい。

図４は、ナノワイヤの支持体を構成する例示的な構造を示す。ナノワイヤ１の位置を規定し且つ底部境界面領域を確定するために成長マスク、すなわち誘電体マスク層６（例えば、窒化シリコン誘電体マスク層などの窒化物層）を任意に使用して、成長基板５上にナノワイヤ１を成長させることにより、基板５は少なくとも処理中に基板５から突出するナノワイヤ１の支持体として機能する。ナノワイヤの底部境界面領域は、誘電体マスク層６の各開口部の内側にあるコア２の領域である。基板５は、本明細書に参考として全内容が取り入れられているスウェーデン特許出願第ＳＥ１０５０７００−２号（ＧＬＯ ＡＢに譲渡されている）に記載されるように、ＩＩＩ〜Ｖ族半導体又はＩＩ〜ＶＩ族半導体、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ、石英、ガラスなどの異なる材料から形成されてもよい。基板に適する他の材料はＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＰ：Ｚｎ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＧａＳｂ、ＺｎＯ、ＩｎＳｂ、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅなどであるが、それらに限定されない。一実施形態において、ナノワイヤ１は成長基板５上で直接成長される。

誘電体マスク（成長マスク）層が使用される実施形態において、例えば本明細書に参照によって全内容が取り入れられている米国特許第７，８２９，４４３号で説明されるように、ナノワイヤを成長させるための開口部を設けるために、フォトリソグラフィにより成長マスク６がパターニングされてもよい。この実現形態では、ナノワイヤは、ｎパッド領域、非活性領域、ＬＥＤ領域（すなわち発光する領域）及びｐパッド領域に分類される。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、本明細書に参照によって全内容が取り入れられている２０１０年２月４日出願のＫｏｎｓｅｋ他の国際公開第ＷＯ２０１０／０１４０３２Ａ１号で説明されるように、ｐパッド領域はナノワイヤＬＥＤ構造の発光部分を形成するナノワイヤの上部に配置され、そのため、ｐパッド領域とＬＥＤ領域とが一致してもよい。

基板５は、各ナノワイヤ１のｎ側に接続する電流搬送層として機能するように更に構成されるのが好ましい。これは、図４に示されるように、Ｓｉ基板５上のＧａＮ及び／又はＡｌＧａＮバッファ層７のような、例えば基板５のナノワイヤ１に面する面にＩＩＩ族窒化物層を介して配置されたバッファ層７を備える基板５を使用することにより実現可能である。バッファ層７は、通常所望のナノワイヤ材料に適合され、従って製造処理中に成長テンプレートとして機能する。ｎ型コア２の場合、バッファ層７も不純物添加ｎ型であるのが好ましい。バッファ層７は、単一の層（例えば、ＧａＮ）であってもよいが、いくつかの部分層（例えば、ＧａＮ及びＡｌＧａＮ）を含むか又はＡｌ含有量の多いＡｌＧａＮからＡｌ含有量の少ないＡｌＧａＮ又はＧａＮまで漸次変化する傾斜層であってもよい。ナノワイヤは、どの半導体材料から形成されてもよいが、ナノワイヤＬＥＤの場合、ＩＩＩ族窒化物半導体（例えばＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＩｎＧａＮなど）のようなＩＩＩ〜Ｖ族半導体又は他の半導体（例えばＩｎＰ、ＧａＡｓ）が通常好適である。ナノワイヤの成長は、すべて参照によって本明細書に全内容が取り入れられている米国特許第７，３９６，６９６号、第７，３３５，９０８号及び第７，８２９，４４３号、並びに国際公開第ＷＯ２０１０１４０３２号、第ＷＯ２００８０４８７０４号及び第ＷＯ２００７１０２７８１号で説明される方法を利用することにより実現可能である。

尚、ナノワイヤ１は、いくつかの異なる材料から形成されてもよい（例えばＧａＮのコア、ＩｎＧａＮの活性層及び活性層とは異なるＩｎ対Ｇａ比を有するＩｎＧａＮシェル）。一般に、本明細書において、基板５及び／又はバッファ層７はナノワイヤの支持体又は支持体層と呼ばれる。特定の実施形態において、基板５及び／又はバッファ層７の代わりに又はそれに加えて、導電層（例えばミラーコンタクト又は透明コンタクト）が使用されてもよい。従って、「支持体層」又は「支持体」という用語は、それらの要素のうちいずれか１つ以上を含んでもよい。

連続（例えばシェル）層の使用により、完成後の個々のデバイス（例えばｐｎデバイス又はｐｉｎデバイス）は、角錐形又は先細形状（すなわち上部又は先端部で狭く、底面は広い）と、デバイスの長軸に対して垂直な横断面が円形又は六角形又は他の多角形である柱形状（例えば先端部と底面とがほぼ同一の幅）との間の何らかの形状を有してもよい。従って、シェルが完成した状態の個別のデバイスは、種々の大きさを有してよい。例えば、デバイスは、１００ｎｍ〜１μ未満のような１００ｎｍ〜数（例えば５）μｍの範囲の底面幅と、数百ｎｍ〜数（例えば１０）μｍの範囲の高さとを有する種々の大きさであってもよい。バッファ層７により、ナノワイヤ１のｎ側に接触するための構造が設けられる。以上のＬＥＤ構造の例示的な一実施形態の説明は、本発明の方法及び構成を説明するための基礎として役立つだろう。しかし、本発明から逸脱することなく、当業者には明らかであるような必要な変更を加えた上で、何らかの適切なナノワイヤＬＥＤ構造又は他の適切なナノワイヤ構造が本発明の方法及び構成で使用されてもよい。

特定の実施形態において、本発明は、ナノワイヤＬＥＤ構造の各部分の特性を選択的に変化させるために構造を処理する方法を提供する。

特定の実施形態において、本発明は、平坦な支持体の上の複数のナノワイヤアレイを備えるＬＥＤ構造を処理する方法であって、物質源で物質を生成し、該物質を線に沿ってアレイまで移動させることを含み、（ｉ）物質がたどる線と支持体とが成す角度は、支持体の中心で測定した場合、９０°未満であり、且つ（ｉｉ）物質は、物質で処理される前と比較してナノワイヤの一部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させることが可能である方法を提供する。物質源で生成される物質に構造の異なる部分をさらすために、ＬＥＤ構造は、通常１つの軸又はいくつかの軸に沿って回転される。その場合、支持体の中心は、回転軸と支持体とが交差する点であると考えられる。

これらの実施形態のうち特定の実施形態において、物質は絶縁体であり、ナノワイヤの一部分を被覆することにより、その部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させる。絶縁体として使用するのに適する誘電体材料には、Ａｌ_２Ｏ_３、ｉＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｉＮ及びＨｆＯ_２がある。特定の実施形態において、物質はＡｌ_２Ｏ_３である。

これらの実施形態のうち特定の実施形態において、ナノワイヤの一部分を非導電性にさせるか又はその部分の導電率を低下させるために、物質はその部分と反応する。例えば、特定の実施形態において、物質はＨ_２ ^＋より成る。

角度は、ＬＥＤ構造の所望の部分の導電率の低下を実現するための何らかの適切な角度であってもよい。特定の実施形態において、角度は、ナノワイヤの各部分が物質により変化されないようにそれらの部分を物質にさらさないように選択される。角度は、例えば８０°未満、７０°未満、６０°未満、５０°未満、４５°未満、４０°未満、３０°未満、２５°未満、２０°未満、１５°未満、１０°未満又は５°未満であってもよい。特定の実施形態において、角度は４５°未満である。特定の実施形態において、角度は３０°未満である。特定の実施形態において、角度は２５°未満である。特定の実施形態において、角度は１５°のように２０°未満である。特定の実施形態において、角度は、２〜６０°のように１〜８５°の範囲であり、例えば５〜３５°のように５〜５０°の範囲である。

特定の実施形態において、絶縁性物質などの物質は、物質源から生成され、電子ビーム蒸着又はスパッタ蒸着などの物理気相成長（ＰＶＤ）により、あるいは原子層成膜（ＡＬＤ）により、ＬＥＤ構造のナノワイヤまで移動される。

ナノワイヤは先端部及び側壁を備えてもよく、アレイは縁部ナノワイヤ及び中央部ナノワイヤを備えてもよい。そのような実施形態において、特定の実施形態における角度は、中央部ナノワイヤが先端部に沿って非導電性にされ且つ側壁の全体ではなく一部分に沿って非導電性にされるような角度である。例えば、方法はＡｌ_２Ｏ_３の成膜を含んでもよく、ナノワイヤの先端部のＡｌ_２Ｏ_３の厚さは５０〜２００ｎｍである。特定の実施形態において、ナノワイヤは、第１の導電型のナノワイヤコアと第２の導電型のナノワイヤシェルとを備え、例えば、動作中に光を発生する活性領域を構成するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するために、第１の導電型の半導体コアは第２の導電型の半導体シェルにより取り囲まれる。第１の導電型はｎ型であってもよく、第２の導電型はｐ型であってもよい。特定の実施形態において、支持体は、窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムのうち少なくとも一方のようなｎ型バッファ層を備え、ナノワイヤのアレイの製造中、ナノワイヤコアはこのバッファ層から成長される。特定の実施形態において、支持体は誘電体マスク層を更に備え、コアは、マスク層の開口部を通してバッファ層から突出し、シェルはマスク層の上に配置される。支持体は、バッファ層の下に基板層を更に備えてもよく、それは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３を含む基板層である。特定の実施形態において、支持層はＡｇを含む層のような反射層を更に備える。

特定の実施形態において、方法は、例えばレーザーアブレーションによって上部の層を除去することにより、ＬＥＤ構造の第１の領域でバッファ層を露出させることを更に含んでもよい。露出されたバッファ層と接触するｎ電極と、物質にさらされなかったナノワイヤの側壁と接触するｐ電極とが形成されてもよい。本明細書において説明されるように、これは、例えばバッファ層をレーザーアブレーションによって露出させ、次に、ｎ電極を形成するために、例えばＡｌ、Ｔｉ及びＡｕ又は他の適切な金属、あるいは透明導電性酸化物を含むコンタクトをバッファ層の上に形成することにより実行されてもよい。ナノワイヤの側壁のｐ−ＧａＮシェルと接触している導電層を覆うように、ｐ電極に同様の金属層が形成されてもよい。

絶縁材料の斜方成膜は、何らかの適切な技術により実行されてもよい。特定の実施形態において、成膜は電子ビーム蒸着による。イオン注入などの当該技術において知られている方法により、Ｈ_２ ^＋の注入が実行されてもよい。例えば、すべて本明細書に参考によって全内容が取り入れられているＡｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．、７３号、１８７７ページ（１９９８年）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．、６９号、１８７９ページ（１９９６年）及びＪ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．、７８号、３００８ページ（１９９５年）を参照。イオン注入は、高エネルギー帯電原子又は分子を基板の中へ直接導入する処理である。注入の結果、原子又は分子は基板の表面下で静止するようになる。

図５Ａ〜図５Ｃに示される例示的な一実施形態において、図５Ａに示されるようなＬＥＤ構造に対して以下の工程が実行される。ＬＥＤ構造８は、支持体の上に配列された先細形状のナノワイヤなどの複数のナノワイヤ１を含み、ナノワイヤは、動作中に光を発生する活性領域（図３及び図４に示される中間活性層４、図５Ａには図示せず）を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するように構成された第１の導電型の半導体コア２（図５Ａには図示せず）及び第２の導電型の半導体シェル３を備える。中実の支持体は、底部基板層５と、ナノワイヤ２と電気的に接触しているバッファ層７（例えばｎＧａＮ）と、ナノワイヤシェル３をバッファ層から絶縁する誘電体マスク層６とを含む（図４のナノワイヤコア２、誘電体マスク層６及びナノワイヤシェル３、図５Ａには図示せず）。図５Ａには、支持体上に任意に設けられる中間層５０１が更に示され、この中間層５０１はｕＧａＮ、すなわち不純物無添加ＧａＮより成る。この不純物無添加ＧａＮ層は、ナノワイヤの結晶欠陥の密度を低減する。

