JP6261929B2 - Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method - Google Patents
Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6261929B2 JP6261929B2 JP2013199490A JP2013199490A JP6261929B2 JP 6261929 B2 JP6261929 B2 JP 6261929B2 JP 2013199490 A JP2013199490 A JP 2013199490A JP 2013199490 A JP2013199490 A JP 2013199490A JP 6261929 B2 JP6261929 B2 JP 6261929B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- target
- manufacturing
- mask blank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 145
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 63
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 166
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 36
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 12
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical group [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 or NO Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a mask blank manufacturing method and a transfer mask manufacturing method.
マスクブランクは、透光性ガラス基板表面にスパッタリング法で成膜した無機薄膜等を
有している。無機薄膜の多くは化合物層であり、その化合物層の多くは反応性スパッタリ
ングによって成膜される。
The mask blank has an inorganic thin film formed on the surface of the light-transmitting glass substrate by a sputtering method. Most of the inorganic thin films are compound layers, and many of the compound layers are formed by reactive sputtering.
反応性スパッタリングは、希ガスに加えて酸素や窒素等の反応性ガスを添加したスパッ
タリングガスを用い、ターゲットから弾き出されて飛翔（飛来）した粒子と反応性ガスの
成分が結合することによって基板上に化合物からなる薄膜を形成する方法である。
スパッタリングガスの中に反応性ガスを加えるだけで化合物層を形成することができる
ので、マスクブランクの薄膜形成の方法として好ましく採用されている。
Reactive sputtering uses a sputtering gas to which a reactive gas such as oxygen or nitrogen is added in addition to a rare gas, and the particles ejected from the target and flying (bound) combine with the components of the reactive gas on the substrate. A method of forming a thin film comprising a compound.
Since a compound layer can be formed only by adding a reactive gas in a sputtering gas, it is preferably employed as a method for forming a thin film of a mask blank.
たとえば、特許文献１には、反応性スパッタリング法にて酸化金属シリサイド膜や窒化
金属シリサイド膜を成膜して製造したマスクブランクに関する技術が記載されている。
具体的には、金属とシリコンとを含むターゲットを用いて酸素や窒素を含む雰囲気中で
スパッタリングを行い、金属と、シリコンと、酸素及び／又は窒素とを含む光半透過膜を
透光性基板上に成膜する位相シフトマスクブランクの製造方法である。
For example,
Specifically, sputtering is performed in an atmosphere containing oxygen and nitrogen using a target containing metal and silicon, and a light semi-transmissive film containing metal, silicon, and oxygen and / or nitrogen is formed as a light-transmitting substrate. It is a manufacturing method of the phase shift mask blank formed into a film on top.
また、特許文献２には、反応性スパッタリングの実施に適したスパッタリング装置に関
する技術が記載されている。引用文献２に記載の技術は、スパッタリング装置の真空チャ
ンバー内の反応性ガス導入口にスパッタリング粒子の堆積膜ができないように防着板を備
えたスパッタリング装置に関する技術である。
反応性スパッタリングで薄膜を形成する技術は、一つ目として真空チャンバー内で発生
する異物による欠陥を低減することと、二つ目として真空チャンバー内におけるガス環境
を調整し、安定した品質の薄膜を形成することの、二つの課題を有している。
The technology to form a thin film by reactive sputtering is to reduce defects caused by foreign matter generated in the vacuum chamber as the first, and to adjust the gas environment in the vacuum chamber as the second, to produce a stable quality thin film. It has two problems of forming.
一つ目の課題に対し、特許文献１ではターゲット由来の異物を低減する技術が開示され
ており、一定の効果が得られている。スパッタリングターゲット由来の異物発生が低減さ
れることは好ましいが、それだけでは不充分である。
成膜基板上と同様にスパッタリング粒子は、真空チャンバーの内部の壁面や部品にも堆
積する。これら堆積した膜の剥離も、異物の発生の重大な要因である。
特許文献２に記載のスパッタリング装置は、反応性ガス導入口にスパッタリング粒子の
堆積膜ができないように防着板を備えたスパッタリング装置が記載されている。
ガス導入口付近は気体の流れがあるために堆積膜が剥離しやすい。このため、特許文献
２に記載の反応性スパッタリング装置のように、ガス導入口付近に防着板を設けることは
異物発生を抑制する有効な手段である。
しかし、特許文献２に記載の技術は、反応性ガス導入口付近のみ有効であり、真空チャ
ンバーの内壁等に付着した堆積膜の剥離を抑制できない。
真空チャンバーの内壁等に形成された堆積膜は、スパッタリングターゲットからの距離
やスパッタリング粒子の入射角によって付着強度が異なる。付着が弱いところは剥離しや
すく、異物の要因となる。このため、特許文献２のように特定の場所に防着板を設けても
、それ以外の領域から発生した異物を抑制することはできない。
With respect to the first problem,
As with the film formation substrate, the sputtered particles are also deposited on the inner wall surface and parts of the vacuum chamber. The peeling of these deposited films is also a significant factor in the generation of foreign matters.
The sputtering apparatus described in
Since there is a gas flow in the vicinity of the gas inlet, the deposited film is easily peeled off. For this reason, as in the reactive sputtering apparatus described in
However, the technique described in
The deposited film formed on the inner wall or the like of the vacuum chamber has different adhesion strength depending on the distance from the sputtering target and the incident angle of the sputtering particles. Where the adhesion is weak, it is easy to peel off and becomes a cause of foreign matter. For this reason, even if an adhesion prevention plate is provided at a specific location as in
二つ目の課題である真空チャンバー内のガス環境安定化に対し、特許文献２のに記載の
技術では排気手段につながる排気経路と防着板の形状を最適化することで対策している。
真空チャンバーの排気経路を見直すことで、排気効率の向上は見込まれる。しかしなが
ら、防着板などを配置すると排気手段までの排気経路が複雑化するため、排気効率の改善
には限界がある。排気効率が悪いと真空チャンバー内にあるガスの分布や分圧が安定する
まで時間がかかり、安定する前に成膜すると形成された薄膜の品質にばらつきが生じる。
To stabilize the gas environment in the vacuum chamber, which is the second problem, the technique described in
By reviewing the exhaust path of the vacuum chamber, the exhaust efficiency can be improved. However, if an adhesion preventing plate or the like is arranged, the exhaust path to the exhaust means becomes complicated, and there is a limit to improving exhaust efficiency. If the exhaust efficiency is poor, it takes time until the distribution and partial pressure of the gas in the vacuum chamber is stabilized, and if the film is formed before it is stabilized, the quality of the formed thin film varies.
そこで、本発明は、異物による異物欠陥が少なく、薄膜の品質安定性に優れたマスクブ
ランクを製造可能なマスクブランクの製造方法と反応性スパッタリング装置を提供するこ
とを、主たる目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a mask blank manufacturing method and a reactive sputtering apparatus that can manufacture a mask blank with few foreign substance defects due to foreign substances and excellent thin film quality stability.
上記課題を解決する主たる構成を以下に記載する。
（構成１）
ターゲットを配置する室であり希ガス導入口が設けられたターゲット室と、基板を配置
する室であり反応性ガス導入口と排気口が備えられた基板室と、二つの前記室を連結する
孔部を有する真空チャンバーを有する反応性スパッタリング装置を用いて、反応性スパッ
タリングで薄膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。
本製造方法は、ターゲットを設置する工程と、基板を設置する工程と、真空チャンバー
内のガスを排気する工程と、ターゲット室内に希ガスを導入する工程と、基板室内に反応
性ガスを導入する工程と、反応性スパッタリングで薄膜を形成する工程を、前記薄膜を形
成する工程に含んでいる。この反応性スパッタリングで薄膜を形成する工程には、ターゲ
ットに荷電粒子（イオン）を衝突させてスパッタリング粒子を基板に向けて飛翔させて基
板上に前記スパッタリング粒子を含む物質を堆積する工程を含んでいる。
そして、本製造方法は、前記スパッタリング粒子を堆積する工程において、前記基板上
に堆積するスパッタリング粒子は前記孔部を通過して飛翔してきた粒子であり、少なくと
も一部の前記飛翔してきた粒子は反応性ガスとの反応生成物として堆積することを特徴と
する。なお、前記孔部を通過して飛翔してきた粒子の多くは反応性ガスとの反応生成物と
して基板上に堆積するが、一部の粒子は基板室の内壁等へ付着する。
The main configuration for solving the above problems will be described below.
(Configuration 1)
A target chamber in which a target is disposed and provided with a rare gas inlet, a substrate chamber in which a substrate is disposed and which includes a reactive gas inlet and an exhaust port, and a hole connecting the two chambers It is a manufacturing method of a mask blank which has a process of forming a thin film by reactive sputtering using a reactive sputtering device which has a vacuum chamber which has a portion.
The manufacturing method includes a step of installing a target, a step of installing a substrate, a step of exhausting a gas in a vacuum chamber, a step of introducing a rare gas into the target chamber, and introducing a reactive gas into the substrate chamber. The process and the process of forming a thin film by reactive sputtering are included in the process of forming the thin film. The step of forming a thin film by reactive sputtering includes the step of depositing a substance containing the sputtered particles on the substrate by causing charged particles (ions) to collide with the target and causing the sputtered particles to fly toward the substrate. Yes.
Then, in the production method, in the step of depositing the sputtered particles, the sputtered particles deposited on the substrate are particles that have passed through the holes, and at least some of the particles that have flew have reacted. It deposits as a reaction product with a sex gas. Most of the particles flying through the hole are deposited on the substrate as a reaction product with the reactive gas, but some of the particles adhere to the inner wall of the substrate chamber.
本製造方法では、真空チャンバー内の二つの室のうち、基板が配置されている室に反応
性ガスを直接導入する。基板室内の反応性ガスの分圧は、真空チャンバーの全圧が均一に
なっても、高く保たれる。基板室内に入ったスパッタリング粒子と反応性ガスの反応は、
反応性ガスの分圧が高いので効率よく進行する。この結果、本製造方法によれば、高品質
なマスクブランクを製造することができる。
In this manufacturing method, the reactive gas is directly introduced into the chamber in which the substrate is disposed, out of the two chambers in the vacuum chamber. The partial pressure of the reactive gas in the substrate chamber is kept high even when the total pressure in the vacuum chamber becomes uniform. The reaction between the sputtered particles entering the substrate chamber and the reactive gas
Since the partial pressure of the reactive gas is high, it proceeds efficiently. As a result, according to this manufacturing method, a high-quality mask blank can be manufactured.
本製造方法では、真空チャンバーのターゲット室に希ガスを直接供給し、基板室に反応
性ガスを直接供給している。したがって、ターゲットの周囲は、反応性ガスの分圧が低く
保たれる。直接とは、他の室を介さないで（通さないで）の意味である。
ターゲット周辺における反応性ガスの分圧が低ければ、ターゲット表面が反応性ガスに
よって変質する現象が抑制される。したがって、本製造方法によれば、ターゲットの変質
から生じる異物による異物欠陥がきわめて少ない薄膜を有するマスクブランクを製造する
ことができる。
In this manufacturing method, the rare gas is directly supplied to the target chamber of the vacuum chamber, and the reactive gas is directly supplied to the substrate chamber. Therefore, the partial pressure of the reactive gas is kept low around the target. Direct means that it does not go through (does not pass through) other chambers.
If the partial pressure of the reactive gas around the target is low, the phenomenon that the target surface is altered by the reactive gas is suppressed. Therefore, according to the present manufacturing method, it is possible to manufacture a mask blank having a thin film with very few foreign matter defects due to foreign matter resulting from target alteration.
本構成の製造方法では、真空チャンバー内の排気を基板室に設けられた排気口で行って
いる。
この構成によると、反応性ガスの循環は基板室内で完結する。つまり、反応性ガスがタ
ーゲット室に流入しにくい状態を実現する。二つのガスの混合が効果的に抑制されるので
、形成される薄膜の組成安定性がより高くなる。また、反応性ガスがターゲット室に入り
にくいため、ターゲットの表面組成だけでなく、ターゲット室の壁面に堆積した堆積膜の
組成も変化しにくい。ターゲット室の壁面に形成された堆積膜の変質が抑制されることは
、堆積膜の剥離防止に効果的である。したがって、本構成の製造方法は、組成の安定性に
優れ、かつ、スパッタリング装置に由来する異物欠陥がより少ない薄膜を有するマスクブ
ランクを製造することができる。
In the manufacturing method of this configuration, the exhaust in the vacuum chamber is performed at the exhaust port provided in the substrate chamber.
According to this configuration, the circulation of the reactive gas is completed in the substrate chamber. That is, a state in which the reactive gas is difficult to flow into the target chamber is realized. Since the mixing of the two gases is effectively suppressed, the composition stability of the formed thin film becomes higher. In addition, since the reactive gas does not easily enter the target chamber, not only the surface composition of the target but also the composition of the deposited film deposited on the wall surface of the target chamber is unlikely to change. Suppressing the deterioration of the deposited film formed on the wall surface of the target chamber is effective in preventing the deposited film from peeling off. Therefore, the manufacturing method of this structure can manufacture the mask blank which has the thin film which is excellent in the stability of a composition, and has few foreign material defects originating in a sputtering device.
本構成の製造方法によれば、基板上に堆積するスパッタリング粒子は、前記孔部を通過
して飛翔してきた粒子である。
孔部は、孔部を通過できる方向と領域にあるスパッタリング粒子のみを選択するという
役割を有している。選択されたスパッタリング粒子は、基板上に最適な角度で入射して、
基板上の最適な領域に堆積する。結果、基板上には、均質な膜厚で高い密着（付着）力を
有する薄膜が形成される。
また、孔部がターゲット室の中で狭くなっている（ターゲット室が孔部に向かって狭く
なっている）ことで、基板室側に余分なスパッタリング粒子が入り込まず基板室内の汚染
が緩和される。このことから、基板周辺で異物が発生しにくい。さらに、ターゲット室の
壁面に堆積した膜が脱落しても、狭い孔部から基板室側に移動しにくいため、ターゲット
室で発生した異物による異物欠陥も抑えられる。
以上のように、本構成の製造方法によれば、高品質でかつ異物欠陥の少ない薄膜を有す
るマスクブランクを製造することができる。
According to the manufacturing method of this configuration, the sputtered particles deposited on the substrate are particles that have fly through the hole.
The hole has a role of selecting only the sputtered particles in the direction and region that can pass through the hole. The selected sputtered particles are incident on the substrate at an optimal angle,
Deposit in the optimum area on the substrate. As a result, a thin film having a uniform film thickness and a high adhesion (adhesion) force is formed on the substrate.
In addition, since the hole is narrower in the target chamber (the target chamber is narrower toward the hole), excess sputtering particles do not enter the substrate chamber and the contamination in the substrate chamber is reduced. . For this reason, it is difficult for foreign matter to be generated around the substrate. Further, even if the film deposited on the wall surface of the target chamber falls off, it is difficult for the film to move from the narrow hole portion to the substrate chamber side, so foreign matter defects due to foreign matter generated in the target chamber can be suppressed.
As described above, according to the manufacturing method of this configuration, it is possible to manufacture a mask blank having a thin film with high quality and few foreign matter defects.
（構成２）
本製造方法は、ターゲット表面に対して基板の被成膜面がある側を前方とした場合、希
ガスをターゲット表面よりも後方から供給すると好ましい。
なお、「後方」とは、ターゲットの裏側に位置する領域のみを意味しているわけでなく
、ターゲット表面の斜め後方も意味している。
反応性ガスの導入口をターゲットから遠ざけても、ガスの拡散によりターゲット周辺に
は多少の反応性ガスが集まる。このような状態になると、ターゲット表面に反応性ガスと
の反応生成物が形成されやすくなり、それに由来する異物の発生が懸念される。本構成の
ようにターゲット表面よりも後方から希ガスを供給すると、ターゲット近傍の希ガスの分
圧を高く維持することができる。また、ターゲット近傍から希ガスが流れ続けているので
反応性ガスがターゲットまで到達しにくくなる。これらの結果、ターゲットの変質による
異物の発生を抑制する効果が高くなる。
(Configuration 2)
In the present manufacturing method, it is preferable to supply a rare gas from the rear side of the target surface when the front side is the side where the film formation surface of the substrate is present.
Note that “rear” does not mean only the region located on the back side of the target, but also means an oblique rear side of the target surface.
Even if the reactive gas inlet is moved away from the target, some reactive gas collects around the target due to gas diffusion. In such a state, a reaction product with a reactive gas is likely to be formed on the target surface, and there is a concern about the generation of foreign substances derived therefrom. When the rare gas is supplied from behind the target surface as in this configuration, the partial pressure of the rare gas in the vicinity of the target can be maintained high. In addition, since the rare gas continues to flow from the vicinity of the target, it becomes difficult for the reactive gas to reach the target. As a result, the effect of suppressing the generation of foreign substances due to target alteration is enhanced.
