JP6314257B2 - Extreme ultraviolet light generator - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本開示は、極端紫外光生成装置に関する。 The present disclosure relates to an extreme ultraviolet light generation apparatus.
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、70nm〜45nmの微細加工、さらには32nm以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば32nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長13nm程度の極端紫外(EUV)光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。 In recent years, along with miniaturization of semiconductor processes, miniaturization of transfer patterns in optical lithography of semiconductor processes has been rapidly progressing. In the next generation, fine processing of 70 nm to 45 nm, and further fine processing of 32 nm or less will be required. Therefore, for example, in order to meet the demand for fine processing of 32 nm or less, development of an exposure apparatus combining an apparatus for generating extreme ultraviolet (EUV) light with a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflection optical system is expected. .
EUV光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるLPP(Laser Produced Plasma)式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるDPP(Discharge Produced Plasma)式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるSR(Synchrotron Radiation)式の装置との3種類の装置が提案されている。 As the EUV light generation apparatus, an LPP (Laser Produced Plasma) type apparatus in which plasma generated by irradiating a target material with laser light is used, and a DPP (Discharge Produced Plasma) in which plasma generated by discharge is used. Three types of devices have been proposed: a device of the type and an SR (Synchrotron Radiation) type device using synchrotron radiation.
本開示の1つの観点に係る極端紫外光源装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、チャンバ基準部材と、前記チャンバ基準部材に固定され、少なくとも1つの窓が設けられたチャンバと、複数の光学素子を含み、前記少なくとも1つの窓を通して前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系と、位置決め機構であって、前記複数の光学素子を支持する部材と、前記複数の光学素子を支持する前記部材に固定された3つの脚部と、前記チャンバ基準部材に固定された3つのマウントであって、前記3つの脚部をそれぞれ支持することにより前記レーザ光導入光学系を位置決めする、前記3つのマウントと、を含み、前記レーザ光導入光学系を前記チャンバ基準部材に対して位置決めするように構成された前記位置決め機構と、前記複数の光学素子を支持する前記部材を持ち上げることにより前記3つのマウントに前記3つの脚部をそれぞれ支持させる移動機構と、を備えてもよい。
An extreme ultraviolet light source device according to one aspect of the present disclosure is an extreme ultraviolet light generation device that generates extreme ultraviolet light by irradiating a target material with laser light to turn the target material into plasma, and includes a chamber reference member A laser beam introduction optical system for introducing the laser beam into the chamber through the at least one window, and a chamber fixed to the chamber reference member and provided with at least one window, and a plurality of optical elements. A system, a positioning mechanism, a member that supports the plurality of optical elements, three legs that are fixed to the member that support the plurality of optical elements, and three that are fixed to the chamber reference member a mount, to position the laser beam introduction optical system by supporting the three legs respectively, wherein the said three mounts Said positioning mechanism of the laser beam introduction optical system configured to position relative to the chamber reference member, the three legs in the three mounts by lifting the member supporting the plurality of optical elements And a moving mechanism for supporting each of them.
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。断面図においては当該断面内にある構成物を実線で記載し、当該断面の奥に見える構成物を破線で記載することがある。
<内容>
1.概要
2.極端紫外光生成システムの全体説明
2.1 構成
2.2 動作
3.レーザ光導入光学系を位置決めしたEUV光生成システム(第1の実施形態)
3.1 構成
3.2 動作
4.位置決め機構の例
4.1.第2の実施形態
4.2.第3の実施形態
4.3.第4の実施形態
5.光学素子の例
5.1.第5の実施形態
5.2.第6の実施形態
6.移動機構の例
6.1.第7の実施形態
6.2.第8の実施形態
6.3.第9の実施形態
6.4.第10の実施形態
6.5.第11の実施形態
7.プリパルスレーザが用いられるEUV光生成システム(第12の実施形態)
7.1.構成及び動作
7.2.レーザ光計測器の詳細
8.レーザ光導入光学系を箱に収容したEUV光生成システム(第13の実施形態)
<Contents>
1.
3.1 Configuration 3.2
7.1. Configuration and operation 7.2. Details of the laser beam measuring instrument8. EUV light generation system in which a laser light introducing optical system is housed in a box (13th embodiment)
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Embodiment described below shows some examples of this indication, and does not limit the contents of this indication. In addition, all the configurations and operations described in the embodiments are not necessarily essential as the configurations and operations of the present disclosure. In addition, the same referential mark is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.
1.概要
LPP式のEUV光生成装置では、レーザ装置から出力されるレーザ光を、チャンバ内のターゲット物質に集光して照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化してもよい。プラズマからは、EUV光を含む光が放射されてもよい。放射されたEUV光は、チャンバ内に配置されたEUV集光ミラーによって集光され、露光装置等の外部装置に出力されてもよい。
1. Outline In the LPP type EUV light generation apparatus, the target material may be converted into plasma by condensing and irradiating the laser light output from the laser device onto the target material in the chamber. Light including EUV light may be emitted from the plasma. The emitted EUV light may be collected by an EUV collector mirror disposed in the chamber and output to an external apparatus such as an exposure apparatus.
チャンバ内にレーザ光を導入するための光学系(レーザ光導入光学系)は、高精度に位置決めすることが望ましい。レーザ光導入光学系の位置決め精度が低いと、レーザ光をターゲット物質に照射できず、EUV光の出力が不安定となり得る。 It is desirable that an optical system (laser light introducing optical system) for introducing laser light into the chamber is positioned with high accuracy. If the positioning accuracy of the laser beam introduction optical system is low, the target material cannot be irradiated with the laser beam, and the output of the EUV light may become unstable.
本開示の1つの観点によれば、基準部材にチャンバを固定するとともに、その基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めすることにより、チャンバとレーザ光導入光学系との位置決め精度を向上してもよい。 According to one aspect of the present disclosure, it is possible to improve the positioning accuracy between the chamber and the laser light introduction optical system by fixing the chamber to the reference member and positioning the laser light introduction optical system on the reference member. Good.
2.極端紫外光生成システムの全体説明
2.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2及びターゲット供給装置26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
2. 2. General Description of Extreme Ultraviolet Light Generation System 2.1 Configuration FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system. The EUV
チャンバ2の壁には、少なくとも1つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ21が設けられてもよく、ウインドウ21をレーザ光32が透過してもよい。チャンバ2の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するEUV集光ミラー23が配置されてもよい。EUV集光ミラー23は、第1及び第2の焦点を有し得る。EUV集光ミラー23の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。EUV集光ミラー23は、例えば、その第1の焦点が、プラズマ生成領域25に位置し、その第2の焦点が、中間集光点(IF)292に位置するように配置されるのが好ましい。EUV集光ミラー23の中央部には、レーザ光33を通過させるための貫通孔24が設けられてもよい。
The wall of the
EUV光生成装置1は、EUV光生成制御装置5及びターゲットセンサ4をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ4は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置、速度等を検出してもよい。
The EUV
さらに、EUV光生成装置1は、チャンバ2の内部と露光装置6の内部とを連通させる接続部29を含んでもよい。接続部29内部には、アパーチャが形成された壁291が設けられてもよい。壁291は、そのアパーチャがEUV集光ミラー23の第2の焦点に位置するように配置されるのが好ましい。
Further, the EUV
さらに、EUV光生成装置1は、レーザ光進行方向制御装置34、レーザ光集光ミラー22、ターゲット27を回収するためのターゲット回収部28等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置34は、レーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
Further, the EUV
2.2 動作
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたレーザ光31は、レーザ光進行方向制御装置34を経て、レーザ光32としてウインドウ21を透過して、チャンバ2内に入射してもよい。レーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、レーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
2.2 Operation Referring to FIG. 1, the
ターゲット供給装置26は、ターゲット27をチャンバ2内のプラズマ生成領域25に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット27には、レーザ光33に含まれる少なくとも1つのパルスが照射されてもよい。レーザ光33が照射されたターゲット27はプラズマ化し、そのプラズマから放射光251が放射され得る。放射光251に含まれるEUV光252は、EUV集光ミラー23によって選択的に反射されてもよい。EUV集光ミラー23によって反射されたEUV光252は、中間集光点292を通って露光装置6に出力されてもよい。なお、1つのターゲット27に、レーザ光33に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
The target supply device 26 may be configured to output the
EUV光生成制御装置5は、EUV光生成システム11全体の制御を統括するよう構成されてもよい。EUV光生成制御装置5は、ターゲットセンサ4によって撮像されたターゲット27のイメージデータ等を処理してもよい。また、EUV光生成制御装置5は、例えば、ターゲット27を出力するタイミング、ターゲット27の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、EUV光生成制御装置5は、例えば、レーザ装置3の発振タイミング、レーザ光32の進行方向、レーザ光33の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
The EUV
3.レーザ光導入光学系を位置決めしたEUV光生成システム(第1の実施形態)
3.1 構成
図2Aは、第1の実施形態に係るEUV光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図である。図2Bは、図2Aに示すEUV光生成装置及び露光装置のIIB−IIB線における断面図である。
3. EUV light generation system in which a laser beam introduction optical system is positioned (first embodiment)
3.1 Configuration FIG. 2A is a plan view showing a state where the EUV light generation apparatus according to the first embodiment is connected to an exposure apparatus. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB of the EUV light generation apparatus and exposure apparatus shown in FIG. 2A.
