JP6322083B2

JP6322083B2 - Semiconductor wafer cooling method and semiconductor wafer cooling apparatus

Info

Publication number: JP6322083B2
Application number: JP2014162614A
Authority: JP
Inventors: 幸敏長谷; 伸一郎森
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2014-08-08
Filing date: 2014-08-08
Publication date: 2018-05-09
Anticipated expiration: 2034-08-08
Also published as: KR20160018403A; TW201611161A; CN105374766A; JP2016039299A

Description

本発明は、加熱状態にある樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートまたは粘着テープによって被覆されている半導体ウエハを冷却する半導体ウエハの冷却方法および半導体ウエハの冷却装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer cooling method and a semiconductor wafer cooling apparatus for cooling a semiconductor wafer covered with a sealing sheet or an adhesive tape having a sealing layer made of a resin composition in a heated state.

ダイシング処理後に良品のベアチップのみを選別し、複数個の当該ベアチップを樹脂によって被覆して再成形した半導体ウエハ（以下、適宜に「ウエハ」という）に所望の加工をしている。例えば、両面粘着テープによってキャリア用の支持板を貼り合わせた当該半導体ウエハの裏面研削を行って薄化する。その後に当該半導体ウエハを加熱することによって両面粘着テープの接着力を低減または減滅させて支持板をウエハから分離している。 After the dicing process, only non-defective bare chips are selected, and a desired processing is performed on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer” as appropriate) formed by coating a plurality of the bare chips with resin. For example, the semiconductor wafer on which the carrier support plate is bonded with a double-sided pressure-sensitive adhesive tape is ground and thinned. Thereafter, by heating or heating the semiconductor wafer, the adhesive force of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is reduced or eliminated to separate the support plate from the wafer.

支持板を分離した後の加熱状態にあるウエハを冷却している。すなわち、冷却処理のスループットを向上させるために、冷却ステージに搬送するまでの搬送過程で、加熱状態にあるウエハを非接触で浮上させて冷却ステージに搬送しながらエアーを吹き付けて予備冷却を行っている（特許文献１を参照）。 The wafer in a heated state after separating the support plate is cooled. In other words, in order to improve the throughput of the cooling process, in the transfer process until the transfer to the cooling stage, the heated wafer is lifted in a non-contact manner and air is blown while being transferred to the cooling stage to perform preliminary cooling. (See Patent Document 1).

特開２０１２−１１９４３９号公報JP 2012-119439 A

しかしながら、上記従来方法では次のような問題が生じている。 However, the above conventional method has the following problems.

すなわち、ウエハの大型化に伴って非接触でウエハを浮上させて搬送することが困難になっている。すなわち、支持板を除去されて剛性が低下するとともに、加熱よって樹脂が軟化しているので、ウエハの自重によってウエハに反りや撓みが発生しやすくなっている。当該反りなどの発生は、ウエハのハンドリングエラーを招き、ひいてはハンドリングエラーによってウエハを破損させるといった問題が生じている。 That is, as the size of the wafer increases, it becomes difficult to lift and transfer the wafer in a non-contact manner. That is, since the support plate is removed and the rigidity is lowered, and the resin is softened by heating, the wafer is easily warped and bent by its own weight. The occurrence of the warp causes a handling error of the wafer, resulting in a problem that the wafer is damaged due to the handling error.

また、大型のウエハを冷却ステージに搬送するための予備冷却用の搬送装置は、設置面積が大きくなるといった不都合も生じている。 In addition, the pre-cooling transfer apparatus for transferring a large wafer to the cooling stage has a disadvantage that the installation area is increased.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、簡素な構成で半導体ウエハを精度よく冷却するこのとのできる半導体ウエハの冷却方法および半導体ウエハの冷却装置を提供することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a main object of the present invention is to provide a semiconductor wafer cooling method and a semiconductor wafer cooling apparatus capable of accurately cooling a semiconductor wafer with a simple configuration. And

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.

すなわち、樹脂シートまたは粘着テープによって被覆された半導体ウエハを冷却する半導体ウエハの冷却方法であって、
加熱状態にある前記半導体ウエハを加熱された保持テーブルに載置する載置過程と、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させ、前記保持テーブルの輻射熱が伝達される所定の位置へ前記半導体ウエハを昇降移動させる離反過程と、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させるとともに前記所定の位置で保持させた状態で温度および時間を調整しながら半導体ウエハを冷却する冷却過程と、
を備え、
前記冷却過程は、前記輻射熱で前記半導体ウエハを間接的に加熱しながら前記半導体ウエハの温度を調整する
ことを特徴とする。 That is, a semiconductor wafer cooling method for cooling a semiconductor wafer covered with a resin sheet or an adhesive tape,
A placing process of placing the semiconductor wafer in a heated state on a heated holding table;
A separating process to a predetermined position Ru raising and lowering movement of the semiconductor wafer to separate the semiconductor wafer, the radiation heat of the holding table is transferred from the holding table,
A cooling process for cooling the semiconductor wafer while adjusting the temperature and time in a state of being held in the allowed Rutotomoni the predetermined position separating the semiconductor wafer from the holding table,
Equipped with a,
The cooling process is characterized in that the temperature of the semiconductor wafer is adjusted while indirectly heating the semiconductor wafer with the radiant heat .

（作用・効果）上記方法によれば、加熱状態にあるウエハを加熱された保持テーブルから離反させることにより、保持テーブルから輻射される熱によってウエハが徐々に冷却される。このとき、保持テーブルからウエハまでの距離と輻射熱による温度を調整することによって、急激に冷却された際に生じるウエハの反りが抑制される。
ができる。 (Operation and Effect) According to the above method, the wafer is gradually cooled by the heat radiated from the holding table by separating the heated wafer from the heated holding table. At this time, by adjusting the distance from the holding table to the wafer and the temperature due to radiant heat, the warpage of the wafer that occurs when it is rapidly cooled is suppressed.
Can do.

なお、上記方法において、温度の調整は、例えば保持テーブルから半導体ウエハまでの距離または保持テーブルの加熱温度の少なくとも一方を変更して行われる。 In the above method, the temperature is adjusted by changing at least one of the distance from the holding table to the semiconductor wafer or the heating temperature of the holding table, for example.

また、上記方法において、温度の調整は、距離および加熱温度の変更に、さらに半導体ウエハに冷却用の気体を吹き付けて行ってもよい。あるいは、保持テーブルから半導体ウエハまでの距離を一定にして気体の風量や風速を調整してもよい。 In the above method, the temperature may be adjusted by changing the distance and the heating temperature and blowing a cooling gas onto the semiconductor wafer. Alternatively, the gas flow rate and speed may be adjusted with a constant distance from the holding table to the semiconductor wafer.

また、上述の各方法において、半導体ウエハの表面の温度を検出器で検出し、当該検出結果に応じて温度を調整してもよい。 In each method described above, the temperature of the surface of the semiconductor wafer may be detected by a detector, and the temperature may be adjusted according to the detection result.

この方法によれば、検出器の検出結果に応じて、ウエハの温度低下を精度よく制御することができる。 According to this method, the temperature drop of the wafer can be accurately controlled according to the detection result of the detector.

さらに、上記方法において、検出器によって半導体ウエハの反りを検出する検出過程を備え、
離反過程において、半導体ウエハの外周の複数箇所を複数個の支持部材で支持するとともに、半導体ウエハの中央を吸着部材で吸着保持し、
冷却過程は、冷却時に検出器によって検出された半導体ウエハの反量に応じて支持部材と吸着部材を相対的に離反または接近移動させながら半導体ウエハを平坦にする。 Furthermore, in the above method, a detection process of detecting warpage of the semiconductor wafer by a detector is provided,
In the separation process, a plurality of locations on the outer periphery of the semiconductor wafer are supported by a plurality of support members, and the center of the semiconductor wafer is suction-held by a suction member,
In the cooling process, the semiconductor wafer is flattened while the support member and the suction member are moved relatively apart or moved in accordance with the reaction amount of the semiconductor wafer detected by the detector during cooling.

この方法によれば、冷却過程でウエハに反りが発生した場合、支持部材と吸着部材を離反または接近させることにより、反りによって生じるウエハ中央と外縁とのギャップを小さく矯正することができる。すなわち、ウエハを平坦な状態で冷却することができる。 According to this method, when the wafer is warped during the cooling process, the gap between the wafer center and the outer edge caused by the warp can be corrected to be small by separating or approaching the support member and the suction member. That is, the wafer can be cooled in a flat state.

すなわち、樹脂シートまたは粘着テープによって被覆された半導体ウエハを冷却する半導体ウエハの冷却装置であって、
加熱状態にある前記半導体ウエハを加熱しながら保持する保持テーブルと、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させ、前記保持テーブルの輻射熱が伝達される所定の位置へ前記半導体ウエハを昇降移動させる離反機構と、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させるとともに前記所定の位置で保持させた状態で温度および時間を調整しながら半導体ウエハを冷却させる制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記輻射熱で前記半導体ウエハを間接的に加熱しながら前記半導体ウエハの温度を調整する
ことを特徴とする。
That is, a semiconductor wafer cooling device for cooling a semiconductor wafer covered with a resin sheet or adhesive tape,
A holding table for holding the semiconductor wafer in a heated state while heating;
And then separating the semiconductor wafer, separating the radiation heat of the holding table Ru by vertical movement of the semiconductor wafer to a predetermined position which is the transmission mechanism from the holding table,
A control unit for cooling the semiconductor wafer while adjusting the temperature and time in a state of being held in the allowed Rutotomoni the predetermined position separating the semiconductor wafer from the holding table,
Equipped with a,
The controller is configured to adjust the temperature of the semiconductor wafer while indirectly heating the semiconductor wafer with the radiant heat .

