JP6276681B2 - Sample fixing device and sample analyzer - Google Patents

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Description

この発明は、微小試料を固定する試料固定装置および試料分析装置に関する。   The present invention relates to a sample fixing device and a sample analysis device for fixing a minute sample.

試料固定装置は、半導体素材や、バイオのナノ材料等の微小試料を電子顕微鏡等により分析する際の試料固定用として用いられる。微小試料は、試料固定装置の試料固定部に固定されて分析装置に取り付けられる。
微小試料に電圧を印加した状態で、微小試料の特性や、動作の変化を分析する分析装置が検討されている。このような分析装置に取り付けられる試料固定装置の一例として、微小試料に電気的に接続される第１の配線構造を設けたメッシュと、第１の配線構造に接続される第２の配線構造を有し、メッシュを保持する試料ホルダとを備える構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。 The sample fixing device is used for fixing a sample when analyzing a micro sample such as a semiconductor material or a bio nano material with an electron microscope or the like. The micro sample is fixed to the sample fixing portion of the sample fixing device and attached to the analyzer.
Analyzing apparatuses that analyze changes in characteristics and operations of a micro sample while a voltage is applied to the micro sample are being studied. As an example of a sample fixing device attached to such an analyzer, a mesh provided with a first wiring structure electrically connected to a micro sample and a second wiring structure connected to the first wiring structure are provided. A structure including a sample holder that holds and holds a mesh is known (for example, see Patent Document 1).

特開２００７−３０３９４６号公報JP 2007-303946 A

上記特許文献１に記載された試料固定装置では、微小試料をメッシュに固定し、メッシュに形成された第１の配線部が試料ホルダに形成された第２の配線部に接続されるようにメッシュを試料ホルダに取り付ける必要がある。このため、分析開始前の、微小試料の取り付けに時間を要する。   In the sample fixing device described in Patent Document 1, the mesh is fixed so that the minute sample is fixed to the mesh, and the first wiring portion formed on the mesh is connected to the second wiring portion formed on the sample holder. Must be attached to the sample holder. For this reason, it takes time to attach the micro sample before starting the analysis.

この発明の第１の態様によると、試料固定装置は、試料固定部および基体部を有し、少なくとも基体部が半導体材料により形成された微小試料台と、微小試料台の少なくとも一つの面に設けられた絶縁膜と、基体部上に絶縁膜を介して設けられ、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッド、外部電圧印加用パッドよりも幅狭に形成され、試料固定部上に絶縁膜を介して設けられた試料搭載パッド、および絶縁膜上に設けられ、試料搭載パッドと外部電圧印加用パッドとを接続する引き回し部を有する配線構造部と、を備え、絶縁膜は、開口部を有し、配線構造部は、絶縁膜の開口部を介して微小試料台に接合されている。
この発明の第２の態様によると、試料固定装置は、試料固定部および基体部を有し、少なくとも基体部が半導体材料により形成された微小試料台と、微小試料台の少なくとも一つの面に設けられた絶縁膜と、基体部上に絶縁膜を介して設けられ、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッド、外部電圧印加用パッドよりも幅狭に形成され、試料固定部上に絶縁膜を介して設けられた試料搭載パッド、および絶縁膜上に設けられ、試料搭載パッドと外部電圧印加用パッドとを接続する引き回し部を有する配線構造部と、を備え、外部電圧印加用パッドは、引き回し部に接続された外部端子用パッドと、外部端子用パッドに接続され、外部端子用パッドよりも面積が大きい外部端子接続部とを有する。
この発明の第３の態様によると、試料固定装置は、試料固定部が形成された試料取付部、および基体部を有し、試料取付部および基体部が半導体材料により一体化された平板状の微小試料台と、試料取付部および基体部の少なくとも一つの面に設けられた絶縁膜と、基体部上に絶縁膜を介して設けられ、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッド、外部電圧印加用パッドよりも幅狭に形成され、試料固定部に絶縁膜を介して設けられた試料搭載パッド、および絶縁膜上に設けられ、試料搭載パッドと外部電圧印加用パッドとを接続する引き回し部を有する配線構造部と、を備え、試料固定部が、試料取付部の基体部側と反対側に突出して形成され、試料固定部の厚さは、基体部の厚さと同一かまたは基体部の厚さより薄く形成され、試料搭載パッドは、試料固定部の一つの面および板厚方向に延在する先端部上面に設けられている。 According to the first aspect of the present invention, a sample fixing device includes a sample fixing portion and a base portion, and is provided on at least one surface of the micro sample stand having at least the base portion formed of a semiconductor material. And an external voltage application pad that is provided on the base portion through the insulation film and is in contact with the external terminal member. The external voltage application pad is formed narrower than the external voltage application pad, and is insulated on the sample fixing portion. A sample mounting pad provided through the film, and a wiring structure portion provided on the insulating film and having a routing portion for connecting the sample mounting pad and the external voltage application pad , the insulating film having an opening The wiring structure part is bonded to the micro sample stage through the opening of the insulating film.
According to the second aspect of the present invention, the sample fixing device has a sample fixing portion and a base portion, and is provided on at least one surface of the micro sample stand having at least the base portion formed of a semiconductor material. And an external voltage application pad that is provided on the base portion through the insulation film and is in contact with the external terminal member. The external voltage application pad is formed narrower than the external voltage application pad, and is insulated on the sample fixing portion. A sample mounting pad provided through the film, and a wiring structure portion provided on the insulating film and having a routing portion for connecting the sample mounting pad and the external voltage applying pad, and the external voltage applying pad is The external terminal pad connected to the routing portion and the external terminal connection portion connected to the external terminal pad and having a larger area than the external terminal pad.
According to the third aspect of the present invention, the sample fixing device has a sample mounting portion on which a sample fixing portion is formed, and a base portion, and a flat plate shape in which the sample mounting portion and the base portion are integrated with a semiconductor material. A micro sample table, an insulating film provided on at least one surface of the sample mounting part and the base part, an external voltage application pad provided on the base part via the insulating film and in contact with the external terminal member; A sample mounting pad that is formed narrower than the voltage application pad and is provided on the sample fixing part via an insulating film, and a wiring that is provided on the insulating film and connects the sample mounting pad and the external voltage application pad. A sample fixing portion that protrudes to the opposite side of the base portion side of the sample mounting portion, and the thickness of the sample fixing portion is the same as the thickness of the base portion or the base portion. It is formed thinner than the thickness of Mounting pads are provided on the front end portion upper surface extending in one plane and the thickness direction of the sample fixing part.

本発明の試料固定装置によれば、微小試料を試料固定装置に固定して分析を開始するまでの時間を短縮することができる。   According to the sample fixing device of the present invention, it is possible to shorten the time until the analysis is started after the micro sample is fixed to the sample fixing device.

本発明の試料固定装置の実施形態１を示す平面図。The top view which shows Embodiment 1 of the sample fixing device of this invention. 図１に図示された試料固定装置のＩＩ−ＩＩ線断面図。The II-II sectional view taken on the line of the sample fixing device illustrated in FIG. 図１に図示された試料固定装置に配線構造部を形成する前の微小試料台を示す平面図。The top view which shows the micro sample stand before forming a wiring structure part in the sample fixing device illustrated in FIG. 図１に図示された試料固定装置と外部電源との電気的接続を図る方法を説明するための平面図。The top view for demonstrating the method of aiming at the electrical connection of the sample fixing device shown in FIG. 1 and an external power supply. 本発明の試料固定装置の実施形態２を示す平面図。The top view which shows Embodiment 2 of the sample fixing device of this invention. 図５に図示された試料固定装置の製造方法を説明するための平面図。The top view for demonstrating the manufacturing method of the sample fixing device shown in figure by FIG. 図５に図示された試料固定装置と外部電源との電気的接続を図る方法を説明するための平面図。FIG. 6 is a plan view for explaining a method of establishing electrical connection between the sample fixing device illustrated in FIG. 5 and an external power source. 微小試料の分析方法を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the analysis method of a micro sample. 本発明の実施形態３に係り、試料固定装置に固定された微小試料に外部から電圧を印加する状態を示す平面図。The top view which shows the state which concerns on Embodiment 3 of this invention, and applies a voltage from the exterior to the micro sample fixed to the sample fixing device. 図９に図示された試料固定装置のＸ−Ｘ線断面おける電流の流れを示す模式図。The schematic diagram which shows the flow of the electric current in the XX cross section of the sample fixing device illustrated in FIG.

−実施形態１−
以下、この発明の試料固定装置の実施形態１を、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の試料固定装置の実施形態１を示す平面図であり、図２は、図１に図示された試料固定装置のＩＩ−ＩＩ線断面図であり、図３は、図１に図示された試料固定装置に配線構造部を形成する前の微小試料台を示す平面図である。
試料固定装置１００は、シリコン等の半導体材料により形成された微小試料台１０と、微小試料台１０の表面に形成される絶縁膜２０（図２）と、絶縁膜２０上に形成された複数の配線構造部３０とにより構成されている。 Embodiment 1
Hereinafter, Embodiment 1 of the sample fixing device of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a plan view showing Embodiment 1 of the sample fixing device of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the sample fixing device shown in FIG. 1, and FIG. It is a top view which shows the micro sample stand before forming a wiring structure part in the sample fixing device illustrated in FIG.
The sample fixing device 100 includes a micro sample table 10 formed of a semiconductor material such as silicon, an insulating film 20 (FIG. 2) formed on the surface of the micro sample table 10, and a plurality of samples formed on the insulating film 20. The wiring structure part 30 is comprised.

微小試料台１０は、半導体基板を、エッチング等の加工により形成される平板状部材であり、図３に図示されるように、概略、半径Ｒが１〜２ｍｍ程度またはそれ以下の円弧状の外周部を有する基体部１１と、基体部１１の上部側に、基体部１１と一体化して形成された試料取付部１２とを有する。
なお、以下では、左右方向および上下方向を、それぞれ、図示の方向として説明する。
微小試料台１０の試料取付部１２の左右には、試料取付部１２の上方に突出されたガード部１３が形成されている。ガード部１３は、基体部１１および試料取付部１２と一体化して形成されている。ガード部１３は、微小試料台１０に微小試料７１（図４等参照）を固定したり、固定された微小試料７１を分析したりする作業において、微小試料７１に分析装置等が衝突するのを防止するためのものである。また、試料固定装置１００が落下した場合に微小試料７１をガードする。
微小試料台１０は、中心線ＣＬに対して、線対称な形状を有しており、左右のガード部１３は、同一の形状に形成されている。 The micro sample stage 10 is a flat plate member formed by etching or the like on a semiconductor substrate. As shown in FIG. 3, the micro sample stage 10 is roughly an arc-shaped outer periphery having a radius R of about 1 to 2 mm or less. And a sample mounting part 12 formed integrally with the base part 11 on the upper side of the base part 11.
In the following description, the left-right direction and the up-down direction will be described as directions shown in the drawings.
Guard parts 13 protruding above the sample mounting part 12 are formed on the left and right sides of the sample mounting part 12 of the micro sample table 10. The guard part 13 is formed integrally with the base part 11 and the sample mounting part 12. The guard unit 13 prevents the analysis device or the like from colliding with the micro sample 71 in the operation of fixing the micro sample 71 (see FIG. 4 or the like) to the micro sample stage 10 or analyzing the fixed micro sample 71. It is for preventing. Further, when the sample fixing device 100 falls, the micro sample 71 is guarded.
The micro sample stage 10 has a line-symmetric shape with respect to the center line CL, and the left and right guard portions 13 are formed in the same shape.

試料取付部１２の上部には、複数の試料固定部１２ａ〜１２ｅが形成されている。試料固定部１２ａ〜１２ｅは、それぞれ、幅（左右方向の長さ）が異なる大きさに形成されている。このため、微小試料７１のサイズに応じて、固定する試料固定部１２ａ〜１２ｅを選択することが可能となっている。
図３を参照すると、各試料固定部１２ａ〜１２ｅは、下部固定部ｆ１上に、下部固定部ｆ１より幅（左右方向の長さ）が狭い上部固定部ｆ２が形成された構造を有する。各試料固定部１２ａ〜１２ｅは、基体部１１と同じ厚さであってもよいが、下部固定部ｆ１を基体部１１より薄くし、上部固定部ｆ２を下部固定部ｆ１より薄くしてもよい。微小試料７１を上部固定部ｆ２上に固定し、微小試料７１にＦＩＢ（Focused Ion Beam）を照射して、分析可能な薄片となるように加工することがある。このとき、ＦＩＢは試料に対して斜め上方から照射されるため、下部固定部ｆ１が上部固定部ｆ２より厚くても、ＦＩＢは下部固定部ｆ１に照射されない。このような効果を得るために、下部固定部ｆ１の厚さを、数百μｍ以下、特に、百μｍ程度以下の厚さとすることが好ましい。 A plurality of sample fixing portions 12 a to 12 e are formed on the upper portion of the sample mounting portion 12. The sample fixing portions 12a to 12e are formed in sizes having different widths (lengths in the left-right direction). For this reason, according to the size of the micro sample 71, it is possible to select the sample fixing portions 12a to 12e to be fixed.
Referring to FIG. 3, each of the sample fixing portions 12a to 12e has a structure in which an upper fixing portion f2 having a smaller width (length in the left-right direction) than the lower fixing portion f1 is formed on the lower fixing portion f1. Each sample fixing portion 12a to 12e may have the same thickness as the base portion 11, but the lower fixing portion f1 may be thinner than the base portion 11, and the upper fixing portion f2 may be thinner than the lower fixing portion f1. . In some cases, the micro sample 71 is fixed on the upper fixing part f2, and the micro sample 71 is irradiated with FIB (Focused Ion Beam) to be processed into a thin piece that can be analyzed. At this time, since the FIB is irradiated obliquely from above the sample, even if the lower fixing portion f1 is thicker than the upper fixing portion f2, the FIB is not irradiated to the lower fixing portion f1. In order to obtain such an effect, it is preferable that the thickness of the lower fixing portion f1 is set to several hundred μm or less, particularly about 100 μm or less.