図2A及び図2Bに示すように、EUV光生成装置1は、設置機構7と、チャンバ基準部材9と、チャンバ2とを含んでもよい。図2Bに示す床の表面が、EUV光生成装置1及び露光装置6等が設置される基準面とされてもよい。基準面である床の表面上に設置された設置機構7によってチャンバ基準部材9が支持されてもよい。設置機構7は、チャンバ基準部材9を移動させる機構を含んでもよく、設置機構7によって、チャンバ基準部材9とEUV光生成装置1のチャンバ2とが露光装置6に対して移動可能となってもよい。設置機構7は、チャンバ基準部材9を位置決めする機構を含んでもよく、設置機構7によってチャンバ基準部材9が露光装置6に対して位置決めされて接続されてもよい。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the EUV
チャンバ2は、略円筒形状を有してもよく、略円筒形状を有するチャンバ2の軸方向の一端の開口がチャンバ基準部材9によって塞がれるように、チャンバ基準部材9上に搭載されてもよい。例えば、チャンバ基準部材9に傾斜面が形成され、チャンバ2がチャンバ基準部材9の傾斜面に固定されてもよい。略円筒形状を有するチャンバ2の軸方向は、プラズマ生成領域25と中間集光点292とを結ぶ仮想的軸に沿う方向であってもよい。略円筒形状を有するチャンバ2の軸方向の他端には、接続部29が接続されてもよい。
The
チャンバ2には、ターゲット供給装置26(図1)が取り付けられてもよい。ターゲット供給装置26は、チャンバ2に固定されてもよく、プラズマ生成領域25にターゲットを供給するよう構成されてもよい。
A target supply device 26 (FIG. 1) may be attached to the
チャンバ2内には、EUV集光ミラー23が配置されてもよい。EUV集光ミラー23は、好ましくは、EUV集光ミラーホルダ23aを介してチャンバ基準部材9に固定されてもよい。EUV集光ミラー23をチャンバ基準部材9に固定することにより、チャンバ基準部材9を基準としてEUV集光ミラー23の位置、姿勢等の精度が高められると共に、EUV集光ミラー23の位置、姿勢等の変動が抑制され得る。チャンバ基準部材9を図示しないストッパーに押し付ける等して、露光装置6に対するチャンバ基準部材9の位置を正確に調整することにより、露光装置6に対するEUV集光ミラー23の位置も正確に調整され得る。
An
チャンバ基準部材9内には、貫通孔を介してチャンバ2内部に連通する収納室9aと、収納室9aに隣接する収納室9bとが形成されてもよい。収納室9aと収納室9bとの間には、ウインドウ38が設けられてもよい。これにより、チャンバ2内の圧力が低圧に維持されると共に、チャンバ2内のガスが密閉されてもよい。収納室9bは、蓋9cによって密閉可能であってもよい。
In the
収納室9a内には、高反射ミラー61とレーザ光集光ミラー62とを含むレーザ光集光光学系が配置されてもよい。収納室9b内には、ビームスプリッタ52と高反射ミラー53とを含むレーザ光導入光学系が配置されてもよい。収納室9b内には、さらにレーザ光計測器37が配置されてもよい。
A laser beam focusing optical system including a
高反射ミラー61とレーザ光集光ミラー62とを含むレーザ光集光光学系は、それぞれのホルダによってチャンバ基準部材9に位置決めされて固定されることが望ましい。これにより、EUV集光ミラー23に対するレーザ光集光光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、レーザ光集光光学系の位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光集光光学系によってレーザ光が集光される位置が、EUV集光ミラー23に対して正確に設定され得る。レーザ光集光ミラー62は、軸外放物面ミラーでもよい。
The laser beam focusing optical system including the
ビームスプリッタ52と高反射ミラー53とを含むレーザ光導入光学系は、チャンバ基準部材9に位置決めされて固定されることが望ましい。これにより、レーザ光集光光学系に対するレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、レーザ光導入光学系の位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光がレーザ光集光光学系に入射する位置、角度等が正確に設定され得る。
The laser beam introduction optical system including the
加えて、レーザ光計測器37も、チャンバ基準部材9に位置決めされて固定されることが望ましい。これにより、レーザ光導入光学系に対するレーザ光計測器37の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光導入光学系を介してレーザ光計測器37へ供給されるレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、ダイバージェンス等をその計測器により正確に計測することが可能となる。
In addition, it is desirable that the laser
ビームスプリッタ52、高反射ミラー53及びレーザ光計測器37は、位置決め機構10によってチャンバ基準部材9に位置決めされて固定されてもよい。位置決め機構10の具体例を次の実施形態以降に記載したが、ビームスプリッタ52等の光学素子を位置決めする機構であればよく、その構成は特に実施形態に例示した構成に限定されない。
The
チャンバ基準部材9には、フレキシブル管68を介して光路管66が取り付けられてもよい。光路管66には、高反射ミラー671及び672が配置されてもよい。光路管66は、レーザ装置3に接続されていてもよい。
An
露光装置6は、複数の高反射ミラー6a〜6dを含む反射光学系として構成されてもよい。露光装置6には、マスクテーブルMTと、ワークピーステーブルWTとが設置されてもよい。露光装置6は、マスクテーブルMT上のマスクにEUV光を照射し、マスクの像をワークピーステーブルWT上のワークピース(半導体ウエハ等)に投影してもよい。ここで、マスクテーブルMTとワークピーステーブルWTとを同時に平行移動させることにより、マスクのパターンがワークピース上に転写され得る。
The
3.2 動作
レーザ装置3から出力されるレーザ光が、高反射ミラー671及び672によって反射されることにより、レーザ光がチャンバ基準部材9の収納室9bに向けて供給されてもよい。
3.2 Operation The laser light output from the
収納室9b内に供給されたレーザ光は、レーザ光導入光学系を構成するビームスプリッタ52に入射してもよい。ビームスプリッタ52は、入射したレーザ光を高い反射率で高反射ミラー53に向けて反射すると共に、入射したレーザ光の一部をレーザ光計測器37に向けて透過させてもよい。高反射ミラー53は、ビームスプリッタ52によって反射されたレーザ光を反射することにより、ウインドウ38を介して収納室9a内にレーザ光を導入してもよい。
The laser beam supplied into the
収納室9a内に導入されたレーザ光は、レーザ光集光光学系を構成する高反射ミラー61に入射してもよい。高反射ミラー61は、入射したレーザ光をレーザ光集光ミラー62に向けて反射してもよい。レーザ光集光ミラー62は、高反射ミラー61によって反射されたレーザ光を反射してプラズマ生成領域25に集光してもよい。プラズマ生成領域25において、ターゲット供給装置26(図1)から供給されるターゲットにレーザ光が照射されることにより、そのターゲットがプラズマ化し、EUV光を含む放射光が生成され得る。
The laser beam introduced into the
上述のように、第1の実施形態においては、ビームスプリッタ52と高反射ミラー53とを含むレーザ光導入光学系を位置決め機構10によってチャンバ基準部材9に位置決めしてもよい。従って、レーザ光集光光学系に対するレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ得る。さらに、プラズマ生成領域25の位置に対するレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度も高められ得る。従って、レーザ光をターゲットに精度よく照射し、EUV光の出力を安定化し得る。
As described above, in the first embodiment, the laser beam introduction optical system including the
4.位置決め機構の例
4.1.第2の実施形態
図3Aは、第2の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図3Bは、図3Aに示すEUV光生成装置のIIIB−IIIB線における断面図である。
4). Examples of positioning mechanism 4.1. Second Embodiment FIG. 3A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a second embodiment. 3B is a cross-sectional view taken along the line IIIB-IIIB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 3A.
図3A及び図3Bに示すように、ビームスプリッタ52、高反射ミラー53及びレーザ光計測器37をチャンバ基準部材9に位置決めするための位置決め機構10は、支持プレート10aを含んでもよい。支持プレートは一枚であってもよい。支持プレート10aの上面には、ビームスプリッタ52、高反射ミラー53及びレーザ光計測器37が、それぞれのホルダを介して支持されてもよい。レーザ光計測器37のホルダは図示されていない。支持プレート10aの下面には、3つの脚部71〜73が取り付けられていてもよい。脚部71〜73は、3箇所で支持プレート10aを支持してもよい。脚部71〜73の下端はそれぞれ半球状でもよい。望ましくは、脚部71は、ビームスプリッタ52の位置の直下に設けられてもよい。また、脚部72は、脚部71から見て、ビームスプリッタ52から高反射ミラー53へのレーザ光の進行方向(X軸方向)側に離れた位置に設けられてもよい。脚部72は、レーザ光の光軸の直下に位置するように設けられてもよい。脚部73の設置位置は、ビームスプリッタ52と高反射ミラー53とを結ぶX方向の仮想的な直線からY方向へ離れた位置であってもよい。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the
位置決め機構10は、脚部71〜73がそれぞれ載置されるマウント81〜83を含んでもよい。マウント81〜83は、チャンバ基準部材9の収納室9b内に固定されていてもよい。脚部71〜73がマウント81〜83にそれぞれ載置されることにより、支持プレート10aがチャンバ基準部材9に支持されてもよい。
The
マウント81の上面には、円錐状の窪みが形成されてもよい。マウント82の上面には、断面がV字状の溝が形成されてもよい。マウント82の溝は、ビームスプリッタ52から高反射ミラー53へのレーザ光の光軸と平行な方向(X軸方向)に形成されてもよい。マウント83の上面は、平面状になっていてもよい。なお、図3Bとは逆にマウント81の上面にはV字状の溝が形成され、マウント82の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。
A conical depression may be formed on the upper surface of the
円錐状の窪みを有するマウント81に脚部71が載置されることにより、脚部71がXY平面内の方向には動き難くなり得る。脚部72が断面V字状の溝を有するマウント82に載置されることにより、脚部72は、マウント82の溝に沿った方向に移動できるように支持され得る。すなわち、脚部72は、ビームスプリッタ52から高反射ミラー53へのレーザ光の進行方向(X軸方向)に沿った方向に移動できるように支持され得る。脚部73は、マウント83に載置されることにより、マウント83の上面に沿って移動できるように支持され得る。すなわち、脚部73は、重力方向(Z軸方向)と交差する面内において移動できるように支持され得る。
By placing the
以上の構成によれば、支持プレート10aが熱により膨張または変形した場合でも、収納室9b内部でのレーザ光進行方向が変動することが抑制され得る。これにより、レーザ光集光光学系及びプラズマ生成領域25に対するレーザ光導入光学系等の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ得る。従って、レーザ光をターゲットに精度よく照射し、EUV光の出力を安定化し得る。
その他の点については第1の実施形態と同様でよい。
According to the above configuration, even when the
Other points may be the same as in the first embodiment.
4.2.第3の実施形態
図4Aは、第3の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図4Bは、図4Aに示すEUV光生成装置のIVB−IVB線における断面図である。
4.2. Third Embodiment FIG. 4A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a third embodiment. 4B is a cross-sectional view taken along line IVB-IVB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 4A.
第3の実施形態においては、位置決め機構10を構成する支持プレート10aの下面に、ビームスプリッタ52、高反射ミラー53及びレーザ光計測器37が、それぞれのホルダを介して支持されてもよい。高反射ミラー53を支持するホルダには、レーザ光を通過させる貫通孔54が形成されていてもよい。支持プレート10aの上面には、脚部71〜73(図3B)の代わりに吊下部71b〜73bが取り付けられていてもよい。吊下部71b〜73bはそれぞれ半球状の突起部を有してもよい。望ましくは、吊下部71bの半球状の突起部は、ビームスプリッタ52の位置の直上に設けられてもよい。また、吊下部72bの半球状の突起部は、吊下部71bから見て、ビームスプリッタ52から高反射ミラー53へのレーザ光の進行方向(X軸方向)側に離れた位置に設けられてもよい。吊下部72bの半球状の突起部は、レーザ光の光軸の直上に位置するように設けられてもよい。吊下部73bの設置位置は、ビームスプリッタ52と高反射ミラー53とを結ぶX方向の仮想的な直線からY方向へ離れた位置であってもよい。
In the third embodiment, the
位置決め機構10は、吊下部71b〜73bがそれぞれ載置されるマウント81b〜83bを含んでもよい。マウント81b〜83bは、チャンバ基準部材9の収納室9b内に吊下げられた状態で固定されていてもよい。吊下部71b〜73bがマウント81b〜83bにそれぞれ載置されることにより、支持プレート10aがチャンバ基準部材9に支持されてもよい。
The
マウント81bの上面には、円錐状の窪みが形成されてもよい。マウント82bの上面には、断面がV字状の溝が形成されてもよい。マウント82bの溝は、ビームスプリッタ52から高反射ミラー53へのレーザ光の光軸と平行な方向(X軸方向)に形成されてもよい。マウント83bの上面は、平面状になっていてもよい。なお、図4Bとは逆にマウント81bの上面にはV字状の溝が形成され、マウント82bの上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。
その他の点については第2の実施形態と同様でよい。
A conical depression may be formed on the upper surface of the
Other points may be the same as in the second embodiment.
4.3.第4の実施形態
図5Aは、第4の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図5Bは、図5Aに示すEUV光生成装置のVB−VB線における断面図である。
第4の実施形態において、位置決め機構10のマウント81c〜83cの上面は、平面状になっていてもよい。
4.3. Fourth Embodiment FIG. 5A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a fourth embodiment. 5B is a cross-sectional view taken along the line VB-VB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 5A.