また、本製造方法によると、使用するスパッタリング装置の希ガス導入口は、ターゲッ
トホルダーの後方に位置する構成となる。スパッタリング粒子は、ターゲット表面から放
射状に飛翔するが、ターゲットよりも後方にはほとんど飛翔しない。不可性ガスの導入口
をスパッタリング粒子が飛翔しにくい領域に配置することで、希ガス導入口にスパッタリ
ング粒子の堆積膜が形成されにくくなる。したがって、希ガスの流動による異物の吹き込
みが抑制される。
本構成の製造方法によれば、前述のような異物の発生が抑制されるので、異物欠陥がよ
り少ないマスクブランクを製造することができる。
Moreover, according to this manufacturing method, the noble gas inlet of the sputtering apparatus to be used becomes a structure located behind the target holder. The sputtered particles fly radially from the target surface, but hardly fly behind the target. By disposing the introduction port of the ineffective gas in a region where the sputtering particles are difficult to fly, a deposited film of the sputtering particles is hardly formed at the rare gas introduction port. Therefore, the blowing of foreign matter due to the flow of the rare gas is suppressed.
According to the manufacturing method of this configuration, since the generation of foreign matter as described above is suppressed, a mask blank with fewer foreign matter defects can be manufactured.
（構成３）
本製造方法は、被成膜面が上になるように基板を水平に設置し、前記基板と上下方向で
重ならない領域にターゲット表面が前記基板の被成膜面に向くようにターゲットを傾斜さ
せて設置すると好ましい。
上下方向で重なり合う位置に基板とターゲットが位置していると、ターゲット表面上か
ら発生した異物が基板表面に落下して定着しやすくなる。本構成によれば、ターゲット表
面で発生した異物が基板上に落下しないため、より異物欠陥の少ないマスクブランクを製
造することができる。
(Configuration 3)
In this manufacturing method, the substrate is placed horizontally so that the film formation surface faces up, and the target is inclined so that the target surface faces the film formation surface of the substrate in a region that does not overlap the substrate in the vertical direction. It is preferable to install them.
When the substrate and the target are located at positions that overlap in the vertical direction, foreign matter generated from the target surface falls on the substrate surface and is easily fixed. According to this configuration, since the foreign matter generated on the target surface does not fall on the substrate, a mask blank with fewer foreign matter defects can be manufactured.
（構成４）
構成３の製造方法は、真空チャンバー内の水平方向の位置関係において、基板を挟んで
ターゲットと対向する領域から反応性ガスを導入すると好ましい。
本構成では、反応性ガスはターゲット室から離れた位置から導入されることになるため
、反応性ガスがターゲット室側に流出しにくくなり、基板室内の反応性ガス分圧を高く保
つことができる。反応性ガスは、分圧が高く安定した状態でスパッタリング粒子と反応す
るため、安定した組成の薄膜を形成することができる。また、スパッタリング装置の反応
性ガス導入口は、スパッタリング粒子の飛翔領域と離れた領域に形成され、前記孔部によ
りスパッタリング粒子の飛翔が遮られる領域となため、反応性ガス導入口上にスパッタリ
ング粒子の堆積膜が形成されることが抑制される。本構成の製造方法によれば、反応性ガ
スを流通した時の異物の吹き込みが抑制される。
(Configuration 4)
In the manufacturing method of Configuration 3, it is preferable that the reactive gas is introduced from a region facing the target across the substrate in the horizontal positional relationship in the vacuum chamber.
In this configuration, since the reactive gas is introduced from a position away from the target chamber, the reactive gas hardly flows out to the target chamber side, and the reactive gas partial pressure in the substrate chamber can be kept high. . Since the reactive gas reacts with the sputtered particles in a stable state with a high partial pressure, a thin film having a stable composition can be formed. In addition, the reactive gas inlet of the sputtering apparatus is formed in a region away from the flying region of the sputtering particles, and becomes a region where the flying of the sputtering particles is blocked by the hole, so that the sputtered particles are placed on the reactive gas inlet. Formation of a deposited film is suppressed. According to the manufacturing method of this structure, the blowing of the foreign material when the reactive gas is circulated is suppressed.
（構成５）
本明細書に記載する他の構成は、転写用マスクの製造方法である。
本構成は、構成１〜構成４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法により得られ
るマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とす
る
(Configuration 5)
Another configuration described in this specification is a method for manufacturing a transfer mask.
This configuration is characterized in that a transfer pattern is formed by patterning the thin film of the mask blank obtained by the mask blank manufacturing method according to any one of
本発明の反応性スパッタリング装置を用いて薄膜を形成することにより、薄膜の組成の
基板（枚葉）ごとのばらつきや、異物の付着による異物欠陥が少ないマスクブランクを製
造することができる。
By forming a thin film using the reactive sputtering apparatus of the present invention, it is possible to produce a mask blank with few variations in the composition of the thin film for each substrate (sheets) and foreign matter defects due to foreign matter adhesion.
本発明の実施例を説明する前に特徴的な技術的形態を以下に記す。
（形態１）スパッタリング成膜中、マスクブランク基板は被成膜面を上にした状態で回転
している。
基板を回転させながらスパッタリング成膜を行うことで、形成する薄膜の組成や膜厚の
面内分布を抑制し、基板上に均質な薄膜を形成することができる。
Before describing the embodiments of the present invention, characteristic technical forms will be described below.
(Mode 1) During the sputtering film formation, the mask blank substrate is rotated with the film formation surface facing upward.
By performing sputtering film formation while rotating the substrate, the in-plane distribution of the composition and film thickness of the thin film to be formed can be suppressed, and a homogeneous thin film can be formed on the substrate.
（形態２）基板の被成膜面と二つの室を連結する孔部の開口面が形成する角度は、ターゲ
ット表面と基板の被成膜面が形成する角度より大きい。
基板ホルダーの基板保持面とターゲットホルダーのターゲット保持面と孔部の開口面の
角度バランスが前述のようなバランスであると、孔部は、通過するスパッタリング粒子の
量と角度を選別する。したがって、基板表面に堆積するスパッタリング粒子の状態が最適
化されるので、基板上に成膜される薄膜の品質が安定する。
また、上記のような角度バランスであると、ターゲット室の底部１３が基板表面に直接
向かない状態になるので、ターゲット室内で発生した異物が基板室に移動することが抑制
される。
(Mode 2) The angle formed by the opening surface of the hole connecting the film formation surface of the substrate and the two chambers is larger than the angle formed by the target surface and the film formation surface of the substrate.
When the angular balance between the substrate holding surface of the substrate holder, the target holding surface of the target holder, and the opening surface of the hole is the balance as described above, the hole selects the amount and angle of the sputtered particles that pass through. Therefore, since the state of the sputtered particles deposited on the substrate surface is optimized, the quality of the thin film formed on the substrate is stabilized.
In addition, when the angle balance is as described above, the bottom 13 of the target chamber is not directly directed to the substrate surface, so that foreign matter generated in the target chamber is suppressed from moving to the substrate chamber.
（形態３）ターゲット室は、ターゲットを囲む領域に形成されたシールドにより形成され
ており、基板室は基板の周囲を囲む領域に形成された着脱可能なシールドにより形成され
ている。
ターゲット室がシールドによって形成されることに加え、基板室もシールドにより形成
されることで、真空チャンバー内におけるガス環境の調整作用に優れ、ガスのミキシング
をより効果的に抑制することができる。
なお、真空チャンバー自体を、ターゲット室と基板室の２室構成とする態様や、この態
様でさらに各室に着脱可能なシールドを形成する態様、とすることも可能である。
(Mode 3) The target chamber is formed by a shield formed in a region surrounding the target, and the substrate chamber is formed by a removable shield formed in a region surrounding the periphery of the substrate.
In addition to the target chamber being formed by the shield, the substrate chamber is also formed by the shield, so that the gas chamber adjustment in the vacuum chamber is excellent, and gas mixing can be more effectively suppressed.
Note that the vacuum chamber itself may have a two-room configuration of a target chamber and a substrate chamber, or a mode in which a detachable shield is formed in each chamber in this mode.
（形態４）実施例において、ターゲット室の容積は基板室の容積よりも広い。
本形態によると、ターゲット室に導入された希ガスをターゲット室内に滞留させること
ができる。スパッタリング時に電力をかけると、ターゲット室内の希ガスが速やかに荷電
粒子化するので、スパッタリングを効率よく進行させることができる。なお、ターゲット
室の容積は、基板室の容積の０．５倍以上３倍以下であることが好ましい。ターゲット室
の容積が３倍を超えると、希ガスの供給量には限度があるので、ターゲット室内の希ガス
の分圧が低下し、反応性ガスの分圧が相対的に高くなる。ターゲット室の容積が基板室の
容積の０．５倍を下回ると、二つの室を接続する孔部の面積に対してターゲット室の容積
が少なくなり、基板室から入り込んだ反応性ガスがターゲット表面に到達しやすくなる。
したがって、ターゲット室と基板室の容積の関係が上記範囲から外れた場合、ターゲット
室内に入る反応性ガスの割合が増えてしまい、ターゲット表面が反応性ガスによって変質
するリスクが高くなる。
(Mode 4) In the embodiment, the volume of the target chamber is larger than the volume of the substrate chamber.
