JP6314705B2 - High frequency module and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、高周波モジュール及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a high-frequency module and a manufacturing method thereof.

例えば半導体チップとアンテナを基板に実装した高周波モジュールでは、例えばミリ波やテラヘルツ波などの高周波信号を伝送しようとすると、はんだ接合部での損失やインピーダンスミスマッチによる反射、伝送線路での損失の影響が増大する。
これは、例えばミリ波やテラヘルツ波などの高周波領域では波長が短くなるため、はんだ接合部や短い伝送線路であっても無視できなくなり、はんだ接合部での損失や反射、伝送線路での損失が伝送信号に与える影響が増大するためである。 For example, in a high-frequency module in which a semiconductor chip and an antenna are mounted on a substrate, when trying to transmit a high-frequency signal such as a millimeter wave or terahertz wave, the effects of loss at the solder joint, reflection due to impedance mismatch, and loss at the transmission line are affected. Increase.
This is because, for example, in the high-frequency region such as millimeter waves and terahertz waves, the wavelength is short, so even a solder joint or a short transmission line cannot be ignored. This is because the influence on the transmission signal is increased.

この結果、半導体チップとアンテナとの間で信号品質が低下し、高周波モジュールの性能が低下してしまう。また、実装時のばらつきによる高周波特性への影響も大きくなる。
そこで、半導体チップとアンテナを接続するのにはんだ接合部を用いず、これらを幅広の短い伝送線路で低損失に接続し、モジュールの小型化を図り、高い製造安定性を実現すべく、例えばＦＯ−ＷＬＰ（Fan-out Wafer level packaging）、擬似ＳｏＣ（System on Chip）技術などのような異種デバイス集積技術を用いることが考えられる。 As a result, the signal quality is lowered between the semiconductor chip and the antenna, and the performance of the high-frequency module is lowered. In addition, the influence on the high-frequency characteristics due to variations in mounting is increased.
Therefore, without using solder joints to connect the semiconductor chip and the antenna, these are connected with low loss through a wide short transmission line, the module can be downsized, and high manufacturing stability can be realized, for example, FO It is conceivable to use a heterogeneous device integration technology such as WLP (Fan-out Wafer Level Packaging), pseudo SoC (System on Chip) technology, or the like.

なお、異種デバイス集積技術とは、複数のデバイス（素子）を近接して配置し、樹脂で封止することで、擬似ウェハを作製し、再配線技術によってデバイス間を再配線線路で相互に接続し、ダイシングして、チップサイズに切り出して、異種デバイスを集積したモジュールを作製する技術である。この技術によれば、デバイスを近接配置可能であるため、モジュールの小型化を図ることができる。また、デバイス間の短距離での接続が可能となるため、損失を低減することが可能となる。また、はんだ接合を用いることなく、デバイス間を接続することができる。また、半導体プロセスに比べ、伝送線路（信号線）を幅広にすることができるため、デバイス間を低損失で接続することができる。また、製造ばらつきが少なく、高い製造安定性を実現することができる。   In the heterogeneous device integration technology, a plurality of devices (elements) are arranged close to each other and sealed with resin to produce a pseudo wafer, and the devices are connected to each other by a redistribution line using the redistribution technology. In this technique, a module in which different types of devices are integrated is manufactured by dicing and cutting into chips. According to this technique, since the devices can be arranged close to each other, the module can be reduced in size. In addition, since a short-distance connection between devices is possible, loss can be reduced. Further, the devices can be connected without using solder bonding. Further, since the transmission line (signal line) can be widened compared to the semiconductor process, the devices can be connected with low loss. Further, there is little manufacturing variation, and high manufacturing stability can be realized.

特開２００７−２３５１９９号公報JP 2007-235199 A 特開２００５−１６７９６６号公報JP 2005-167966 A 特開２００２−３１４３２３号公報JP 2002-314323 A 特開２００２−７６２３７号公報JP 2002-76237 A 実開昭６３−９５３０６号公報Japanese Utility Model Publication No. 63-95306

Mahmoud Al Henawy et al., “Integrated Antennas in eWLB Packages for 77 GHz and 79 GHz Automotive Radar Sensors”, Proceedings of the 8th European Radar Conference, 12-14 October 2011, UKMahmoud Al Henawy et al., “Integrated Antennas in eWLB Packages for 77 GHz and 79 GHz Automotive Radar Sensors”, Proceedings of the 8th European Radar Conference, 12-14 October 2011, UK

ところで、例えば図１９に示すように、異種デバイス集積技術を用いて、半導体チップ１００（例えばＭＭＩＣ：Monolithic Microwave Integrated Circuit）を樹脂１０１で封止し、高周波信号を伝送する再配線線路１０２及びアンテナ１０３を含む再配線層１０４を設けることで、半導体チップ１００、再配線線路１０２、アンテナ１０３を一体形成する。そして、再配線層１０４側にはんだ１０５をつけて、表面上にリフレクタ１０６が設けられている基板１０７（例えばＰＣＢ）上に実装して、高周波モジュール１０８とすることが考えられる。なお、アンテナを、高周波アンテナ、ミリ波アンテナ、テラヘルツ波アンテナともいう。また、高周波モジュールを、アンテナモジュール、高周波アンテナモジュールともいう。   For example, as shown in FIG. 19, a semiconductor chip 100 (for example, MMIC: Monolithic Microwave Integrated Circuit) is sealed with a resin 101 using a heterogeneous device integration technique, and a redistribution line 102 and an antenna 103 for transmitting a high-frequency signal. By providing the rewiring layer 104 including the semiconductor chip 100, the rewiring line 102, and the antenna 103 are integrally formed. Then, it is conceivable that a solder 105 is attached to the rewiring layer 104 side and mounted on a substrate 107 (for example, PCB) on which a reflector 106 is provided to form a high frequency module 108. The antenna is also referred to as a high frequency antenna, a millimeter wave antenna, or a terahertz wave antenna. The high frequency module is also referred to as an antenna module or a high frequency antenna module.

しかしながら、図１９に示すような高周波モジュールでは、半導体チップ１００、再配線線路１０２、アンテナ１０３を一体形成したものを、リフレクタ１０６が設けられている基板１０７にはんだ接合するため、アンテナ１０３とリフレクタ１０６との間の距離は、はんだ１０５の高さ（例えばはんだボール１０５のサイズ）に依存することになる。そして、はんだ１０５の高さを自由に選択することは困難であるため、アンテナ１０３とリフレクタ１０６との間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率（放射効率）を向上させるのは難しい。また、基板１０７の設計自由度も低くなる。また、微細なはんだ１０５の場合に、物理強度を確保すべく、アンダーフィル剤を充填すると、電気特性（高周波特性）が劣化してしまうおそれもある。   However, in the high-frequency module as shown in FIG. 19, since the semiconductor chip 100, the redistribution line 102, and the antenna 103 are integrally formed and soldered to the substrate 107 on which the reflector 106 is provided, the antenna 103 and the reflector 106. The distance between them depends on the height of the solder 105 (for example, the size of the solder ball 105). Since it is difficult to freely select the height of the solder 105, the design freedom of the distance between the antenna 103 and the reflector 106 is low, and it is difficult to improve the antenna efficiency (radiation efficiency). . Further, the degree of freedom in designing the substrate 107 is also reduced. Further, in the case of the fine solder 105, if an underfill agent is filled in order to ensure physical strength, there is a possibility that electrical characteristics (high frequency characteristics) may be deteriorated.

ところで、例えば図２０に示すように、異種デバイス集積技術を用いて、半導体チップ１００を樹脂１０１で封止し、高周波信号を伝送する再配線線路１０２、アンテナ１０３及びリフレクタ１０６を含む再配線層１０４を設けることで、半導体チップ１００、再配線線路１０２、アンテナ１０３、リフレクタ１０６を一体形成して、高周波モジュール１０８とすることも考えられる。   For example, as shown in FIG. 20, the semiconductor chip 100 is sealed with a resin 101 using a heterogeneous device integration technique, and a redistribution line 104 including a redistribution line 102 that transmits a high-frequency signal, an antenna 103, and a reflector 106. It is also conceivable that the semiconductor chip 100, the redistribution line 102, the antenna 103, and the reflector 106 are integrally formed to form the high frequency module 108.

しかしながら、再配線層１０４を構成する樹脂層（誘電体層；絶縁層）１０９の厚さや材料を自由に選択することは困難であるため、アンテナ１０３とリフレクタ１０６との間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率を向上させるのは難しい。
そこで、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させたい。 However, since it is difficult to freely select the thickness and material of the resin layer (dielectric layer; insulating layer) 109 constituting the rewiring layer 104, the degree of freedom in designing the distance between the antenna 103 and the reflector 106 is difficult. And the antenna efficiency is difficult to improve.
Therefore, we want to increase the design freedom of the distance between the antenna and the reflector and improve the antenna efficiency.

本高周波モジュールは、半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化した集積体と、リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナと、集積体の表面に設けられ、半導体チップとアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層とを備え、集積体は、リフレクタのアンテナ側に接し、表面が集積体の表面に露出し、かつ、樹脂とは異なる材料からなる誘電体層を備える。
本高周波モジュールの製造方法は、半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化して集積体を形成する工程と、集積体の表面に、半導体チップとリフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層を形成する工程とを含む。 The high-frequency module includes an integrated body in which a semiconductor chip and a reflector are integrated with a resin, an antenna provided at a distance from the reflector, and a surface provided on the surface of the integrated body. The semiconductor chip and the antenna are electrically connected to each other. A redistribution layer including a redistribution line connected to the integrated circuit, and the integrated body includes a dielectric layer that is in contact with the antenna side of the reflector, the surface is exposed on the surface of the integrated body, and made of a material different from resin .
The method of manufacturing the high-frequency module includes a step of forming an integrated body by integrating a semiconductor chip and a reflector with a resin, and an antenna provided on the surface of the integrated body with a distance from the semiconductor chip and the reflector. Forming a rewiring layer including a rewiring line to be electrically connected.

したがって、本高周波モジュール及びその製造方法によれば、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができるという利点がある。   Therefore, according to the high frequency module and the manufacturing method thereof, there is an advantage that the degree of freedom in designing the distance between the antenna and the reflector can be increased and the antenna efficiency can be improved.

（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す模式図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。(A), (B) is a schematic diagram which shows the structure of the high frequency module concerning 1st Embodiment, (A) is a top view, (B) is sectional drawing. （Ａ）は、第１実施形態及び比較例の高周波モジュールに対する電磁界解析によって得られた放射効率を示す図であり、（Ｂ）は電磁界解析の対象とした第１実施形態の高周波モジュールの構成を示す模式的断面図であり、（Ｃ）は電磁界解析の対象とした比較例の高周波モジュールの構成を示す模式的断面図である。(A) is a figure which shows the radiation efficiency obtained by the electromagnetic field analysis with respect to the high frequency module of 1st Embodiment and a comparative example, (B) is the high frequency module of 1st Embodiment made into the object of electromagnetic field analysis. It is typical sectional drawing which shows a structure, (C) is typical sectional drawing which shows the structure of the high frequency module of the comparative example made into the object of electromagnetic field analysis. （Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの作製方法を説明するための模式的断面図である。(A), (B) is typical sectional drawing for demonstrating the production method of the reflector block which comprises the high frequency module concerning 1st Embodiment. （Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの作製方法の変形例を説明するための模式的断面図である。(A)-(C) are typical sectional drawings for demonstrating the modification of the manufacturing method of the reflector block which comprises the high frequency module concerning 1st Embodiment. （Ａ）〜（Ｅ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法を説明するための模式的断面図である。(A)-(E) are typical sectional drawings for demonstrating the manufacturing method of the high frequency module concerning 1st Embodiment. （Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法を説明するための模式的断面図である。(A)-(C) are typical sectional drawings for demonstrating the manufacturing method of the high frequency module concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の一例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating an example of the mounting form of the high frequency module concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the other example of the mounting form of the high frequency module concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the other example of the mounting form of the high frequency module concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの変形例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the modification of the reflector block which comprises the high frequency module concerning 1st Embodiment. （Ａ）、（Ｂ）は、図１０に示す変形例のリフレクタブロックを用いる場合の第１実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法を説明するための模式的断面図である。(A), (B) is typical sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the high frequency module concerning 1st Embodiment in the case of using the reflector block of the modification shown in FIG. 第２実施形態にかかる高周波モジュールの構成を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing the composition of the high frequency module concerning a 2nd embodiment. 第２実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの構成を示す模式的斜視図である。It is a typical perspective view which shows the structure of the reflector block which comprises the high frequency module concerning 2nd Embodiment. 誘電体の厚さに対してアンテナ効率がどのように変化するかをシミュレーションした結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having simulated how antenna efficiency changes with respect to the thickness of a dielectric material. 第２実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の一例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating an example of the mounting form of the high frequency module concerning 2nd Embodiment. 第２実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the other example of the mounting form of the high frequency module concerning 2nd Embodiment. 第２実施形態にかかる高周波モジュールの実装形態の他の例を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the other example of the mounting form of the high frequency module concerning 2nd Embodiment. （Ａ）〜（Ｄ）は、第２実施形態にかかる高周波モジュールを構成するリフレクタブロックの変形例の構成を示す模式的斜視図である。(A)-(D) are typical perspective views which show the structure of the modification of the reflector block which comprises the high frequency module concerning 2nd Embodiment. アンテナ及びリフレクタを備える高周波モジュールの課題を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the subject of a high frequency module provided with an antenna and a reflector. アンテナ及びリフレクタを備える高周波モジュールの課題を説明するための模式的断面図である。It is typical sectional drawing for demonstrating the subject of a high frequency module provided with an antenna and a reflector.

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法について説明する。
［第１実施形態］
まず、第１実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法について、図１〜図１１を参照しながら説明する。 Hereinafter, a high frequency module according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method thereof will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
First, the high-frequency module and the manufacturing method thereof according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施形態にかかる高周波モジュールは、例えばミリ波やテラヘルツ波などの高周波領域で用いられる無線送受信器、レーダ装置、通信装置などの無線機器に搭載される高周波モジュールである。
本実施形態の高周波モジュールは、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化した集積体４と、リフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５と、集積体４の表面に設けられ、半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７とを備える。 The high-frequency module according to the present embodiment is a high-frequency module mounted on a wireless device such as a wireless transmitter / receiver, a radar device, or a communication device used in a high-frequency region such as a millimeter wave or a terahertz wave.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the high-frequency module of the present embodiment has an interval between the integrated body 4 in which the semiconductor chip 1 and the reflector 2 are integrated with the resin 3 and the reflector 2. The antenna 5 is provided at a distance, and the rewiring layer 7 is provided on the surface of the integrated body 4 and includes a rewiring line 6 that electrically connects the semiconductor chip 1 and the antenna 5.

ここで、集積体４は、半導体チップ１とリフレクタ２とを近接させて樹脂３内に封止（樹脂封止）して一体化したものである。また、半導体チップ１は、例えばＭＭＩＣチップである。また、リフレクタ２は、例えばＣｕなどの金属（金属材料）や低抵抗Ｓｉなどの導体（金属導体；低抵抗Ｓｉ導体）からなり、導体板であっても良いし、導体フィルムであっても良いし、導体膜であっても良い。また、樹脂３は、モールド樹脂である。   Here, the integrated body 4 is an integrated body in which the semiconductor chip 1 and the reflector 2 are brought close to each other and sealed (resin sealed) in the resin 3. The semiconductor chip 1 is, for example, an MMIC chip. The reflector 2 is made of, for example, a metal (metal material) such as Cu or a conductor (metal conductor; low resistance Si conductor) such as low resistance Si, and may be a conductor plate or a conductor film. However, it may be a conductor film. Resin 3 is a mold resin.

