JP6306030B2 - シャドーフレームサポート - Google Patents

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Description

発明の背景
(発明の分野)
本発明の実施形態は、概して、処理チャンバ及び洗浄方法に関する。
(関連技術の説明)
基板処理チャンバは、多種多様な機能を提供する。しばしば、基板上に誘電体層を堆積する場合、堆積プロセスからの残留物は、処理チャンバの壁及び他の表面上に集まる。これらの堆積物はもろくなり、基板の表面を汚染する可能性がある。チャンバは、通常、迅速に基板を処理するための統合ツールの一部であるので、チャンバのメンテナンス及び洗浄が最小時間を必要とすることが必須である。汚染の可能性を低減し、こうしてチャンバのスループットを向上させるために、効果的かつタイムリーなチャンバ表面の洗浄が望ましい。
現在、チャンバの表面からケイ素又は炭素含有堆積物を除去するための機構は、リモートプラズマ洗浄、インサイチューRFプラズマ洗浄、又はRF援用リモートプラズマ洗浄を含む。フッ素含有ガスを有するリモートプラズマは、チャンバ表面を洗浄するために使用することができる。例えば、洗浄ガスNFは、遠隔で点火してプラズマにすることができ、プラズマからのラジカルがチャンバ内に導入され、これによってチャンバ表面上に堆積された膜をエッチング除去する。
しかしながら、チャンバ表面の洗浄速度は、ラジカルがチャンバ内部へ流れる方法に起因して均一ではない。したがって、処理チャンバの洗浄速度を高めるために、改良された装置及び洗浄方法が必要とされる。
本発明は、概して、チャンバのコーナー(隅部)に洗浄ガス流を向けるシャドーフレームサポートを有する処理チャンバを提供する。シャドーフレームサポートは、チャンバ壁の一部に沿って、すなわちコーナーを空けたままにして、配置される。洗浄中、シャドーフレームは、それが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に載るように配置される。したがって、チャンバ壁に沿って流れる洗浄ガスは、シャドーフレームサポートによって遮断され、シャドーフレームサポートがコーナーまで延びていないので、洗浄ガスはコーナーに強いられる。
一実施形態では、処理装置が開示される。処理装置は、複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、少なくとも1つの壁は、貫通する開口を有するチャンバ本体と、複数の壁のうちの第1壁から延在し、第1壁の長さよりも小さい第1長さを有する第1シャドーフレームサポートと、複数の壁のうちの第2壁から延在し、第2壁の長さよりも小さい第2長さを有する第2シャドーフレームサポートと、複数の壁のうちの第3壁から延在し、第3壁の長さよりも小さい第3長さを有する第3シャドーフレームサポートと、複数の壁のうちの第4壁から延在し、第4壁の長さよりも小さい第4長さを有する第4シャドーフレームサポートを含む。
別の一実施形態では、処理装置が開示される。処理装置は、複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁のうちの第1壁は第1長さを有し、複数の壁は複数のコーナーを形成するチャンバ本体を含む。処理装置はまた、第2長さを有する第1シャドーフレームサポートを含む複数のシャドーフレームサポートを含み、第1シャドーフレームサポートは、壁の第1長さに沿って第1壁に取り付けられる。第2長さは、第1長さよりも短く、第1シャドーフレームサポートは、第1シャドーフレームサポートがコーナーに接触しないように第1壁の長さに沿った方法で配置される。
別の一実施形態では、洗浄方法が開示される。洗浄方法は、処理チャンバ内でシャドーフレームサポートの上にシャドーフレームを配置する工程と、シャドーフレームが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に接触するような位置まで基板支持体を上昇させる工程と、処理チャンバ内に洗浄ガスを流す工程を含む。