In the fourth embodiment, the upper surfaces of the
支持プレート10aのYZ平面に平行な側面には、2つの当接部材74c及び75cが取り付けられていてもよい。当接部材74cの側面には、断面がV字状の溝が形成されてもよい。当接部材74cに形成された溝は、重力方向(Z方向)に沿った方向に形成されていてもよい。当接部材75cの側面は、平面状になっていてもよい。
Two
位置決め機構10は、円柱状のストッパー84c及び85cを含んでもよい。ストッパー84c及び85cは、それらの軸方向が重力方向と一致するような姿勢で、それらの各底面がチャンバ基準部材9の収納室9b内に固定されていてもよい。図5Bでは当接部材75cと円柱状のストッパー85cの図示が省略されている。
The
下端が半球状である脚部71〜73がマウント81c〜83cの平面状の上面にそれぞれ載置されることにより、支持プレート10aは重力方向(Z方向)には動き難く、且つX軸周りの回転やY軸周りの回転はし難くなり得る。断面V字状の溝を有する当接部材74cが円柱状のストッパー84cに押し付けられることにより、支持プレート10aは、ストッパー84cの位置を中心としてXY平面に平行に回転できるように支持され得る。当接部材75cがストッパー85cに押し付けられることにより、支持プレート10aが位置決めされ得る。
Since the
支持プレート10aの側面には、当接部材74cと当接部材75cとの間の位置に、弾性部材76cが取り付けられてもよい。弾性部材76cは、ばねでもよい。当接部材74c及び75cがそれぞれストッパー84c及び85cに押し付けられた時に、弾性部材76cがチャンバ基準部材9の収納室9b内に固定されたストッパー86cに押し付けられてもよい。これにより、当接部材74c及び75cがそれぞれストッパー84c及び85cに押し付けられた時の衝撃を吸収し得る。
An
また、支持プレート10aの側面には、弾性部材76cと反対側の位置に、弾性部材77cが取り付けられてもよい。弾性部材77cは、ばねでもよい。蓋9cによって収納室9bを密閉した時に、蓋9cに固定された押圧部材87cが弾性部材77cを押圧してもよい。これにより、蓋9cによって収納室9bを密閉した時に、当接部材74c及び75cをそれぞれストッパー84c及び85cに押し付け得る。これにより、支持プレート10aに支持されたレーザ光導入光学系がチャンバ基準部材9に位置決めされ得る。
その他の点については第2の実施形態と同様でよい。
An
Other points may be the same as in the second embodiment.
5.光学素子の例
5.1.第5の実施形態
図6Aは、第5の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図6Bは、図6Aに示すEUV光生成装置のVIB−VIB線における断面図である。
5. Examples of optical elements 5.1. Fifth Embodiment FIG. 6A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a fifth embodiment. 6B is a cross-sectional view taken along the line VIB-VIB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 6A.
チャンバ基準部材9には、チャンバ2に連通する収納室9a(図2B)が形成されずに、収納室9bが形成されてもよい。チャンバ基準部材9に、ウインドウ38が設けられることにより、収納室9bとチャンバ2との間が密封されるとともに、収納室9bからチャンバ2にレーザ光が透過し得るように構成されていてもよい。
The
収納室9bに配置される位置決め機構10の支持プレート10aには、レーザ光集光光学系63が、ホルダ631を介して支持されてもよい。レーザ光集光光学系63は、少なくとも1つのレンズ、少なくとも1つのミラー又はこれらの組合せを含んでもよい。
支持プレート10aを支持するための脚部71等の配置は、第2の実施形態と同様でもよい。
The laser beam condensing
The arrangement of the
第5の実施形態においては、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系と、レーザ光集光光学系63とを、まとめて位置決め機構10によってチャンバ基準部材9に位置決めしてもよい。これにより、プラズマ生成領域25に対するレーザ光集光光学系及びレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ得る。従って、レーザ光をターゲットに精度よく照射し、EUV光の出力を安定化し得る。
その他の点については、第2の実施形態と同様でよい。なお、マウント81の上面にはV字状の溝が形成され、マウント82の上面には円錐状の窪みが形成されるようにしてもよい。
In the fifth embodiment, even if the laser beam introduction optical system including the
About another point, it may be the same as that of 2nd Embodiment. Note that a V-shaped groove may be formed on the upper surface of the
5.2.第6の実施形態
図7Aは、第6の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図7Bは、図7Aに示すEUV光生成装置のVIIB−VIIB線における断面図である。
5.2. Sixth Embodiment FIG. 7A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a sixth embodiment. 7B is a cross-sectional view taken along the line VIIB-VIIB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 7A.
第6の実施形態においては、位置決め機構10を構成する支持プレート10aの上面に、戻り光計測器39がホルダを介して支持されてもよい。戻り光計測器39は、ビームスプリッタ52の位置から見て、高反射ミラー53とはX方向の反対側の位置に配置されてもよい。プラズマ生成領域25からの戻り光が、高反射ミラー53及びビームスプリッタ52を介して戻り光計測器39の受光面に入射してもよい。プラズマ生成領域25からの戻り光は、ターゲットによって反射されたレーザ光の一部を含んでもよい。ビームスプリッタ52と戻り光計測器39の受光面との間に結像光学系(図示せず)が配置されてもよく、結像光学系は、戻り光計測器39の受光面に、レーザ光を照射されたターゲットの像が結像するように構成されてもよい。戻り光計測器39によって戻り光を計測することにより、ターゲットにレーザ光が所望のフォーカス状態(例えば、ベストフォーカス)で照射されたか否かが判定されてもよい。
In the sixth embodiment, the return
脚部71は、高反射ミラー53の位置の直下に設けられてもよい。また、脚部72は、戻り光計測器39の位置の直下に設けられてもよい。
第6の実施形態においては、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系と、戻り光計測器39とを、まとめて位置決め機構10によってチャンバ基準部材9に位置決めしてもよい。これにより、プラズマ生成領域25からの戻り光を正確に計測し得る。
その他の点については、第2の実施形態と同様でよい。なお、図7Bとは逆にマウント81の上面にはV字状の溝が形成され、マウント82の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。
The
In the sixth embodiment, the laser beam introduction optical system including the
About another point, it may be the same as that of 2nd Embodiment. In contrast to FIG. 7B, a V-shaped groove may be formed on the upper surface of the
6.移動機構の例
6.1.第7の実施形態
図8Aは、第7の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図8Bは、図8Aに示すチャンバ基準部材及びその内部のVIIIB−VIIIB線における断面図である。図8Cは、図8Aに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す正面図である。図8Dは、図8Cに示すチャンバ基準部材及びその内部のVIIID−VIIID線における断面図である。
6). Example of moving mechanism 6.1. Seventh Embodiment FIG. 8A is a front view of a chamber reference member and the interior of an EUV light generation apparatus according to a seventh embodiment. 8B is a cross-sectional view taken along the line VIIIB-VIIIB in the chamber reference member shown in FIG. 8A and the inside thereof. FIG. 8C is a front view showing a state in which the laser beam introduction optical system is positioned on the chamber reference member shown in FIG. 8A. 8D is a cross-sectional view taken along the line VIIID-VIIID of the chamber reference member shown in FIG. 8C and the inside thereof.
図8A〜図8Dに示すように、チャンバ基準部材9の収納室9bには、一対のレール41及び42と、駆動機構43及び44と、を含む移動機構が設けられてもよい。一対のレール41及び42は、互いに平行に且つ同じ高さで配置されていてもよい。駆動機構43及び44は、レール41及び42をそれぞれ同じ距離だけ上下動させるように構成されてもよい。一方、支持プレート10aには、レール41に沿って移動可能な車輪101a及び101bと、レール42に沿って移動可能な車輪102a及び図示しないもう1つの車輪とが設けられてもよい。
As shown in FIGS. 8A to 8D, the
支持プレート10aの下面には、脚部71〜73が取り付けられていてもよい。チャンバ基準部材9の収納室9b内に、脚部71〜73がそれぞれ載置されるマウント81〜83が固定されていてもよい。マウント81の上面には、円錐状の窪みが形成されてもよい。マウント82の上面には、断面がV字状の溝が形成されてもよい。マウント83の上面は、平面状になっていてもよい。
車輪101a、101b及び102a等をレール41及び42に沿って移動させることにより、支持プレート10aが移動し得る。支持プレート10aの脚部71がマウント81の上方に達した時に、駆動機構43及び44がそれぞれレール41及び42を下降させてもよい(図8C及び図8D)。これにより、脚部71〜73が各々マウント81〜83に載置され、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系がチャンバ基準部材9に位置決めされてもよい。その後、蓋9c(図3B)によって収納室9bが密閉されてもよい。
The
レーザ光導入光学系の交換その他のメンテナンス時には、駆動機構43及び44がレール41及び42を上昇させてもよい。その後、支持プレート10aをレール41及び42に沿って移動させることにより、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系を収納室9b内部から外部へ取り出すことができる。
During replacement or other maintenance of the laser beam introduction optical system, the
第7の実施形態によれば、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材9に位置決めする作業、及び、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材9から取り出す作業の負荷を軽減し得る。
その他の点については、第2の実施形態と同様でよい。
According to the seventh embodiment, it is possible to reduce the load of the operation of positioning the laser light introduction optical system on the
About another point, it may be the same as that of 2nd Embodiment.
6.2.第8の実施形態
図9Aは、第8の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図9Bは、図9Aに示すチャンバ基準部材及びその内部のIXB−IXB線における断面図である。図9Cは、図9Aに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す正面図である。図9Dは、図9Cに示すチャンバ基準部材及びその内部のIXD−IXD線における断面図である。
6.2. Eighth Embodiment FIG. 9A is a front view of a chamber reference member and the interior of an EUV light generation apparatus according to an eighth embodiment. 9B is a cross-sectional view taken along line IXB-IXB of the chamber reference member shown in FIG. 9A and the inside thereof. FIG. 9C is a front view showing a state in which the laser beam introduction optical system is positioned on the chamber reference member shown in FIG. 9A. 9D is a cross-sectional view taken along line IXD-IXD of the chamber reference member shown in FIG. 9C and the inside thereof.
第8の実施形態においては、駆動機構43及び44(図8A〜図8D)によってレール41及び42を上下動させる代わりに、車輪101a、101b及び102a等に対して支持プレート10aを相対的に上下動させてもよい。レール41,42は互いに平行に、且つそれぞれが収納室9b内部の底面に固定されていてもよい。
支持プレート10aには、駆動機構103a及び103b、104a及び図示しないもう1つの駆動機構が設けられてもよい。これらの駆動機構は、車輪101a、101b、102a及び図示しないもう1つの車輪に対して支持プレート10aを上下動させるように構成されてもよい。
In the eighth embodiment, instead of moving the
The
車輪101a、101b及び102a等をレール41及び42に沿って移動させることにより、支持プレート10aが移動し得る。支持プレート10aの脚部71がマウント81の上方に達した時に、駆動機構103a、103b及び104a等が支持プレート10aを引き下げてもよい(図9C及び図9D)。これにより、支持プレート10aが下降し、脚部71〜73が各々マウント81〜83に載置され、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系がチャンバ基準部材9に位置決めされてもよい。その後、蓋9c(図3B)によって収納室9bが密閉されてもよい。このとき、車輪101a、101b及び102a等はレール41及び42と接触していなくともよい。
The
レーザ光導入光学系の交換その他のメンテナンス時には、駆動機構103a、103b及び104a等が支持プレート10aを押し上げることにより、支持プレート10aを上昇させてもよい。その後、支持プレート10aをレール41及び42に沿って移動させることにより、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系を収納室9b内部から外部へ取り出すことができる。
その他の点については、第7の実施形態と同様でよい。
At the time of replacement or other maintenance of the laser beam introduction optical system, the
About another point, it may be the same as that of 7th Embodiment.
6.3.第9の実施形態
図10Aは、第9の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図10Bは、図10Aに示すチャンバ基準部材及びその内部のXB−XB線における断面図である。図10Cは、図10Aに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す平面図である。図10Dは、図10Cに示すチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図10Eは、図10Dに示すチャンバ基準部材及びその内部のXE−XE線における断面図である。
6.3. Ninth Embodiment FIG. 10A is a front view of the chamber reference member and the interior of an EUV light generation apparatus according to a ninth embodiment. 10B is a cross-sectional view taken along line XB-XB of the chamber reference member shown in FIG. 10A and the interior thereof. 10C is a plan view showing a state in which the laser beam introduction optical system is positioned on the chamber reference member shown in FIG. 10A. 10D is a front view of the chamber reference member shown in FIG. 10C and the inside thereof. 10E is a cross-sectional view taken along line XE-XE of the chamber reference member shown in FIG. 10D and the interior thereof.
図10A〜図10Eに示すように、チャンバ基準部材9の収納室9bには、一対のレール41及び42を含む移動機構が設けられてもよい。それらのレールは互いに平行、且つ同じ高さに設置されていてもよい。一方、支持プレート10aには、レール41に沿って移動可能な複数の車輪101c及び101dと、レール42に沿って移動可能な複数の車輪102c及び102dとが設けられてもよい。車輪101c及び102cがレール41及び42上を移動し、車輪101d及び102dがレール41及び42の側面を移動することにより、支持プレート10aが移動可能とされてもよい。このとき、車輪101dとレール41の側面との間、及び、車輪102dとレール42の側面との間には、僅かな隙間が生じてもよい。
As shown in FIGS. 10A to 10E, the
支持プレート10aの下面には、脚部71e〜73eが取り付けられていてもよい。脚部71e〜73eの下端には、それぞれボールベアリングが設けられていてもよい。上面が平面状であるマウント81e〜83eには、傾斜部81f〜83fが隣接していてもよい。
支持プレート10aを図10Bの右方向に移動させると、脚部71e〜73eがそれぞれ傾斜部81f〜83fの傾斜面に接触し得る(図10A及び図10B)。そのまま支持プレート10aを移動させると、脚部71e〜73eがそれぞれ傾斜部81f〜83fの傾斜面に乗り上げ得る。そして、車輪101c及び102cがそれぞれレール41及び42から離れ得る。一方、車輪101d及び102dはそれぞれレール41及び42の側面に接触しながら移動してもよい。そのままさらに支持プレート10aを移動させると、脚部71e〜73eがそれぞれ傾斜部81f〜83fの傾斜面を移動し、上面が平面状であるマウント81e〜83eに到達し得る。そして、第4の実施形態で説明したように、当接部材74c及び75cがストッパー84c及び85cにそれぞれ押し付けられることにより、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系が位置決めされ得る(図10C〜図10E)。このとき、当接部材74c及び75cがストッパー84c及び85cにそれぞれ押し付けられて位置決めされるので、車輪101d及び102dはレール41及び42の側面にそれぞれ接触していなくともよい。
その他の点についても、第4の実施形態と同様でよい。
When the
Other points may be the same as in the fourth embodiment.
6.4.第10の実施形態
図11Aは、第10の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部と移動機構とを示す一部断面図である。図11Bは、図11Aに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す一部断面図である。
6.4. Tenth Embodiment FIG. 11A is a partial cross-sectional view illustrating a chamber reference member, an inside thereof, and a moving mechanism of an EUV light generation apparatus according to a tenth embodiment. 11B is a partial cross-sectional view showing a state where the laser beam introduction optical system is positioned on the chamber reference member shown in FIG. 11A.
