JP6305798B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子および電子機器に関する。

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する場合がある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層および該発光層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。

従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率化が要求されている。

近年、発光層にホスト材料とドーパント材料を含有させ、励起はホスト材料、発光はドーパント材料と、それぞれ機能を分離させることで、素子性能を改善する技術が開発されている。
例えば、特許文献１や特許文献２には、ドーパント材料としてのジアリールアミノ基で置換されたベンゾフルオレン化合物、およびホスト材料としてのアントラセン誘導体を含有する発光層を備えた有機電界発光素子が記載されている。特許文献１によれば、このような有機電界発光素子によって、電流効率や素子寿命に関して十分な性能を得ようと試みている。また、特許文献２によれば、このような有機電界発光素子によって、従来の駆動電圧を維持しながら、高い色純度で青色発光させることを試みている。
また、特許文献３には、ドーパント材料としてのベンゾインデノフルオレンジアミン、およびホスト材料としてのアントラセン誘導体を含有する発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子が記載されている。特許文献３によれば、このような有機エレクトロルミネッセンス素子によって、寿命と量子効率を従来よりもさらに増加させることを試みている。

特開２００８−２９１００６号公報 特開２０１１−２２５５４６号公報 特表２００９−５４２７３５号公報

しかしながら、有機ＥＬ素子の実用化のためには、さらなる低電圧化、高発光効率化および長寿命化が求められる。

本発明の目的は、低電圧で駆動、かつ高効率で発光し、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子、および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することである。

本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陰極と、陽極と、発光層と、を含み、前記発光層は、下記一般式（１）で表される第一の化合物、および下記一般式（２）で表される第二の化合物を含有することを特徴とする。

［前記一般式（１）において、
Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０のいずれかｃ個はＬ^１との結合に用いられる単結合である。ただし、Ｒ^１０９およびＲ^１１０の少なくとも１つは、Ｌ^１との結合に用いられる単結合である。
Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ^１００）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ^１１１）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基
からなる群から選択される置換基である。
Ｒ^１００は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ^１００が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ^１００は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^１１１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ^１１１が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ^１１１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^１は、単結合または連結基であり、
Ｌ^１における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
多重連結基であり、
前記多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなり、前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合と、環を形成しない場合とがあり、
ａ、ｂ、ｃは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｂが２〜４の整数の場合の、Ｌ^１との結合に用いられない複数のＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｃが２〜４の整数の場合の複数のＬ^１およびＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。
Ｚ^１は下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表される。

｛前記一般式（１ａ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、
Ｒ^１２０と結合する炭素原子、
Ｌ^１と結合する炭素原子、
下記一般式（１１ａ）で表される構造と結合する炭素原子、または
下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
下記一般式（１１ａ）または下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する場合、Ｘ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組のうち少なくともいずれかの組が、下記一般式（１１ａ）または下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ^１２０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ^１２０が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
複数のＲ^１２０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^１０は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ^１１２）_２であり、Ｒ^１１２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ^１００と同義である。
前記一般式（１ｂ）において、
Ｘ^１１９〜Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、
Ｒ^１２１と結合する炭素原子、
Ｌ^１と結合する炭素原子、または
下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する場合、Ｘ^１２１とＸ^１２２の組、Ｘ^１２２とＸ^１２３の組、並びにＸ^１２３とＸ^１２４の組のうち少なくともいずれかの組が、下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ^１２１は、それぞれ独立に、前記Ｒ^１２０と同義であり、
複数のＲ^１２１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^１１は、前記Ｘ^１０と同義である。

（前記一般式（１１ａ）における＊_１および＊_２は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）におけるＸ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示し、
前記一般式（１１ｂ）における＊_３および＊_４は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）におけるＸ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位、または前記一般式（１ｂ）におけるＸ^１２１とＸ^１２２の組、Ｘ^１２２とＸ^１２３の組、並びにＸ^１２３とＸ^１２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示す。
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、またはＬ^１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１ａ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ａ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８およびＸ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１ａ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ｂ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８およびＸ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１ｂ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ｂ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２４およびＸ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４のうち少なくとも２つがＲ^１２０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１１５〜Ｘ^１１８のうち少なくとも２つがＲ^１２０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１１９およびＸ^１２０のいずれもがＲ^１２１と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２１同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１２１〜Ｘ^１２４のうち少なくとも２つがＲ^１２１と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２１同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうち少なくとも２つがＲ^１３０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１３０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうち少なくとも２つがＲ^１３０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１３０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよい。
Ｒ^１３０は、それぞれ独立に、前記Ｒ^１２０と同義であり、
複数のＲ^１３０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^１２は、前記Ｘ^１０と同義である。）｝］

（前記一般式（２）において、Ｘ_２１〜Ｘ_２４は、それぞれ独立に、Ｒ_２と結合する炭素原子、または前記一般式（２０）で表される構造と結合する炭素原子であり、ただし、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組のうち少なくともいずれかの組が前記一般式（２０）で表される構造と結合する炭素原子であり、
前記一般式（２０）において、＊_５および＊_６は、それぞれ独立に、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示す。
Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_２１０）_３で表されるシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
複数のＲ_２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２１０が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２１０は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ａｒ_２１、Ａｒ_２２、Ａｒ_２３およびＡｒ_２４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｌ_２１、Ｌ_２２、Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ_２１、Ｌ_２２、Ｌ_２３およびＬ_２４における連結基としては、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
多重連結基であり、
前記多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなり、前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合と、環を形成しない場合とがあり、
Ｙ_２１、およびＹ_２２は、それぞれ独立に、ＣＲ_２０Ｒ_２１、ＮＲ_２２、Ｓ、Ｏ、またはＳｉＲ_２３Ｒ_２４であり、
Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ１は、３であり、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ２は、３であり、複数のＲ_２６は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２０〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２０〜Ｒ_２６が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、置換基Ｒ_２５同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_２６のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基であり、置換基Ｒ_２６同士は、互いに結合して環構造が構築されている。）

本発明によれば、低電圧で駆動、かつ高効率で発光し、長寿命の有機エレクトロルミネッセンス素子、および前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図である。

［有機ＥＬ素子］
本発明の第一実施形態における有機ＥＬ素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に配置された有機層とを有する。有機層は、一層または複数層で構成される。
また、本発明の有機ＥＬ素子において、有機層のうち少なくとも１層は、発光層である。そのため、有機層は、例えば、一層の発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の公知の有機ＥＬ素子で採用される層を有していてもよい。有機層は、無機化合物を含んでいてもよい。

有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、例えば、次の（ａ）〜（ｅ）等の構成を挙げることができる。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／障壁層／電子注入・輸送層／陰極
上記の中で、（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）のいずれかの構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。

なお、上記「発光層」とは、発光機能を有する有機層である。
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極側に電子注入層が設けられていることが好ましい。
発光層と陰極との間に存在する電子輸送層領域の有機層については、いずれの層も電子輸送性を示すが、一般的に、障壁層は励起エネルギーの拡散を防ぐ役割を果たし、電子注入層は電子注入障壁を低減するという役割を果たす。

図１に、本発明の実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を有する。
そして、有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入・輸送層６、発光層５、および電子注入・輸送層７が積層されて構成される。

