JP6284670B1 - 有機デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】有機デバイスごとに適切に個片化できる有機デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】有機デバイス１の製造方法では、一方向に延在する支持基板３の一方の主面３ａ上に、少なくとも第１電極層５、有機機能層７及び第２電極層９をこの順番で積層した有機デバイス部１０を、所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、各有機デバイス部１０における第１電極層５及び第２電極層９それぞれの一部が露出し且つ複数の有機デバイス部１０に跨がるように、一方向に延在する封止部材１１を一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、有機デバイス部１０を個片化する裁断工程と、を含み、裁断工程では、支持基板３の一方の主面３ａにおける封止部材１１が貼合されていない領域及び封止部材１１を支持した状態で、支持基板３の他方の主面３ｂ側から裁断刃Ｂを進入させる。【選択図】図４

Description

本発明は、有機デバイスの製造方法に関する。

従来の有機デバイスの製造方法としては、例えば、特許文献１に記載された方法が知られている。特許文献１に記載の有機デバイスの製造方法では、可撓性を有する支持基板の上に少なくとも第１電極と、少なくとも一層の発光層を含む有機層と、第２電極とを順次積層した積層体を有する有機デバイス部を形成し、有機デバイス部の第２電極上に接着剤を介してバリア層に金属箔を用いた封止部材を貼合した後、支持基板の上の接着剤からなる接着剤層、封止部材の順に積層した部分において、支持基板側から封止部材側に向けて断裁刃を進行させて、封止部材を貼合した構造体を支持基板、接着剤からなる接着剤層、封止部材の順に断裁し、個別の有機ＥＬ素子を製造する。

国際公開第２０１０／０６７７２１号

有機デバイスとしては、第１電極及び第２電極それぞれの一部を露出させて、封止部材が設けられているものがある。このような有機デバイスを製造する場合には、第１電極及び第２電極の一部が露出するように封止部材を複数の有機デバイス部に貼り合わせた後に裁断し、有機デバイスごとに個片化する。このとき、従来の有機デバイスの製造方法のように、支持基板側から封止部材側に向けて断裁刃を進行させると、以下のような問題が生じ得る。すなわち、封止部材が設けられている部分と封止部材が設けられていない部分とでは、高さが異なる。そのため、封止部材を下側にして載置台等に有機デバイスを載置すると、封止部材が設けられていない部分が支持されないため、支持基板側から封止部材側に向けて断裁刃を進行させると、支持基板が撓む等して支持基板を適切に裁断できず、有機デバイスごとに適切に個片化することができない。

本発明の一側面は、有機デバイスごとに適切に個片化できる有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第１電極層、有機機能層及び第２電極層をこの順番で積層した有機デバイス部を、所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、各有機デバイス部における第１電極層及び第２電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の有機デバイス部に跨がるように、一方向に延在する封止部材を一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、封止部材が貼合された複数の有機デバイス部を個片化する裁断工程と、を含み、裁断工程では、支持基板の一方の主面における封止部材が貼合されていない領域と封止部材とを支持した状態で、支持基板の他方の主面側から裁断刃を進入させる。

本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法では、裁断工程において、支持基板の一方の主面における封止部材が貼合されていない領域と封止部材とを支持した状態で、支持基板の他方の主面側から裁断刃を進入させる。この方法では、支持基板及び封止部材が支持されているため、支持基板を裁断するときに、封止部材が貼合されていない部分の支持基板が撓むこと等が抑制される。したがって、有機デバイスの製造方法では、有機デバイスを適切に個片化できる。

一実施形態においては、裁断工程では、上記領域及び封止部材と当接する支持体によって、上記領域及び封止部材を支持してもよい。この方法では、支持体によって、上記領域及び封止部材を適切に支持できる。したがって、有機デバイスをより適切に個片化できる。

一実施形態においては、支持体は、有機デバイス部及び封止部材を収容可能であり且つ一方向に延在する空間を有しており、裁断工程では、有機デバイス部及び封止部材を空間に位置させると共に、空間を画成する一面に封止部材を当接させた状態で、他方の主面側から裁断刃を進入させてもよい。この方法では、支持基板を搬送しつつ支持体に支持基板を支持させることができる。したがって、裁断工程における作業性の向上を図ることができる。

一実施形態においては、支持体には、上記領域を支持する位置に裁断刃が進入可能な溝が設けられていてもよい。この方法では、支持体によって支持基板を支持しつつ、支持基板を裁断することができる。

本発明の一側面によれば、有機デバイスごとに適切に個片化できる。

図１は、一実施形態に係る有機デバイスの製造方法により製造された有機ＥＬ素子の断面図である。 図２は、有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャートである。 図３は、有機デバイス部に封止部材を貼り合わせた状態を示す斜視図である。 図４は、裁断工程を説明するための図である。 図５は、裁断工程を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

図１に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子（有機デバイス）１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、有機機能層７と、陰極層（第２電極層）９と、封止部材１１と、を備えている。陽極層５、有機機能層７及び陰極層９は、有機ＥＬ部（有機デバイス部）１０を構成している。有機ＥＬ素子１は、陽極層５に電気的に接続された引出電極１３と、陰極層９に電気的に接続された引出電極１５と、を備えていてもよい。

［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。支持基板３が樹脂の場合は、ロールツーロール方式の連続時の基板ヨレ、シワ、及び伸びの観点からは４５μｍ以上、可撓性の観点からは１２５μｍ以下が好ましい。

支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。

支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

支持基板３の一方の主面３ａ上には、ガスバリア層、或いは、水分バリア層が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。支持基板３の他方の主面３ｂには、光取り出しフィルムが設けられていてもよい。光取り出しフィルムは、粘着層によって、支持基板３の他方の主面３ｂに貼合されていてもよい。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板３が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは３０μｍ以上、可撓性の観点からは１００μｍ以下が好ましい。

［陽極層］
陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。

陽極層５として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層５として、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。

陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。

陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のドライ成膜法、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法を挙げることができる。また、陽極層５は、さらにフォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いてパターンを形成することができる。塗布法を用いて支持基板３上に直接塗布することで、フォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いることなくパターンを形成することもできる。

支持基板３の一方の主面３ａ上には、電極層６が配置されている。電極層６は、陽極層５と所定の間隔をあけて、陽極層５と離間して（電気的に絶縁して）配置されている。電極層６の厚さ、材料及び形成方法は、陽極層５と同様であり得る。

陽極層５上には、引出電極１３が配置されている。引出電極１３は、支持基板３の一方の端部（後述する引出電極１５が配置される端部とは反対側の端部）に配置されている。本実施形態では、引出電極１３の端面は、陽極層５の端面（支持基板３の端面）と面一である。引出電極１３の厚さ、材料及び形成方法は、後述する陰極層９と同様であり得る。

［有機機能層］
有機機能層７は、陽極層５の主面（支持基板３に接する面の反対側）上及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。有機機能層７は、引出電極１３と離間して配置されている。有機機能層７は、発光層を含んでいる。有機機能層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層７を構成する有機物としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等の蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料や、下記の発光層用ドーパント材料等を挙げることができる。

（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。

（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。

（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。

（発光層用ドーパント材料）
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。

有機機能層７の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。有機機能層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着によって形成されてもよい。

［陰極層］
陰極層９は、有機機能層７の主面（陽極層５に接する面の反対側）上、及び電極層６の主面（支持基板３に接する面の反対側）上に配置されている。陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。

また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等を挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、後述の電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。

陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極層９の形成方法としては、例えば、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等を挙げることができ、真空蒸着法、又はスパッタリング法が好ましい。また、陰極層９は、さらにフォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いてパターンを形成することができる。

引出電極１５は、陰極層９と一体に形成されている。引出電極１５は、電極層６上に配置されている。引出電極１５は、支持基板３の他方の端部（引出電極１３が配置される端部とは反対側の端部）上に配置されている。引出電極１５は、陰極層９の端部から支持基板３の他方の端部まで延在している。本実施形態では、引出電極１５の端面は、電極層６の端面（支持基板３の端面）と面一である。引出電極１５の厚さ、材料及び形成方法は、陰極層９と同様であり得る。