なお、アンテナ５を、放射素子又はアンテナの放射素子ともいう。また、リフレクタ２を、反射素子又はアンテナの反射素子ともいう。この場合、アンテナ５とリフレクタ２、即ち、放射素子と反射素子を備えるものを、アンテナモジュールともいう。
本実施形態では、集積体４は、リフレクタ２のアンテナ５側に接し、表面が集積体４の表面に露出する誘電体層８（絶縁層）を備える。ここでは、集積体４は、半導体チップ１と、リフレクタ２と誘電体層８とが一体化されているブロック構造を有するリフレクタブロック９とを、近接させて樹脂封止することで、樹脂３で一体化したものとなっている。ここで、誘電体層８（絶縁層）は、誘電体材料（絶縁材料）からなる層であり、誘電体板（絶縁板）によって構成されても良いし、誘電体フィルム（絶縁フィルム）によって構成されても良いし、誘電体膜（絶縁膜）によって構成されても良い。例えば、リフレクタブロック９は、リフレクタ２としての導体上に誘電体層８が積層（装荷）されているものとすれば良い。 The antenna 5 is also referred to as a radiating element or an antenna radiating element. The reflector 2 is also referred to as a reflective element or an antenna reflective element. In this case, the antenna 5 and the reflector 2, that is, a device including a radiating element and a reflecting element is also referred to as an antenna module.
In the present embodiment, the integrated body 4 includes a dielectric layer 8 (insulating layer) that contacts the antenna 5 side of the reflector 2 and whose surface is exposed on the surface of the integrated body 4. Here, the integrated body 4 is made of resin 3 by sealing the semiconductor chip 1 and the reflector block 9 having a block structure in which the reflector 2 and the dielectric layer 8 are integrated with each other. It is integrated. Here, the dielectric layer 8 (insulating layer) is a layer made of a dielectric material (insulating material), and may be constituted by a dielectric plate (insulating plate) or a dielectric film (insulating film). It may be configured by a dielectric film (insulating film). For example, the reflector block 9 may be formed by laminating (loading) the dielectric layer 8 on the conductor as the reflector 2.

再配線層７は、上述のように構成される集積体４の表面上に、例えば擬似ＳｏＣ技術などに用いられる再配線技術を用いて設けられる。つまり、異種デバイス集積技術及び再配線技術を用いて、半導体チップ１とリフレクタ２を樹脂封止し、その上に、半導体チップ１に再配線線路６を介してアンテナ５が接続されるように、再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７が設けられている。このため、半導体チップ１とアンテナ５を接続するのにはんだ接合部を用いないため、例えばミリ波、テラヘルツ波などの超高周波の高周波信号を伝送する場合であっても信号反射による波形劣化を抑制することができ、高周波特性の劣化を抑制することができる。また、半導体チップ１とアンテナ５とを幅広の短い伝送線路（再配線線路）で低損失に接続することができる。また、モジュールの小型化を図り、製造ばらつきが少なく、高い製造安定性を実現することが可能である。   The rewiring layer 7 is provided on the surface of the integrated body 4 configured as described above by using a rewiring technique used in, for example, a pseudo SoC technique. That is, the semiconductor chip 1 and the reflector 2 are resin-sealed by using the heterogeneous device integration technique and the rewiring technique, and the antenna 5 is connected to the semiconductor chip 1 via the rewiring line 6 thereon. A rewiring layer 7 including the rewiring line 6 and the antenna 5 is provided. For this reason, since a solder joint is not used to connect the semiconductor chip 1 and the antenna 5, waveform deterioration due to signal reflection is suppressed even when an ultra-high frequency signal such as a millimeter wave or a terahertz wave is transmitted. It is possible to suppress the deterioration of the high frequency characteristics. In addition, the semiconductor chip 1 and the antenna 5 can be connected to each other with low loss through a wide short transmission line (redistribution line). Further, it is possible to reduce the size of the module, to reduce manufacturing variations, and to achieve high manufacturing stability.

本実施形態では、再配線線路６は、集積体４を構成する樹脂３上に形成された樹脂層（誘電体層；絶縁層）１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂによって構成されている。なお、ここでは、再配線線路６は、線路導体６Ｂの下側に設けられたシード層６Ｃを含む。そして、この再配線線路６としての線路導体６Ｂに連なるアンテナ導体５Ａによって、アンテナ５が構成される。ここでは、再配線線路６としての線路導体６Ｂは、ビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続されており、また、アンテナ５としてのアンテナ導体５Ａに電気的に接続されている。なお、ここでは、アンテナ５は、アンテナ導体５Ａの下側に設けられたシード層５Ｂを含む。また、樹脂層１０は感光性樹脂層（例えば感光性フェノール系樹脂層）である。また、線路導体６Ｂ及びアンテナ導体５Ａは、例えば銅などの金属からなる。   In the present embodiment, the redistribution line 6 is electrically connected to the semiconductor chip 1 via vias 6A provided in a resin layer (dielectric layer; insulating layer) 10 formed on the resin 3 constituting the integrated body 4. It is comprised by the line conductor 6B connected to. Here, the redistribution line 6 includes a seed layer 6C provided below the line conductor 6B. The antenna 5 is configured by the antenna conductor 5A connected to the line conductor 6B as the redistribution line 6. Here, the line conductor 6B as the redistribution line 6 is electrically connected to the semiconductor chip 1 through the via 6A, and is also electrically connected to the antenna conductor 5A as the antenna 5. Here, the antenna 5 includes a seed layer 5B provided below the antenna conductor 5A. The resin layer 10 is a photosensitive resin layer (for example, a photosensitive phenolic resin layer). The line conductor 6B and the antenna conductor 5A are made of a metal such as copper, for example.

このような構成を備える再配線線路６及びアンテナ５は、例えばセミアディティブ法を用いてめっきによって形成しても良いし、インクジェット法を用いて金属ペースト（例えば銅ペーストや銀ペースト）によって形成しても良い。但し、コスト及び実装精度を考慮すると、セミアディティブ法を用いてめっきによって形成するのが好ましい。
特に、本実施形態では、アンテナ５、即ち、アンテナ導体５Ａは、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に設けられている。つまり、アンテナ５とリフレクタ２とは誘電体層８を挟んで上下両側に設けられており、誘電体層８の下側の表面にリフレクタ２が接し、誘電体層８の上側の表面にアンテナ５が接している。このように、アンテナ５の下方に、誘電体層８を挟んで、誘電体層８の厚さ分だけ間隔をあけて、リフレクタ２が設けられている。つまり、リフレクタ２の上方に、誘電体層８を挟んで、誘電体層８の厚さ分だけ間隔をあけて、アンテナ５が設けられている。 The redistribution line 6 and the antenna 5 having such a configuration may be formed by plating using, for example, a semi-additive method, or by metal paste (for example, copper paste or silver paste) using an inkjet method. Also good. However, in consideration of cost and mounting accuracy, it is preferable to form by plating using a semi-additive method.
In particular, in the present embodiment, the antenna 5, that is, the antenna conductor 5 </ b> A is provided on the surface of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4. That is, the antenna 5 and the reflector 2 are provided on both upper and lower sides with the dielectric layer 8 interposed therebetween, the reflector 2 is in contact with the lower surface of the dielectric layer 8, and the antenna 5 is disposed on the upper surface of the dielectric layer 8. Is touching. As described above, the reflector 2 is provided below the antenna 5 with the dielectric layer 8 interposed therebetween and spaced apart by the thickness of the dielectric layer 8. That is, the antenna 5 is provided above the reflector 2 with a gap corresponding to the thickness of the dielectric layer 8 with the dielectric layer 8 interposed therebetween.

なお、ここでは、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に直接アンテナ５を設けているが、これに限られるものではなく、アンテナ５は、再配線層７を構成する樹脂層１０を挟んで、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の上方に設けられていても良い。但し、上述のように、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に直接アンテナ５を設け、再配線層７を構成する樹脂層１０を挟まないようにすることで、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる材料による高周波特性への影響を抑制することが可能となる。   Here, although the antenna 5 is provided directly on the surface of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4, the present invention is not limited to this, and the antenna 5 includes the rewiring layer 7. It may be provided above the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4 with the resin layer 10 constituting the. However, as described above, the antenna 5 is directly provided on the surface of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4 so that the resin layer 10 constituting the rewiring layer 7 is not sandwiched. Thus, it is possible to suppress the influence on the high-frequency characteristics caused by the material used for the resin layer 10 constituting the rewiring layer 7.

このように構成し、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の厚さを調整することで、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整することができるようにしている。このため、誘電体層８は、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整するためのものである。したがって、誘電体層８を、距離調整部１１ともいう。つまり、本実施形態では、集積体４は、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１を備える。そして、距離調整部１１は、リフレクタ２のアンテナ５側に設けられた誘電体層８である。   The distance between the reflector 2 and the antenna 5 can be adjusted by adjusting the thickness of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4 in this way. Yes. For this reason, the dielectric layer 8 is for adjusting the distance between the reflector 2 and the antenna 5. Therefore, the dielectric layer 8 is also referred to as a distance adjusting unit 11. That is, in this embodiment, the integrated body 4 includes a distance adjusting unit 11 that adjusts the distance between the reflector 2 and the antenna 5. The distance adjustment unit 11 is a dielectric layer 8 provided on the antenna 5 side of the reflector 2.

また、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８、即ち、リフレクタ２とアンテナ５の間に挟まれる誘電体層８を構成する誘電体材料には、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる材料と異なる材料を用い、特に、高周波特性の良い材料、即ち、高周波領域での損失が小さい材料（低損失材料）を用いることができる。
ここで、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる感光性フェノール系樹脂（比誘電率約３．５、誘電正接約０．０２）に対して、高周波特性の良い材料としては、例えば、誘電率（比誘電率）が低く、かつ、誘電正接が小さい材料であるポリフェニレンエーテル系樹脂（比誘電率約２．５、誘電正接約０．００２）、誘電正接が小さい材料である、石英フィラーを含む熱硬化性エポキシ系樹脂（比誘電率約３．６６、誘電正接約０．００９；例えばモールド樹脂に用いられる）、誘電率（比誘電率）が低い材料である、石英フィラーを含むエポキシ系樹脂（エポキシ系フィルム材料；比誘電率約３．２、誘電正接約０．０１９）などがある。このほか、高周波特性の良い材料、即ち、低誘電率材料又は低損失材料としては、例えば、ベンゾシクロブテン、液晶ポリマ、シクロオレフィンポリマ、ポリオレフィン、ポリスチレン及びポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素系樹脂などがある。 Further, the rewiring layer 7 is formed on the dielectric material constituting the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4, that is, the dielectric layer 8 sandwiched between the reflector 2 and the antenna 5. A material different from the material used for the resin layer 10 to be used can be used. In particular, a material having a high frequency characteristic, that is, a material having a low loss in a high frequency region (low loss material) can be used.
Here, as a material having good high frequency characteristics with respect to the photosensitive phenol resin (relative dielectric constant: about 3.5, dielectric loss tangent: about 0.02) used for the resin layer 10 constituting the rewiring layer 7, for example, Polyphenylene ether resin, which is a material having a low dielectric constant (relative dielectric constant) and a small dielectric loss tangent (relative dielectric constant is approximately 2.5, dielectric loss tangent is approximately 0.002), and quartz is a material having a small dielectric loss tangent Thermosetting epoxy resin containing filler (relative dielectric constant: about 3.66, dielectric loss tangent: about 0.009; used for molding resin, for example), including quartz filler, which is a material with low dielectric constant (relative dielectric constant) And epoxy resin (epoxy film material; relative dielectric constant of about 3.2, dielectric loss tangent of about 0.019). In addition, examples of materials having good high frequency characteristics, that is, low dielectric constant materials or low loss materials include, for example, fluorinated resins represented by benzocyclobutene, liquid crystal polymer, cycloolefin polymer, polyolefin, polystyrene, and polytetrafluoroethylene. and so on.

なお、上述のような構成によれば、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の厚さを厚くすることができ、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくすることができるため、この誘電体層８に、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる感光性フェノール系樹脂あるいはフェノール系樹脂を用い、その厚さを厚くすることで、アンテナ効率を向上させることもできる。   According to the above configuration, the thickness of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4 can be increased, and the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is increased. Because the dielectric layer 8 is made of the photosensitive phenol resin or phenol resin used for the resin layer 10 constituting the rewiring layer 7 and the thickness thereof is increased, the antenna efficiency is improved. It can also be made.

ここでは、リフレクタ２と誘電体層８とが一体化されているリフレクタブロック９、即ち、リフレクタ２及び誘電体層８をブロック形状に加工したリフレクタブロック９を用い、半導体チップ１に隣接して配置できるようにして、高周波特性の良い誘電体材料を、異種デバイス集積技術に適用できるようにしている。
このように構成することで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率（放射効率）を向上させることができる。これにより、アンテナ５を搭載する高周波モジュール１２において、コンパクトかつ製造バラつきの小さい異種デバイス集積技術及び再配線技術を適用する場合に、高性能なアンテナを実現することが可能となる。 Here, a reflector block 9 in which the reflector 2 and the dielectric layer 8 are integrated, that is, a reflector block 9 obtained by processing the reflector 2 and the dielectric layer 8 into a block shape is used and is disposed adjacent to the semiconductor chip 1. In this way, a dielectric material with good high-frequency characteristics can be applied to the heterogeneous device integration technology.
With this configuration, the degree of freedom in designing the distance between the antenna 5 and the reflector 2 can be increased, and the antenna efficiency (radiation efficiency) can be improved. Thereby, in the high-frequency module 12 on which the antenna 5 is mounted, it is possible to realize a high-performance antenna when applying a heterogeneous device integration technique and a rewiring technique that are compact and have small manufacturing variations.

つまり、例えば再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、ビア等を設ける必要があり、加工性等を考慮する必要があるため、再配線層を構成する樹脂層（誘電体層）の厚さや材料を自由に選択することが困難である。このため、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率を向上させるのは難しい。   That is, for example, when an antenna and a reflector are provided in the redistribution layer (see FIG. 20), it is necessary to provide vias and the like, and it is necessary to consider workability and the like. ) Thickness and material are difficult to choose freely. For this reason, the design freedom of the distance between the antenna and the reflector is low, and it is difficult to improve the antenna efficiency.

これに対し、上述のように構成することで、リフレクタ２とアンテナ５の間に挟まれる誘電体層８の材料の選択の幅が広がり、また、誘電体層８の厚さを調整できる範囲が広がるため、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができる。例えば、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８の厚さによって、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を、伝送する高周波信号の波長に対してアンテナ効率が向上するように設定することが可能となる。   On the other hand, by configuring as described above, the range of selection of the material of the dielectric layer 8 sandwiched between the reflector 2 and the antenna 5 is widened, and there is a range in which the thickness of the dielectric layer 8 can be adjusted. Therefore, the degree of freedom in designing the distance between the antenna 5 and the reflector 2 can be increased, and the antenna efficiency can be improved. For example, depending on the thickness of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4, the antenna efficiency is improved with respect to the wavelength of the high-frequency signal to be transmitted between the antenna 5 and the reflector 2. It becomes possible to set to.

ここで、図２（Ａ）は、上述のように構成された本実施形態の高周波モジュール１２［図２（Ｂ）参照］に対する電磁界解析によって得られた放射効率（アンテナ効率）、及び、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設けた比較例の高周波モジュール１２Ｘ［図２（Ｃ）参照］に対する電磁界解析によって得られた放射効率を示している。
なお、ここでは、本実施形態の高周波モジュール１２は、図２（Ｂ）に示すように、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、比誘電率約２．５、誘電正接約０．００２のポリフェニレンエーテル系樹脂（ＰＰＥ系フィルム材料）を用い、厚さは約４０μｍとした。これに対し、比較例の高周波モジュール１２Ｘは、図２（Ｃ）に示すように、再配線層７に備えられるアンテナ５とリフレクタ２Ｘとの間に設けられる樹脂層１０に、比誘電率約３．５、誘電正接約０．０２の感光性フェノール系樹脂を用い、厚さは約１０μｍとした。また、ここでは、周波数３００ＧＨｚのテラヘルツ波帯（３００ＧＨｚ帯）での放射効率、具体的には、３００ＧＨｚ帯で共振するパッチアンテナ単体での電磁界解析によって得られた放射効率を示している。 Here, FIG. 2A shows the radiation efficiency (antenna efficiency) obtained by the electromagnetic field analysis for the high-frequency module 12 of the present embodiment configured as described above [see FIG. The radiation efficiency obtained by the electromagnetic field analysis with respect to the high frequency module 12X of the comparative example which provided the antenna and the reflector in the wiring layer [refer FIG.2 (C)] is shown.
Here, as shown in FIG. 2B, the high-frequency module 12 of the present embodiment has a dielectric constant of about 2.5 and a dielectric constant on a dielectric layer 8 provided between the antenna 5 and the reflector 2. A polyphenylene ether resin (PPE film material) having a tangent of about 0.002 was used, and the thickness was about 40 μm. On the other hand, as shown in FIG. 2C, the high-frequency module 12X of the comparative example has a relative dielectric constant of about 3 on the resin layer 10 provided between the antenna 5 provided in the rewiring layer 7 and the reflector 2X. A photosensitive phenol resin having a dielectric loss tangent of about 0.02 was used, and the thickness was about 10 μm. Here, radiation efficiency in a terahertz wave band (300 GHz band) with a frequency of 300 GHz, specifically, radiation efficiency obtained by electromagnetic field analysis of a single patch antenna that resonates in the 300 GHz band is shown.

