JP6255874B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…ドリフト領域
3…マスク材
4…電界緩和領域
5…窒化ガリウムウェハ(窒化ガリウム基板)
6a…裏面(窒化ガリウム面)
6b…主面
6c…裏面
7…カソード電極
8…表面保護絶縁膜
9…アノード電極
10…空乏層
11…順方向電流
61…平坦な面
62…凸部
Claims (7)
- 窒化ガリウムからなる基板と、前記基板にオーミック接触する電極とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板がガリウム極性面と、前記ガリウム極性面に対向する窒素極性面とを有しており、前記窒素極性面に対して塩酸を用いたウェットエッチングを行う工程と、
前記ウェットエッチングを行った窒素極性面に前記電極を形成する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウェットエッチングを行う工程は、前記基板の窒素極性面の酸化膜と、前記基板のガリウム極性面の表面酸化膜とを同時に除去することを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウェットエッチングで用いる塩酸の濃度が60%以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウェットエッチングで用いる塩酸が加熱されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極を形成する工程の後に、700℃以下で熱処理を行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極がTi/Alであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- ガリウム極性面と、前記ガリウム極性面と対向し、窒素極性面に対して塩酸を用いたエッチングが行われた窒化ガリウム面とを有する窒化ガリウムからなる基板と、
前記窒化ガリウム面にオーミック接触する電極
とを備え、
前記窒化ガリウム面において、前記窒素極性面からなる平坦な面と、前記窒素極性面よりも塩酸を用いたウェットエッチングでのエッチング速度が遅い六方晶状の凸部とにより凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013211727A JP6255874B2 (ja) | 2013-10-09 | 2013-10-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013211727A JP6255874B2 (ja) | 2013-10-09 | 2013-10-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015076506A JP2015076506A (ja) | 2015-04-20 |
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JP2013211727A Active JP6255874B2 (ja) | 2013-10-09 | 2013-10-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6255874B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106601825B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-12-03 | 中国科学院微电子研究所 | 氮化镓基功率二极管及其制作方法 |
CN110504330B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-11-08 | 广微集成技术(深圳)有限公司 | 一种肖特基二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6791120B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
JP2004071657A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体素子、iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2006100801A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
JP4670489B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-04-13 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007273844A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
WO2011078252A1 (ja) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 株式会社トクヤマ | III族窒化物半導体のn型コンタクト電極およびその形成方法 |
WO2012090254A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | n型III族窒化物半導体層とのオーミック接触用の電極とその製造方法 |
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2013
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015076506A (ja) | 2015-04-20 |
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