JP6306030B2 - シャドーフレームサポート - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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Description
本発明の実施形態は、概して、処理チャンバ及び洗浄方法に関する。
基板処理チャンバは、多種多様な機能を提供する。しばしば、基板上に誘電体層を堆積する場合、堆積プロセスからの残留物は、処理チャンバの壁及び他の表面上に集まる。これらの堆積物はもろくなり、基板の表面を汚染する可能性がある。チャンバは、通常、迅速に基板を処理するための統合ツールの一部であるので、チャンバのメンテナンス及び洗浄が最小時間を必要とすることが必須である。汚染の可能性を低減し、こうしてチャンバのスループットを向上させるために、効果的かつタイムリーなチャンバ表面の洗浄が望ましい。
Claims (13)
- 複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、少なくとも1つの壁は、貫通する開口を有するチャンバ本体と、
複数の壁のうちの第1壁から延在し、第1壁の水平長さに沿って第1壁の水平長さよりも小さい第1の水平長さを有する1つの第1シャドーフレームサポートと、
複数の壁のうちの第2壁から延在し、第2壁の水平長さに沿って第2壁の水平長さよりも小さい第2の水平長さを有する1つの第2シャドーフレームサポートと、
複数の壁のうちの第3壁から延在し、第3壁の水平長さに沿って第3壁の水平長さよりも小さい第3の水平長さを有する1つの第3シャドーフレームサポートと、
複数の壁のうちの第4壁から延在し、第4壁の水平長さに沿って第4壁の水平長さよりも小さい第4の水平長さを有する1つの第4シャドーフレームサポートを含み、第1、第2、第3、及び第4シャドーフレームサポートは、洗浄ガスラジカルをチャンバ本体のコーナーへと向ける処理装置。 - 第1シャドーフレームサポートの両端と第1壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第1シャドーフレームサポートが配置されている請求項1記載の処理装置。
- 第2シャドーフレームサポートの両端と第2壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第2シャドーフレームサポートが配置されている請求項2記載の処理装置。
- 第3シャドーフレームサポートの両端と第3壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第3シャドーフレームサポートが配置されている請求項3記載の処理装置。
- 第4シャドーフレームサポートの両端と第4壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第4シャドーフレームサポートが配置されている請求項4記載の処理装置。
- 複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁のうちの第1壁は第1壁の水平長さを有し、複数の壁は複数のコーナーを形成するチャンバ本体と、
第1の水平長さを有する1つの第1シャドーフレームサポートを含む複数のシャドーフレームサポートであって、第1シャドーフレームサポートは、第1壁の水平長さに沿って第1壁に取り付けられ、第1の水平長さは、第1壁の水平長さよりも短く、第1シャドーフレームサポートは、第1シャドーフレームサポートがコーナーに接触しないように第1壁の長さに沿った方法で配置されており、複数のシャドーフレームサポートは、洗浄ガスラジカルをチャンバ本体の複数のコーナーに向ける複数のシャドーフレームサポートを含む処理装置。 - 第1シャドーフレームサポートは、第1壁の水平長さに沿って中央に配置される請求項6記載の処理装置。
- 複数の壁は、第2壁の水平長さを有する第2壁を含む請求項6記載の処理装置。
- 第1壁の水平長さは第2壁の水平長さに等しい請求項8記載の処理装置。
- 複数の壁は、4つの壁を含み、複数のサポートは、4つのシャドーフレームサポートを含む請求項6記載の処理装置。
- 第2、第3、及び第4シャドーフレームサポートは、それぞれ第2、第3、及び第4壁の長さに沿って取り付けられ、どのシャドーフレームサポートもコーナーに接触しないように各々の壁の水平長さに沿って配置される請求項10記載の処理装置。
- 処理チャンバ内でシャドーフレームサポートの上にシャドーフレームを配置する工程であって、処理チャンバは、
複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁のうちの第1壁は第1壁の水平長さを有し、複数の壁は複数のコーナーを形成するチャンバ本体と、
第1の水平長さを有する1つの第1シャドーフレームサポートを含む複数のシャドーフレームサポートであって、第1シャドーフレームサポートは、第1壁の水平長さに沿って第1壁に取り付けられ、第1の水平長さは、第1壁の水平長さよりも短く、第1シャドーフレームサポートは、第1シャドーフレームサポートがコーナーに接触しないように第1壁の水平長さに沿った方法で配置される複数のシャドーフレームサポートとを含む配置する工程と、
シャドーフレームが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に触れるような位置まで基板支持体を上昇させる工程と、
処理チャンバ内に洗浄ガスラジカルを流す工程であって、シャドーフレームサポートは、洗浄ガスラジカルが壁の長さに沿って流れるのを遮断し、洗浄ガスラジカル流をコーナーへと向ける工程とを含む洗浄方法。 - 洗浄ガスラジカルはNF3ラジカルである請求項12記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261715719P | 2012-10-18 | 2012-10-18 | |
US61/715,719 | 2012-10-18 | ||
PCT/US2013/059937 WO2014062323A1 (en) | 2012-10-18 | 2013-09-16 | Shadow frame support |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018040568A Division JP6660971B2 (ja) | 2012-10-18 | 2018-03-07 | シャドーフレームサポート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016500920A JP2016500920A (ja) | 2016-01-14 |
JP6306030B2 true JP6306030B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=50484221
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015537706A Active JP6306030B2 (ja) | 2012-10-18 | 2013-09-16 | シャドーフレームサポート |
JP2018040568A Active JP6660971B2 (ja) | 2012-10-18 | 2018-03-07 | シャドーフレームサポート |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018040568A Active JP6660971B2 (ja) | 2012-10-18 | 2018-03-07 | シャドーフレームサポート |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9708709B2 (ja) |
JP (2) | JP6306030B2 (ja) |
KR (1) | KR200487917Y1 (ja) |
CN (1) | CN104704141B (ja) |
TW (2) | TWI637077B (ja) |
WO (1) | WO2014062323A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170081757A1 (en) * | 2015-09-23 | 2017-03-23 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame with non-uniform gas flow clearance for improved cleaning |
CN105789092B (zh) * | 2016-03-25 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基片处理设备 |
US10280510B2 (en) * | 2016-03-28 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with non-uniform gas flow clearance |
CN110899271B (zh) * | 2018-09-17 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 远程等离子源的调整装置及远程等离子源清洗*** |
WO2021061123A1 (en) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | Applied Materials, Inc. | Support bracket apparatus and methods for substrate processing |
CN111074236A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-28 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