（発光層）
本実施形態に係る発光層５は、第一の化合物および第二の化合物を含む。

・第一の化合物
第一の化合物は、下記一般式（１）で表される。

前記一般式（１）において、
Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０のいずれかｃ個はＬ^１との結合に用いられる単結合である。ただし、Ｒ^１０９およびＲ^１１０の少なくとも１つは、Ｌ^１との結合に用いられる単結合である。
Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ^１００）_３で表されるシリル基、
−Ｎ（Ｒ^１１１）_２で表されるアミノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基
からなる群から選択される置換基である。
Ｒ^１００は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ^１００が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ^１００は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^１１１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ^１１１が置換基である場合の置換基としては、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ^１１１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^１は、単結合または連結基であり、
Ｌ^１における連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
多重連結基であり、
前記多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなり、前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合と、環を形成しない場合とがあり、
ａ、ｂ、ｃは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｂが２〜４の整数の場合の、Ｌ^１との結合に用いられない複数のＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｃが２〜４の整数の場合の複数のＬ^１およびＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。
Ｚ^１は下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表される。

前記一般式（１ａ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、
Ｒ^１２０と結合する炭素原子、
Ｌ^１と結合する炭素原子、
下記一般式（１１ａ）で表される構造と結合する炭素原子、または
下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
下記一般式（１１ａ）または下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する場合、Ｘ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組のうち少なくともいずれかの組が、下記一般式（１１ａ）または下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ^１２０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ^１２０が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
複数のＲ^１２０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^１０は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ^１１２）_２であり、Ｒ^１１２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ^１００と同義である。
前記一般式（１ｂ）において、
Ｘ^１１９〜Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、
Ｒ^１２１と結合する炭素原子、
Ｌ^１と結合する炭素原子、または
下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する場合、Ｘ^１２１とＸ^１２２の組、Ｘ^１２２とＸ^１２３の組、並びにＸ^１２３とＸ^１２４の組のうち少なくともいずれかの組が、下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
Ｒ^１２１は、それぞれ独立に、前記Ｒ^１２０と同義であり、
複数のＲ^１２１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^１１は、前記Ｘ^１０と同義である。

前記一般式（１１ａ）における＊_１および＊_２は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）におけるＸ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示し、
前記一般式（１１ｂ）における＊_３および＊_４は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）におけるＸ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位、または前記一般式（１ｂ）におけるＸ^１２１とＸ^１２２の組、Ｘ^１２２とＸ^１２３の組、並びにＸ^１２３とＸ^１２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示す。
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、またはＬ^１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１ａ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ａ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８およびＸ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１ａ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ｂ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８およびＸ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
前記一般式（１ｂ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ｂ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２４およびＸ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４のうち少なくとも２つがＲ^１２０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１１５〜Ｘ^１１８のうち少なくとも２つがＲ^１２０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１１９およびＸ^１２０のいずれもがＲ^１２１と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２１同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１２１〜Ｘ^１２４のうち少なくとも２つがＲ^１２１と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２１同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうち少なくとも２つがＲ^１３０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１３０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうち少なくとも２つがＲ^１３０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１３０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよい。
Ｒ^１３０は、それぞれ独立に、前記Ｒ^１２０と同義であり、
複数のＲ^１３０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^１２は、前記Ｘ^１０と同義である。

前記一般式（１）は、下記一般式（１−１）または下記一般式（１−２）のいずれかで表されることが好ましい。

前記一般式（１−１）において、
Ｒ^１０９およびＲ^１１０のいずれか１つは、Ｌ^１との結合に用いられる単結合である。
Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択される。
Ｌ^１は、前記Ｌ^１と同義であり、
Ｚ^１は、前記Ｚ^１と同義であり、
ａおよびｂは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｂが２〜４の整数の場合の、Ｌ^１との結合に用いられない複数のＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ同一でも異なってもよい。
前記一般式（１−２）において、
Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０は、前記一般式（１）におけるＲ^１０１〜Ｒ^１１０と同義であり、
Ｌ^１は、前記Ｌ^１と同義であり、
Ｚ^１は、前記Ｚ^１と同義であり、
ａおよびｃは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｃが２〜４の整数の場合の複数のＬ^１およびＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。

前記一般式（１）において、Ｚ^１が、前記一般式（１ａ）で表されることが好ましい。
さらに、前記一般式（１ａ）が、下記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）のいずれかで表されることが好ましい。

前記一般式（１０１Ａ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１５，Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１５，Ｘ^１１８，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０１Ｂ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７，Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７，Ｘ^１１８，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０１Ｃ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）において、
Ｘ^１０は、前記Ｘ^１０と同義であり、
Ｒ^１２０は、前記Ｒ^１２０と同義であり、
Ｒ^１３０は、前記Ｒ^１３０と同義である。

また、前記一般式（１ａ）が、下記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）のいずれかで表されても好ましい。

前記一般式（１０２Ａ）および（１０２Ｂ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６，Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０２Ｃ）および（１０２Ｄ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１５，Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１５，Ｘ^１１８，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０２Ｅ）および（１０２Ｆ）において、
Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７，Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７，Ｘ^１１８，Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）において、
Ｘ^１０は、前記Ｘ^１０と同義であり、
Ｘ^１２は、前記Ｘ^１２と同義であり、
Ｒ^１２０は、前記Ｒ^１２０と同義であり、
Ｒ^１３０は、前記Ｒ^１３０と同義である。

前記一般式（１）のＸ^１１１〜Ｘ^１１４のいずれか１つがＬ^１との結合に用いられる炭素原子であることが好ましく、Ｘ^１１３がＬ^１との結合に用いられる炭素原子であることがより好ましい。

また、前記一般式（１ａ）が、前記一般式（１１ａ）で表される構造および前記一般式（１１ｂ）で表される構造のいずれとも結合せず、前記Ｘ^１１１またはＸ^１１２が、前記Ｌ^１との結合に用いられる炭素原子であることも好ましい。

また、前記一般式（１）において、Ｚ^１が、前記一般式（１ｂ）で表されても好ましい。
さらに、前記一般式（１ｂ）が、下記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）のいずれかで表されることが好ましい。

前記一般式（１０３Ａ）において、
Ｘ^１１９〜Ｘ^１２２は、それぞれ独立に、Ｒ^１２１と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２２，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０３Ｂ）において、
Ｘ^１１９〜Ｘ^１２１，Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、Ｒ^１２１と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２１，Ｘ^１２４，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０３Ｃ）において、
Ｘ^１１９，Ｘ^１２０，Ｘ^１２３，Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、Ｒ^１２１と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｘ^１１９，Ｘ^１２０，Ｘ^１２３，Ｘ^１２４，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
前記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）において、
Ｘ^１１は、前記Ｘ^１０と同義であり、
Ｒ^１２１は、前記Ｒ^１２１と同義であり、
Ｒ^１３０は、前記Ｒ^１３０と同義である。

また、前記一般式（１ｂ）が、前記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合せず、前記Ｘ^１１９またはＸ^１２３が、前記Ｌ^１との結合に用いられる炭素原子であることも好ましい。

前記一般式（１）のｂが１または２であることが好ましい。
また、前記一般式（１）のａが１または２であることが好ましい。
より好ましくは、前記一般式（１）において、ａが１かつｂが１である。
また、前記一般式（１）のｃが１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
特に好ましくは、前記一般式（１）において、ａ，ｂ，ｃが、ともに１である。

