JP6305352B2 - Current detection device and magnetic field detection device - Google Patents
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Description
本発明は、電流検出装置および磁界検出装置に関し、特に、導体を流れる電流が誘起する磁界を検出することで当該導体を流れる電流を検出する電流検出装置、および、それを用いた磁界検出装置に関する。 The present invention relates to a current detection device and a magnetic field detection device, and more particularly to a current detection device that detects a current flowing through a conductor by detecting a magnetic field induced by the current flowing through the conductor, and a magnetic field detection device using the current detection device. .
近年、磁気抵抗効果素子として、トンネル磁気抵抗効果(tunneling magneto−resistance:TMR)を用いたTMR素子、および、巨大磁気抵抗効果(giant magneto−resistance:GMR)を用いたGMR素子が開発されている。TMR素子及びGMR素子は、従来の異方性磁気抵抗効果素子より、磁気抵抗比(magneto−resistance ratio:MR比)が大きく、磁気ヘッドおよび磁気記録装置への応用が進められている。 In recent years, a TMR element using a tunneling magneto-resistance (TMR) and a GMR element using a giant magneto-resistance (GMR) have been developed as magnetoresistive elements. . TMR elements and GMR elements have a larger magnetoresistance ratio (MR ratio) than conventional anisotropic magnetoresistive elements, and are being applied to magnetic heads and magnetic recording devices.
磁気抵抗(magneto−resistance:MR)効果は、外部磁界の強度と向きに応じて物質の抵抗が変化する現象である。この機能を有する素子は、磁気ヘッドおよび磁界検出センサへ応用されている。GMR素子は、強磁性体膜/金属膜/強磁性体膜の多層構造からなる。TMR素子は、強磁性体膜/絶縁膜/強磁性体膜の多層構造からなる。このとき金属膜または絶縁膜を隔てた2種類の強磁性体膜のうち、一方は、外部磁界に対して磁化方向が変化しない第一の磁性層、すなわち固定層である。また、他方は、外部磁界の方向に磁化が回転する第二の磁性層、すなわちフリー層である。このとき、外部磁界によって、第一の磁性層と第二の磁性層とのスピンの向きを、平行(0°)から反平行(180°)の間を変化させる場合を考える。その場合、GMR素子の場合は、金属膜と強磁性体膜との界面での電子の散乱確率が変化することに起因する抵抗変化が生じる。一方、TMR素子の場合は、絶縁層を隔てた2種類の強磁性体膜の間のトンネル電流が変化することで抵抗が変化する。このため、外部磁界の変化を素子の抵抗変化として読みだすことが可能となる。 The magneto-resistance (MR) effect is a phenomenon in which the resistance of a substance changes according to the strength and direction of an external magnetic field. An element having this function is applied to a magnetic head and a magnetic field detection sensor. The GMR element has a multilayer structure of ferromagnetic film / metal film / ferromagnetic film. The TMR element has a multilayer structure of ferromagnetic film / insulating film / ferromagnetic film. At this time, one of the two types of ferromagnetic films separated from the metal film or the insulating film is a first magnetic layer in which the magnetization direction does not change with respect to an external magnetic field, that is, a fixed layer. The other is a second magnetic layer whose magnetization rotates in the direction of the external magnetic field, that is, a free layer. At this time, a case is considered in which the spin direction between the first magnetic layer and the second magnetic layer is changed between parallel (0 °) and antiparallel (180 °) by an external magnetic field. In that case, in the case of the GMR element, a resistance change caused by a change in the electron scattering probability at the interface between the metal film and the ferromagnetic film occurs. On the other hand, in the case of a TMR element, the resistance changes as the tunnel current between the two types of ferromagnetic films separating the insulating layer changes. For this reason, it becomes possible to read the change of the external magnetic field as the resistance change of the element.
これらの磁気抵抗素子における固定層である第一の磁性層は、磁化方向を固定するために、強磁性層と交換結合させる。一方で、フリー層である第二の磁性層を、外部磁界に対して自由に動くことが出来る構造とする、スピンバルブ構造が一般に用いられている。スピンバルブ構造の磁気抵抗素子は、第二の磁性層と第一の磁性層の磁気的な結合を弱め、フリー層磁化の外部磁界に対する感度を向上させることが可能である。そのため、高感度な磁界検出が可能となる。一般に、電流が存在するときに、当該電流に比例した磁界が発生することが知られている。このため、検出対象の電流が流れる導体の近傍に磁界検出装置を配置することで、当該電流が誘起する磁界を介して、導体を流れる電流の強度を測定することが可能である。 The first magnetic layer, which is a fixed layer in these magnetoresistive elements, is exchange coupled with the ferromagnetic layer in order to fix the magnetization direction. On the other hand, a spin valve structure is generally used in which the second magnetic layer, which is a free layer, has a structure that can freely move with respect to an external magnetic field. The magnetoresistive element having the spin valve structure can weaken the magnetic coupling between the second magnetic layer and the first magnetic layer, and can improve the sensitivity of the free layer magnetization to an external magnetic field. Therefore, highly sensitive magnetic field detection is possible. In general, it is known that when a current is present, a magnetic field proportional to the current is generated. For this reason, by arranging the magnetic field detection device in the vicinity of the conductor through which the current to be detected flows, it is possible to measure the intensity of the current flowing through the conductor via the magnetic field induced by the current.
磁界検出に用いる磁気抵抗効果素子では、第2の磁性層の磁化が回転する際の、その磁化の前の状態に依存した経路を動くヒステリシスは磁界検出の測定誤差を発生させる要因となる。また、磁性層内に存在する不純物または加工時にダメージを受けた部分で磁界が一時的にトラップされ、その後、開放されることで、磁化が急激な変化をし、抵抗が不連続的に変化をすることがある。その場合に生じるバルクハウゼンノイズも、測定誤差を発生させる要因となる。 In the magnetoresistive effect element used for magnetic field detection, when the magnetization of the second magnetic layer rotates, hysteresis that moves along a path depending on the state before the magnetization becomes a factor that causes measurement errors in magnetic field detection. In addition, the magnetic field is temporarily trapped in the impurity present in the magnetic layer or the part damaged during processing, and then released, whereby the magnetization changes suddenly and the resistance changes discontinuously. There are things to do. Barkhausen noise that occurs in that case also causes measurement errors.
磁気特性を改善するためには、バイアス磁界を印加する方法が取られる。バイアス磁界を印加することによって、磁気抵抗効果素子において、検出対象となる磁界の強度に応じて磁化が動くフリー層のヒステリシス及びバルクハウゼンノイズを改善する事ができる。フリー層の磁気特性を改善する手法として、対象となる磁気抵抗効果素子の近くに永久磁石を配したり、素子の近傍に永久磁石として作用する強磁性膜を成膜したりすることで直流磁界を印加する方法がとられる。例えば特許文献1に示す磁気抵抗効果素子は、GMR素子の近傍に強磁性膜を成膜することで直流バイアス磁界を印加し、フリー層の磁界方向を定め、ヒステリシスやノイズの低減を目的としている。
In order to improve the magnetic characteristics, a method of applying a bias magnetic field is taken. By applying a bias magnetic field, it is possible to improve the hysteresis and Barkhausen noise of the free layer in which the magnetization moves according to the strength of the magnetic field to be detected in the magnetoresistive effect element. As a technique to improve the magnetic characteristics of the free layer, a direct current magnetic field can be obtained by placing a permanent magnet near the target magnetoresistive element or by forming a ferromagnetic film acting as a permanent magnet near the element. The method of applying is taken. For example, the magnetoresistive effect element shown in
TMR素子およびGMR素子は外部磁界に対して抵抗が変化するため、この変化を読み取ることで外部磁界を検出することが可能となる。しかしながら、上述したように、これらのTMR素子およびGMR素子を使用した磁界検出において、そのフリー層の磁化のヒステリシス及びバルクハウゼンノイズは、外部磁界に対する抵抗変化の再現性を低下させる要因となる。このようなヒステリシス及びバルクハウゼンノイズが発生する要因の一つとして、フリー層の素子エッジ部分の磁化の挙動がある。素子のエッジ部分においては、素子のエッチングプロセスにおいてフリー層磁気特性が劣化し、ヒステリシスやバルクハウゼンノイズを発生させる。また、素子のエッジ部分では反磁界の効果で形状異方性磁界および外部磁界が弱められるため、ヒステリシスやバルクハウゼンノイズが相対的に発生しやすい。これらの影響を抑制するために、例えば特許文献1では、フリー層に対して、直流磁界をバイアス磁界として印加し、ヒステリシス及びバルクハウゼンノイズを低減する方法を用いている。直流磁界は、素子近傍に永久磁石を配置すること、あるいは、素子近傍に強磁性膜を積層すること、あるいは、コイルを用いて電流が誘起する磁界を用いることによって、印加する方法が取られる。しかしながら、素子の作製とは別に、バイアス磁界を印加する為の他の工程または装置を別途用いる方法では、作製工数が増加するため、コストが増大するという問題点がある。また、フリー層に印加されたバイアス磁界は、フリー層の磁化の動きを制限するため、感度が低下してしまうという問題点がある。
Since the resistance of the TMR element and the GMR element changes with respect to the external magnetic field, the external magnetic field can be detected by reading this change. However, as described above, in the magnetic field detection using these TMR elements and GMR elements, the magnetization hysteresis and Barkhausen noise of the free layer are factors that reduce the reproducibility of the resistance change with respect to the external magnetic field. One of the factors that cause such hysteresis and Barkhausen noise is the magnetization behavior of the element edge portion of the free layer. In the edge portion of the element, the free layer magnetic characteristics are deteriorated in the etching process of the element, and hysteresis and Barkhausen noise are generated. Further, since the shape anisotropy magnetic field and the external magnetic field are weakened by the effect of the demagnetizing field at the edge portion of the element, hysteresis and Barkhausen noise are relatively likely to occur. In order to suppress these effects, for example,
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、安価な構成で、素子全体にバイアス磁界を印加することによる感度の低下を抑制し、出力にヒステリシスやバルクハウゼンノイズの少ない電流検出装置、および、それを用いた磁界検出装置を得ることを目的としている。 The present invention has been made to solve such a problem, and has a low-cost configuration, suppresses a decrease in sensitivity caused by applying a bias magnetic field to the entire element, and has a low current in hysteresis and Barkhausen noise in the output. It is an object to obtain a detection device and a magnetic field detection device using the detection device.