KR20210125155A (ko) * | 2020-04-07 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
CN113838730B (zh) * | 2020-06-08 | 2024-05-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法 |
KR20220167018A (ko) * | 2021-06-11 | 2022-12-20 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법 |
US11846019B2 (en) | 2021-10-01 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | One-body shadow frame support with flow controller |
CN113930747A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-14 | 浙江泰嘉光电科技有限公司 | 一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的cvd腔室结构 |
CN114411114B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-09-01 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 镀膜装置及载物机构 |
CN114737167B (zh) * | 2022-02-23 | 2024-01-19 | 明德润和机械制造(天津)有限公司 | 一种镀膜腔清洁机构 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05156455A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-22 | Hitachi Ltd | 成膜装置 |
US5352294A (en) | 1993-01-28 | 1994-10-04 | White John M | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
JPH10251859A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-22 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマcvd装置に於けるガスクリーニング方法 |
US6109206A (en) | 1997-05-29 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source for chamber cleaning |
US6773562B1 (en) * | 1998-02-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame for substrate processing |
US6810886B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period |
JP3708940B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-10-19 | 株式会社東芝 | Cvd装置の反応室のコーティング方法 |
US20050252529A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Ridgeway Robert G | Low temperature CVD chamber cleaning using dilute NF3 |
TWI279260B (en) * | 2004-10-12 | 2007-04-21 | Applied Materials Inc | Endpoint detector and particle monitor |
US20060090773A1 (en) | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Applied Materials, Inc. | Sulfur hexafluoride remote plasma source clean |
TWI405247B (zh) * | 2007-03-01 | 2013-08-11 | Applied Materials Inc | Rf遮板 |
KR101046520B1 (ko) | 2007-09-07 | 2011-07-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 pecvd 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어 |
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JP5086192B2 (ja) | 2008-07-01 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20100037823A1 (en) | 2008-08-18 | 2010-02-18 | Applied Materials, Inc. | Showerhead and shadow frame |
JP5683469B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2015-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 大型プラズマ処理チャンバのrf復路 |
JP5883652B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2016-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマ処理チャンバのための高周波リターンデバイスおよびプラズマ処理システム |
US8147614B2 (en) * | 2009-06-09 | 2012-04-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas flow diffuser |
US20110146577A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with insulated corner regions |
JP2011228546A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 |
-
2013
- 2013-09-16 WO PCT/US2013/059937 patent/WO2014062323A1/en active Application Filing
- 2013-09-16 CN CN201380051375.4A patent/CN104704141B/zh active Active
- 2013-09-16 KR KR2020157000016U patent/KR200487917Y1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-16 JP JP2015537706A patent/JP6306030B2/ja active Active
- 2013-09-25 TW TW106114848A patent/TWI637077B/zh active
- 2013-09-25 TW TW102134405A patent/TWI588290B/zh active
- 2013-09-26 US US14/037,719 patent/US9708709B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-07 US US15/644,554 patent/US20170306482A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-03-07 JP JP2018040568A patent/JP6660971B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6660971B2 (ja) | 2020-03-11 |
TWI637077B (zh) | 2018-10-01 |
KR20160002985U (ko) | 2016-08-29 |
US20140109940A1 (en) | 2014-04-24 |
TW201418516A (zh) | 2014-05-16 |
JP2016500920A (ja) | 2016-01-14 |
WO2014062323A1 (en) | 2014-04-24 |
TW201728781A (zh) | 2017-08-16 |
CN104704141A (zh) | 2015-06-10 |
JP2018113461A (ja) | 2018-07-19 |
TWI588290B (zh) | 2017-06-21 |
CN104704141B (zh) | 2020-08-28 |
US20170306482A1 (en) | 2017-10-26 |
KR200487917Y1 (ko) | 2018-11-22 |
US9708709B2 (en) | 2017-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160915 |
|
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