本実施形態の高周波モジュール１２の放射効率（図２（Ａ）中、符号Ａ参照）は約９４％であり、比較例の高周波モジュール１２Ｘの放射効率（図２（Ａ）中、符号Ｂ参照）は約４０％であり、本実施形態の高周波モジュール１２の放射効率は、比較例の高周波モジュール１２Ｘの放射効率に対して、図２（Ａ）に示すように、約５０％程度向上した。
また、本実施形態の高周波モジュール１２において、３００ＧＨｚ動作の条件で、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくしていったところ、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離が約６０μｍで放射効率約９８％となり、これが最大の放射効率であった。なお、これ以上の厚さでは３００ＧＨｚでインピーダンス整合できず、動作条件を満たすことができなかった。 The radiation efficiency of the high-frequency module 12 of this embodiment (see symbol A in FIG. 2A) is about 94%, and the radiation efficiency of the high-frequency module 12X of the comparative example (see symbol B in FIG. 2A). As shown in FIG. 2A, the radiation efficiency of the high-frequency module 12 of this embodiment is improved by about 50% with respect to the radiation efficiency of the high-frequency module 12X of the comparative example.
In the high-frequency module 12 of the present embodiment, when the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is increased under the 300 GHz operation condition, When the thickness, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is about 60 μm, the radiation efficiency is about 98%, which is the maximum radiation efficiency. It should be noted that at a thickness greater than this, impedance matching could not be performed at 300 GHz, and the operating conditions could not be satisfied.

このように、本実施形態の高周波モジュール１２において、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、比誘電率約２．５、誘電正接約０．００２のポリフェニレンエーテル系樹脂を用いた場合、上述の電磁界解析によって得られた放射効率によれば、３００ＧＨｚ帯、即ち、テラヘルツ波帯では、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離は、約４０μｍ〜約６０μｍ程度とするのが好ましい。これは、約４０μｍ未満では、十分に高い放射効率が得られず、約６０μｍよりも大きいと、インピーダンス整合が取れないからである。   Thus, in the high frequency module 12 of the present embodiment, a polyphenylene ether resin having a relative dielectric constant of about 2.5 and a dielectric loss tangent of about 0.002 is applied to the dielectric layer 8 provided between the antenna 5 and the reflector 2. When used, according to the radiation efficiency obtained by the electromagnetic field analysis described above, in the 300 GHz band, that is, the terahertz wave band, the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is The thickness is preferably about 40 μm to about 60 μm. This is because a sufficiently high radiation efficiency cannot be obtained if the thickness is less than about 40 μm, and impedance matching cannot be achieved if the thickness is larger than about 60 μm.

また、本実施形態の高周波モジュール１２において、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、石英フィラーを含む熱硬化性エポキシ系樹脂（比誘電率約３．６６、誘電正接約０．００９）を用いたものについて、同様の電磁界解析を行ない、３００ＧＨｚ動作の条件で、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくしていったところ、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離が約７０μｍで放射効率約９６％となり、これが最大の放射効率であった。なお、これ以上の厚さでは３００ＧＨｚでインピーダンス整合できず、動作条件を満たすことができなかった。   Further, in the high-frequency module 12 of the present embodiment, a thermosetting epoxy resin containing a silica filler (relative dielectric constant: about 3.66, dielectric loss tangent) is provided on the dielectric layer 8 provided between the antenna 5 and the reflector 2. 0.009), the same electromagnetic field analysis was performed, and the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 was increased under the 300 GHz operation condition. However, when the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2, is about 70 μm, the radiation efficiency is about 96%, which is the maximum radiation efficiency. It should be noted that at a thickness greater than this, impedance matching could not be performed at 300 GHz, and the operating conditions could not be satisfied.

また、本実施形態の高周波モジュール１２において、アンテナ５とリフレクタ２との間に設けられる誘電体層８に、石英フィラーを含むエポキシ系樹脂（エポキシ系フィルム材料；比誘電率約３．２、誘電正接約０．０１９）を用いたものについて、同様の電磁界解析を行ない、３００ＧＨｚ動作の条件で、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくしていったところ、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離が約６０μｍで放射効率約９２％となり、これが最大の放射効率であった。なお、これ以上の厚さでは３００ＧＨｚでインピーダンス整合できず、動作条件を満たすことができなかった。   Further, in the high-frequency module 12 of the present embodiment, an epoxy resin (epoxy film material; relative dielectric constant of about 3.2, dielectric constant) containing quartz filler on the dielectric layer 8 provided between the antenna 5 and the reflector 2. The same electromagnetic field analysis was performed on the one using a tangent of approximately 0.019), and the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 was increased under the 300 GHz operation conditions. As a result, when the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 was about 60 μm, the radiation efficiency was about 92%, which was the maximum radiation efficiency. It should be noted that at a thickness greater than this, impedance matching could not be performed at 300 GHz, and the operating conditions could not be satisfied.

このように、これらの電磁界解析によって得られた放射効率によれば、３００ＧＨｚ帯、即ち、テラヘルツ波帯では、誘電体層８の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離は、約４０μｍ〜約７０μｍ程度とするのが好ましい。これは、約４０μｍ未満では、十分に高い放射効率が得られず、約７０μｍよりも大きいと、インピーダンス整合が取れないからである。   Thus, according to the radiation efficiencies obtained by these electromagnetic field analyses, in the 300 GHz band, that is, the terahertz wave band, the thickness of the dielectric layer 8, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is The thickness is preferably about 40 μm to about 70 μm. This is because a sufficiently high radiation efficiency cannot be obtained if the thickness is less than about 40 μm, and impedance matching cannot be achieved if the thickness is larger than about 70 μm.

次に、本実施形態にかかる高周波モジュールの製造方法について説明する。
まず、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化して集積体４を形成する（集積体を形成する工程）。
次に、集積体４の表面に、半導体チップ１とリフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７を形成する（再配線層を形成する工程）。 Next, the manufacturing method of the high frequency module concerning this embodiment is demonstrated.
First, the semiconductor chip 1 and the reflector 2 are integrated with the resin 3 to form the integrated body 4 (step of forming the integrated body).
Next, a redistribution layer 7 including a redistribution line 6 that electrically connects the semiconductor chip 1 and the antenna 5 provided at a distance from the reflector 2 is formed on the surface of the integrated body 4 (re-generation). Step of forming a wiring layer).

本実施形態では、集積体４を形成する工程の前に、リフレクタ２に誘電体層８を設ける（リフレクタ２に誘電体層８を設ける工程）。
そして、集積体４を形成する工程において、半導体チップ１と、誘電体層８が設けられたリフレクタ２とを、樹脂３で一体化して集積体４を形成する。つまり、集積体４を形成する工程において、半導体チップ１と、リフレクタ２と、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１（ここでは誘電体層８）とを、樹脂３で一体化して集積体４を形成する。 In the present embodiment, the dielectric layer 8 is provided on the reflector 2 before the step of forming the integrated body 4 (step of providing the dielectric layer 8 on the reflector 2).
In the step of forming the integrated body 4, the integrated body 4 is formed by integrating the semiconductor chip 1 and the reflector 2 provided with the dielectric layer 8 with the resin 3. That is, in the step of forming the integrated body 4, the semiconductor chip 1, the reflector 2, and the distance adjusting unit 11 (here, the dielectric layer 8) that adjusts the distance between the reflector 2 and the antenna 5 are replaced with the resin 3. And the integrated body 4 is formed.

次いで、再配線層７を形成する工程において、集積体４の誘電体層８が露出している側の表面に、再配線線路６とアンテナ５とを含む再配線層７を形成する。つまり、再配線層７を形成する工程において、集積体４の距離調整部１１（ここでは誘電体層８）が露出している側の表面に、再配線線路６とアンテナ５とを含む再配線層７を形成する。
好ましくは、再配線層７を形成する工程において、誘電体層８の表面上にアンテナ５を形成する。 Next, in the step of forming the rewiring layer 7, the rewiring layer 7 including the rewiring line 6 and the antenna 5 is formed on the surface of the integrated body 4 on the side where the dielectric layer 8 is exposed. That is, in the step of forming the rewiring layer 7, the rewiring including the rewiring line 6 and the antenna 5 on the surface of the integrated body 4 on the side where the distance adjusting portion 11 (here, the dielectric layer 8) is exposed. Layer 7 is formed.
Preferably, in the step of forming the rewiring layer 7, the antenna 5 is formed on the surface of the dielectric layer 8.

以下、図３〜図６を参照しながら、具体的に説明する。
なお、ここでは、ＦＯ−ＷＬＰによって高周波モジュール１２を製造する場合を例に挙げて説明する。
まず、リフレクタ２と誘電体層８とが一体化されているリフレクタブロック９、即ち、後述するように、半導体チップ１とともに樹脂封止されるリフレクタブロック９を作製する（リフレクタ２に誘電体層８を設ける工程）。 Hereinafter, it demonstrates concretely, referring FIGS. 3-6.
Here, the case where the high frequency module 12 is manufactured by FO-WLP will be described as an example.
First, a reflector block 9 in which the reflector 2 and the dielectric layer 8 are integrated, that is, a reflector block 9 that is resin-sealed together with the semiconductor chip 1 as described later is manufactured (the dielectric layer 8 on the reflector 2). Providing step).

例えば、図３（Ａ）に示すように、例えば銅などからなる金属導体２Ｘ上に、例えばポリフェニレンエーテル系樹脂などからなる誘電体層８を装荷した後、図３（Ｂ）に示すように、例えばダイヤモンドブレードなどを用いてダイシングして所望のサイズの個片にして、金属導体２Ｘからなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているリフレクタブロック９を作製する。   For example, as shown in FIG. 3A, after loading a dielectric layer 8 made of, for example, polyphenylene ether resin on a metal conductor 2X made of, for example, copper, etc., as shown in FIG. For example, a dielectric blade 8 is loaded on the reflector 2 made of the metal conductor 2X by dicing using a diamond blade or the like into individual pieces of a desired size, and a reflector block 9 in which these are integrated is manufactured.

このほか、例えば、図４（Ａ）に示すように、例えば銅などからなる金属導体（金属片）２Ｙをモールド樹脂１３で一体化したもの（擬似ウェハ）を形成し、図４（Ｂ）に示すように、これの上に任意の厚さの誘電体層８を形成し、図４（Ｃ）に示すように、ダイシングして個片化して、金属導体２Ｙからなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているリフレクタブロック９を作製するようにしても良い。   In addition, for example, as shown in FIG. 4A, a metal conductor (metal piece) 2Y made of, for example, copper or the like is integrated with a mold resin 13 (pseudo wafer), and FIG. As shown in FIG. 4, a dielectric layer 8 having an arbitrary thickness is formed thereon, and as shown in FIG. 4C, the dielectric layer 8 is diced into individual pieces, and a dielectric is formed on the reflector 2 made of the metal conductor 2Y. You may make it produce the reflector block 9 with which the layer 8 was loaded and integrated these.

次に、半導体チップ１（例えばＭＭＩＣ）とリフレクタブロック９とを樹脂３で封止し、これらを一体化して、集積体４を形成する（集積体４を形成する工程）。
例えば、図５（Ａ）に示すように、支持基板１４上に、半導体チップ１と、リフレクタブロック９とを配置し、図５（Ｂ）に示すように、半導体チップ１とリフレクタブロック９とをモールド樹脂３で封止して、半導体チップ１とリフレクタブロック９とをモールド樹脂３で一体化した集積体４（擬似ウェハ；擬似チップを含む）を形成した後、この集積体４を支持基板１４から剥離する。なお、図５（Ａ）中、符号１Ｘは半導体チップ１の端子を示している。 Next, the semiconductor chip 1 (for example, MMIC) and the reflector block 9 are sealed with the resin 3, and these are integrated to form the integrated body 4 (step of forming the integrated body 4).
For example, as shown in FIG. 5A, the semiconductor chip 1 and the reflector block 9 are arranged on the support substrate 14, and as shown in FIG. 5B, the semiconductor chip 1 and the reflector block 9 are arranged. After sealing with the mold resin 3 and forming the integrated body 4 (pseudo wafer; including the pseudo chip) in which the semiconductor chip 1 and the reflector block 9 are integrated with the mold resin 3, the integrated body 4 is attached to the support substrate 14. Peel from. In FIG. 5A, reference numeral 1X denotes a terminal of the semiconductor chip 1.

次に、集積体４の表面上に、アンテナ５と再配線線路６とを含む再配線層７を形成する（再配線層７を形成する工程）。
ここでは、セミアディティブ法を用いてめっきによって再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７を形成する場合を例に挙げて説明する。
例えば、図５（Ｃ）に示すように、集積体４のリフレクタブロック９を構成する誘電体層８が露出している側の表面上に、感光性樹脂を塗布し、露光、現像、硬化によって、パターニングして、半導体チップ１の端子１Ｘ上にビアホール１０Ｘを有し、リフレクタブロック９を構成する誘電体層８上に開口部１０Ｙを有する感光性樹脂層（誘電体層；絶縁層）１０を形成する。ここで、感光性樹脂としては、例えば、感光性フェノール系樹脂を用い、約１０μｍ程度の厚さになるように塗布すれば良い。この場合、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いて現像すれば良い。また、約２００℃〜約２５０℃（例えば約２００℃）でキュア（硬化）させれば良い。 Next, the rewiring layer 7 including the antenna 5 and the rewiring line 6 is formed on the surface of the integrated body 4 (step of forming the rewiring layer 7).
Here, a case where the rewiring layer 7 including the rewiring line 6 and the antenna 5 is formed by plating using a semi-additive method will be described as an example.
For example, as shown in FIG. 5C, a photosensitive resin is applied on the surface of the integrated body 4 on which the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 is exposed, and then exposed, developed, and cured. The photosensitive resin layer (dielectric layer; insulating layer) 10 having the via hole 10X on the terminal 1X of the semiconductor chip 1 and having the opening 10Y on the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 is patterned. Form. Here, as the photosensitive resin, for example, a photosensitive phenol-based resin may be used so as to have a thickness of about 10 μm. In this case, for example, development may be performed using tetramethylammonium hydroxide (TMAH). Further, it may be cured (cured) at about 200 ° C. to about 250 ° C. (for example, about 200 ° C.).

次に、図５（Ｄ）に示すように、感光性樹脂層１０上にシード層１５を形成する。このシード層１５は、例えば、スパッタリングによって、Ｔｉ（チタン）層を、厚さ約２０ｎｍ成膜し、さらに、Ｔｉ（チタン）層上に、スパッタリングによって、Ｃｕ（銅）層を、厚さ約１００ｎｍ成膜することによって形成すれば良い。
次に、図５（Ｅ）に示すように、シード層１５上にレジストパターン１６を形成する。このレジストパターン１６は、例えば、レジストを厚さ約８μｍ塗布し、露光し、例えばＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）によって現像することによって形成すれば良い。そして、レジストパターン１６は、再配線線路６としてのビア６Ａ（ピン）及び線路導体６Ｂ、アンテナ５としてのアンテナ導体５Ａを形成する領域に開口部１６Ｘを有するものとする。 Next, as shown in FIG. 5D, a seed layer 15 is formed on the photosensitive resin layer 10. The seed layer 15 is formed, for example, by sputtering to form a Ti (titanium) layer with a thickness of about 20 nm. Furthermore, a Cu (copper) layer is formed on the Ti (titanium) layer by sputtering to a thickness of about 100 nm. What is necessary is just to form by forming into a film.
Next, as shown in FIG. 5E, a resist pattern 16 is formed on the seed layer 15. The resist pattern 16 may be formed by, for example, applying a resist with a thickness of about 8 μm, exposing the resist, and developing with, for example, TMAH (tetramethylammonium hydroxide). The resist pattern 16 has an opening 16X in a region where the via 6A (pin) as the redistribution line 6 and the line conductor 6B and the antenna conductor 5A as the antenna 5 are formed.

次に、図６（Ａ）に示すように、シード層１５を給電層として用いて、例えば電解めっきによって、導体、即ち、導電材料として、例えばＣｕ（銅）を例えば約５μｍの厚さになるように堆積（めっき）する。このようにして、半導体チップ１の端子１Ｘ上、即ち、ビアホール１０Ｘにビア６Ａを形成し、感光性樹脂層１０上に半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する伝送線路である再配線線路６としての線路導体６Ｂを形成し、リフレクタブロック９を構成する誘電体層８の表面上に例えばパッチアンテナのような形状を有するアンテナ５としてのアンテナ導体５Ａを形成する。   Next, as shown in FIG. 6A, using the seed layer 15 as a power feeding layer, for example, by electroplating, Cu (copper), for example, as a conductor, that is, a conductive material, has a thickness of about 5 μm, for example. Deposit (plating) as follows. In this way, the via 6A is formed on the terminal 1X of the semiconductor chip 1, that is, the via hole 10X, and the rewiring is a transmission line that electrically connects the semiconductor chip 1 and the antenna 5 on the photosensitive resin layer 10. A line conductor 6 </ b> B as the line 6 is formed, and an antenna conductor 5 </ b> A as the antenna 5 having a shape such as a patch antenna is formed on the surface of the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9.

そして、図６（Ｂ）に示すように、例えばアセトン等によって、レジストパターン１６を除去した後、除去されたレジストパターン１６の下部に残存していたシード層１５を除去する。例えば、シード層１５を構成するＣｕ（銅）層は、例えば硫酸カリウムをエッチング液とするウェットエッチング等によって除去し、シード層１５を構成するＴｉ（チタン）層は、例えばＣＦ４（四フッ化炭素）とＯ２（酸素）との混合ガスを用いたドライエッチングによって除去すれば良い。これにより、ビア６Ａ、線路導体６Ｂ及びアンテナ導体５Ａの下側のみにシード層１５が残され、ビア６Ａ及び線路導体６Ｂの下側に残されたシード層１５が、再配線線路６に含まれるシード層６Ｃとなり、アンテナ導体５Ａの下側に残されたシード層１５が、アンテナ５に含まれるシード層５Ｂとなる。 Then, as shown in FIG. 6B, after removing the resist pattern 16 with, for example, acetone, the seed layer 15 remaining under the removed resist pattern 16 is removed. For example, the Cu (copper) layer constituting the seed layer 15 is removed by, for example, wet etching using potassium sulfate as an etchant, and the Ti (titanium) layer constituting the seed layer 15 is, for example, CF 4 (tetrafluoride). It may be removed by dry etching using a mixed gas of carbon) and O 2 (oxygen). Thereby, the seed layer 15 is left only below the via 6A, the line conductor 6B, and the antenna conductor 5A, and the seed layer 15 left below the via 6A and the line conductor 6B is included in the redistribution line 6. The seed layer 15 that becomes the seed layer 6 </ b> C and remains below the antenna conductor 5 </ b> A becomes the seed layer 5 </ b> B included in the antenna 5.

このようにして、モールド樹脂３上に形成された感光性樹脂層１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂ及びこれに連なるアンテナ導体５Ａによって構成される再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７が形成される。
ここでは、上述の各工程はウェハ状態で行なわれるため、上述のようにして再配線線路６及びアンテナ５を含む再配線層７を形成した後、図６（Ｃ）に示すように、例えばダイヤモンドブレードを用いたダイシングによって所望のチップサイズに切り分けて個片化して、高周波モジュール１２とする。 In this way, the line conductor 6B is electrically connected to the semiconductor chip 1 through the via 6A provided in the photosensitive resin layer 10 formed on the mold resin 3, and the antenna conductor 5A is connected to the line conductor 6B. A rewiring layer 7 including the rewiring line 6 and the antenna 5 is formed.
Here, since each process described above is performed in a wafer state, after forming the rewiring layer 7 including the rewiring line 6 and the antenna 5 as described above, as shown in FIG. The high frequency module 12 is obtained by cutting into individual chips by dicing using a blade.

ところで、上述の実施形態の高周波モジュール１２は、例えば図７に示すように、例えばＰＣＢなどの基板（実装基板）２０上に実装される。
この実装形態は、はんだ接合による基板実装である。ここでは、集積体４の裏面側、即ち、リフレクタ２が設けられている側のモールド樹脂３を取り除き、例えば感光性フェノール系樹脂などによって、基板２０に電気的に接続するためのはんだ２１（はんだボール）を設ける位置に開口部を有する絶縁膜２２を設ける。そして、リフレクタ２が基板２０上に設けられているグランド２３に電気的に接続されるように、リフレクタ２の裏面側を基板２０上に設けられているグランド２３にはんだ接合して、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０上に実装する。 By the way, the high frequency module 12 of the above-mentioned embodiment is mounted on board | substrates (mounting board | substrates) 20, such as PCB, as shown, for example in FIG.
This mounting form is board mounting by solder bonding. Here, the mold resin 3 on the back surface side of the integrated body 4, that is, the side where the reflector 2 is provided is removed, and solder 21 (solder for electrically connecting to the substrate 20 by, for example, a photosensitive phenol resin or the like. The insulating film 22 having an opening is provided at a position where the ball is provided. The back surface of the reflector 2 is soldered to the ground 23 provided on the substrate 20 so that the reflector 2 is electrically connected to the ground 23 provided on the substrate 20. The high frequency module 12 having the configuration is mounted on the substrate 20.

なお、ここでは、バイアス又はグランドのために、半導体チップ１は、再配線層７に設けられた再配線線路６Ｘ、導体ピン２４、はんだ２１を介して、基板２０に電気的に接続されている。この場合、導体ピン２４は、例えばＴＭＶ（Through Mold Via）によって設ければ良い。つまり、モールド樹脂３で封止する前に、半導体チップ１の近傍に導体ピン２４を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、導体ピン２４を設ければ良い。   Here, the semiconductor chip 1 is electrically connected to the substrate 20 via a redistribution line 6X, conductor pins 24, and solder 21 provided in the redistribution layer 7 for bias or ground. . In this case, the conductor pin 24 may be provided by, for example, TMV (Through Mold Via). That is, before sealing with the mold resin 3, the conductor pins 24 may be provided in the vicinity of the semiconductor chip 1 and integrated with the mold resin 3 together with the semiconductor chip 1 and the reflector block 9. .

なお、実装形態はこれに限られるものではない。
例えば図８に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０Ａ上に実装しても良い。
この実装形態は、導電性接着剤２５による基板実装である。ここでは、集積体４の裏面側、即ち、リフレクタ２が設けられている側のモールド樹脂３を取り除き、リフレクタ２が基板２０Ａ上に設けられているグランド２３Ａに電気的に接続されるように、リフレクタ２の裏面側を基板２０Ａ上に設けられているグランド２３Ａに、例えば銀ペーストなどの導電性接着剤２５によって接着して、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０Ａ上に実装する。 Note that the mounting form is not limited to this.
For example, as shown in FIG. 8, the high-frequency module 12 of the above-described embodiment may be mounted on the substrate 20A.
This mounting form is board mounting by the conductive adhesive 25. Here, the mold resin 3 on the back surface side of the integrated body 4, that is, the side where the reflector 2 is provided is removed, and the reflector 2 is electrically connected to the ground 23A provided on the substrate 20A. The rear surface side of the reflector 2 is bonded to a ground 23A provided on the substrate 20A with a conductive adhesive 25 such as silver paste, and the high frequency module 12 of the above-described embodiment is mounted on the substrate 20A.

なお、ここでは、グランドのために、半導体チップ１は、再配線層７に設けられた再配線線路６Ｘ、導体ピン２４、導電性接着剤２５を介して、基板２０上に設けられているグランド２３Ａに電気的に接続されている。この場合、導体ピン２４は、例えばＴＭＶによって設ければ良い。つまり、モールド樹脂３で封止する前に、半導体チップ１の近傍に導体ピン２４を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、導体ピン２４を設ければ良い。   Here, for the ground, the semiconductor chip 1 is grounded on the substrate 20 via the rewiring line 6X, the conductor pin 24, and the conductive adhesive 25 provided on the rewiring layer 7. It is electrically connected to 23A. In this case, the conductor pin 24 may be provided by TMV, for example. That is, before sealing with the mold resin 3, the conductor pins 24 may be provided in the vicinity of the semiconductor chip 1 and integrated with the mold resin 3 together with the semiconductor chip 1 and the reflector block 9. .

また、例えば図９に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０上に実装しても良い。
この実装形態は、はんだ接合による基板実装であって、リフレクタ２の裏面側（リフレクタ下部）を、導体ピン２６を介して、基板２０上に設けられたグランド２３に電気的に接続するものである。ここでは、リフレクタ２の裏面側のモールド樹脂３に導体ピン２６を設け、集積体４の裏面側に、例えば感光性フェノール系樹脂などによって、基板２０に電気的に接続するためのはんだ（はんだボール）２１を設ける位置に開口部を有する絶縁膜２２を設ける。そして、リフレクタ２の裏面側が、導体ピン２６を介して、基板２０上に設けられているグランド２３に電気的に接続されるように、リフレクタ２の裏面側に設けられた導体ピン２６を基板２０上に設けられているグランド２３にはんだ接合して、上述の実施形態の高周波モジュール１２を基板２０上に実装する。 For example, as shown in FIG. 9, the high-frequency module 12 of the above-described embodiment may be mounted on the substrate 20.
This mounting form is board mounting by solder bonding, and electrically connects the back surface side (lower part of the reflector) of the reflector 2 to a ground 23 provided on the board 20 via a conductor pin 26. . Here, a conductor pin 26 is provided on the mold resin 3 on the back surface side of the reflector 2, and solder (solder ball) for electrically connecting to the substrate 20 by, for example, a photosensitive phenol resin on the back surface side of the integrated body 4. ) An insulating film 22 having an opening is provided at a position where 21 is provided. Then, the conductor pins 26 provided on the back surface side of the reflector 2 are connected to the substrate 20 so that the back surface side of the reflector 2 is electrically connected to the ground 23 provided on the substrate 20 via the conductor pins 26. The high frequency module 12 of the above-described embodiment is mounted on the substrate 20 by soldering to the ground 23 provided on the top.

この場合、例えば、モールド樹脂３で封止する前に、リフレクタ２の裏面側に導体ピン２６を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、リフレクタ２の裏面側に導体ピン２６を設ければ良い。なお、これに限られるものではなく、例えば、モールド樹脂３で封止した後に、例えばレーザビア加工等によって孔を形成し、例えばめっき等によって導体ピン２６を形成するようにしても良い。   In this case, for example, before sealing with the mold resin 3, the conductor pins 26 are erected on the back surface side of the reflector 2, and are integrated with the semiconductor chip 1 and the reflector block 9 with the mold resin 3, whereby the back surface side of the reflector 2. The conductor pin 26 may be provided on the surface. However, the present invention is not limited to this. For example, after sealing with mold resin 3, holes may be formed by, for example, laser via processing, and conductor pins 26 may be formed by, for example, plating.

なお、ここでは、バイアス又はグランドのために、半導体チップ１は、再配線層７に設けられた再配線線路６Ｘ、導体ピン２４、はんだ２１を介して、基板２０に電気的に接続されている。この場合、導体ピン２４は、例えばＴＭＶによって設ければ良い。つまり、モールド樹脂３で封止する前に、半導体チップ１の近傍に導体ピン２４を立て、半導体チップ１及びリフレクタブロック９とともにモールド樹脂３で一体化することで、導体ピン２４を設ければ良い。   Here, the semiconductor chip 1 is electrically connected to the substrate 20 via a redistribution line 6X, conductor pins 24, and solder 21 provided in the redistribution layer 7 for bias or ground. . In this case, the conductor pin 24 may be provided by TMV, for example. That is, before sealing with the mold resin 3, the conductor pins 24 may be provided in the vicinity of the semiconductor chip 1 and integrated with the mold resin 3 together with the semiconductor chip 1 and the reflector block 9. .

したがって、本実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法によれば、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができるという利点がある。
なお、上述の実施形態では、高周波モジュール１２は、再配線層７が再配線線路６とアンテナ５とを含むものとし、高周波モジュール１２の製造方法は、再配線層７を形成する工程において、再配線線路６とアンテナ５とを含む再配線層７を形成するようにしているが、これに限られるものではない。 Therefore, according to the high-frequency module and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, there are advantages that the degree of freedom in designing the distance between the antenna 5 and the reflector 2 can be increased and the antenna efficiency can be improved.
In the above-described embodiment, the high-frequency module 12 is such that the rewiring layer 7 includes the rewiring line 6 and the antenna 5, and the manufacturing method of the high-frequency module 12 includes rewiring in the step of forming the rewiring layer 7. Although the rewiring layer 7 including the line 6 and the antenna 5 is formed, the present invention is not limited to this.

例えば図１１（Ｂ）に示すように、高周波モジュール１２Ｘは、集積体４Ｘ（即ち、リフレクタブロック９）が、リフレクタ２のアンテナ５側に誘電体層８（距離調整部１１）を備えるものとし、即ち、集積体４Ｘが、リフレクタ２のアンテナ５側に接し、表面が集積体４Ｘの表面に露出する誘電体層８を備えるものとし、アンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）が、誘電体層８の表面上に設けられ、再配線層７が、アンテナ５を含まず、再配線線路６を含むものとしても良い。   For example, as shown in FIG. 11B, in the high-frequency module 12X, the integrated body 4X (that is, the reflector block 9) includes a dielectric layer 8 (distance adjusting unit 11) on the antenna 5 side of the reflector 2. That is, the integrated body 4X includes a dielectric layer 8 that contacts the antenna 5 side of the reflector 2 and has a surface exposed on the surface of the integrated body 4X. The antenna 5 (here, the antenna conductor 5X) is connected to the dielectric layer 8. The rewiring layer 7 may include the rewiring line 6 without including the antenna 5.

この場合、高周波モジュール１２Ｘの製造方法は、集積体４を形成する工程の前に、リフレクタ２に誘電体層８を設け、誘電体層８の表面上にアンテナ５を設ける工程を含むものとし、集積体４を形成する工程において、半導体チップ１と、誘電体層８及びアンテナ５が設けられたリフレクタ２とを、樹脂３で一体化して集積体４を形成し、再配線層７を形成する工程において、集積体４のアンテナ５が露出している側の表面に再配線層７、即ち、再配線線路６を含む再配線層７を形成するようにすれば良い。   In this case, the method for manufacturing the high-frequency module 12X includes the step of providing the dielectric layer 8 on the reflector 2 and the antenna 5 on the surface of the dielectric layer 8 before the step of forming the integrated body 4. In the step of forming the body 4, the semiconductor chip 1 and the reflector 2 provided with the dielectric layer 8 and the antenna 5 are integrated with the resin 3 to form the integrated body 4, and the rewiring layer 7 is formed. In this case, the rewiring layer 7, that is, the rewiring layer 7 including the rewiring line 6 may be formed on the surface of the integrated body 4 where the antenna 5 is exposed.

この場合も、高周波モジュール１２Ｘは、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化した集積体４と、リフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５と、集積体４の表面に設けられ、半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７とを備えることになる。また、高周波モジュール１２Ｘの製造方法は、半導体チップ１とリフレクタ２とを樹脂３で一体化して集積体４を形成する工程と、集積体４の表面に、半導体チップ１とリフレクタ２に対して間隔をあけて設けられたアンテナ５とを電気的に接続する再配線線路６を含む再配線層７を形成する工程とを含むものとなる。   Also in this case, the high-frequency module 12X includes the integrated body 4 in which the semiconductor chip 1 and the reflector 2 are integrated with the resin 3, the antenna 5 provided at a distance from the reflector 2, and the surface of the integrated body 4. A rewiring layer 7 including a rewiring line 6 that is provided and electrically connects the semiconductor chip 1 and the antenna 5 is provided. In addition, the method of manufacturing the high-frequency module 12 </ b> X includes a step of forming the integrated body 4 by integrating the semiconductor chip 1 and the reflector 2 with the resin 3, and a distance between the semiconductor chip 1 and the reflector 2 on the surface of the integrated body 4. And a step of forming a rewiring layer 7 including a rewiring line 6 that electrically connects the antenna 5 provided with a gap.

具体的には、例えば図１０に示すように、上述の実施形態のリフレクタブロック９、即ち、導体２Ｘ，２Ｙからなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているリフレクタブロック９の誘電体層８の表面上に、あらかじめアンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）を設けておけば良い。
このようなアンテナ５が設けられたリフレクタブロック９は、上述の実施形態のように、導体２Ｘ，２Ｙからなるリフレクタ２上に誘電体層８を装荷して、これらを一体化した後、誘電体層８の表面上にアンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）を設けることによって作製することができる。 Specifically, for example, as shown in FIG. 10, the reflector layer 9 of the above-described embodiment, that is, the reflector 2 including the conductors 2X and 2Y is loaded with the dielectric layer 8, and these are integrated. An antenna 5 (here, the antenna conductor 5X) may be provided in advance on the surface of the dielectric layer 8 of the block 9.
In the reflector block 9 provided with such an antenna 5, the dielectric layer 8 is loaded on the reflector 2 composed of the conductors 2X and 2Y and integrated with each other, as in the above-described embodiment. It can be manufactured by providing the antenna 5 (here, the antenna conductor 5X) on the surface of the layer 8.

