JP6308025B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子と内部配線を有する樹脂層とを備える発光装置及びその製造方法に関する。

発光ダイオード等の半導体発光素子を用いた発光装置は小型化が容易で、かつ高い発光効率が得られることから広く用いられている。
半導体発光素子を用いた発光装置は、大別すると、半導体発光素子にパッド電極を設ける面が、実装基板と反対側の面であるフェイスアップ型と、実装基板と対向する面である半導体発光素子の下面に電極を設けたフェイスダウン型の２種類がある。

フェイスアップ型では半導体発光素子をリード等にマウントし、半導体発光素子とリードとの間をボンディングワイヤ等により接続する。このため、実装基板に実装して同基板の表面に垂直な方から平面視した場合、ボンディングワイヤの一部が半導体発光素子よりも外側に位置する必要があり小型化に限界があった。

一方、フェイスダウン型（フリップチップ型）では、半導体発光素子の表面に設けたパッド電極と、実装基板上に設けた配線とを、実装基板の表面に垂直な方向から平面視した場合に半導体発光素子の大きさの範囲内に位置するバンプ又は金属ピラー等の接続手段により電気的に接続することが可能である。
これにより、発光装置のサイズ（とりわけ実装基板に垂直な方向から平面視したサイズ）を発光素子のチップに近いレベルまで小型化したＣＳＰ（Chip Size Package又はChip Scale Package）を実現することができる。

そして、最近ではより一層の小型化を進めるため、又は発光効率をより高めるために、サファイア等の成長基板（透光性基板）を除去、又はその厚さを薄くしたフェイスダウン型の発光装置が用いられている。

成長基板は、その上に発光素子を構成するｎ型半導体層及びｐ型半導体層を成長させるために用いる基板であって、厚さが薄く強度の低い半導体発光素子を支持することにより発光装置の強度を向上させる効果も有している。
このため、半導体発光素子を形成した後に、成長基板を除去した発光装置又は成長基板の厚さを薄くした発光装置では、例えば、特許文献１に示されるように、半導体発光素子を支持するために電極側（実装基板と対向する側）に樹脂層を設けるとともに、この樹脂層を貫くように金属ピラーや他の配線からなる内部配線を形成して、電極と外部端子とを電気的に接続するように構成している。
そして、この内部配線を含む樹脂層を有することで発光装置は十分な強度を確保することができる。

特開２０１１−１８７６７９号公報

ここで、前記したような、電極側に樹脂層を設けた発光装置を、導電性の接着材料として、例えば半田を用いてリフロー法などによって実装基板に実装する際に、溶融した半田が樹脂層の側面に沿って這い上がり、半導体層に達することがある。特許文献１に記載された発光装置のように、半導体層に絶縁膜で被覆されない箇所を有する構成の場合は、這い上がってきた半田によって、回路が短絡する恐れがある。また、半田が半導体層にまで達して光取り出し面が汚損されると、光取り出し効率が低下する。
そこで、本発明は、実装時に溶融した半田などの接着部材が半導体発光素子まで這い上がることを防止して、信頼性の高い実装が可能な発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。

前記した課題を解決するために、本発明の実施形態に係る発光装置は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられる第２樹脂層と、を備え、前記第１樹脂層は、内部に前記電極と電気的に接続される第１金属層を有し、前記第２樹脂層は、内部に前記第１金属層と電気的に接続される第２金属層を有し、前記第２金属層の上面が、前記第２樹脂層から露出するとともに、平面視において、前記第２樹脂層の側面が、前記第１樹脂層の側面よりも内側となるように設けられるように構成する。

また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、前記半導体積層体の一方の面側に、前記電極が設けられた領域の一部に開口を有する第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程と、前記第１樹脂層の開口内に第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、前記第１樹脂層上に感光性樹脂材料を設けた後、フォトリソグラフィ法によって、前記第１金属層が形成された領域に開口を有し、かつ平面視において前記第１樹脂層の側面よりも内側に配置される第２樹脂層を、前記感光性樹脂材料から形成する第２樹脂層形成工程と、前記第２樹脂層の開口内に第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、前記ウエハを前記半導体発光素子の境界線に沿って切断することで、複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含む。

本発明の実施形態に係る発光装置によれば、実装時に第１樹脂層と第２樹脂層との間に設ける段差によって、実装面からこれらの樹脂層を這い上がってくる接着部材の上昇を阻止して、半導体層へ到達することを防ぐことができるため、信頼性の高い実装を可能とする。
また、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、第１樹脂層と第２樹脂層との間に第２露出部を有する前記した構成の発光装置を容易に製造することができる。

本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示す模式的斜視図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）はｐ型半導体層及びカバー電極の配置領域を示し、（ｂ）は光反射電極の配置領域を示す。 本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）は層間絶縁膜の配置領域を示し、（ｂ）はｎ側電極及びｐ側電極の配置領域を示す。 本発明の実施形態に係る発光装置の層構造を示す模式的平面図であり、（ａ）は第１樹脂層及び第１金属層の配置領域を示し、（ｂ）は第２樹脂層及び第２金属層の配置領域を示す。 本発明の実施形態に係る発光装置を、実装基板に実装する様子を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は半導体積層体形成工程、（ｂ）は光反射電極形成工程、（ｃ）はカバー電極形成工程、（ｄ）はｎ型半導体層露出工程、（ｅ）は層間絶縁膜形成工程を示す。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるパッド電極形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるマスク形成工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第１樹脂層形成工程、（ｂ）は第１金属層形成工程、（ｃ）は第２樹脂層形成工程を示す。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程の一部を示す模式的断面図であり、（ａ）は第２金属層形成工程、（ｂ）はマスク除去工程を示す。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程におけるパッド電極分離工程を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造工程における成長基板除去工程を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態の変形例に係る発光装置の構成を示す模式的断面図である。

以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、斜視図、平面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

また、本発明の各実施形態に係る発光装置において、「上」、「下」、「左」及び「右」などは、状況に応じて入れ替わるものである。本明細書において、「上」、「下」などは、説明のために参照する図面において構成要素間の相対的な位置を示すものであって、特に断らない限り絶対的な位置を示すことを意図したものではない。