図11A及び図11Bに示すように、EUV光生成装置1の移動機構は、台車110を含んでもよい。台車110は、台車フレーム111と、車輪112と、支柱113と、レール114と、駆動部115と、支持部116と、を備えてもよい。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the moving mechanism of the EUV
台車フレーム111には、複数の車輪112が設けられていてもよい。車輪112が床の上を転がることにより、台車110が床の上を移動可能であってもよい。支柱113は、床面に対して略垂直となるように台車フレーム111に固定されていてもよい。駆動部115は、レール114を、台車フレーム111に対して上下動させてもよい。レール114は、床面に対して略水平となる姿勢を維持しつつ、台車フレーム111に対して上下動可能となるように、移動方向を支柱113によって規制されてもよい。支持部116は、レール114に沿って移動可能であってもよい。支持部116は、その上に支持プレート10aを保持してもよい。
The
支持プレート10aを保持した支持部116がレール114に沿って移動することにより、支持プレート10aが移動可能とされてもよい。支持プレート10aがレール114に沿って移動し、脚部71〜73がそれぞれマウント81〜83の上方に達した時に、駆動部115がレール114を下降させてもよい(図11B)。これにより、脚部71〜73がそれぞれマウント81〜83に載置され、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系が位置決めされてもよい。その後、駆動部115がレール114をさらに下降させてもよい。そして、支持プレート10aを支持部116から分離し、台車110を取り去ってもよい。
The
レーザ光導入光学系の交換その他のメンテナンス時には、台車110を図11Bの位置に設置してもよく、駆動部115がレール114を上昇させてもよい。その後、支持プレート10aを保持した支持部116をレール114に沿って移動させることにより、ビームスプリッタ52及び高反射ミラー53を含むレーザ光導入光学系を収納室9b内部から外部へ取り出すことができる。
At the time of replacement or other maintenance of the laser beam introduction optical system, the
第10の実施形態によれば、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材9に位置決めする作業、及び、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材9から取り出す作業の負荷を軽減し得る。
その他の点については、第2の実施形態と同様でよい。なお、図11Bとは逆にマウント81の上面にはV字状の溝が形成され、マウント82の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。
According to the tenth embodiment, it is possible to reduce the load of the operation of positioning the laser light introduction optical system on the
About another point, it may be the same as that of 2nd Embodiment. In contrast to FIG. 11B, a V-shaped groove may be formed on the upper surface of the
6.5.第11の実施形態
図12Aは、第11の実施形態に係るEUV光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部と移動機構とを示す一部断面図である。図12Bは、図12Aに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す一部断面図である。
6.5. Eleventh Embodiment FIG. 12A is a partial cross-sectional view showing a chamber reference member, an inside thereof, and a moving mechanism of an EUV light generation apparatus according to an eleventh embodiment. 12B is a partial cross-sectional view showing a state where the laser beam introduction optical system is positioned on the chamber reference member shown in FIG. 12A.
図12A及び図12Bに示すように、EUV光生成装置1の移動機構は、台車110を含んでもよい。台車110の構成及び動作は、第10の実施形態におけるものと同様でよい。
第11の実施形態によれば、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材9に位置決めする作業、及び、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材9から取り出す作業の負荷を軽減し得る。
その他の点については、第3の実施形態と同様でよい。
As shown in FIGS. 12A and 12B, the moving mechanism of the EUV
According to the eleventh embodiment, it is possible to reduce the load of positioning the laser beam introduction optical system on the
Other points may be the same as in the third embodiment.
7.プリパルスレーザが用いられるEUV光生成システム(第12の実施形態)
7.1.構成及び動作
図13Aは、第12の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図13Bは、図13Aに示すEUV光生成装置のXIIIB−XIIIB線における断面図である。
7). EUV light generation system using a pre-pulse laser (12th embodiment)
7.1. Configuration and Operation FIG. 13A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a twelfth embodiment. FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line XIIIB-XIIIB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 13A.
第12の実施形態においては、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してターゲットを拡散させ、この拡散したターゲットにメインパルスレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化する方式が用いられてもよい。例えば、YAGレーザ装置から出力される波長1.06μmのレーザ光をプリパルスレーザ光として用い、炭酸ガス(CO2)レーザ装置から出力される波長10.6μmのレーザ光をメインパルスレーザ光として用いてもよい。 In the twelfth embodiment, a method may be used in which the target is diffused by irradiating the target with prepulse laser light, and the target is turned into plasma by irradiating the diffused target with main pulse laser light. For example, laser light with a wavelength of 1.06 μm output from a YAG laser device is used as prepulse laser light, and laser light with a wavelength of 10.6 μm output from a carbon dioxide (CO 2 ) laser device is used as main pulse laser light. Also good.
ドロップレット状のターゲットの径やプリパルスレーザ光の光強度等の条件にもよるが、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットの表面からプリプラズマが生成され得る。プリプラズマとは、ターゲットの内で、プリパルスレーザ光が照射された表面付近の部分がイオン又は中性粒子を含む蒸気になったものをいう。このようなプリプラズマが生成される現象を、レーザアブレーションともいう。
或いは、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、ターゲットが破壊され得る。破壊されたターゲットは、プリプラズマの噴出による反力等によって拡散し得る。
Although depending on conditions such as the diameter of the droplet-shaped target and the light intensity of the prepulse laser beam, preplasma can be generated from the surface of the target irradiated with the prepulse laser beam when the target is irradiated with the prepulse laser beam. The pre-plasma is a target in which a portion near the surface irradiated with the pre-pulse laser beam becomes a vapor containing ions or neutral particles. Such a phenomenon that pre-plasma is generated is also called laser ablation.
Alternatively, when the target is irradiated with prepulse laser light, the target can be destroyed. The destroyed target can be diffused by a reaction force caused by the ejection of the pre-plasma.
このように、ターゲットに対するプリパルスレーザ光の照射により生成されたプリプラズマ及び破壊されたターゲットの内の少なくとも一方を含むターゲットを、本明細書では拡散ターゲットと称する。 In this specification, a target including at least one of pre-plasma generated by irradiating the target with pre-pulse laser light and a destroyed target is referred to as a diffusion target in this specification.
プリパルスレーザ光の照射により生成された拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することにより、拡散ターゲットがプラズマ化し得る。この方式によれば、メインパルスレーザ光のみでターゲットをプラズマ化してEUV光を含む光を生成する方式よりも、高い効率でEUV光を含む光を放出することが期待される。 By irradiating the diffusion target generated by the irradiation with the pre-pulse laser beam with the main pulse laser beam, the diffusion target can be turned into plasma. According to this method, it is expected to emit light including EUV light with higher efficiency than a method of generating light including EUV light by converting a target into plasma using only main pulse laser light.
