JP6287045B2 - 反射型マスクおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が13.5nm近傍のEUVを光源に用いたEUVリソグラフィが提案されている。EUVリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またEUVの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は1よりもわずかに小さい値である。
図3に、従来の反射型マスクの構造および製造工程を示すが、反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、基板1の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射膜2と、露光光源波長を吸収する光吸収膜6とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜3が形成されている。
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ1枚あたりに取れるチップをできるだけ増やしたいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回(最大で4回)に渡り露光(多重露光)されることになる。
また、大規模集積回路の高集積化は、回路を構成する配線パターンの細線化技術を必須のものとして要求する。大規模集積回路のパターン微細化が加速されるのは、その高速動作と低消費電力化のためであり、その最も有効な手段がパターンの微細化だからである。こ
のため、上述の細線化された配線パターンを有するマスクを実現する目的で、より微細なパターンをマスク基板上に形成する必要がある。
前記反射基板にマスクパターンと遮光枠状の掘り込みが設けてあり、
前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みを設けた反射基板に保護膜が形成されており、前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みに、光吸収膜が形成されており、
前記マスクパターンにおける保護膜と光吸収膜が面一であることを特徴とする反射型マスクである。
前記反射基板に、エッチングにより、マスクパターンと遮光枠状の掘り込みを形成する工程と、
前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みを設けた反射基板に保護膜を積層する工程と、前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みに、光吸収膜を形成する工程と、
前記マスクパターン部の光吸収膜を前記保護膜表面と面一にするエッチングする工程を持つことを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
図1(a)に示されるように、基板1の一方側表面から多層反射膜2を積層し、もう一方側の表面に裏面導電膜3を成膜する。
図2は、本発明の実施の形態2による反射型マスクの構造と、製造工程を示した説明図である。
2・・・多層反射膜
3・・・裏面導電膜
4・・・レジスト
5・・・保護膜
6・・・光吸収膜
7・・・レジスト
8・・・掘り込み
9・・・マスクパターン
10・・・反射基板
20・・・反射型マスク
Claims (3)
- 基板上に多層反射膜を設けた反射基板上にマスクパターンと遮光枠が設けられた反射型マスクであって、
前記反射基板にマスクパターンと遮光枠状の掘り込みが設けてあり、
前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みを設けた反射基板に保護膜が形成されており、前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みに、光吸収膜が形成されており、
前記マスクパターンにおける保護膜と光吸収膜が面一であることを特徴とする反射型マスク。 - マスクパターンが形成された領域の外側に、枠状に多層反射層が除去され、光吸収材料が充填され、光吸収材料が多層反射層表面にも形成されるか、枠状部分の多層反射層の掘り込み量が深いか、の少なくとも何れかを採用することにより、光吸収層の厚さがマスクパターンよりも枠状部分で厚い構成の遮光枠が形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。
- 基板上に多層反射膜を設けた反射基板上にマスクパターンと遮光枠が設けられた反射型マスクの製造方法であって、
前記反射基板に、エッチングにより、マスクパターンと遮光枠状の掘り込みを形成する工程と、
前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みを設けた反射基板に保護膜を積層する工程と、前記マスクパターンと遮光枠状の掘り込みに、光吸収膜を形成する工程と、
前記マスクパターン部の光吸収膜を前記保護膜表面と面一にするエッチングする工程を持つことを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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