According to this embodiment, the rare gas introduced into the target chamber can be retained in the target chamber. When electric power is applied during sputtering, the rare gas in the target chamber is rapidly turned into charged particles, so that sputtering can be efficiently advanced. Note that the volume of the target chamber is preferably 0.5 to 3 times the volume of the substrate chamber. When the volume of the target chamber exceeds three times, the supply amount of the rare gas is limited, so that the partial pressure of the rare gas in the target chamber is decreased and the partial pressure of the reactive gas is relatively increased. When the volume of the target chamber is less than 0.5 times the volume of the substrate chamber, the volume of the target chamber decreases with respect to the area of the hole connecting the two chambers, and the reactive gas that has entered from the substrate chamber becomes the target surface. Makes it easier to reach.
Therefore, when the relationship between the volume of the target chamber and the substrate chamber deviates from the above range, the ratio of the reactive gas entering the target chamber increases, and the risk of the target surface being altered by the reactive gas increases.
（形態５）本反応性スパッタリングに関する技術は、遷移金属シリサイド系化合物の薄膜
を有するマスクブランクの製造に適している。
例えば、ターゲットにモリブデンとケイ素を有する材料を使用し、反応性ガスとして窒
素を使用することで、マスクブランク用の薄膜を形成することができる。
反応性ガスとして、他のガスを使用することもできる。例えば、窒素のほか、酸素、Ｎ
Ｏ２、ＮＯ、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ４等が挙げられる。これらの反応性ガスとモリブ
デンシリサイド系ターゲットを用いることで、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ、
ＭｏＳｉＣＯ、ＭｏＳｉＣＮ、ＭｏＳｉＣＯＮの組成を有する薄膜を成膜することができ
る。
また、モリブデン以外の遷移金属として、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
タングステン（Ｗ）及びハフニウム（Ｈｆ）などが挙げられる。これら遷移金属の一種ま
たは二種以上と珪素（Ｓｉ）とを含むターゲットを用い、前述の反応性ガスを用いて成膜
することによって、遷移金属シリサイド系化合物からなる薄膜を成膜することもできる。
薄膜の組成に含まれる元素比を変更することで、薄膜の消衰係数や屈折率が変化する。
なお、薄膜の元素比はターゲットの組成比や反応性ガス導入量を調整する事によって変更
することができる。したがって、反応性スパッタリングを行うことで、用途に応じた消衰
係数と屈折率の薄膜を形成することができる。薄膜の具体的な用途としては、例えば、ハ
ーフトーン型位相シフトマスクの光半透過膜、バイナリーマスクの遮光膜、反射型マスク
における反射膜や吸収体膜他、種々の用途が挙げられる。
(Mode 5) The technique relating to the reactive sputtering is suitable for manufacturing a mask blank having a thin film of a transition metal silicide compound.
For example, a thin film for a mask blank can be formed by using a material having molybdenum and silicon as a target and using nitrogen as a reactive gas.
Other gases can also be used as the reactive gas. For example, in addition to nitrogen, oxygen, N
O 2 , NO, O 2 , CO, CO 2 , CH 4 and the like can be mentioned. By using these reactive gases and a molybdenum silicide target, MoSiO, MoSiN, MoSiON,
A thin film having a composition of MoSiCO, MoSiCN, or MoSiCON can be formed.
As transition metals other than molybdenum, tantalum (Ta), zirconium (Zr),
Examples include tungsten (W) and hafnium (Hf). By using a target containing one or more of these transition metals and silicon (Si) and using the reactive gas described above, a thin film made of a transition metal silicide compound can also be formed. .
By changing the element ratio contained in the composition of the thin film, the extinction coefficient and refractive index of the thin film change.
The element ratio of the thin film can be changed by adjusting the composition ratio of the target and the amount of reactive gas introduced. Therefore, by performing reactive sputtering, a thin film having an extinction coefficient and a refractive index corresponding to the application can be formed. Specific uses of the thin film include various uses such as a light semi-transmissive film of a halftone phase shift mask, a light shielding film of a binary mask, a reflective film and an absorber film in a reflective mask, and the like.
次に実施例を示し、本発明のマスクブランクの製造方法及び反応性スパッタリング装置
について具体的に説明する。
もちろん本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
Next, an Example is shown and the manufacturing method and reactive sputtering apparatus of the mask blank of this invention are demonstrated concretely.
Of course, the present invention is not limited to the following examples.
＜実施例＞
本実施例のマスクブランクの製造方法で使用する反応性スパッタリング装置について図
１を参照して説明する。
反応性スパッタリング装置１の大まかな構成は、真空チャンバー２と真空チャンバー２
のターゲット２０を保持するターゲットホルダー２４と、基板４０を保持する基板ホルダ
ー３４と、チャンバー内の圧力を減圧する排気手段５４と、反応性ガスを真空チャンバー
２内に導入する反応性ガス供給源４６と、希ガスを真空チャンバー２に導入する希ガス供
給源１４で構成されている。真空チャンバー２は、上部に外側に向けて低くなる傾斜面５
が形成されており、傾斜面５にターゲットホルダー２４や希ガス導入口１８が設けられて
いる。真空チャンバー２の下部には、基板ホルダー３４と排気口５０と反応性ガス導入口
４２が設けられている。
真空チャンバー２は、斜め上方の領域にターゲットホルダー２４と希ガス導入口１８を
有するターゲット室１２と、斜め下方の領域に基板ホルダー３４と排気口５０と反応性ガ
ス導入口４２を有する基板室３２と、の２つの室が内部に形成されている。ターゲット室
１２の容積は、基板室３２の容積のおよそ１．２５倍の容積である。ターゲット室１２と
基板室３２は、真空チャンバー２内で互いに斜に向き合うような位置関係であり、この二
つの室１２、３２の間には連結孔部３０が設けられている。連結孔部３０の断面は円形で
あり、開口面は基板設置面に対して２０度から６０度の範囲内で傾斜するように設けられ
ている（図１の角β参照、実施例では３５度）。基板室３２の斜め上方にターゲット室１
２が隣接して配置され、双方の室の連結箇所は連結に適した形状とされ、連結孔部３０で
互いに隙間なく連結される。基板室３２およびターゲット室１２は室全体が壁面で囲われ
た状態（密室状態）になっている。
以下、順次詳述する。
<Example>
A reactive sputtering apparatus used in the mask blank manufacturing method of this embodiment will be described with reference to FIG.
The general structure of the
A target holder 24 for holding the
The target holder 24 and the
The
2 are arranged adjacent to each other, and the connecting portions of both chambers have a shape suitable for connection, and are connected to each other through the
Details will be sequentially described below.
ターゲット室１２は、真空チャンバー２の傾斜面の一部であり、ターゲットホルダー２
４と希ガス導入口１８が設置されている天面１５と、連結孔部３０の開口面と、ターゲッ
ト室を構成するシールド１１の内壁から形成された室である。ターゲット室１２は、天面
１５から連結孔部３０に向かって空間（断面積）が狭くなっている。
ターゲット室１２の天面１５は、基板ホルダー３４の基板設置面に対して０から４５度
の範囲内で傾斜するように設けられている（図１の角α参照、本実施例では１５度）。
天面１５の中央部にはターゲットホルダー２４が設けられている。ターゲットホルダー
２４の上面にはターゲット２０を保持するバッキングプレート２２が設けられている。バ
ッキングプレート２２のターゲット保持面は、天面１５からわずかに張り出すように設け
られている。ターゲット室１２の天面１５が傾斜しているので、前述したように、ターゲ
ット２０は、基板４０の斜め上方に位置することになる。
The
4 and the top surface 15 where the rare
The top surface 15 of the
A target holder 24 is provided at the center of the top surface 15. A
ターゲットホルダー２４は、放電用電力を印加する電源２６が接続している。なお、本
スパッタ装置１はＤＣ電源を備えているが、ＲＦ電源であってもよい。ＲＦ電源を備える
場合には、ターゲットホルダー２４と電源２６の間に整合器を設置することが必要である
。ターゲットホルダー２４は真空チャンバー２に備えられているが、真空チャンバー２と
は電気的に絶縁状態が維持されるように設置されている。電源２６からターゲットホルダ
ー２４を介してターゲット２０に電圧を印加することでプラズマが発生し、スパッタリン
グが実行される。
The target holder 24 is connected to a
ターゲットホルダー２４の周囲でありターゲット室１２の天面１５には、希ガス供給源
１４に配管１６を通じて繋がる希ガス導入口１８が設けられている。ターゲット２０の間
近に希ガス導入口１８があることで、電圧印加によって発生するプラズマに占める希ガス
の割合を多くすることができる。また、ターゲット２０が天面１５に対してわずかに張り
出す形状であることから、スパッタリング粒子が希ガス導入口１８の方向に飛翔しない。
これにより、希ガス導入口１８がスパッタリング粒子によって汚染されないため、異物発
生のリスクも軽減されている。
なお、図示はしないが、希ガスの供給経路には、希ガスの流量を制御するフローコント
ローラーや、ガスの流通を切り替えるバルブ、その他、フィルターなども備えられている
。
A
Thereby, since the
Although not shown, the rare gas supply path is also provided with a flow controller for controlling the flow rate of the rare gas, a valve for switching the gas flow, and a filter.