前記一般式（１）のＲ^１０９は、Ｌ^１との結合に用いられる単結合であることが好ましい。

前記一般式（１）のＲ^１１０が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることがより好ましく、置換もしくは無置換のフェニル基、または置換もしくは無置換のナフチル基であることがさらに好ましい。
また、前記一般式（１）のＬ^１が、単結合、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることが好ましく、単結合またはフェニレン基であることがより好ましい。
また、前記一般式（１）のＲ^１０１〜Ｒ^１０８が、水素原子であることが好ましい。

前記第一の化合物は、下記一般式（１−ａ）〜（１−ｘ）のいずれかで表されることが好ましい。なお、下記一般式（１−ａ）〜（１−ｘ）において、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８およびＲ^１１０は、それぞれ前記Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１０８およびＲ^１１０と同義である。Ｌ^１、Ｘ^１０、Ｘ^１２、Ｘ^１１１〜Ｘ^１２２、Ｘ^１３１〜Ｘ^１３８およびａは、それぞれ前記Ｌ^１、Ｘ^１０、Ｘ^１２、Ｘ^１１１〜Ｘ^１２２、Ｘ^１３１〜Ｘ^１３８およびａと同義である。

また、前記第一の化合物は、下記一般式（１−Ａ）〜（１−Ｃ）のいずれかで表されることも好ましい。なお、下記一般式（１−Ａ）〜（１−Ｃ）において、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０８およびＲ^１１０は、それぞれ前記Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１０８およびＲ^１１０と同義である。Ｌ^１、Ｘ^１０、Ｒ^１２０およびＲ^１３０は、それぞれ前記Ｌ^１、Ｘ^１０、Ｒ^１２０およびＲ^１３０と同義である。

前記一般式（１−Ａ）〜（１−Ｃ）のＲ^１１０は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることがより好ましく、置換もしくは無置換のフェニル基、または置換もしくは無置換のナフチル基であることがさらに好ましい。

以下に、一般式（１）で表される第一の化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。

・第二の化合物
本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２）で表される。

前記一般式（２）において、Ｘ_２１〜Ｘ_２４は、それぞれ独立に、Ｒ_２と結合する炭素原子、または前記一般式（２０）で表される構造と結合する炭素原子であり、ただし、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組のうち少なくともいずれかの組が前記一般式（２０）で表される構造と結合する炭素原子である。
前記一般式（２０）において、＊_５および＊_６は、それぞれ独立に、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示す。
Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２が置換基である場合の置換基としては、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
−Ｓｉ（Ｒ_２１０）_３で表されるシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
複数のＲ_２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２１０が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
複数のＲ_２１０は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ａｒ_２１、Ａｒ_２２、Ａｒ_２３およびＡｒ_２４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
Ｌ_２１、Ｌ_２２、Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
Ｌ_２１、Ｌ_２２、Ｌ_２３およびＬ_２４における連結基としては、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
前記芳香族炭化水素環基から選ばれる２個もしくは３個の基が結合してなる多重連結基、
前記複素環基から選ばれる２個もしくは３個の基が結合してなる多重連結基、または
多重連結基であり、
前記多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなり、前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合と、環を形成しない場合とがあり、
Ｙ_２１、およびＹ_２２は、それぞれ独立に、ＣＲ_２０Ｒ_２１、ＮＲ_２２、Ｓ、Ｏ、またはＳｉＲ_２３Ｒ_２４であり、
Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ１は、３であり、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ２は、３であり、複数のＲ_２６は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２０〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２０〜Ｒ_２６が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、置換基Ｒ_２５同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_２６のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基であり、置換基Ｒ_２６同士は、互いに結合して環構造が構築されている。

Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組のうち少なくともいずれかの組が、炭素原子であって、前記一般式（２０）で表される構造における結合部位＊_５または結合部位＊_６と結合する場合について説明する。例えば、Ｘ_２１とＸ_２２の組について、Ｘ_２１が、結合部位＊_５と結合する炭素原子であり、Ｘ_２２が、結合部位＊_６と結合する炭素原子である場合、前記一般式（２）で表される化合物は、下記一般式（２ｘ）で表される。

前記一般式（２０）で表される構造は、下記一般式（２０Ａ）、下記一般式（２０Ｂ）、または下記一般式（２０Ｃ）で表される構造のいずれかであることが好ましく、中でも、下記一般式（２０Ｃ）で表される構造であることがより好ましい。

前記一般式（２０Ａ），（２０Ｂ），（２０Ｃ）において、
＊_５および＊_６は、それぞれ、前記一般式（２０）における＊_５および＊_６と同義であり、
Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ３は、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２６およびＲ_２７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２６およびＲ_２７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２７のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２７同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

また、前記一般式（２０）で表される構造は、下記一般式（２０Ｅ）で表される構造であることも好ましい。

前記一般式（２０Ｅ）において、
＊_５および＊_６は、それぞれ、前記一般式（２０）における＊_５および＊_６と同義であり、
Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ３は、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２６およびＲ_２７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２６およびＲ_２７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２７のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２７同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

また、前記一般式（２０）で表される構造は、下記一般式（２０Ｄ）で表される構造であることも好ましい。

前記一般式（２０Ｄ）において、
＊_５および＊_６は、それぞれ、前記一般式（２０）における＊_５および＊_６と同義であり、
Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
Ｒ_２６１は、水素原子または置換基であり、Ｒ_２６２およびＲ_２６３は、置換基であり、Ｒ_２６１〜Ｒ_２６３が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
置換基Ｒ_２６２および置換基Ｒ_２６３は、互いに結合して環構造が構築されている。

前記一般式（２）は、下記一般式（２Ａ）で表されることが好ましい。

前記一般式（２Ａ）において、
Ｘ_２１〜Ｘ_２４は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２と結合する炭素原子、前記＊_５と結合する炭素原子、または前記＊_６と結合する炭素原子であり、ただし、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組のうち少なくともいずれかの組の炭素原子が前記＊_５および前記＊_６と結合し、
Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２５２およびＲ_２５３が６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２５２および置換基Ｒ_２５３は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

前記第二の化合物は、下記一般式（２１）〜（２６）のいずれかで表されることが好ましい。

前記一般式（２１）〜（２６）において、
Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
ｍ１およびｍ２は、３であり、Ｒ_２５，Ｒ_２６は、６員環の炭素原子に結合し、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、複数のＲ_２６は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２５，Ｒ_２６，Ｒ_２１１，Ｒ_２１２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５，Ｒ_２６，Ｒ_２１１，Ｒ_２１２が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２５同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_２６のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基であり、置換基Ｒ_２６同士は、互いに結合して環構造が構築されており、
Ｒ_２１１およびＲ_２１２が置換基である場合、Ｒ_２１１およびＲ_２１２が互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

本実施形態において、前記第二の化合物は、下記一般式（２７），（２７Ａ）〜（２７Ｅ）のいずれかで表されることも好ましい。

（前記一般式（２７），（２７Ａ）〜（２７Ｅ）において、
Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
ｍ１は、３であり、Ｒ_２５は、６員環の炭素原子に結合し、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
ｍ３は、４であり、Ｒ_２７は、６員環の炭素原子に結合し、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
Ｒ_２５〜Ｒ_２７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５〜Ｒ_２７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２５同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_２１１およびＲ_２１２が置換基である場合、Ｒ_２１１およびＲ_２１２が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_２７のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２７同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。）

本実施形態において、前記第二の化合物は、前記一般式（２７），（２７Ａ）〜（２７Ｅ）のうち、前記一般式（２７）で表されることが好ましい。

また、前記第二の化合物は、下記一般式（２８）で表されることも好ましい。

前記一般式（２８）において、
Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３，Ｒ_２６１，Ｒ_２７１〜Ｒ_２７４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３，Ｒ_２６１，Ｒ_２７１〜Ｒ_２７４が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
Ｒ_２５２およびＲ_２５３が置換基である場合、置換基Ｒ_２５２および置換基Ｒ_２５３は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
Ｒ_２７１〜Ｒ_２７５のうち少なくとも２つが置換基である場合、当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。

前記一般式（２）のＹ_２１およびＹ_２２は、それぞれ独立に、ＣＲ_２０Ｒ_２１であることが好ましく、Ｒ_２０およびＲ_２１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２０およびＲ_２１が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択されるであることが好ましく、中でも、Ｒ_２０およびＲ_２１が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることがより好ましい。

また、前記一般式（２）のＡｒ_２１〜Ａｒ_２４における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、およびペリレニル基からなる群から選択される芳香族炭化水素基であることが好ましく、中でも、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、およびフルオレニル基からなる群から選択される芳香族炭化水素基であることがより好ましい。

また、前記一般式（２）のＬ_２１〜Ｌ_２４は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、Ｌ_２１〜Ｌ_２４における連結基としては、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることが好ましく、中でも、Ｌ_２１〜Ｌ_２４は、単結合であることがより好ましい。

また、前記一般式（２）のＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２が置換基である場合の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、−Ｓｉ（Ｒ_２１０）_３で表されるシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であることが好ましく、Ｒ_２１０は、水素原子または置換基であり、複数のＲ_２１０は、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ_２１０が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択されることが好ましい。

以下に、前記一般式（２）で表される第二の化合物の具体例を示すが、本発明は、これらの例示化合物に限定されるものではない。

本実施形態において、発光層５は、前記第一の化合物と第二の化合物とを含む。
有機ＥＬ素子において、低電圧化を図るには、イオン化ポテンシャルが浅く（小さく）、正孔注入性および正孔輸送性に優れるホスト材料を用いることが考えられる。しかしながら、この作用は、発光層中の再結合領域を電子輸送層側に広がりをもたせるため、光取出し効率の低下や、さらにホール過多の場合、有機ＥＬ素子の寿命が短くなることが懸念される。

また、キャリア輸送性の高いホスト材料は、発光層中での電子と正孔との再結合確率を低下させ、発光効率の低下が懸念される。発光効率の低下を抑えるためには、周辺層にブロック性の高い材料を用いることが有効である。しかしながら、ブロック性の高い材料は一重項エネルギーのギャップが大きいことが多く、これにより、高電圧化が懸念される。

さらに、長寿命化を図るには、エネルギーギャップの狭い発光材料をドーパント材料として用いることが考えらえる。エネルギーギャップが狭いほど、励起エネルギーを小さくすることができるため、発光材料に加わる負荷を低減することが期待できるからである。特許文献１や特許文献２に記載のジアリールアミノ基で置換されたベンゾフルオレン化合物の共役系に比べて、特許文献３に記載のベンゾインデノフルオレンジアミン化合物の共役系の方が長い。そのため、特許文献３に記載のベンゾインデノフルオレンジアミン化合物の方が、エネルギーギャップが狭く、長寿命化に寄与し得る。一方で、ディスプレイ、照明等アプリケーションにより必要な色度が存在し、最低限必要なエネルギーギャップが存在する。しかしながら、上述の通り、素子の寿命はホスト材料のキャリア輸送性によっても大きく左右され、ドーパント材料の特性を活かせない場合がある。

そこで、本発明者らは、第一の化合物と第二の化合物との組合わせにおいて、第一の化合物および第二の化合物のイオン化ポテンシャルに着目した。その結果、第一の化合物と第二の化合物との組合わせにより、それぞれの化合物の特性を活かせることが判明した。

第一の化合物は、縮合アリールが置換されたアントラセン誘導体と比較してイオン化ポテンシャルが浅く（小さく）、正孔注入性および正孔輸送性に優れるため、低電圧化に寄与するものと考えられる。ここで、発光効率の低下が懸念されるところであるが、特定の構造を有する第二の化合物を組み合わせて用いることで低下が抑制される。
また、第二の化合物は、特許文献１や特許文献２に記載のジアリールアミノ基で置換されたベンゾフルオレン化合物に比べてイオン化ポテンシャルが浅い（小さい）。したがって、第一の化合物を用いることで発光層内における正孔の存在分布が電子輸送層側に拡がり、光取出し効率の低下をもたらすが、そのような状況下でホールトラップ性の高い第二の化合物が存在する結果、発光層中での電子と正孔との再結合領域の分布が狭くなることが考えられる。ゆえに、本実施形態に係る有機ＥＬ素子によれば、ジアリールアミノ基で置換されたベンゾフルオレン化合物を用いた素子に比べて、発光効率が向上すると考えられる。さらに、第二の化合物は、共役系が長い化合物であることが長寿命化に寄与し、さらには、第二の化合物は、ホールトラップ性が高いため、発光層内で正孔をトラップし易く、正孔が電子輸送層側へ漏れることを抑制し易いので、この点からも長寿命化に寄与するものと考えられる。
このように、本実施形態においては、発光層５が前記第一の化合物と第二の化合物とを含むことにより、有機ＥＬ素子１の低電圧化、高発光効率化および長寿命化を実現できる。

発光層５において、前記第一の化合物をホスト材料として用い、前記第二の化合物をドーパント材料として用いるドーピングシステムを採用することが好ましい。ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。ドーパント材料である前記第二の化合物の具体例示化合物に対して、ホスト材料である前記第一の化合物の前記具体例示化合物の組合せは好適な組合せといえる。

発光層における第二の化合物の含有率は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１質量％以上１５質量％以下が好ましく、１質量％以上１０質量％以下がより好ましい。第二の化合物の含有率が、０．１質量％以上１５質量％以下であると、低電圧化、高発光効率化、および長寿命化において、第一の化合物との相乗効果がより期待できる。

（基板）
基板２は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
基板２上に形成される陽極３には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法等により作製してもよい。
陽極３上に形成される有機層１０のうち、陽極３に接して形成される正孔注入層６は、陽極３の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることもできる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。

（正孔注入層）
正孔注入層６は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層６は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層６には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層６には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

（電子輸送層）
電子輸送層７は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層７には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺ等の金属錯体等を用いることが
できる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等の複素芳香族化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層７は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、電子輸送層７には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）等を用いることができる。

（電子注入層）
電子注入層７は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極４からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層７に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層７を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（陰極）
陰極４には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（有機ＥＬ素子の各層の形成方法）
有機ＥＬ素子１の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。有機ＥＬ素子１に用いる有機層１０は、有機ＥＬ素子用材料を溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

（有機ＥＬ素子の各層の膜厚）
発光層の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上５０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層の膜厚を５ｎｍ以上とすることで、発光層を形成し易くなり、色度を調整し易くなる。発光層の膜厚を５０ｎｍ以下とすることで、駆動電圧の上昇を抑制できる。
その他の各有機層の膜厚は特に制限されないが、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。このような膜厚範囲とすることで、膜厚が薄すぎることに起因するピンホール等の欠陥を防止するとともに、膜厚が厚すぎることに起因する駆動電圧の上昇を抑制し、効率の悪化を防止できる。

次に、前記一般式に記載の各置換基について説明する。
本実施形態におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

本実施形態における炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基等が挙げられる。
本実施形態における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が特に好ましい。
本実施形態におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が特に好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜２０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。

本実施形態における炭素数１〜２０のアルコキシ基は、−ＯＺ_１と表される。このＺ_１の例として、上記炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜２０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。

本実施形態における環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ_２と表される。このＺ_２の例として、後述する環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または後述する単環基および縮合環基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基等が挙げられる。

本実施形態における炭素数１〜２０のアルキルチオ基は、−ＳＲ_Ｖと表される。このＲ_Ｖの例として、上記炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。このアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。
環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基は、−ＳＲ_Ｗと表される。このＲ_Ｗの例として、後述する環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基が挙げられる。このアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基等が挙げられる。

本実施形態における−Ｓｉ（Ｒ^１００）_３で表されるシリル基としては、アルキルシリル基、アリールシリル基、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
アルキルシリル基としては、上記炭素数１〜２０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
アリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基等が挙げられる。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜２０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、後述する環形成炭素数６〜３０のアリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、炭素数１〜２０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、後述する環形成炭素数６〜３０のアリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。
トリアリールシリル基は、例えば、後述する環形成炭素数６〜３０のアリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。

本実施形態における−Ｎ（Ｒ^１１１）_２で表されるアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。

本実施形態における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基（アリール基と称する場合がある。）としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基等が挙げられる。
本実施形態におけるアリール基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。上記アリール基の中でも、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、上述の置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基が置換されていることが好ましい。

本実施形態における環形成原子数５〜３０の複素環基（ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基等が挙げられる。
本実施形態における複素環基の環形成原子数は５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が特に好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、上述の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。

また、本実施形態において、複素環基は、例えば、下記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造から誘導される基であってもよい。

前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、ヘテロ原子であり、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、またはゲルマニウム原子であることが好ましい。前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造は、任意の位置で結合手を有して複素環基となり、この複素環基は、置換基を有していてもよい。

また、本実施形態において、置換もしくは無置換のカルバゾリル基としては、例えば、下記式で表されるようなカルバゾール環に対してさらに環が縮合した基も含み得る。このような基も置換基を有していてもよい。また、結合手の位置も適宜変更され得る。

本実施形態において、多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなる。前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよい。前記多重連結基を構成する個々の基は、隣り合う基と結合してさらに環が構築されていてもよい。
前記多重連結基の例としては、前記芳香族炭化水素基および前記複素環基からなる群から選ばれる２つもしくは３つの基が結合してなる２価の基が挙げられる。
前記多重連結基における基の連結態様としては、例えば、複素環基−芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−複素環基−芳香族炭化水素基、複素環基−芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−芳香族炭化水素基−複素環基、芳香族炭化水素基−複素環基−複素環基等が挙げられる。
好ましくは、前記芳香族炭化水素基と前記複素環基が１つずつ結合してなる２価の基、つまり複素環基−芳香族炭化水素基、及び芳香族炭化水素基−複素環基である。なお、これらの多重連結基における芳香族炭化水素基および複素環基の具体例としては、芳香族炭化水素基および複素環基について説明した前述の基が挙げられる。

本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、または芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
また、本発明において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

また、本発明において、「環形成炭素数」とは、原子または分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の内の炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。
また、「環形成原子数」とは、原子または分子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、スピロ環化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の未結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。

また、本発明において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のような芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基）、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルシリル基、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、が挙げられる。その他、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、ニトロ基、カルボキシル基等も挙げられる。
ここで挙げた置換基の中では、芳香族炭化水素基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、ここで挙げた置換基によってさらに置換されていてもよい。また、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、複数が互いに結合して環を形成してもよい。

アルケニル基としては、炭素数２〜３０のアルケニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、シクロペンタジエニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基等が挙げられる。

アルキニル基としては、炭素数２〜３０のアルキニル基が好ましく、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、２−フェニルエチニル等が挙げられる。

アラルキル基としては、環形成炭素数６〜３０のアラルキル基が好ましく、−Ｚ_３−Ｚ_４と表される。このＺ_３の例として、上記炭素数１〜２０のアルキル基に対応するアルキレン基が挙げられる。このＺ_４の例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基の例が挙げられる。このアラルキル基は、炭素数７〜３０のアラルキル基（アリール部分は炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基が挙げられる。

「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは、ここで挙げた置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。

なお、本発明において、「置換もしくは無置換の炭素数ｘ〜ｙのＸＸ基」という表現における「炭素数ｘ〜ｙ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。

［電子機器］
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、表示装置や発光装置等の電子機器に使用できる。表示装置としては、例えば、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、タブレットもしくはパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明、もしくは車両用灯具等が挙げられる。

［実施形態の変形］
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれるものである。

例えば、発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が前記第一の化合物、および第二の化合物を含んでいればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

また、例えば、発光層の陽極側や陰極側に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子および励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層や正孔輸送層）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。

次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。
有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物を以下に示す。

［有機ＥＬ素子の製造例］
・実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして化合物ＨＩを蒸着して膜厚１０ｎｍのＨＩ膜を成膜し、正孔注入層を形成した。
次に、このＨＩ膜上に、第一正孔輸送材料として化合物ＨＴ−１を蒸着して、膜厚８０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、第一正孔輸送層を形成した。
ついで、このＨＴ−１膜上に、第二正孔輸送材料として化合物ＨＴ−２を蒸着して、膜厚１０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜し、第二正孔輸送層を形成した。
さらに、このＨＴ−２膜上に、第一の化合物としての化合物ＢＨ−Ｃと、第二の化合物としての化合物ＢＤ−Ａとを共蒸着した。これにより、厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。なお、発光層における第二の化合物の濃度は４質量％とした。
そして、この発光層の上に、化合物ＥＥＬを蒸着して、膜厚２５ｎｍのＥＥＬ膜を成膜し、障壁層を形成した。
ついで、このＥＥＬ膜上に、化合物ＥＴを蒸着して膜厚１０ｎｍのＥＴ膜を成膜し、電子輸送層を形成した。
次に、このＥＴ膜上に、ＬｉＦを成膜速度０．１オングストローム／ｍｉｎで蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例１の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-C : BD-A（25, 96% : 4%） / EEL（25） / ET（10） / LiF（1） / Al（80）
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、発光層における各材料の割合（質量％）を示す。

・実施例２
実施例２の有機ＥＬ素子は、実施例１の発光層における化合物ＢＨ−Ｃを化合物ＢＨ−Ｄに変更した以外は実施例１と同様にして作製した。
実施例２の有機ＥＬ素子の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130） / HI（10） / HT-1（80） / HT-2（10） / BH-D : BD-A（25, 96% : 4%） / EEL（25） / ET（10） / LiF（1） / Al（80）

・比較例１〜４
比較例１〜４の有機ＥＬ素子は、実施例１における第一の化合物および第二の化合物を表３に記載の化合物に変更した以外は実施例１と同様にして作製した。
実施例１〜２および比較例１〜４の第一の化合物および第二の化合物を表３に示す。

［化合物の評価］
次に、本実施例で使用した化合物の物性を測定した。測定方法および算出方法を以下に示すとともに、測定結果および算出結果を表１または表２に示す。

・一重項エネルギーＥｇＳ
一重項エネルギーＥｇＳは、次のようにして測定される。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式１に代入して一重項エネルギーを算出した。
換算式１：ＥｇＳ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ
本実施例では、吸収スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）で測定した。

なお、吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引いた。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めなかった。

・イオン化ポテンシャルＩｐ
大気下で光電子分光装置（理研計器株式会社製:ＡＣ−３）を用いて測定した。具体的には、測定対象となる化合物に光を照射し、その際に電荷分離によって生じる電子量を測定することにより測定した。

・電子親和力（アフィニティ）Ａｆ
上述の方法で測定した化合物のイオン化ポテンシャルＩｐおよび一重項エネルギーＥｇＳの測定値を用い、次の計算式から算出した。
Ａｆ＝Ｉｐ−ＥｇＳ

・正孔移動度μｈ、および電子移動度μｅの測定
インピーダンス分光法を用いて移動度評価を行った。以下のような単キャリアデバイスを作製し、正孔移動度μ（ｈ）については０．２５ｍＶ、電子移動度μｅについては１ｍＶの交流電圧を乗せたＤＣ電圧を印加し複素モジュラスを測定した。モジュラスの虚部が最大となる周波数をｆ_ｍａｘ（Ｈｚ）としたとき、応答時間Ｔ（秒）をＴ＝１／２／π／ｆ_ｍａｘとして算出し、この値を用いて移動度の電界強度依存性を決定した。以下に、正孔移動度μｈおよび電子移動度μｅの測定に用いた単キャリアデバイスをそれぞれ記載する。電界強度は、５００（ｖ/ｃｍ）＾０．５とした。
正孔移動度μｈの測定に用いた単キャリアデバイス
：Ａｌ／測定対象化合物（１５０）／ＥＴ−１（５）／ＬｉＦ（１）／Ａｌ
電子移動度μｅの測定に用いた単キャリアデバイス
：ＩＴＯ／ＨＴ−１（５）／測定対象化合物（１００）／Ａｌ
（ここに示したデバイス構成における括弧内の数値は膜厚を表す。単位：ｎｍ）。

［有機ＥＬ素子の評価］
作製した有機ＥＬ素子について、駆動電圧、色度、電流効率、外部量子効率、および寿命の評価を行った。結果を表３に示す。

・駆動電圧
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるようにＩＴＯとＡｌとの間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を測定した。

・ＣＩＥ１９３１色度
電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時のＣＩＥ１９３１色度座標（ｘ、ｙ）を分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ社製）で計測した。

・電流効率および外部量子効率
電気密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、電流効率Ｌ／Ｊ（ｃｄ／Ａ）を算出した。外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）は、ランバシアン放射を行なったと仮定して、得られた上記分光放射輝度スペクトルから算出した。

・寿命
電気密度が５０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９０％となるまでの時間（単位：ｈｒｓ）を測定した。

表３に示すように、比較例４の有機ＥＬ素子は、高発光効率で長寿命であるものの、電圧が高い。
比較例４の第一化合物を変更した比較例１および比較例２の有機ＥＬ素子では、電圧が下がったものの、発光効率または寿命において、比較例４の有機ＥＬ素子に劣る。
比較例４の第二の化合物を変更した比較例３の有機ＥＬ素子では、高発光効率で長寿命であるものの、電圧が比較例４の有機ＥＬ素子よりさらに高い。
一方、比較例４の第一の化合物と第二の化合物を、本発明に係る第一の化合物および第二の化合物の組合わせに変更した実施例１および実施例２の有機ＥＬ素子は、比較例４の有機ＥＬ素子と同程度かそれ以上に高発光効率かつ長寿命でありながら、電圧も低い。
以上より、本発明では、第一の化合物と第二の化合物との組合わせにより、低電圧、高発光効率、かつ長寿命な有機ＥＬ素子を実現した。

１…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…陰極、５…発光層、６…正孔注入・輸送層、７…電子注入・輸送層、１０…有機層

Claims (30)

1. 陰極と、
   陽極と、
   発光層と、を含み、
   前記発光層は、下記一般式（１）で表される第一の化合物、および下記一般式（２）で表される第二の化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   ［前記一般式（１）において、
   Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０のいずれかｃ個はＬ^１との結合に用いられる単結合である。ただし、Ｒ^１０９およびＲ^１１０の少なくとも１つは、Ｌ^１との結合に用いられる単結合である。
   Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合の置換基としては、
   ハロゲン原子、
   ヒドロキシル基、
   シアノ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
   −Ｓｉ（Ｒ^１００）_３で表されるシリル基、
   −Ｎ（Ｒ^１１１）_２で表されるアミノ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基
   からなる群から選択される置換基である。
   Ｒ^１００は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｒ^１００が置換基である場合の置換基としては、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
   複数のＲ^１１０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^１１１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ^１１１が置換基である場合の置換基としては、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
   複数のＲ^１１１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
   Ｌ^１は、単結合または連結基であり、
   Ｌ^１における連結基としては、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
   多重連結基であり、
   前記多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなり、前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合と、環を形成しない場合とがあり、
   ａ、ｂ、ｃは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
   なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｂが２〜４の整数の場合の、Ｌ^１との結合に用いられない複数のＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｃが２〜４の整数の場合の複数のＬ^１およびＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。
   Ｚ^１は下記一般式（１ａ）または（１ｂ）で表される。
   
   ｛前記一般式（１ａ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、
   Ｒ^１２０と結合する炭素原子、
   Ｌ^１と結合する炭素原子、
   下記一般式（１１ａ）で表される構造と結合する炭素原子、または
   下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
   下記一般式（１１ａ）または下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する場合、Ｘ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組のうち少なくともいずれかの組が、下記一般式（１１ａ）または下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
   Ｒ^１２０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ^１２０が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
   複数のＲ^１２０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
   Ｘ^１０は、酸素原子、硫黄原子、またはＣ（Ｒ^１１２）_２であり、Ｒ^１１２は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ^１００と同義である。
   前記一般式（１ｂ）において、
   Ｘ^１１９〜Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、
   Ｒ^１２１と結合する炭素原子、
   Ｌ^１と結合する炭素原子、または
   下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子であり、
   下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する場合、Ｘ^１２１とＸ^１２２の組、Ｘ^１２２とＸ^１２３の組、並びにＸ^１２３とＸ^１２４の組のうち少なくともいずれかの組が、下記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合する炭素原子である。
   Ｒ^１２１は、それぞれ独立に、前記Ｒ^１２０と同義であり、
   複数のＲ^１２１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
   Ｘ^１１は、前記Ｘ^１０と同義である。
   