本発明は、磁化方向が固定された固定層と外部磁界によって磁化方向が変化する自由層とが積層された矩形板状の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の2つの主面のうちの一方の主面に対向して設けられ、検出対象の電流が流れる第1の導体と、前記第1の導体に流れる電流によって誘起される磁界により変化する前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定し、前記抵抗値から前記第1の導体に流れる電流値を算出する電流値算出部と、前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの少なくとも1つの側面に対して、当該側面に平行になるように配置され、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁界印加用導体とを備え、前記バイアス磁界印加用導体は、前記磁気抵抗効果素子の積層方向において、前記バイアス磁界印加用導体の一部または全部が、それに対応する前記磁気抵抗効果素子の前記側面を含む端部に重なるように、配置され、前記バイアス磁界印加用導体に流れる電流によって前記磁気抵抗効果素子に前記バイアス磁界を付与する電流検出装置である。 The present invention relates to a rectangular plate-like magnetoresistive effect element in which a fixed layer whose magnetization direction is fixed and a free layer whose magnetization direction is changed by an external magnetic field, and two main surfaces of the magnetoresistive effect element A resistance value of a first conductor that is provided opposite to one of the main surfaces of the first and second electrodes and through which a current to be detected flows and a magnetoresistive effect element that changes due to a magnetic field induced by the current flowing through the first conductor is measured. And a current value calculation unit for calculating a current value flowing through the first conductor from the resistance value, and at least one of the four side surfaces of the magnetoresistive effect element is parallel to the side surface. And a bias magnetic field applying conductor for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element, the bias magnetic field applying conductor in the stacking direction of the magnetoresistive effect element. A part or all of the conductor for use overlaps the corresponding end including the side surface of the magnetoresistive element, and the bias is applied to the magnetoresistive element by the current flowing through the bias magnetic field applying conductor. This is a current detection device for applying a magnetic field.
本発明は、磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの少なくとも1つの側面に対して平行に設けられ、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁界印加用導体を備えるようにしたので、安価な構成で、磁気抵抗効果素子全体にバイアス磁界を印加することによる感度の低下を抑制し、出力にヒステリシスやバルクハウゼンノイズの少ない電流検出装置、および、それを用いた磁界検出装置を得ることができる。 Since the present invention includes a bias magnetic field applying conductor that is provided in parallel to at least one of the four side surfaces of the magnetoresistive effect element and applies a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element. To obtain a current detection device with less hysteresis and Barkhausen noise in the output, and a magnetic field detection device using the same, with a low-cost configuration, suppressing a decrease in sensitivity caused by applying a bias magnetic field to the entire magnetoresistive effect element Can do.
本発明に係る実施の形態は、磁気抵抗効果素子として、スピンバルブ構造を有するトンネル磁気抵抗効果(TMR)または巨大磁気抵抗効果(GMR)を用い、導体を流れる電流が誘起する磁界を検出することによって、導体を流れる電流を検出する原理からなる電流検出装置に関する。但し、以下の実施の形態では、磁気抵抗効果素子としてTMR素子を例として挙げて説明することとする。
さらに、本発明に係る実施の形態は、当該電流検出装置を用いて、導体を流れる電流が誘起する磁界で外部磁界を打ち消し、それをTMR素子またはGMR素子の抵抗値から検出することで外部磁界の強度を検出するための磁界検出装置に関する。
以下、本発明に係る各実施の形態について、図面に基づいて説明する。
The embodiment according to the present invention uses a tunnel magnetoresistive effect (TMR) or a giant magnetoresistive effect (GMR) having a spin valve structure as a magnetoresistive effect element to detect a magnetic field induced by a current flowing through a conductor. The present invention relates to a current detection device having a principle of detecting a current flowing through a conductor. However, in the following embodiments, a TMR element will be described as an example of a magnetoresistive effect element.
Furthermore, the embodiment according to the present invention cancels the external magnetic field with the magnetic field induced by the current flowing through the conductor using the current detection device, and detects it from the resistance value of the TMR element or GMR element. The present invention relates to a magnetic field detection device for detecting the intensity of a magnetic field.
Hereinafter, each embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る電流検出装置の構成を示した斜視図である。図1に示すように、実施の形態1に係る電流検出装置においては、細長い矩形(長方形)の平板状のTMR素子1が設けられている。TMR素子1は、磁化方向が固定された固定層(後述する図2の符号101参照)と、外部磁界によって磁化方向が変化するフリー層(後述する図2の符号106参照)とを有している。TMR素子1の構成の詳細については図2を用いて後述する。
なお、以下の説明では、図1に示すように、矩形の各部材における、短辺が延びた方向を「短手方向」と呼び、長辺が延びた方向を「長手方向」と呼ぶこととする。
また、TMR素子1においては、短辺が延びた方向を「短手方向」または「a−a’方向」と呼び、長辺が延びた方向を「長手方向」または「b−b’方向」と呼び、TMR素子1の短手方向及び長手方向の両方に垂直な方向を「積層方向」と呼ぶこととする。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a current detection device according to
In the following description, as shown in FIG. 1, in each rectangular member, the direction in which the short side extends is referred to as “short direction”, and the direction in which the long side extends is referred to as “longitudinal direction”. To do.
In the
TMR素子1の2つの平面(すなわち、主面)のうち、上面には上部電極5が設けられ、下面には下部電極6が設けられている。
上部電極5は、図1に示すように、TMR素子1の平面の大きさよりも大きく、TMR素子1の平面全体に設けられるとともに、さらに、a−a’方向に、その片側がTMR素子1の端部から突出している。具体的には、上部電極5の短手方向の一方の端部が、TMR素子1の短手方向の端部から、a−a’方向におけるa方向に突出するように設けられている。
同様に、下部電極6も、図1に示すように、TMR素子1の平面の大きさよりも大きく、TMR素子1の平面全体に設けられるとともに、さらに、a−a’方向に、その片側がTMR素子1の端部から突出している。ただし、下部電極6の突出する方向は、上部電極5の逆方向である。すなわち、下部電極6の短手方向の一方の端部が、TMR素子1の端部から、a−a’方向におけるa’方向に突出するように設けられている。
Of the two planes (ie, main surfaces) of the
As shown in FIG. 1, the
Similarly, as shown in FIG. 1, the
また、図1に示すように、TMR素子1に対向して、矩形(長方形)の平板状の導体4が配置されている。TMR素子1と導体4とは互いに平行になるように配置され、TMR素子1と導体4との間には、予め設定された一定距離の空隙が設けられている。この導体4には、本実施の形態の電力検出装置の検出対象の電流が印加される。導体4の大きさは、TMR素子1の大きさよりも小さく、導体4の短手方向および長手方向の長さは、いずれも、TMR素子1よりも短い。また、TMR素子1の積層方向から見た場合、TMR素子1と導体4とは、互いにその長手方向が平行で、かつ、互いにその中心が重なるように配置されている。ここで、中心とは、TMR素子1および導体4の上面または下面(すなわち、平面)の対角線の交点を意味する。
Further, as shown in FIG. 1, a rectangular (rectangular) flat-