図13Aに示すように、レーザ装置3a及びレーザ装置3bの一方がプリパルスレーザ光を出力するためのプリパルスレーザ装置であり、他方がメインパルスレーザ光を出力するためのメインパルスレーザ装置であってもよい。この実施形態ではレーザ装置3aがプリパルスレーザ装置であり、レーザ装置3bがメインパルスレーザ装置である場合を例に説明する。レーザ装置3aがメインパルスレーザ装置であり、レーザ装置3bがプリパルスレーザ装置である場合には、以下の説明においてプリパルスレーザ装置とメインパルスレーザ装置とを入れ替える。
As shown in FIG. 13A, one of the
チャンバ基準部材9には、フレキシブル管68a及び68bを介してそれぞれ光路管66a及び66bが取り付けられてもよい。光路管66a内及び66b内には、それぞれ高反射ミラー67a及び67bが配置されてもよい。光路管66a及び66bは、それぞれレーザ装置3a及び3bに接続されていてもよい。
位置決め機構10の支持プレート10aの上面には、ビームスプリッタ58、高反射ミラー59、ビームスプリッタ52、高反射ミラー53、レーザ光計測器37、及び、戻り光計測器39が、それぞれのホルダを介して支持されてもよい。円錐状の窪みを有するマウント81に載置される脚部71は、高反射ミラー53の位置の直下に設けられてもよい。断面V字状の溝を有するマウント82に載置される脚部72は、高反射ミラー59の位置の直下に設けられてもよい。なお、図13Bとは逆にマウント81の上面にはV字状の溝が形成され、マウント82の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。
On the upper surface of the
ビームスプリッタ58は、プリパルスレーザ光を高い透過率で透過させてもよい。高反射ミラー59は、メインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。ビームスプリッタ58を透過したプリパルスレーザ光は、ビームスプリッタ52の第1の面(図13Aにおける右側の面)に入射してもよい。高反射ミラー59によって反射されたメインパルスレーザ光は、ビームスプリッタ52の第2の面(図13Aにおける左側の面)に入射してもよい。
The
ビームスプリッタ52は、第1の面に入射したプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー53に向けて反射してもよい。また、ビームスプリッタ52は、第1の面に入射したプリパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器37に向けて透過させてもよい。
The
また、ビームスプリッタ52は、第2の面に入射したメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー53に向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ52は、第2の面に入射したメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器37に向けて反射してもよい。
Further, the
レーザ光計測器37は、ビームスプリッタ52を透過したプリパルスレーザ光に含まれる波長の光と、ビームスプリッタ52によって反射されたメインパルスレーザ光に含まれる波長の光とに感度を持つ受光面を有してもよい。
The laser
ビームスプリッタ52は、プリパルスレーザ光の進行方向とメインパルスレーザ光の進行方向とを略一致させるレーザ光結合器として機能してもよい。このようなビームスプリッタ52の基板材料としては、ダイヤモンドが用いられてもよい。
The
高反射ミラー53は、ビームスプリッタ52によって反射されたプリパルスレーザ光と、ビームスプリッタ52を透過したメインパルスレーザ光とを高い反射率で反射してもよい。
The
プリパルスレーザ光を出射した時から予め定めた時間だけ経過した後にメインパルスレーザ光が出射するように、レーザ装置3a及びレーザ装置3bが制御されてもよい。高反射ミラー53によって順次反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ウインドウ38を高い透過率で透過してもよい。ウインドウ38を透過したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、高反射ミラー61によって高い反射率で反射されてもよい。高反射ミラー61によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、レーザ光集光ミラー62によって、それぞれプラズマ生成領域25に集光されてもよい。ターゲットにプリパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットが生成され、その後、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからEUV光を含む光が放射され得る。
The
一方、プラズマ生成領域25からの戻り光が、高反射ミラー53、ビームスプリッタ52及びビームスプリッタ58を介して戻り光計測器39の受光面に入射してもよい。ビームスプリッタ58と戻り光計測器39の受光面との間に結像光学系(図示せず)が配置されてもよく、結像光学系は、戻り光計測器39の受光面に、プリパルスレーザ光を照射されたターゲットの像が結像するように構成されてもよい。戻り光計測器39によって戻り光を計測することにより、ターゲットにプリパルスレーザ光が所望のフォーカス状態(例えば、ベストフォーカス)で照射されたか否かが判定されてもよい。
その他の点については、第2の実施形態と同様でよい。
On the other hand, the return light from the
About another point, it may be the same as that of 2nd Embodiment.
第12の実施形態によれば、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してから拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する場合においても、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光をターゲットに精度よく照射し得る。 According to the twelfth embodiment, even when the target pulse is irradiated with the main pulse laser beam after the target is irradiated with the pre-pulse laser beam, the target can be accurately irradiated with the pre-pulse laser beam and the main pulse laser beam.
7.2.レーザ光計測器の詳細
図14は、第12の実施形態において用いられるレーザ光計測器の構成例を示す。ビームスプリッタ52の第1の面にはプリパルスレーザ光が入射し、ビームスプリッタ52の第2の面にはメインパルスレーザ光が入射してもよい。プリパルスレーザ光はビームスプリッタ52の第1の面で反射されてもよい。また、メインパルスレーザ光はビームスプリッタ52を透過してもよい。ビームスプリッタ52で反射されたプリパルスレーザ光及び、ビームスプリッタ52を透過したメインパルスレーザ光はチャンバ2内に導入されてもよい。一方、プリパルスレーザ光の一部はビームスプリッタ52を透過してもよい。また、メインパルスレーザ光の一部はビームスプリッタ52の第2の面で反射されてもよい。ビームスプリッタ52を透過したプリパルスレーザ光の一部及び、ビームスプリッタ52で反射されたメインパルスレーザ光の一部はサンプル光として、ビームスプリッタ52aに入射してもよい。
7.2. Details of Laser Light Measuring Instrument FIG. 14 shows a configuration example of a laser light measuring instrument used in the twelfth embodiment. The pre-pulse laser beam may be incident on the first surface of the
サンプル光の光路上には、ビームスプリッタ52aと高反射ミラー52bとが配置されてもよい。ビームスプリッタ52aは、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光を高い透過率で透過させてもよい。高反射ミラー52bは、メインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。
A
ビームスプリッタ52aにおいて反射されたプリパルスレーザ光の光路には、ビームスプリッタ78aと、集光光学系79aと、転写光学系80aと、ビームプロファイラ56a及び57aと、が配置されてもよい。
A
ビームスプリッタ78aは、サンプル光の一部を転写光学系80aに向けて透過させ、他の一部を集光光学系79aに向けて反射してもよい。転写光学系80aは、サンプル光の光路上の任意の位置A1におけるビーム断面をビームプロファイラ57aの受光面に転写してもよい。ビームプロファイラ57aの設置位置は、転写光学系80aの焦点距離よりも、転写光学系80aから離れた位置であってもよい。集光光学系79aは、ビームスプリッタ78aによって反射された光を、ビームプロファイラ56aの受光面に集光してもよい。ビームプロファイラ56aの設置位置は、集光光学系79aから所定距離F離れた位置であってもよい。所定距離Fは、集光光学系79aの焦点距離でよい。
The
ビームプロファイラ56a及び57aは、受光面にそれぞれ結像及び転写されたビームプロファイル(例えば光の強度分布)のデータを出力してもよい。ビームプロファイラ57aからの出力に基づいて、位置A1におけるレーザ光のビーム幅が算出されてもよい。さらに、ビームプロファイラ56aからの出力に基づいて、集光されたサンプル光のスポット幅を算出してもよい。これらビームプロファイラ56aからの出力とビームプロファイラ57bからの出力とにより、プリパルスレーザ光の進行方向及び波面の曲率が算出されてもよい。波面の曲率の計算に必要なデータは、ビームスプリッタ52と52aとの間の任意の位置からビームプロファイラ56aまでの光路長と、当該任意の位置からビームプロファイラ57aまでの光路長との光路長差、集光されたサンプル光のスポット幅、ビームプロファイル(例えばビーム径)等であってもよい。これらのデータから計算したプリパルスレーザ光のダイバージェンスに基づき、波面の曲率が計算されてもよい。
The
同様に、高反射ミラー52bにおいて反射されたメインパルスレーザ光の光路にも、ビームスプリッタ78bと、集光光学系79bと、転写光学系80bと、ビームプロファイラ56b及び57bと、が配置されてもよい。これにより、メインパルスレーザ光の進行方向及び波面の曲率が算出されてもよい。
Similarly, a
8.レーザ光導入光学系を箱に収容したEUV光生成システム(第13の実施形態)
図15Aは、第13の実施形態に係るEUV光生成装置の平面図である。図15Bは、図15Aに示すEUV光生成装置のXVB−XVB線における断面図である。
8). EUV light generation system in which a laser light introducing optical system is housed in a box (13th embodiment)
FIG. 15A is a plan view of an EUV light generation apparatus according to a thirteenth embodiment. 15B is a cross-sectional view taken along line XVB-XVB of the EUV light generation apparatus shown in FIG. 15A.