   （前記一般式（１１ａ）における＊_１および＊_２は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）におけるＸ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示し、
   前記一般式（１１ｂ）における＊_３および＊_４は、それぞれ独立に、前記一般式（１ａ）におけるＸ^１１１とＸ^１１２の組、Ｘ^１１２とＸ^１１３の組、Ｘ^１１３とＸ^１１４の組、Ｘ^１１５とＸ^１１６の組、Ｘ^１１６とＸ^１１７の組、並びにＸ^１１７とＸ^１１８の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位、または前記一般式（１ｂ）におけるＸ^１２１とＸ^１２２の組、Ｘ^１２２とＸ^１２３の組、並びにＸ^１２３とＸ^１２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示す。
   Ｘ^１３１〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、またはＬ^１と結合する炭素原子であり、
   前記一般式（１ａ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ａ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８およびＸ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   前記一般式（１ａ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ｂ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１８およびＸ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   前記一般式（１ｂ）で表されるＺ^１の構造に、前記一般式（１１ｂ）で表される構造が結合している場合は、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２４およびＸ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかが、Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４のうち少なくとも２つがＲ^１２０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
   Ｘ^１１５〜Ｘ^１１８のうち少なくとも２つがＲ^１２０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
   Ｘ^１１９およびＸ^１２０のいずれもがＲ^１２１と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２１同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
   Ｘ^１２１〜Ｘ^１２４のうち少なくとも２つがＲ^１２１と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１２１同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
   Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうち少なくとも２つがＲ^１３０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１３０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
   Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうち少なくとも２つがＲ^１３０と結合する炭素原子である場合、置換基Ｒ^１３０同士が互いに結合して環構造が構築されていてもよい。
   Ｒ^１３０は、それぞれ独立に、前記Ｒ^１２０と同義であり、
   複数のＲ^１３０は、互いに同一でも異なっていてもよい。
   Ｘ^１２は、前記Ｘ^１０と同義である。）｝］
   
   （前記一般式（２）において、Ｘ_２１〜Ｘ_２４は、それぞれ独立に、Ｒ_２と結合する炭素原子、または前記一般式（２０）で表される構造と結合する炭素原子であり、ただし、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組のうち少なくともいずれかの組が前記一般式（２０）で表される構造と結合する炭素原子であり、
   前記一般式（２０）において、＊_５および＊_６は、それぞれ独立に、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組から選ばれる組における炭素原子との結合部位を示す。
   Ｒ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２が置換基である場合の置換基としては、
   ハロゲン原子、
   シアノ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
   置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
   −Ｓｉ（Ｒ_２１０）_３で表されるシリル基、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される置換基であり、
   複数のＲ_２は、互いに同一でも異なっていてもよく、
   Ｒ_２１０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２１０が置換基である場合の置換基としては、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
   複数のＲ_２１０は、互いに同一でも異なっていてもよく、
   Ａｒ_２１、Ａｒ_２２、Ａｒ_２３およびＡｒ_２４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であり、
   Ｌ_２１、Ｌ_２２、Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
   Ｌ_２１、Ｌ_２２、Ｌ_２３およびＬ_２４における連結基としては、それぞれ独立に、
   置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、
   置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
   多重連結基であり、
   前記多重連結基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、および置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基からなる群から選択される２つもしくは３つの基が結合してなり、前記多重連結基を構成する個々の基は、互いに同一でも異なっていてもよく、隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合と、環を形成しない場合とがあり、
   Ｙ_２１、およびＹ_２２は、それぞれ独立に、ＣＲ_２０Ｒ_２１、ＮＲ_２２、Ｓ、Ｏ、またはＳｉＲ_２３Ｒ_２４であり、
   Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
   ｍ１は、３であり、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
   ｍ２は、３であり、複数のＲ_２６は、互いに同一でも異なっていてもよく、
   Ｒ_２０〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２０〜Ｒ_２６が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
   Ｒ_２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、置換基Ｒ_２５同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
   Ｒ_２６のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基であり、置換基Ｒ_２６同士は、互いに結合して環構造が構築されている。）
2. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記一般式（１）が、下記一般式（１−１）または下記一般式（１−２）のいずれかで表される
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   （前記一般式（１−１）において、
   Ｒ^１０９およびＲ^１１０のいずれか１つは、Ｌ^１との結合に用いられる単結合である。
   Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ独立に、水素原子、または置換基であり、Ｌ^１との結合に用いられないＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ^１０１〜Ｒ^１１０が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択される。
   Ｌ^１は、前記Ｌ^１と同義であり、
   Ｚ^１は、前記Ｚ^１と同義であり、
   ａおよびｂは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
   なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｂが２〜４の整数の場合の、Ｌ^１との結合に用いられない複数のＲ^１０１〜Ｒ^１１０は、それぞれ同一でも異なってもよい。
   前記一般式（１−２）において、
   Ｒ^１０１〜Ｒ^１１０は、前記一般式（１）におけるＲ^１０１〜Ｒ^１１０と同義であり、
   Ｌ^１は、前記Ｌ^１と同義であり、
   Ｚ^１は、前記Ｚ^１と同義であり、
   ａおよびｃは、それぞれ独立に、１〜４の整数を示す。
   なお、ａが２〜４の整数の場合の複数のＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｃが２〜４の整数の場合の複数のＬ^１およびＺ^１は、それぞれ同一でも異なってもよい。）
3. 請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記Ｚ^１が、前記一般式（１ａ）で表される
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記一般式（１ａ）が、下記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）のいずれかで表される
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   （前記一般式（１０１Ａ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１５，Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１５，Ｘ^１１８，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
   前記一般式（１０１Ｂ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７〜Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、またはＬ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７〜Ｘ^１１８，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
   前記一般式（１０１Ｃ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
   前記一般式（１０１Ａ）〜（１０１Ｃ）において、
   Ｘ^１０は、前記Ｘ^１０と同義であり、
   Ｒ^１２０は、前記Ｒ^１２０と同義であり、
   Ｒ^１３０は、前記Ｒ^１３０と同義である。）
5. 請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記一般式（１ａ）が、下記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）のいずれかで表される
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   （前記一般式（１０２Ａ）および（１０２Ｂ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１６，Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
   前記一般式（１０２Ｃ）および（１０２Ｄ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１５，Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１５，Ｘ^１１８，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
   前記一般式（１０２Ｅ）および（１０２Ｆ）において、
   Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７〜Ｘ^１１８は、それぞれ独立に、Ｒ^１２０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
   ただし、Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４，Ｘ^１１７〜Ｘ^１１８，Ｘ^１３１〜Ｘ^１３４のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
   前記一般式（１０２Ａ）〜（１０２Ｆ）において、
   Ｘ^１０は、前記Ｘ^１０と同義であり、
   Ｘ^１２は、前記Ｘ^１２と同義であり、
   Ｒ^１２０は、前記Ｒ^１２０と同義であり、
   Ｒ^１３０は、前記Ｒ^１３０と同義である。）
6. 請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記Ｘ^１１１〜Ｘ^１１４のいずれか１つが、前記Ｌ^１との結合に用いられる炭素原子である
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記Ｘ^１１３が、前記Ｌ^１との結合に用いられる炭素原子である
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記一般式（１ａ）が、前記一般式（１１ａ）で表される構造および前記一般式（１１ｂ）で表される構造のいずれとも結合せず、
   前記Ｘ^１１１またはＸ^１１２が、前記Ｌ^１との結合に用いられる炭素原子である
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
9. 請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   前記Ｚ^１が、前記一般式（１ｂ）で表される
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１ｂ）が、下記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）のいずれかで表される
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（１０３Ａ）において、
    Ｘ^１１９〜Ｘ^１２２は、それぞれ独立に、Ｒ^１２１と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
    Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
    ただし、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２２，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
    前記一般式（１０３Ｂ）において、
    Ｘ^１１９〜Ｘ^１２１，Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、Ｒ^１２１と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
    Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
    ただし、Ｘ^１１９〜Ｘ^１２１，Ｘ^１２４，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
    前記一般式（１０３Ｃ）において、
    Ｘ^１１９，Ｘ^１２０，Ｘ^１２３〜Ｘ^１２４は、それぞれ独立に、Ｒ^１２１と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
    Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８は、それぞれ独立に、Ｒ^１３０と結合する炭素原子、または前記Ｌ^１と結合する炭素原子であり、
    ただし、Ｘ^１１９，Ｘ^１２０，Ｘ^１２３〜Ｘ^１２４，Ｘ^１３５〜Ｘ^１３８のうちいずれかは、前記Ｌ^１と結合する炭素原子である。
    前記一般式（１０３Ａ）〜（１０３Ｃ）において、
    Ｘ^１１は、前記Ｘ^１０と同義であり、
    Ｒ^１２１は、前記Ｒ^１２１と同義であり、
    Ｒ^１３０は、前記Ｒ^１３０と同義である。）
11. 請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１ｂ）が、前記一般式（１１ｂ）で表される構造と結合せず、
    前記Ｘ^１１９またはＸ^１２３が、前記Ｌ^１との結合に用いられる炭素原子である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記ａが、１または２であり、
    前記ｂが、１または２である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ｒ^１１０が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ｌ^１が、単結合、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基である
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２０）で表される構造は、下記一般式（２０Ａ）、下記一般式（２０Ｂ）、または下記一般式（２０Ｃ）で表される構造のいずれかであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（２０Ａ），（２０Ｂ），（２０Ｃ）において、
    ＊_５および＊_６は、それぞれ、前記一般式（２０）における＊_５および＊_６と同義であり、
    Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
    Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
    ｍ３は、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
    Ｒ_２６およびＲ_２７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２６およびＲ_２７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
    Ｒ_２７のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２７同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。）
16. 請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２０）で表される構造は、前記一般式（２０Ｃ）で表される構造であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 請求項１５または請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２０）で表される構造は、下記一般式（２０Ｅ）で表される構造であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（２０Ｅ）において、
    ＊_５および＊_６は、それぞれ、前記一般式（２０）における＊_５および＊_６と同義であり、
    Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
    Ｙ_２２が複数個ある場合には、それらは、互いに同一でも異なっていてもよく、
    ｍ３は、４であり、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
    Ｒ_２６およびＲ_２７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２６およびＲ_２７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
    Ｒ_２７のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２７同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。）
18. 請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２０）で表される構造は、下記一般式（２０Ｄ）で表される構造であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（２０Ｄ）において、
    ＊_５および＊_６は、それぞれ、前記一般式（２０）における＊_５および＊_６と同義であり、
    Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
    Ｒ_２６１は、水素原子または置換基であり、Ｒ_２６２およびＲ_２６３は、置換基であり、Ｒ_２６１〜Ｒ_２６３が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
    置換基Ｒ_２６２および置換基Ｒ_２６３は、互いに結合して環構造が構築されている。）
19. 請求項１から請求項１８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２）は、下記一般式（２Ａ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（２Ａ）において、
    Ｘ_２１〜Ｘ_２４は、それぞれ独立に、前記Ｒ_２と結合する炭素原子、前記＊_５と結合する炭素原子、または前記＊_６と結合する炭素原子であり、ただし、Ｘ_２１とＸ_２２の組、Ｘ_２２とＸ_２３の組、並びにＸ_２３とＸ_２４の組のうち少なくともいずれかの組の炭素原子が前記＊_５および前記＊_６と結合し、
    Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
    Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
    Ｒ_２５２およびＲ_２５３が６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２５２および置換基Ｒ_２５３は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。）
20. 請求項１における有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記第二の化合物は、下記一般式（２７）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（２７）において、
    Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
    Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
    ｍ１は、３であり、Ｒ_２５は、６員環の炭素原子に結合し、複数のＲ_２５は、互いに同一でも異なっていてもよく、
    ｍ３は、４であり、Ｒ_２７は、６員環の炭素原子に結合し、複数のＲ_２７は、互いに同一でも異なっていてもよく、
    Ｒ_２５〜Ｒ_２７は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５〜Ｒ_２７が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
    Ｒ_２５のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２５同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
    Ｒ_２１１およびＲ_２１２が置換基である場合、Ｒ_２１１およびＲ_２１２が互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
    Ｒ_２７のうち少なくとも２つが６員環の炭素原子に結合する置換基である場合、２つの炭素原子の置換基Ｒ_２７同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。）
21. 請求項１における有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記第二の化合物は、下記一般式（２８）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
    
    （前記一般式（２８）において、
    Ｙ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＹ_２１，Ａｒ_２１，Ａｒ_２２，Ｌ_２１およびＬ_２２と同義であり、
    Ｙ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＹ_２２，Ａｒ_２３，Ａｒ_２４，Ｌ_２３およびＬ_２４と同義であり、
    Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３，Ｒ_２６１，Ｒ_２７１〜Ｒ_２７４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２５１〜Ｒ_２５３，Ｒ_２６１，Ｒ_２７１〜Ｒ_２７４が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択され、
    Ｒ_２５２およびＲ_２５３が置換基である場合、置換基Ｒ_２５２および置換基Ｒ_２５３は、互いに結合して環構造が構築されていてもよく、
    Ｒ_２７１〜Ｒ_２７５のうち少なくとも２つが置換基である場合、当該置換基同士は、互いに結合して環構造が構築されていてもよい。）
22. 請求項１から請求項２１までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ｙ_２１および前記Ｙ_２２は、それぞれ独立に、ＣＲ_２０Ｒ_２１であり、Ｒ_２０およびＲ_２１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２０およびＲ_２１が置換基である場合の置換基としては、前記Ｒ_２が置換基である場合に挙げた置換基の群から選択されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
23. 請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ｒ_２０および前記Ｒ_２１は、それぞれ独立に、
    置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、または
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
24. 請求項１から請求項２３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ａｒ_２１〜Ａｒ_２４における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、およびペリレニル基からなる群から選択される芳香族炭化水素基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
25. 請求項１から請求項２４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ａｒ_２１〜Ａｒ_２４における環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、およびフルオレニル基からなる群から選択される芳香族炭化水素基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
26. 請求項１から請求項２５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ｌ_２１〜Ｌ_２４は、それぞれ独立に、単結合または連結基であり、
    Ｌ_２１〜Ｌ_２４における連結基としては、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
27. 請求項１から請求項２６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記Ｌ_２１〜Ｌ_２４は、単結合であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
28. 請求項１から請求項２７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
29. 請求項１から請求項２８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記発光層と前記陽極との間に正孔輸送層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
30. 請求項１から請求項２９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器。