微小試料台１０の表面は、酸化膜等により形成された絶縁膜２０により覆われている。微小試料台１０は、シリコン等の半導体基板により形成されているので、微小試料台１０の加工中および加工後に、微小試料台１０の全面に自然酸化膜が形成される。絶縁膜２０は、このように微小試料台１０の表面に形成される自然酸化膜により構成される。自然酸化膜上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機ケイ化膜を形成して絶縁膜２０としてもよい。   The surface of the micro sample table 10 is covered with an insulating film 20 formed of an oxide film or the like. Since the micro sample table 10 is formed of a semiconductor substrate such as silicon, a natural oxide film is formed on the entire surface of the micro sample table 10 during and after the processing of the micro sample table 10. The insulating film 20 is composed of a natural oxide film formed on the surface of the micro sample table 10 in this way. An insulating film 20 may be formed by forming an inorganic silicide film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film on the natural oxide film.

微小試料台１０の一方の表面１０ａ（図２参照）を覆って形成された絶縁膜２０上に、金や銅により形成された複数の配線構造部３０が形成されている。各配線構造部３０は、微小試料７１に接続される試料搭載パッド３１と、外部の電圧が印加される外部端子用パッド（外部電圧印加用パッド）３２と、試料搭載パッド３１と外部端子用パッド３２とを接続する引き回し部３３とを有している。
配線構造部３０の幅（左右方向の長さ）は、引き回し部３３＜試料搭載パッド３１＜外部端子用パッド３２となっている。但し、試料固定部１２ａ〜１２ｅのうち、最も幅狭の試料固定部１２ｃに形成される配線構造部３０は、引き回し部３３と試料搭載パッド３１の幅が同一とされている。 On the insulating film 20 formed so as to cover one surface 10a (see FIG. 2) of the micro sample table 10, a plurality of wiring structures 30 made of gold or copper are formed. Each wiring structure section 30 includes a sample mounting pad 31 connected to the micro sample 71, an external terminal pad (external voltage application pad) 32 to which an external voltage is applied, a sample mounting pad 31 and an external terminal pad. And a lead-out portion 33 for connecting to the main body 32.
The width (length in the left-right direction) of the wiring structure portion 30 is the routing portion 33 <the sample mounting pad 31 <the external terminal pad 32. However, the wiring structure part 30 formed in the narrowest sample fixing part 12c among the sample fixing parts 12a to 12e has the same width of the routing part 33 and the sample mounting pad 31.

配線構造部３０は、例えば、微小試料台１０の一方の表面１０ａを覆う絶縁膜２０上の全面に、スパッタ、蒸着、もしくは無電解めっきおよび電解めっき等により金属膜を成膜し、マスクを用いてエッチングによりパターン形成する、所謂、フォトエッチングにより形成することができる。
なお、試料搭載パッド３１は、試料固定部１２ａ〜１２ｅの上面（左右方向および上下方向に直交する面）にも形成されている。 For example, the wiring structure unit 30 forms a metal film on the entire surface of the insulating film 20 covering one surface 10a of the micro sample table 10 by sputtering, vapor deposition, electroless plating, electrolytic plating, or the like, and uses a mask. The pattern can be formed by etching, so-called photoetching.
The sample mounting pad 31 is also formed on the upper surfaces (surfaces orthogonal to the left-right direction and the up-down direction) of the sample fixing portions 12a to 12e.

図４は、図１に図示された試料固定装置と外部電源との電気的接続を図る方法を説明するための平面図である。
試料搭載パッド３１に微小試料７１が固定された配線構造部３０の外部端子用パッド３２に、マイクロプローブ（外部端子部材）７３の先端を接触する。図示はしないが、マイクロプローブ７３には、外部電源が接続されており、配線構造部３０を介して微小試料７１に電圧が印加される。図示はしないが、微小試料台１０を接地しておくことにより、微小試料に電流を流すようにすることもできる。 FIG. 4 is a plan view for explaining a method of establishing electrical connection between the sample fixing device shown in FIG. 1 and an external power source.
The tip of a microprobe (external terminal member) 73 is brought into contact with the external terminal pad 32 of the wiring structure 30 in which the micro sample 71 is fixed to the sample mounting pad 31. Although not shown, an external power source is connected to the microprobe 73, and a voltage is applied to the micro sample 71 via the wiring structure unit 30. Although not shown, it is also possible to cause a current to flow through the micro sample by grounding the micro sample stage 10.

このように、微小試料７１に外部から電圧を印加された状態で、微小試料７１の特性や、動作の変化を不図示の分析装置により分析する。
例えば、半導体材料や、半導体材料にイオン等を打ち込んで形成した微小試料７１を電子顕微鏡等の検出装置により観察して、無印加状態と印加状態との特性の変化や、動作の変化を対比することができる。あるいは、微小試料にイオンビームを照射し、微小試料から放出される二次イオンを不図示の二次イオン検出器により検出して、その物性等を分析することができる。 As described above, in a state in which a voltage is applied to the micro sample 71 from the outside, the characteristics and operation changes of the micro sample 71 are analyzed by an analysis device (not shown).
For example, a semiconductor material or a micro sample 71 formed by implanting ions or the like into the semiconductor material is observed with a detection device such as an electron microscope, and the change in characteristics between the non-application state and the application state and the change in operation are compared. be able to. Alternatively, it is possible to irradiate a micro sample with an ion beam, detect secondary ions emitted from the micro sample with a secondary ion detector (not shown), and analyze the physical properties thereof.

図８は、実施形態１の試料固定装置１００に固定された微小試料７１を分析する方法を説明するための模式図である。
試料固定部１２ａ、１２ｅに固定された微小試料７１に外部より電圧が印加される。この状態で、微小試料７１にＦＩＢを照射する。これにより、微小試料７１から、二次イオンが放出される。放出された二次イオンを、二次イオン検出器７５により検出することができる。 FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a method of analyzing the micro sample 71 fixed to the sample fixing device 100 of the first embodiment.
A voltage is applied from the outside to the micro sample 71 fixed to the sample fixing portions 12a and 12e. In this state, the fine sample 71 is irradiated with FIB. Thereby, secondary ions are released from the micro sample 71. The released secondary ions can be detected by the secondary ion detector 75.

微小試料として、バイオ材料を用いることも可能である。細胞などのバイオ材料を顕微鏡で観察しながら、マイクロプローブ７３からバイオ材料に電気信号を印加する、いわゆる、電気ショックを与えることもできる。   It is also possible to use a biomaterial as a minute sample. While observing biomaterials such as cells with a microscope, a so-called electric shock can be applied by applying an electrical signal from the microprobe 73 to the biomaterial.

上記実施形態１によれば、下記の効果を奏する。
（１）試料固定装置１００は、微小試料台１０に、試料固定部１２ａ〜１２ｅと、試料搭載パッド３１および外部端子用パッド３２を有する配線構造部３０とを備えている。この試料固定装置１００は、配線構造部３０の外部端子用パッド３２に、直接、外部電源に接続されたマイクロプローブ７３を接続するだけで微小試料７１に外部から電圧を印加することができる。そして、この状態で微小試料７１の特性や、動作の変化を分析することが可能である。このため、微小試料７１を試料固定装置１００に固定して分析を開始するまでの時間を短縮することができる。 According to the said Embodiment 1, there exist the following effects.
(1) The sample fixing device 100 includes a sample fixing unit 12a to 12e and a wiring structure unit 30 having a sample mounting pad 31 and an external terminal pad 32 on a micro sample table 10. The sample fixing device 100 can apply a voltage to the micro sample 71 from the outside simply by connecting the micro probe 73 connected to the external power source directly to the external terminal pad 32 of the wiring structure 30. In this state, it is possible to analyze the characteristics of the micro sample 71 and changes in operation. For this reason, it is possible to shorten the time until the analysis is started after the micro sample 71 is fixed to the sample fixing device 100.

（２）微小試料台１０を、半導体基板により形成するようにした。半導体基板は、エッチング等により、高精度で能率的に加工することが可能であるため、試料固定装置１００の生産効率を高めることができる。 (2) The micro sample table 10 is formed of a semiconductor substrate. Since the semiconductor substrate can be efficiently processed with high accuracy by etching or the like, the production efficiency of the sample fixing device 100 can be increased.

（３）微小試料台１０と配線構造部３０とを絶縁する絶縁膜２０を、微小試料台１０の加工工程中および加工後に、微小試料台１０に形成される酸化膜を用いて形成した。このため、絶縁膜２０の形成が能率的となり、このことによっても、試料固定装置１００の生産性を高めることができる。 (3) The insulating film 20 that insulates the micro sample table 10 and the wiring structure 30 was formed using an oxide film formed on the micro sample table 10 during and after the processing of the micro sample table 10. For this reason, the formation of the insulating film 20 becomes efficient, and the productivity of the sample fixing device 100 can also be improved by this.

（４）上記実施形態１に示す試料固定装置１００は、配線構造部３０を有していない従来の試料固定装置に対して、配線構造部３０を追加するだけで形成することができる。つまり、微小試料７１に電圧を印加しないで分析する従来の試料固定装置とサイズの共用化を図ることができる。
従って、本実施形態の試料固定装置１００を用いて、外部から微小試料７１に電圧を印加して行う分析と、従来の試料固定装置を用いて、微小試料７１に電圧を印加せずに行う分析とを、同一の分析装置を用いて行うことができる。これにより、作製する微小試料７１の共通化を図ることができ、微小試料の作製の効率化を図ることができる。また、従来の微小試料の分析データを参照することも可能である。さらに、分析装置を改良することなく、そのまま、使用することが可能となるので、設備投資の面でも有利である。 (4) The sample fixing device 100 shown in the first embodiment can be formed only by adding the wiring structure portion 30 to the conventional sample fixing device that does not have the wiring structure portion 30. That is, the size can be shared with the conventional sample fixing device that analyzes without applying voltage to the micro sample 71.
Therefore, an analysis performed by applying a voltage to the micro sample 71 from the outside using the sample fixing device 100 of the present embodiment and an analysis performed without applying a voltage to the micro sample 71 using a conventional sample fixing device. Can be performed using the same analyzer. Thereby, it is possible to share the micro sample 71 to be manufactured, and to improve the efficiency of manufacturing the micro sample. It is also possible to refer to analysis data of a conventional minute sample. Furthermore, since it can be used as it is without improving the analyzer, it is advantageous in terms of capital investment.

−実施形態２−
図５は、本発明の試料固定装置の実施形態２を示す平面図である。
図５に図示された実施形態２の試料固定装置１００Ａが、実施形態１の試料固定装置１００と相違する点は、一部の配線構造部３０に、外部端子接続部３４が追加された構成とされている点である。
なお、以下では、実施形態２における実施形態１と相違する構成を主として説明し、実施形態１と同一部材は、同一の参照符号を付し、適宜、説明を省略する。
試料固定装置１００Ａでは、図５に図示されるように、中央部には、実施形態１と同様に３つの配線構造部３０が配置されている。しかし、左右方向の両端には、配線構造部３０に接続部３５を介して外部端子接続部３４が接続された配線構造部３０Ａがけいせいされている。つまり、各配線構造部３０Ａは、試料搭載パッド３１と、外部端子用パッド３２と、引き回し部３３と、接続部３５を介して外部端子用パッド３２に接続された外部端子接続部３４とを有している。外部端子接続部３４は、幅（左右方向の長さ）および面積が、それぞれ、外部端子用パッド３２の幅および面積より大きく形成されている。 Embodiment 2
FIG. 5 is a plan view showing Embodiment 2 of the sample fixing device of the present invention.
The sample fixing device 100A according to the second embodiment illustrated in FIG. 5 is different from the sample fixing device 100 according to the first embodiment in that the external terminal connecting portion 34 is added to a part of the wiring structure portion 30. It is a point that has been.
In the following, the configuration of the second embodiment that is different from that of the first embodiment will be mainly described. The same members as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
In the sample fixing device 100A, as shown in FIG. 5, three wiring structures 30 are arranged at the center as in the first embodiment. However, the wiring structure portion 30A in which the external terminal connection portion 34 is connected to the wiring structure portion 30 via the connection portion 35 is provided at both ends in the left-right direction. That is, each wiring structure portion 30A includes the sample mounting pad 31, the external terminal pad 32, the routing portion 33, and the external terminal connection portion 34 connected to the external terminal pad 32 via the connection portion 35. doing. The external terminal connection portion 34 is formed such that the width (length in the left-right direction) and the area are larger than the width and area of the external terminal pad 32, respectively.

図５に示された例では、試料固定部１２ａ、１２ｅに対して形成される配線構造部３０が、外部端子接続部３４が追加された配線構造部３０Ａとされた配線パターンを有している。この配線パターンは、すなわち、３つの配線構造部３０および２つの配線構造部３０Ａからなる配線パターンは、実施形態１で示した５つの配線構造部３０の形成と同様に、フォトリソグラフィ法等を用いて形成することができる。しかし、試料固定部１２ａ〜１２ｅに対応する配線構造部３０のうち任意の配線構造部３０を、選択的に配線構造部３０Ａに形成する方法もある。図６は、この製造方法を説明するための平面図である。   In the example shown in FIG. 5, the wiring structure portion 30 formed for the sample fixing portions 12a and 12e has a wiring pattern that is a wiring structure portion 30A to which an external terminal connection portion 34 is added. . This wiring pattern, that is, a wiring pattern composed of the three wiring structure portions 30 and the two wiring structure portions 30A, uses the photolithography method or the like as in the formation of the five wiring structure portions 30 shown in the first embodiment. Can be formed. However, there is also a method of selectively forming an arbitrary wiring structure portion 30 among the wiring structure portions 30 corresponding to the sample fixing portions 12a to 12e on the wiring structure portion 30A. FIG. 6 is a plan view for explaining this manufacturing method.

図６に図示されるように、フォトリソグラフィ法等により、試料固定部１２ａ〜１２ｅに対して形成される配線構造部３０のすべてが、微小試料台１０の左右に形成された外部端子接続部３４のどちらかに、接続部３５により接続された配線パターンを形成する。
そして、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）等を照射して、試料固定部１２ｂ〜１２ｄに対して形成された配線構造部３０に接続される接続部３５を切除する。これにより、試料固定部１２ａ、１２ｅに対して形成された配線構造部３０に、接続部３５を介して外部端子接続部３４が接続された配線構造部３０Ａを有する試料固定装置１００Ａが得られる。切除する接続部３５を選択することにより、任意の配線構造部３０のみを配線構造部３０Ａとすることができる。 As shown in FIG. 6, all of the wiring structure portions 30 formed on the sample fixing portions 12 a to 12 e by the photolithography method or the like are external terminal connection portions 34 formed on the left and right sides of the micro sample stage 10. The wiring pattern connected by the connection part 35 is formed in either of them.
Then, irradiation with FIB (Focused Ion Beam) or the like is performed to cut out the connection portion 35 connected to the wiring structure portion 30 formed for the sample fixing portions 12b to 12d. Thereby, the sample fixing device 100A having the wiring structure portion 30A in which the external terminal connection portion 34 is connected to the wiring structure portion 30 formed for the sample fixing portions 12a and 12e via the connection portion 35 is obtained. By selecting the connection portion 35 to be cut off, only an arbitrary wiring structure portion 30 can be used as the wiring structure portion 30A.

なお、試料固定装置１００Ａが収容された真空室に配線用の導電性材料を導入し、ＦＩＢを照射して、接続部３５を追加的に形成することもできる。
さらに、絶縁膜２０上に格子状に配線パターンを形成し、ＦＩＢの照射により配線パターンの不要な部分を切除して、配線構造部３０、３０Ａを形成することも可能である。この方法によれば、試料固定部１２ａ〜１２ｅに固定される微小試料７１の形状、寸法、素材に対して、適切な形状パターンの配線構造部３０、３０Ａを選択的に形成することができる。 It is also possible to introduce the conductive material for wiring into the vacuum chamber in which the sample fixing device 100A is accommodated and irradiate the FIB to additionally form the connection portion 35.
Furthermore, it is also possible to form a wiring pattern in a grid pattern on the insulating film 20 and cut off unnecessary portions of the wiring pattern by FIB irradiation to form the wiring structure portions 30 and 30A. According to this method, it is possible to selectively form the wiring structure portions 30 and 30A having an appropriate shape pattern with respect to the shape, size, and material of the micro sample 71 fixed to the sample fixing portions 12a to 12e.

図７は、図５に図示された試料固定装置と外部との電気的接続を図る方法を説明するための平面図である。
図７に図示されるように、微小試料台１０の左右方向に形成された外部端子接続部３４に外部端子（外部端子部材）７６を接続する。外部端子７６は、全体が金属などの導電性部材により形成されているか、または、外部端子接続部３４に対向する面が導電性を有するものであればよい。外部端子７６に不図示の外部電源を接続すれば、試料固定部１２ａ、１２ｅに固定される微小試料７１に電圧が印加される。
上記では、１つの外部端子７６により、左右の外部端子接続部３４を同時に接続する構造で例示したが、外部端子７６を２つ用いて、それぞれ、一つの外部端子接続部３４に接続するようにしてもよい。 FIG. 7 is a plan view for explaining a method of establishing electrical connection between the sample fixing device shown in FIG. 5 and the outside.
As shown in FIG. 7, an external terminal (external terminal member) 76 is connected to the external terminal connection portion 34 formed in the left-right direction of the micro sample table 10. The external terminal 76 may be formed as a whole by a conductive member such as metal, or the surface facing the external terminal connecting portion 34 may be conductive. When an external power source (not shown) is connected to the external terminal 76, a voltage is applied to the micro sample 71 fixed to the sample fixing portions 12a and 12e.
In the above description, the left and right external terminal connection portions 34 are simultaneously connected by one external terminal 76. However, two external terminals 76 are used to connect to one external terminal connection portion 34, respectively. May be.

実施形態２においても、実施形態１と同様な効果を奏する。
また、実施形態２では、外部端子７６が接続される外部端子接続部３４が、外部端子用パッド３２より大きい面積を有しており、また、外部端子７６も、マイクロプローブ７３の先端部の面積より大きい。このため、実施形態１の場合より、外部電源の接続が容易となり、接続作業をさらに能率化することができる。 In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment is obtained.
In the second embodiment, the external terminal connecting portion 34 to which the external terminal 76 is connected has a larger area than the external terminal pad 32, and the external terminal 76 is also the area of the tip portion of the microprobe 73. Greater than. For this reason, the connection of an external power supply becomes easier than in the case of the first embodiment, and the connection work can be made more efficient.

−実施形態３−
図９は、本発明の実施形態３に係り、試料固定装置に固定された微小試料に外部から電圧を印加する状態を示す平面図であり、図１０は、図９に図示された試料固定装置のＸ−Ｘ線断面おける電流の流れを示す模式図である。
図１０に図示されているように、実施形態３として示す試料固定装置１００Ｂでは、中央に一対の配線構造部３０Ｂが設けられ、その両側に配線構造部３０が設けられている。配線構造部３０は、実施形態１に示した構造を有する。なお、実施形態３の試料固定装置１００Ｂでは、試料固定部１２ａ〜１２ｄは、４つとされ、２つの配線構造部３０と２つの配線構造部３０Ｂとを有する構造として例示されている。 Embodiment 3
FIG. 9 is a plan view showing a state in which a voltage is externally applied to a micro sample fixed to the sample fixing device according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a sample fixing device illustrated in FIG. It is a schematic diagram which shows the flow of the electric current in the XX line cross section.
As shown in FIG. 10, in the sample fixing device 100B shown as the third embodiment, a pair of wiring structure portions 30B are provided in the center, and the wiring structure portions 30 are provided on both sides thereof. The wiring structure unit 30 has the structure shown in the first embodiment. In the sample fixing device 100B of the third embodiment, the sample fixing parts 12a to 12d are four, and are illustrated as a structure having two wiring structure parts 30 and two wiring structure parts 30B.

図１０に図示されるように、配線構造部３０Ｂの外部端子用パッド３２に対向する部分の絶縁膜２０には、微小試料台１０を露出する開口部２１が設けられている。開口部２１を覆って設けられた配線構造部３０Ｂは、この開口部２１から露出する微小試料台１０の表面に接合されている。すなわち、金属製部材である外部端子用パッド３２とシリコン等の半導体材料との接合により、ショットキーダイオードのように電位障壁を有するダイオードが形成される。
微小試料７１は、隣接する配線構造部３０Ｂの一方の試料搭載パッド３１から他方の試料搭載パッド３１に亘って差し渡して配置されており、微小試料７１の左右の端部側が、それぞれ、試料搭載パッド３１に固定されている。 As shown in FIG. 10, an opening 21 that exposes the micro sample table 10 is provided in a portion of the insulating film 20 facing the external terminal pad 32 of the wiring structure portion 30 </ b> B. The wiring structure portion 30 </ b> B provided so as to cover the opening 21 is bonded to the surface of the micro sample table 10 exposed from the opening 21. That is, a diode having a potential barrier such as a Schottky diode is formed by joining the external terminal pad 32 which is a metal member and a semiconductor material such as silicon.
The micro sample 71 is arranged so as to extend from one sample mounting pad 31 to the other sample mounting pad 31 of the adjacent wiring structure portion 30B, and the left and right end portions of the micro sample 71 are respectively arranged on the sample mounting pad 31. 31 is fixed.

この状態で、マイクロプローブ７３を、各配線構造部３０Ｂの外部端子用パッド３２に接触して、外部電圧を印加する。これにより、図１０に図示されるように、微小試料台１０の外部端子用パッド３２間に電流ｉが流れる。   In this state, the microprobe 73 is brought into contact with the external terminal pad 32 of each wiring structure portion 30B to apply an external voltage. As a result, as shown in FIG. 10, a current i flows between the external terminal pads 32 of the micro sample table 10.

ここで、不図示の光源により熱エネルギーを照射して試料固定装置１００Ｂを加熱し、試料固定装置１００Ｂに固定されている微小試料７１を加温する。   Here, the sample fixing device 100B is heated by irradiating thermal energy from a light source (not shown), and the micro sample 71 fixed to the sample fixing device 100B is heated.

シリコン等の半導体材料で形成された微小試料台１０には、上述したように、導体構造部３０Ｂとの接合面に電位障壁を有するダイオードが形成される。この種のダイオードには、温度と許容電流との間に相関があるため、外部端子用パッド３２間に流れる電流を検出することにより、微小試料台１０の温度、ひいては微小試料７１の温度を検出することができる。
従って、微小試料７１を分析することにより、微小試料７１の物性または動作の温度特性を分析することが可能となる。 As described above, a diode having a potential barrier at the junction surface with the conductor structure portion 30B is formed on the micro sample table 10 formed of a semiconductor material such as silicon. Since this type of diode has a correlation between the temperature and the allowable current, the temperature of the micro sample table 10 and thus the temperature of the micro sample 71 are detected by detecting the current flowing between the external terminal pads 32. can do.
Therefore, by analyzing the micro sample 71, it is possible to analyze the physical properties of the micro sample 71 or the temperature characteristics of the operation.

なお、上記実施形態３では、配線構造部３０Ｂと微小試料台１０とは、外部端子用パッド３２に対応する領域の絶縁膜２０に設けた開口部２１において接合される構造として例示した。しかし、配線構造部３０Ｂが、外部端子用パッド３２部以外の部分で微小試料台１０に接合される構造としてもよい。また、配線構造部Ｂを、実施形態２に示すように、外部端子用パッド３２に接続部３５を介して外部端子接続部３４が接続される構造としてもよい。   In the third embodiment, the wiring structure 30 </ b> B and the micro sample table 10 are exemplified as a structure joined at the opening 21 provided in the insulating film 20 in a region corresponding to the external terminal pad 32. However, the wiring structure portion 30B may be bonded to the micro sample table 10 at a portion other than the external terminal pad 32 portion. Further, as shown in the second embodiment, the wiring structure portion B may have a structure in which the external terminal connection portion 34 is connected to the external terminal pad 32 via the connection portion 35.

実施形態３においても、実施形態１と同様な効果を奏する。
さらに、実施形態３においては、試料固定装置１００Ｂ自体に温度センサの機能を持たることができ、微小試料７１の物性または動作の温度特性の分析を、安価にかつ効率的に行うことができるという効果を奏する。 In the third embodiment, the same effect as in the first embodiment is obtained.
Furthermore, in the third embodiment, the sample fixing device 100B itself can have the function of a temperature sensor, and the analysis of the physical properties or the temperature characteristics of the operation of the micro sample 71 can be performed inexpensively and efficiently. There is an effect.

なお、上記各実施形態において、絶縁膜２０を、半導体材料で形成された微小試料台１０の表面に形成される酸化膜により形成するとして例示した。しかし、絶縁膜２０を、ＣＶＤ法等により形成したシリコン窒化膜や、シリコン酸窒化膜等の無機絶縁材料により形成してもよい。絶縁膜２０は、微小試料台１０の表面に形成される自然酸化膜を剥離せずに、酸化膜上に積層して形成すると生産性を上げることができる。   In each of the above embodiments, the insulating film 20 is exemplified as being formed of an oxide film formed on the surface of the micro sample table 10 made of a semiconductor material. However, the insulating film 20 may be formed of an inorganic insulating material such as a silicon nitride film formed by a CVD method or the like, or a silicon oxynitride film. If the insulating film 20 is formed by stacking on the oxide film without peeling off the natural oxide film formed on the surface of the micro sample table 10, the productivity can be improved.

上記各実施形態では、微小試料台１０は、その全体が半導体基板により形成されている部材として例示した。しかし、基体部１１と試料取付部１２を半導体基板により形成し、試料取付部１２のみ表面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を形成し、母材である半導体基板を取り除いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機ケイ素膜により形成してもよい。このような構造の微小試料台は、特開２０１０−２７１１０１号公報に開示されている。   In each said embodiment, the micro sample stand 10 was illustrated as a member in which the whole was formed with the semiconductor substrate. However, the base portion 11 and the sample mounting portion 12 are formed of a semiconductor substrate, a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the surface of only the sample mounting portion 12, and the semiconductor substrate which is a base material is removed to obtain a silicon oxide film or silicon You may form by inorganic silicon films, such as a nitride film. A micro sample stage having such a structure is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-271101.

試料固定装置１００、１００Ａ、１００Ｂの配線構造部３０、３０Ａ、３０Ｂは、試料固定部１２ａ〜１２ｅのいずれか１つに対応する１つのみを形成してもよい。また、試料取付部１２に形成する試料固定部１２ａ〜１２ｅを、１つのみとすることもできる。また、試料固定部１２ａ〜１２ｅが、下部固定部ｆ１、上部固定部ｆ２の２段で構成されている構造に限らず、１段または３段以上の固定部を備えた構造としてもよい。   The wiring structure portions 30, 30A, 30B of the sample fixing devices 100, 100A, 100B may form only one corresponding to any one of the sample fixing portions 12a-12e. Moreover, the sample fixing | fixed part 12a-12e formed in the sample attaching part 12 can also be made into only one. Further, the sample fixing parts 12a to 12e are not limited to the structure having two stages of the lower fixing part f1 and the upper fixing part f2, but may be a structure having one stage or three or more stages of fixing parts.

微小試料７１を、試料固定部１２ａ〜１２ｅに上面に固定する方法で例示した。しかし、特開２０１０−２７１１０１号公報に開示されているように、微小試料７１を試料取付部１２の側面に固定してもよい。   The micro sample 71 was illustrated by the method of fixing to the upper surface to the sample fixing | fixed part 12a-12e. However, as disclosed in JP 2010-271101 A, the micro sample 71 may be fixed to the side surface of the sample mounting portion 12.

さらに、試料固定装置１００、１００Ａ，１００Ｂの形状は、矩形形状としたり、矩形以外の多角形形状としたり、任意な形状とすることができる。
その他、本発明は、種々、変形して適用することが可能であり、要は、少なくとも基体部が半導体材料により形成された微小試料台の一面に絶縁膜が形成され、絶縁膜上に、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッドと、試料搭載パッドと、試料搭載パッドと外部電圧印加用パッドを接続する引き回し部とを有する配線構造部が形成されていればよい。 Furthermore, the shape of the sample fixing device 100, 100A, 100B can be a rectangular shape, a polygonal shape other than a rectangular shape, or an arbitrary shape.
In addition, the present invention can be applied in various modifications. In short, an insulating film is formed on one surface of a micro sample table in which at least a base portion is formed of a semiconductor material, and an external film is formed on the insulating film. It is only necessary to form a wiring structure portion having an external voltage application pad with which the terminal member is contacted, a sample mounting pad, and a routing portion that connects the sample mounting pad and the external voltage application pad.

１０ 微小試料台
１１ 基体部
１２ 試料取付部
１３ ガード部
１２ａ〜１２ｅ 試料固定部
２０ 絶縁膜
２１ 開口部
３０、３０Ａ、３０Ｂ 配線構造部
３１ 試料搭載パッド
３２ 外部端子用パッド（外部電圧印加用パッド）
３３ 引き回し部
３４ 外部端子接続部（外部電圧印加用パッド）
３５ 接続部
７１ 微小試料
７３ マイクロプローブ（外部端子部材）
７５ 二次イオン検出器
７６ 外部端子（外部端子部材）
１００、１００Ａ、１００Ｂ 試料固定装置


DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Micro sample stand 11 Base | substrate part 12 Sample mounting part 13 Guard part 12a-12e Sample fixing part 20 Insulating film 21 Opening part 30, 30A, 30B Wiring structure part 31 Sample mounting pad 32 External terminal pad (pad for external voltage application)
33 Leading section 34 External terminal connection section (external voltage application pad)
35 Connecting portion 71 Micro sample 73 Micro probe (external terminal member)
75 Secondary ion detector 76 External terminal (external terminal member)
100, 100A, 100B Sample fixing device


Claims (6)

試料固定部および基体部を有し、少なくとも前記基体部が半導体材料により形成された微小試料台と、
前記微小試料台の少なくとも一つの面に設けられた絶縁膜と、
前記基体部上に前記絶縁膜を介して設けられ、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッド、前記外部電圧印加用パッドよりも幅狭に形成され、前記試料固定部上に前記絶縁膜を介して設けられた試料搭載パッド、および前記絶縁膜上に設けられ、前記試料搭載パッドと前記外部電圧印加用パッドとを接続する引き回し部を有する配線構造部と、を備え、
前記絶縁膜は、開口部を有し、
前記配線構造部は、前記絶縁膜の前記開口部を介して前記微小試料台に接合されている試料固定装置。 A micro sample stage having a sample fixing part and a base part, at least the base part being formed of a semiconductor material;
An insulating film provided on at least one surface of the micro sample table;
An external voltage application pad provided on the base portion via the insulating film and in contact with an external terminal member, formed to be narrower than the external voltage application pad, and the insulating film on the sample fixing portion A sample mounting pad provided via, and a wiring structure portion provided on the insulating film and having a routing portion that connects the sample mounting pad and the external voltage application pad ,
The insulating film has an opening;
The sample fixing device , wherein the wiring structure part is bonded to the micro sample stage through the opening of the insulating film . 試料固定部および基体部を有し、少なくとも前記基体部が半導体材料により形成された微小試料台と、
前記微小試料台の少なくとも一つの面に設けられた絶縁膜と、
前記基体部上に前記絶縁膜を介して設けられ、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッド、前記外部電圧印加用パッドよりも幅狭に形成され、前記試料固定部上に前記絶縁膜を介して設けられた試料搭載パッド、および前記絶縁膜上に設けられ、前記試料搭載パッドと前記外部電圧印加用パッドとを接続する引き回し部を有する配線構造部と、を備え、
前記外部電圧印加用パッドは、前記引き回し部に接続された外部端子用パッドと、前記外部端子用パッドに接続され、前記外部端子用パッドよりも面積が大きい外部端子接続部とを有する試料固定装置。 A micro sample stage having a sample fixing part and a base part, at least the base part being formed of a semiconductor material;
An insulating film provided on at least one surface of the micro sample table;
An external voltage application pad provided on the base portion via the insulating film and in contact with an external terminal member, formed to be narrower than the external voltage application pad, and the insulating film on the sample fixing portion A sample mounting pad provided via, and a wiring structure portion provided on the insulating film and having a routing portion that connects the sample mounting pad and the external voltage application pad,
The external voltage application pad includes an external terminal pad connected to the routing portion, and an external terminal connection portion connected to the external terminal pad and having a larger area than the external terminal pad. . 試料固定部が形成された試料取付部、および基体部を有し、前記試料取付部および前記基体部が半導体材料により一体化された平板状の微小試料台と、
前記試料取付部および前記基体部の少なくとも一つの面に設けられた絶縁膜と、
前記基体部上に前記絶縁膜を介して設けられ、外部端子部材が接触される外部電圧印加用パッド、前記外部電圧印加用パッドよりも幅狭に形成され、前記試料固定部に前記絶縁膜を介して設けられた試料搭載パッド、および前記絶縁膜上に設けられ、前記試料搭載パッドと前記外部電圧印加用パッドとを接続する引き回し部を有する配線構造部と、を備え、
前記試料固定部が、前記試料取付部の前記基体部側と反対側に突出して形成され、
前記試料固定部の厚さは、前記基体部の厚さと同一かまたは前記基体部の厚さより薄く形成され、
前記試料搭載パッドは、前記試料固定部の前記一つの面および板厚方向に延在する先端部上面に設けられている試料固定装置。 A flat sample holder having a sample mounting portion on which a sample fixing portion is formed, and a base portion , wherein the sample mounting portion and the base portion are integrated with a semiconductor material;
An insulating film provided on at least one surface of the sample mounting portion and the base portion ;
An external voltage application pad provided on the base portion via the insulating film and in contact with an external terminal member is formed narrower than the external voltage application pad, and the insulating film is formed on the sample fixing portion. A sample mounting pad provided via, and a wiring structure portion provided on the insulating film and having a routing portion that connects the sample mounting pad and the external voltage application pad ,
The sample fixing part is formed to protrude on the side opposite to the base part side of the sample mounting part,
The thickness of the sample fixing part is the same as the thickness of the base part or less than the thickness of the base part,
The sample mounting pad is a sample fixing device provided on the one surface of the sample fixing portion and an upper surface of a tip portion extending in a plate thickness direction . 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の試料固定装置において、
前記微小試料台に複数の前記配線構造部が設けられている試料固定装置。 In the sample fixing device according to any one of claims 1 to 3 ,
A sample fixing device in which a plurality of the wiring structure portions are provided on the micro sample table. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の試料固定装置と、
電源に接続され、前記配線構造部の前記外部電圧印加用パッドに接続されて前記配線構造部を介して、前記試料搭載パッドに電気的に接続された試料に電圧を印加する外部端子部材と、を備える試料分析装置。 The sample fixing device according to any one of claims 1 to 4,
An external terminal member that is connected to a power source , is connected to the external voltage application pad of the wiring structure portion, and applies a voltage to the sample electrically connected to the sample mounting pad via the wiring structure portion; A sample analyzer comprising: 請求項５に記載の試料分析装置において、さらに、
イオンビーム光学系と、
二次イオン検出器とを備え、
前記外部端子部材および前記配線構造部を介して前記試料搭載パッドに電気的に接続された試料に電圧が印加された状態で、前記イオンビーム光学系により試料にイオンビームを照射し、試料から放出される二次イオンを前記二次イオン検出器で検出する試料分析装置。
6. The sample analyzer according to claim 5, further comprising:
An ion beam optical system;
A secondary ion detector,
In a state where a voltage is applied to the sample electrically connected to the sample mounting pad via the external terminal member and the wiring structure part, the sample is irradiated with an ion beam by the ion beam optical system and emitted from the sample. Analyzer for detecting secondary ions to be detected by the secondary ion detector.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP7191443B2 (en) 2019-05-09 2022-12-19 ▲騰▼▲訊▼科技（深▲セン▼）有限公司 Target object attribute prediction method based on machine learning, related equipment and computer program

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6280495B2 (en) * 2014-11-26 2018-02-14 アオイ電子株式会社 Sample fixing device
JP6406710B2 (en) * 2015-08-25 2018-10-17 本田技研工業株式会社 Sample holder

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310069A (en) * 1993-04-21 1994-11-04 Hitachi Ltd Sample support device and method for electron microscope
JP4162058B2 (en) * 1996-06-21 2008-10-08 富士通株式会社 Semiconductor device support device, semiconductor device fixing method, and semiconductor device removal method from support device
JP3576677B2 (en) * 1996-01-19 2004-10-13 キヤノン株式会社 Electrostatic actuator, probe using the actuator, scanning probe microscope, processing device, recording / reproducing device
US7491934B2 (en) * 2006-01-13 2009-02-17 Ut-Battelle, Llc SEM technique for imaging and measuring electronic transport in nanocomposites based on electric field induced contrast
JP4923716B2 (en) * 2006-05-11 2012-04-25 株式会社日立製作所 Sample analysis apparatus and sample analysis method
DK2153461T3 (en) * 2007-05-09 2015-07-13 Protochips Inc Microscopy Support structures
JP2010044999A (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Hitachi High-Technologies Corp Sample holder and sample analyzer using the same
US8835847B2 (en) * 2011-04-28 2014-09-16 Hitachi High-Technologies Corporation Sample holding apparatus for electron microscope, and electron microscope apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7191443B2 (en) 2019-05-09 2022-12-19 ▲騰▼▲訊▼科技（深▲セン▼）有限公司 Target object attribute prediction method based on machine learning, related equipment and computer program

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