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポートを有する処理チャンバの断面図である。 基板支持体及びシャドーフレームを有する一実施形態に係る処理チャンバの上面図である。 シャドーフレームサポート、シャドーフレーム、及び基板支持体の斜視図である。 本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポート、シャドーフレーム、及び基板支持体の斜視図である。 本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポートを備えた基板支持体及びシャドーフレームを有する処理チャンバの上面図である。 本発明の一実施形態に係る洗浄位置における基板支持体の概略側面図である。 本発明の一実施形態に係る処理位置における基板支持体の概略側面図である。 本発明の一実施形態に係る下降位置における基板支持体の概略側面図である。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施形態で有益に利用してもよいと理解される。
詳細な説明
本発明は、概して、チャンバのコーナーに洗浄ガス流を向けるシャドーフレームサポートを有する処理チャンバを提供する。シャドーフレームサポートは、チャンバ壁の一部に沿って、すなわちコーナーを空けたままにして、配置される。洗浄中、シャドーフレームは、それが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に載るように配置される。したがって、チャンバ壁に沿って流れる洗浄ガスは、シャドーフレームサポートによって遮断され、シャドーフレームサポートがコーナーまで延びていないので、洗浄ガスはコーナーに強いられる。
本発明が、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社(Applied Materials, Inc.)の一部門であるAKTアメリカから入手可能なプラズマ強化化学蒸着(PECVD)システムなどの処理システム内で使用され、例示的に以下に説明される。しかしながら、本発明は、他のメーカーから販売されているものを含めた他のシステム構成において有用性を有することを理解すべきである。
図1は、本発明の一実施形態に係るPECVD装置の断面図である。本装置は、内部で1以上の膜を基板140上に堆積させることのできるチャンバ100を含む。図1に示すように、基板は、処理を起こすことのできない下降位置にある。本装置は、半導体基板、フラットパネルディスプレイ基板、及び太陽電池パネル基板を含む1以上の基板を処理するために使用することができる。
チャンバ100は、概して、壁102、底部104、シャワーヘッド110、及び基板支持体又はサセプタ130を含み、これらは処理容積106を画定する。処理容積106は、開口108を通ってアクセスされ、これによって基板140は、チャンバ100の内外へと搬送させることができる。基板支持体130は、基板140を支持するための基板受け面132を含む。1以上のステム134は、基板支持体130を上下動させるためのリフトシステム136に結合させることができる。リフトピン138は、基板支持体130を貫通して移動自在に配置され、これによって基板140を基板受け面132へ、及び基板受け面132から移動する。基板支持体130はまた、基板支持体130を所望の温度に維持するための加熱及び/又は冷却要素139を含むことができる。基板支持体130はまた、基板支持体130の周辺部でRF接地を提供するための接地ストラップ131を含むことができる。基板受け面132上に配置された基板140の上面とシャワーヘッド110との間の間隔は、約400ミル〜約1200ミルであることができる。一実施形態では、間隔は、約400ミル〜約800ミルであることができる。
シャワーヘッド110は、サスペンション114によってその周辺部でバッキングプレート112に結合させることができる。シャワーヘッド110はまた、1以上のカップリングサポート160によってバッキングプレート112に結合させ、これによってシャワーヘッド110の垂下を防止し、真直度/曲率を制御するのを支援することができる。一実施形態では、12個のカップリングサポート160が使用され、これによってシャワーヘッド110をバッキングプレート112に結合させることができる。カップリングサポート160は、締結機構(例えば、ナット及びボルトアセンブリ)を含むことができる。追加的に及び/又は代替的に、中央連結機構が存在し、これによってバッキングプレート112をシャワーヘッド110に結合させることができる。中央連結機構は、リング148(後述)を囲み、ブリッジアセンブリから懸架させることができる。更に別の一実施形態では、カップリングサポート160は、シャワーヘッド110内へネジ止めされる締結具を含むことができる。締結具は、バッキングプレート112に結合されるロッドを受けるためのスロット開口部を有してもよい。ロッドは、真空シールによってバッキングプレート112に結合させることができる。