基板室３２は基板室を構成するシールド３１によってドーム形状（断面が略かまぼこ形
状）に形成されている。前述したように、基板室３２の斜め上方にターゲット室１２と連
通する連結孔部３０があるため、基板シールド３１の斜め上方に開口が形成されている。
基板室３２の下側には、中央部に基板４０を配置するための基板ホルダー３４が設けら
れており、基板室３２の開口側に真空チャンバー２内を排気する排気口５０が設けられて
おり、開口から離れた領域に反応性ガス導入用の配管４４が設けられている。
The
A
基板ホルダー３４は基板保持面に基板４０を固定する部材が設けられており、基板４０
が基板ホルダー３４の保持面上から動かないようにしている。
また、基板ホルダー３４は、軸材３６を介して駆動機構３８に接続している。
駆動機構３８は、基板ホルダー３４の高さ調節と基板ホルダー３４の水平回転を制御す
る。駆動機構３８が高さ調節することで、スパッタリング中の基板４０とターゲット２０
までの間隔や角度を調整することができる。また、駆動機構３８が基板ホルダー３４を適
切な速さで水平回転させることで、基板４０上に成膜する薄膜の膜厚や組成が均一化する
。
The
Is prevented from moving from the holding surface of the
The
The
The interval and angle up to can be adjusted. Further, the
排気口５０は、基板室３２内に直接設けられている。排気口５０の排気経路がシールド
等により遮られないので、基板室３２とターゲット室１２内の排気効率がよい。排気口５
０は、メインバルブ５２を介してターボ分子ポンプ（排気手段）５４に接続している。
なお、本実施例では、排気口５０を基板室３２内に一つ設けたものを例示したが、これ
に加えて又はこれに変えてターゲット室１２や真空チャンバー２の壁に他の排気手段を設
けてもよい。
The
0 is connected to a turbo molecular pump (exhaust means) 54 via a
In the present embodiment, an example in which one
反応性ガスを導入する配管４４は、先端の反応性ガス導入口４２が基板４０の表面付近
の高さになるように設けられている。反応性ガス導入口４２は、基板側シールド３１の壁
面が庇（ひさし）状に覆う位置（ドーム形状の天井と垂直壁との間の曲線（曲面）箇所に
向かって反応性ガス導入口４２が設けられる位置）に設けられている。反応性ガスを導入
したときにシールド３１が反応性ガスの流動を整流（制御）するので、スパッタリング粒
子と反応性ガスの反応を促すことができる。また、反応性ガス導入口４２から導入された
反応性ガスは、基板４０の上を流れて排気口５０に向かうため、ターゲット室１２側に流
れにくい。このため、ターゲット表面は、反応性ガスとほとんど接触することがないこと
から、変質しにくく、変質によるスパッタリング速度の変化や、表面組成の変化による異
物の発生も生じにくい。
The piping 44 for introducing the reactive gas is provided such that the
配管４４は反応性ガス供給源４６に接続している。なお、図示はしないが、反応性ガス
の供給経路には、反応性ガスの流量を制御するフローコントローラーや、ガスの流通を切
り替えるバルブ、その他、フィルターなどが備えられている。
また、実施例では１つの反応性ガス導入の系を示しているが、複数の反応性ガスを導入
する系であってもよい。その場合、反応性ガス導入口、配管及び供給源を複数設け、それ
らに別々の反応性ガスを導入する仕組みであってもよい。それぞれのガス供給源にフロー
メータ等を備え、一つの配管で複数の反応性ガスを導入するような導入口から複数種の反
応性ガスを導入ような仕組みを採用することもできる。
The piping 44 is connected to a reactive
Moreover, although one reactive gas introduction system is shown in the embodiment, a system for introducing a plurality of reactive gases may be used. In that case, a mechanism may be employed in which a plurality of reactive gas inlets, pipes, and supply sources are provided, and separate reactive gases are introduced into them. It is also possible to employ a mechanism in which each gas supply source is provided with a flow meter or the like, and a plurality of types of reactive gases are introduced from an introduction port through which a plurality of reactive gases are introduced through one pipe.
（窒化モリブデンシリサイド膜の成膜）
前述のスパッタリング装置を用い、合成石英ガラスからなり透光性を有する基板上に位
相シフトマスクブランク用の窒化モリブデンシリサイド膜（膜厚：６９ｎｍ）を成膜した
。成膜条件を表１に示す。
(Deposition of molybdenum nitride silicide film)
Using the above-described sputtering apparatus, a molybdenum nitride silicide film (film thickness: 69 nm) for a phase shift mask blank was formed on a transparent substrate made of synthetic quartz glass. The film forming conditions are shown in Table 1.
＜比較例１＞
比較例１では、実施例で使用したの反応性スパッタリング装置を用い、希ガス導入口か
ら反応性ガスと希ガスを混合したガスを導入して行った。他については、実施例の製造方
法と同様の構成であるので、説明は省略する。
<Comparative Example 1>
In Comparative Example 1, the reactive sputtering apparatus used in the examples was used, and a mixed gas of a reactive gas and a rare gas was introduced from a rare gas inlet. Since other configurations are the same as those of the manufacturing method of the embodiment, description thereof is omitted.
＜比較例２＞
比較例２では、実施例で使用したの反応性スパッタリング装置を用い、反応性ガス導入
口から反応性ガスと希ガスを混合したガスを導入して行った。他については、実施例のマ
スクブランクの製造方法と同様の構成であるので、説明は省略する。
<Comparative example 2>
In Comparative Example 2, the reactive sputtering apparatus used in the examples was used, and a mixed gas of a reactive gas and a rare gas was introduced from a reactive gas inlet. Since other configurations are the same as those of the mask blank manufacturing method of the embodiment, description thereof is omitted.
＜比較例３＞
図２に比較例３のマスクブランクの製造方法で使用した反応性スパッタリング装置１０
１を示す。実施例と同様の箇所は同じ番号とした。
反応性スパッタリング装置１０１は、真空チャンバー１０２の内部にシールド１１１を
設けた装置で、シールド１１１は内部に一つの室１１２を形成している。
希ガス導入口１８は、実施例と同様にターゲットホルダー２２の両側であり、反応性ガ
ス導入口４２は、実施例と同様に基板ホルダー３４の脇に形成されている。
反応性スパッタリング装置１０１の排気口１５０は、メインバルブ１５２を介して排気
手段１５４に接続しており、真空チャンバー１０２の内壁に設けられており、シールド１
１１の外側に設けられた構造になっている。
<Comparative Example 3>
In FIG. 2, the reactive sputtering apparatus 10 used in the mask blank manufacturing method of Comparative Example 3 is used.
1 is shown. The same numbers as in the examples are the same.
The
The
The
11 is provided on the outside.
＜評価１：異物欠陥＞
実施例、比較例１〜３の方法で、それぞれ１００枚の基板に薄膜を形成した。それぞれ
の基板を成膜する前には、ターゲットのコンディショニング放電を行った。異物評価は、
薄膜上の０．１μｍ以上の異物欠陥数を数え、その平均値で反応性スパッタリング装置の
合否を判断した。
表２は、実施例及び比較例の反応性スパッタリング装置の判定結果を示している。なお
、表２中の記号は、○が平均個数５未満、△が平均個数５以上１０未満、×が平均個数１
０以上を意味している。
<Evaluation 1: Foreign object defect>
Thin films were formed on 100 substrates each by the methods of Examples and Comparative Examples 1 to 3. Before each substrate was deposited, the target was conditioned and discharged. Foreign object evaluation
The number of foreign matter defects of 0.1 μm or more on the thin film was counted, and the pass / fail of the reactive sputtering apparatus was judged by the average value.