（作用・効果）この構成によれば、離反機構によって保持テーブルに載置されたウエハを当該保持テーブルから離反した状態で保持することができる。したがって、保持テーブルから半導体ウエハまでの距離および離反している時間を調整することにより、保持テーブルから輻射される熱によってウエハが徐々に冷却される。すなわち、上記方法を好適に実施することができる。 (Operation / Effect) According to this configuration, the wafer placed on the holding table by the separation mechanism can be held in a state of being separated from the holding table. Therefore, the wafer is gradually cooled by the heat radiated from the holding table by adjusting the distance from the holding table to the semiconductor wafer and the separation time. That is, the above method can be suitably performed.

なお、当該構成において、制御部は、例えば、保持テーブルから半導体ウエハまでの距離または保持テーブルの加熱温度の少なくとも一方を調整して温度を制御する。 In this configuration, for example, the control unit controls the temperature by adjusting at least one of the distance from the holding table to the semiconductor wafer or the heating temperature of the holding table.

また、半導体ウエハに向けて冷却用の気体を吹き付ける気体供給部を備えた構成であってもよい。 Moreover, the structure provided with the gas supply part which sprays the gas for cooling toward a semiconductor wafer may be sufficient.

この構成によれば、ウエハを積極的に冷却することができる。例えば、ウエハでの温度分布のバラツキが大きい場合、温度の高い部位に局所的に冷却用の気体を吹き付けることができる。 According to this configuration, the wafer can be actively cooled. For example, when the variation in the temperature distribution on the wafer is large, a cooling gas can be locally blown to a part having a high temperature.

また、上記構成において、半導体ウエハの表面の温度を検出する検出器を備え、
制御部は、検出器の検出結果に応じて温度を調整してもよい。 Further, in the above configuration, a detector for detecting the temperature of the surface of the semiconductor wafer is provided,
The control unit may adjust the temperature according to the detection result of the detector.

この構成によれば、ウエハの温度変化を逐次に検出しているので、ウエハの温度を低下させる速度を精度よく調整することができる。 According to this configuration, since the temperature change of the wafer is sequentially detected, the speed at which the temperature of the wafer is lowered can be adjusted with high accuracy.

さらに、上記構成において、前記半導体ウエハの反りを検出する検出器を備え、
離反機構は、半導体ウエハの外周を複数箇所で支持する複数個の支持部材と、
半導体ウエハの中央部分を吸着保持する吸着部材と、
支持部材と吸着部材を相対的に離反および接近移動させる駆動機構とを備え、
制御部は、半導体ウエハの反量に応じて支持部材と吸着部材を相対的に接近または離反移動させながら半導体ウエハを平坦にする Furthermore, in the above configuration, a detector for detecting warpage of the semiconductor wafer is provided,
The separation mechanism includes a plurality of support members that support the outer periphery of the semiconductor wafer at a plurality of locations,
An adsorbing member for adsorbing and holding the central portion of the semiconductor wafer;
A drive mechanism for moving the support member and the suction member relatively apart and approach each other,
The control unit flattens the semiconductor wafer while relatively moving the support member and the adsorption member toward or away from each other according to the amount of the semiconductor wafer.

この構成によれば、ウエハに反りが発生した場合、その反量の変化に応じて支持部材と吸着部材を離反または接近させることにより、当該反りを矯正して平坦な状態でウエハを冷却することができる。 According to this configuration, when warpage occurs in the wafer, the warpage is corrected and the wafer is cooled in a flat state by separating or approaching the support member and the adsorption member in accordance with the change in the amount of the warpage. Can do.

本発明の半導体ウエハの冷却方法および半導体ウエハの冷却装置によれば、加熱状態にある封止シートまたは粘着テープで被覆された半導体ウエハに反りを発生させることなく精度よく冷却することができる。 According to the semiconductor wafer cooling method and the semiconductor wafer cooling apparatus of the present invention, the semiconductor wafer covered with the sealing sheet or the adhesive tape in the heated state can be accurately cooled without causing warpage.

