JP6274689B1 - Ri標識化合物製造装置及びri標識化合物製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、実施例等によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
10 ガス充填部
11 ガス密封部
12 放射線照射部
13 RI標識化合物合成部
14 不純物トラップ部
14b ガス冷却部
15 循環冷却部
16 ガス補充部
Claims (5)
- RI標識化合物を製造するRI標識化合物製造装置であって、
ネオンガスを核反応容器に充填するガス充填部と、
前記ネオンガスが充填された核反応容器を密封するガス密封部と、
前記ネオンガスが密封された核反応容器にガンマ線を所定時間照射させ、当該ネオンガスを核反応させる放射線照射部と、
前記核反応容器の開放後に、前記核反応後のネオンガスに含まれる 18 Fを 18 Fと置換可能なOH基を有する液体の化合物と反応させることで、 18 F標識化合物を合成するRI標識化合物合成部と、
前記反応後のネオンガスから不純物を除去し、当該除去後のネオンガスを前記核反応容器に戻す不純物トラップ部と、
を備えるRI標識化合物製造装置。 - 前記核反応容器内に充填されるネオンガスの圧力は、常圧よりも高い圧力である
請求項1に記載のRI標識化合物製造装置。 - 前記放射線照射部は、
所定のエネルギーを有する電子線を照射する、電子線型加速器である電子線照射部と、
前記核反応容器の近傍に設けられ、タングステンを含む標的で構成され、電子線が照射されるとガンマ線を放出するガンマ線放出部と、
を備える
請求項1又は2に記載のRI標識化合物製造装置。 - 前記不純物トラップ部は、
前記反応後のネオンガスを0度以下まで冷却するガス冷却部
を備える
請求項1〜3のいずれか一項に記載のRI標識化合物製造装置。 - RI標識化合物を製造するRI標識化合物製造方法であって、
ネオンガスを核反応容器に充填するガス充填ステップと、
前記ネオンガスが充填された核反応容器を密封するガス密封ステップと、
前記ネオンガスが密封された核反応容器にガンマ線を所定時間照射させ、当該ネオンガスを核反応させる放射線照射ステップと、
前記核反応容器の開放後に、前記核反応後のネオンガスに含まれる 18 Fを 18 Fと置換可能なOH基を有する液体の化合物と反応させることで、 18 F標識化合物を合成するRI標識化合物合成ステップと、
前記反応後のネオンガスから不純物を除去し、当該除去後のネオンガスを前記核反応容器に戻す不純物トラップステップと、
を備えるRI標識化合物製造方法。
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