また、図1に示すように、導体4と同一平面上に、導体4の四方を取り囲むように、導体2a、2b、3a、3bが配置されている。導体2a、2b、3a、3bは、TMR素子1のエッジ部分を含むフリー層(後述する図2の符号106参照)に、バイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加用導体である。ここで、エッジとは、TMR素子1の側面を構成する側壁を意味する。導体2a、2b、3a、3bは、図1に示すように、細長い板状の形状を有している。導体2a,2bは、導体4の長手方向に平行な方向に向かって延びている。導体3a,3bは、導体4の短手方向に平行な方向に向かって延びている。従って、導体2a,2bの延びている方向は、TMR素子1の長手方向と平行であり、導体3a,3bの延びている方向は、TMR素子1の短手方向と平行である。また、積層方向から見た場合に、後述する図2及び図3に「積層方向において重なっている部分」として示されるように、導体2a,2b,3a,3bの一部または全部が、それに対応するTMR素子1の各側面のエッジを含む端部に重なるように配置されている。図5は、TMR素子1と導体2a、2b、3a、3bとを、TMR素子1の積層方向から見た時の配置の一例である。図5においては、TMR素子1が破線で示され、導体4および導体2a,2b,3a,3bが実線で示されている。図5の例においては、TMR素子1の各側面のエッジを含む端部が、それに対応する各導体2a,2b,3a,3bの一部と重なるように配置されていることがわかる(すなわち、各導体2a,2b,3a,3bの一部が、TMR素子1より、外側にはみ出ている)。
Further, as shown in FIG. 1,
図2は、図1に示したTMR素子1のa−a’における断面図である。図2において、図1と同じ構成については、同一符号を付して示している。実施の形態1に係るTMR素子1はスピンバルブ構造であり、下から順に、固定層を構成する反強磁性膜101、強磁性膜102、非磁性膜103、強磁性膜104、トンネル絶縁膜105、および、フリー層を構成する強磁性膜106が、積層されている。また、図2に示す矢印102a、104a、106aは、それぞれ、強磁性膜102、104、106の磁化方向を示している。強磁性膜106の磁化方向106aは、外部磁界の方向を向くため、外部磁界と共に変化する。また、下部電極6と、導体2a、2bおよび導体4との間には、絶縁膜(図示せず)が形成されており、電気的に絶縁されている。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line a-a ′ of the
図2を見るとより分かるように、上述した通り、TMR素子1の下方には、導体4と同一平面内であって、導体4の長手方向と平行に延びた導体2a、2bが配置されている。また、導体4と同一平面内であって、導体4の短手方向と平行に延びた導体3a、3bが配置されている。本実施の形態においては、TMR素子1のフリー層(強磁性膜106)の長手方向のエッジ部分において、導体4に印加された検出対象の電流が誘起する磁界の面内成分を、導体2a、2bに印加した電流が誘起する磁界により相殺する。これにより、検出対象の電流が誘起する磁界による磁界の動きを、TMR素子1のエッジ近傍において抑制または制限することができる。その結果、加工プロセスを経てダメージを受けた箇所における磁化の影響および反磁界の影響によるTMR素子1の磁界に対する抵抗変化におけるヒステリシスおよびバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができる。その結果、導体4に流れる電流を精度よく検出することができる。
As can be seen from FIG. 2, as described above, the
図3に、図1に示したTMR素子1のb−b’における断面図を示す。図3において、図1及び図2と同じ構成については、同一符号を付して示している。上述した導体3a、3bを流れる電流が発生する磁界の面内成分は、TMR素子1の長手方向を向くため、TMR素子1の短手方向のエッジで発生する反磁界を抑制することが可能であり、反磁界による形状異方性の低減に起因して発生する、ヒステリシスやバルクハウゼンノイズの発生を緩和することが可能となる。その結果、導体4に流れる電流を、より精度よく検出することができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line b-b ′ of the
なお、図3においては、上部電極5および下部電極6の端部が、TMR素子1の側面よりも外側に突出しているが、図1においては、上部電極5および下部電極6の端部とTMR素子1の端部とが同一平面内に揃っており、上部電極5および下部電極6の端部が、TMR素子1の側面よりも外側に突出していないように記載されている。本実施の形態では、特に、図3の構成に限定されることはなく、図1の構成でもよく、すなわち、図1または図3のいずれの構成でもよいこととする。
In FIG. 3, the end portions of the
図4は、実施の形態1に係る電流検出装置の構成及び動作を説明するための模式図である。図4に示すように、上部電極5と下部電極6に電流源152が接続される。また、上部電極5と下部電極6との間には電圧計151が接続される。電圧計151には、制御装置155が接続されている。また、TMR素子1の長手方向に対して平行に配置された導体2a、2bには、それぞれ、電流源153a、153bが接続されており、導体4を流れる電流と逆向きのバイアス電流が供給される。一方、TMR素子1の短手方向と平行に配置された導体3a、3bには、それぞれ、電流源153c、153dが接続されている。さらに、導体4には、検出対象の電流を消費するための負荷154が直列に接続されている。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the configuration and operation of the current detection device according to the first embodiment. As shown in FIG. 4, a
図24は、電圧計151及び制御装置155のハードウエア構成を示した図である。図24の電圧計は、図4の電圧計151である。制御装置155には、電圧計151により測定された電圧値が入力される。制御装置155は、電圧計151からのデータが入力されるインタフェース部(図示せず)を有しており、このインタフェース部が制御装置155の入力部を構成している。制御装置155の出力部は、図24のディスプレイである。また、制御装置155は、電流測定部(図示せず)を有しており、この電流測定部は、プロセッサがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより、実現される。また、複数のプロセッサおよび複数のメモリが連携して上記機能を実行してもよい。
FIG. 24 is a diagram illustrating a hardware configuration of the
本実施の形態1に係る電流検出装置は、各部材が図4に示すように接続され、以下のように動作する。まず、電流源152により、TMR素子1に対して、予め設定された一定値の電流が印加される。この時、TMR素子1の下部電極6と上部電極5との間には電圧計151が接続されている。電圧計151で、TMR素子1に生じた電位差を読み取ることで、TMR素子1の抵抗変化を検出することができる。
ただし、制御装置155はTMR素子1の抵抗値を必ずしも取得する必要はない。TMR素子に印加する電流が一定であるとき、TMR素子1の上部電極と下部電極間に発生する電圧の変化は、TMR素子1の抵抗変化に実質的に比例するため、電圧変化から直接、導体4を流れる電流強度を検出することが可能である。
この時のTMR素子1の抵抗または電圧変化は、検出対象の導体4に流れる電流が誘起する磁界に比例または単調増加もしくは減少するため、その抵抗変化または電圧変化を読み取ることで、電流強度を検出することが可能となる。制御装置155(電流値算出部)は、電圧計151が測定した電圧値または、電圧値と電流源152によってTMR素子1に印加された定電流の電流値とから、TMR素子1の抵抗値を求め、当該電圧値、または、当該抵抗値に基づいて導体4に流れる電流の電流値を求める。
磁界に対するTMR素子1の抵抗変化は通常、電流源152から印加される電流値に対して変化し、電流値が大きくなるほど抵抗変化は減少する。このため、電流源152から印加される各電流値に対してTMR素子1にその電流値を流した時の、下部電極6と上部電極5との間の電位差の変化、または、前記電位差をその時の電流値で除することによって得られる抵抗値の変化を、制御装置155は記憶している。これは、導体4を流れる電流値と、TMR素子1の抵抗値との関係、または、導体4を流れる電流値と、TMR素子1に印加される電流によってTMR素子1に誘起される電圧の関係の対応表が記録されている。またこの関係は、TMR素子1に印加される電流強度によって変化するため、TMR素子1に印加される電流値毎に別に記録されている。導体4を流れる電流値に応じて得られた、TMR素子1の抵抗値、または、誘起される電圧を、対応表の内、電圧、または、抵抗値が最も近しい、導体4を流れる電流値の値近傍の区間において、種々の補間法(線形補間法、多項式補間法など)を使用して測定値を確定する。これら処理は制御装置155が実行する。ただし、電流源152からTMR素子1に印加される電流値が一定である場合は、その電流値における、磁界に対する電位差の変化、または、抵抗変化のみを記憶していればよい。すなわち、導体4に流れる検出対象電流が誘起する磁界に対して、電圧計151が検出するTMR素子1の下部電極6と上部電極5の間の電位差変化の変化、または、これを電流源152が供給する電流値で除することによって得られるTMR素子1の抵抗値の変化を、電流源152が供給する電流値毎に制御装置155が記憶している値と比較することによって、電流値を検出することが可能である。
また、導体4を流れる電流が誘起する磁界に対して、TMR素子1の抵抗変化が実質的に線形的である場合は、抵抗値の磁界に対する変化の割合を記憶しておくことによって、導体4を流れる測定対象電流の大きさを算出することが可能である。この時の、導体4を流れる電流値に対する、TMR素子1の抵抗値の変化の割合をa、TMR素子1に磁界を印加しない時の、TMR素子1の抵抗をbとすると、測定対象電流の大きさxに対する、TMR素子1の抵抗をyとすると次式のようになる。
y=ax+b
この時、a、bを予め取得しておき、測定対象電流が流れた時のyを測定することで、xを求めることが可能となる。なお、この時の、a、bは必ずしも抵抗値である必要はなく、TMR素子1に対して定電流を印加した時に、TMR素子1の上部電極5と下部電極6との間に生じる電位差を使用することでも、実現できる。この時は、TMR素子1に入力したある定流値に対して、導体4に電流を流した時のTMR素子1に誘起される前記電圧の変化の割合をa'、磁界を印加しない時のTMR素子1に誘起される電圧b'とすると、測定対象電流の大きさxに対するTMR素子1に誘起される電圧y’とすると、これらの関係は次式のようになる。
y’=a’x+b’
従って、a’とb’を予め取得しておくことで、得られた電圧y’に対して、導体4を流れる電流を計算することが可能となる。
なお、前述のとおり、TMR素子1の抵抗値は、TMR素子1に印加した電流値によって変化するため、上記で示した各定数a、b、a’、b’はTMR素子1に印加した電流値依存性がある。このため、TMR素子1に印加した電流値によって、これら定数を自動的に変更する機能が必要であり、この機能は制御装置155に内包されている。
In the current detection device according to the first embodiment, each member is connected as shown in FIG. 4 and operates as follows. First, a current having a predetermined value is applied to the
However, the
At this time, the resistance or voltage change of the
The resistance change of the
Further, when the resistance change of the
y = ax + b
At this time, it is possible to obtain x by obtaining a and b in advance and measuring y when the current to be measured flows. At this time, a and b are not necessarily resistance values, and a potential difference generated between the
y ′ = a′x + b ′
Therefore, by acquiring a ′ and b ′ in advance, the current flowing through the
As described above, since the resistance value of the
また、導体4には、検出対象の電流を消費するための負荷154が直列に接続されており、導体4を流れる検出対象の電流が誘起する磁界はTMR素子1の長手方向と直交する向きに印加される。また、TMR素子1の長手方向と平行に配置された導体2a、2bには、それぞれ、電流源153a、153bが接続されており、導体4を流れる電流と逆向きのバイアス電流が供給される。一方、TMR素子1の短手方向と平行に配置された導体3a、3bには、それぞれ、電流源153c、153dが接続され、予め設定された一定値の電流が印加される。この時、導体3a、3bに電流源153c、153dから供給する電流は、強度が一定の電流であるが、導体2a、2bに印加する電流は、導体4に流れる検出対象の電流に比例した強度である必要がある。
In addition, a
本実施の形態1においては、導体2a,2bを設けたことによって、TMR素子1のフリー層(強磁性膜106)の長手方向のエッジ部分において、導体4を流れる検出対象の電流が誘起する磁界の面内成分が、導体2a、2bに印加された電流が誘起する磁界によって相殺される。また、導体3a、3bを流れる電流が発生する磁界の面内成分は、TMR素子1の長手方向を向くため、TMR素子1の短手方向のエッジで発生する反磁界を抑制する。その結果、加工プロセスを経てダメージを受けた箇所(図2参照)における磁化の影響および反磁界の影響によるTMR素子1の磁界に対する抵抗変化におけるヒステリシスおよびバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができる。その結果、導体4に流れる電流を精度よく検出することができる。
In the first embodiment, by providing the
このように、本実施の形態1では、TMR素子1の側面の下部に、電流を流してバイアス磁界を誘起させる導体2a,2b,3a,3bを備えることで、TMR素子1の側面に直交する向きにバイアス磁界を印加することが可能になる。
TMR素子1の長手方向の側面においては、導体4を流れる電流と逆向きのバイアス電流を導体2a,2bに流すことによって、検出対象となる導体4の磁界を打消す向きに、導体2a,2bによりバイアス磁界を印加する。これにより、TMR素子1の側面近傍において、加工プロセス等で劣化した磁化の回転を抑制し、電流検出時のバルクハウゼンノイズやヒステリシスの発生による検出精度の低下を抑制することができる。
また、TMR素子1の短手方向の側面においては、導体3a,3bにより、長手方向を向くバイアス磁界を印加することで、磁化の動きを抑制することで、電流検出時のバルクハウゼンノイズやヒステリシスの発生による検出精度低下を抑制するとともに、反磁界による形状異方性の低下を補うことができ、電流検出精度を向上することが可能である。
As described above, in the first embodiment, the
On the side surface of the
Further, on the side surface in the short direction of the
以上、説明したように、実施の形態1では、TMR素子1のエッジ部分に局所的にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加用の導体2a,2b,3a,3bを設けることで、安価な構成で、エッジ近傍でダメージを受けた磁化または反磁界の影響を強く受ける磁化のヒステリシスやバルクハウゼンノイズの影響を抑制しつつ、導体4を流れる電流を精度良く検出することが可能な電流検出装置を実現することが可能となる。
As described above, in the first embodiment, by providing the bias magnetic
また、本実施の形態では、TMR素子1の長手方向および短手方向の両方のエッジに対しバイアス磁界を印加する構造を有する電流検出装置を示したが、TMR素子1の長手方向または短手方向のエッジのいずれかにだけバイアス磁界を印加する構造であっても、部分的であるが、本発明の効果を得ることが可能である。すなわち、上記の説明においては、バイアス磁界印加用導体として、導体2a,2b,3a,3bの4つを設ける例について説明したが、これら4つの導体は必ずしもすべて設ける必要はなく、これらのうちの少なくとも1つを設ければよく、その場合においても、部分的であるが、本発明の効果を得ることができる。
In the present embodiment, a current detection device having a structure in which a bias magnetic field is applied to both the longitudinal and lateral edges of the
以上のように、実施の形態1に係る電流検出装置は、磁化方向が固定された固定層と外部磁界によって磁化方向が変化する自由層とが積層された矩形板状のTMR素子1(磁気抵抗効果素子)と、TMR素子1の平面に対向して設けられた導体4(第1の導体)と、導体4に流れる電流が誘起する磁界により変化するTMR素子1の抵抗値を測定し、当該抵抗値に基づいて導体4に流れる電流を検出する制御装置155(電流測定部)と、TMR素子1の4つの側面のうちの少なくとも1つの側面に対して平行になるように配置され、TMR素子1にバイアス磁界を付与する導体2a,2b,3a,3b(第2の導体)を備え、TMR素子1の積層方向において、導体2a,2b,3a,3bの一部または全部が、それに対応するTMR素子1の側面に重なるように配置され、導体2a,2b,3a,3bに印加する電流によってTMR素子1の側面にバイアス磁界を付与する構成を有している。
このように、本実施の形態では、TMR素子1の側面の下部(または上部)に、バイアス電流を流す導体2a,2b,3a,3bを備えることで、TMR素子1の側面に直交する向きにバイアス磁界を印加することが可能になる。
上述したように、TMR素子1の出力における、バルクハウゼンノイズやヒステリシスの発生要因は長手方向エッジにおける、側壁(エッジ)ダメージなどに起因する不連続な磁化挙動、および、短手方向エッジにおける反磁界による形状異方性磁界の低下が要因の一つにある。そのため、本実施の形態1では、導体2a,2bによりバイアス磁界を印加することで、長手方向のエッジにおける磁化の動きを抑制することができ、不連続な磁化挙動による、素子の抵抗変化におけるバルクハウゼンノイズやヒステリシスを低減することが可能となる。また、短手方向のエッジにおける反磁界は、フリー層の磁化のヒステリシスやバルクハウゼンノイズを増加させるため、導体3a,3bによりバイアス磁界を印加することで、反磁界を抑制することは、TMR素子1の抵抗変化におけるヒステリシスやバルクハウゼンノイズを低減させることに有効である。また、本実施の形態1においては、TMR素子1の端部にのみバイアス磁界を印加するようにしたので、TMR素子1全体にバイアス磁界を印加することによる感度の低下を抑制することができる。
以上のことから、本実施の形態1を実施することで、高感度で電流検出精度の高い電流検出装置を実現することが可能となる。
また、本実施の形態1では、図4のように配線するだけで実現可能であるため、TMR素子1全体にバイアス磁界を印加する追加的な構造の作製が不要であり、作製コストを抑えることができる。
As described above, the current detection device according to the first embodiment includes the rectangular plate-shaped TMR element 1 (magnetic resistance) in which the fixed layer whose magnetization direction is fixed and the free layer whose magnetization direction is changed by an external magnetic field are stacked. Effect element), a conductor 4 (first conductor) provided opposite to the plane of the
As described above, in the present embodiment, the
As described above, Barkhausen noise and hysteresis in the output of the
From the above, by implementing the first embodiment, it is possible to realize a current detection device with high sensitivity and high current detection accuracy.
Further, since the first embodiment can be realized only by wiring as shown in FIG. 4, it is not necessary to prepare an additional structure for applying a bias magnetic field to the
実施の形態2.
図6は、本発明の実施の形態2に係る電流検出装置を構成する、TMR素子1と、検出対象の電流が流れる導体4と、バイアス磁界印加用の導体2a,2b,3a,3bとの配置を示す斜視図である。図7は、実施の形態2に係る電流検出装置の動作を説明するための模式図である。また、図8は、TMR素子1と導体2a、2b、3a、3b、4の配置及び接続関係の上面図である。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 6 shows the
上述の図1に示した実施の形態1との違いは、実施の形態1では、図1に示すように、導体4と導体2a,2bとが別体で構成され、互いに離間していたが、本実施の形態2では、導体4と導体2a,2bとが接続されて、一体の導体61となっている点が異なる。以下では、実施の形態1と異なる構成についてのみ説明し、実施の形態1と同じ構成については、説明を省略する。
The difference from the first embodiment shown in FIG. 1 is that, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the
図6〜図8に示すように、実施の形態2では、導体2a,2bのそれぞれ長手方向の向きが異なる各一端が、導体4の長手方向の向きが同じ端同士で接続されて、1つの導体61となっている。なお、図6に示すように、導体4と導体2aとの接続部を接続部61a、導体4と導体2bとの接続部を接続部61bとすると、接続部61aと接続部61bとは、導体4の中心に対し、互いに点対称の位置になるように構成されている。すなわち、導体4と導体2a,2bとは、導体4の長手方向の向きが異なる点対称の片端で、それぞれ、接続されている。
As shown in FIGS. 6 to 8, in the second embodiment, the
次に、実施の形態2の動作について、図7に基づいて説明する。
上述したように、実施の形態2においては、導体4と導体2a,2bとが接続されているため、図4に示した電流源153a,153bが設けられていない。他の構成については、基本的に、図4と同じであるため、同一符号を付して示し、その説明は省略する。
実施の形態2では、検出対象の電流は、導体4、導体2a、2bを流れる。導体4と導体2a、2bの端部が電気的に接続されているため、導体2a、2bを流れる電流は導体4を流れる電流と等しく、導体2a、2bから発生する磁界は導体4から発生する検出対象の磁界に比例する。このため、TMR素子1のエッジ近傍では、導体4から発生する磁界を、導体2a,2bから発生する磁界で、常に相殺することが可能となる。また、実施の形態2でも、実施の形態1と同様に、導体3a、3bを流れる電流が発生する磁界の面内成分は、TMR素子1の長手方向を向くため、TMR素子1の短手方向のエッジで発生する反磁界を抑制する。
Next, the operation of the second embodiment will be described with reference to FIG.
As described above, in the second embodiment, since the
In the second embodiment, the current to be detected flows through the
以上のように、実施の形態2によると、上記の実施の形態1と同様の効果が得られる。さらに、実施の形態2では、導体2a,2bのそれぞれ長手方向の向きが異なる(逆向き)の各一端が、接続部61a、61bにおいて、導体4の長手方向の向きが同じ端同士でそれぞれ接続されている構成となっている。こうして接続したことにより、導体2a,2bと導体4とが電気的に接続されたので、導体4に流れる電流を、TMR素子1の長手方向の側面へのバイアス磁界を印加するための電流として用いることができ、バイアス電流を印加するための電流源153a,153bを省略することができる。そのため、電流検出装置の構成をより簡単にすることができ、低価格で製造することが可能となる。また、バイアス磁界は検出対象磁界に常に比例するため、TMR素子1の長手方向の側面部分において、検出対象磁界を精度良く打ち消す事ができ、側面部分の磁化挙動による電流検出精度の低下を効果的に抑制することが可能となる。
As described above, according to the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. Furthermore, in the second embodiment, the ends of the
実施の形態3.
図9は、本発明の実施の形態3によるTMR素子および各導体の配置を示した斜視図である。図10は、実施の形態3に係る電流検出装置の動作を説明するための模式図である。また、図11はTMR素子1と導体2a、2b、3a、3b、4の配置及び接続関係の上面図である。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing the arrangement of the TMR element and each conductor according to the third embodiment of the present invention. FIG. 10 is a schematic diagram for explaining the operation of the current detection device according to the third embodiment. FIG. 11 is a top view of the arrangement and connection relationship between the
上述の図1に示した実施の形態1との違いは、実施の形態1では、図1に示すように、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bがすべて別体で構成され、互いに離間していたが、本実施の形態3では、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bとがすべて接続されて、一体の導体91となっている点が異なる。以下では、実施の形態1と異なる構成についてのみ説明し、実施の形態1と同じ構成については、説明を省略する。
The difference from the first embodiment shown in FIG. 1 is that, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the
実施の形態3においては、図9〜図11に示すように、互いに直交する導体2aと導体3aの各一端同士が接続部92aで接続されるとともに、同じく互いに直交する導体2bと導体3bの各一端同士が接続部92bで接続されている。これらの接続により出来た2つのL字型の導体におけるTMR素子1の長手方向に沿った導体2a,2bに相当する導体部分の各端が、導体4の両端の片側にそれぞれ接続されている。このように、本実施の形態3では、導体2a,2bのそれぞれ長手方向の向きが異なる各一端が、導体4の長手方向の向きが同じ端同士で接続されるとともに、導体2a,2bのそれぞれ長手方向の各他端が、当該他端に直交する導体3a,3bのそれぞれ長手方向の各一端に接続されている。
In the third embodiment, as shown in FIGS. 9 to 11, the ends of the
次に、実施の形態3の動作について、図10に基づいて説明する。
上述したように、実施の形態3においては、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bとが接続されているため、図4に示した電流源153a,153b,153c,153dが設けられていない。他の構成については、基本的に、図4と同じであるため、同一符号を付して示し、その説明は省略する。
Next, the operation of the third embodiment will be described with reference to FIG.
As described above, in the third embodiment, since the
実施の形態3では、検出対象の電流は、導体4、導体2a、2b、導体3a,3bを流れる。導体4と導体2a、2bと導体3bが電気的に接続されているため、導体2a、2b、3a、3bを流れる電流は導体4を流れる電流と等しく、導体2a、2b、3a、3bから発生する磁界は導体4から発生する検出対象の磁界に比例する。このため、TMR素子1のエッジ近傍では、導体4から発生する磁界を、導体2a,2b,3a,3bから発生する磁界で、常に相殺することが可能となる。
In the third embodiment, the current to be detected flows through the
このように、実施の形態3によると、検出対象の電流を用いて、TMR素子1の長手方向および短手方向のエッジの両方にバイアス磁界を印加することが可能となり、更に、長手方向のエッジにおいては、検出対象となる磁界に比例した強度の磁界を印加することで、本発明の効果を簡易に得ることが可能となる。また、実施の形態3においては、本発明を実施するために追加的な電流源は不要である。したがって、工数を増やすことなく、電流検出精度の向上が可能である。
As described above, according to the third embodiment, it is possible to apply a bias magnetic field to both the longitudinal and lateral edges of the
以上のように、実施の形態3によると、上記の実施の形態1と同様の効果が得られる。さらに、実施の形態3では、導体2a,2bのそれぞれ長手方向の向きが異なる各一端が、導体4の長手方向の向きが同じ端同士で接続されるとともに、導体2a,2bのそれぞれ長手方向の各他端が、当該他端に直交する導体3a,3bのそれぞれ長手方向の各一端に接続されている。当該構成により、検出対象となる導体4に流れる電流を、TMR素子1の長手方向の側面および短手方向の側面の両方にバイアス磁界を印加するために使用することで、追加的な電源を全く用いないで、実施の形態1と同様の効果を得ることが可能となる。そのため、電流検出装置の構造を簡単にすることができ、安価に製造をすることが可能となる。また、TMR素子1の長手方向の側面に印加される磁界は、検出対象の磁界に比例するため、精度よく打消すことが可能となり、側面部分の磁化挙動による磁界検出精度の低下を抑制することが可能となる。
As described above, according to the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. Furthermore, in the third embodiment, the ends of the
実施の形態4.
図12は本発明の実施の形態4のTMR素子1と導体121の配置の斜視図である。図13は、実施の形態4に係る電流検出装置の動作を説明するための模式図である。また、図14はTMR素子1と導体121の配置の上面図である。
FIG. 12 is a perspective view of the arrangement of the
上述の図1に示した実施の形態1との違いは、実施の形態1では、図1に示すように、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bがすべて別体で構成され、互いに離間していたが、実施の形態4では、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bとがすべて接続されて、一体の導体121となっている点が異なる。本実施の形態4では、図12〜図14に示されるように、導体4と長手方向が等しい導体2a,2bが、導体3a,3bを介して、導体4と並列に接続されている。以下では、実施の形態1と異なる構成についてのみ説明し、実施の形態1と同じ構成については、説明を省略する。
The difference from the first embodiment shown in FIG. 1 is that, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the
本実施の形態4においては、図12〜図14に示すように、互いに直交する導体2aと導体3aの各一端同士が接続部92aで接続されるとともに、同じく互いに直交する導体2bと導体3bの各一端同士が接続部92bで接続されている。これらの接続により出来た2つのL字型の導体のTMR素子1の長手方向に沿った導体2a,2bに相当する導体部分の各端が、導体4の両端の片側にそれぞれ接続されている。
上述の実施の形態3との違いは、実施の形態3では、導体3a,3bと導体4とが、導体2a,2bを介して接続されていたが、実施の形態4では、導体3a,3bと導体4とが直接接続されている点が異なる。
従って、実施の形態4では、導体121は、一枚の矩形の平板状の導体から構成されており、長手方向に延びた2本のスリット121a,121bが形成された構成とも言える。TMR素子1の短手方向において、スリット121a,121bよりも外側になる部分が、実施の形態1の導体2a,2bに相当する。また、TMR素子1の長手方向において、スリット121a,121bよりも外側になる部分が、実施の形態1の導体3a,3bに相当する。
In the fourth embodiment, as shown in FIGS. 12 to 14, the ends of the
The difference from the above-described third embodiment is that, in the third embodiment, the
Therefore, in the fourth embodiment, the
このように、実施の形態4では、導体3a,3bを介して導体4と導体2a,2bとが並列に接続されているため、導体2a、2bを流れる電流は、検出対象の電流の一部であり、導体2a、2bの電流容量による検出対象の電流の上限の制限を緩和することが可能である。実施の形態4では、TMR素子1のエッジ部分に検出対象の磁界と同じ方向の磁界を印加するため、TMR素子1の長手方向のエッジに部分における反磁界の影響を緩和することが可能となる。本発明を実施するために、追加的に電源を使用する必要が無いため、工数を増加させること無く、本発明の効果を得ることができる。
Thus, in
以上のように、実施の形態4によると、反磁界の影響を緩和することが可能であるので、ヒステリシスおよびバルクハウゼンノイズの発生を抑制することができる。その結果、導体4に流れる電流を精度よく検出することができる。さらに、実施の形態4では、検出対象の磁界が流れる導体4に対して、TMR素子1の長手方向側面にバイアス磁界を印加するための導体2a,2bを並列に接続することで、バイアス磁界を印加するための導体2a,2bの電流容量による検出可能電流上限の低下を解消することが可能となる。TMR素子1の側面には、検出対象の磁界と同方向に磁界が印加されるため、TMR素子1の長手方向の側面における反磁界の影響による磁化の不規則な挙動を低減することができ、電流検出精度を向上させることが可能となる。また、実施の形態4によれば、導体2a,2b,3a,3bにバイアス磁界を印加する為の電流源を別途要することなしに、TMR素子1の長手方向側面にバイアス磁界を印加することが可能となる。
As described above, according to the fourth embodiment, it is possible to mitigate the influence of the demagnetizing field, so that the occurrence of hysteresis and Barkhausen noise can be suppressed. As a result, the current flowing through the
実施の形態5.
図15は本発明の実施の形態5のTMR素子1と導体1510の配置を示した斜視図である。図16は、実施の形態1に係る電流検出装置の動作を説明するための模式図である。また、図17は本実施の形態によるTMR素子1と導体1510の上面図である。
FIG. 15 is a perspective view showing the arrangement of the
上述の図1に示した実施の形態1との違いは、実施の形態1では、図1に示すように、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bとがすべて別体で構成され、互いに離間していたが、実施の形態5では、導体4と導体2a,2bと導体3a,3bとがすべて接続されている点が異なる。さらに、実施の形態5では、導体2a,2bの外側に、導体2a,2bの長手方向に平行に、さらなる導体7a,7bが設けられている点が、上記の実施の形態1〜4と異なる。本実施の形態5では、導体4、導体2a,2b、導体3a,3b、導体7a,7bが、すべて接続されて、一体の導体1510となっている。
The difference from the first embodiment shown in FIG. 1 is that, in the first embodiment, as shown in FIG. 1, the
また、上述した実施の形態3との違いは、実施の形態3では、導体4に導体2a,2bを介して導体3a,3bが接続されていたが、実施の形態5では、逆に、導体4に導体3a,3bを介して導体2a,2bが接続されている。導体4、導体2a,2b、導体7a,7bは、互いに平行に配置され、導体3a,3bを介して、導体4、導体2a,2b、及び、導体7a,7bが接続されている。
Further, the difference from the above-described third embodiment is that, in the third embodiment, the
さらに具体的に説明すると、図17に示すように、導体3a,3bが、導体3a,3bの長手方向のそれぞれ逆向きに延長され、当該延長により構成された延長部分3aEx,3bExに、矩形の導体7a,7bの各一端が接続されるとともに、導体2a,2bの各一端が接続されている。
なお、延長部分3aEx,3bExも、導体3a,3bと同じ導体から構成されている。
また、導体7a,7bの幅(または断面積)は、導体4の短手方向の幅(または断面積)と小さいかあるいは等しく、且つ、導体2a,2b,3a,3bの幅(または断面積)よりも大きい。
さらに、導体7a,7bは、L字型になるように、導体7a,7bの長手方向に直交する方向にその一端が延びて、延長部分7aEx,7bExとなっている。延長部分7aEx,7bExも、導体7a,7bと同じ導体から構成されている。また、延長部分7aEx,7bExの端部は、導体2a,2bの各他端に接続されている。
従って、全体の形状としては、図17に示すように、導体4と導体3a,3bとが矩形の平板状の導体から構成され、その両側に、導体2a,7a,及び、それらの延長部分3aEx,7aExから構成された矩形の平板状の導体1511aと、導体2b,7b、および、それらの延長部分3bEx,7bExから構成された矩形の平板状の導体1511bとが接続されている。導体1511aは、スリット1512aが形成された矩形の平板状の導体とも言え、スリット1512aの外側が導体7aに相当する。同様に、導体1511bは、スリット1512bが形成された矩形の平板状の導体とも言え、スリット1512bの外側が導体7bに相当する。
なお、導体3a,3bの延長部分3aEx,3bExは、互いに、導体4の短手方向の逆向きの方向に延びているため、導体4の中心に対し、互いに点対称の位置になるように構成されている。同様に、導体7a,7bの延長部分7aEx,7bExは、互いに、導体4の短手方向の逆向きの方向に延びているため、導体4の中心に対し、互いに点対称の位置になるように構成されている。
More specifically, as shown in FIG. 17, the
The extended portions 3aEx and 3bEx are also composed of the same conductor as the
The width (or cross-sectional area) of the
Furthermore, the
Accordingly, as shown in FIG. 17, the overall shape of the
The extended portions 3aEx and 3bEx of the
他の構成については、他の実施の形態のいずれかと同じであるため、ここでは、他の実施の形態と異なる構成についてのみ説明し、他の実施の形態と同じ構成については、説明を省略する。 Since other configurations are the same as any of the other embodiments, only configurations different from the other embodiments will be described here, and descriptions of the same configurations as the other embodiments will be omitted. .
上述したように、実施の形態5においては、導体2a、2bのそれぞれに対して、並列に新たな導体7a,7bを接続することで、検出対象となる電流の一部が、導体2a、2b、7a、7bに印加される。従って、本実施の形態によると、導体2a、2bの電流容量による検出可能電流上限の制約を緩和することが可能となる。並列に接続される導体7a,7bは、導体2a、2bよりも幅を広くすることで検出可能電流を効果的に増加させる事が可能となる。また、本実施の形態によると、本発明の実施に追加的な電源を使用する必要が無いため、工数を増加させること無く、発明の効果を得ることができる。
As described above, in the fifth embodiment, by connecting the
以上のように、実施の形態5によると、上記の実施の形態1と同様の効果が得られ、さらに、実施の形態5では、TMR素子1の長手方向に、バイアス磁界を印加するための導体2a,2bと並列に追加的に導体7a,7bを接続することで、バイアス磁界を印加するための導体2a,2bの電流容量による検出可能電流上限の低下を解消することが可能となる。さらに、実施の形態5では、導体2a,2b,3a,3b,7a,7bにバイアス磁界を印加する為の電流源を別途要することなしに、TMR素子1の長手方向側面にバイアス磁界を印加することが可能となる。
As described above, according to the fifth embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Furthermore, in the fifth embodiment, a conductor for applying a bias magnetic field in the longitudinal direction of the
なお、実施の形態5では、導体2a,2bの長手方向に並列に導体7a,7bを設ける例について説明したが、その場合に限らず、同様に、導体3a,3bの長手方向に並列に導体7a,7bと同様の導体を設けるようにしてもよい。また、導体2a,2bの長手方向と導体3a,3bの長手方向との両方に、並列に、導体7a,7bと同様の導体を設けるようにしてもよい。
In the fifth embodiment, the example in which the
なお、本実施の形態で示した、TMR素子1の長手方向に延びた側面に対して平行に設けられ、且つ、その断面積が、導体2a,2bよりも大きく、導体4よりも小さい、導体7a,7bは、上述した実施の形態1〜4のいずれの構成にも適用可能であることは言うまでもない。
The conductor shown in the present embodiment is provided in parallel to the side surface extending in the longitudinal direction of the
実施の形態6.
図18は本発明の実施の形態6による電流検出装置の、TMR素子1と各導体の配置を示した斜視図である。図19は、実施の形態6に係る電流検出装置の動作を説明するための模式図である。また、図20における破線a−a’における断面図を図20に示す。
FIG. 18 is a perspective view showing the arrangement of the
上述の図1に示した実施の形態1との違いは、実施の形態1の図1に示した導体4の代わりに、実施の形態6では、導体181が設けられている点である。図1の導体4は、導体2a,2b,3a,3bと同一平面内に設けられていたが、実施の形態6では、検出対象の電流が流れる導体181と、バイアス磁界印加用の導体2a,2b,3a,3bとが、異なる平面内に設けられている。すなわち、TMR素子1、導体2a,2b,3a,3b、および、導体181が、上から順に、3層に分かれて、互いに、予め設定された距離の空隙を介して、異なる3つの平面内にそれぞれ配置されている。以下では、実施の形態1と異なる構成についてのみ説明し、実施の形態1と同じ構成については、説明を省略する。
The difference from the first embodiment shown in FIG. 1 described above is that a
実施の形態6では、検出対象の電流が流れる導体181が、1番下の層として設けられている。その上の層に、TMR素子1の長手および短手方向のエッジにバイアス磁界を印加するための導体2a,2b,3a,3bが設けられている。導体2a,2b,3a,3bは、図1の配置と同じように全体として矩形形状になるようにそれぞれ配置されているが、図1においてはそれらの中央に配置されている導体4は、本実施の形態6では設けられていない。また、導体2a,2b,3a,3bの上の層に、TMR素子1が設けられている。TMR素子1には、図1と同じように、上部電極5と下部電極6とが設けられている。このように、本実施の形態では、導体2a,2b,3a,3bと、導体181とが、分離して、異なる平面内に設けられているため、導体181の大きさは自由に選ぶことができる。したがって、検出対象となる電流の大きさに合わせたサイズの導体181を使用することで、検出対象の電流が流れる導体181の電流容量を検出対象の電流の強度に合わせて設計することができる。
In the sixth embodiment, the
図19に、本実施の形態で電流検出装置を構成するための機器の接続を示す。図19に示すように、本実施の形態においては、導体2a、導体2b、及び、導体181が、すべて、負荷154に並列に接続されている。
そのため、TMR素子1の長手および短手方向の各エッジに磁界を印加するための電流は、導体2a、2bを負荷154に並列に接続することで、検出対象の電流に比例して供給することができるため、簡易に、電流供給回路を構成することが可能となる。
なお、ここで、導体2a、2bに流れる電流が導体181を流れる電流と同じ方向であるように接続した場合には、上述の実施の形態4の効果を得ることができる。一方、導体2a、2bに流れる電流が導体181を流れる電流の向きと逆向きになるように接続した場合には、上述の実施の形態5に示した効果を得ることが可能となる。
FIG. 19 shows connection of devices for constituting the current detection device in this embodiment. As shown in FIG. 19, in this embodiment,
Therefore, the current for applying a magnetic field to each edge in the long and short directions of the
Here, when the connection is made so that the current flowing through the
また、図19において、191は、導体2a、2bの各々と負荷154との間に接続された抵抗器である。導体2a、2bに流れる電流の強度は、導体181に並列に、導体2a、2bと直列になるように抵抗器191を挿入することで、追加的な電源を用いずに、本実施の形態に係る電流検出装置を実現することが可能となる。
In FIG. 19,
図20に、図18の破線a−a’の断面図を示す。検出対象の電流が流れる導体181と、本実施の形態を適用した電流検出装置201のみを、簡易に示してある。図20に示すように、導体181とTMR素子1とはその間隔を一定に保つスペーサー200を介して固定されることが望ましい。TMR素子1と導体181との間隔を一定に保つことができれば、導体の形状に規定されること無く、任意の導体を流れる任意の強度の電流の測定を行うことが可能である。
FIG. 20 is a sectional view taken along the broken line a-a ′ in FIG. Only the
以上のように、本実施の形態によれば、上述の実施の形態1と同様の効果が得られるとともに、本実施の形態においては、導体2a,2b,3a,3bと、導体181とを、分離して、互いに異なる平面内に設けるようにしたため、導体181の大きさの自由度を高くすることができる。
As described above, according to the present embodiment, the same effects as those of the above-described first embodiment can be obtained. In the present embodiment, the
実施の形態7.
