JP6305800B2 - マスク製造装置及びマスク製造方法 - Google Patents
マスク製造装置及びマスク製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6305800B2 JP6305800B2 JP2014055941A JP2014055941A JP6305800B2 JP 6305800 B2 JP6305800 B2 JP 6305800B2 JP 2014055941 A JP2014055941 A JP 2014055941A JP 2014055941 A JP2014055941 A JP 2014055941A JP 6305800 B2 JP6305800 B2 JP 6305800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiation
- pattern
- region
- mask
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 105
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
図1は、実施形態にかかるマスク製造装置(インプリントマスク製造装置)10が有する機能の概略を例示する機能ブロック図である。マスク製造装置10は、インプリントマスクを製造することに限定されず、例えばフォトリソグラフィマスクなどを製造するものであってもよい。また、マスク製造装置10は、例えばCPU、記憶装置及び通信インターフェイスなどを備えたコンピュータとしての機能も有している。
11 検出部
12 第1記憶部
13 算出部
14 第2記憶部
15 照射部
16 制御部
21 外辺部
22 パターン領域外周部
22a 領域
23 境界部
24 パターン領域
25 境界部
30 矩形領域
40、41 異質層
Claims (6)
- マスク基板上に形成されたパターンの位置ずれを検出する検出部と、
前記マスク基板に異質層を形成するためのレーザ光を照射する照射部と、
前記検出部が検出した位置ずれに基づいて、前記照射部が前記パターンの領域外周部にレーザ光を照射するための領域外周照射条件を算出する算出部と、
前記領域外周照射条件に応じて、前記照射部を制御する制御部と、を有し、
前記領域外周照射条件は、前記異質層の膨張方向に応じた、レーザ光の照射位置、およびレーザ光の照射量を含む、
マスク製造装置。 - マスク基板上に形成されたパターンの位置ずれを検出する検出部と、
前記マスク基板に異質層を形成するためのレーザ光を照射する照射部と、
前記検出部が検出した位置ずれに基づいて、前記照射部が前記パターンの領域外周部にレーザ光を照射するための領域外周照射条件を算出する算出部と、
前記領域外周照射条件に応じて、前記照射部を制御する制御部と、を有し、
前記算出部は、
前記パターンの領域内に前記異質層を形成することにより前記検出部が検出した位置ずれを小さくするように、前記照射部にレーザ光を照射させる領域内照射条件を算出し、前記照射部が前記領域内照射条件に応じてレーザ光を照射させた場合に、前記マスク基板上に生じる不要な膨張を小さくするように前記領域外周照射条件を算出し、
前記制御部は、
前記領域内照射条件及び前記領域外周照射条件に応じて、前記照射部が前記パターンの領域内及び領域外周部に前記異質層を形成するように、前記照射部を制御する
マスク製造装置。 - マスク基板上に形成されたパターンの位置ずれを検出する検出部と、
前記マスク基板に異質層を形成するためのレーザ光を照射する照射部と、
前記検出部が検出した位置ずれに基づいて、前記照射部が前記パターンの領域外周部にレーザ光を照射するための領域外周照射条件を算出する算出部と、
前記領域外周照射条件に応じて、前記照射部を制御する制御部と、を有し、
前記算出部は、
前記パターンの領域を内包する複数の分割領域と、前記パターンの中心とをそれぞれ結ぶ直線に沿う方向に、前記分割領域それぞれに形成する前記異質層が膨張するように前記領域外周照射条件を算出する
マスク製造装置。 - 前記複数の分割領域は、
外周が多角形を形成する
請求項3に記載のマスク製造装置。 - 前記算出部は、
前記パターンの領域内に形成される前記異質層と、前記パターンの領域外周部に形成される前記異質層とが、前記マスク基板の厚さ方向で異なる位置に形成されるように、前記領域内照射条件及び前記領域外周照射条件を算出する
請求項2に記載のマスク製造装置。 - マスク基板上に形成されたパターンの位置ずれを検出する工程と、
検出した位置ずれに基づいて、前記パターンの領域外周部にレーザ光を照射するための領域外周照射条件を算出する工程と、
前記領域外周照射条件に応じて、レーザ光を照射する照射部を制御する工程と、を含み、
前記領域外周照射条件は、前記マスク基板に形成する異質層の膨張方向に応じた、レーザ光の照射位置、およびレーザ光の照射量を含む、
マスク製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014055941A JP6305800B2 (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | マスク製造装置及びマスク製造方法 |
EP15158388.7A EP2921907A3 (en) | 2014-03-19 | 2015-03-10 | Mask manufacturing equipment and mask maufacturing method |
US14/645,842 US9817318B2 (en) | 2014-03-19 | 2015-03-12 | Mask manufacturing equipment and mask manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014055941A JP6305800B2 (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | マスク製造装置及びマスク製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015179717A JP2015179717A (ja) | 2015-10-08 |
JP6305800B2 true JP6305800B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=52813891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014055941A Active JP6305800B2 (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | マスク製造装置及びマスク製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9817318B2 (ja) |
EP (1) | EP2921907A3 (ja) |
JP (1) | JP6305800B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016225623B4 (de) | 2016-12-20 | 2023-02-16 | Adidas Ag | Verfahren zum Verbinden von Komponenten eines Sportschuhs und Sportschuh davon sowie Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
JP2020126877A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | キオクシア株式会社 | 原版、原版の製造方法および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100791338B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 레지스트레이션이 보정된 포토마스크 및 포토마스크의레지스트레이션 보정 방법 |