第13の実施形態においては、チャンバ基準部材9に形成された収納室9bに、フレキシブル管68cを介して箱9dが接続されてもよい。収納室9b内には、高反射ミラー53が収容されてもよい。箱9d内には、ビームスプリッタ58、高反射ミラー59、ビームスプリッタ52、レーザ光計測器37、及び、戻り光計測器39が収容されてもよい。
In the thirteenth embodiment, the
箱9dの下面には、3つの脚部71〜73が取り付けられていてもよい。脚部72については図示が省略されている。チャンバ基準部材9の外面には、脚部71〜73がそれぞれ載置されるマウント81〜83が固定されていてもよい。円錐状の窪みを有するマウント81に載置される脚部71は、ビームスプリッタ58の位置の直下に設けられてもよい。断面V字状の溝を有するマウント82に載置される脚部72は、レーザ光計測器37の位置の直下に設けられてもよい。マウント82の溝は、ビームスプリッタ52からレーザ光計測器37へのレーザ光の光軸と平行な方向に形成されてもよい。これにより箱9dをチャンバ基準部材9に位置決めしてもよい。
Three
箱9dには、フレキシブル管68a及び68bを介してそれぞれ光路管66a及び66bが取り付けられてもよい。光路管66a内及び66b内には、それぞれ高反射ミラー67a及び67bが配置されてもよい。光路管66a及び66bは、それぞれレーザ装置3a及び3bに接続されていてもよい。
箱9dには、高反射ミラー59及びビームスプリッタ52を含むレーザ光導入光学系を吊下げるための少なくとも1つのアイボルト9eが、移動機構として取り付けられてもよい。メンテナンス時等、フレキシブル管68cを外した後、少なくとも1つのアイボルト9eに、例えばクレーンのフックを係合させて吊下げることにより、レーザ光導入光学系を収容した箱9dを移動させることができる。
その他の点については、第12の実施形態と同様でよい。
At least one
Other points may be the same as in the twelfth embodiment.
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。 The above description is intended to be illustrative only and not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the embodiments of the present disclosure without departing from the scope of the appended claims.
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「1つの」は、「少なくとも1つ」又は「1又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。 Terms used throughout this specification and the appended claims should be construed as "non-limiting" terms. For example, the terms “include” or “included” should be interpreted as “not limited to those described as included”. The term “comprising” should be interpreted as “not limited to what is described as having”. Also, the modifier “one” in the specification and the appended claims should be interpreted to mean “at least one” or “one or more”.
1…EUV光生成装置、2…チャンバ、3、3a、3b…レーザ装置、4…ターゲットセンサ、5…EUV光生成制御装置、6…露光装置、6a、6b、6c、6d…高反射ミラー、7…設置機構、9…チャンバ基準部材、9a、9b…収納室、9c…蓋、9d…箱、9e…アイボルト、10…位置決め機構、10a…支持プレート、11…EUV光生成システム、21…ウインドウ、22…レーザ光集光ミラー、23…EUV集光ミラー、23a…EUV集光ミラーホルダ、24…貫通孔、25…プラズマ生成領域、26…ターゲット供給装置、27…ターゲット、28…ターゲット回収部、29…接続部、31、32、33…レーザ光、34…レーザ光進行方向制御装置、37…レーザ光計測器、38…ウインドウ、39…戻り光計測器、41、42…レール、43…駆動機構、52、52a…ビームスプリッタ、52b、53…高反射ミラー、54…貫通孔、56a、56b、57a、57b…ビームプロファイラ、58…ビームスプリッタ、59、61…高反射ミラー、62…レーザ光集光ミラー、63…レーザ光集光光学系、66、66a、66b…光路管、67a、67b…高反射ミラー、68、68a、68b、68c…フレキシブル管、71、72、73…脚部、71b、72b、73b…吊下部、71e、72e、73e…脚部、74c、75c…当接部材、76c、77c…弾性部材、78a、78b…ビームスプリッタ、79a、79b…集光光学系、80a、80b…転写光学系、81、81b、81c、81e、82、82b、82c、82e、83、83b、83c、83e…マウント、81f、82f、83f…傾斜部、84c、85c、86c…ストッパー、87c…押圧部材、101a、101b、101c、101d、102a、102c、102d…車輪、103a、103b、104a…駆動機構、110…台車、111…台車フレーム、112…車輪、113…支柱、114…レール、115…駆動部、116…支持部、251…放射光、252…EUV光、291…壁、292…中間集光点、631…ホルダ、671、672…高反射ミラー、MT…マスクテーブル、WT…ワークピーステーブル
DESCRIPTION OF
Claims (10)
チャンバ基準部材と、
前記チャンバ基準部材に固定され、少なくとも1つの窓が設けられたチャンバと、
複数の光学素子を含み、前記少なくとも1つの窓を通して前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系と、
位置決め機構であって、
前記複数の光学素子を支持する部材と、
前記複数の光学素子を支持する前記部材に固定された3つの脚部と、
前記チャンバ基準部材に固定された3つのマウントであって、前記3つの脚部をそれぞれ支持することにより前記レーザ光導入光学系を位置決めする、前記3つのマウントと、
を含み、前記レーザ光導入光学系を前記チャンバ基準部材に対して位置決めするように構成された前記位置決め機構と、
前記複数の光学素子を支持する前記部材を持ち上げることにより前記3つのマウントに前記3つの脚部をそれぞれ支持させる移動機構と、
を備える極端紫外光生成装置。 An extreme ultraviolet light generation device that generates extreme ultraviolet light by irradiating a target material with laser light to turn the target material into plasma,
A chamber reference member;
A chamber fixed to the chamber reference member and provided with at least one window;
A laser beam introduction optical system including a plurality of optical elements and for introducing the laser beam into the chamber through the at least one window;
A positioning mechanism,
A member that supports the plurality of optical elements ;
Three legs fixed to the member supporting the plurality of optical elements;
Three mounts fixed to the chamber reference member, the three mounts positioning the laser light introduction optical system by supporting the three legs, respectively;
Wherein the said positioning mechanism configured to position the laser beam introduction optical system with respect to the chamber reference member,
A moving mechanism for supporting the three legs on the three mounts by lifting the member supporting the plurality of optical elements;
An extreme ultraviolet light generator.
前記複数の光学素子を支持する前記部材に取り付けられた複数の車輪を含み、前記レーザ光導入光学系を第1の方向に移動可能な第1の機構と、
前記レーザ光導入光学系が前記第1の機構によって前記第1の方向に移動可能な第1の位置から、前記レーザ光導入光学系が前記位置決め機構によって位置決めされる第2の位置に、前記レーザ光導入光学系と、前記複数の光学素子を支持する前記部材と、前記複数の車輪と、を前記第1の方向と異なる第2の方向に持ち上げて移動可能な第2の機構と、
を含む、請求項1記載の極端紫外光生成装置。 The moving mechanism is
A first mechanism that includes a plurality of wheels attached to the member that supports the plurality of optical elements, and that is capable of moving the laser light introducing optical system in a first direction;
The laser beam introduction optical system is moved from the first position where the laser beam introduction optical system can be moved in the first direction by the first mechanism to the second position where the laser beam introduction optical system is positioned by the positioning mechanism. A second mechanism capable of moving by lifting a light introduction optical system , the member supporting the plurality of optical elements, and the plurality of wheels in a second direction different from the first direction ;
The including extreme ultraviolet light generating apparatus according to claim 1, wherein.
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