［封止部材］
封止部材１１は、有機ＥＬ素子１において最上部に配置されている。封止部材１１は、粘接着部１７と、バリア層１８と、封止基材１９と、を有している。封止部材１１は、粘接着部１７、バリア層１８及び封止基材１９の順番で積層されている。粘接着部１７は、バリア層１８及び封止基材１９を陽極層５、有機機能層７及び陰極層９に接着させるために用いられる。粘接着部１７は、具体的には、光硬化性又は熱硬化性のアクリレート樹脂、或いは、光硬化性又は熱硬化性のエポキシ樹脂から構成される。その他一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリブタジエン（ＰＢ）フィルム等の熱融着性フィルムを使用することもできる。また、熱可塑性樹脂も使用することができる。

バリア層１８は、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。封止基材１９は、金属箔、透明なプラスチックフィルム、或いはフレキブル性を有する薄膜ガラス等からなる。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、又はステンレスが好ましい。金属箔の厚さは、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ〜５０μｍが好ましい。

［有機ＥＬ素子の製造方法］
続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。

支持基板３が可撓性を有し、長手方向に延在する基板である形態では、図２に示される基板乾燥工程Ｓ０１から貼合工程Ｓ０５まで、ロールツーロール方式が採用され得る。

有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。次に、乾燥された支持基板３の一方の主面３ａ上に、陽極層５を形成する（陽極層形成工程（形成工程）Ｓ０２）。陽極層５は、陽極層５の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。図３に示されるように、支持基板３上には、陽極層５が、支持基板３の長手方向（図３のＹ方向）において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板３の幅方向（図３のＸ方向）において所定の間隔をあけて複数（本実施形態では２つ）形成される。

続いて、陽極層５上に、有機機能層７を形成する（有機機能層形成工程（形成工程）Ｓ０３）。有機機能層７は、有機機能層７の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。次に、有機機能層７上に、陰極層９を形成する（陰極層形成工程（形成工程）Ｓ０４）。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。以上により、支持基板３上に、有機ＥＬ部１０が複数形成される。

続いて、封止部材１１を貼り合わせる（貼合工程Ｓ０５）。封止部材１１は、所定の幅を有し、支持基板３の長手方向に延在する。具体的には、封止部材１１は、図３に示されるように、陽極層５及び陰極層９のそれぞれの一部が露出するように幅が設定され、帯状を呈している。封止部材１１は、可撓性を有している。封止部材１１は、封止基材１９の一方の面に粘接着部１７が設けられている。封止部材１１は、封止基材１９の一方の面にバリア層１８を介して粘接着部１７が形成された後に帯状に切断されてもよいし、封止基材１９を帯状に切断した後に封止基材１９の一方の面にバリア層１８を介して粘接着部１７を形成してもよい。

封止部材１１は、陽極層５の一部及び陰極層９の一部（引出電極１３の一部及び引出電極１５の一部）が露出するように、複数の有機ＥＬ部１０上に貼付される。具体的には、封止部材１１は、複数の有機ＥＬ部１０に跨るように一方向に沿って貼付される。ロールツーロール方式では、支持基板３を搬送しながら、支持基板３上に形成された有機ＥＬ部１０と封止部材１１とを貼り合わせる。支持基板３と封止部材１１とは、加熱ローラ（図示省略）の間を通過する。これにより、支持基板３及び封止部材１１は、加熱ローラによって、加熱されつつ圧力が付与される。これにより、粘接着部１７が軟化し、粘接着部１７と有機ＥＬ部１０とが密着する。有機ＥＬ部１０と封止部材１１とを貼り合わせるときは、水分濃度の低い環境で行うことが好ましく、特に窒素雰囲気で行われることが好ましい。

続いて、封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０を個片化する（裁断工程Ｓ０６）。図３に示されるように、裁断工程Ｓ０６では、裁断線Ｌに沿って支持基板３及び封止部材１１を裁断し、封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０を個片化する。具体的には、図４及び図５に示されるように、支持基板３及び封止部材１１を支持体１００で支持して、裁断刃Ｂで支持基板３を裁断する。図４は、図３のＸ方向に沿った断面をＹ方向から見た図であり、陽極層５及び有機機能層７を含む位置での断面を示している。図５は、図３のＸ方向に沿った断面をＹ方向から見た図であり、陽極層５及び有機機能層７を含まない位置での断面を示している。

支持体１００は、支持基板３の一方の主面３ａにおいて封止部材１１が貼合されていない領域（以下、「領域Ｚ」と称する。）、及び、封止部材１１を支持する。支持体１００は、有機ＥＬ部１０及び封止部材１１を収容可能な空間Ｓを有している。空間Ｓは、互いに対向する一対の側面１００ａ，１００ｂと、底面（一方の面）１００ｃと、により画成されている。支持体１００では、底面１００ｃと対向する部分は開口している。空間Ｓは、支持基板３の長手方向に沿って延在している。すなわち、空間Ｓは、支持基板３の長手方向において所定の間隔をあけて設けられた複数の有機ＥＬ部１０を収容可能である。また、図４に示されるように、支持体１００は、溝Ｃを有している。溝Ｃは、裁断刃Ｂが進入する位置（一方の主面３ａが載置される位置）に設けられている。溝Ｃは、支持基板３の長手方向に沿って延在している。溝Ｃの深さは、空間Ｓを形成する底面１００ｃと同等又は底面１００ｃよりも低く設けられている。

裁断刃Ｂは、裁断線Ｌに応じた形状であり、枠状を呈している。本実施形態では、裁断刃Ｂは、４枚の刃部材が一体に設けられている。裁断刃Ｂは、例えば、複数設けられている。これにより、裁断工程Ｓ０６では、一度に封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０を個片化できる。裁断工程Ｓ０６では、図４及び図５に示されるように、複数の有機ＥＬ部１０が形成された支持基板３を支持体１００で支持させる。具体的には、封止部材１１が支持体１００の底面１００ｃに当接すると共に、支持基板３の領域Ｚ（有機機能層７が形成されていない領域）が支持体１００と当接するように、支持体１００に支持基板３を支持させる。そして、裁断刃Ｂを支持基板３の他方の主面３ｂ側から進入させる。裁断刃Ｂは、その先端が封止部材１１の表面（封止基材１９の表面）に到達する位置まで進行させる。これにより、封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０が個片化される。以上により、図１に示される有機ＥＬ素子１が製造される。

以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、裁断工程Ｓ０６において、封止部材１１が貼合されていない支持基板３の領域Ｚ及び封止部材１１を支持した状態で、支持基板３の他方の主面３ｂ側から裁断刃Ｂを進入させる。この方法では、支持基板３及び封止部材１１が支持されているため、支持基板３を裁断するときに、封止部材１１が貼合されていない部分の支持基板３が撓むこと等が抑制される。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、有機ＥＬ素子１ごとに適切に個片化できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、裁断工程Ｓ０６において、支持基板３の領域Ｚ及び封止部材１１と当接する支持体１００によって、領域Ｚ及び封止部材１１を支持する。この方法では、支持体１００によって、支持基板３の領域Ｚ及び封止部材１１を適切に支持できる。したがって、有機ＥＬ素子１ごとにより適切に個片化できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、裁断工程Ｓ０６において、有機ＥＬ部１０及び封止部材１１を収容可能であり且つ支持基板３の長手方向に延在する空間Ｓを有する支持体１００を用いる。裁断工程Ｓ０６では、有機ＥＬ部１０及び封止部材１１を空間Ｓに位置させると共に、空間Ｓを画成する底面１００ｃに封止部材１１を当接させた状態で、支持基板３の他方の主面３ｂ側から裁断刃Ｂを進入させる。この方法では、支持基板３を搬送しつつ支持体１００に支持基板３を支持させることができる。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、裁断工程Ｓ０６における作業性の向上を図ることができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、裁断工程Ｓ０６に用いる支持体１００は、支持基板３の領域Ｚを支持する位置に裁断刃Ｂが進入可能な溝Ｃが設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、支持体１００によって支持基板３を支持しつつ、支持基板３を裁断することができる。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層を含む有機機能層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層７の構成はこれに限定されない。有機機能層７は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。

正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層７と同様に塗布法により形成できる。

ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機ＥＬ素子１の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜であることが好ましく、その厚さは、例えば、０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、２ｎｍ〜７ｎｍであることが好ましい。

有機ＥＬ素子１は、単層の有機機能層７を有していてもよいし、２層以上の有機機能層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。

また、「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層

記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

上記実施形態では、支持基板３上に陽極層５を形成する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３上に陽極層５を予め形成したロールを用いてもよい。

上記実施形態では、有機ＥＬ素子１の製造方法において、支持基板３を加熱して乾燥させる工程を実施する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３の乾燥工程は必ずしも実施しなくてもよい。

上記実施形態では、支持体１００に空間Ｓ及び溝Ｃが設けられている形態を一例に説明した。しかし、裁断工程Ｓ０６では、封止部材１１が貼合されていない支持基板３の領域Ｚ及び封止部材１１を支持する形態であれば、支持体１００を用いなくてもよい。例えば、裁断工程Ｓ０６では、封止部材１１を台等に載置した状態で、支持基板３の領域Ｚを支持部材（例えば、柱状の部材等）で支持してもよい。

上記実施形態では、裁断刃Ｂが枠状を呈している形態を一例に説明した。しかし、裁断刃の形状はこれに限定されない。裁断刃は、裁断線に沿って裁断可能な形状であれば、いなかる形状であってもよい。

上記実施形態では、有機デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。

上記実施形態では、第１電極層が陽極層５であり、第２電極層が陰極層９である形態を一例に説明した。しかし、第１電極層が陰極層であり、第２電極層が陽極層であってもよい。

上記実施形態では、引出電極１３，１５を有する形態を一例に説明した。しかし、引出電極は設けられていなくてもよい。

上記実施形態では、図４に示されるように、引出電極１３及び引出電極１５となる電極層が支持体１００に当接する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３の一方の主面３ａが支持体１００に当接してもよい。

上記実施形態では、図４に示されるように、領域Ｚの一部が支持体１００に支持される形態を一例に説明した。しかし、領域Ｚの全面が支持体に支持されてもよい。

１…有機ＥＬ素子（有機デバイス）、３…支持基板、３ａ…一方の主面、３ｂ…他方の主面、５…陽極層（第１電極層）、７…有機機能層、９…陰極層（第２電極層）、１０…有機ＥＬ部（有機デバイス部）、１１…封止部材、１００…支持体、Ｂ…裁断刃、Ｃ…溝、Ｓ…空間。

Claims (3)

1. 一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第１電極層、有機機能層及び第２電極層をこの順番で積層した有機デバイス部を、所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、
   各前記有機デバイス部における前記第１電極層及び前記第２電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の前記有機デバイス部に跨がるように、前記一方向に延在する封止部材を前記一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、
   前記封止部材が貼合された複数の前記有機デバイス部を個片化する裁断工程と、を含み、
   前記裁断工程では、前記支持基板の前記一方の主面における前記封止部材が貼合されていない領域と前記封止部材とを、前記領域及び前記封止部材と当接する支持体によって支持した状態で、前記支持基板の他方の主面側から裁断刃を進入させる、有機デバイスの製造方法。
2. 前記支持体は、前記有機デバイス部及び前記封止部材を収容可能であり且つ前記一方向に延在する空間を有しており、
   前記裁断工程では、前記有機デバイス部及び前記封止部材を前記空間に位置させると共に、前記空間を画成する一方の面に前記封止部材を当接させた状態で、前記他方の主面側から前記裁断刃を進入させる、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
3. 前記支持体には、前記一方の主面の前記領域を支持する位置に前記裁断刃が進入可能な溝が設けられている、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。

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