JP4909913B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | インプリントマスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP5353230B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-11-27 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクのパタン位置補正方法および位置補正されたフォトマスク |
EP2209046A1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-07-21 | Pixer Technology Ltd. | Method and apparatus for registration correction of masks |
KR101084231B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 시스템 및 레이저 조사 방법 |
DE102011078927B4 (de) | 2010-07-12 | 2019-01-31 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren zum Korrigieren von Fehlern einer photolithographischen Maske |
DE102011083774B4 (de) | 2010-10-04 | 2019-06-13 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren zum Bestimmen von Laser korrigierenden Tool-Parametern |
US20120154773A1 (en) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Method and apparatus for correcting errors on a wafer processed by a photolithographic mask |
US8539394B2 (en) * | 2011-03-02 | 2013-09-17 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Method and apparatus for minimizing overlay errors in lithography |
NL2008335A (en) * | 2011-04-07 | 2012-10-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask. |
-
2014
- 2014-03-19 JP JP2014055941A patent/JP6305800B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-10 EP EP15158388.7A patent/EP2921907A3/en not_active Withdrawn
- 2015-03-12 US US14/645,842 patent/US9817318B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9817318B2 (en) | 2017-11-14 |
EP2921907A2 (en) | 2015-09-23 |
EP2921907A3 (en) | 2015-12-09 |
US20150268562A1 (en) | 2015-09-24 |
JP2015179717A (ja) | 2015-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4909913B2 (ja) | インプリントマスクの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
TWI675192B (zh) | 用於減少半導體基板應變變化的方法 | |
JP6412317B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 | |
JP2011066238A (ja) | パターン形成用テンプレートの作製方法 | |
US20210114284A1 (en) | Imprint method and template | |
US10870225B2 (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
JP2016201455A (ja) | インプリント装置、および物品の製造方法 | |
JP2017050428A (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 | |
US10241394B2 (en) | Pattern formation method, control device, and semiconductor device manufacture method | |
JP6305800B2 (ja) | マスク製造装置及びマスク製造方法 | |
JP2015177032A (ja) | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 | |
JP2015213129A (ja) | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
US12001147B2 (en) | Precision multi-axis photolithography alignment correction using stressor film | |
JP2019532342A (ja) | 基板にわたってパラメータ変動を修正する処理装置及び方法 | |
JP6379937B2 (ja) | ステージ制御方法、修正テンプレートの製造方法、およびテンプレート観察修正装置 | |
JP2016100366A (ja) | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
US20180136569A1 (en) | Hybrid laser and implant treatment for overlay error correction | |
JP2019024089A (ja) | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 | |
US20150144807A1 (en) | Drawing data creating method, drawing apparatus, drawing method, and article manufacturing method | |
KR102354691B1 (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 | |
JP2017168660A (ja) | 描画位置補正データ作成方法およびテンプレート作製方法 | |
JP5812642B2 (ja) | 荷電粒子線描画方法、およびそれを用いた物品の製造方法 | |
JP2010113185A (ja) | 露光用マスクおよびプロセス評価方法 | |
JP2006005194A (ja) | マスク保持方法及びマスク倍率補正方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20151102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170517 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6305800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |