JP6318140B2 - Euvレンズの結像品質を測定するための測定システム - Google Patents
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Description
強度分布I(x,y,z)を用いると、
・個別像:1つの測定位置における検出器の記録;
・像スタック: レンズの複数の個々の像の、種々の測定位置(測定位置=z位置)への割り当て;
・プロファイル:アルファ方向に沿った個々の像の強度の合計(個々の像の第1軸に対するプロファイルのy値)及びアルファ方向(プロファイルのx値)に垂直な横方向位置への割り当て;
・プロファイルの重心:yの積分で除した、xとyの積の積分値(S);従来、重心は第1中心モーメントとも称される;
・N−thセントラルモーメント:xと重心との間の差及びyの積分で除したyのN乗の積の積分;
・分散:第2中心モーメント;
・歪度:第3中心モーメント:
・尖度:第4中心モーメント;
・N−th調和: フーリエ成分(0番目の調和=平均値);
・最良焦点:z軸沿いの分散に対する放物線当てはめの極値。
12.波面源
14.検出器
15.評価デバイス
16.測定光放射デバイス
18.EUV源
20.照明光学ユニット
21.測定光
22.ミラー
22−1.調整可能ミラー
24.テストマスク
26.テスト構造
27.両矢印
28.物体ホルダ
29.物体面
30.EUVレンズ
31.テスト波
32.ミラー
32−1.調整可能ミラー
34.筐体
36.第1入射窓
38.第2入射窓
50.検査装置
52.被検査基板
54.表面
56.検査光放射デバイス
61.検査光
62.変位テーブル
63.両矢印
64.検査検出器
66.入射ビーム経路
68.出射ビーム経路
72.吸収層
74.保護層
76.多層配置
78.キャリア
80.第1多層層
82.第2多層層
84.第3多層層
86.第4多層層
87.レンズ視野
88.照明カットアウト
89.照明視野
90.集光ミラー
91.斜壁面
92.更なる反射素子
94.更なる反射素子
95.照明及びレンズ視野
96.拡散板
98.吸収層
100.反射防止コーティング
102.対向側
104.反対側
106、斜面領域
108.膜
110.キャリア層
112.反射コーティング
114−1.捕捉構造
114−2.捕捉構造
114−3.捕捉構造
114−4.捕捉構造
116.火線
118.追加EUV源
120.追加照明光学ユニット
122.検査光放射デバイス
130.レンズ
132.光学素子
133.瞳面
210.測定システム
215.反射多層スタック
216.測定光放射デバイス
218.吸収層
221.測定光
224.第1テストマスク
226.第1回折テスト構造
228.自由開口部
229.物体面
231.テスト波
2310.第1ビーム
231+1 .第2ビーム
231-1 .第3ビーム
231R 0.基準波
231+1,0.テスト光部
231R 0,-1. 基準光部
233.テスト波の波面
234.基準ビーム
240.像面
244.第2テストマスク
245.反射面
246.第2回折テスト構造
248.自由開口部
256.基準波
260.検出器
262.評価デバイス
264.回折格子
310.反射多層スタック
312.測定システム
312.レンズホルダ
315.反射多層スタック
316.測定光放射デバイス
318.吸収層
321.測定光
324.テストマスク
326.回折テスト構造
329.物体面
331.テスト波
340.像面
342.光変調デバイス
343.テスト位置
344.変調構造
360.検出器
362.評価デバイス
421.測定光
424.テストマスク
431.テスト波
431a.最適化テスト波
432.テスト波の伝播方向
470.補正板
471.第1透過層
472.第2透過層
472.吸収層
476.多層配置
521.測定光
521a.入射測定光の光線
521b.入射測定光の光線
521c.入射測定光の光線
524.テストマスク
525.テストマスクの表面
526.回折テスト構造
531.テスト波
531a.反射光線
531b.反射光線
531c.反射光線
580.キャリア層
582.インサート
583.パッド
584.最上層
585.カットアウト
Claims (16)
- EUVレンズの結像品質を測定する測定システムであって、
・回折テスト構造と、
・EUV波長範囲の測定光をテスト構造に放射するように構成される測定光放射デバイスと、
・レンズによって行われる、前記テスト構造の結像における少なくとも1つの像決定パラメータを変化させる可変デバイスと、
・設定された種々の像決定パラメータで生成された前記テスト構造の複数の像を含む像スタックを記録するように配置される検出器と、
・前記像スタックから前記レンズの結像品質を決定するように構成される評価デバイスと、を備える測定システム。 - 請求項1に記載の測定システムにおいて、前記テスト構造は、前記測定光に対する反射効果を持つテストマスクの一部であり、該テストマスクは多層配置を備える測定システム。
- 請求項2に記載の測定システムにおいて、前記テスト構造は、前記多層配置上に設けられた吸収層に形成される測定システム。
- 請求項1〜3の何れか一項に記載の測定システムにおいて、切り抜き穴の形態の前記テスト構造と、前記テスト構造の前記切り抜き穴に対してオフセットする照明切り抜き穴とを有するテストマスクを備え、反射素子が前記測定光放射デバイスに対して前記テストマスクの反対側に配置され、前記反射素子が、前記測定光を、該光が前記照明切り抜き穴を通過した後、前記テスト構造の前記切り抜き穴に向けるように構成される測定システム。
- 請求項4に記載の測定システムにおいて、前記反射素子が、前記測定光に対して集光的に作用するように構成される測定システム。
- 請求項4又は5に記載の測定システムにおいて、2つの更なる反射素子が、前記測定光放射デバイスに対して前記テストマスクの反対側に、前記測定光が、前記照明切り抜き穴を通過した後、前記テスト構造の前記切り抜き穴を通る前に、前記更なる反射素子によって更に偏向されるように配置される測定システム。
- 請求項4に記載の測定システムにおいて、前記反射素子が拡散板として具現化される測定システム。
- 請求項4〜7の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記テストマスク及び前記反射素子が、リソグラフィのためにEUV投影露光装置に露光するように構成されたプロダクトレチクルの寸法を有するマスクモジュールの一部である測定システム。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記テスト構造が穴構造として具現化され、前記評価デバイスが、前記レンズの前記結像品質を決定する際、前記穴構造の寸法として、最適化計算により、本当の寸法から逸脱した値を決定するように構成される測定システム。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の測定システムにおいて、前記測定光と前記回折テスト構造との相互作用の下流における、前記測定光のビーム経路に配置される補正板を更に備え、該補正板は前記測定光に光学効果を与えるように構成され、該光学効果は、前記補正板における前記測定光の伝播方向に対して直角の方向に変化する測定システム。
- 請求項10に記載の測定システムにおいて、前記補正板が可変厚さを有する透過層を備える測定システム。
- 検査装置のためのレンズと、該レンズを測定するための、請求項1〜11の何れか一項に記載の測定システムとを備えるシステム。
- マイクロリソグラフィのために、基板の表面を検査する検査装置であって、基板の被検査面の少なくとも一部を、結像放射によって検出平面に結像させるレンズと、前記レンズの結像品質を測定する、請求項1〜11の何れか一項に記載の測定システムとを備える検査装置。
- 請求項13に記載の検査装置において、該検査装置は前記被検査基板を保持し前記可変デバイスとして機能する物体ホルダを有し、前記テスト構造が前記物体ホルダに配置され、該物体ホルダが、前記被検査基板が前記測定光のビーム経路に配置される検査位置と、前記テスト構造が前記測定光の前記ビーム経路に配置される測定位置との間に変位可能に取り付けられる、検査装置。
- EUVレンズの結像品質を測定する方法であって、
・EUV波長範囲の測定光を回折テスト構造に放射するステップと、
・前記レンズによって前記テスト構造を検出器に結像しながら、前記結像の少なくとも1つの像決定パラメータを変化させるステップと、
・前記像決定パラメータの変化によって生成された前記テスト構造の複数の像を含む像スタックを記録するステップと、
・前記像スタックを評価することによって前記レンズの前記結像品質を決定するステップと
を含む方法。 - 請求項15に記載の方法において、請求項1〜11の何れか一項に記載の測定システム又は請求項13又は14に記載の検査装置によって実行される方法。
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