ガス源120がバッキングプレート112に結合され、これによってバッキングプレート112内のガス出口142を通って、シャワーヘッド110内のガス通路111を通って、基板受け面132へとガスを供給することができる。真空ポンプ109がチャンバ100に結合され、これによって処理容積106を所望の圧力に制御させることができる。RF電源122がバッキングプレート112及び/又はシャワーヘッド110に結合され、これによってシャワーヘッド110にRF電力を供給する。RF電力は、シャワーヘッド110と基板支持体130との間に電界を生成し、これによってシャワーヘッド110と基板支持体130との間のガスからプラズマを生成することができる。様々な周波数(例えば、約0.3MHz〜約200MHzの周波数)を用いることができる。一実施形態では、RF電源は、13.56MHzの周波数で供給される。
リモートプラズマ源124(例えば、誘導結合リモートプラズマ源)もまた、ガス源120とバッキングプレート112との間に結合させることができる。基板を処理する間には、洗浄ガスがリモートプラズマ源124に供給され、これによってチャンバコンポーネントを洗浄するためにリモートプラズマが生成され供給される。洗浄ガスは、シャワーヘッドに供給されるRF電源122によって更に励起させることができる。適切な洗浄ガスとしては、NF、F、及びSFを含むが、これらに限定されない。
バッキングプレート112は、ブリッジアセンブリ144によって支持されることができる。1以上のアンカーボルト146が、ブリッジアセンブリ144から支持リング148へと下方へ延在することができる。支持リング148は、1以上のボルト150によってバッキングプレート112に結合することができる。支持リング148は、バッキングプレート112の実質的に中央で、バッキングプレート112と結合することができる。バッキングプレート112の中央は、支持リング148が存在しない場合に、最小の支持量を有するバッキングプレート112の領域である。したがって、バッキングプレート112の中央領域を支持することによって、バッキングプレートの垂下を減少させる及び/又は防止することができる。
シャドーフレーム133は、基板140の周辺部の上に配置することができる。基板支持体130が下降すると、シャドーフレーム133は、シャドーフレームサポート162上に載ることができる。一実施形態では、シャドーフレームサポート162は、チャンバと同じ材料を含むことができる。別の一実施形態では、シャドーフレームサポート162は、誘電体材料を含むことができる。別の一実施形態では、シャドーフレームサポート162は、ステンレス鋼を含むことができる。別の一実施形態では、シャドーフレームサポート162は、アルミニウムを含むことができる。シャドーフレーム133は、基板140の縁部での堆積、及び基板140によって覆われていない基板支持体130の領域上での堆積を低減することができる。基板140が最初にチャンバ内に挿入されると、シャドーフレーム133は、シャドーフレームサポート162上に載せることができる。基板支持体130が処理位置まで上昇すると、シャドーフレーム133は、シャドーフレームサポート162から離れて基板140及び基板支持体130によって上昇させることができる。
洗浄プロセスの間、シャドーフレーム133は、シャドーフレームサポート162の上に載せることができ、基板受け面132は、シャドーフレームサポート162から離れてシャドーフレーム133を持ち上げることなく、それがシャドーフレーム133に接触する高さまで上昇する。
図2は、チャンバの内部の基板支持体及びシャドーフレームの上面図である。シャドーフレーム133は、基板支持体130の上に配置される。洗浄ガスが通過するために、ポンピングギャップ208が、シャドーフレーム133とチャンバ本体206との間に形成される。洗浄ガスは、NF、SF、C、HCl又はそれらの組み合わせであることができる。一実施形態では、洗浄ガスNFは、遠隔で点火されプラズマとなり、プラズマからのラジカルがチャンバ内に導入され、これによって基板支持体130、シャドーフレーム133、及びチャンバ壁の表面上に堆積された膜をエッチング除去する。真空ポンプ109は、チャンバ100の底部に向かってラジカルを引く。ラジカルは基板支持体130に到達し、ラジカルは中実の基板支持体130を通過することができないので、チャンバ壁の方へ向かう。真空ポンプは、ポンピングギャップ208を通して基板支持体130の下方の領域へとラジカルを引く。ラジカルは、図2の矢印で示される方向へ流れる。チャンバのコーナーへ流れるラジカルの量は、側部に流れるラジカルの量よりも少なく、したがって、シャドーフレーム133及びチャンバ100のコーナーは、たとえ他の表面が清浄であったとしても、完全には洗浄されない場合がある。
図3は、シャドーフレーム133を上に配置したシャドーフレームサポート306の斜視図である。洗浄中、シャドーフレーム133は、基板支持体130とシャドーフレームサポート306の両方の上に載る。シャドーフレームサポート306は、チャンバ壁308から延在する複数のブロックを含み、各ブロックは、次のブロックから離間している。したがって、シャドーフレーム133が、シャドーフレームサポート306と基板支持体130の上に配置されたとき、ポンピングギャップ310が、隣接するブロック間に存在する。このように、より多くの洗浄ガスラジカルが、コーナーよりも側部へと流れる。
図4は、本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポート406の斜視図である。一実施形態では、シャドーフレームサポート406は、チャンバ壁308から延在する単一のブロックを含む。シャドーフレームサポート406は、誘電体材料、ステンレス鋼、又はアルミニウムで作られ、チャンバ壁308の長さ404よりも短い長さ402を有することができる。シャドーフレームサポート406は、シャドーフレームサポート406の両端部とチャンバ壁308に隣接する壁の間にポンピングギャップ410ができるように配置される。一実施形態では、シャドーフレームサポート406は、チャンバ壁308の中央に配置され、そのため、ポンピングギャップ410は、チャンバ壁308に沿って同じ長さを有する。こうして洗浄ガスラジカルは、基板支持体130の下方に配置された真空ポンプへとポンピングギャップ410を通して引かれる。ラジカルは、チャンバのコーナーに均等に向かい、したがって、シャドーフレーム133のコーナーの洗浄速度を改善する。
図5は、本発明の一実施形態に係るシャドーフレームサポートを有する基板支持体及びシャドーフレームの上面図である。図5に示されるように、チャンバ本体206は、複数の壁によって画定された内部を有する。一実施形態では、第1シャドーフレームサポート508は、複数の壁の第1壁510から延在しており、第1壁の長さよりも小さい第1長さを有する。いくつかの実施形態では、第1シャドーフレームサポート508は、第1シャドーフレームサポート508の端部と第1壁510に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
第2シャドーフレームサポート512は、複数の壁の第2壁514から延在しており、第2壁514の長さよりも短い第2長さを有する。いくつかの実施形態では、第2シャドーフレームサポート512は、第2シャドーフレームサポート512の端部と第2壁514に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
第3シャドーフレームサポート516は、複数の壁の第3壁518から延在しており、第3壁518の長さよりも短い第3長さを有する。いくつかの実施形態では、第3シャドーフレームサポート516は、第3シャドーフレームサポート516の端部と第3壁518に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
第4シャドーフレームサポート520は、複数の壁の第4壁522から延在しており、第4壁522の長さよりも短い第4長さを有する。いくつかの実施形態では、第4シャドーフレームサポート520は、第4シャドーフレームサポート520の端部と第4壁522に隣接した壁との間にギャップが存在するように配置される。
図5の構成に基づくと、洗浄ガスラジカルが基板支持体130の下の領域へと通って流れることができる存在する唯一のギャップ530は、処理チャンバのコーナーにある。シャドーフレーム133は、基板支持体130とシャドーフレームサポート508、512、516、及び520の両方の上に配置されるので、全てのラジカルは、ギャップ530を通過しなければならない。こうして、ポンピングギャップ530は、処理チャンバのコーナーに位置し、洗浄ガスラジカルがチャンバ壁に沿ってチャンバのコーナーへと流れることを強いるので、チャンバのコーナーは効果的に洗浄される。