本実施の形態では、上述の本発明の実施の形態1〜6に係る電流検出装置を用いて構成される磁界検出装置について説明する。本実施の形態による磁界検出装置の磁界検出精度は、電流検出装置の電流検出精度に依存するため、上述の実施の形態1〜6で説明した電流検出精度が向上した電流検出装置を用いることによって、磁界検出精度を向上させることが可能となる。
In the present embodiment, a magnetic field detection device configured using the current detection devices according to
図21は、本実施の形態に係る磁界検出装置の構成を示した図である。本実施の形態に係る磁界検出装置は、上述した実施の形態1〜6のいずれかによる電流検出装置を用いて構成される。図21では、本実施の形態に係る磁界検出装置として、上述した実施の形態1による電流検出装置を用いたものが記載されているが、その場合に限らず、上述した実施の形態1〜6のうちの任意のいずれの電流検出装置を用いても、本実施の形態に係る磁界検出装置を構成することができる。 FIG. 21 is a diagram showing a configuration of the magnetic field detection device according to the present embodiment. The magnetic field detection apparatus according to the present embodiment is configured using the current detection apparatus according to any of the first to sixth embodiments described above. In FIG. 21, as the magnetic field detection device according to the present embodiment, one using the current detection device according to the first embodiment described above is described, but not limited to that case, the first to sixth embodiments described above. The magnetic field detection device according to the present embodiment can be configured using any one of the current detection devices.
電流検出装置の構成については、上述の実施の形態1〜6と同じであるため、ここではその説明を省略する。図21において、210は検出対象の外部磁界、211は導体4に印加した電流により誘起する磁界、212は導体4に印加される電流、213は導体4に電流212を印加する電流源、214は制御装置である。他の構成については、図1と同じであるため、同一符号を付して示す。
Since the configuration of the current detection device is the same as in the first to sixth embodiments, the description thereof is omitted here. In FIG. 21, 210 is an external magnetic field to be detected, 211 is a magnetic field induced by a current applied to the
図23は、制御装置214の内部構成を示すブロック図である。制御装置214には、電圧測定部215と、抵抗測定部216と、判定部218と、磁界演算部219と、表示部217とが設けられている。
電圧測定部215は、例えば、図1に示す電圧計151から構成されている。
抵抗測定部216は、電圧測定部215で測定された電圧値に基づいて、TMR素子1の抵抗値を算出するものである。
判定部218は、導体4を流れる電流が誘起する誘起磁界が、TMR素子1に印加されている外部磁界を打ち消したか否かを、抵抗測定部216で測定したTMR素子1の抵抗値を、TMR素子1に外部磁界を印加しないときの抵抗値と比較することで判定するものである。
磁界演算部219は、判定部218が、導体4を流れる電流が誘起する誘起磁界が、TMR素子1に印加されている外部磁界を打ち消したと判定した場合に、その時点の導体4を流れる電流の値に基づいて、外部磁界の強度を算出するものである。
表示部217は、抵抗測定部216、判定部218及び磁界演算部219の処理結果を表示するものである。
また、実際的な処理としては、下記構成とし、TMR素子1に印加される電圧を取得することで、本実施の形態による磁界検出装置を実現することが可能である。図25は制御装置214の構造を省略した制御装置214aのブロック図である。制御装置214aにおいては、判定部218は、電圧測定部215の値から、抵抗値に換算せず直接、TMR素子1に印加されている外部磁界が打ち消されたかどうかを判定する。最初に、定電流をTMR素子1に印加し、TMR素子1に外部磁界が印加されていない場合の、TMR素子1の電圧を判定部218に記憶させておく。次に、電流源213から導体4に流した電流に対して、TMR素子1の電圧がTMR素子に磁界を印加しない時の電圧と等しくなることを検出することで、TMR素子に印加された外部磁界が打ち消されたかどうかを判定するものである。表示部217は、電圧測定部215、判定部218、磁界演算部219の処理結果を表示するものである。
FIG. 23 is a block diagram showing an internal configuration of the
The
The
The
When the
The
Further, as a practical process, the magnetic field detection apparatus according to the present embodiment can be realized by obtaining the voltage applied to the
図24は、制御装置214のハードウエア構成を示した図である。図23の電圧測定部215は電圧計であり、表示部217はディスプレイである。抵抗測定部216、判定部218および磁界演算部219は、プロセッサがメモリに記憶されたプログラムを実行することにより、実現される。また、複数のプロセッサおよび複数のメモリが連携して上記機能を実行してもよい。なお、実施の形態1と本実施の形態7とでは、メモリに記憶されたプログラムが異なる。
FIG. 24 is a diagram illustrating a hardware configuration of the
図21の構成において、検出対象となる外部磁界210は、TMR素子1の短手方向に沿った方向に印加される。まず、外部磁界210を印加しない状態で、抵抗測定部216が、TMR素子1の抵抗値を測定する。この時のTMR素子1の抵抗値をR0とする。なお、抵抗測定部216は、例えば、次の手順により、抵抗値を測定すればよい。まず、TMR素子1に対して、電流源152により、予め設定された一定値の電流を印加する。その状態で、電圧測定部215により、TMR素子1に生じた電位差を読み取り、電流源152が印加した電流の値から、抵抗R0を演算する。
In the configuration of FIG. 21, the external
次に、検出対象の外部磁界210を印加し、抵抗測定部216が、再び、TMR素子1の抵抗値を測定する。この時の、TMR素子1の抵抗値をR1とする。抵抗値の測定手順は、上記と同じでよい。次に、抵抗測定部216は、この時のTMR素子1の抵抗値R1と、先に求めた抵抗値R0との差分(R1−R0)を、ΔRとして求める。
Next, the external
次に、判定部218が、電流源213を制御して、導体4に対して、予め設定された一定値の直流電流Iを、電流212として印加する。この電流212が誘起する磁界211は、検出対象の外部磁界210と合成され、方向が同じ時は強め合い、逆向きの時は弱めあい相殺する。いま、定電流Iを導体4に印加した状態で、抵抗測定部216が、TMR素子1の抵抗値を測定し、その時の抵抗値をR2とする。抵抗測定部216は、抵抗値R2と抵抗値R0の差分(R2−R0)をΔR’として求める。このとき、ΔR’>ΔRである場合は、定電流Iの値を減少(または逆方向に電流を増加)させる。一方、ΔR’<ΔRの場合は、定電流Iの値を増加(逆方向の電流を減少)させる。そして、その時の磁界強度において同様の操作を繰り返し、ΔR’が最小になる時の電流値を計測することで外部磁界210を求めることができる。この時の電流値が誘起する磁界211は、丁度、検出対象の外部磁界210を相殺しているため、この時の電流強度は検出対象の外部磁界210に比例している。したがって、磁界演算部219により、このときの定電流Iの電流値に、予め設定されたある係数を乗じることで、外部磁界210の強度を容易に求めることが可能である。
Next, the
図22に、ここまでに述べた、本実施の形態に係る磁界検出装置により、外部磁界の測定を行うための一連の手順をフローチャートとして示す。これは、抵抗測定部216、判定部218、および、磁界演算部219において行われる処理である。図22の処理について、簡単に説明する。
まず、外部磁界210を印加しない状態でTMR素子1の抵抗値R0を測定し、次に外部磁界H210を印加した状態でTMR素子1の抵抗R1を測定し、R0とR1の差の絶対値ΔRを求める(ステップS1)。
次に、図21の導体2の例えばA→B方向の電流を増加、または、B→A方向の電流を減少させる(ステップS2)。
次に、導体4に直流電流を供給した状態のTMR素子1の抵抗R2を測定し、R2とR0の差の絶対値ΔR’を求める(ステップS3)。
次に、ΔR>ΔR’(TMR素子1の抵抗がR0に近づくとき)か否かを判定し、そうであるならば、ステップS5に進み、そうでなければ、ステップS6に進む。
ステップS5では、ΔR’<α(α:予め設定された閾値)か否かを判定し、そうでなければ、ステップS1に戻り、ステップS1〜S4を繰り返して、同じ向きに直流電流を増加させ、ΔR’<αになったら、ステップS11に進む。
ステップS11では、この時点の電流212を磁界に換算して出力する。
FIG. 22 is a flowchart showing a series of procedures for measuring an external magnetic field by the magnetic field detection apparatus according to the present embodiment described so far. This is a process performed in the
First, the resistance value R0 of the
Next, for example, the current in the A → B direction of the conductor 2 in FIG. 21 is increased, or the current in the B → A direction is decreased (step S2).
Next, the resistance R2 of the
Next, it is determined whether or not ΔR> ΔR ′ (when the resistance of the
In step S5, it is determined whether or not ΔR ′ <α (α: a preset threshold value). If not, the process returns to step S1 and steps S1 to S4 are repeated to increase the direct current in the same direction. If ΔR ′ <α, the process proceeds to step S11.
In step S11, the current 212 at this time is converted into a magnetic field and output.
また、ステップS4でΔR<ΔR’(TMR素子1の抵抗がR0から遠ざかる)の場合には、R0とR1の差の絶対値ΔRを求める(ステップS6)。
次に、図20の導体2の例えばB→A方向の電流を増加、またはA→B方向の電流を減少させる(ステップS7)。
次に、R2とR0の差の絶対値ΔR’を求める(ステップS8)。
次に、ΔR>ΔR’(TMR素子1の抵抗がR0に近づくとき)か否かを判定し、そうであるならば、ステップS10に進み、そうでなければ、ステップS1に戻る。
ステップS10では、ΔR’<α(α:予め設定された閾値)か否かを判定する。そうであれば、ステップS11に進み、そうでなければ、ステップS6に戻り、ステップS6〜S9を繰り返して、同じ向きに直流電流を増加させ、ΔR’<αになったら、ステップS11に進む。
ステップS11では、この時点の電流212を磁界に換算して出力する。
If ΔR <ΔR ′ (the resistance of the
Next, for example, the current in the B → A direction of the conductor 2 in FIG. 20 is increased or the current in the A → B direction is decreased (step S7).
Next, an absolute value ΔR ′ of the difference between R2 and R0 is obtained (step S8).
Next, it is determined whether or not ΔR> ΔR ′ (when the resistance of the
In step S10, it is determined whether or not ΔR ′ <α (α: a preset threshold value). If so, the process proceeds to step S11. If not, the process returns to step S6, and steps S6 to S9 are repeated to increase the direct current in the same direction. When ΔR ′ <α, the process proceeds to step S11.
In step S11, the current 212 at this time is converted into a magnetic field and output.
なお、導体4に供給する電流212は、図22のフローチャートにおいては、先ず、導体4の端Aから端Bの方向に流しているが、この順番は逆であってもよい。
Note that the current 212 supplied to the
また、実際的な方法としては、必ずしもTMR素子1の抵抗値を演算する必要はなく、TMR素子1に印加した電流によって誘起される電圧に対して、上記手順を実行することができる。これは、TMR素子に定電流を印加した時、TMR素子に誘起される電圧変化は、抵抗値の変化と実質的に同値であるからである。従って、TMR素子1に定電流を印加した時に、誘起される電圧をVとすると、図22に示したフローチャートにおいて、各ΔR、ΔR’はΔV、ΔV’と置き換えることができる。この方法であると、VをRに演算する必要が無いため、処理速度が高速化することができる。
Further, as a practical method, it is not always necessary to calculate the resistance value of the
本実施の形態によれば、上述の実施の形態1〜6による検出精度が改善された電流検出装置の構成を用いて、磁界検出を行うことで、精度良い磁界検出が可能となる。ここでは、磁気抵抗効果素子としてのTMR素子1の固定層磁化の方向と平行な方向に印加された外部磁界210を検出するために、外部磁界210を打消す向きの磁界が発生する方向の電流を導体4に印加し、TMR素子1の抵抗値が、外部磁界210が存在しない時の抵抗値になった時の印加電流を検出することにより、外部磁界210の強度を検出することで、磁界検出装置としての動作が可能となる。これにより、本実施の形態による効果で磁界検出精度が向上した磁界検出装置の構成が可能となる。
According to the present embodiment, magnetic field detection can be performed with high accuracy by performing magnetic field detection using the configuration of the current detection device with improved detection accuracy according to the above-described first to sixth embodiments. Here, in order to detect the external
実施の形態8.
前記実施の形態1、3〜7において、導体2a,2b,3a,3b,4,61,91,121,181,1510はそれぞれTMR素子の下部に積層される構成を便宜上示したが、この順序は必須ではなく、TMR素子1の上部にこれらの導体が積層されていても本発明の効果を得ることが可能である。
In
1 TMR素子、2a,2b,3a,3b,4,61,91,121,181,1510 導体、5 上部電極、6 下部電極、101 反強磁性膜、102 強磁性膜、102a 強磁性膜102の磁化方向、103 非磁性膜、104 強磁性膜、104a 強磁性膜104の磁化方向、105 トンネル絶縁膜、106 強磁性膜(フリー層)、106a 強磁性膜106(フリー層)の磁化方向、151 電圧計、152,153a,153b,153c,153d 電流源、154 負荷、191 抵抗器、200 スペーサー(絶縁体)、201 電流検出装置、210 外部磁界、211 補償磁界、212 電流、213 電流源、214 制御装置。
1 TMR element, 2a, 2b, 3a, 3b, 4, 61, 91, 121, 181, 1510 conductor, 5 upper electrode, 6 lower electrode, 101 antiferromagnetic film, 102 ferromagnetic film, 102a of
Claims (6)
前記磁気抵抗効果素子の2つの主面のうちの一方の主面に対向して設けられ、検出対象の電流が流れる第1の導体と、
前記第1の導体に流れる電流によって誘起される磁界により変化する前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定し、前記抵抗値から前記第1の導体に流れる電流値を算出する電流値算出部と、
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの少なくとも1つの側面に対して、当該側面に平行になるように配置され、前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁界印加用導体と
を備え、
前記バイアス磁界印加用導体は、前記磁気抵抗効果素子の積層方向において、前記バイアス磁界印加用導体の一部または全部が、それに対応する前記磁気抵抗効果素子の前記側面を含む端部に重なるように、配置され、
前記バイアス磁界印加用導体に流れる電流によって前記磁気抵抗効果素子に前記バイアス磁界を付与する
電流検出装置。 A rectangular plate-like magnetoresistive effect element in which a fixed layer whose magnetization direction is fixed and a free layer whose magnetization direction is changed by an external magnetic field are laminated;
A first conductor provided opposite to one main surface of the two main surfaces of the magnetoresistive element and through which a current to be detected flows;
A current value calculation unit that measures a resistance value of the magnetoresistive effect element that changes due to a magnetic field induced by a current flowing through the first conductor, and calculates a current value that flows through the first conductor from the resistance value;
A bias magnetic field applying conductor that is arranged to be parallel to at least one of the four side surfaces of the magnetoresistive effect element and applies a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element. ,
The bias magnetic field applying conductor is such that a part or all of the bias magnetic field applying conductor overlaps a corresponding end including the side surface of the magnetoresistive effect element in the stacking direction of the magnetoresistive effect element. Placed,
A current detection device that applies the bias magnetic field to the magnetoresistive element by a current flowing through the bias magnetic field applying conductor.
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの長手方向に延びた2つの側面に対してそれぞれ平行になるように配置された1対の第2の導体を含み、
前記1対の第2の導体のそれぞれ長手方向の向きが異なる各一端が、前記第1の導体の長手方向の向きが同じ端同士で接続されている
請求項1に記載の電流検出装置。 The bias magnetic field applying conductor is:
A pair of second conductors disposed so as to be parallel to two side surfaces extending in the longitudinal direction of the four side surfaces of the magnetoresistive element;
The current detection device according to claim 1, wherein each of the ends of the pair of second conductors having different longitudinal directions is connected to the ends having the same longitudinal direction of the first conductors.
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの長手方向に延びた2つの側面に対してそれぞれ平行になるように配置された1対の第2の導体と、
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの短手方向に延びた2つの側面に対してそれぞれ平行になるように配置された1対の第3の導体と
を含み、
前記1対の第2の導体のそれぞれ長手方向の向きが異なる各一端が、前記第1の導体の長手方向の向きが同じ端同士で接続されるとともに、
前記1対の第2の導体のそれぞれ長手方向の各他端が、当該他端に直交する前記1対の第3の導体のそれぞれ長手方向の各一端に接続されている
請求項1に記載の電流検出装置。 The bias magnetic field applying conductor is:
A pair of second conductors arranged so as to be parallel to two side surfaces extending in the longitudinal direction of the four side surfaces of the magnetoresistive element;
A pair of third conductors disposed so as to be parallel to two side surfaces extending in the lateral direction of the four side surfaces of the magnetoresistive effect element,
Each of the ends of the pair of second conductors having different longitudinal directions is connected to the ends having the same longitudinal direction of the first conductors,
The other end in the longitudinal direction of each of the pair of second conductors is connected to one end in the longitudinal direction of each of the pair of third conductors orthogonal to the other end. Current detection device.
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの長手方向に延びた2つの側面に対してそれぞれ平行になるように配置された1対の第4の導体をさらに備え、
前記第4の導体の断面積は、前記第2の導体の断面積よりも大きく、前記第1の導体の断面積よりも小さい
請求項2または3に記載の電流検出装置。 The bias magnetic field applying conductor is:
A pair of fourth conductors arranged to be parallel to two side surfaces extending in the longitudinal direction of the four side surfaces of the magnetoresistive element;
The current detection device according to claim 2, wherein a cross-sectional area of the fourth conductor is larger than a cross-sectional area of the second conductor and smaller than a cross-sectional area of the first conductor.
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの長手方向に延びた2つの側面に対してそれぞれ平行になるように配置された1対の第2の導体と、
前記磁気抵抗効果素子の4つの側面のうちの短手方向に延びた2つの側面に対してそれぞれ平行になるように配置された1対の第3の導体と
を含み、
前記第1の導体と長手方向が等しい前記第2の導体が、前記第3の導体を介して、前記第1の導体と並列に接続されている
請求項1に記載の電流検出装置。 The bias magnetic field applying conductor is:
A pair of second conductors arranged so as to be parallel to two side surfaces extending in the longitudinal direction of the four side surfaces of the magnetoresistive element;
A pair of third conductors disposed so as to be parallel to two side surfaces extending in the lateral direction of the four side surfaces of the magnetoresistive effect element,
The current detection device according to claim 1, wherein the second conductor having the same longitudinal direction as the first conductor is connected in parallel to the first conductor via the third conductor.
前記電流検出装置が有する前記第1の導体に電流を印加する電流源と、
前記第1の導体を流れる前記電流が誘起する誘起磁界が、前記磁気抵抗効果素子に印加されている外部磁界を打ち消したか否かを、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を、前記磁気抵抗効果素子に前記外部磁界を印加しないときの抵抗値と比較することで判定する判定部と、
前記判定部が前記誘起磁界が前記外部磁界を打ち消したと判定した場合に、その時点の前記第1の導体を流れる電流の値に基づいて前記外部磁界の強度を算出する磁界演算部と
を備えた
磁界検出装置。 The current detection device according to any one of claims 1 to 5,
A current source for applying a current to the first conductor of the current detection device;
The induced magnetic field first the current flowing through the conductor is induced, whether to cancel the external magnetic field applied to the magnetoresistive element, the resistance value of the magnetoresistive element, the magnetoresistive element A determination unit for determining by comparing with a resistance value when the external magnetic field is not applied to,
A magnetic field calculation unit that calculates the strength of the external magnetic field based on the value of the current flowing through the first conductor at that time when the determination unit determines that the induced magnetic field has canceled the external magnetic field; Magnetic field detection device.
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