半導体ウエハに支持板を貼合せて成るワークの側面図である。It is a side view of the workpiece | work formed by bonding a support plate to a semiconductor wafer. 半導体ウエハの断面図である。It is sectional drawing of a semiconductor wafer. 冷却装置の正面図である。It is a front view of a cooling device. 冷却装置の動作を説明する平面図である。It is a top view explaining operation | movement of a cooling device. 冷却装置の平面図である。It is a top view of a cooling device. 変形例の冷却装置の平面図である。It is a top view of the cooling device of a modification. 変形例の冷却装置の動作を説明する平面図である。It is a top view explaining operation | movement of the cooling device of a modification. 変形例の冷却装置の動作を説明する平面図である。It is a top view explaining operation | movement of the cooling device of a modification.

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本実施例で用いる半導体ウエハ（以下、適宜に「ウエハ」という）は、ウエハ表面への回路形成後にダイシング処理がされたベアチップを検査し、良品のベアチップのみを選別する。これらベアチップ１ａの電極面を下にし、図１に示すように、キャリア用の支持板２に貼り付けた両面粘着テープ３上に２次元アレー状に整列固定する。さらに、ベアチップ１ａ上から樹脂１ｂを被着し、ウエハ１の形状に再生している。 For semiconductor wafers used in this embodiment (hereinafter referred to as “wafers” where appropriate), bare chips that have been diced after circuit formation on the wafer surface are inspected, and only good bare chips are selected. With the bare chip 1a facing down, as shown in FIG. 1, it is aligned and fixed in a two-dimensional array on a double-sided adhesive tape 3 affixed to a carrier support plate 2. Further, a resin 1b is deposited on the bare chip 1a and regenerated into the shape of the wafer 1.

また、本実施例では、図２に示すように、ステンレス鋼、ガラス基板またはシリコン基板からなる支持板２と同心状に両面粘着テープ３を介して貼り合わされたウエハ１のバックグラインド処理後に加熱処理によって支持体の除去されたウエハ１取り扱う装置である。 Further, in this embodiment, as shown in FIG. 2, the heat treatment is performed after the back grinding process of the wafer 1 bonded through the double-sided adhesive tape 3 concentrically with the support plate 2 made of stainless steel, glass substrate or silicon substrate. Is a device for handling the wafer 1 from which the support has been removed.

すなわち、両面粘着テープ３は、テープ基材３ａの両面に、加熱することで発泡膨張して接着力を失う加熱剥離性の粘着層３ｂと、紫外線の照射によって硬化して接着力が低下する紫外線硬化型または非紫外線硬化型の感圧性の粘着層３ｃを備えて構成されたものである。つまり、この両面粘着テープ３の粘着層３ｂに支持板２が貼り付けられるとともに、粘着層３ｃにウエハ１が貼付けられている。 That is, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape 3 has a heat-releasable pressure-sensitive adhesive layer 3b that loses its adhesive strength when heated on both sides of the tape substrate 3a, and an ultraviolet ray that is cured by irradiation with ultraviolet rays and has reduced adhesive strength The pressure sensitive adhesive layer 3c of curable type or non-ultraviolet curable type is provided. That is, the support plate 2 is attached to the adhesive layer 3b of the double-sided adhesive tape 3, and the wafer 1 is attached to the adhesive layer 3c.

図３は本発明に係る冷却装置の正面図、図４は冷却装置の平面図である。 FIG. 3 is a front view of the cooling device according to the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the cooling device.

この冷却装置は、保持テーブル５およびウエハ支持機構６などから構成されている。 The cooling device includes a holding table 5 and a wafer support mechanism 6.

保持テーブル５は、テーブル本体とチャックプレート５ａから構成されている。テーブル本体には、チャックプレート５ａを介してウエハ１を加熱するヒータ６が埋設されている。 The holding table 5 includes a table body and a chuck plate 5a. A heater 6 for heating the wafer 1 via a chuck plate 5a is embedded in the table body.

チャックプレート５ａは、ウエハ１の外形よりも小さい金属製または多孔質のセラミック得などから構成されている。またチャックプレート５ａは、流路を介して外部の真空装置７と連通接続されている。つまり、チャックプレート５ａは、載置されたウエハ１を吸着保持する。さらに、チャックプレート５ａは、シリンダ９によって昇降するよう構成されている。 The chuck plate 5 a is made of a metal or porous ceramic that is smaller than the outer shape of the wafer 1. The chuck plate 5a is connected to an external vacuum device 7 through a flow path. That is, the chuck plate 5a sucks and holds the mounted wafer 1. Further, the chuck plate 5 a is configured to be moved up and down by a cylinder 9.

ウエハ支持機構６は、ウエハ１の外形よりも大きい環状部材１０を備えている。この環状部材１０は、ウエハ外周を支持する複数本の支持ピン１１を備えている。支持ピン１１は、保持テーブル５の中心に先端を向けた状態で水平配備されている。また、環状部材１０は、シリンダ１２によって昇降するよう構成されている。 The wafer support mechanism 6 includes an annular member 10 that is larger than the outer shape of the wafer 1. The annular member 10 includes a plurality of support pins 11 that support the outer periphery of the wafer. The support pins 11 are horizontally arranged with their tips directed toward the center of the holding table 5. The annular member 10 is configured to be moved up and down by a cylinder 12.

さらに、環状部材１０には、温度センサ１３が備えられている。この温度センサ１３は、ウエハ１の上面の温度を検出し、当該検出信号を制御部１４に送信している。なお、制御部１４の機能については、後述する当該装置に動作説明にて詳述する。 Further, the annular member 10 is provided with a temperature sensor 13. The temperature sensor 13 detects the temperature of the upper surface of the wafer 1 and transmits the detection signal to the control unit 14. The function of the control unit 14 will be described in detail in the operation description of the device described later.

次に、上記冷却装置の動作について、図３〜５を参照しながら説明する。 Next, the operation of the cooling device will be described with reference to FIGS.

図しない搬送ロボットによって、支持板２の除去されたウエハ１が、図３に示すように、保持テーブル５に収納されて面一となっているチャックプレート５ａと支持ピン１１の上に載置される。 As shown in FIG. 3, the wafer 1 from which the support plate 2 has been removed is placed on the chuck plate 5 a and the support pins 11 that are stored in the holding table 5 and are flush with each other by a transfer robot (not shown). The

ウエハ１は、保持テーブル５に搬送されてくるまでに、ウエハ全面での温度分布にバラツキが生じているので、ウエハ１の温度分布を均一にするためにウエハ１を所定時間かけて所定温度に加熱する。この時点で、樹脂３ｂは、未硬化状態にある。 Since the temperature distribution on the entire wafer surface varies before the wafer 1 is transferred to the holding table 5, the wafer 1 is kept at a predetermined temperature over a predetermined time in order to make the temperature distribution of the wafer 1 uniform. Heat. At this point, the resin 3b is in an uncured state.

この加熱過程において、温度センサ１３によってウエハ１の表面または裏面の温度が検出され、当該検出信号が制御部１４に送信される。制御部１４は、予め決めた基準温度と実測による温度（実測値）を比較する。実測値が所定温度に達すると、制御部１４は、図５に示すように、チャックプレート５ａおよび環状部材１０を同じ所定高さまで上昇させる。すなわち、ヒータ８の埋設されたテーブル本体からウエハ１を所定の高さまで離反させて水平保持する。 In this heating process, the temperature sensor 13 detects the temperature of the front surface or the back surface of the wafer 1 and transmits the detection signal to the control unit 14. The control unit 14 compares a predetermined reference temperature with an actually measured temperature (actually measured value). When the measured value reaches a predetermined temperature, the control unit 14 raises the chuck plate 5a and the annular member 10 to the same predetermined height as shown in FIG. That is, the wafer 1 is separated from the table body in which the heater 8 is embedded to a predetermined height and is held horizontally.

ここで、離反させる高さは、ウエハ１を冷却するときの樹脂１ｂおよびベアチップ１ａの収縮特性に応じて適宜に設定される。つまり、実験またはシミュレーションなどによって、ウエハ１が反りにくい温度と時間の相関関係によって決められている。当該相関関係は、レシピとして制御部１４に保持されている。 Here, the separation height is appropriately set according to the shrinkage characteristics of the resin 1b and the bare chip 1a when the wafer 1 is cooled. That is, it is determined by the correlation between temperature and time at which the wafer 1 is hard to warp by experiment or simulation. The correlation is held in the control unit 14 as a recipe.

例えば、距離を一定にして所定の温度（例えば室温）まで冷却する。この冷却過程において、ウエハ１が急激に冷却されて反りが生じないように、テーブル本体のヒータ８を作動させておき、ウエハ１の裏面にテーブル本体からの熱を輻射させて冷却速度を調整している。 For example, it is cooled to a predetermined temperature (for example, room temperature) at a constant distance. In this cooling process, the heater 8 of the table main body is operated so that the wafer 1 is not cooled sharply, and the cooling rate is adjusted by radiating the heat from the table main body to the back surface of the wafer 1. ing.

この冷却過程でも温度センサ１３によってウエハ１の温度が検出されており、当該検出信号が制御部１４に送信される。制御部１４は、ウエハ１の温度が所定温度に達すると、テーブル本体から離反された状態で搬送ロボットによって受け取られる。 Even during this cooling process, the temperature of the wafer 1 is detected by the temperature sensor 13, and the detection signal is transmitted to the control unit 14. When the temperature of the wafer 1 reaches a predetermined temperature, the control unit 14 is received by the transfer robot while being separated from the table body.

その後、チャックプレート５ａおよび環状部材１０は、テーブル本体のウエハ受け取り位置まで下降する。以上で一巡の動作が完了し、以後所定の枚数のウエハ１の冷却処理が繰り返し実行される。 Thereafter, the chuck plate 5a and the annular member 10 are lowered to the wafer receiving position of the table body. The one-round operation is completed as described above, and the cooling process for a predetermined number of wafers 1 is repeatedly executed thereafter.

この構成によれば、加熱によって樹脂１ｂが軟化状態にあるウエハ１を冷却する過程で、テーブル本体からウエハ１を離反させ、輻射熱によってウエハ１を間接的に加熱しながらウエハ１の温度を調整しながら低下させてゆくので、ウエハ１の反りの発生を抑制することができる。したがって、ウエハ１の反りに伴うハンドリングエラーの発生を防止し、ひてはハンドリングエラーによって発生するウエハ１の破損を回避することができる。 According to this configuration, in the process of cooling the wafer 1 in which the resin 1b is softened by heating, the wafer 1 is separated from the table body, and the temperature of the wafer 1 is adjusted while indirectly heating the wafer 1 by radiant heat. Therefore, the occurrence of warping of the wafer 1 can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the handling error due to the warpage of the wafer 1 and to avoid the damage of the wafer 1 caused by the handling error.

なお、本発明は以下のような形態で実施することも可能である。 The present invention can also be implemented in the following forms.

（１）上記実施例では、冷却過程において反りが発生ない場合について説明したが、反りが発生した場合は、次のように実施すればよい。 (1) In the above embodiment, the case where no warpage occurs in the cooling process has been described. However, when warpage occurs, the following may be performed.

図６に示すように、環状部材１０上に光センサまたは超音波センサなどの２組の検出器１５を、ウエハ１を挟んでそれぞれ対向配備し、ウエハ１の反りをモニタするように構成する。 As shown in FIG. 6, two sets of detectors 15 such as optical sensors or ultrasonic sensors are arranged on the annular member 10 so as to face each other with the wafer 1 interposed therebetween, and the warpage of the wafer 1 is monitored.

当該構成において、例えば、ウエハ１の中心が高くなるよう凸曲状に反っている場合、図７に示すように、一方の投光器１５ａからの光が遮断される。このとき、受光器１５ｂから送信される遮断信号によって制御部１４が、図７の一点鎖線で示すチャックプレート５ａのように下方に下降調整される。この下降調整の過程で、図６に示すように、受光器１５ｂから受光信号を制御部１４が再度受信した時点で、制御部１４は、ウエハ１の反りが解消し、平坦な状態にあると判断して下降動作を停止させる。以後、ウエハ１の温度が所定の温度に達するまで、反りをモニタし、適時に反りを矯正する処理が繰り返し実行される。 In this configuration, for example, when the center of the wafer 1 is warped so as to be raised, the light from the one projector 15a is blocked as shown in FIG. At this time, the control unit 14 is adjusted downward by a cutoff signal transmitted from the light receiver 15b, as in the chuck plate 5a indicated by a one-dot chain line in FIG. In the downward adjustment process, as shown in FIG. 6, when the control unit 14 receives the light reception signal from the light receiver 15 b again, the control unit 14 eliminates the warp of the wafer 1 and is in a flat state. Judging and stopping the descent operation. Thereafter, until the temperature of the wafer 1 reaches a predetermined temperature, the process of monitoring the warpage and correcting the warpage in a timely manner is repeatedly executed.

なお、樹脂１ｂなどの特性によってウエハ１の反りの方向が特定されている場合、チャックプレート５ａの移動方向は、一方向でよいし、検出器１５も一組で可能となる。したがって、検出器１５の個数は、２組に限定されない。 When the warping direction of the wafer 1 is specified by the characteristics of the resin 1b or the like, the moving direction of the chuck plate 5a may be one direction, and the detector 15 can be a set. Therefore, the number of detectors 15 is not limited to two sets.

この構成によれば、冷却時のウエハ１の反りを確実に解消させることができる。 According to this configuration, it is possible to reliably eliminate the warpage of the wafer 1 during cooling.

（２）上記実施例において、テーブル本体からウエハ１を離反させる距離を時間の経過とともに、変化させてもよい。 (2) In the above embodiment, the distance for separating the wafer 1 from the table main body may be changed over time.

（３）上記各実施例において、ウエハ１を冷却する過程で、ノズルからウエハ１に向けて連続または間欠的に冷却風を吹き付けてもよい。例えば、温度センサ１３によってウエハ１の表面をモニタしている過程で、一部分が他の部分よりも温度が高い場合に、局所的に冷却風を吹き付けてもよい。 (3) In each of the above embodiments, in the process of cooling the wafer 1, cooling air may be blown continuously or intermittently from the nozzle toward the wafer 1. For example, in the process in which the surface of the wafer 1 is monitored by the temperature sensor 13, the cooling air may be locally blown when a temperature of one part is higher than the other part.

この構成によれば、ウエハ１の全面の温度が均一な状態で冷却されるので、反りの発生を抑制することができる。
（４）上記実施例において、樹脂の特性などにおいて、輻射熱用のヒータの温度、冷却時間、距離および反りとの相関関係が予め決まっていれば、温度センサを利用せずに当該パラメータに従ってウエハ１を冷却してもよい。 According to this configuration, since the entire surface of the wafer 1 is cooled in a uniform state, the occurrence of warpage can be suppressed.
(4) In the above embodiment, if the correlation between the temperature, cooling time, distance, and warpage of the heater for radiant heat is determined in advance in the characteristics of the resin, the wafer 1 is used according to the parameters without using the temperature sensor. May be cooled.

１ … 半導体ウエハ
１ａ … ベアチップ
１ｂ … 樹脂
２ … 支持板
３ … 両面粘着テープ
５ … 保持テーブル
５ａ … チャックプレート
６ … ヒータ
７ … 真空装置
９ … シリンダ
１０ … 環状部材
１１ … 支持ピン
１２ … シリンダ
１３ … 温度センサ
１４ … 制御部
１５ … センサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer 1a ... Bare chip 1b ... Resin 2 ... Support plate 3 ... Double-sided adhesive tape 5 ... Holding table 5a ... Chuck plate 6 ... Heater 7 ... Vacuum apparatus 9 ... Cylinder 10 ... Annular member 11 ... Support pin 12 ... Cylinder 13 ... Temperature sensor 14 ... Control unit 15 ... Sensor

Claims

樹脂シートまたは粘着テープによって被覆された半導体ウエハを冷却する半導体ウエハの冷却方法であって、
加熱状態にある前記半導体ウエハを加熱された保持テーブルに載置する載置過程と、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させ、前記保持テーブルの輻射熱が伝達される所定の位置へ前記半導体ウエハを昇降移動させる離反過程と、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させるとともに前記所定の位置で保持させた状態で温度および時間を調整しながら半導体ウエハを冷却する冷却過程と、
を備え、
前記冷却過程は、前記輻射熱で前記半導体ウエハを間接的に加熱しながら前記半導体ウエハの温度を調整する
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却方法。 A semiconductor wafer cooling method for cooling a semiconductor wafer covered with a resin sheet or adhesive tape,
A placing process of placing the semiconductor wafer in a heated state on a heated holding table;
A separating process to a predetermined position Ru raising and lowering movement of the semiconductor wafer to separate the semiconductor wafer, the radiation heat of the holding table is transferred from the holding table,
A cooling process for cooling the semiconductor wafer while adjusting the temperature and time in a state of being held in the allowed Rutotomoni the predetermined position separating the semiconductor wafer from the holding table,
Equipped with a,
In the cooling process, the temperature of the semiconductor wafer is adjusted while indirectly heating the semiconductor wafer with the radiant heat .

請求項１に記載の半導体ウエハの冷却方法において、
前記温度の調整は、保持テーブルから半導体ウエハまでの距離または保持テーブルの加熱温度の少なくとも一方を変更して行う
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却方法。 The method for cooling a semiconductor wafer according to claim 1,
The temperature adjustment is performed by changing at least one of a distance from the holding table to the semiconductor wafer and a heating temperature of the holding table.

請求項１または請求項２に記載の半導体ウエハの冷却方法において、
前記温度の調整は、半導体ウエハに冷却用の気体を吹き付けて行う
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却方法。 In the cooling method of the semiconductor wafer of Claim 1 or Claim 2,
The temperature adjustment is performed by blowing a cooling gas onto the semiconductor wafer.

請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体ウエハの冷却方法において、
前記半導体ウエハの表面の温度を検出器で検出し、当該検出結果に応じて温度を調整する
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却方法。 In the cooling method of the semiconductor wafer in any one of Claim 1 thru | or 3,
A method for cooling a semiconductor wafer, wherein the temperature of the surface of the semiconductor wafer is detected by a detector, and the temperature is adjusted according to the detection result.

請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体ウエハの冷却方法において、
検出器によって半導体ウエハの反りを検出する検出過程を備え、
前記半導体ウエハの外周の複数箇所を複数個の支持部材で支持するとともに、半導体ウエハの中央を吸着部材で吸着保持し、
前記冷却過程は、冷却時に検出器によって検出された半導体ウエハの反量に応じて支持部材と吸着部材を相対的に離反または接近移動させながら半導体ウエハを平坦にする
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却方法。 In the cooling method of the semiconductor wafer in any one of Claim 1 thru | or 4,
A detection process for detecting warpage of a semiconductor wafer by a detector is provided.
While supporting a plurality of locations on the outer periphery of the semiconductor wafer with a plurality of support members, and holding the center of the semiconductor wafer by suction with an adsorption member
In the cooling process, the semiconductor wafer is flattened while the support member and the adsorption member are relatively separated from each other or moved in accordance with the reaction amount of the semiconductor wafer detected by the detector during cooling. Cooling method.

樹脂シートまたは粘着テープによって被覆された半導体ウエハを冷却する半導体ウエハの冷却装置であって、
加熱状態にある前記半導体ウエハを加熱しながら保持する保持テーブルと、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させ、前記保持テーブルの輻射熱が伝達される所定の位置へ前記半導体ウエハを昇降移動させる離反機構と、
前記保持テーブルから半導体ウエハを離反させるとともに前記所定の位置で保持させた状態で温度および時間を調整しながら半導体ウエハを冷却させる制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記輻射熱で前記半導体ウエハを間接的に加熱しながら前記半導体ウエハの温度を調整する
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却装置。 A semiconductor wafer cooling device for cooling a semiconductor wafer covered with a resin sheet or adhesive tape,
A holding table for holding the semiconductor wafer in a heated state while heating;
And then separating the semiconductor wafer, separating the radiation heat of the holding table Ru by vertical movement of the semiconductor wafer to a predetermined position which is the transmission mechanism from the holding table,
A control unit for cooling the semiconductor wafer while adjusting the temperature and time in a state of being held in the allowed Rutotomoni the predetermined position separating the semiconductor wafer from the holding table,
Equipped with a,
The said control part adjusts the temperature of the said semiconductor wafer, heating the said semiconductor wafer indirectly with the said radiant heat, The cooling device of the semiconductor wafer characterized by the above-mentioned .

請求項６に記載の半導体ウエハの冷却装置において、
前記制御部は、保持テーブルから半導体ウエハまでの距離または保持テーブルの加熱温度の少なくとも一方を調整して温度を制御する
を備えたことを特徴とする半導体ウエハの冷却装置。 The semiconductor wafer cooling device according to claim 6,
The control unit includes: a temperature of the semiconductor wafer by adjusting at least one of a distance from the holding table to the semiconductor wafer or a heating temperature of the holding table.

請求項６または請求項７に記載の半導体ウエハの冷却装置において、
前記半導体ウエハに向けて冷却用の気体を吹き付ける気体供給部を備えた
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却装置。 In the semiconductor wafer cooling device according to claim 6 or 7,
A semiconductor wafer cooling apparatus, comprising: a gas supply unit that blows a cooling gas toward the semiconductor wafer.

請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の半導体ウエハの冷却装置において、
前記半導体ウエハの表面の温度を検出する検出器を備え、
前記制御部は、検出器の検出結果に応じて温度を調整する
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却装置。 The semiconductor wafer cooling device according to any one of claims 6 to 8,
A detector for detecting the temperature of the surface of the semiconductor wafer;
The said control part adjusts temperature according to the detection result of a detector. The semiconductor wafer cooling device characterized by the above-mentioned.

請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の半導体ウエハの冷却装置において、
前記半導体ウエハの反りを検出する検出器を備え、
前記離反機構は、半導体ウエハの外周を複数箇所で支持する複数個の支持部材と、
前記半導体ウエハの中央部分を吸着保持する吸着部材と、
前記支持部材と吸着部材を相対的に離反および接近移動させる駆動機構とを備え、
前記制御部は、半導体ウエハの反量に応じて支持部材と吸着部材を相対的に接近または離反移動させながら半導体ウエハを平坦にする
ことを特徴とする半導体ウエハの冷却装置。 The semiconductor wafer cooling device according to any one of claims 6 to 8,
A detector for detecting warpage of the semiconductor wafer;
The separation mechanism includes a plurality of support members that support the outer periphery of the semiconductor wafer at a plurality of locations,
An adsorbing member for adsorbing and holding a central portion of the semiconductor wafer;
A drive mechanism for moving the support member and the suction member relatively apart and approaching each other;
The control unit flattens the semiconductor wafer while relatively moving the support member and the adsorbing member closer to or away from each other according to the amount of reaction of the semiconductor wafer.