図５Ｂは、ナノワイヤＬＥＤ構造に対する絶縁材料の斜方成膜の一般的方法を示す。絶縁体としてＡｌ_２Ｏ_３が示されるが、ｉＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＨｆＯ_２、ＴｉＯ_２などの誘電体材料のような何らかの適切な絶縁体が使用されてもよい。ナノワイヤＬＥＤ構造は、支持体が図示されるように平面にあり且つナノワイヤ１がその平面に対して垂直の向きになるように所定の場所に保持される。ナノワイヤＬＥＤ構造は、外側ナノワイヤ及び内側ナノワイヤを有すると考えることができ、外側ナノワイヤはナノワイヤＬＥＤ構造の最終ナノワイヤ列である。絶縁材料９、例えばＡｌ_２Ｏ_３の供給源は、供給源がナノワイヤＬＥＤ構造の平面から角度αにあるように位置決めされ、αは、絶縁材料の供給源の中心とＬＥＤ構造の中心とを結ぶ線と、ナノワイヤＬＥＤ構造の平面とが成す角度として測定される。ＬＥＤ構造の形状が不規則である場合、中心は回転軸がＬＥＤ構造の平面と交差する点であると考えられる（以下の説明を参照）。回転軸は、基板８の中心と一致してもよいが、一致しなくてもよい。複数の回転軸があってもよい。例えば電子ビーム蒸着又は他の適切な技術、例えばスパッタ成膜により、絶縁材料の分子又は複数の部分が気相に入るように、絶縁材料源にエネルギーが供給される。絶縁材料の分子又は他の分離した単位は、供給源の材料から離脱し、ナノワイヤＬＥＤ構造と交差した絶縁材料はナノワイヤ１の先端部及び側壁に成膜される。交点１０でＬＥＤ構造と交差する軸で成膜が起こるにつれて、ナノワイヤＬＥＤ構造は中心に関して回転される。外側ナノワイヤの側壁は完全に被覆されてもよいが、内側ナノワイヤは成膜処理からは陰になり、内側ナノワイヤの側壁は一部被覆される。ナノワイヤのどの部分が被覆されるかは、角度αによって決まる。一般に、αが小さいほど、内側ナノワイヤの側壁で被覆される部分は狭くなる。ナノワイヤＬＥＤ構造は、空隙又は隔離ナノワイヤを含んでもよく、その場合、空隙の広さ又は隔離の程度と角度αとに応じて、空隙の縁部のナノワイヤ又は隔離ナノワイヤの側壁の一部又はすべてが被覆されてもよい。

レーザーアブレーション、コンタクトの形成などの更なる処理は、例えば、本明細書に参照によって全内容が取り入れられている本出願と同一の出願日に出願された名称「Ｎａｎｏｗｉｒｅ ＬＥＤ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ」、代理人書類番号９３０８‐０１６Ｐの米国特許出願で説明されるように実行されてもよい。最終結果の一例が図５Ｃに示される。この場合、絶縁層（例えばＡｌ_２Ｏ_３）５０３の斜方成膜後、絶縁材料で被覆されなかったナノワイヤのｐ−ＧａＮ側壁と電気的に接触させてｐ電極を設けるために、例えばスパッタ成膜などの何らかの適切な方法により、構造全体にＩＴＯなどの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）５０５が成膜される。特定の領域でｎＧａＮバッファ層７を露出させるためにレーザーアブレーションが実行され、ｎ電極を設けるために露出されたバッファ層７にＮ金属コンタクト５０７が形成される。Ｐ金属コンタクトがＴＣＯ層５０５に形成される。ナノワイヤの最上部の絶縁層（図５ＣのＡｌ_２Ｏ_３絶縁体）は、ナノワイヤの先端部を通る電流漏れを阻止するか又は大幅に減少させることにより、電流が側壁の露出領域へ誘導されるように作用する。

図９は、本発明の方法の一実施形態の別の概略図であり、本実施形態において、ｐコンタクト領域を形成するためにレーザーアブレーションが使用され、ナノワイヤの先端部はＡｌ_２Ｏ_３によって絶縁される。Ｐ側コンタクト領域９０１を形成するために、グループを構成するナノワイヤ１はレーザーアブレーションにより除去され（図９、工程１）、次にＰ側コンタクト領域９０１及びナノワイヤ１を覆うが、ナノワイヤ１の間には成膜されないように、絶縁材料５０３（例えばＡｌ_２Ｏ_３）の斜方成膜が実行される（工程２）。次に、デバイスの全面にＩＴＯ又は別のＰ側電極材料５０５が形成される（ナノワイヤの間も含む、工程３）。次に、ｎ型バッファ層７を露出させるために、ＩＴＯ層５０５、絶縁材料５０３、ナノワイヤ１及びマスク層６をアブレートすることにより、Ｎ側コンタクト領域９０３が形成される（工程４）。次に、リフトオフ又は金属成膜及びフォトリソグラフィによるパターニングにより、Ｎ側コンタクト領域９０３及びＰ側コンタクト領域９０１にＮ側コンタクト５０７及びＰ側コンタクト９０５が形成される。

図１１及び図１２は、本発明の方法１１００、１２００の２つの実施形態の処理フローチャートである。方法１１００、１２００は、共に、図３及び図５Ａに示されるようにナノワイヤＬＥＤ構造を形成すること（例えば図１１のブロック１１０１〜１１１１、図１２のブロック１２０１〜１２１１）と、Ａｌ_２Ｏ_３によってナノワイヤの先端部を絶縁すること（例えば図１１のブロック１１１３及び図１２のブロック１２１７）と、ＩＴＯを成膜すること（例えば図１１のブロック１１１５及び図１２のブロック１２１３）とを含んでもよい。図１１において、方法１１００は、Ａｌ_２Ｏ_３によってナノワイヤの先端部を絶縁すること（ブロック１１１３）と、ＩＴＯを成膜すること（ブロック１１１５）とを更に含む。方法１１００は、Ｎ側金属コンタクト及びＰ側金属コンタクトをそれぞれ形成するためのドライエッチング処理を更に含み、この処理は、Ｎ側コンタクト領域及びデバイスの領域（すなわち「メサ」）を規定するために第１のフォトレジスト層を成膜し且つフォトリソグラフィにより第１のフォトレジスト層をパターニングすること（ブロック１１１７）と、Ｎ側コンタクト領域でナノワイヤを除去し且つｎ型バッファ層を露出させるため並びにデバイスを隔離するため（すなわち「メサ」エッチング）にドライエッチングを実行すること（ブロック１１１９）と、Ｎ側金属コンタクト領域及びＰ側金属コンタクト領域を規定するために第２のフォトレジスト層を成膜し且つフォトリソグラフィにより第２のフォトレジスト層をパターニングすること（ブロック１１２１）と、蒸着により金属コンタクトの材料（例えばＡｌ／Ｔｉ／Ａｕ）を成膜すること（ブロック１１２３）と、金属及びフォトレジストをリフトオフして、各コンタクト領域にＮ側金属コンタクト及びＰ側金属コンタクトを残すこと（ブロック１１２５）とを更に含む。図１２において、方法１２００は、ＩＴＯを成膜すること（ブロック１２１３）と、メサ並びに後にｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域になる部分をレーザーアブレートすること（ブロック１２１５）と、斜方蒸着によりＡｌ_２Ｏ_３を成膜すること（ブロック１２１７）と、Ｎ側金属コンタクト領域及びＰ側金属コンタクト領域を規定するためにフォトレジスト層を成膜し且つフォトリソグラフィによりフォトレジスト層をパターニングすること（ブロック１２１９）と、蒸着により金属コンタクトの材料（例えばＡｌ／Ｔｉ／Ａｕ）を成膜すること（ブロック１２２１）と、金属及びフォトレジストをリフトオフして、各コンタクト領域にＮ側金属コンタクト及びＰ側金属コンタクトを残すこと（ブロック１２２３）とを含む。図１１及び図１２に示されるいくつかの工程は組み合わされてもよい。

図６Ａ〜図６Ｆに示される別の例示的な実施形態は、ナノワイヤＬＥＤ構造のナノワイヤの各部分を改質させるために^２Ｈ^＋の注入が使用され、コンタクトを設けるために、更なる処理を伴うレーザーアブレーションが使用される。図６Ａに示されるように、ＬＥＤ構造８は、支持体上に配列された先細形状のナノワイヤのような複数のナノワイヤ１を含み、ナノワイヤは、動作中に光を発生する活性領域（図３及び図４の中間活性層、図６Ａには図示せず）を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するように構成された第１の導電型の半導体コア２（図６Ａには図示せず）及び第２の導電型のシェル３を備える。中実の支持体は、底部基板層５（図６Ａ〜図６Ｆには図示せず）と、ナノワイヤコア２と電気的に接触しているバッファ層７と、ナノワイヤシェル３をバッファ層７から絶縁する誘電体マスク層６とを含む。図５Ａに示されるように、支持体５上に中間層（例えばｕＧａＮ）が任意に設けられてもよい。この不純物無添加ｕＧａＮ層はナノワイヤの結晶欠陥の密度を低下させる。結晶欠陥はＬＥＤにより発生される光の量を減少させる。

図６Ｂに示されるように、ナノワイヤＬＥＤ構造の選択的領域がレーザーアブレーションにより露出されてもよい。本実施形態において、ｎ−ＧａＮバッファ層７を露出させるために、ナノワイヤ１と任意にマスク層６のすべて又は一部とが除去されてもよい。他の実施形態において、図６Ｂに示されるように、マスク層６を露出させるためにナノワイヤ１が除去されてもよく、マスク層６によりｎ型バッファ層７の各部分が露出される。レーザーアブレーションはｐ側コンタクト領域６０１を規定してもよい。レーザーアブレーションは、本明細書に参照によって全内容が取り入れられている２０１２年１０月２６日出願、名称「Ｎａｎｏｗｉｒｅ ＬＥＤ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｔｈｅ Ｓａｍｅ」、代理人書類番号９３０８‐０１６Ｐの米国特許出願第６１／７１９，１０８号で更に詳細に説明されている。

次に、図６Ｃに示されるように、Ｈ_２ ^＋の斜方注入が実行される。原理は、先に説明した絶縁材料の成膜の場合と同じであるが、水素注入の場合、Ｈ_２ ^＋イオンはウェハに向けられる。水素分子又は水素原子は基板に浅く注入され、注入深さは、注入される物質のエネルギー及び種が面に衝突する角度により制御される。当該技術で知られているように、水素は、半導体の活性アクセプタ及び／又はドナードーパントをパッシベートすることにより、半導体の導電率を低下させるか又は半導体を非導電性にさせる。図６Ｃの陰影をつけた領域６０２により概略的に示されるように、レーザーアブレーションにより露出されていたｎ−ＧａＮバッファ層と、ナノワイヤのｐ−ＧａＮの先端部及び側壁の一部とは、Ｈ_２ ^＋にさらされることによってパッシベートされるので、それらの部分の導電率が低下されるか又はそれらの部分は非導電性にされる。絶縁材料の斜方成膜と同様に、注入される水素に内側ナノワイヤの側壁のどの部分がさらされるかは、角度αによって決まる。側壁の外側ナノワイヤはすべてさらされてもよい。

図６Ｄは、内側ナノワイヤの露出された側壁のｐ−ＧａＮへの電気的接続を成立させるためのＴＣＯ層５０５、例えばＩＴＯの成膜を示す。その他の場所では、ＴＣＯへの電気的接続は、ナノワイヤの先端部及び先の工程でレーザーアブレーションにより露出されたｎ−ＧａＮバッファ層７の領域の双方で、パッシベートされた層６０２により阻止される。次に、ｎ−ＧａＮバッファ層７は、レーザーアブレーションなどの何らかの適切な方法により、又は図６Ｅに示されるようなドライエッチング（フォトリソグラフィ及びドライエッチング）により、選択されたｎ側コンタクト領域６０３で再び露出される。デバイスの大きさは、図６Ｅに示される工程により規定され、図６Ｅには１つのデバイスしか示されていないが、ウェハ上には数百又は数千のデバイスがあってもよい。それらのデバイスは、メサエッチングと呼ばれるこのエッチングにより互いに隔離される。導電性のｎ−ＧａＮバッファ層７を露出させるために、領域６０３からＴＣＯ層５０５、ナノワイヤ１、マスク層６及びすべての水素注入領域６０２が除去される。

ｐコンタクト９０５及びｎコンタクト５０７を形成するために、図６Ｆに示されるように、フォトリソグラフィに続いて金属成膜が実行され、次にフォトレジストがリフトオフされる。例示的な金属成膜スタックはＡｌ／Ｔｉ／Ａｕであり、Ａｌは、ｎ−ＧａＮ（ｎコンタクト）又はＴＣＯ、例えばＩＴＯ（ｐコンタクト）のいずれか一方と接触する。

上記の実施形態において、絶縁材料の斜方成膜の代わりに、注入される水素への斜方露出が使用されてもよく、逆に、注入水素への斜方露出の代わりに斜方成膜が使用されてもよい。

ナノワイヤＬＥＤは、ナノワイヤの側壁、ナノワイヤの最上部から、例えばｐ電極を通して発光するか、又はナノワイヤの底部から、例えば支持体層を通して（例えば導電層及び／又はバッファ層及び／又は基板を通して）発光することを意図しており、コンタクトの材料を選択する場合には、このことを考慮に入れなければならない。本明細書で使用される場合の用語「発光」は、可視光（例えば青色光又は紫色光）並びにＵＶ放射又はＩＲ放射の双方を含む。上記の実施例で説明したようなトップエミッション型ナノワイヤＬＥＤの場合、光はナノワイヤの底面から先端方向に射出され、最上部のコンタクト材料は透明でなければならず、例えばＩＴＯ又は非常に薄い金属が使用される。以下に説明するように、銀又はアルミニウムなどの反射層が支持体の一部を構成してもよい。ボトムエミッション型ナノワイヤＬＥＤの場合、最上部のコンタクト材料は、以下に説明するように、銀又はアルミニウムなどの反射層であってもよい。一般に、ボトムエミッション型ナノ構造の構成は、発射された光を逆方向にデバイスのバッファ層を通して誘導するように個別の発光ナノ要素の上部又はその付近に、すなわち発光ナノ要素に近接して、ミラーなどの反射構造を設けることを必要とする。ボトムエミッション型電極は、共に本明細書に参照によって全内容が取り入れられている２０１１年６月１７日出願の米国特許公開第２０１１／０３０９３８２号及び国際出願第ＰＣＴ／ＵＳ１１／４０９３２号で更に説明されている。

金属の中でも、銀は、光スペクトルの可視領域の中で最良の反射係数を示すが、密封せずに通常の大気中で使用した場合、腐食による損傷を受けやすい。被覆層として、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３又は他の何らかの安定した誘電体を使用できる。アルミニウムは、可視領域内で銀より幾分低い反射係数を有するが、乾燥した大気環境の中で非常に優れた耐食性を示す。デバイスの信頼性を向上するために、先に説明したような更に反射層を覆う別の誘電体被覆層が望まれる場合もある。透明な最上部コンタクト層の場合、先に説明したような酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、あるいは高導電率及び高透過率を有する導電性酸化亜鉛のような他の透明化合物又は高ドープ半導体が使用されてもよい。

ナノワイヤＬＥＤの選択された部分の特性を変化させることに関して本発明を説明したが、電界効果トランジスタ、ダイオード、特に、光検出器、太陽電池、レーザーなどの吸光又は発光を含むデバイスのようなナノワイヤを利用する他の半導体デバイスに関しても同様にしてコンタクトを形成できること、及び特にどのようなナノワイヤ構造に対しても角度変化法を実現できることを理解すべきである。

一実施形態において、先端部に損傷を与えるためにプラズマが使用され、プラズマは、Ａｒ又はＯ_２などの種々の適切な種のうちの１つであってもよい。プラズマはナノワイヤの先端部に向けられ、ワイヤの底部はフォトレジストなどの保護層により被覆される。ナノワイヤの先端部はプラズマからの損傷を受けるので、電流は優先的に側壁を通って流れる。これにより、先端部のｐ面の代わりにｍ面が優先的に明るくなる。

一実施形態において、ｐ型ＧａＮの抵抗率及び接触抵抗を増加させるための処理にＡｒ^＋が使用される。ｐ型ＧａＮを高エネルギーＡｒ^＋イオンにさらすことにより、ＧａＮのシート抵抗は増加する。Ａｒ^＋で処理されないｐＧａＮ面と比較して、処理されたｐＧａＮ面ではＩＴＯ−ｐＧａＮ間の接触抵抗も増加する。ｐＧａＮのシート抵抗及び／又は接触抵抗の増加は、ｐＧａＮで起こる漏れ電流を十分に減少させる。ナノワイヤを含むウェハは、１００ｍＴｏｒｒのアルゴンを入れたチャンバの中に配置され、１００Ｗの出力でプラズマが発射されると、Ａｒイオンは、ナノワイヤの先端部（ｐ面）並びにナノワイヤの間の空隙に衝突する。ｐＧａＮ膜が最も薄い（〜５ｎｍ）ナノワイヤの先端部は最も大きな損傷を受け、ｐＧａＮがはるかに厚い（＞１００ｎｍ）ｍ面の側壁は、かすめて通るイオンを受けるだけであるので、ｍ面の側壁に対する損傷は最小限になる。

図１０は、ナノワイヤの先端部がＡｒ^＋で処理される本発明の方法の一実施形態の概略図である。図１０Ａは、先に説明したような複数のナノワイヤ１を示す。図１０Ｂに示されるように、その後のプラズマ処理（例えばＡｒ^＋処理）から保護するために、ナノワイヤ１の先端部を露出させるが、ナノワイヤの側壁にはフォトレジストが残る高さまで、ナノワイヤ１を覆うようにフォトレジスト層１００１が任意に形成されてもよい（例えばフォトレジストをスピニングし、露光し、現像することにより）。図１０Ｃにおいて、ナノワイヤ１は高エネルギーＡｒ^＋イオンにさらされ、Ａｒ^＋イオンは、ナノワイヤ１の先端部を選択的に損傷させ、側壁と比較して先端部の抵抗を増加させる。次に、図１０Ｄにおいて、フォトレジスト層１００１は剥離されてもよい。図１０Ｅに示されるように、ナノワイヤ１の上にＩＴＯ層５０５が成膜されてもよく、続いて、先に説明したように、フォトリソグラフィによるパターニング及びエッチング（図１０Ｆ）が実行され、Ｐ側金属コンタクト９０５及びＮ側金属コンタクト５０７がそれぞれ形成される（図１０Ｇ）。

本発明の別の態様において、ＧａＮナノワイヤの先端部は除去される。好適な一実施形態において、ナノワイヤの先端部は選択的に除去され、ｍ面の側壁は損なわれることなく元のまま残る。この先端部除去技術は、誘電体障壁（例えばＡｌ_２Ｏ_３膜）及び／又はアルゴン中のエッチングによるｐＧａＮの接触抵抗及び抵抗率の増加と組み合わせて使用されてもよい。ナノワイヤの先端部を除去する方法の一実施形態が図１３Ａ及び図１３Ｂで説明される。図１４は、塩素含有エッチング媒体によって先端部がエッチングされたナノワイヤのグループのＳＥＭである。

先端部を除去する方法の一実施形態は次の通りである。

１．レーザーアブレーション又はマスク及びエッチングのいずれかにより、ｎパッド領域及びｐパッド領域１３０１からナノワイヤ１が除去される（工程１）。これは、後に実行される工程でｎからｐへの短絡が起こるのを阻止し且つ後にワイヤボンディングに使用される領域を平坦化する。

２．次に、ウェハ上に誘電体１３０３が成膜される（工程２）。誘電体１３０３は、スピンオン法、化学気相成長又は物理気相成長により成膜可能である。好適な方法は、スピンオンガラス、すなわちＳＯＧとしても知られるガラス（ＳｉＯ_２）のスピンオン成膜である。好適な一実施形態において、ナノワイヤの高さは約２．５μｍであり、誘電体の厚さは、底部の平坦な面で測定した場合、約１，０００〜約６，０００Åであり、約３，０００Åであるのが最も好ましい。

３．次に、パッド領域にフォトレジストのマスク（図示せず）が塗布され、マスクで覆われていない領域１３０５からウェットエッチング又はドライエッチングにより誘電体１３０３が除去される（工程３）。プラズマ損傷を回避するために、フッ化水素酸（ＨＦ）によるウェットエッチングが好ましい。ナノワイヤの先端部及び側壁からＳｉＯ_２を除去しつつ、ナノワイヤ１の底面に多少の誘電体１３０３（例えばＳｉＯ_２）を残すのが好ましい。ＳｉＯ_２がスピンオン法で成膜された場合、膜は側壁で薄く、底部で厚い。そのため、短時間のＨＦエッチングによって側壁から膜を除去し、底部には厚い膜を残すことができる。ホウ素添加ＳｉＯ_２（ＢＳＧ）、リン添加ＳｉＯ_２（ＰＳＧ）、ホウ素及びリン添加ＳｉＯ_２（ＢＰＳＧ）、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ−Ｈなどの低誘電率誘電体、Ａｌ_２Ｏ_３又はＨｆＯ_２などの高誘電率誘電体膜及び他の適切な誘電体などの他の誘電体膜も使用されてよい。

４．次に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）膜５０５が成膜される。アルミニウム添加酸化亜鉛などの他のＴＣＯ膜も使用可能である。膜は、蒸着又はスパッタリングなどの物理的方法により、ＣＶＤにより、又はそれらの方法の組み合わせにより成膜可能である。膜は、ｐＧａＮを損傷しないスパッタリング法により成膜されるのが好ましい。ＩＴＯ膜の厚さは約１００Å〜約１０，０００Åであってもよく、約８，０００Åであるのが最も好ましい。次に、ＩＴＯ５０５の最上部にＳｉＯ_２などの誘電体膜１３０７が成膜される。誘電体１３０７は、スピンオン法、蒸着又はスパッタリング、あるいはＣＶＤにより成膜可能である。膜は、先端部で薄膜を形成し、平坦であるワイヤの底面では厚い膜を形成するスピンオン法により成膜されるのが最も好ましい。

５．次の工程（工程５）において、ウェハ上のマスクなしで塩素ガスプラズマの中でウェハがドライエッチングされる。塩素はＳｉＯ_２、ＩＴＯ及びＧａＮをエッチングする。ＧａＮは、３つの膜の中で最も速いエッチング速度を有するので、図１３Ａの工程５の処理フローチャート及び図１４のＳＥＭ画像で示されるような断面形状になる。エッチングは異方性であるので、先端部は側壁より速くエッチングされる。図１３の工程４で成膜されたＳｉＯ_２１３０７は、側壁のＩＴＯ５０５をエッチングから保護する。ナノワイヤの底面ではエッチング速度が遅く且つ膜が厚いので、ＧａＮのナノワイヤ先端部がエッチングにより除去された後も、底面の膜は残る。

６．次の工程（工程６、図１３Ｂ）において、フォトレジストによってメサパターンをマスクするために標準のリソグラフィが使用され、デバイスを規定し且つ隔離するために、後にｎコンタクトになる領域１３０９及びメサ縁部の周囲で膜が除去される。

７．次に、デバイスの側壁及び部分的にエッチングされ、露出されたナノワイヤ１をパッシベートするために、誘電体１３１１（例えばＳＯＧ）が成膜される（工程７）。

８．最後に、ｎコンタクト領域１３１３及びｐコンタクト領域１３１５を除くすべての構造を被覆するマスク（例えばレジスト）を成膜するために、標準のフォトリソグラフィが使用される。露出されたｎコンタクト領域１３１３及びｐコンタクト領域１３１５は、それらの領域から誘電体１３１１を除去して、ｎＧａＮバッファ層７及びＩＴＯ５０５をそれぞれ露出させるために、ウェットエッチングされるか又はドライエッチングされる（工程８）。次に、Ａｌ、Ｔｉ及びＡｕから構成される金属コンタクトスタックは、蒸着により成膜される。次に、ウェハから金属と共にフォトレジストマスクがリフトオフされ、Ｐ金属コンタクト９０５及びＮ金属コンタクト５０７が残される（工程９）。

以上説明したナノワイヤの先端部を除去する方法は、当業者により適切に変形されてもよく、当業者が工程を先に特定して説明した順序ではなく、何らかの適切な順序で実行してもよいことは明らかである。

本発明は、ＬＥＤ構造を更に提供する。

特定の実施形態において、本発明は、ｎ−ＧａＮバッファ層及び非導電性基板層を備える支持体と支持体上のナノワイヤのアレイとを備え、ナノワイヤは、ｐ−ＧａＮシェルにより取り囲まれたｎ−ＧａＮコアを備えるＬＥＤ構造であって、構造は、（ｉ）ｎ−ＧａＮバッファ層と電気的に接触する金属コンタクトを備えるｎ電極領域と、（ｉｉ）ｐ電極領域とを備え、ｐ電極領域は、（ａ）ナノワイヤの先端部及び第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分を含むが、第１グループのナノワイヤの側壁の第２の部分を含まず、任意に第２グループのナノワイヤのすべての側壁を含み、第１グループのナノワイヤはナノワイヤアレイの内側にあり且つ第２グループのナノワイヤはナノワイヤアレイの外側縁部にある非導電層と、（ｂ）第１グループのナノワイヤの側壁の第２の部分と電気的に接触する導電層と、（ｃ）導電層と電気的に接触する金属コンタクトとを備えるＬＥＤ構造を提供する。

これらの実施形態のうち特定の実施形態において、非導電層は、先端部の最上部及び側壁の各部分にあるＡｌ_２Ｏ_３より成る層のような絶縁材料層を備える。他の実施形態において、非導電層は、導電率を低下させるか又は零にするように改質されたｐ−ＧａＮシェルの改質部分を備える。この部分は、例えば、先に説明したように、導電率を低下させるように^２Ｈ_＋にさらされることにより改質された部分であってもよい。

特定の実施形態において、第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分は、ナノワイヤの先端部から側壁に沿って下方へ３００ｎｍ未満のように４００ｎｍ未満、例えば２００ｎｍ以下の長さだけ延設される。特定の実施形態において、第１グループのナノワイヤの第１の部分は、側壁の長さの５０％未満、例えば３０％未満、更には２０％未満のような４０％未満の長さだけ延設される。

特定の実施形態において、金属コンタクトは、Ａｌより成る層、Ｔｉより成る層及びＡｕより成る層を備え、例えば、Ａｌ層は、ｎ電極のｎ−ＧａＮバッファ層及びｐ電極の導電層と直接接触する。

ＬＥＤナノワイヤの選択された部分の導電率を低下させるために、それらの部分の特性を変化させることに関連して実施形態を説明したが、ＬＥＤナノワイヤの特定の部分の導電率を増加させるために類似の技術が使用されてもよいことは理解されるだろう。例えば、ナノワイヤの先端部と選択的に接触するように導電性材料が成膜されてもよい。

特に、図面は、柱状の形状を有し、ナノワイヤコア、すなわち「一次元」のコアに基づく実施形態を示すことが強調されるべきであるが、成長条件を変更することにより、コアが角錐形などの他の形状を有してもよいことは理解されるべきである。また、成長条件を変更することにより、完成後のナノ要素は、角錐形又は柱状と角錐形との間の何らかの形状を有することも可能である。
＜実施例＞
実施例１．斜方成膜による誘電体絶縁層の形成
絶縁層を設けるために、ナノワイヤＬＥＤ構造をＡｌ_２Ｏ_３で選択的に被覆した。電子ビーム蒸着物理気相成長を使用し、角度αを２８°に設定した。ナノワイヤの側壁で〜１００ｎｍの厚さを実現するように、成膜を制御した。図７Ａに示されるように、半隔離されたナノワイヤ、すなわちごく近接する隣接ナノワイヤを持たないナノワイヤは、側壁に沿ってＡｌ２Ｏ３成膜を示した。ｐ面における成膜は１０２．３ｎｍと測定された。図７Ｂは、密な構造、すなわち他のナノワイヤにより取り囲まれた内側ナノワイヤにおける成膜を示す。この場合、ナノワイヤの先端部にＡｌ_２Ｏ_３が成膜され、ナノワイヤの側壁の下半分にはＡｌ_２Ｏ_３の成膜は見られなかった。

本実施例は、絶縁材料の斜方成膜により先端部を選択的に被覆できるが、内側ナノワイヤの側壁の部分を被覆できないことを示す。
実施例２．側壁被覆に対する成膜角度の鋭角度の影響
角度αを１５°に設定することを除き、実施例１と同様の条件を使用した。図８に示されるように、密な構造（内側ナノワイヤ）では、Ａｌ_２Ｏ_３被膜は、先端部の角部から下方へ２００ｎｍ未満の長さだけ延設され、これはナノワイヤ側壁の半分より相当に上の位置である。

本実施例は、成膜角度を制御することにより、内側ナノワイヤの側壁のどの部分が絶縁材料にさらされるかを制御でき、その結果、先端部及び側壁の選択された部分には成膜できるが、側壁の大部分は絶縁材料に被覆されないままであることを示す。
実施例３．ｐＧａＮへの^２Ｈ^＋注入及び導電率に対する効果
サファイア基板の上面にｐ型ＧａＮ膜を備える平坦なウェハの２つの異なる場所にＩＴＯコンタクトを形成し、コンタクトに電圧を印加して、電流を測定した。ＩＴＯコンタクトの前にｐＧａＮにＨ_２ ^＋を注入した同様のウェハを形成し、１つのケースでは、注入条件を２．５ｅ１４／ｃｍ２の量で３０ｋｅＶの^２Ｈ^＋とし、別のケースでは、注入条件を５ｅ１４／ｃｍ２の量で１２０ｋｅＶの^２Ｈ^＋とした。^２Ｈ^＋を注入したウェハにおいて、ｐＧａＮの導電率は、注入なしの対照用ウェハと比較して６桁を超える低下を示した。

本明細書で引用されるすべての文献及び特許は、個々の文献又は特許が特別且つ個別に参照によって取り入れられているのと同様に参照によって本明細書に取り入れられており且つ引用されたそれらの文献と関連して方法及び／又は材料を開示し且つ説明するために本明細書に取り入れられている。どの文献の引用も、本出願の出願日以前に開示されたための引用であり、そのような先行発明があることによって本発明の日付がその文献に先行する権利を持たないことの承認であると解釈されるべきではない。更に、提示される文献の公表の日付は、独自に確認される必要がある実際の公表の日付とは異なる場合もある。

Claims (15)

1. 平坦な支持体の上のナノワイヤのアレイを備えるＬＥＤ構造を物質によって処理する方法であって、物質源で前記物質を生成し、前記物質を線に沿って前記アレイまで移動させることを含み、
   （ｉ）前記物質がたどる前記線と前記支持体の平面とが成す角度は、前記支持体の中心から測定した場合に９０°未満であり、且つ
   （ｉｉ）前記物質は、前記物質により処理される前と比較して前記ナノワイヤの部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させることが可能であることを特徴とする方法。
2. 前記物質は絶縁体であり、前記ナノワイヤの前記部分を被覆することにより、前記部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させるか、
   前記物質はＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、ＨｆＯ_２又はそれらの組み合わせ又は合金を含むか、
   前記物質はＳｉＯ_２、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＮ又はＴｉＯ_２を含むか、又は
   前記物質はＨ^＋原子又はＨ_２ ^＋分子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記ナノワイヤの前記部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させるために、前記物質は前記部分と反応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記物質はＨｅ^＋、Ｎ^＋、Ｎ_２ ^＋又はＡｒ^＋を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 前記角度は４５°未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記物質は、物理気相成長（ＰＶＤ）により形成され且つ前記ナノワイヤまで移動されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記ナノワイヤは先端部及び側壁を備え、前記アレイは縁部ナノワイヤ及び中央部ナノワイヤを備え、前記角度は、前記中央部ナノワイヤが前記先端部で非導電性にされ且つ前記側壁の全体ではなく一部に沿って非導電性にされるような角度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記方法は、Ａｌ_２Ｏ_３又は他の何らかの誘電体の成膜を含み、前記ナノワイヤの先端部におけるＡｌ_２Ｏ_３の深さは５０〜２００ｎｍの間であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
9. 前記ナノワイヤは、第１の導電型のナノワイヤコアと、第２の導電型のナノワイヤシェルとを備え、
   動作中に光を発生する活性領域を構成するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するために、前記第１の導電型の半導体ナノワイヤコアは、前記第２の導電型の半導体シェルにより取り囲まれるか、又は、
   前記支持体の層は反射層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. ｎ−ＧａＮバッファ層及び非導電性基板層を備える支持体と、前記支持体上のナノワイヤのアレイとを備え、前記ナノワイヤがｐ−ＧａＮシェルにより取り囲まれたｎ−ＧａＮコアを備えるＬＥＤ構造であって、
    （ｉ）前記ｎ−ＧａＮバッファ層と電気的に接触する金属コンタクトを備えるｎ電極領域と、
    （ｉｉ）ｐ電極領域と
    を備え、前記ｐ電極領域は、
    （ａ）ナノワイヤの先端部及び第１グループのナノワイヤの垂直の側壁の第１の部分を含むが、前記第１グループのナノワイヤの前記垂直の側壁の第２の部分を含まない非導電層と、
    （ｂ）前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の前記第２の部分と電気的に接触する導電層と、
    （ｃ）前記導電層と電気的に接触する金属コンタクトと
    を備えることを特徴とするＬＥＤ構造。
11. ｎ−ＧａＮバッファ層及び非導電性基板層を備える支持体と、前記支持体上のナノワイヤのアレイとを備え、前記ナノワイヤがｐ−ＧａＮシェルにより取り囲まれたｎ−ＧａＮコアを備えるＬＥＤ構造であって、
    （ｉ）前記ｎ−ＧａＮバッファ層と電気的に接触する金属コンタクトを備えるｎ電極領域と、
    （ｉｉ）ｐ電極領域と
    を備え、前記ｐ電極領域は、
    （ａ）ナノワイヤの先端部及び第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分を含むが、前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の第２の部分を含まない非導電層と、
    （ｂ）前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の前記第２の部分と電気的に接触する導電層と、
    （ｃ）前記導電層と電気的に接触する金属コンタクトと
    を備え、
    前記非導電層は、第２グループのナノワイヤのすべての側壁を含み、前記第１グループのナノワイヤは前記ナノワイヤのアレイの内側にあり且つ前記第２グループのナノワイヤは前記ナノワイヤのアレイの外側縁部にあることを特徴とするＬＥＤ構造。
12. 前記非導電層は、前記先端部の最上部及び前記垂直の側壁の各部の絶縁材料層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
13. 前記非導電層は、導電率を低下させるか又は零にするために改質されたｐ−ＧａＮシェルの改質部分を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
14. 前記金属コンタクトは、Ａｌの層、Ｔｉの層及びＡｕの層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
15. 前記Ａｌの層は、前記ｎ電極では前記ｎ−ＧａＮバッファ層と直接接触し、前記ｐ電極では前記導電層と直接接触していることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ構造。

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