一実施形態では、シャドーフレームサポート508は、シャドーフレームサポート508の両端に長さ「A」を有するギャップを残して、チャンバ壁510の中央に配置される。シャドーフレームサポート512はまた、チャンバ壁514の中央に配置され、こうしてシャドーフレームサポート512の両端に長さ「B」を有するギャップを残す。一実施形態では、チャンバ壁510及び518は同じ長さを有し、シャドーフレームサポート508及び516は同じ長さを有する。チャンバ壁514及び522は同じ長さを有し、シャドーフレームサポート512及び520は同じ長さを有する。その結果、4つのポンピングギャップ530は、同一の面積を有する。図5中の矢印が示すように、洗浄ガスラジカル流は、ポンピングギャップ530に均等に向けられ、こうして、シャドーフレーム133のコーナー上に堆積された膜の洗浄速度を改善する。
図6Aは、本発明の一実施形態に係る洗浄位置における基板支持体130の概略側面図である。洗浄ガスが処理チャンバのコーナーに流れるようにするために、シャドーフレーム133は、基板支持体130とシャドーフレームサポート406との間のギャップを塞ぐことができる。洗浄中、シャドーフレーム133は、シャドーフレームサポート406の上に配置される。シャドーフレーム133が基板支持体130とシャドーフレームサポート406の両方に触れるような洗浄位置において基板支持体130が図示される。洗浄ガスラジカルが、処理チャンバ内に導入される。一実施形態では、洗浄ガスは、NFを含む。シャドーフレーム133は、基板支持体130とシャドーフレームサポート406との間のギャップを塞ぎ、ラジカルを処理チャンバのコーナーへと強いる。一実施形態では、処理チャンバは、4つの壁から延在する4つのシャドーフレームサポート406を有する4つの壁を有する。シャドーフレームサポート406は、洗浄ガスが壁の長さに沿って流れるのを遮断し、4つのコーナーへと洗浄ガスの流れを導く。
図6Bは、本発明の一実施形態に係る処理位置における基板支持体130の概略側面図である。基板処理中、基板(図示せず)を載置した基板支持体130は、シャドーフレーム133が、シャドーフレームサポート406から離間されるような位置まで上昇される。シャドーフレーム133は、基板支持体130によって持ち上げられ、こうして処理ガスは、シャドーフレーム133とチャンバ壁との間のギャップを介して、基板支持体130とシャドーフレームサポート406との間に形成されたギャップを通って流れることができる。したがって、処理ガスは、処理チャンバのコーナーに強いられない。
図6Cは、本発明の一実施形態に係る、基板の挿入及び除去のための下降位置における基板支持体130の概略側面図である。基板支持体130は、シャドーフレーム133が、シャドーフレームサポート406上に載り、こうしてシャドーフレーム133と基板支持体130との間にギャップを作るようなシャドーフレームサポート406の下方の位置まで下降される。ギャップは、ガスがチャンバ壁の長さに沿って通って流れることを可能にする。この構成では、ガスは、洗浄するか処理するかに関係なく、処理チャンバのコーナーに強いられない。
以下の表は、一実施形態に係るシャドーフレームサポートによる洗浄時間の効果を示している。一実施形態では、SiN膜がいくつかの基板上に堆積され、洗浄プロセスがそれに続き、その間、エッチングの終点がシャドーフレームのコーナーで監視された。従来のシャドーフレームサポートと本発明の実施形態のうちの1つに係るシャドーフレームサポートとの間で、エッチング時間が比較された。チャンバの4つの領域(S/V(第1面)、S/V(第2面)、Win(第1面)、及びWin(第2面))での洗浄時間が記録された。総洗浄時間は、従来のシャドーフレームサポートに対する547秒から、一実施形態に係るシャドーフレームサポートに対する315秒へと減少し、これは42%の減少を示した。
洗浄時間が減少すると、必要とされる洗浄ガスの量も低減される。その結果、製造コストも最小化され、基板コストの低下につながる。一実施形態では、基板は、液晶ディスプレイ(LCD)パネルである。
要約すると、チャンバ洗浄時間は、処理チャンバのコーナーに洗浄ガスを向けることによって最小限に抑えることができる。改良されたシャドーフレームサポートは、コーナーのみを開放したままにして、チャンバ壁に沿った基板支持体とシャドーフレームとの間のポンピングギャップを遮断するために使用される。洗浄中、基板支持体は、シャドーフレームがシャドーフレームサポート及び基板支持体の両方に接触する位置まで上昇される。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (13)

  1. 複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、少なくとも1つの壁は、貫通する開口を有するチャンバ本体と、
    複数の壁のうちの第1壁から延在し、第1壁の水平長さに沿って第1壁の水平長さよりも小さい第1の水平長さを有する1つの第1シャドーフレームサポートと、
    複数の壁のうちの第2壁から延在し、第2壁の水平長さに沿って第2壁の水平長さよりも小さい第2の水平長さを有する1つの第2シャドーフレームサポートと、
    複数の壁のうちの第3壁から延在し、第3壁の水平長さに沿って第3壁の水平長さよりも小さい第3の水平長さを有する1つの第3シャドーフレームサポートと、
    複数の壁のうちの第4壁から延在し、第4壁の水平長さに沿って第4壁の水平長さよりも小さい第4の水平長さを有する1つの第4シャドーフレームサポートを含み、第1、第2、第3、及び第4シャドーフレームサポートは、洗浄ガスラジカルをチャンバ本体のコーナーへと向ける処理装置。
  2. 第1シャドーフレームサポートの両端と第1壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第1シャドーフレームサポートが配置されている請求項1記載の処理装置。
  3. 第2シャドーフレームサポートの両端と第2壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第2シャドーフレームサポートが配置されている請求項2記載の処理装置。
  4. 第3シャドーフレームサポートの両端と第3壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第3シャドーフレームサポートが配置されている請求項3記載の処理装置。
  5. 第4シャドーフレームサポートの両端と第4壁に隣接する壁との間にギャップが存在するように第4シャドーフレームサポートが配置されている請求項4記載の処理装置。
  6. 複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁のうちの第1壁は第1壁の水平長さを有し、複数の壁は複数のコーナーを形成するチャンバ本体と、
    第1の水平長さを有する1つの第1シャドーフレームサポートを含む複数のシャドーフレームサポートであって、第1シャドーフレームサポートは、第1壁の水平長さに沿って第1壁に取り付けられ、第1の水平長さは、第1壁の水平長さよりも短く、第1シャドーフレームサポートは、第1シャドーフレームサポートがコーナーに接触しないように第1壁の長さに沿った方法で配置されており、複数のシャドーフレームサポートは、洗浄ガスラジカルをチャンバ本体の複数のコーナーに向ける複数のシャドーフレームサポートを含む処理装置。
  7. 第1シャドーフレームサポートは、第1壁の水平長さに沿って中央に配置される請求項6記載の処理装置。
  8. 複数の壁は、第2壁の水平長さを有する第2壁を含む請求項6記載の処理装置。
  9. 第1壁の水平長さは第2壁の水平長さに等しい請求項8記載の処理装置。
  10. 複数の壁は、4つの壁を含み、複数のサポートは、4つのシャドーフレームサポートを含む請求項6記載の処理装置。
  11. 第2、第3、及び第4シャドーフレームサポートは、それぞれ第2、第3、及び第4壁の長さに沿って取り付けられ、どのシャドーフレームサポートもコーナーに接触しないように各々の壁の水平長さに沿って配置される請求項10記載の処理装置。
  12. 処理チャンバ内でシャドーフレームサポートの上にシャドーフレームを配置する工程であって、処理チャンバは、
    複数の壁によって画定された内部を有するチャンバ本体であって、複数の壁のうちの第1壁は第1壁の水平長さを有し、複数の壁は複数のコーナーを形成するチャンバ本体と、
    第1の水平長さを有する1つの第1シャドーフレームサポートを含む複数のシャドーフレームサポートであって、第1シャドーフレームサポートは、第1壁の水平長さに沿って第1壁に取り付けられ、第1の水平長さは、第1壁の水平長さよりも短く、第1シャドーフレームサポートは、第1シャドーフレームサポートがコーナーに接触しないように第1壁の水平長さに沿った方法で配置される複数のシャドーフレームサポートとを含む配置する工程と、
    シャドーフレームが基板支持体及びシャドーフレームサポートの両方に触れるような位置まで基板支持体を上昇させる工程と、
    処理チャンバ内に洗浄ガスラジカルを流す工程であって、シャドーフレームサポートは、洗浄ガスラジカルが壁の長さに沿って流れるのを遮断し、洗浄ガスラジカル流をコーナーへと向ける工程とを含む洗浄方法。
  13. 洗浄ガスラジカルはNFラジカルである請求項12記載の方法。
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