なお、誘電体層８の表面上にアンテナ５（ここではアンテナ導体５Ｘ）を設けた後、導体２Ｘ，２Ｙからなるリフレクタ２上に、アンテナ５が設けられた誘電体層８を装荷して、これらを一体化することによって、アンテナ５が設けられたリフレクタブロック９を作製しても良い。
ここで、誘電体層８の表面上にアンテナ５を設ける方法としては、例えば、スパッタリングによって、ＣｕとＴｉとから構成されるシード層を形成し、所望の形状を有するアンテナ５を形成しうるレジストパターンを形成した後、シード層を給電層とする電解めっきによって、導体、即ち、導電材料として、例えばＣｕ（銅）を堆積させて、誘電体層８の表面上にアンテナ５としてのアンテナ導体５Ｘを形成する方法がある。 After providing the antenna 5 (here, the antenna conductor 5X) on the surface of the dielectric layer 8, the dielectric layer 8 provided with the antenna 5 is loaded on the reflector 2 made of the conductors 2X and 2Y. By integrating these, the reflector block 9 provided with the antenna 5 may be manufactured.
Here, as a method of providing the antenna 5 on the surface of the dielectric layer 8, for example, a seed layer composed of Cu and Ti is formed by sputtering, and a resist capable of forming the antenna 5 having a desired shape is formed. After forming the pattern, a conductor, that is, a conductive material, for example, Cu (copper) is deposited by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer, and the antenna conductor 5X as the antenna 5 is formed on the surface of the dielectric layer 8. There is a method of forming.

そして、上述のようなアンテナ５が設けられたリフレクタブロック９を用いる場合、上述の実施形態の高周波モジュールの製造方法におけるレジストパターン１６を形成する工程［図５（Ｅ）参照］において、レジストパターン１６に代えて、図１１（Ａ）に示すように、再配線線路６としてのビア６Ａ及び線路導体６Ｂ、アンテナ５としてのアンテナ導体５Ｘ上の再配線線路６としての線路導体６Ｂが接続される領域に開口部１６ＡＸを有するレジストパターン１６Ａを形成すれば良い。これにより、図１１（Ｂ）に示すように、半導体チップ１の端子１Ｘ上にビア６Ａを形成し、感光性樹脂層１０上に半導体チップ１とアンテナ５とを電気的に接続する伝送線路である再配線線路６としての線路導体６Ｂを形成することができる。なお、ここでは、再配線線路６は、線路導体６Ｂの下側に設けられたシード層６Ｃを含む。   When the reflector block 9 provided with the antenna 5 as described above is used, in the step of forming the resist pattern 16 in the method for manufacturing the high-frequency module according to the above-described embodiment [see FIG. Instead, as shown in FIG. 11A, a region to which the via 6A and the line conductor 6B as the redistribution line 6 and the line conductor 6B as the redistribution line 6 on the antenna conductor 5X as the antenna 5 are connected. A resist pattern 16A having an opening 16AX may be formed. As a result, as shown in FIG. 11B, vias 6A are formed on the terminals 1X of the semiconductor chip 1, and the transmission lines that electrically connect the semiconductor chip 1 and the antenna 5 on the photosensitive resin layer 10 are used. A line conductor 6B as a certain redistribution line 6 can be formed. Here, the redistribution line 6 includes a seed layer 6C provided below the line conductor 6B.

また、上述の実施形態では、集積体４に備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体層８を、リフレクタ２のアンテナ５側の表面の全面に設けているが、これに限られるものではなく、リフレクタのアンテナ側の表面に部分的に設けても良い。
例えば、集積体に備えられるリフレクタブロックを構成する誘電体層を、リフレクタのアンテナ側から突出し、端面が集積体の表面に露出する突出部となるように設けても良い。この場合、集積体は、リフレクタからアンテナ側へ向けて突出する突出部を備えるものとなる。つまり、集積体は、リフレクタのアンテナ側から突出し、端面が集積体の表面に露出する突出部を備えるものとなる。そして、リフレクタは、導体によって構成され、突出部は、誘電体によって構成されたものとなる。なお、突出部の具体的な構成については後述の第２実施形態と同様にすれば良い。 In the above embodiment, the dielectric layer 8 constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4 is provided on the entire surface of the reflector 2 on the antenna 5 side. However, the present invention is not limited to this. You may partially provide on the antenna side surface of a reflector.
For example, a dielectric layer constituting a reflector block provided in the integrated body may be provided so as to protrude from the antenna side of the reflector and to have a protruding portion whose end surface is exposed on the surface of the integrated body. In this case, the integrated body includes a protruding portion that protrudes from the reflector toward the antenna side. That is, the integrated body includes a protruding portion that protrudes from the antenna side of the reflector and whose end face is exposed on the surface of the integrated body. The reflector is made of a conductor, and the protruding portion is made of a dielectric. In addition, what is necessary is just to make it the same as that of 2nd Embodiment mentioned later about the specific structure of a protrusion part.

このようにして設けられた突出部、即ち、突出部として設けられた誘電体層も、リフレクタとアンテナとの間の距離を調整するためのものである。このため、突出部、即ち、突出部として設けられた誘電体層を、距離調整部ともいう。つまり、集積体は、リフレクタとアンテナとの間の距離を調整する距離調整部を備える。そして、距離調整部は、リフレクタからアンテナ側へ向けて突出する突出部である。   The protruding portion thus provided, that is, the dielectric layer provided as the protruding portion is also for adjusting the distance between the reflector and the antenna. For this reason, the protruding portion, that is, the dielectric layer provided as the protruding portion is also referred to as a distance adjusting portion. That is, the integrated body includes a distance adjusting unit that adjusts the distance between the reflector and the antenna. And a distance adjustment part is a protrusion part which protrudes toward the antenna side from a reflector.

また、集積体のリフレクタと突出部とによって規定される領域は、樹脂（モールド樹脂）で埋め込まれていても良い。この場合、アンテナは、樹脂の表面上に設けられているのが好ましい。また、集積体のリフレクタと突出部とによって規定される領域は、誘電体で埋め込まれていても良い。この場合、アンテナは、誘電体の表面上に設けられているのが好ましい。また、集積体のリフレクタと突出部とによって規定される領域は、空間になっていても良い。   Moreover, the area | region prescribed | regulated by the reflector and protrusion part of an integrated body may be embedded with resin (mold resin). In this case, the antenna is preferably provided on the surface of the resin. Further, the region defined by the reflector and the protrusion of the integrated body may be embedded with a dielectric. In this case, the antenna is preferably provided on the surface of the dielectric. Moreover, the area | region prescribed | regulated by the reflector and protrusion part of an integration | stacking body may be space.

また、上述のように、集積体を、リフレクタからアンテナ側へ向けて突出する突出部を備えるものとする場合、上述の実施形態の高周波モジュールの製造方法において、集積体を形成する工程の前に、リフレクタに突出部を設ける工程を含むものとし、集積体を形成する工程において、半導体チップと、突出部が設けられたリフレクタとを、樹脂で一体化して集積体を形成し、再配線層を形成する工程において、集積体の突出部が露出している側の表面に再配線層、即ち、再配線線路及びアンテナを含む再配線層又は再配線線路を含む再配線層を形成するようにすれば良い。   Further, as described above, when the integrated body is provided with a protruding portion that protrudes from the reflector toward the antenna side, before the step of forming the integrated body in the high-frequency module manufacturing method of the above-described embodiment. , Including a step of providing a protrusion on the reflector, and in the step of forming an integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the protruding portion are integrated with a resin to form an integrated body, and a rewiring layer is formed. In this step, a redistribution layer, that is, a redistribution layer including a redistribution line and an antenna or a redistribution layer including a redistribution line is formed on the surface on the side where the protruding portion of the integrated body is exposed. good.

また、上述の実施形態では、再配線線路６は、樹脂３上に形成された樹脂層１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂによって構成されるものとし、アンテナ５は、この線路導体６Ｂに連なるアンテナ導体５Ａによって構成されるものとしているが、これに限られるものではない。例えば、再配線線路は、樹脂上に設けられた誘電体フィルム（樹脂フィルム；絶縁フィルム）に形成されたビアを介して半導体チップに電気的に接続された線路導体によって構成されるものとし、アンテナは、この線路導体に連なるアンテナ導体によって構成されるものとしても良い。このような構成を備える再配線線路及びアンテナは、例えば導体層（例えば銅箔などの金属層）を有する誘電体フィルムを集積体の樹脂上に設け、導体層をパターニングして線路導体及びアンテナ導体を形成し、誘電体フィルムにビアを形成することによって設ければ良い。例えば、金属層が接着層を介して接着されている誘電体フィルムを集積体の樹脂上に貼り付けた後に、金属層をパターニングするとともに誘電体フィルムにビアを形成することによって、再配線線路及びアンテナを設ければ良い。ここで、誘電体フィルムは、低誘電率の誘電体（低誘電率材料）又は低損失な誘電体（低損失材料）からなるものとするのが好ましい。例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、液晶ポリマ、シクロオレフィンポリマ（ＣＯＰ）、ポリオレフィン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリスチレン及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素系樹脂からなる群から選ばれるいずれか１種の材料からなるものとするのが好ましい。また、金属層には、例えば銅又は銅合金を用いることができる。また、金属層は、金属箔を用いれば良い。なお、金属層を、例えばスパッタ、無電解めっき、電気めっきなどによって形成しても良い。また、接着層には、ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基を含む化合物（例えばニトロ安息香酸、シアノ安息香酸など）などの材料を用いることができる。また、メルカプト基、アミノ基を含むシランカップリング剤、メルカプト基からなるトリアジンチオールなども用いることができる。なお、導体層のパターニングとビアの形成はいずれが先でも良い。   In the above-described embodiment, the redistribution line 6 is configured by the line conductor 6B electrically connected to the semiconductor chip 1 through the via 6A provided in the resin layer 10 formed on the resin 3. The antenna 5 is constituted by the antenna conductor 5A connected to the line conductor 6B, but is not limited thereto. For example, the redistribution line is constituted by a line conductor electrically connected to a semiconductor chip through a via formed in a dielectric film (resin film; insulating film) provided on a resin, and an antenna. May be constituted by an antenna conductor connected to the line conductor. A redistribution line and an antenna having such a configuration are provided with a dielectric film having a conductor layer (for example, a metal layer such as a copper foil) on a resin of an integrated body, and the conductor layer is patterned to pattern the line conductor and the antenna conductor. May be provided by forming vias in the dielectric film. For example, after pasting a dielectric film to which a metal layer is bonded via an adhesive layer on a resin of an integrated body, the metal layer is patterned and vias are formed in the dielectric film, thereby rewiring lines and An antenna may be provided. Here, the dielectric film is preferably composed of a low dielectric constant dielectric (low dielectric constant material) or a low loss dielectric (low loss material). For example, any selected from the group consisting of fluorinated resins represented by benzocyclobutene (BCB), liquid crystal polymer, cycloolefin polymer (COP), polyolefin, polyphenylene ether (PPE), polystyrene, and polytetrafluoroethylene (PTFE) It is preferable to be made of one kind of material. Moreover, copper or a copper alloy can be used for a metal layer, for example. The metal layer may be a metal foil. Note that the metal layer may be formed by sputtering, electroless plating, electroplating, or the like. In addition, a material such as a compound containing a nitro group, a carboxy group, or a cyano group (for example, nitrobenzoic acid, cyanobenzoic acid, or the like) can be used for the adhesive layer. Further, a silane coupling agent containing a mercapto group or amino group, a triazine thiol composed of a mercapto group, or the like can also be used. Either the patterning of the conductor layer or the formation of the via may be performed first.

また、再配線線路及びアンテナがパターニングされている誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に取り付けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。例えば、ビア、線路導体、アンテナ導体を有する誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に設けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。例えば、集積体の樹脂上に、再配線線路としての線路導体及びビア、及び、アンテナとしてのアンテナ導体がパターニングされている誘電体フィルムを、接着剤で接着すれば良い。この場合、誘電体フィルムにパターニングされているビア及びその近傍領域を接着するのに導電性接着剤を用い、それ以外の領域を接着するのに低誘電・低損失接着剤を用いるのが好ましい。但し、コスト及び実装精度を考慮すると、上述の集積体の樹脂上に誘電体フィルムを取り付けた後に再配線線路をパターニングする方法によって再配線線路及びアンテナを設けるのが好ましい。
［第２実施形態］
まず、第２実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法について、図１２〜図１８を参照しながら説明する。 Further, the rewiring line and the antenna may be provided by attaching a dielectric film on which the rewiring line and the antenna are patterned on the resin of the integrated body. For example, the redistribution line and the antenna may be provided by providing a dielectric film having a via, a line conductor, and an antenna conductor on the resin of the integrated body. For example, a dielectric film in which a line conductor and a via as a redistribution line and an antenna conductor as an antenna are patterned on a resin of the integrated body may be bonded with an adhesive. In this case, it is preferable to use a conductive adhesive to bond the vias patterned in the dielectric film and the vicinity thereof, and use a low dielectric and low loss adhesive to bond the other regions. However, in consideration of cost and mounting accuracy, it is preferable to provide the rewiring line and the antenna by a method of patterning the rewiring line after attaching the dielectric film on the resin of the above-described integrated body.
[Second Embodiment]
First, the high-frequency module and the manufacturing method thereof according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施形態にかかる高周波モジュールは、上述の第１実施形態のものに対し、集積体の構成が異なる。
つまり、上述の第１実施形態では、集積体４を、リフレクタ２のアンテナ５側に接し、表面が集積体４の表面に露出する誘電体層８を備えるものとしている。これに対し、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、集積体４Ａを、リフレクタ２のアンテナ５側から突出し、端面が集積体４Ａの表面に露出する突出部３０を備えるものとしている。 The high-frequency module according to the present embodiment is different from the first embodiment in the structure of the integrated body.
That is, in the first embodiment described above, the integrated body 4 is provided with the dielectric layer 8 that is in contact with the antenna 5 side of the reflector 2 and whose surface is exposed on the surface of the integrated body 4. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the integrated body 4A is projected from the antenna 5 side of the reflector 2 and includes a projecting portion 30 whose end face is exposed on the surface of the integrated body 4A. Yes.

そして、上述の第１実施形態では、集積体４に備えられる、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１は、リフレクタ２のアンテナ５側に設けられた誘電体層８である。これに対し、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、集積体４Ａに備えられる、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整する距離調整部１１は、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０である。   In the above-described first embodiment, the distance adjusting unit 11 that adjusts the distance between the reflector 2 and the antenna 5 provided in the integrated body 4 is the dielectric layer 8 provided on the antenna 5 side of the reflector 2. It is. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the distance adjusting unit 11 provided in the integrated body 4 </ b> A for adjusting the distance between the reflector 2 and the antenna 5 is provided from the reflector 2 to the antenna 5. It is the protrusion part 30 which protrudes toward the side.

具体的には、本実施形態にかかる高周波モジュール１２Ａは、上述の第１実施形態のものに対し、リフレクタブロック９の構成が異なる。
つまり、上述の第１実施形態では、リフレクタブロック９を、導体からなるリフレクタ２上に誘電体層８が装荷され、これらが一体化されているものとしている。これに対し、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、リフレクタブロック９を、底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとを有するバスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が誘電体８Ａで埋め込まれているものとしている。なお、バスタブ状金属部材９Ａは、バスタブ形状、即ち、内部をくりぬいた構造を有する金属ブロックであるため、バスタブ形状の金属ブロックともいう。また、バスタブ状金属部材９Ａに代えて、金属以外の導体からなるバスタブ状導体部材を用いても良い。 Specifically, the configuration of the reflector block 9 is different from that of the above-described first embodiment in the high-frequency module 12A according to the present embodiment.
That is, in the first embodiment described above, the reflector block 9 is configured such that the dielectric layer 8 is loaded on the reflector 2 made of a conductor, and these are integrated. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the reflector block 9 includes a bottom portion 9X and a frame-shaped side portion of a bathtub-shaped metal member 9A having a bottom portion 9X and a frame-shaped side portion 9Y. It is assumed that the region (inside) defined by 9Y is embedded with a dielectric 8A. The bathtub-shaped metal member 9A is also referred to as a bathtub-shaped metal block because it is a bathtub-shaped metal block having a hollow structure. Further, instead of the bathtub-shaped metal member 9A, a bathtub-shaped conductor member made of a conductor other than metal may be used.

この場合、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘがリフレクタ２となり、枠状の側部９Ｙがリフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０、即ち、リフレクタ２のアンテナ５側から突出し、端面が集積体４Ａの表面に露出する突出部３０（距離調整部１１）となる。そして、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域が、誘電体８Ａで埋め込まれていることになる。また、リフレクタ２及び突出部３０は、金属（導体）によって構成されることになる。   In this case, the bottom portion 9X of the bathtub-shaped metal member 9A becomes the reflector 2, and the frame-shaped side portion 9Y protrudes from the reflector 2 toward the antenna 5 side, that is, protrudes from the antenna 5 side of the reflector 2, and ends. Becomes the protruding portion 30 (distance adjusting portion 11) exposed on the surface of the integrated body 4A. And the area | region prescribed | regulated by the reflector 2 and the protrusion part 30 of the integrated body 4A is embedded with the dielectric material 8A. Moreover, the reflector 2 and the protrusion part 30 are comprised with a metal (conductor).

ここで、バスタブ状金属部材９Ａは例えば銅からなるものとすれば良い。また、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域に埋め込まれる誘電体８Ａには、上述の第１実施形態のリフレクタブロック９を構成している誘電体層８を構成する誘電体材料と同様のものを用いれば良い。
この場合も、上述の第１実施形態の場合と同様に、再配線線路６は、集積体４を構成する樹脂３上に形成された樹脂層１０に設けられたビア６Ａを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体６Ｂによって構成されるものとすれば良い。そして、この再配線線路６としての線路導体６Ｂに連なるアンテナ導体５Ａによって、アンテナ５が構成されるようにすれば良い。 Here, the bathtub-shaped metal member 9A may be made of, for example, copper. The dielectric 8A embedded in the region defined by the bottom portion 9X and the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A has a dielectric layer constituting the reflector block 9 of the first embodiment described above. What is necessary is just to use the thing similar to the dielectric material which comprises 8. FIG.
Also in this case, as in the case of the first embodiment described above, the redistribution line 6 is connected to the semiconductor chip 1 through the via 6A provided in the resin layer 10 formed on the resin 3 constituting the integrated body 4. What is necessary is just to be comprised by the line conductor 6B electrically connected to. Then, the antenna 5 may be configured by the antenna conductor 5A connected to the line conductor 6B as the rewiring line 6.

なお、これに限られるものではなく、例えば、再配線線路６は、樹脂３上に設けられた誘電体フィルム（樹脂フィルム；絶縁フィルム）に形成されたビアを介して半導体チップに電気的に接続された線路導体によって構成されるものとし、アンテナは、この線路導体に連なるアンテナ導体によって構成されるものとしても良い。また、再配線線路及びアンテナがパターニングされている誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に取り付けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。   For example, the rewiring line 6 is electrically connected to the semiconductor chip through a via formed in a dielectric film (resin film; insulating film) provided on the resin 3. The antenna may be constituted by an antenna conductor connected to the line conductor. Further, the rewiring line and the antenna may be provided by attaching a dielectric film on which the rewiring line and the antenna are patterned on the resin of the integrated body.

また、例えば、上述の第１実施形態の変形例（図１０参照）の場合と同様に、リフレクタブロック９、即ち、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域が誘電体８Ａで埋め込まれているリフレクタブロック９の誘電体８Ａの表面上に、あらかじめアンテナ５を設けておいても良い。
つまり、本実施形態では、アンテナ５は、再配線層７を構成する樹脂層１０（誘電体層；絶縁層）を挟んで、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９の上方に設けられている。つまり、リフレクタブロック９は、アンテナ５の直下でモールド樹脂３に埋め込まれている。 Further, for example, as in the case of the modification of the first embodiment described above (see FIG. 10), the reflector block 9, that is, the bottom portion 9X of the bathtub-shaped metal member 9A and the frame-shaped side portion 9Y are defined. The antenna 5 may be provided in advance on the surface of the dielectric 8A of the reflector block 9 in which the region is embedded with the dielectric 8A.
That is, in this embodiment, the antenna 5 is provided above the reflector block 9 provided in the integrated body 4A with the resin layer 10 (dielectric layer; insulating layer) constituting the rewiring layer 7 interposed therebetween. That is, the reflector block 9 is embedded in the mold resin 3 immediately below the antenna 5.

これに対し、上述の第１実施形態の変形例（図１０参照）の場合と同様に、アンテナ５、即ち、アンテナ導体５Ａを、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体８Ａの表面上に設けても良い。このように、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成する誘電体８Ａの表面上に直接アンテナ５を設け、再配線層７を構成する樹脂層１０を挟まないようにすることで、再配線層７を構成する樹脂層１０に用いられる材料による高周波特性への影響を抑制することが可能となる。   On the other hand, as in the case of the modification of the first embodiment described above (see FIG. 10), the antenna 5, that is, the antenna conductor 5 A, is made of the dielectric 8 A that constitutes the reflector block 9 provided in the integrated body 4 A. It may be provided on the surface. In this way, the antenna 5 is provided directly on the surface of the dielectric 8A that constitutes the reflector block 9 provided in the integrated body 4A, and the resin layer 10 that constitutes the rewiring layer 7 is not sandwiched, so that the rewiring It becomes possible to suppress the influence on the high frequency characteristics by the material used for the resin layer 10 constituting the layer 7.

このように構成し、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成するバスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙ、即ち、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０の高さ（即ち、誘電体８Ａの厚さ）を調整することで、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整することができるようにしている。
このように構成することで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができる。これにより、アンテナを搭載する高周波モジュールにおいて、コンパクトかつ製造バラつきの小さい異種デバイス集積技術及び再配線技術を適用する場合に、高性能なアンテナを実現することが可能となる。 The height of the frame-like side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4A, that is, the protruding portion 30 that protrudes from the reflector 2 toward the antenna 5 side. By adjusting (that is, the thickness of the dielectric 8A), the distance between the reflector 2 and the antenna 5 can be adjusted.
With this configuration, the degree of freedom in designing the distance between the antenna 5 and the reflector 2 can be increased, and the antenna efficiency can be improved. This makes it possible to realize a high-performance antenna when applying a heterogeneous device integration technique and a rewiring technique that are compact and have small manufacturing variations in a high-frequency module on which the antenna is mounted.

つまり、例えば再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、ビア等を設ける必要があり、加工性等を考慮する必要があるため、再配線層を構成する樹脂層（誘電体層）の厚さや材料を自由に選択することが困難である。このため、アンテナとリフレクタとの間の距離の設計自由度が低く、また、アンテナ効率を向上させるのは難しい。   That is, for example, when an antenna and a reflector are provided in the redistribution layer (see FIG. 20), it is necessary to provide vias and the like, and it is necessary to consider workability and the like. ) Thickness and material are difficult to choose freely. For this reason, the design freedom of the distance between the antenna and the reflector is low, and it is difficult to improve the antenna efficiency.

これに対し、上述のように構成することで、バスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙ、即ち、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０の高さ（ここでは突出部３０の高さによってバスタブ状金属部材９Ａの内部に埋め込まれる誘電体８Ａの厚さが決まる）を調整することで、リフレクタ２とアンテナ５との間の距離を調整することができるため、調整できる範囲が広がる。また、リフレクタ２とアンテナ５の間に挟まれる誘電体８Ａの材料の選択の幅が広がる。このため、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができる。   On the other hand, by configuring as described above, the height of the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A, that is, the protruding portion 30 protruding from the reflector 2 toward the antenna 5 (here, the protruding portion). By adjusting the height of 30, the thickness of the dielectric 8A embedded in the bathtub-shaped metal member 9A is determined), the distance between the reflector 2 and the antenna 5 can be adjusted. The range expands. Further, the range of selection of the material of the dielectric 8A sandwiched between the reflector 2 and the antenna 5 is increased. For this reason, the design freedom of the distance between the antenna 5 and the reflector 2 can be made high, and antenna efficiency can be improved.

例えば、集積体４Ａに備えられるリフレクタブロック９を構成するバスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙ、即ち、リフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０の高さ（ここでは突出部３０の高さによってバスタブ状金属部材９Ａの内部に埋め込まれる誘電体８Ａの厚さが決まる）によって、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を、伝送する高周波信号の波長に対してアンテナ効率が向上するように設定することが可能となる。   For example, the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A constituting the reflector block 9 provided in the integrated body 4A, that is, the height of the protruding portion 30 protruding from the reflector 2 toward the antenna 5 (here, protruding) The thickness of the dielectric member 8A embedded in the bathtub-shaped metal member 9A is determined by the height of the portion 30), so that the distance between the antenna 5 and the reflector 2 depends on the antenna efficiency with respect to the wavelength of the high-frequency signal to be transmitted. Can be set to improve.

例えば、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、再配線層を構成する樹脂層（誘電体層）の厚さが薄く、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離が短く、アンテナとリフレクタとの間の結合が強くなり、電波が空間へ放射しにくくなるため、アンテナ効率が低い。しかしながら、再配線層を構成する誘電体層の厚さは約１０μｍ程度にしか厚くすることができないため、アンテナとリフレクタとの間の距離を大きくすることができない。このため、アンテナ効率を向上させ、高性能なアンテナを実現することが難しい。また、再配線層を構成する誘電体層を厚くすると、ビアが長くなり、信頼性の低下や電気的特性の低下を招くことになるため、誘電体層を厚くするのは好ましくない。   For example, when an antenna and a reflector are provided in the rewiring layer (see FIG. 20), the resin layer (dielectric layer) constituting the rewiring layer is thin, that is, the distance between the antenna and the reflector is short, The antenna efficiency is low because the coupling between the antenna and the reflector becomes strong and it is difficult for radio waves to be emitted into the space. However, since the thickness of the dielectric layer constituting the rewiring layer can only be increased to about 10 μm, the distance between the antenna and the reflector cannot be increased. For this reason, it is difficult to improve antenna efficiency and realize a high-performance antenna. Further, if the dielectric layer constituting the rewiring layer is thickened, the via length becomes long, leading to a decrease in reliability and a decrease in electrical characteristics. Therefore, it is not preferable to increase the thickness of the dielectric layer.

これに対し、上述の本実施形態のように、内部に誘電体８Ａが埋め込まれているバスタブ状金属部材９Ａをモールド樹脂３に埋め込んで集積体４Ａの内部に設けることで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を大きくすることができる。これにより、アンテナ５とリフレクタ２との間の結合が弱まり、アンテナ効率（アンテナ特性）が向上し、高性能なアンテナを実現することが可能となる。   On the other hand, as in the above-described embodiment, the antenna 5 and the reflector 2 are provided by embedding the bathtub-shaped metal member 9A in which the dielectric 8A is embedded in the mold resin 3 and providing it in the integrated body 4A. The distance between can be increased. Thereby, the coupling between the antenna 5 and the reflector 2 is weakened, the antenna efficiency (antenna characteristics) is improved, and a high-performance antenna can be realized.

ここで、図１４は、誘電体の厚さに対してアンテナ効率（放射効率）がどのように変化するかをシミュレーションした結果を示している。
ここでは、周波数８０ＧＨｚのミリ波帯（８０ＧＨｚ帯）において、比誘電率約３．４、誘電正接約０．０１の誘電体を用い、アンテナ及びリフレクタとなる金属導体を銅とし、その厚さを約１０μｍとして、シミュレーションを行なった。 Here, FIG. 14 shows the result of simulating how the antenna efficiency (radiation efficiency) changes with respect to the thickness of the dielectric.
Here, in a millimeter wave band (80 GHz band) with a frequency of 80 GHz, a dielectric having a relative dielectric constant of about 3.4 and a dielectric loss tangent of about 0.01 is used, and the metal conductor serving as an antenna and a reflector is made of copper, and the thickness thereof is The simulation was performed at about 10 μm.

このシミュレーションの結果、図１４に示すように、誘電体の厚さ（アンテナとリフレクタとの間の距離）が約１０μｍの場合、アンテナ効率は約４．６％であり、アンテナ効率が低かった。これに対し、誘電体の厚さを厚くしていくと、アンテナ効率が高くなった。つまり、誘電体の厚さを約２０μｍとするとアンテナ効率は約１６．６％となり、誘電体の厚さを約３０μｍとするとアンテナ効率は約２７．８％となり、誘電体の厚さを約５０μｍとするとアンテナ効率は約４５．４％となり、誘電体の厚さを厚くするにつれて、アンテナ効率が高くなった。   As a result of this simulation, as shown in FIG. 14, when the dielectric thickness (distance between the antenna and the reflector) is about 10 μm, the antenna efficiency is about 4.6%, and the antenna efficiency is low. On the other hand, the antenna efficiency increased as the dielectric thickness was increased. That is, when the thickness of the dielectric is about 20 μm, the antenna efficiency is about 16.6%, and when the thickness of the dielectric is about 30 μm, the antenna efficiency is about 27.8%, and the thickness of the dielectric is about 50 μm. Then, the antenna efficiency was about 45.4%, and the antenna efficiency increased as the dielectric thickness was increased.

このように、誘電体の厚さを厚くすればアンテナ効率を向上させることができるが、上述のように、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）、再配線層を構成する誘電体層の厚さは約１０μｍ程度にしか厚くすることができないため、アンテナ効率が低い。
これに対し、上述の本実施形態のように、内部に誘電体８Ａが埋め込まれているバスタブ状金属部材９Ａをモールド樹脂３に埋め込んで集積体４Ａの内部に設けることで、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離を、再配線層にアンテナ及びリフレクタを設ける場合（図２０参照）よりも大きくすることができる。また、バスタブ状金属部材９Ａの内部に埋め込む誘電体８Ａは、再配線層７を構成する樹脂層（誘電体層）に用いる材料と異なり、自由に選択することができ、高周波特性の良いものを用いることができる。このため、アンテナ効率を高くすることが可能である。 As described above, the antenna efficiency can be improved by increasing the thickness of the dielectric. However, as described above, when the antenna and the reflector are provided in the rewiring layer (see FIG. 20), the rewiring layer is configured. Since the thickness of the dielectric layer can only be increased to about 10 μm, the antenna efficiency is low.
On the other hand, as in the above-described embodiment, the antenna 5 and the reflector 2 are provided by embedding the bathtub-shaped metal member 9A in which the dielectric 8A is embedded in the mold resin 3 and providing it in the integrated body 4A. Can be made larger than when the antenna and the reflector are provided in the rewiring layer (see FIG. 20). Also, the dielectric 8A embedded in the bathtub-shaped metal member 9A can be freely selected and has a good high frequency characteristic, unlike the material used for the resin layer (dielectric layer) constituting the rewiring layer 7. Can be used. For this reason, antenna efficiency can be increased.

特に、上述のシミュレーション結果を考慮すると、誘電体の厚さ、即ち、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離は、約５０μｍ以上にすることが好ましい。
一方、上述のシミュレーション結果では、誘電体の厚さを約５０μｍに厚くした場合までしか示していないが、およそ波長の４分の１の長さに相当する厚さになるまで、誘電体の厚さが大きくなるにつれてアンテナ効率が向上する。例えば、８０ＧＨｚ帯では、比誘電率が３．４の場合、波長の４分の１の長さは約６００μｍであるため、誘電体の厚さが約６００μｍになるまで、誘電体の厚さが大きくなるにつれてアンテナ効率が向上する。しかしながら、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離が、約２００μｍよりも大きくなると、アンテナのインピーダンスが高くなり、整合回路におけるインピーダンス整合による整合損失が大きくなる。このため、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離は、約２００μｍ以下にするのが好ましい。 In particular, considering the above simulation results, the thickness of the dielectric, that is, the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is preferably about 50 μm or more.
On the other hand, the above simulation results only show the case where the thickness of the dielectric is increased to about 50 μm, but the thickness of the dielectric is increased to a thickness corresponding to a length of about a quarter of the wavelength. The antenna efficiency improves as the length increases. For example, in the 80 GHz band, when the relative dielectric constant is 3.4, the length of a quarter of the wavelength is about 600 μm, so that the thickness of the dielectric becomes about 600 μm. The antenna efficiency improves as it increases. However, when the thickness of the dielectric, that is, the distance between the antenna and the reflector is greater than about 200 μm, the impedance of the antenna increases, and the matching loss due to impedance matching in the matching circuit increases. For this reason, the thickness of the dielectric, that is, the distance between the antenna and the reflector is preferably about 200 μm or less.

このように、８０ＧＨｚ帯では、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離は、約５０μｍ〜約２００μｍ程度とするのが好ましい。
なお、ここでは、８０ＧＨｚ帯を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、他の周波数帯であっても、同様に、およそ波長の４分の１の長さに相当する厚さになるまで、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離が大きくなるにつれてアンテナ効率が向上する。一方、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離を大きくしすぎると、アンテナへの入力インピーダンスが高くなって、アンテナと回路との間のインピーダンス整合が困難となり、整合損失が増加することになる。このため、アンテナ効率と整合損失とのバランスを考慮して、誘電体の厚さ、即ち、アンテナとリフレクタとの間の距離を最適な値に設定するのが好ましい。また、アンテナとリフレクタとの間に設けられる誘電体の誘電率が高いほど波長が短くなるため、アンテナの物理的な大きさを小さくできるメリットがある。しかしながら、誘電率が大きいほど、空気の誘電率とのギャップが大きくなるため、誘電体内における共振が強くなり、空気中へ放射されにくくなる。このため、アンテナの物理的な大きさが要求仕様上許されるのであれば、誘電率の低い誘電体を用いるのが好ましい。 Thus, in the 80 GHz band, the thickness of the dielectric, that is, the distance between the antenna and the reflector is preferably about 50 μm to about 200 μm.
Here, the 80 GHz band has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and even in other frequency bands, it is equivalent to approximately a quarter of the wavelength. As the thickness of the dielectric, ie, the distance between the antenna and the reflector, increases, the antenna efficiency increases. On the other hand, if the thickness of the dielectric, that is, the distance between the antenna and the reflector is too large, the input impedance to the antenna becomes high, making impedance matching between the antenna and the circuit difficult, and matching loss is reduced. Will increase. For this reason, it is preferable to set the dielectric thickness, that is, the distance between the antenna and the reflector to an optimum value in consideration of the balance between the antenna efficiency and the matching loss. Further, since the wavelength becomes shorter as the dielectric constant of the dielectric provided between the antenna and the reflector is higher, there is an advantage that the physical size of the antenna can be reduced. However, the larger the dielectric constant, the larger the gap with the dielectric constant of air, so that the resonance in the dielectric body becomes stronger and it is difficult to radiate into the air. For this reason, it is preferable to use a dielectric having a low dielectric constant if the physical size of the antenna is allowed in the required specifications.

ところで、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａは、例えば図１５に示すように、例えばＰＣＢなどの基板３１（実装基板）上に実装される。
この実装形態は、フェイスアップ実装であり、半導体チップ１の裏面側をグランドとし、半導体チップ１の裏面側が基板３１上に設けられているグランド３２に電気的に接続されるように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１上に実装する。 By the way, the high frequency module 12A of the above-described embodiment is mounted on a substrate 31 (mounting substrate) such as a PCB, for example, as shown in FIG.
This mounting form is face-up mounting, in which the back surface side of the semiconductor chip 1 is the ground and the back surface side of the semiconductor chip 1 is electrically connected to the ground 32 provided on the substrate 31 as described above. The high-frequency module 12A having the configuration is mounted on the substrate 31.

つまり、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａでは、リフレクタ２がバスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘによって構成され、このバスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘには枠状の側部９Ｙが連なっており、枠状の側部９Ｙの端面は集積体４Ａの表面に露出している。このため、図１５に示すように、バスタブ状金属部材９Ａの枠状の側部９Ｙの端面と半導体チップ１のグランド端子１Ａとを、再配線層７に備えられる再配線線路６Ｙを介して電気的に接続することができる。これにより、半導体チップ１を介して、リフレクタ２を基板３１上に設けられているグランド３２に電気的に接続することができる。このため、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの基板３１上への実装の際には、半導体チップ１の裏面側が基板３１上に設けられているグランド３２に電気的に接続されるように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを例えば導電性接着剤などを介して基板３１上に実装すれば良い。   That is, in the high-frequency module 12A of the above-described embodiment, the reflector 2 is configured by the bottom portion 9X of the bathtub-shaped metal member 9A, and the frame-shaped side portion 9Y is connected to the bottom portion 9X of the bathtub-shaped metal member 9A. The end face of the side portion 9Y is exposed on the surface of the integrated body 4A. For this reason, as shown in FIG. 15, the end surface of the frame-like side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A and the ground terminal 1A of the semiconductor chip 1 are electrically connected via the redistribution line 6Y provided in the redistribution layer 7. Can be connected. Thus, the reflector 2 can be electrically connected to the ground 32 provided on the substrate 31 via the semiconductor chip 1. For this reason, when the high frequency module 12A of the above-described embodiment is mounted on the substrate 31, the back side of the semiconductor chip 1 is electrically connected to the ground 32 provided on the substrate 31. The high-frequency module 12A of the embodiment may be mounted on the substrate 31 through, for example, a conductive adhesive.

この場合、基板３１上に実装された高周波モジュール１２Ａの上方側にアンテナ５が位置するため、アンテナ５から放射される電波は、上方へ放射されることになる。
また、図示していないが、半導体チップ１の回路面も、基板３１上に実装された高周波モジュール１２Ａの上方側に位置するため、半導体チップ１に対する信号の入出力やバイアスの供給は、例えばボンディングワイヤで半導体チップ１と基板３１とを電気的に接続して行なうことになる。 In this case, since the antenna 5 is located above the high-frequency module 12A mounted on the substrate 31, the radio wave radiated from the antenna 5 is radiated upward.
Although not shown, since the circuit surface of the semiconductor chip 1 is also located above the high-frequency module 12A mounted on the substrate 31, signal input / output and bias supply to the semiconductor chip 1 are performed, for example, by bonding. This is performed by electrically connecting the semiconductor chip 1 and the substrate 31 with a wire.

なお、実装形態はこれに限られるものではない。
例えば図１６に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１Ａ上に実装しても良い。
この実装形態では、集積体４Ａを構成するモールド樹脂３に導体ピン３３、３４が埋め込まれており、これらの導体ピン３３、３４、再配線線路６Ｚ、はんだバンプ３５〜３７を介して、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの裏面側を基板３１Ａに電気的に接続することで、信号の入出力、バイアスの供給、グランドへの接続を行なうことになる。この場合、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの製造方法に含まれる集積体４Ａを形成する工程において、再配線層７を設ける側の反対側の表面までモールド樹脂３を貫通するように導体ピン３３、３４を埋め込んでおけば良い。 Note that the mounting form is not limited to this.
For example, as shown in FIG. 16, the high frequency module 12A of the above-described embodiment may be mounted on a substrate 31A.
In this mounting form, the conductor pins 33 and 34 are embedded in the mold resin 3 constituting the integrated body 4A, and the above-described conductor pins 33 and 34, the redistribution line 6Z, and the solder bumps 35 to 37 are used as described above. By electrically connecting the back side of the high-frequency module 12A of the embodiment to the substrate 31A, signal input / output, bias supply, and connection to the ground are performed. In this case, in the step of forming the integrated body 4A included in the method of manufacturing the high-frequency module 12A of the above-described embodiment, the conductor pin 33 penetrates the mold resin 3 to the surface opposite to the side where the rewiring layer 7 is provided. , 34 should be embedded.

この実装形態も、フェイスアップ実装であり、基板３１Ａ上に実装された高周波モジュール１２Ａの上方側にアンテナ５が位置するため、アンテナ５から放射される電波は、上方へ放射されることになる。
また、例えば図１７に示すように、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１Ｂ上に実装しても良い。この実装形態では、再配線層７に設けられた再配線線路６ＺＡ、６ＺＢ及びはんだバンプ３８、３９を介して、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの表面側を基板３１Ｂに電気的に接続することで、信号の入出力、バイアスの供給、グランドへの接続を行なうことになる。この場合、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａの製造方法に含まれる再配線層７を形成する工程において、信号の入出力、バイアスの供給、グランドへの接続を行なうための再配線線路６ＺＡ、６ＺＢを設けておけば良い。 This mounting form is also face-up mounting, and since the antenna 5 is located above the high-frequency module 12A mounted on the substrate 31A, radio waves radiated from the antenna 5 are radiated upward.
For example, as shown in FIG. 17, the high-frequency module 12A of the above-described embodiment may be mounted on a substrate 31B. In this mounting form, the surface side of the high-frequency module 12A of the above-described embodiment is electrically connected to the substrate 31B via the redistribution lines 6ZA and 6ZB and the solder bumps 38 and 39 provided on the redistribution layer 7. Thus, signal input / output, bias supply, and connection to the ground are performed. In this case, in the step of forming the rewiring layer 7 included in the method of manufacturing the high-frequency module 12A of the above-described embodiment, the rewiring lines 6ZA and 6ZB for performing signal input / output, bias supply, and ground connection are used. Should be provided.

この実装形態は、上述の実施形態の高周波モジュール１２Ａを基板３１Ｂ上にフリップチップ実装するものである。この実装形態は、フェイスダウン実装であり、基板３１Ｂ上に実装された高周波モジュール１２Ａの下方側にアンテナ５が位置するため、アンテナ５から放射される電波は、下方へ放射されることになる。このため、アンテナ５から放射される電波が基板３１Ｂに遮られるのを回避するために、アンテナ５から放射される電波の経路に開口部３１ＢＸを有する基板３１Ｂを用いる。   In this mounting mode, the high-frequency module 12A of the above-described embodiment is flip-chip mounted on the substrate 31B. This mounting form is face-down mounting, and since the antenna 5 is positioned below the high-frequency module 12A mounted on the substrate 31B, radio waves radiated from the antenna 5 are radiated downward. For this reason, in order to avoid the radio wave radiated from the antenna 5 being blocked by the substrate 31B, the substrate 31B having the opening 31BX in the path of the radio wave radiated from the antenna 5 is used.

なお、その他の詳細は、上述の第１実施形態及び変形例のものと同様であるため、ここでは説明を省略する。
なお、上述の本実施形態のように、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域が誘電体８Ａで埋め込まれているものとする場合、このようなリフレクタブロック９を形成する工程が、上述の第１実施形態の高周波モジュールの製造方法に含まれる集積体４を形成する工程の前に行なわれる、リフレクタ２に突出部３０を設ける工程となる。そして、半導体チップ１と、上述のようなリフレクタブロック９とを、樹脂３で一体化して集積体４Ａを形成する工程が、半導体チップ１と、突出部３０が設けられたリフレクタ２とを、樹脂３で一体化して集積体４Ａを形成する工程となる。また、集積体４Ａの上述のリフレクタブロック９の枠状の側部９Ｙの端面が露出している側の表面に再配線層７を形成する工程が、集積体４Ａの突出部３０が露出している側の表面に再配線層７を形成する工程となる。 Since other details are the same as those of the first embodiment and the modification described above, description thereof is omitted here.
When the reflector block 9 is embedded in the dielectric 8A in the region defined by the bottom portion 9X and the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A as in the present embodiment described above. The step of forming the reflector block 9 is performed before the step of forming the integrated body 4 included in the method of manufacturing the high-frequency module of the first embodiment, and the step of providing the protrusions 30 on the reflector 2. It becomes. Then, the process of integrating the semiconductor chip 1 and the reflector block 9 as described above with the resin 3 to form the integrated body 4A results in the semiconductor chip 1 and the reflector 2 provided with the protrusions 30 being made of resin. 3 to form the integrated body 4A. Further, the step of forming the rewiring layer 7 on the surface of the integrated body 4A where the end face of the frame-like side portion 9Y of the reflector block 9 is exposed causes the protrusion 30 of the integrated body 4A to be exposed. This is a step of forming the rewiring layer 7 on the surface on the other side.

したがって、本実施形態にかかる高周波モジュール及びその製造方法によれば、上述の第１実施形態及び変形例の場合と同様に、アンテナ５とリフレクタ２との間の距離の設計自由度を高くし、アンテナ効率を向上させることができるという利点がある。
なお、上述の実施形態では、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が誘電体８Ａで埋め込まれているものとしているが、これに限られるものではない。 Therefore, according to the high-frequency module and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, as in the case of the first embodiment and the modification described above, the degree of freedom in designing the distance between the antenna 5 and the reflector 2 is increased. There is an advantage that the antenna efficiency can be improved.
In the above-described embodiment, the reflector block 9 is assumed that the region (inside) defined by the bottom portion 9X and the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A is embedded with the dielectric 8A. However, it is not limited to this.

例えば、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が空間になっているものとしても良い。つまり、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域は、空間になっていても良い。
この場合、再配線層７を、誘電体フィルム（樹脂フィルム；絶縁フィルム）を用いたものとし、リフレクタブロック９の上方の開口部、即ち、バスタブ状金属部材９Ａの上方の開口部が、再配線層７を構成する誘電体フィルムで覆われて閉じられるようにすれば良い。このように、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域を空間とし、誘電率の低い空気が存在するようにすれば良い。 For example, the reflector block 9 may have a space (inside) defined by the bottom portion 9X of the bathtub-shaped metal member 9A and the frame-shaped side portion 9Y. That is, the region defined by the reflector 2 and the protrusion 30 of the integrated body 4A may be a space.
In this case, the rewiring layer 7 is made of a dielectric film (resin film; insulating film), and the opening above the reflector block 9, that is, the opening above the bathtub-shaped metal member 9A is rewiring. What is necessary is just to make it cover with the dielectric material film which comprises the layer 7, and to close. As described above, the region defined by the bottom portion 9X and the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A may be a space, and air having a low dielectric constant may be present.

この場合、再配線線路６は、樹脂３上に設けられた誘電体フィルムに形成されたビアを介して半導体チップ１に電気的に接続された線路導体によって構成されるものとし、アンテナ５は、この線路導体に連なるアンテナ導体によって構成されるものとしても良いし、あるいは、再配線線路及びアンテナがパターニングされている誘電体フィルムを、集積体の樹脂上に取り付けることによって、再配線線路及びアンテナを設けても良い。   In this case, the redistribution line 6 is constituted by a line conductor electrically connected to the semiconductor chip 1 through a via formed in a dielectric film provided on the resin 3, and the antenna 5 It may be configured by an antenna conductor connected to the line conductor, or the redistribution line and the antenna are mounted by attaching a dielectric film on which the redistribution line and the antenna are patterned on the resin of the integrated body. It may be provided.

また、例えば、リフレクタブロック９を、バスタブ状金属部材９Ａの底部９Ｘと枠状の側部９Ｙとによって規定された領域（内部）が樹脂（モールド樹脂３）で埋め込まれているものとしても良い。つまり、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域は、樹脂（モールド樹脂３）で埋め込まれていても良い。この場合、アンテナ５は、樹脂（モールド樹脂３）の表面上に設けられるようにするのが好ましい。   Further, for example, the reflector block 9 may have a region (inside) defined by the bottom portion 9X and the frame-shaped side portion 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A embedded with resin (mold resin 3). That is, the region defined by the reflector 2 and the protrusion 30 of the integrated body 4A may be embedded with resin (mold resin 3). In this case, the antenna 5 is preferably provided on the surface of the resin (mold resin 3).

この場合、高周波モジュールの製造方法に含まれる集積体４Ａを形成する工程において、集積体４Ａを形成するために用いるモールド樹脂３が内部に流れ込むように、図１８（Ａ）に示すように、上述の実施形態のバスタブ状金属部材９Ａ（バスタブ状導体部材）の底部９Ｘや側部９Ｙに穴４０を設ければ良い。
また、上述の実施形態のバスタブ状金属部材９Ａに代えて、例えば図１８（Ｂ）に示すように、一の側面及びその反対側の側面からモールド樹脂３が流れ込むようにスリットを有し、底部９Ｘの２辺に沿って突起部９ＹＡを有する断面Ｕ字状金属部材９ＡＡ（断面Ｕ字状導体部材）を用いても良い。また、上述の実施形態のバスタブ状金属部材９Ａに代えて、例えば図１８（Ｃ）に示すように、４つの側面のそれぞれからモールド樹脂３が流れ込むようにスリットを有し、底部９Ｘの４隅に突起部９ＹＢを有する金属部材９ＡＢ（導体部材）を用いても良い。さらにモールド樹脂３が流れ込むようにすべく、図１８（Ｄ）に示すように、底部９Ｘの４隅に突起部９ＹＢを有し、底部９Ｘに穴４０を有する金属部材９ＡＣ（導体部材）としても良い。なお、これらの金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣは、集積体４Ａを形成する工程において、底部９Ｘが上側になるように配置されて、モールド樹脂３で一体化される。この際、側部９Ｙや突起部９ＹＡ、９ＹＢによって支持されることになる。このため、モールド樹脂３で一体化する際にその位置が安定するように、側部９Ｙや突起部９ＹＡ、９ＹＢを設けるのが好ましい。 In this case, in the step of forming the integrated body 4A included in the method of manufacturing the high frequency module, the mold resin 3 used for forming the integrated body 4A flows into the interior as shown in FIG. What is necessary is just to provide the hole 40 in the bottom part 9X and the side part 9Y of the bathtub-shaped metal member 9A (bathtub-shaped conductor member) of the embodiment.
Further, instead of the bathtub-shaped metal member 9A of the above-described embodiment, for example, as shown in FIG. 18B, a slit is provided so that the mold resin 3 flows from one side surface and the opposite side surface, and the bottom portion. A cross-sectional U-shaped metal member 9AA (a U-shaped cross-sectional conductor member) having a protrusion 9YA along two sides of 9X may be used. Further, instead of the bathtub-shaped metal member 9A of the above-described embodiment, for example, as shown in FIG. 18C, there are slits so that the mold resin 3 flows from each of the four side surfaces, and four corners of the bottom portion 9X. Alternatively, a metal member 9AB (conductor member) having a protrusion 9YB may be used. Further, as shown in FIG. 18D, a metal member 9AC (conductor member) having projections 9YB at the four corners of the bottom portion 9X and holes 40 at the bottom portion 9X is also provided so that the mold resin 3 flows. good. Note that these metal members 9A, 9AA, 9AB, and 9AC are arranged with the bottom portion 9X on the upper side and integrated with the mold resin 3 in the step of forming the integrated body 4A. At this time, it is supported by the side portion 9Y and the protruding portions 9YA and 9YB. For this reason, it is preferable to provide the side portions 9Y and the protruding portions 9YA and 9YB so that the positions thereof are stabilized when the molding resin 3 is integrated.

これらの金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣを用いる場合も、金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣの底部９Ｘがリフレクタ２となり、側部９Ｙや突起部９ＹＡ、９ＹＢがリフレクタ２からアンテナ５側へ向けて突出する突出部３０、即ち、リフレクタ２のアンテナ５側から突出し、端面が集積体４Ａの表面に露出する突出部３０（距離調整部１１）となる。そして、集積体４Ａのリフレクタ２と突出部３０とによって規定される領域が、樹脂（モールド樹脂３）で埋め込まれていることになる。また、リフレクタ２及び突出部３０は、金属（導体）によって構成されることになる。   Also when these metal members 9A, 9AA, 9AB, 9AC are used, the bottom 9X of the metal members 9A, 9AA, 9AB, 9AC becomes the reflector 2, and the side 9Y and the protrusions 9YA, 9YB go from the reflector 2 to the antenna 5 side. The protruding portion 30 protruding toward the antenna 5, that is, the protruding portion 30 (distance adjusting portion 11) protruding from the antenna 5 side of the reflector 2 and having an end surface exposed on the surface of the integrated body 4 </ b> A. And the area | region prescribed | regulated by the reflector 2 and the protrusion part 30 of the integrated body 4A is embedded with resin (mold resin 3). Moreover, the reflector 2 and the protrusion part 30 are comprised with a metal (conductor).

なお、これらの金属部材９Ａ、９ＡＡ、９ＡＢ、９ＡＣを用いる場合に、集積体４Ａを形成するために用いるモールド樹脂３と異なる樹脂や誘電体を内部に流し込んで、リフレクタブロック９を構成しても良い。また、その内部を空間として残すようにしても良い。
［その他］
なお、本発明は、上述した各実施形態及び各変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。 When these metal members 9A, 9AA, 9AB, and 9AC are used, the reflector block 9 may be configured by pouring a resin or dielectric different from the mold resin 3 used to form the integrated body 4A into the interior. good. Further, the inside may be left as a space.
[Others]
In addition, this invention is not limited to the structure described in each embodiment and each modification mentioned above, A various deformation | transformation is possible in the range which does not deviate from the meaning of this invention.

以下、上述の各実施形態及び各変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化した集積体と、
前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナと、
前記集積体の表面に設けられ、前記半導体チップと前記アンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層とを備えることを特徴とする高周波モジュール。 Hereinafter, additional notes will be disclosed regarding the above-described embodiments and modifications.
(Appendix 1)
An integrated body in which a semiconductor chip and a reflector are integrated with a resin;
An antenna provided at a distance from the reflector;
A high-frequency module comprising: a redistribution layer including a redistribution line that is provided on a surface of the integrated body and electrically connects the semiconductor chip and the antenna.

（付記２）
前記集積体は、前記リフレクタと前記アンテナとの間の距離を調整する距離調整部を備えることを特徴とする、付記１に記載の高周波モジュール。
（付記３）
前記距離調整部は、前記リフレクタの前記アンテナ側に設けられた誘電体層であることを特徴とする、付記２に記載の高周波モジュール。 (Appendix 2)
The high frequency module according to appendix 1, wherein the integrated body includes a distance adjusting unit that adjusts a distance between the reflector and the antenna.
(Appendix 3)
The high-frequency module according to appendix 2, wherein the distance adjustment unit is a dielectric layer provided on the antenna side of the reflector.

（付記４）
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側に接し、表面が前記集積体の表面に露出する誘電体層を備えることを特徴とする、付記１に記載の高周波モジュール。
（付記５）
前記アンテナは、前記誘電体層の表面上に設けられていることを特徴とする、付記３又は４に記載の高周波モジュール。 (Appendix 4)
The high-frequency module according to appendix 1, wherein the integrated body includes a dielectric layer that is in contact with the antenna side of the reflector and whose surface is exposed on the surface of the integrated body.
(Appendix 5)
The high frequency module according to appendix 3 or 4, wherein the antenna is provided on a surface of the dielectric layer.

（付記６）
前記距離調整部は、前記リフレクタから前記アンテナ側へ向けて突出する突出部であることを特徴とする、付記２に記載の高周波モジュール。
（付記７）
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側から突出し、端面が前記集積体の表面に露出する突出部を備えることを特徴とする、付記１に記載の高周波モジュール。 (Appendix 6)
The high-frequency module according to appendix 2, wherein the distance adjusting unit is a protruding unit that protrudes toward the antenna side from the reflector.
(Appendix 7)
The high-frequency module according to appendix 1, wherein the integrated body includes a protruding portion that protrudes from the antenna side of the reflector and has an end surface exposed at a surface of the integrated body.

（付記８）
前記リフレクタ及び前記突出部は、導体によって構成されることを特徴とする、付記６又は７に記載の高周波モジュール。
（付記９）
前記リフレクタは、導体によって構成され、
前記突出部は、誘電体によって構成されることを特徴とする、付記６又は７に記載の高周波モジュール。 (Appendix 8)
The high frequency module according to appendix 6 or 7, wherein the reflector and the protrusion are made of a conductor.
(Appendix 9)
The reflector is constituted by a conductor,
The high-frequency module according to appendix 6 or 7, wherein the protrusion is made of a dielectric.

（付記１０）
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域が、前記樹脂で埋め込まれていることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
（付記１１）
前記アンテナは、前記樹脂の表面上に設けられていることを特徴とする、付記１０に記載の高周波モジュール。 (Appendix 10)
The high-frequency module according to any one of appendices 6 to 9, wherein a region defined by the reflector and the protruding portion of the integrated body is embedded with the resin.
(Appendix 11)
The high frequency module according to appendix 10, wherein the antenna is provided on a surface of the resin.

（付記１２）
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域が、誘電体で埋め込まれていることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
（付記１３）
前記アンテナは、前記誘電体の表面上に設けられていることを特徴とする、付記１２に記載の高周波モジュール。 (Appendix 12)
The high-frequency module according to any one of appendices 6 to 9, wherein a region defined by the reflector and the protrusion of the integrated body is embedded with a dielectric.
(Appendix 13)
The high frequency module according to appendix 12, wherein the antenna is provided on a surface of the dielectric.

（付記１４）
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域が、空間になっていることを特徴とする、付記６〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
（付記１５）
半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化して集積体を形成する工程と、
前記集積体の表面に、前記半導体チップと前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 (Appendix 14)
The high-frequency module according to any one of appendices 6 to 9, wherein a region defined by the reflector and the protrusion of the integrated body is a space.
(Appendix 15)
Integrating the semiconductor chip and the reflector with resin to form an integrated body;
Forming a redistribution layer including a redistribution line that electrically connects the semiconductor chip and an antenna provided at a distance from the reflector on the surface of the integrated body. A method for manufacturing a high-frequency module.

（付記１６）
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記リフレクタと、前記リフレクタと前記アンテナとの間の距離を調整する距離調整部とを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記距離調整部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。 (Appendix 16)
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip, the reflector, and a distance adjusting unit that adjusts a distance between the reflector and the antenna are integrated with the resin to form the integrated body,
16. The method of manufacturing a high-frequency module according to appendix 15, wherein, in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on the side where the distance adjusting portion is exposed. .

（付記１７）
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記誘電体層が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。 (Appendix 17)
Including a step of providing a dielectric layer on the reflector before the step of forming the integrated body;
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the dielectric layer are integrated with the resin to form the integrated body,
16. The method of manufacturing a high-frequency module according to appendix 15, wherein in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on which the dielectric layer is exposed. .

（付記１８）
前記再配線層を形成する工程において、前記誘電体層の表面上に前記アンテナを形成することを特徴とする、付記１７に記載の高周波モジュールの製造方法。
（付記１９）
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設け、前記誘電体層の表面上に前記アンテナを設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層及び前記アンテナが設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記アンテナが露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。 (Appendix 18)
18. The method for manufacturing a high-frequency module according to appendix 17, wherein in the step of forming the rewiring layer, the antenna is formed on a surface of the dielectric layer.
(Appendix 19)
Before the step of forming the integrated body, including a step of providing a dielectric layer on the reflector and providing the antenna on the surface of the dielectric layer;
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the dielectric layer and the antenna are integrated with the resin to form the integrated body,
16. The method of manufacturing a high frequency module according to appendix 15, wherein in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on a side where the antenna is exposed.

（付記２０）
前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに突出部を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記突出部が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記突出部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、付記１５に記載の高周波モジュールの製造方法。 (Appendix 20)
Including a step of providing a protrusion on the reflector before the step of forming the integrated body;
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the protruding portion are integrated with the resin to form the integrated body,
16. The method of manufacturing a high-frequency module according to appendix 15, wherein in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on the side where the protruding portion is exposed.

１ 半導体チップ
１Ｘ 端子
１Ａ グランド端子
２ リフレクタ
２Ｘ、２Ｙ 金属導体
３ 樹脂（モールド樹脂）
４、４Ａ、４Ｘ 集積体
５、５Ｘ アンテナ
５Ａ アンテナ導体
５Ｂ シード層
６、６Ｘ、６Ｙ、６Ｚ、６ＺＡ、６ＺＢ 再配線線路
６Ａ ビア
６Ｂ 線路導体
６Ｃ シード層
７ 再配線層
８ 誘電体層（絶縁層）
８Ａ 誘電体
９ リフレクタブロック
９Ａ バスタブ状金属部材
９ＡＡ 断面Ｕ字状金属部材（断面Ｕ字状導体部材）
９ＡＢ、９ＡＣ 金属部材（導体部材）
９Ｘ 底部
９Ｙ 側部
９ＹＡ、９ＹＢ 突起部
１０ 樹脂層（誘電体層；絶縁層）
１０Ｘ ビアホール
１１ 距離調整部
１２、１２Ａ、１２Ｘ 高周波モジュール
１３ モールド樹脂
１４ 支持基板
１５ シード層
１６、１６Ａ レジストパターン
１６Ｘ、１６ＡＸ 開口部
２０、２０Ａ 基板（実装基板）
２１ はんだ
２２ 絶縁膜
２３、２３Ａ グランド
２４ 導体ピン
２５ 導電性接着剤
２６ 導体ピン
３０ 突出部
３１、３１Ａ、３１Ｂ 基板（実装基板）
３１ＢＸ 開口部
３２ グランド
３３、３４ 導体ピン
３５〜３９ はんだバンプ
４０ 穴 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor chip 1X terminal 1A Ground terminal 2 Reflector 2X, 2Y Metal conductor 3 Resin (mold resin)
4, 4A, 4X Integrated 5, 5X Antenna 5A Antenna conductor 5B Seed layer 6, 6X, 6Y, 6Z, 6ZA, 6ZB Redistribution line 6A Via 6B Line conductor 6C Seed layer 7 Redistribution layer 8 Dielectric layer (insulating layer) )
8A Dielectric 9 Reflector block 9A Bathtub-shaped metal member 9AA Cross-section U-shaped metal member (cross-section U-shaped conductor member)
9AB, 9AC Metal member (conductor member)
9X Bottom portion 9Y Side portion 9YA, 9YB Projection portion 10 Resin layer (dielectric layer; insulating layer)
10X via hole 11 distance adjustment unit 12, 12A, 12X high frequency module 13 mold resin 14 support substrate 15 seed layer 16, 16A resist pattern 16X, 16AX opening 20, 20A substrate (mounting substrate)
21 Solder 22 Insulating film 23, 23A Ground 24 Conductor pin 25 Conductive adhesive 26 Conductor pin 30 Protruding part 31, 31A, 31B Substrate (mounting substrate)
31BX opening 32 ground 33, 34 conductor pin 35-39 solder bump 40 hole

Claims (9)

半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化した集積体と、
前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナと、
前記集積体の表面に設けられ、前記半導体チップと前記アンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層とを備え、
前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側に接し、表面が前記集積体の表面に露出し、かつ、前記樹脂とは異なる材料からなる誘電体層を備えることを特徴とする高周波モジュール。 An integrated body in which a semiconductor chip and a reflector are integrated with a resin;
An antenna provided at a distance from the reflector;
A redistribution layer including a redistribution line provided on the surface of the integrated body and electrically connecting the semiconductor chip and the antenna ,
The high-frequency module , wherein the integrated body includes a dielectric layer that is in contact with the antenna side of the reflector, has a surface exposed to the surface of the integrated body, and is made of a material different from the resin . 前記アンテナは、前記誘電体層の表面上に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1 , wherein the antenna is provided on a surface of the dielectric layer. 前記集積体は、前記リフレクタの前記アンテナ側から突出し、端面が前記集積体の表面に露出する突出部を備え、
前記集積体の前記リフレクタと前記突出部とによって規定される領域に前記誘電体層を備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の高周波モジュール。 The integrated body protrudes from the antenna side of the reflector, and includes a protruding portion whose end face is exposed on the surface of the integrated body ,
Characterized by comprising the dielectric layer in a region defined between the reflector of the stack by the said projecting portion, the high-frequency module according to claim 1 or 2. 前記再配線層は、前記再配線線路としての線路導体と、樹脂層とを含み、The redistribution layer includes a line conductor as the redistribution line, and a resin layer,
前記誘電体層は、前記樹脂層とは異なる材料からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。The high-frequency module according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of a material different from that of the resin layer. 半導体チップとリフレクタとを樹脂で一体化して集積体を形成する工程と、
前記集積体の表面に、前記半導体チップと前記リフレクタに対して間隔をあけて設けられたアンテナとを電気的に接続する再配線線路を含む再配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 Integrating the semiconductor chip and the reflector with resin to form an integrated body;
Forming a redistribution layer including a redistribution line that electrically connects the semiconductor chip and an antenna provided at a distance from the reflector on the surface of the integrated body. A method for manufacturing a high-frequency module. 前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記リフレクタと、前記リフレクタと前記アンテナとの間の距離を調整する距離調整部とを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記距離調整部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。 In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip, the reflector, and a distance adjusting unit that adjusts a distance between the reflector and the antenna are integrated with the resin to form the integrated body,
The high-frequency module manufacturing method according to claim 5 , wherein in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on the side where the distance adjusting portion is exposed. Method. 前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記誘電体層が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。 Including a step of providing a dielectric layer on the reflector before the step of forming the integrated body;
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the dielectric layer are integrated with the resin to form the integrated body,
The high-frequency module manufacturing method according to claim 5 , wherein in the step of forming the redistribution layer, the redistribution layer is formed on a surface of the integrated body where the dielectric layer is exposed. Method. 前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに誘電体層を設け、前記誘電体層の表面上に前記アンテナを設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記誘電体層及び前記アンテナが設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記アンテナが露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。 Before the step of forming the integrated body, including a step of providing a dielectric layer on the reflector and providing the antenna on the surface of the dielectric layer;
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the dielectric layer and the antenna are integrated with the resin to form the integrated body,
6. The method of manufacturing a high-frequency module according to claim 5 , wherein in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on the side where the antenna is exposed. 前記集積体を形成する工程の前に、前記リフレクタに突出部を設ける工程を含み、
前記集積体を形成する工程において、前記半導体チップと、前記突出部が設けられた前記リフレクタとを、前記樹脂で一体化して前記集積体を形成し、
前記再配線層を形成する工程において、前記集積体の前記突出部が露出している側の表面に前記再配線層を形成することを特徴とする、請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。 Including a step of providing a protrusion on the reflector before the step of forming the integrated body;
In the step of forming the integrated body, the semiconductor chip and the reflector provided with the protruding portion are integrated with the resin to form the integrated body,
6. The method of manufacturing a high-frequency module according to claim 5 , wherein in the step of forming the rewiring layer, the rewiring layer is formed on a surface of the integrated body on the side where the protruding portion is exposed. .
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