［発光装置の構成］
まず、図１〜図５を参照して、本発明の実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
なお、図１（ｂ）に示す断面図は、図１（ａ）に示す平面図のＩ−Ｉ線における断面を模式的に示したものである。図１（ａ）に示したＩ−Ｉ線上の位置Ａ１〜Ａ６と、図１（ｂ）に矢印で示した位置Ａ１〜Ａ６とが、対応しているが、断面構造を分かりやすく示すために、図１（ｂ）の断面図における距離間隔は、図１（ａ）の平面図における距離間隔（部材の長さ）を適宜に伸長又は短縮して示しているため、両図面における距離間隔は一致していない。また、後記する他の断面図についても、特に断らない限り図１（ｂ）と同様に、図１（ａ）に示す平面図のＩ−Ｉ線に相当する断面を示すものである。
また、図３〜図５は、本実施形態に係る発光装置１００の積層構造を説明するために、層ごとに平面視での配置領域をハッチングを施して示すものである。

本実施形態に係る発光装置１００は、図１〜図５に示すように、外形が略正四角柱形状をしており、成長基板が除去されたＬＥＤ（発光ダイオード）構造を有する半導体発光素子１（以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ）と、発光素子１の一方の面側に設けられた支持体２とから構成されるＣＳＰである。また、詳細は後記するが、発光装置１００は、ウエハレベルで作製されるＷＣＳＰ（ウエハプロセスによるＣＳＰ）である。

発光素子１の一方の面側（図１（ｂ）における上面）には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられるとともに、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２が積層してなる支持体２が設けられている。また、第１樹脂層２１内と第２樹脂層２２内とには、それぞれ、内部配線として第１金属層（ｎ側第１金属層）３１ｎ及び第１金属層（ｐ側第１金属層）３１ｐと、第２金属層（ｎ側第２金属層）３２ｎ及び第２金属層（ｐ側第２金属層）３２ｐとが設けられている。第２金属層３２ｎは、第１金属層３１ｎを介してｎ側電極１３と導通しており、第２金属層３２ｐは、第１金属層３１ｐを介してｐ側電極１５と導通しており、第２樹脂層２２から露出した第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、外部と電気的に接続するための実装面となっている。また、発光素子１の下面側が、光取り出し面である。

また、第１樹脂層２１と第２樹脂層２２との境界には、平面視で第２樹脂層２２の外縁が第１樹脂層２１の外縁よりも内側となるように、間隔ｄの段差２３が設けられている。また、第１樹脂層２１の側面にも、平面視で、下部の外縁が、上部の外縁よりも内側となるように段差２１ｂが設けられている。

なお、本実施形態では、発光素子１は、半導体積層体１２を半導体材料の結晶成長により形成する際に用いる成長基板１１（図８（ａ）参照）が除去されているが、成長基板１１をそのまま又は研磨により薄肉化して有するようにしてもよい。また、成長基板１１を剥離した後の半導体積層体１２の裏面側に、又は成長基板１１の裏面側に、蛍光体を含有する蛍光体層を設けるようにしてもよい。

次に、発光装置１００の各部の構成について順次に詳細に説明する。
発光素子１は、平面視で略正方形をした板状の形状を有しており、一方の面側にｎ側電極１３及びｐ側電極１５を備えたフェイスダウン型のＬＥＤチップである。

発光素子１は、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとを積層した半導体積層体１２を備えている。半導体積層体１２は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流を通電することにより発光するようになっており、ｎ型半導体層１２ｎとｐ型半導体層１２ｐとの間に活性層１２ａを備えることが好ましい。

図１及び図３（ａ）に示すように、半導体積層体１２には、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在しない領域、すなわちｐ型半導体層１２ｐの表面から凹んでｎ型半導体層１２ｎが露出した領域（この領域を「第１露出部１２ｂ」と呼ぶ）が形成されている。発光素子１は、平面視で、円形の第１露出部１２ｂが、４個ずつ３列に合計で１２個が設けられている。第１露出部１２ｂの底面はｎ型半導体層１２ｎの露出面であり、第１露出部１２ｂの底面の一部に設けられた層間絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されている。

また、半導体積層体１２の外周に沿って、ｐ型半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが存在せず、ｎ型半導体層１２ｎが露出した領域である第２露出部１２ｃが設けられている。第２露出部１２ｃは、ウエハ状態の発光素子１の境界線４０（図８（ｄ）参照）に沿った領域である境界領域（ダイシングストリート）に設けられ、ウエハ状態の発光素子１を個片化する際の切り代となる領域の残りである。
なお、第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃは、完成した発光装置１００においては、層間絶縁膜１６、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２などによって全部又は一部が被覆されているが、便宜的に「露出部」と呼ぶ。

また、平面視において半導体積層体１２の外縁となる側面、すなわち、ｎ型半導体層１２ｎの外縁となる側面は、層間絶縁膜１６及び第１樹脂層２１の何れによっても被覆されていない。ウエハレベルプロセスによる発光装置１００の製造工程の最後の工程である個片化工程Ｓ１１５（図７参照）において半導体積層体１２が割断され、当該割断面が平面視で外縁となる側面として形成される。このため、個片化された発光装置１００において、半導体積層体１２の外縁となる側面は露出した状態となり、広配光タイプの発光装置とすることができる。

また、図１（ｂ）、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、半導体積層体１２のｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面には、光反射電極１４ａ及びカバー電極１４ｂが積層された全面電極１４が設けられている。すなわち、図３（ａ）において、ハッチングを施した領域が、ｐ型半導体層１２ｐ及びカバー電極１４ｂが設けられた領域である。また、光反射電極１４ａは、上面及び側面がカバー電極１４ｂで被覆されており、図３（ｂ）においてハッチングを施して示すように、平面視で、カバー電極１４ｂが配置された領域に包含される内側の領域に配置されている。

また、図１（ｂ）及び図４（ａ）に示すように、全面電極１４の上面及び側面、半導体積層体１２の上面及び側面（図４（ａ）において網掛けのハッチングを施した領域）には、層間絶縁膜１６が設けられている。層間絶縁膜１６は、第１露出部１２ｂの底面に開口部１６ｎを有するとともに、カバー電極１４ｂ上の一部に開口部１６ｐを有する。開口部１６ｎは、１２カ所に設けられた各第１露出部１２ｂの底面において、円形形状に設けられており、開口部１６ｐは、カバー電極１４ｂ上の１０カ所に角に丸みを帯びた矩形形状に設けられている。また、層間絶縁膜１６は、第２露出部１２ｃの底面にも開口部を有している。
なお、層間絶縁膜１６は、第２露出部１２ｃにおいては開口部を有さずに、ｎ型半導体層１２ｎの上面を端部まで被覆するようにしてもよい。

また、図１（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、発光素子１のｐ側のパッド電極であるｐ側電極１５が、開口部１６ｐにおいてカバー電極１４ｂと電気的に接続されるとともに、層間絶縁膜１６を介して、図４（ｂ）における右半分の領域のカバー電極１４ｂの上面及び第２露出部１２ｃの側面及び底面の一部に延在するように形成されている。
また、発光素子１のｎ側のパッド電極であるｎ側電極１３が、開口部１６ｎにおいてｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されるとともに、層間絶縁膜１６を介して、第１露出部１２ｂの底面及び側面、ｐ側電極１５が設けられた領域及びその近傍を除くカバー電極１４ｂの上面及び側面及び第２露出部１２ｃの側面及び底面に延在するように設けられている。
すなわち、発光素子１は、半導体積層体１２の一方の面側に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の両方が設けられている。
また、このように、ｎ側電極１３又は／及びｐ側電極１５を、発光素子１の上面及び側面に広範囲に設けることにより、後記する支持体３の樹脂層３１に対して効率的に熱を伝導させる、発光装置１００の放熱性を向上させることがきる。

半導体積層体１２（ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐ）は、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよいが、組成及び膜厚等の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。

全面電極１４は、電流拡散層及び光反射層としての機能を有するものであり、光反射電極１４ａとカバー電極１４ｂとを積層して構成されている。
光反射電極１４ａは、ｐ型半導体層１２ｐの上面の略全面を覆うように設けられる。また、光反射電極１４ａの上面及び側面の全体を被覆するように、カバー電極１４ｂが設けられている。光反射電極１４ａは、カバー電極１４ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に設けられたｐ側電極１５を介して供給される電流を、ｐ型半導体層１２ｐの全面に均一に拡散するための層である。また、光反射電極１４ａは良好な光反射性を有し、発光素子１が発光する光を、光取り出し面である下方向に反射する層としても機能する。

光反射電極１４ａは、良好な導電性と光反射性とを有する金属材料を用いることができる。特に可視光領域で良好な反射性を有する金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、光反射電極１４ａは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。

また、カバー電極１４ｂは、光反射電極１４ａを構成する金属材料のマイグレーションを防止するためのバリア層である。
カバー電極１４ｂとしては、良好な導電性とバリア性とを有する金属材料を用いることができ、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、ＡｌＣｕ合金などを用いることができる。また、カバー電極１４ｂは、これらの金属材料を単層で、又は積層したものが利用できる。
なお、図１において、カバー電極１４ｂの平面視での配置領域を、便宜的にｐ型半導体層１２ｐの配置領域と一致するように記載しているが、カバー電極１４ｂはｐ型半導体層１２ｐよりも僅かに内側に設けられる。後記する製造工程図においても同様である。

ｎ側電極１３は、１２カ所に設けられた第１露出部１２ｂの底面における層間絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと電気的に接続されている。このように広範囲に亘る箇所でｎ型半導体層１２ｎと接続することにより、ｎ側電極１３を介して供給される電流を、ｎ型半導体層１２ｎに均等に拡散できるため、発光効率を向上させることができる。
また、ｐ側電極１５は、カバー電極１４ｂの上面の１０カ所に設けられた層間絶縁膜１６の開口部１６ｐにおいて、カバー電極１４ｂと電気的に接続されている。
図５（ａ）に示すように、ｎ側電極１３の上面には、１０個の第１金属層３１ｎがｎ側電極１３と電気的に接続されるように設けられ、ｐ側電極１５の上面には、１０個の第１金属層３１ｐがｐ側電極１５と電気的に接続されるように設けられている。

ｎ側電極１３及びｐ側電極１５としては、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。なお、合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金（ＡＳＣ）のように、組成元素としてＳｉなどの非金属元素を含有するものであってもよい。また、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。

層間絶縁膜（絶縁膜）１６は、半導体積層体１２及び全面電極１４の上面及び側面を被覆する膜である。層間絶縁膜１６は、発光素子１の保護膜及び帯電防止膜として機能する。また、層間絶縁膜１６の上面の広範囲には、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が相補的に延在して設けられている。層間絶縁膜１６としては、金属酸化物や金属窒化物を用いることができ、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。また、層間絶縁膜１６として、屈折率の異なる２種以上の透光性誘電体を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。

なお、図１に示した発光素子１は、一例を示したものであり、これに限定されるものではない。発光素子１は、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５が半導体積層体１２の一方の面側に設けられていればよく、第１露出部１２ｂ、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５の配置領域などは適宜に定めることができる。また、第１露出部１２ｂに代えて、又は加えて、第２露出部１２ｃでｎ型半導体層１２ｎとｎ側電極１３とが電気的に接続されるようにしてもよい。

支持体２は、平面視で発光素子１の外形と略同形状の、四角柱形状をしており、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５が設けられた面側と接合するように設けられ、成長基板１１（図８（ａ）参照）が除去された発光素子１の構造を機械的に保つための補強部材である。支持体２は、第１金属層３１ｎ，３１ｐを内部に有する第１樹脂層２１と、第２金属層３２ｎ，３２ｐを内部に有する第２樹脂層２２とを積層して構成されている。
なお、図１に示した発光装置１００は、平面視において、支持体２が発光素子１に内包されるように構成されているが、平面視で重なるように構成されてもよく、支持体２が発光素子１を内包するように構成されてもよい。

第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２からなる積層体は、発光素子１の補強部材としての母体である。第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２は、図１に示すように、平面視で、発光素子１の外形形状とほぼ同じであるが、第２樹脂層２２の外形が第１樹脂層２１の外形に内包されるように形成されている。このため、第１樹脂層２１と第２樹脂層２２の厚さ方向の境界において段差２３が形成されている。
また、第１樹脂層２１の側面は、平面視において下部が上部に内包されるように段差２１ｂが形成されており、半導体積層体１２（特に、ｎ型半導体層１２ｎ）から外部に出射された光が、第１樹脂層２１に遮光されるのを軽減することができる。

第１樹脂層２１は、内部配線として、厚さ方向に貫通するように、１０個の第１金属層３１ｎと、１０個の第１金属層３１ｐとを有している。
また、第２樹脂層２２は、内部配線として、厚さ方向に貫通するように、１個の第２金属層３２ｎと、１個の第２金属層３２ｐとを有している。

第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２の樹脂材料としては、当該分野で公知のものを使用することができるが、フォトレジストとして用いられる感光性樹脂材料を用いることが好ましい。感光性樹脂材料を用いることにより、フォトリソグラフィ法によって、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を容易にパターニングすることができる。

第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を合わせた厚さは、成長基板が剥離や薄肉化された発光素子１の補強部材として十分な強度を有するように下限を定めることができる。
例えば、補強部材としての観点からは第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を合わせた厚さが３０μｍ程度以上とすることが好ましく、９０μｍ程度以上とすることが更に好ましい。
また、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２における金属の体積の割合と発光素子１の発熱量とを勘案して、十分な放熱性が得られるように、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を合わせた厚さの上限を定めることができ、例えば１５０μｍ程度以下が好ましく、１２０μｍ程度以下とすることが更に好ましい。

第１金属層（ｎ側第１金属層）３１ｎは、第１樹脂層２１の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、発光素子１の電極であるｎ側電極１３と、外部と接続するための電極となる第２金属層３２ｎとを電気的に接続するためのｎ側の内部配線である。
本実施形態では、発光装置１００の左半分の領域におけるｎ側電極１３（図４（ｂ）参照）上に、図５（ａ）に示すように、５個ずつ２列に配列した１０個の第１金属層３１ｎ（図５（ａ）において、右上がりの斜線のハッチングを施した領域）が設けられている。

第１金属層（ｐ側第１金属層）３１ｐは、第１樹脂層２１の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、発光素子１の電極であるｐ側電極１５と、外部と接続するための電極となる第２金属層３２ｐとを電気的に接続するためのｐ側の内部配線である。
本実施形態では、発光装置１００の右半分の領域におけるｐ側電極１５（図４（ｂ）参照）上に、図５（ａ）に示すように、５個ずつ２列に配列した１０個の第１金属層３１ｐ（図５（ａ）において、右下がりの斜線のハッチングを施した領域）が設けられている。

第２金属層（ｎ側第２金属層）３２ｎは、第２樹脂層２２の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、上面が、外部と接続するための実装面となるｎ側の内部配線である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、発光装置１００の左半分の領域に１個の第２金属層３２ｎが設けられ、第２金属層３２ｎの下面には、１０個の第１金属層３１ｎの上面が電気的に接続されている。

第２金属層（ｐ側第２金属層）３２ｐは、第２樹脂層２２の内部に厚さ方向に貫通するように設けられ、上面が、外部と接続するための実装面となるｐ側の内部配線である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態では、発光装置１００の右半分の領域に１個の第２金属層３２ｐが設けられ、第２金属層３２ｐの下面には、１０個の第１金属層３１ｐの上面が電気的に接続されている。

また、本実施形態では、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、第２樹脂層２２の上面と同一平面となるように形成されているが、これに限定されるものではなく、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面が、第２樹脂層２２の上面より低くなるように形成してもよく、高く形成するようにしてもよい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面は、平面ではなく、凹凸形状を有するようにしてもよい。

また、第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐは、発光素子１が発生した熱を放熱するための熱伝達経路としても機能する。そのため、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２に対する金属の体積の比率が大きい方が好ましい。

第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐとしては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を好適に用いることができる。また、第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐを複数種類の金属を用いた積層構造としてもよい。特に、上面が実装面となる第２金属層３２ｎ，３２ｐは、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた実装基板との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐの下層部がＣｕなどの、Ａｕ以外の金属で形成されている場合は、Ａｕとの密着性を高めるために、上層部をＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのような、積層構造としてもよい。
また、接着部材としてＳｎ−ＣｕやＳｎ−Ｓｇ−Ｃｕなどの半田を用いることもできる。その場合は、第２金属層３２ｎ，３２ｐの最上層を、用いる接着部材と良好な密着性が得られる材料で構成することが好ましい。
第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐは、電解メッキ法により形成することができる。第１金属層３１ｎ，３１ｐ及び第２金属層３２ｎ，３２ｐの形成方法の詳細については後記する。

［発光装置の実装］
次に、図６を参照して、発光装置１００を実装基板に実装する際の、半田の這い上がりの防止について説明する。
図６に示すように、発光装置１００は、配線パターン９２が設けられた実装基板９１の実装面と、支持体２が設けられた側の面、すなわち第２金属層３２ｎ，３２ｐの第２樹脂層２２からの露出面とが対向するようにしてフェイスダウン実装される。従って、図６における発光装置１００は、図１（ｂ）とは上下が逆になっている。
発光装置１００の実装基板９１への実装は、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田などの接着部材９３を用いて、リフロー法によって行われる。

実装時に、第２金属層３２ｎと配線パターン９２との間、及び第２金属層３２ｐと配線パターン９２との間に予め設けられた接着部材９３が溶融し、その後に接着部材９３が冷却されることにより、第２金属層３２ｎ，３２ｐと配線パターン９２とが強固に接合される。

ここで、接着部材９３が溶融して液体の状態のときに、過剰な接着部材９３が、第２金属層３２ｎ，３２ｐと配線パターン９２との間からはみ出し、更に、第２樹脂層２２の側面に沿って這い上がる。このとき、第２樹脂層２２と第１樹脂層２１との境界に段差２３が設けられているため、この段差２３によって溶融した接着部材９３がせき止められ、更に第１樹脂層２１の側面に沿って這い上がることが防止される。
図１に示すように、第１樹脂層２１と第２樹脂層２２との間の段差２３の間隔をｄとすると、間隔ｄは、１μｍ以上１０μｍ以下程度とすることが好ましく、１μｍ以上５μｍ以下程度とすることが更に好ましい。これによって、より効果的に半田の這い上がりを防止することができる。

また、図６に示した例では、第１樹脂層２１の側面にも段差２１ｂが設けられているため、溶融した接着部材９３が第２樹脂層２２と第１樹脂層２１との境界の段差２３を乗り越えて、第１樹脂層２１の側面に沿って這い上がることがあっても、接着部材９３は段差２１ｂにトラップされ、更に這い上がることが抑制される。なお、第１樹脂層２１の側面に形成される段差２１ｂの間隔は、前記した第１樹脂層２１と第２樹脂層２２との間の段差２３の間隔ｄと同程度とすることが好ましい。
このように、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２からなる樹脂層の側面に段差２３を設けることにより、好ましくは更に段差２１ｂを設けることにより、接着部材９３の這い上がりを阻止し、半田が半導体積層体１２の露出した側面にまで到達することを防止することができる。

［発光装置の動作］
次に、図１及び図６を参照して、発光装置１００の動作について説明する。
発光装置１００は、外部との接続用の正負電極である第２金属層３２ｎ，３２ｐに、実装基板９１を介して外部電源が接続されると、第１金属層３１ｎ，３１ｐを介して、発光素子１のｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給される。そして、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５間に電流が供給されると、発光素子１の活性層１２ａが発光する。

発光素子１の活性層１２ａが発光した光は、半導体積層体１２内を伝播して、発光素子１の下面（図６においては上面）又は側面から出射して、外部に取り出される。
なお、発光素子１内を上方向（図６においては下方向）に伝播する光は、光反射電極１４ａによって反射され、発光素子１の下面（図６においては上面）から出射して、外部に取り出される。

［発光装置の製造方法］
次に、図７を参照して、図１に示した発光装置１００の製造方法について説明する。
図７に示すように、発光装置１００の製造方法は、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、光反射電極形成工程Ｓ１０２と、カバー電極形成工程Ｓ１０３と、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４と、層間絶縁膜形成工程Ｓ１０５と、パッド電極形成工程Ｓ１０６と、マスク形成工程Ｓ１０７と、第１樹脂層形成工程Ｓ１０８と、第１金属層形成工程Ｓ１０９と、第２樹脂層形成工程Ｓ１１０と、第２金属層形成工程Ｓ１１１と、マスク除去工程Ｓ１１２と、パッド電極分離工程Ｓ１１３と、成長基板除去工程Ｓ１１４と、個片化工程Ｓ１１５と、を含み、この順で各工程が行われる。
また、半導体積層体形成工程Ｓ１０１〜パッド電極形成工程Ｓ１０６が、ウエハ状態の発光素子１を準備するウエハ準備工程として含まれ、光反射電極形成工程Ｓ１０２及びカバー電極形成工程Ｓ１０３が、全面電極形成工程として含まれる。

以下、図８〜図１４を参照（適宜図１〜図５及び図７参照）して、各工程について詳細に説明する。なお、図８〜図１４において、各部材について、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。
また、ウエハレベルでの発光装置１００の製造工程において、多数の発光素子が２次元配列した状態で各工程が行われる。図８〜図１４では、多数の発光素子の配列の内で、断面図においては２個の発光素子について、平面図においては２×２＝４個の発光素子について示したものである。
また、図８〜図１４に示した断面図は、図１（ｂ）に示した断面図と同様に、図１（ａ）のＩ−Ｉ線に相当し、発光素子が２個分の断面を示したものである。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、まず、複数の発光素子１が一枚の成長基板１１上に配列された発光素子１を準備するウエハ準備工程を行う。ウエハ準備工程では、前記したように、半導体積層体形成工程Ｓ１０１と、光反射電極形成工程Ｓ１０２と、カバー電極形成工程Ｓ１０３と、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４と、層間絶縁膜形成工程Ｓ１０５と、パッド電極形成工程Ｓ１０６とが含まれる。

まず、半導体積層体形成工程Ｓ１０１において、図８（ａ）に示すように、サファイアなどからなる成長基板１１の上面に、前記した半導体材料を用いて、ｎ型半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ型半導体層１２ｐを順次積層して半導体積層体１２を形成する。

次に、光反射電極形成工程Ｓ１０２において、図８（ｂ）に示すように、光反射電極１４ａを所定の領域に形成する。光反射電極１４ａは、リフトオフ法により形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィ法により、光反射電極１４ａを配置する領域に開口を有するレジストパターンを形成した後、ウエハ全面にスパッタリング法や蒸着法などによりＡｇなどの前記した反射性の良好な金属膜を成膜する。そして、レジストパターンを除去することにより、金属膜がパターニングされ、光反射電極１４ａが形成される。

次に、カバー電極形成工程Ｓ１０３において、図８（ｃ）に示すように、光反射電極１４ａの上面及び側面を被覆するように、カバー電極１４ｂを形成する。カバー電極１４ｂは、所定の金属材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法などによりウエハ全面に金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１４ｂを配置する領域に開口を有するレジストパターンを形成する。そして、当該レジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより金属膜がパターニングされ、その後にレジストパターンを除去することでカバー電極１４ｂが形成される。

次に、ｎ型半導体層露出工程Ｓ１０４において、図８（ｄ）に示すように、半導体積層体１２の一部の領域について、図８（ｄ）に示すように、ｐ型半導体層１２ｐ、活性層１２ａ及びｎ型半導体層１２ｎの一部をドライエッチングにより除去して、ｎ型半導体層１２ｎが底面に露出する第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃを形成する。
なお、ドライエッチングの際のエッチングマスク（不図示）は、フォトリソグラフィ法により、カバー電極１４ｂを被覆するように形成される。このため、図８（ｄ）において、便宜的にカバー電極１４ｂの端部とｐ型半導体層１２ｐの端部（すなわち、第１露出部１２ｂ及び第２露出部１２ｃの端部）とが一致するように記載しているが、カバー電極１４ｂの側面に設けられたエッチングマスクの厚さ分だけ、ｐ型半導体層１２ｐは、カバー電極１４ｂ配置領域よりも広い範囲まで残される。

次に、層間絶縁膜形成工程（絶縁膜形成工程）Ｓ１０５において、図８（ｅ）に示すように、所定の絶縁材料を用いて、第１露出部１２ｂ及びカバー電極１４ｂの上面の一部に、それぞれ開口部１６ｎ及び開口部１６ｐを有する層間絶縁膜１６を形成する。また、層間絶縁膜１６は、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃの底面の一部についても開口するように形成される。なお、第２露出部１２ｃの底面については、開口を有さずに全面が層間絶縁膜１６によって被覆されるようにしてもよい。
また、層間絶縁膜１６は、ウエハ全面にスパッタリング法などにより絶縁膜を形成した後に、前記した所定領域に開口を有するレジストパターンを形成し、絶縁膜をエッチングすることによってパターニングすることができる。

次に、パッド電極形成工程（電極形成工程）Ｓ１０６において、図９に示すように、例えば、スパッタリング法などによって、層間絶縁膜１６上に金属層５０を形成する。なお、金属層５０は、例えば、リフトオフ法によってパターニングすることができる。
金属層５０は、発光素子１としてのパッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５となるものである。そのため、金属層５０は、ｎ側電極１３となる領域（図９において、右下がり斜線のハッチングを施した領域）に設けられている層間絶縁膜１６の開口部１６ｎで、ｎ型半導体層１２ｎと接続されている。また、金属層５０は、ｐ側電極１５となる領域（図９において、右上がり斜線のハッチングを施した領域）に設けられている層間絶縁膜１６の開口部１６ｐで、カバー電極１４ｂと接続されている。

金属層５０は、境界線４０で区画された各発光素子１の領域内では、ｎ側電極１３となる領域とｐ側電極１５となる領域とが互いに接触しないように分離して形成されているが、境界線４０に沿った領域で接続され、ウエハ上に配列して形成された全ての発光素子１についての金属層５０が導通するように形成されている。
金属層５０は、後工程である第１金属層形成工程Ｓ１０９において第１金属層３１ｎ，３１ｐを電解メッキ法で形成する際のシード層として用いられるとともに、第２金属層形成工程Ｓ１１１において第２金属層３２ｎ，３２ｐを電解メッキ法で形成する際のシード層、すなわち電流経路としても用いられる。本実施形態では、パッド電極であるｎ側電極１３及びｐ側電極１５となる金属層５０が、電解メッキのシード層を兼ねるように形成されるため、製造工程を簡略化することができる。

次に、マスク形成工程Ｓ１０７において、図１０に示すように、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃに形成された金属層５０を被覆するマスク３３を形成する。マスク３３は、フォトレジストやＳｉＯ_２などの絶縁材料を用いて形成される。マスク３３は、後工程である第１金属層形成工程Ｓ１０９及び第２金属層形成工程Ｓ１１１において、境界領域である第２露出部１２ｃ上に、メッキ成長させないための絶縁性のマスクである。
なお、マスク３３は、マスク除去工程Ｓ１１２において、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２を残したまま選択的に除去できるように、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２とは異なる材料で形成される。
また、マスク３３は、次の第１樹脂層形成工程Ｓ１０８で形成される第１樹脂層２１（図１１（ａ）参照）の上面よりも低い高さで、かつ、第１樹脂層２１の開口部２１ａ（図１１（ａ）参照）よりも広い幅で形成することが好ましい。これによって、第１樹脂層２１の側面に段差２１ｂ（図１２（ｂ）参照）を形成することができる。

次に、第１樹脂層形成工程Ｓ１０８において、図１１（ａ）に示すように、金属層５０上に、フォトリソグラフィ法によって第１樹脂層２１を形成する。第１樹脂層２１は、金属層５０のｎ側電極１３となる領域上に開口部２１ｎを有し、金属層５０のｐ側電極１５となる領域上に開口部２１ｐを有するように形成される。更に、第１樹脂層２１は、境界線４０に沿った領域上に開口部２１ａを有し、各発光素子１の領域ごとに分離して形成される。また、開口部２１ａは、マスク３３の幅よりも狭い幅で形成することが好ましい。

次に、第１金属層形成工程Ｓ１０９において、図１１（ｂ）に示すように、第１樹脂層２１の開口部２１ｎ，２１ｐ内に、電解メッキ法によって第１金属層３１ｎ，３１ｐを形成する。第１金属層３１ｎ，３１ｐは、前記したように、全体が導通するように形成されている金属層５０を、電解メッキの電流経路となるシード層として用い、第１樹脂層２１の開口部２１ｎ，２１ｐ内でメッキ成長させることで形成される。
また、本工程において、境界線４０に沿った領域である第２露出部１２ｃ（図１０（ｂ）参照）において、第１樹脂層２１は開口しているが、マスク３３によって金属層５０が被覆されているため、メッキ成長はしない。これによって、境界領域に厚膜のメッキ層が形成されないため、後工程であるパッド電極分離工程Ｓ１１３において、容易に不要な金属層５０を除去することができる。

なお、図１１（ｂ）に示した例では、第１金属層３１ｎ，３１ｐは、第１樹脂層２１から突出するように形成されているが、これに限定されるものではない。

次に、第２樹脂層形成工程Ｓ１１０において、図１１（ｃ）に示すように、第１樹脂層２１上に、フォトリソグラフィ法によって第２樹脂層２２を形成する。第２樹脂層２２は、平面視において、第１金属層３１ｎが形成された領域を包含する開口部２２ｎを有し、第１金属層３１ｐが形成された領域を包含する開口部２２ｐを有するように形成される。更に、第２樹脂層２２は、境界線４０に沿った領域上に開口部２２ａを有し、各発光素子１の領域ごとに分離して形成される。
また、境界線４０に沿った領域、すなわち、完成後の発光装置１００の外縁部において、第２樹脂層２２の側面が第１樹脂層２１の側面よりも、平面視で内側となるように間隔ｄの段差２３が形成される。

次に、第２金属層形成工程Ｓ１１１において、図１２（ａ）に示すように、第２樹脂層２２の開口部２２ｎ，２２ｐ内に、電解メッキ法によって第２金属層３２ｎ，３２ｐを形成する。第２金属層３２ｎ，３２ｐは、前記したように、全体が導通するように形成されている金属層５０と第１金属層３１ｎ，３１ｐとを電解メッキのシード層、すなわち電流経路として用い、第２樹脂層２２の開口部２２ｎ，２２ｐ内でメッキ成長させることで形成される。なお、図１２（ａ）に示した例では、第２金属層３２ｎ，３２ｐは、第２樹脂層２２の上面と同じ高さで形成されているが、これに限定されるものではない。

次に、マスク除去工程Ｓ１１２において、図１２（ｂ）に示すように、適宜な溶剤や薬剤を用いてマスク３３を除去する。また、マスク３３をドライエッチングすることで除去することもできる。
マスク３３を除去することで、境界線４０に沿った領域に形成された金属層５０が、第１樹脂層２１の開口部２１ａの底面に露出する。また、マスク３３を除去することによって、第１樹脂層２１の下部側面に段差２１ｂが形成される。

次に、パッド電極分離工程（電極分離工程）Ｓ１１３において、図１３に示すように、エッチングにより、第１樹脂層２１の開口部２１ａの底面に露出した金属層５０を除去する。これによって、金属層５０は、発光装置１００ごとに分離されるとともに、各発光装置１００内においても、ｎ側電極１３となる領域とｐ側電極１５となる領域とが分離される。

なお、金属層５０をエッチングする際に、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面にマスクを設けて第２金属層３２ｎ，３２ｐがエッチングされないようにしてもよい。また、第２金属層３２ｎ，３２ｐが金属層５０に比べて十分に厚い場合は、第２金属層３２ｎ，３２ｐの厚さが金属層５０の厚さと同程度分だけ減少することを構わずに、第２金属層３２ｎ，３２ｐの上面にマスクを設けずに金属層５０のエッチングを行うようにしてもよい。

次に、成長基板除去工程Ｓ１１４において、図１４に示すように、ＬＬＯ（レーザ・リフト・オフ）法やケミカルリフトオフ法などによって成長基板１１を剥離することで除去する。
なお、成長基板除去工程Ｓ１１４は必須の工程ではなく、成長基板１１を剥離しないようにしてもよい。また、成長基板１１の剥離に代えて、成長基板１１の下面側を研磨して薄肉化するようにしてもよい。
また、成長基板１１の剥離後に、半導体積層体１２の下面をウェットエッチングして凹凸形状を形成するようにしてもよい。
更にまた、成長基板１１の剥離後に、又は成長基板１１を剥離せずに、発光装置１００の光取り出し面となる下面側に、発光素子１が発光する光の波長を変換する蛍光体を含有する蛍光体層を設けるようにしてもよい。

次に、個片化工程Ｓ１１５において、ダイシング法やスクライビング法によって、図１４に示した境界線４０に沿ってウエハを切断することにより、発光装置１００を個片化する。個片化によって形成された半導体積層体１２の外縁となる側面は、図１（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１６及び第１樹脂層２１の何れによっても被覆されず、露出している。
なお、第１樹脂層２１及び第２樹脂層２２は、それぞれ境界線４０に沿った領域に開口部２１ａ及び開口部２２ａを有するように、発光装置１００ごとに分離して形成されているため、半導体積層体１２を割断するだけで、容易に個片化することができる。

＜変形例＞
次に、図１５を参照して、発光装置の変形例について説明する。
［発光装置の構成］
図１５に示すように、本変形例に係る発光装置１００Ａは、図１に示した発光装置１００において、支持体２に代えて、支持体２Ａを備える。また、支持体２Ａは、支持体２において、第２樹脂層２２及び第２金属層３２ｎ，３２ｐに代えて、側面が傾斜して形成された第２樹脂層２２Ａ及び第２金属層３２Ａｎ，３２Ａｐを備える。

第２樹脂層２２Ａは、側面が、実装面側ほど外側となるように傾斜しており、外周面が逆テーパ形状に形成されている。また、第２樹脂層２２Ａの開口部における内側面も同様に逆テーパ形状に形成され、当該開口部の形状に合わせて、第２金属層３２Ａｎ，３２Ａｐが形成されている。その他の構成は、図１に示した発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。

発光装置１００Ａは、第２樹脂層２２Ａの側面が傾斜しているため、実装面から半導体発光素子１までの沿面距離が長くなっている。そのため、半田などの接着部材が第２樹脂層２２Ａの側面を這い上がっても、半導体発光素子１まで到達し難くなっている。更に、第１樹脂層２１との境界における段差部２３において、第１樹脂層２１の上面と第２樹脂層２２Ａの側面とがなす角度が鋭角となっているため、第２樹脂層２２Ａの側面を這い上がってきた接着部材を、段差部２３で、より堰き止め易くなっている。従って、発光装置１００Ａは、接着部材の這い上がり防止により効果的な構成を有している。
なお、発光装置１００Ａの動作も、発光装置１００と同様であるから、説明は省略する。

［発光装置の製造方法］
変形例に係る発光装置１００Ａは、図７に示した発光装置１００の製造方法の第２樹脂層形成工程Ｓ１１０において、感光性樹脂材料であるフォトレジストとして、ネガ型のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法により、側面が逆テーパ形状に傾斜した第２樹脂層２２Ａを形成することができる。

また、次工程である第２金属層形成工程Ｓ１１１においては、第２金属層３２Ａｎ，３２Ａｐは、発光装置１００を製造する場合と同様に、ｎ側電極１３及びｐ側電極１５と、第１金属層３１ｎ，３１ｐとをシード層として電解メッキをすることで、第２樹脂層２２Ａの開口部に沿った形状で形成される。
他の工程は、発光装置１００を製造する工程と同様に行うことで、発光装置１００Ａを製造することができるため、説明は省略する。

ここで、第２樹脂層形成工程Ｓ１１０において、ネガ型のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法により第２樹脂層２２Ａを形成する方法について説明する。
この工程では、まず、ネガ型フォトレジストを、ウエハ表面全体に塗布する。次に、露光パターンが形成されたフォトマスクを用いて、フォトレジストを除去しない箇所を露光する。このとき、フォトレジストによって光が吸収されるため、下層部ほど露光量が少なくなる。また、露光される光線は、フォトレジストの表面に垂直な方向に伝播するだけでなく、横方向にも若干の広がりを有する。このため、フォトマスクの開口部の直下領域であって、当該開口部の端部近傍の下層部では、フォトマスクの遮光領域（非開口部）に照射される光線の広がり成分がないため、フォトマスクの開口部の中央付近の下層部と比較して露光量が不足する。

ネガ型のフォトレジストは、露光された箇所が化学反応して現像液に対して不溶性となる性質を有する。従って、フォトマスクの開口部の端部近傍において、フォトレジストの上層部では十分な露光量であっても、下層部では露光量が不足して前記した化学反応が進み難くなる。その結果、フォトレジストを現像後に形成されるレジストパターンの側面は、下層部が上層部よりも内側となるように傾斜した逆テーパ形状に形成される。
第２樹脂層２２Ａは、このようにネガ型のフォトレジストを用いて形成することができる。

以上、本発明に係る発光装置及びその製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

１ 発光素子（半導体発光素子）
１１ 成長基板
１２ 半導体積層体
１２ｎ ｎ型半導体層
１２ａ 活性層
１２ｐ ｐ型半導体層
１２ｂ 第１露出部
１２ｃ 第２露出部
１３ ｎ側電極
１４ 全面電極
１４ａ 光反射電極
１４ｂ カバー電極
１５ ｐ側電極
１６ 層間絶縁膜（絶縁膜）
２ 支持体
２１ 第１樹脂層
２１ａ 開口部
２１ｂ 段差
２１ｎ 開口部
２１ｐ 開口部
２２ 第２樹脂層
２２ａ 開口部
２２ｎ 開口部
２２ｐ 開口部
２３ 段差
３１ｎ 第１金属層（ｎ側第１金属層）
３１ｐ 第１金属層（ｐ側第１金属層）
３２ｎ 第２金属層（ｎ側第２金属層）
３２ｐ 第２金属層（ｐ側第２金属層）
３３ マスク
４０ 境界線
５０ 金属層
９１ 実装基板
９２ 配線パターン
９３ 接着部材
１００ 発光装置

Claims (9)

1. 半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
   前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる第１樹脂層と、
   前記第１樹脂層上に設けられる第２樹脂層と、を備え、
   前記第１樹脂層は、内部に前記電極と電気的に接続される第１金属層を有し、
   前記第２樹脂層は、内部に前記第１金属層と電気的に接続される第２金属層を有し、
   前記第２金属層の上面が、前記第２樹脂層から露出するとともに、
   平面視において、前記第２樹脂層の側面が、前記第１樹脂層の側面よりも内側となるように設けられ、
   前記第２樹脂層の側面は、前記第２金属層の上面側に向かって外側に傾斜することを特徴とする発光装置。
2. 半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極と、を有する半導体発光素子と、
   前記半導体積層体の前記一方の面側に設けられる第１樹脂層と、
   前記第１樹脂層上に設けられる第２樹脂層と、を備え、
   前記第１樹脂層は、内部に前記電極と電気的に接続される第１金属層を有し、
   前記第２樹脂層は、内部に前記第１金属層と電気的に接続される第２金属層を有し、
   前記第２金属層の上面が、前記第２樹脂層から露出するとともに、
   平面視において、前記第２樹脂層の側面が、前記第１樹脂層の側面よりも内側となるように設けられ、
   前記第１樹脂層の側面は、前記半導体積層体側が前記第２樹脂層側よりも内側となるように段差が設けられていることを特徴とする発光装置。
3. 前記第１樹脂層の側面は、前記半導体積層体側が前記第２樹脂層側よりも内側となるように段差が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
4. 前記半導体積層体は、その側面の一部が露出していることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の発光装置。
5. 半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の面に設けられる電極とを有する半導体発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
   複数の前記半導体発光素子が配列して形成されたウエハを準備するウエハ準備工程と、
   前記半導体積層体の一方の面側に、前記電極が設けられた領域の一部に開口を有する第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程と、
   前記第１樹脂層の開口内に第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
   前記第１樹脂層上に感光性樹脂材料を設けた後、フォトリソグラフィ法によって、前記第１金属層が形成された領域に開口を有し、かつ平面視において前記第１樹脂層の側面よりも内側に配置される第２樹脂層を、前記感光性樹脂材料から形成する第２樹脂層形成工程と、
   前記第２樹脂層の開口内に第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
   前記ウエハを前記半導体発光素子の境界線に沿って切断することで、複数の前記半導体発光素子に個片化する個片化工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
6. 前記ウエハ準備工程は、サブ工程として、
   成長基板上にｎ型半導体層とｐ型半導体層とを積層することで前記半導体積層体を形成する半導体積層体形成工程と、
   前記ｐ型半導体層上の、前記半導体発光素子の境界線に沿った所定幅の領域である境界領域と前記境界領域よりも内側の所定の領域とを除く領域に、全面電極を形成する全面電極形成工程と、
   前記全面電極が設けられていない領域について、前記ｐ型半導体層を除去することで、前記ｎ型半導体層を露出させるｎ型半導体層露出工程と、
   前記ｎ型半導体層の露出した面の一部、及び前記全面電極の上面の一部に開口を有する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
   前記電極として、前記ｎ型半導体層の露出した面の一部と電気的に接続するｎ側電極と、前記全面電極の上面の一部と電気的に接続するｐ側電極とを形成する電極形成工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記電極形成工程において、前記ｎ側電極と前記ｐ側電極とは、前記境界領域で短絡するように形成され、
   前記第１金属層形成工程において、前記第１金属層は、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極をシード層とする電解メッキ法によって形成され、
   前記第２金属形成工程において、前記第２金属層は、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極と電気的に接続された前記第１金属層とをシード層とする電解メッキ法によって形成されることを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記電極形成工程の後、前記境界領域上の前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を被覆する絶縁性のマスクを形成するマスク形成工程を行い、
   前記第１樹脂層形成工程において、前記第１樹脂層は、前記境界線に沿って前記マスクの上面の一部が露出するように、前記半導体発光素子ごとに分離して形成され、
   前記第２金属層形成工程の後に、前記マスクを除去するマスク除去工程を行い、
   前記マスクから露出した前記境界領域の前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を除去することにより、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を電気的に分離する電極分離工程を行うことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記第１樹脂層形成工程において、前記第１樹脂層は、フォトリソグラフィ法によって感光性樹脂材料を用いて形成されることを特徴とする請求項５乃至請求項８の何れか一項に記載の発光装置の製造方法。

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