Table 2 shows the determination results of the reactive sputtering apparatuses of Examples and Comparative Examples. The symbols in Table 2 indicate that ○ is less than the average number 5, Δ is the average number 5 or more and less than 10, and x is the
It means 0 or more.
実施例のスパッタリング装置で成膜した薄膜は、異物欠陥がきわめて少なかった。また
、１００回の成膜を行っても異物の個数は増加しなかったことから、シールドに堆積した
薄膜の剥離による異物の発生も防止されていたことが分かった。
一方、希ガスと反応性ガスを同じ導入口から注入した比較例１及び比較例２のサンプル
は、平均の異物個数が１０以上という結果であった。これは、ターゲット表面が反応性ガ
スによって変質した領域が広くなり、コンディショニング等でその変質部分が剥離して異
物が発生したことが要因であると考えられる。
また、比較例2は、基板側に希ガスと反応性ガスを導入するため、希ガスが基板表面に
局在（偏在）化しターゲット表面をスパッタしにくくなる為、成膜レートが落ちてしまう
。この為、所望の膜厚を得ようとした場合、成膜時間が長くなり、成膜時に欠陥が発生す
る頻度が増えた為に異物欠陥が増加したものと思われる。
比較例３のサンプルは、成膜の順番が遅くなるにつれて異物の個数が増える傾向であっ
た。このことから、シールドに堆積した薄膜がスパッタ回数とともに増加したものと考え
られる。
The thin film formed by the sputtering apparatus of the example had very few foreign matter defects. In addition, since the number of foreign substances did not increase even after 100 film formations, it was found that the generation of foreign substances due to the peeling of the thin film deposited on the shield was prevented.
On the other hand, the samples of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 in which the rare gas and the reactive gas were injected from the same inlet had a result that the average number of foreign matters was 10 or more. This is considered to be caused by the fact that the region where the target surface has been altered by the reactive gas is widened, and the altered portion is peeled off due to conditioning or the like, and foreign matter is generated.
In Comparative Example 2, since the rare gas and the reactive gas are introduced to the substrate side, the rare gas is localized (localized) on the substrate surface and it is difficult to sputter the target surface, so that the film formation rate is lowered. For this reason, when it is going to obtain a desired film thickness, since the film-forming time becomes long and the frequency which a defect generate | occur | produces at the time of film-forming increases, it seems that the foreign material defect increased.
In the sample of Comparative Example 3, the number of foreign matters tended to increase as the order of film formation slowed. From this, it is considered that the thin film deposited on the shield increased with the number of sputtering.
＜評価２：薄膜性能評価＞
実施例及び比較例３の装置を用いて薄膜を形成した１０枚の基板について４００℃で３
０分アニール処理を行った基板について透過率と波長１９３ｎｍの位相差の平均値と標準
偏差を調べ、薄膜の品質安定性を評価した。結果を表３に示す。
<Evaluation 2: Thin film performance evaluation>
Ten substrates on which thin films were formed using the apparatus of Example and Comparative Example 3 were measured at 400 ° C. 3
The substrate subjected to the 0 minute annealing treatment was examined for the average value and standard deviation of the transmittance and the phase difference at a wavelength of 193 nm to evaluate the quality stability of the thin film. The results are shown in Table 3.
実施例のスパッタリング装置で成膜した薄膜は、平均の透過率６．１８％で透過率のば
らつきを示す標準偏差が０．０２７であった。反応性スパッタリングを行った場合、反応
性ガスと希ガスのガスの分布状況やガスの圧力安定性により、反応性ガスとスパッタリン
グ粒子の反応の飽和度が変動する。実施例の反応性スパッタリング装置は、反応性ガスや
希ガスの導入から排気までの安定性にすぐれるため、透過率にばらつきが生じなかったも
のと考えられる。
また、実施例の薄膜は、平均の位相差が１８１．２度であり、位相差の標準偏差が０．
１２４であった。このことから、実施例の光半透過膜は、位相差にばらつきが少ない結果
となった。位相差は膜厚の影響により変動するので、実施例の光半透過膜は、膜厚安定性
に優れることが分かった。
The thin film formed by the sputtering apparatus of the example had an average transmittance of 6.18% and a standard deviation indicating a variation in transmittance of 0.027. When reactive sputtering is performed, the degree of saturation of the reaction between the reactive gas and the sputtered particles varies depending on the distribution of the reactive gas and the rare gas and the pressure stability of the gas. The reactive sputtering apparatus of the example is considered to have no variation in transmittance because it has excellent stability from introduction of reactive gas or rare gas to exhaust.
The thin film of the example has an average phase difference of 181.2 degrees and a standard deviation of the phase difference of 0.1.
124. For this reason, the light semi-transmissive film of the example had a small variation in the phase difference. Since the phase difference fluctuates due to the influence of the film thickness, it was found that the light semi-transmissive film of the example was excellent in film thickness stability.
＜評価３：転写用マスクの製造評価＞
次に、実施例及び比較例１〜３で製造した位相シフトマスクブランクを用いてハーフト
ーン型位相シフトマスクを作製した。
<Evaluation 3: Manufacturing evaluation of transfer mask>
Next, the halftone phase shift mask was produced using the phase shift mask blank manufactured in the Example and Comparative Examples 1-3.
まず、実施例及び比較例１〜３で製造した位相シフトマスクブランクをスクラブ洗浄し
た後、マスクブランク上に、レジスト膜として、電子線描画用化学増幅型ポジレジスト膜
（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 ＰＲＬ００９）を形成した。レジス
ト膜の形成は、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、回転塗布した。
First, after scrub cleaning the phase shift mask blanks manufactured in Examples and Comparative Examples 1 to 3, a chemically amplified positive resist film for electron beam lithography (manufactured by Fuji Film Electronics Materials Co., Ltd.) as a resist film on the mask blank. PRL009) was formed. The resist film was formed by spin coating using a spinner (rotary coating apparatus).
次に上記マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所
望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
次に、上記レジストパターンをマスクとして、ハーフトーン型位相シフト膜のエッチン
グを行って位相シフトパターンを形成した。ドライエッチングガスとして、ＳＦ６とＨｅ
の混合ガスを用いた。
その後にレジストを剥離し、１００℃９８％硫酸に１５分間浸漬して硫酸洗浄した後、
純水等でリンスし、位相シフトマスクを製造した。
Next, a desired pattern was drawn on the resist film formed on the mask blank using an electron beam drawing apparatus, and then developed with a predetermined developer to form a resist pattern.
Next, the halftone phase shift film was etched using the resist pattern as a mask to form a phase shift pattern. SF 6 and He as dry etching gases
The mixed gas was used.
After that, the resist was peeled off and immersed in sulfuric acid at 100 ° C. and 98% sulfuric acid for 15 minutes to wash with sulfuric acid.
The phase shift mask was manufactured by rinsing with pure water or the like.
その結果、実施例１で製造したマスクブランクをパターニングした位相シフトマスクに
はパターン欠陥が見られなかったが、比較例１〜３で製造したマスクブランクをパターニ
ングした位相シフトマスクには、モリブデンシリサイド膜が過剰に剥離してしまったパタ
ーン欠陥が確認された。これは、成膜中に付着した異物が、洗浄工程でそのパーティクル
が抜け落ちたことによる欠陥であると推察される。
As a result, no pattern defects were found in the phase shift mask obtained by patterning the mask blank manufactured in Example 1, but the molybdenum silicide film was used in the phase shift mask patterned by the mask blank manufactured in Comparative Examples 1-3. The pattern defect which peeled excessively was confirmed. This is presumed to be a defect due to foreign particles adhering during film formation that fall out in the cleaning process.
以上、本発明の実施形態および実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎ
ず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に
例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
As mentioned above, although embodiment and the Example of this invention were described in detail, these are only illustrations and do not limit a claim. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.
たとえば、ターゲット室の形状は実施例の例に限定されない。例えば、矩形型、回転楕
円体のような立体を切断した形状、開口に向けて細くなる円錐型等、種々の形状を適用す
ることができる。
For example, the shape of the target chamber is not limited to the example of the embodiment. For example, various shapes such as a rectangular shape, a shape obtained by cutting a solid such as a spheroid, and a conical shape that narrows toward the opening can be applied.
また、上記実施例では、反応性スパッタリングで成膜した薄膜の例として窒化モリブデ
ンシリサイドからなる光半透過膜を例示したが、この種の薄膜に限定されない。
例えば、本反応性スパッタリングに関する技術は、クロム化合物の薄膜を有するマスク
ブランクの製造にも適している。
クロム系化合物膜を形成する場合、ターゲットには金属クロムを用い、反応性ガスを適
切に選択することで所望の薄膜を形成することができる。
例えば、ターゲットとして金属クロムを用い、反応性ガスとして窒素を使用し、窒化ク
ロムからなる遮光膜を形成することができる。
クロム、炭素および酸素を含むＣｒＯＣの層を成膜する場合、スパッタガスとしてＣＯ
２、ＣＯ等のＣとＯとを含むガスや、ＣＨ４、Ｃ３Ｈ８等の炭化水素系のＣを含むガスと
ＣＯ2、Ｏ2等のＯを含むガスとをそれぞれ１種以上導入することで成膜することができる
。
クロム、酸素、炭素及び窒素を含むＣｒＯＣＮの層を成膜する場合、ターゲットとして
金属クロムを使用し、反応性ガスとしてＣＯ2、ＣＯ等のＣとＯを含むガスと、Ｎ２、Ｎ
Ｏ、ＮＯ２等のＮを含むガスとをそれぞれ１種以上導入するか、または、ＣＨ４、Ｃ３Ｈ
８等の炭化水素系のＣを含むガスと、ＣＯ2、Ｏ2等のＯを含むガスと、Ｎ2、ＮＯ、Ｎ2Ｏ
等のＮを含むガスとをそれぞれ１種以上導入することで成膜することができる
クロム、酸素及び窒素を含むＣｒＯＮの層を成膜する場合、ターゲットとして金属クロ
ムを使用し、スパッタガスとしてＮＯ、ＮＯ２等のＮとＯを含むガス、または、ＮＯ、Ｏ
２等のＯを含むガスとＮ2、ＮＯ、ＮＯ2等のＮを含むガスとをそれぞれ１種以上導入する
ことにより、成膜することができる。
また、クロムと酸素を含むＣｒＯの層を成膜する場合、ターゲットに金属クロムを使用
し、スパッタガスとしてＯ2等のＯを含むガスを導入することで成膜することができる。
なお、クロム系薄膜もまた、薄膜の組成に含まれる元素比により薄膜の消衰係数や屈折
率が変化する。反応ガスの分圧を調整すると、所望の元素比の薄膜を得ることができる。
したがって、反応性スパッタリングを行うことで、用途に応じた消衰係数と屈折率の薄膜
を形成することができる。薄膜の具体的な用途としては、例えば、バイナリーマスクの遮
光膜、エッチングストッパー層、ハードマスク、等、種々の用途が挙げられる。
Moreover, in the said Example, although the light semipermeable film which consists of molybdenum nitride silicide was illustrated as an example of the thin film formed by reactive sputtering, it is not limited to this kind of thin film.
For example, this reactive sputtering technique is also suitable for manufacturing a mask blank having a thin film of a chromium compound.
When forming a chromium-based compound film, a desired thin film can be formed by using metallic chromium as a target and appropriately selecting a reactive gas.
For example, a light shielding film made of chromium nitride can be formed using metallic chromium as a target and nitrogen as a reactive gas.
When forming a CrOC layer containing chromium, carbon and oxygen, CO is used as the sputtering gas.
2. Introduce one or more kinds of gas containing C and O such as CO, and hydrocarbon-containing gas such as CH 4 and C 3 H 8 and gas containing O such as CO 2 and O 2. Thus, a film can be formed.
When forming a CrOCN layer containing chromium, oxygen, carbon and nitrogen, metallic chromium is used as a target, a gas containing C and O such as CO 2 and CO as a reactive gas, N 2 , N
One or more gases each containing N such as O and NO 2 are introduced, or CH 4 , C 3 H
A gas containing hydrocarbon C such as 8 ; a gas containing O such as CO 2 , O 2 ; and N 2 , NO, N 2 O
It is possible to form a film by introducing at least one kind of gas containing N, such as chromium. When forming a CrON layer containing chromium, oxygen and nitrogen, use metallic chromium as a target and NO as a sputtering gas. , Gas containing N and O such as NO 2 , or NO, O
A film can be formed by introducing one or more of a gas containing O such as 2 and a gas containing N such as N 2 , NO, or NO 2 .
In addition, when a CrO layer containing chromium and oxygen is formed, it can be formed by using metal chromium as a target and introducing a gas containing O such as O 2 as a sputtering gas.
In addition, the extinction coefficient and refractive index of a thin film of a chromium-based thin film also change depending on the element ratio included in the composition of the thin film. By adjusting the partial pressure of the reaction gas, a thin film having a desired element ratio can be obtained.
Therefore, by performing reactive sputtering, a thin film having an extinction coefficient and a refractive index corresponding to the application can be formed. Specific uses of the thin film include various uses such as a light shielding film of a binary mask, an etching stopper layer, and a hard mask.
また、本発明の反応性スパッタリングに関する技術は、遷移金属シリサイド系化合物の
薄膜とクロム化合物の薄膜のほか、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等のケイ素化合物の薄膜
やタンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）等を含む化合物の薄膜を有するマスクブランク
の製造にも適している。
Further, the reactive sputtering technology of the present invention includes a thin film of a transition metal silicide compound and a thin film of a chromium compound, a thin film of a silicon compound such as SiO 2 , SiON, SiN, tantalum (Ta), hafnium (Hf), etc. It is also suitable for manufacturing a mask blank having a thin film of a compound containing.
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術
的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そ
のうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
例えば、本願発明は、ターゲットを設置する室と基板を設置する室の２室構造のスパッ
タ装置を使用してマスクブランクを製造する方法である。
スパッタリングガスは、ターゲット側の室に希ガスを導入し、基板側の室に反応性ガス
を導入する。
ターゲット側の室には希ガスが充満するので、ターゲット表面が反応性ガスによって変
質しにくい。また、希ガスのプラズマがターゲットに効率よく衝突する。
基板側の室には反応性ガスが充満するので、ターゲットから飛翔（飛来）してきたス
パッタリング粒子は基板側の室内で反応性ガスとの反応生成物が生成する。そして、この
生成物を基板に堆積させることにより、基板上に薄膜を形成する技術である。
例えば、本願発明には、下記の構成が含まれる。
（構成Ａ）
反応性スパッタリング装置を用いて薄膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造
方法であり、
前記反応性スパッタリング装置は、ターゲットを配置するターゲット室と基板を配置す
る基板室と、二つの前記室を連結する孔部を有する真空チャンバーを備え、
前記薄膜を形成する工程は、
ターゲット室内に希ガスを導入する工程と、
基板室内に反応性ガスを導入する工程と、
反応性スパッタリングによって基板上に薄膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成B）
前記基板室および前記ターゲット室は、真空チャンバー内におけるガス環境の調整作用
に優れた形態を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成Ｃ）
前記ターゲット室に希ガス導入口が設けられ、前記基板室に反応性ガス導入口が設けら
れていることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
（構成Ｄ）
前記真空チャンバー内の排気は、基板側の室に設けられた排気手段で行うことを特徴と
するマスクブランクの製造方法。
The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing.
In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.
For example, the present invention is a method of manufacturing a mask blank using a sputtering apparatus having a two-chamber structure including a chamber for installing a target and a chamber for installing a substrate.
As the sputtering gas, a rare gas is introduced into the chamber on the target side, and a reactive gas is introduced into the chamber on the substrate side.
Since the target-side chamber is filled with the rare gas, the target surface is hardly changed by the reactive gas. Further, the rare gas plasma collides with the target efficiently.
Since the chamber on the substrate side is filled with the reactive gas, the sputtered particles flying from the target generate a reaction product with the reactive gas in the chamber on the substrate side. And it is the technique which forms a thin film on a board | substrate by depositing this product on a board | substrate.
For example, the present invention includes the following configurations.
(Configuration A)
A method for manufacturing a mask blank having a step of forming a thin film using a reactive sputtering apparatus,
The reactive sputtering apparatus includes a target chamber in which a target is disposed, a substrate chamber in which a substrate is disposed, and a vacuum chamber having a hole connecting the two chambers.
The step of forming the thin film includes:
Introducing a rare gas into the target chamber;
Introducing a reactive gas into the substrate chamber;
Forming a thin film on the substrate by reactive sputtering;
The mask blank manufacturing method characterized by including.
(Configuration B)
The method for manufacturing a mask blank, wherein the substrate chamber and the target chamber have a form excellent in adjusting the gas environment in a vacuum chamber.
(Configuration C)
A mask blank manufacturing method, wherein a rare gas inlet is provided in the target chamber, and a reactive gas inlet is provided in the substrate chamber.
(Configuration D)
A method for manufacturing a mask blank, wherein the exhaust in the vacuum chamber is performed by an exhaust means provided in a chamber on the substrate side.
１、１０１・・反応性スパッタリング装置
２、１０２・・真空チャンバー
１１・・ターゲット室を構成するシールド
１２・・ターゲット室
１４、１１４・・希ガス供給源
１６、１１６・・配管（希ガス）
１８、１１８・・希ガス導入口
２０・・ターゲット
２２・・バッキングプレート
２４・・ターゲットホルダー
２６・・ＤＣ電源
３１・・基板室を構成するシールド
３２・・基板室
３４・・ターゲットホルダー
３６・・回転軸
４０・・基板
４２・・反応性ガス導入口
４４・・配管（反応性ガス）
４６・・希ガス供給源
５０、１５０・・排気口
１１１・・シールド
1, 101 ...
11 ···
18, 118 ···
46 ··· Noble
Claims (8)
被成膜面が上になるように基板を水平に設置し、前記基板と上下方向で重ならない領域にターゲット表面が前記基板の被成膜面に向くようにターゲットを傾斜させて設置し、
前記基板の周囲を囲む領域に形成された基板室と、前記ターゲットを囲む領域に形成されたターゲット室と、前記基板室と前記ターゲット室とを連結する連結孔部を有し、
前記ターゲット室には、希ガス導入口が設けられ、前記基板室には、反応性ガス導入口と排気口が設けられ、
前記連結孔部は、前記基板の被成膜面に対して傾斜するように設けられ、前記基板の被成膜面と前記連結孔部の開口面が形成する角度は、前記ターゲット表面と前記基板の被成膜面が形成する角度より大きく、かつ、前記基板の被成膜面と前記連結孔部の開口面が形成する角度は、２０度から６０度の範囲内であり、
前記ターゲット室は、前記連結孔部に向かって断面積が狭くなる形態を有し、
前記基板室は、前記基板を覆うドーム形状を有すると共に、前記基板室の斜め上方に前記連結孔部が形成された形態を有し、
前記基板の被成膜面上に反応性スパッタリング法によって前記薄膜を形成する工程を有する、
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A method of manufacturing a mask blank provided with a thin film on a deposition surface of a substrate,
The substrate is placed horizontally so that the deposition surface is on top, and the target is inclined and installed in a region that does not overlap the substrate in the vertical direction so that the target surface faces the deposition surface of the substrate,
A substrate chamber formed in a region surrounding the periphery of the substrate, a target chamber formed in a region surrounding the target, and a connecting hole portion connecting the substrate chamber and the target chamber;
The target chamber is provided with a rare gas inlet, and the substrate chamber is provided with a reactive gas inlet and an exhaust port,
The connection hole is provided to be inclined with respect to the film formation surface of the substrate, and the angle formed by the film formation surface of the substrate and the opening surface of the connection hole is determined by the target surface and the substrate. And the angle formed by the film formation surface of the substrate and the opening surface of the connecting hole is in the range of 20 degrees to 60 degrees,
The target chamber has a form in which a cross-sectional area becomes narrower toward the connection hole portion,
The substrate chamber has a dome shape that covers the substrate, and has a form in which the connection hole is formed obliquely above the substrate chamber,
Forming the thin film by a reactive sputtering method on the deposition surface of the substrate;
A method for manufacturing a mask blank, characterized in that:
前記基板室および前記ターゲット室は、室全体が壁面で囲われた状態になっており、
前記基板室および前記ターゲット室は、真空チャンバー内に形成され、かつ、
前記基板室および前記ターゲット室は、シールドおよび真空チャンバーの一部で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランクの製造方法。 The connection portion of the substrate chamber and the target chamber is a shape suitable for connection, and is connected without a gap between the connection holes,
The substrate chamber and the target chamber are in a state where the entire chamber is surrounded by a wall surface,
The substrate chamber and the target chamber are formed in a vacuum chamber; and
The method for manufacturing a mask blank according to claim 1, wherein the substrate chamber and the target chamber are formed by a part of a shield and a vacuum chamber .
前記排気口は、前記基板よりも前記ターゲットに近い側の領域であって、前記基板を含む水平面よりも下方の領域に設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 A reactive gas introduction port is provided toward the curved surface portion between the dome-shaped ceiling and the vertical wall in the substrate chamber in a region facing the target across the substrate,
4. The exhaust port according to claim 1, wherein the exhaust port is provided in a region closer to the target than the substrate and in a region below a horizontal plane including the substrate. Mask blank manufacturing method .
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013199490A JP6261929B2 (en) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method |
| SG10201406128XA SG10201406128XA (en) | 2013-09-26 | 2014-09-26 | Method of manufacturing a mask blank and method of manufacturing a transfer mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013199490A JP6261929B2 (en) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015064531A JP2015064531A (en) | 2015-04-09 |
| JP6261929B2 true JP6261929B2 (en) | 2018-01-17 |
Family
ID=52832442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013199490A Active JP6261929B2 (en) | 2013-09-26 | 2013-09-26 | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6261929B2 (en) |
| SG (1) | SG10201406128XA (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018095922A (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 国立大学法人名古屋大学 | Film deposition apparatus |
| JP2019148002A (en) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 国立大学法人名古屋大学 | Film deposition apparatus |
| JP7134009B2 (en) | 2018-07-31 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Film forming apparatus and film forming method |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3332839B2 (en) * | 1997-02-19 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | Thin film forming apparatus and thin film forming method using the same |
| JP2002169265A (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hoya Corp | Photomask blank and method of manufacturing photomask blank |
| JP2005042200A (en) * | 2003-07-21 | 2005-02-17 | Korea Electrotechnology Research Inst | Reactive sputtering deposition device and method |
| JP4336206B2 (en) * | 2004-01-07 | 2009-09-30 | Ｈｏｙａ株式会社 | Mask blank manufacturing method and mask blank manufacturing sputtering target |
| JP4376637B2 (en) * | 2004-01-14 | 2009-12-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | Sputtering target and mask blank manufacturing method using the same |
| JP4537479B2 (en) * | 2008-11-28 | 2010-09-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | Sputtering equipment |
| JP5914035B2 (en) * | 2012-02-23 | 2016-05-11 | Hoya株式会社 | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method |
-
2013
- 2013-09-26 JP JP2013199490A patent/JP6261929B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-26 SG SG10201406128XA patent/SG10201406128XA/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015064531A (en) | 2015-04-09 |
| SG10201406128XA (en) | 2015-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6165577B2 (en) | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method | |
| TWI746247B (en) | Film forming device for blank mask | |
| US6740208B2 (en) | Photo mask blank and method of manufacturing the same | |
| JP6261929B2 (en) | Mask blank manufacturing method and transfer mask manufacturing method | |
| JP4336206B2 (en) | Mask blank manufacturing method and mask blank manufacturing sputtering target | |
| WO2001006318A1 (en) | Phase shifter film and production method therefor | |
| JPH11237727A (en) | Phase shift mask blank and phase shift mask | |
| JP2002090977A (en) | Phase shift mask blank, photomask blank as well as manufacturing apparatus and manufacturing method for the same | |
| JP4489820B2 (en) | Phase shift mask blank manufacturing method and phase shift mask blank manufacturing apparatus | |
| EP2664962B1 (en) | Photomask blank manufacturing method, photomask blank, photomask, pattern transfer method, and sputtering device | |
| JP4809749B2 (en) | Photomask blank manufacturing method | |
| TWI828864B (en) | Photomask blank, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing display device | |
| KR20150066456A (en) | Sputter deposition method, sputtering system, manufacture of photomask blank, and photomask blank | |
| JP2001109129A (en) | PHASE SHIFT MASK USING CrAlON AS PHASE SHIFT MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
| JP2011232725A (en) | Blank mask, photomask and method for manufacturing the same | |
| CN110029325B (en) | Film forming method | |
| JP2013189684A (en) | Method for manufacturing mask blank | |
| US7029802B2 (en) | Embedded bi-layer structure for attenuated phase shifting mask | |
| JP2001027799A (en) | Production of phase shift mask | |
| JP6173733B2 (en) | Mask blank, transfer mask, and manufacturing method thereof | |
| JP7195777B2 (en) | Mask blank material film manufacturing apparatus, mask blank material film manufacturing method, phase shift mask blank manufacturing method, and phase shift mask manufacturing method | |
| JP6783551B2 (en) | Manufacturing method of mask blanks | |
| JP2003231965A (en) | Phase shift mask blank, photomask blank and their manufacturing devices and processes | |
| WO2020054131A1 (en) | Phase shift mask blank, phase shift mask, light exposure method and method for producing device | |
| JPH0774149A (en) | Method and apparatus for dry etching |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170427 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170628 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171122 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171213 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6261929 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |