JP6253070B2 - 有機電子素子用基板およびこの製造方法 - Google Patents

Description

本出願は有機電子素子用基板、有機電子素子用基板の製造方法および有機電子素子用基板の用途に関するものである。

有機電子素子（ＯＥＤ； Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）は、例えば、電流を伝導することができる有機材料の層を一つ以上含む素子である。有機電子素子の種類には有機発光素子（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）または有機トランジスターなどが含まれる。

有機電子素子の代表的な一例である有機発光素子は、通常的に基板、第１電極層、有機層および第２電極層を順に含む。前記有機発光素子は通常上部発光型素子（ｔｏｐ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）、下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）および両面発光型素子に分類することができる。いわゆる下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼称される構造においては、第１電極層を透明電極層で形成し、第２電極層を反射電極層で形成することができ、いわゆる上部発光型素子（ｔｏｐ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼称される構造においては第１電極層を反射電極層で形成し、第２電極層を透明電極層で形成することができ、いわゆる両面発光型素子と呼称される構造においては第１電極層および第２電極層を透明電極層で形成することができる。電極層によって注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が有機層に存在する発光層で再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）されて光が生成され得る。

最近ではフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）有機発光素子に対する関心が高まり、前記有機発光素子の構造においてガラス基板をプラスチック基板に代替しようとする技術に対する需要が増加している。

しかしながら、プラスチック基板は水分および酸素の浸透に脆弱な短所を有している。特に、このプラスチック基板を利用して有機発光素子を含むディスプレイ装置を製造する場合、基板から水分および酸素の浸透がなされ、有機発光素子の寿命を短縮させる結果を招く恐れがある問題点がある。

従来にはこのようなプラスチック基板の水分および酸素の浸透を防止するために、プラスチック基板の表面に単一の無機バリアー層を形成するか、無機金属層と有機層を積層する構造または無機バリアー層を粘着層を媒介として複数積層する構造などを通して前記問題を克服しようとした。しかし、このような構造にもかかわらず、バリアー層の局部的な結晶化によってバリアー層とプラスチック基板の接着力が低下したり、水分などが浸透してＯＬＥＤディスプレイで要求される水蒸気透過度（Ｗａｔｅｒ Ｖａｐｏｒ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｒａｔｅ、ＷＶＴＲ）を満足しないなどの問題点が存在した。

また、前記のような無機バリアー層の構造に起因し、例えば、下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）と呼称される構造で透明電極層である第１電極層が下部無機バリアー層によるストレス（ｓｔｒｅｓｓ）に影響を受けるようになり膜分離またはクラック（Ｃｒａｃｋ）などの現象が発生し得る問題点が存在した。

米国特許第６，２２６，８９０号 米国特許第６，８０８，８２８号 特開２０００−１４５６２７号公報 特開２００１−２５２５０５号公報

前記のように発生する応力などの要因によって有機物の層と無機物の層が混在された構造では層間剥離などが容易に発生し、これは有機電子素子の耐久性などに悪影響を及ぼす。したがって、本出願は、前記のような問題を誘発しない有機電子素子用基板を提供することを一つの主要な目的とする。本出願はまた、前記のような有機電子素子用基板を用いて耐久性が優秀でありながらも光抽出効率などの要求物性も優秀な有機電子素子を提供することを目的とする。

例示的な有機電子素子用基板は、フレキシブル基材フィルム、無機物層および弾性層を含むことができる。前記において無機物層は基材フィルムの上部に形成することができる。この場合、弾性層は前記無機物層の上部または下部に形成されるか、あるいはその内部に形成することができる。図１は基材フィルム１０上に無機物層２０と弾性層３０が順次形成された構造を示し、図２は基材フィルム１０と無機物層２０の間に弾性層３０が形成された構造、図３は無機物層２０の内部に弾性層３０が形成されている構造である。前記基板は前記図１〜３に示された構造の複合形態を取ることもできる。例えば、弾性層は、無機物層の上部、下部またはその内部のうち２ヶ所以上にも形成することができる。また、前記基板で弾性層と無機物層は複数回繰り返されて形成することもできる。

必要な場合に前記無機物層は、少なくとも２層以上の薄い厚さの層の多層構造を含み、形成過程にて結晶性が抑制されて優秀な物性、例えば、バリアー性を有することができる。また、前記多層構造の採用を通じてバリアー性を有する無機物層には付与することが困難であった物性、例えば高屈折率を兼ね備えた無機物層を形成することができる。

本出願の基板に適用されるフレキシブル基材フィルムの種類は特に制限されない。例えば、基材フィルムとして業界で通常フレキシブル素子の具現に用いることができるものとして知られているもの、例えば、０．０５ＭＰａ〜５，０００ＭＰａまたは０．５ＭＰａ〜２，５００ＭＰａ範囲の弾性係数を有するフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）層であり得る。

このような基材フィルムの代表的な例としては、高分子フィルムなどがある。高分子フィルムの例としては、トリアセチルセルロース、エチレンビニルアルコール、ポリビニリデンクロライド、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミック酸、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリメタアクリレート、環状オレフィン共重合体、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアマイドまたはポリスルホンなどを含むフィルムが例示されるが、これに制限されるものではない。

基材フィルムとしては、無機物層との界面密着性の改善のために前記無機物層と反応できる官能基が導入されたものを用いることができる。例えば、ヒドロキシ基、アミノ基またはカルボキシル基などの官能基は後述するＡＬＤ方式で形成される無機物層と化学的に反応することができ、これにより、前述した優秀な密着性を確保することができる。前記のような官能基を基材フィルムに導入する方式は特に制限されず、例えば、基材フィルムを形成する高分子自体が前記のような官能基を含むか、あるいは高分子が前記官能基を有していないか、あるいは有してもその比率が少ないものを用いる場合には基材フィルムの表面をコロナ放電またはプラズマ処理する方式でも前記官能基を導入することができる。適切な界面密着性の確保のために前記官能基を導入する比率を制御することができる。

基材フィルムとしては、透光性フィルムを用いることができる。一例として、有機電子素子用基板が下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）に適用される場合には、透光性基材フィルム、例えば、可視光領域の光に対する透過率が５０％以上、６０％以上または７０％以上である高分子フィルムを用いることができる。一方、有機電子素子用基板が上部発光型素子（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）に適用される場合には、基材フィルムが必ずしも透光性である必要はなく、必要であれば基材フィルム（Ａ）の表面などにはアルミニウムなどの反射性物質を用いて反射層を形成していることもあり得る。基材フィルムは、駆動用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が存在するＴＦＴ基材フィルムであり得る。

前記基板が下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ）に適用される場合には、ヘイズ（ｈａｚｅ）があるものを用いることができる。ヘイズを有する場合には基材フィルムのヘイズは３％〜９０％の範囲内にあり得る。ヘイズの他の下限は、例えば、８５％、８０％、７０％、７０％、６５％、６０％、５５％、４５％、４０％、３５％または３０％程度であり得る。すなわち、本出願の前記基板はヘイズが３％〜３０％の範囲内にあり得る。

基材フィルムにヘイズを有するようにする方法は特に制限されず、ヘイズを発生させるために通常適用されている方式を適用することができる。例えば、基材フィルムが高分子フィルムである場合、周辺の高分子マトリックスとは異なる屈折率を有し、適切な平均粒径を有する散乱粒子を添加する方式や、高分子自体にヘイズを示すことができるようにする単量体、例えば、高分子の主鎖とは異なる範囲の屈折率を示す単量体を重合させ、このような高分子を用いてフィルムを形成する方法などを適用することができる。

基材フィルムは熱膨張係数（ＣＴＥ）が約５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃の範囲内にあり得る。このような範囲は有機物層と無機物層とが混在されている構造で発生し得る層間剥離などの欠陥の防止に有利となり得る。

基材フィルムはガラス転移温度が約２００℃以上であり得る。このようなガラス転移温度は基材フィルム自体のガラス転移温度であるか、後述するバッファー層が形成されている基材フィルムのガラス転移温度であり得る。このような範囲は有機電子素子の製造過程での蒸着またはパターンのための高温工程に適合し得る。ガラス転移温度は、他の例示において、約２１０℃以上、約２２０℃以上、約２３０℃以上、約２４０℃以上または約２５０℃以上であり得る。ガラス転移温度の上限は特に制限されず、例えば、４００℃、３５０℃または３００℃程度であり得る。

基材フィルムは表面粗さ（ＲＭＳ、Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）が０．１ｎｍ〜５ｎｍ範囲内で調節され得る。このような表面粗さは基材フィルム自体の表面に対するものか、後述するバッファー層が形成されている基材フィルムの前記バッファー層の表面に対するものであり得る。このような表面粗さの範囲は上部に形成される層の性能の改善に有利となり得る。例えば、上部無機物層がバリアー性を有するように形成される場合に前記範囲の表面粗さを有する表面に前記無機物層を形成すると、より優れた水分遮断性などを有する層を形成することができる。表面粗さは、他の例示において、約４ｎｍ以下、約３ｎｍ以下、約２．５ｎｍ以下または約２ｎｍ以下であり得る。

基材フィルムは、屈折率が約１．５以上、約１．６以上、約１．７以上、約１．７５以上または約１．８以上であり得る。本明細書において用語、屈折率は、特に規定しない限り、約５５０ｎｍ波長の光で測定した屈折率である。有機発光素子で基材フィルムの前記屈折率の範囲は素子の光効率を上げることに有利となり得る。基材フィルムの屈折率の上限は特に制限されず、例えば、約２．０程度であり得る。

このような基材フィルムの高屈折率は高屈折率を有する高分子を通じて前記基材フィルムを製造するか、基材フィルムを製造する過程でフィルム内に高屈折率を有する成分を配合して達成することができる。

基材フィルムの厚さは特に制限されず、目的とする性能、例えば、可撓性や光抽出効率またはバリアー性を考慮して適正範囲で選択されることができる。例えば、基材フィルムの厚さは約１０μｍ〜約５０μｍの範囲内または約２０μｍ〜約３０μｍの範囲内であり得る。

基材フィルム上には無機物層が存在する。本明細書において用語、無機物層は、例えば、重量を基準として無機物を５０％以上または６０％以上含む層であり得る。無機物層は、無機物だけを含むか、前記範囲内で無機物を含むであれば有機物のような他の成分を含むこともできる。

無機物層は、例えば、バリアー層であり得る。本明細書において用語、バリアー層は、水分または湿気のように有機物層などの素子の性能に悪い影響を与えることができる外部因子の浸透を遮断、抑制または緩和できる層であり得る。例えば、バリアー層は、ＷＶＴＲ（Ｗａｔｅｒ Ｖａｐｏｒ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｒａｔｅ）の範囲が１０^−６ｇ／ｍ^２／ｄａｙ〜１０^−３ｇ／ｍ^２／ｄａｙである層であり得る。本明細書においてＷＶＴＲは、４０℃および９０％の相対湿度条件で測定機（例えば、ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／Ｗ３１、ＭＯＣＯＮ，Ｉｎｃ．）を用いて測定された数値であり得る。

バリアー層は水分および酸素などの外部因子の浸透を緩和、防止または抑制できるものとして知られている素材を用いて形成することができる。このような素材としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｌａ、ＴｉまたはＮｉなどの金属；前記金属の酸化物；前記金属の窒化物；前記金属の酸窒化物または前記金属のフッ化物などやその他吸収率が１％以上である吸水性材料や吸収係数が０．１％以下である防湿性材料などで知られている材料が含まれ得る。

無機物層を一般の蒸着方式で形成する場合に材料の特性上、結晶化が進行される可能性が高く、無機物層の局部的な結晶化によって目的とするＷＶＴＲを達成できないなどの問題点が発生する可能性がある。ところが、後述するように形成される無機物層を金属酸化物のような酸化物層にする方式、薄い厚さの層を複数回繰返し形成させる方式、前記複数回繰返し形成時に隣接する各サブ層の材料を異ならせて制御する方式および前記各サブ層の材料を互いに異ならせるものの、各サブ層がすべて金属酸化物のような酸化物層となるようにする方式のうちいずれか一つの方式を採用することによって、無機物層の結晶化を防止し、目的とする有機電子素子用基板を含む製品にて要求されるＷＶＴＲを達成できるようになる。

無機物層は基材フィルムとの屈折率の差ができる限り小さいのが適切であり得る。このような場合は特に光抽出効率が優秀な基板を形成することに寄与することができる。例えば、無機物層と基材フィルムとの屈折率の差の絶対値は、約１以下、約０．７以下、約０．５以下または約０．３以下であり得る。したがって、基材フィルムが前述した通り、高屈折率を有する場合には無機物層にもそれと同等なレベルの屈折率を確保しなければならない。例えば、無機物層の屈折率は、約１．８以上、約１．８５以上、約１．９以上または約２．０以上であり得る。本出願において、基板が適用される有機電子素子が有機発光素子の場合、基材フィルムの前記屈折率の範囲は素子の光効率を上げることに有利となり得る。無機物層の屈折率の上限は特に制限されず、例えば、約２．２程度であり得る。すなわち、本出願の無機物層の屈折率は１．８〜２．２の範囲であり得る。

無機物層の厚さは、目的用途による効果によって決定することができ、その範囲は特に制限されないが、一つの例示において、約１０ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜９０ｎｍ、１０ｎｍ〜８０ｎｍ、１０ｎｍ〜７０ｎｍ、１０ｎｍ〜６０ｎｍ、１０ｎｍ〜５０ｎｍまたは２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であり得る。

無機物層は単層または多層構造であり得るが、前述のような結晶化度を満足させるために多層構造であることが要求されることもある。多層構造は、同種または異種の無機物層が積層された構造を含むことができる。無機物層を多層構造で形成することは、前述した界面密着性を有し、前記言及した結晶化度を有する無機物層を形成することに寄与することができる。また、多層構造で無機物層を形成することは、前述した屈折率を有する無機物層の形成にも寄与することができる。

多層構造である場合、無機物層は、少なくとも第１サブ層と第２サブ層の積層構造を含むことができる。無機物層に要求される界面密着性、結晶化度、バリアー性ないしは屈折率などを考慮して第１および第２サブ層の厚さを調節することができる。例えば、第１および第２サブ層の厚さはすべて７ｎｍ以下、６ｎｍ以下、５ｎｍ以下、４ｎｍ以下、３ｎｍ以下または２ｎｍ以下の範囲内で調節することができる。サブ層の厚さの下限は特に制限されない。前記サブ層は、その厚さが薄いほど界面密着性、結晶化度、バリアー性および屈折率の調節などに対する寄与度が増加するが、前記サブ層の厚さが薄くなると、目的の厚さに到達するために必要な工程数が増加する恐れがある。したがって、前記サブ層の厚さの下限は目的とする厚さなどを考慮して適正範囲に設定することができ、例えば、約０．１ｎｍ以上の範囲で調節することができる。

界面密着性、結晶化度、バリアー性および屈折率などを考慮し、多層構造の無機物層に含まれるすべてのサブ層の厚さを前記範囲内で調節することができる。このような場合には無機物層は厚さが１０ｎｍ、９ｎｍ、８ｎｍ、好ましく７ｎｍを超過するサブ層は含まないこともある。

無機物層内に含まれるサブ層の数は特に制限されない。前記サブ層の厚さと目的とする無機物層の厚さにより決定され得る。一つの例示において、前記無機物層は、２個〜５０個のサブ層を含むことができる。前記範囲でサブ層は４個以上、６個以上、８個以上または１０個以上含むことができる。また、前記範囲内でサブ層は４５個以下、４０個以下、３５個以下、３０個以下、２５個以下、２０個以下、または１５個以下で含まれ得る。無機物層が３個以上のサブ層を含む場合に各サブ層はすべて前記第１および第２サブ層であることがあり、その他に第３サブ層またはそれ以上のサブ層も含むことができる。

サブ層は多様な材料で形成することができるが、界面密着性、結晶化度、バリアー性および屈折率などに寄与する側面から無機物層を形成することができる前述したＩｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｌａ、ＴｉまたはＮｉなどの金属；前記金属の酸化物；前記金属の窒化物；前記金属の酸窒化物または前記金属のフッ化物などで形成することができる。したがって、前記第１および第２サブ層は酸化物層、窒化物層または酸窒化物層であり得る。必要であれば、無機物層に含まれるすべてのサブ層は前記酸化物で形成してもよい。このような場合に使用できる酸化物の種類は特に制限されず、前記言及したバリアー層の形成が可能な酸化物のうち適正に選択することができる。サブ層の中で互いに接触しているサブ層はそれぞれ異なる材料で形成されるものであれば、界面密着性、結晶化度、バリアー性および屈折率などに寄与することができる。したがって、前記第１および第２サブ層が互いに接触しているのであれば、前記互いに異なる材料、例えば、互いに異なる酸化物、窒化物または酸窒化物で形成することができる。無機物層が前記の通り、第３サブ層、第４サブ層またはそれ以上のサブ層を含む場合にも、互いに接触しているサブ層は他の材料、例えば他の酸化物で形成することができる。

第１サブ層は第１屈折率を有し、第２サブ層は前記第１屈折率とは異なる第２屈折率を有することができる。このような層を積層すると、前述した効果を確保しながらも無機物層の屈折率を前記言及した範囲で調節することに有利となり得る。第１屈折率と第２屈折率の差の絶対値は、例えば、０．１以上であり得る。前記絶対値は他の例示において、０．２以上、０．３以上、０．４以上、０．５以上または０．６以上であり得る。また、前記絶対値は他の例示において、２以下、１．８以下、１．６以下、１．４以下または１．２以下の範囲内にあり得る。第１および第２屈折率のそれぞれの範囲は前記屈折率の範囲が確保されるのであれば特に制限されないが、例えば、第１サブ層の屈折率は、１．４〜１．９の範囲内であり、第２サブ層の屈折率は２．０〜２．６の範囲内であり得る。前記のような第１および第２サブ層は、それぞれ金属酸化物層であり得る。

より具体的には、前記材料および形態を含むバリアー層は、例えば、基材フィルム上に第１サブ層とし、Ａｌ_２Ｏ_３層および第２サブ層とし、ＴｉＯ_２層を順に形成することを繰返し遂行し、前記Ａｌ_２Ｏ_３層およびＴｉＯ_２層が交互に積層されている構造を含むものであり得る。また、前記第２サブ層とし、ＴｉＯ_２層の代わりにＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_５またはＴａＯ_５などの、屈折率が前述した範囲を満足する層を形成することもできる。

無機物層または各サブ層は、公知の方式を通じて形成することができるが、界面密着性の確保などの観点からＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で形成した方が有利である。ＡＬＤ方式は、例えば、有機金属のような前駆体と水のような前駆体を交互に被着表面上に蒸着させる過程を含み、この過程で前記各前駆体の単層（ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）が交互に形成されることを意味することがあり、より具体的な説明は後述する。このようなＡＬＤ方式によって形成される層は、基材フィルムに所定の官能基、例えば、前述したヒドロキシ基などが存在する場合にその官能基と形成過程にて反応することもあり、したがって、目的とする界面密着性を確保することができる。本明細書において特に規定しない限り、用語ＡＬＤ層はＡＬＤ方式で形成された無機物層を意味し得る。

ＡＬＤ方式の他に適用できる無機物層またはサブ層の形成方式としては、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、電子ビーム蒸着（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはＬ−ＭＢＥ（Ｌａｓｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）などのようなＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）、ｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などのＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方式を例示することができる。必要な場合に前記方式の中で使用素材に応じて適切な方式を選択することによって無機物層の性能を最大化することができる。

前述した通り、基板は前記無機物層の上部、下部または内部に弾性層を含むことができる。本出願において、用語弾性層は２３℃の温度での弾性係数が２０ＧＰａ〜４００ＧＰａである物質を含む層を意味し得る。前記物質の弾性係数は、他の例示において、３０ＧＰａ以上、４０ＧＰａ以上または５０ＧＰａ以上であり得る。また、前記弾性係数は、他の例示において、３５０ＧＰａ以下、３００ＧＰａ以下、２５０ＧＰａ以下、２００ＧＰａ以下、１５０ＧＰａ以下または１００ＧＰａ以下であり得る。このような範囲の弾性係数を有する物質を用いて弾性層を形成することによって無機物層と有機物層が混在された構造で発生し得る応力を効果的に緩和することができる。弾性層は前記のような物質を主成分で含むことができる。前記において主成分で含むとは、弾性層が前記物質を重量基準で６０％以上、７０％以上、８０％以上または９０％以上含む場合を意味し得る。

弾性層を形成する物質の具体的な種類は、前述した範囲の弾性係数を有する限り特に制限されない。各物質は固有の弾性係数を有し、前記固有の弾性係数は物質別に公知である。本出願においてはこのような公知の物質の中で前記弾性係数を有するものとして知られた物質を選択して前記弾性層を形成することができる。

例えば、弾性層は、ＴｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯまたはＺｒＯ_２などを用いて形成することができる。前記のような物質は前述した範囲の弾性係数を有すると知られている。前記のような物質の層は、例えば、前記物質を通常の蒸着方式で蒸着させて形成することができる。

他の例示において、弾性層は、有機物質または有無機複合物質を用いて形成することができる。例えば、前記弾性層は、金属キレート化合物とアルキレングリコールを含むか、前記複合物（反応物）を含む層であり得る。このような層は、前述した無機物層またはサブ層の形成方法と同じ方法で形成することができ、一例として、ＭＬＤ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で形成することができる。ＭＬＤ方式はＡＬＤ方式と類似の方式で、この過程で有機素材または無機素材を含む分子フラグメント（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｆｒａｇｍｅｎｔ）が蒸着され得る。前記弾性層で適用されることができる物質としては、例えば、トリメチルアルミニウムなどのようなトリアルキルアルミニウム、ジエチル亜鉛、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルキレングリコール、ハイドロキノンなどの芳香族ジオール化合物、エタノールアミン、トリエタノールアミンまたはマレイン酸無水物などが挙げられる。

例えば、ＭＬＤ方式で前述した金属キレートとアルキレングリコールを交互に蒸着させることによって、効果的な範囲の弾性係数を有する物質を含む弾性層を形成することができる。

他の例示において、前記弾性層は、下記の化学式１または２で表示される化合物の重合単位を含むｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）層であり得る。本出願において、用語ｉＣＶＤ層はｉＣＶＤ法で形成された層を意味し、ｉＣＶＤ法は有機電子素子用基板の製造方法で具体的に後述する。

［化学式１］
Ｒ^１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ）_ｎＲ^１

化学式１または２でＲ^１、Ｒ^ｄおよびＲ^ｅはそれぞれ独立的に水素、ヒドロキシ基、エポキシ基、アルコキシ基または１価炭化水素基であるものの、Ｒ^１中の少なくとも一つはアルケニル基で、Ｒ^ｄおよびＲ^ｅ中の少なくとも一つはアルケニル基であり、ｎは１〜１０の範囲内の数、ｏは３〜１０の範囲内の数である。

化学式１でアルコキシ基の例としては、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４の直鎖、分枝鎖または環状アルコキシ基が挙げられる。

化学式１でエポキシ基は、特に規定しない限り、３個の環構成原子を有する環状エーテル（ｃｙｃｌｉｃ ｅｔｈｅｒ）または前記環状エーテルを含む化合物から誘導された１価残基を意味し得る。エポキシ基としては、グリシジル基、エポキシアルキル基、グリシドキシアルキル基または脂環式エポキシ基などが挙げられる。前記において脂環式エポキシ基は、脂肪族炭化水素環構造を含み、前記脂肪族炭化水素環を形成している２個の炭素原子がさらにエポキシ基を形成している構造を含む化合物から由来する１価残基を意味し得る。脂環式エポキシ基としては、６〜１２個の炭素原子を有する脂環式エポキシ基が挙げられ、例えば、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基などが挙げられる。

エポキシ基、アルコキシ基または１価炭化水素基に任意的に置換され得る置換基としては、塩素またはフッ素などのハロゲン、グリシジル基、エポキシアルキル基、グリシドキシアルキル基または脂環式エポキシ基などのエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、イソシアヌレート基、チオール基または１価炭化水素基などが例示されるが、これに制限されるものではない。

また、前記用語、炭化水素基は、炭素と水素からなる化合物またはそのような化合物の誘導体から誘導される１価残基を意味し得る。炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリル基などが挙げられる。

本出願において、用語「アルキル基」とは、特に規定しない限り、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルキル基を意味し得る。前記アルキル基は直鎖型、分枝鎖型または環状であり得る。また、前記アルキル基は任意的に一つ以上の置換基で置換され得る。

本出願において、用語「アルケニル基」とは、特に規定しない限り、炭素数２〜２０、炭素数２〜１６、炭素数２〜１２、炭素数２〜８または炭素数２〜４のアルケニル基を意味し得る。前記アルケニル基は直鎖型、分枝鎖型または環状であり得、任意的に一つ以上の置換基で置換され得る。

本出願において、用語「アルキニル基」とは、特に規定しない限り、炭素数２〜２０、炭素数２〜１６、炭素数２〜１２、炭素数２〜８または炭素数２〜４のアルキニル基を意味し得る。前記アルキニル基は直鎖型、分枝鎖型または環状であり得、任意的に一つ以上の置換基で置換され得る。

本出願において、用語「アリール基」とは、特に規定しない限り、ベンゼン環または２個以上のベンゼン環が縮合または結合した構造を含む化合物またはその誘導体から由来する１価残基を意味し得る。アリール基の範囲には通常的にアリール基と呼称される官能基はもちろん、いわゆるアラルキル基（ａｒａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）またはアリールアルキル基なども含まれ得る。アリール基は、例えば、炭素数６〜２５、炭素数６〜２１、炭素数６〜１８または炭素数６〜１２のアリール基であり得る。アリール基としては、フェニル基、ジクロロフェニル、クロロフェニル、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基（ｘｙｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）またはナフチル基などが挙げられる。

より具体的なｉＣＶＤ層に含まれ得る重合単位化合物は、例えば、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヘキサビニルシロキサン、トリビニルトリメチルシクロトリシロキサン、テトラビニルトリメチルシクロシロキサンまたは１，３，５−トリビニル−１，１，３，５，５−ペンタメチルトリシロキサンなどのシロキサン化合物などであり得るが、これに制限されるものではない。

前記のような素材で１層または複数層の弾性層を形成し、素子内部に発生する応力を効果的に緩和することができる。

弾性層は、例えば、１．７以下、１．７未満、約１．４〜１．７または約１．４以上で１．７未満の屈折率を有する低屈折の層であるか、あるいは１．８〜２．０の範囲内の屈折率を有する素材であり得る。前記において弾性層が低屈折の層である場合に前記無機物層および基材フィルムのうち少なくとも一つは高屈折、例えば、１．７〜２．２または１．８〜２．２の範囲内の高屈折率を有することが光抽出効率などの側面で有利となり得る。

弾性層の厚さは目的とする効果、例えば、弾性係数などを考慮して適切に定められるもので、特に限定されないが、例えば、約１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有することができる。このような範囲で適切な界面密着性が確保されながら、層間剥離などの短所も解消することができる。

本出願の基板は、追加的な層を含むことができる。例えば、本出願の基板は前述した無機物層と基材フィルム間の界面密着性の達成のために無機物層と基材フィルムの間にバッファー層をさらに含むことができる。ただし、バッファー層は必須の構成ではなく、例えば、前述した特定官能基が導入された基板を通じて目的とする界面密着性が達成されるのであれば、前記バッファー層は要求されないこともある。

本出願の基板はまた、追加的な層として前記無機物層上に存在する電極層を含むことができる。

電極層としては、有機電子素子で通常的に用いられる正孔注入性または電子注入性電極層を用いることができる。前記電極層は透明電極層であるか、反射電極層であり得る。

正孔注入性である電極層は、例えば、相対的に高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する材料を用いて形成でき、必要な場合に透明または反射材料を用いて形成することができる。例えば、正孔注入性電極層は、仕事関数が約４．０ｅＶ以上の金属、合金、電気伝導性化合物または前記中の２種以上の混合物を含むことができる。このような材料としては、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムまたはインジウムがドープされた亜鉛オキシド、マグネシウムインジウムオキシド、ニッケルタングステンオキシド、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２またはＩｎ_２Ｏ_３などの酸化物材料や、ガリウムナイトライドのような金属ナイトライド、亜鉛セレニドなどのような金属セレニド、亜鉛スルフィドのような金属スルフィドなどが挙げられる。透明な正孔注入性電極層は、また、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属薄膜とＺｎＳ、ＴｉＯ_２またはＩＴＯなどのような高屈折の透明物質の積層体などを用いても形成することができる。

正孔注入性電極層は、蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的手段などの任意の手段で形成することができる。また、必要に応じて形成された電極層は公知されたフォトリソグラフィやシャドーマスクなどを用いた工程を通じてパターン化することもできる。

電子注入性電極層は、例えば、相対的に小さい仕事関数を有する材料を用いて形成することができ、例えば、前記正孔注入性電極層の形成のために用いられる素材の中で適切な透明または反射素材を用いて形成することができるが、これに制限されるものではない。電子注入性電極層も、例えば、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて形成することができ、必要な場合に適切にパターニングされ得る。

電極層の厚さは、例えば、約９０ｎｍ〜２００ｎｍ、９０ｎｍ〜１８０ｎｍまたは約９０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さを有するように形成することができる。

本出願はまた、有機電子装置に関するものである。前記有機電子素子は、前述した有機電子素子用基板；および前記基板の無機物層上に存在する第１電極層、有機物層および第２電極層を有する素子領域を含むことができる。ただし、有機電子素子用基板が前述した電極層を含む場合には前記電極層が前記第１電極層として作用することができる。

例示的な有機電子素子は、上部方向に順次存在する前記基材フィルムと無機物層を含む前記基板、第１電極層、有機物層、第２電極層、第２無機物層およびカバーフィルムを含むことができる。前記各層は隣接する層との間に他の層が存在しない状態で直接積層されているか、あるいは他の層を媒介として積層されていることもあり得る。

本明細書において用語、上部方向は特に規定しない限り、第１電極層から第２電極層に向かう方向を意味し、用語下部方向は特に規定しない限り、第２電極層から第１電極層に向かう方向を意味する。

以下、明細書においては説明の便宜上、前記構造で第１電極層の下部に存在するすべての要素（第１電極層は除外）を含む領域を基板領域と呼び、第１電極層と第２電極層およびその間に存在するすべての要素を含む領域を素子領域と呼び、第２電極層の上部に存在するすべての要素（第２電極層は除外）を含む領域を上部領域と呼ぶ。

基板領域は、ヘイズが３％〜９０％、３％〜８５％、３％〜５０％または３％〜３０％の範囲内にあり得る。このようなヘイズ範囲は、例えば、光抽出効率を上げることに有利となり得る。必要であれば、より高い光抽出効率のために後述するように発光層の電極層との間隔などの他の要素も調節することができる。ただし、有機層での光が上部方向に放出される構造を設計する場合には基板領域のヘイズが必ずしも前述した範囲に属しない。基板領域のヘイズを調節するために、基板領域の基材フィルムのヘイズを調節するか、後述する散乱層や散乱接着剤などを適用することができる。

基板領域は、追加的な層を含むことができる。基板領域に追加的に存在することができる層としては、散乱層、バッファー層、キャリア基板、バリアーフィルムまたは接着層などが挙げられる。

バッファー層は、層間密着性を確保したり、前述した基材フィルムの表面粗さの調節のために形成することができる。バッファー層は、例えば、基材フィルムの上部、散乱層が形成される場合にその上部またはバリアー層と第１電極層の間などに形成することができるが、これに制限されるものではない。後述するように、必要な場合には上部領域もバッファー層を形成することができ、本明細書においては区別の便宜上、基板領域に形成されるバッファー層を第１バッファー層と呼び、上部領域に形成されるバッファー層を第２バッファー層と呼ぶことができる。

バッファー層は高屈折層で形成することができる。本明細書において用語、高屈折層は、屈折率が約１．６以上、約１．６５以上、約１．７以上または約１．７５以上である層を意味し得る。高屈折層の屈折率の上限は特に制限されず、例えば、約２．５または約２．０程度であり得る。このような屈折率は、例えば光抽出効率を改善することに有利となり得る。

バッファー層は、効率的な形成が可能で、層間密着性や平坦度を適切に確保することができる素材であれば特に制限されず、適切な素材を用いて形成することができる。バッファー層は、例えば、Ａｌなどの金属、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｖ、ＳｉＮ_ｘ、ＡｌＯ_ｘ、ＺｎＳｎＯ_ｘ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ＺｎＳ、ＭｇＯまたはＳｎＯ_ｘなどの無機素材、ポリイミド、フルオレン環を有するカルド系樹脂（ｃａｌｄｏ ｒｅｓｉｎ）、ウレタン、エポキシド、ポリエステル、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリチオール、ポリ（（メタ）アクリレート）または有機シリコンなどのような有機素材などを用いて形成することができる。前記において、有機シリコンとしては、前記無機層の項目で言及した化合物またはそれを重合単位で含む高分子が挙げられる。他の例示において、バッファー層は、ジルコニウム、チタンまたはセリウムなどの金属のアルコキシドまたはアシレート（ａｃｙｌａｔｅ）などの化合物をカルボキシル基またはヒドロキシ基などの極性基を有するバインダーと配合した素材を用いて形成することもできる。前記アルコキシドまたはアシレートなどの化合物はバインダーにある極性基と縮合反応し、バインダーの骨格内に前記金属を含ませて高屈折率を具現することができる。前記アルコキシドまたはアシレート化合物の例としては、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタンまたはテトラエトキシチタンなどのチタンアルコキシド、チタンステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）などのチタンアシレート、チタンキレート類、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム、テトラ−ｎ−プロポキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウムまたはテトラエトキシジルコニウムなどのジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムトリブトキシステアレートなどのジルコニウムアシレート、ジルコニウムキレート類などが挙げられる。

バッファー層を前述した素材の中で適切な素材を選択して形成することができる。バッファー層が高屈折率を有することが要求される場合に、前述した素材の中で素材自体の屈折率が高いものを選択するか、あるいは前記において選択された適切な素材と高屈折粒子を配合するか、あるいは素材中にＴｉ前駆体（Ｔｉ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）などのような高屈折物質を導入した素材を用いることができる。本明細書において用語、「高屈折粒子」とは、例えば、屈折率が１．５以上、２．０以上２．５以上、２．６以上または２．７以上である意味し得る。高屈折粒子の屈折率の上限は、例えば、目的とする屈折率を満足させることができる範囲で選択することができる。高屈折粒子は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜９０ｎｍ、１０ｎｍ〜８０ｎｍ、１０ｎｍ〜７０ｎｍ、１０ｎｍ〜６０ｎｍ、１０ｎｍ〜５０ｎｍまたは１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度の平均粒径を有することができる。高屈折粒子としては、アルミナ、アルミノシリケート、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムなどが挙げられる。高屈折粒子としては、例えば、屈折率が２．５以上である粒子であって、ルチル型酸化チタンを用いることができる。ルチル型の酸化チタンはその他の粒子と比べて高屈折率を有し、したがって相対的に少ない比率でも目的とする屈折率への調節が可能であり得る。

バッファー層を形成する方式は特に制限されず、例えば、前述したＰＶＤまたはＣＶＤの中で適切な方式を適用することができ、特にｉＣＶＤ方式が適合し得る。他の例示において、バッファー層は、チタンアルコキシドまたはジルコニウムアルコキシドなどの金属アルコキシドおよびアルコールまたは水などの溶媒を配合してコーティング液を製造し、これを塗布した後、適正な温度で焼成するゾールゲルコーティング方式などを含む多様な湿式または乾式コーティング方式で形成することもできる。

バッファー層の厚さは特に制限されず、バッファー層が形成される位置およびその要求機能などを考慮して適切に選択することができる。例えば、バッファー層が平坦面を確保するために散乱層上に形成される場合には、平坦面の確保のために基材フィルム上に形成される場合と比べて多少高い厚さが要求され得る。

基板領域は適切なヘイズを確保するために散乱層をさらに含むことができる。本明細書において用語、散乱層は、例えば、その層に入射される光を散乱、屈折または回折させることができるように形成されるすべての種類の層を意味し得る。散乱層は前記のような機能を示すように具現される限り具現の形態は特に制限されない。

例えば、散乱層は、マトリックス物質および散乱性領域を含む層であり得る。本明細書において用語、「散乱性領域」は、例えば、マトリックス物質または前記バッファー層などのような周囲物質とは異なる屈折率を有し、また、適切な大きさを有して入射される光を散乱、屈折または回折させることができる領域を意味し得る。散乱性領域は、例えば、粒子、あるいは空いた空間であり得る。例えば、周囲物質とは異なりながらも周囲物質と比べて高いか低い屈折率を有する粒子を用いて散乱性領域を形成することができる。散乱性粒子の屈折率は、周囲物質、例えば、前記マトリックス物質および／またはバッファー層との屈折率の差が０．３を超過するかまたは０．３以上であり得る。例えば、散乱性粒子は、１．０〜３．５または１．０〜３．０程度の屈折率を有することができる。散乱性粒子の屈折率は、例えば、１．０〜１．６または１．０〜１．３であり得る。他の例示において、散乱性粒子の屈折率は、２．０〜３．５または２．２〜３．０程度であり得る。散乱性粒子としては、例えば、平均粒径が５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上，５００ｎｍ以上または１，０００ｎｍ以上の粒子が挙げられる。散乱性粒子の平均粒径は、例えば、１０，０００ｎｍ以下であり得る。散乱性領域は、また、前記のような大きさを有する空いた空間であって、空気が充填されている空間によっても形成され得る。

散乱性粒子または領域は、球形、楕円形、多面体または無定形のような形状を有し得るが、前記形態は特に制限されるものではない。散乱性粒子としては、例えば、ポリスチレンまたはその誘導体、アクリル樹脂またはその誘導体、シリコン樹脂またはその誘導体、またはノボラック樹脂またはその誘導体などのような有機材料、またはシリカ、アルミナ、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムのような無機材料を含む粒子などが挙げられる。散乱性粒子は、前記材料のうち、いずれか一つの材料だけを含むか、前記中の２種以上の材料を含んで形成され得る。例えば、散乱性粒子として中空シリカ（ｈｏｌｌｏｗ ｓｉｌｉｃａ）などのような中空粒子またはコア／セル構造の粒子も用いることができる。散乱層は散乱性粒子などの散乱性領域を維持するマトリックス物質をさらに含むことができる。用いることのできるマトリックス物質の種類は特に制限されず、例えば、前記バッファー層の形成に用いることができるものとして言及された素材の中で適切な素材を選択して用いることができる。

他の例示において、散乱層は、凹凸構造を有する層であり得る。散乱層の凹凸構造を適切に調節し、必要な場合にその上部に適切な屈折率を有するバッファー層を形成する場合に入射される光を散乱させることができる。凹凸構造を有する散乱層は、例えば、熱または光硬化性材料を硬化させる過程で、目的とする形状の凹凸構造を転写できる金型と接触させた状態で前記材料を硬化させるか、散乱層を形成する材料の層をあらかじめ形成した後でエッチング工程などを通して凹凸構造を形成して製造することができる。他の方式としては、散乱層を形成するバインダー内に適切な大きさおよび形状を有する粒子を配合する方式で形成することもできる。このような場合に前記粒子は必ずしも散乱機能を有する粒子である必要はないが、散乱機能を有する粒子を用いても構わない。

散乱層も、例えば、湿式または乾式コーティングなどのようなコーティング方式、あるいはＰＶＤまたはＣＶＤのような蒸着方式で形成することができ、他の方法としては、ナノインプリンティングまたはマイクロエンボシング方式なども適用することができる。

基板領域に含まれ得る他の層としては、バリアーフィルムが挙げられる。ガラス基板などのように材料属性上バリアー性が優秀な基板が用いられるリジッド構造と比べてフレキシブル構造ではバリアー性が相対的に低い基材フィルムが適用され、これによってバリアー性の補完のために追加的なバリアーフィルムが例えば基材フィルムの下部に存在することができる。バリアーフィルムとしては、特に制限されず、適切なバリアー性と必要な場合に透光性を確保できるものを用いることができる。

バリアーフィルムは例えば、接着層によって基材フィルムに付着していることができる。本明細書において用語、接着層は、通常的に接着剤と呼称されている物質はもちろんいわゆる粘着剤と呼称される素材または粘接着剤と呼称される素材などを用いて形成された層も包括する用語である。前記接着層を形成する素材は特に制限されず、例えば、アクリルポリマー、シリコンポリマー、ゴム系ポリマー、ＥＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）ポリマーまたはＰＩＢ（ｐｏｌｙｉｓｏｂｕｔｙｌｅｎｅ）などのようなオレフィンポリマーなどのような公知の粘／接着素材を用いて形成することができる。

接着層には適切な水分遮断素材を配合することができる。以下、本明細書において水分遮断素材が配合された接着層は遮断性接着層と呼称され得る。本明細書において用語、「水分遮断素材」は物理的または化学的反応などを通して、外部から流入する水分または湿気などを吸着または除去できる成分を総称する意味で用いられ得る。接着層に配合できる水分遮断素材の具体的な種類は特に制限されず、例えば、金属酸化物、有機金属酸化物、金属塩または五酸化燐（Ｐ_２Ｏ_５）などの一種または二種以上の混合物が挙げられる。前記において金属酸化物の具体的な例としては、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などが挙げられ、金属塩の例としては、硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳＯ_４）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ_４）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ_４）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ_４）、硫酸ガリウム（Ｇａ_２（ＳＯ_４）_３）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ_４）_２）または硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）などのような硫酸塩、塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ_２）、塩化イットリウム（ＹＣｌ_３）、塩化銅（ＣｕＣｌ_２）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタリウム（ＴａＦ_５）、フッ化ニオビウム（ＮｂＦ_５）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ_２）、臭化セシウム（ＣｅＢｒ_３）、臭化セレニウム（ＳｅＢｒ_４）、臭化バナジウム（ＶＢｒ_３）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ_２）、ヨウ化バリウムまたはヨウ化マグネシウム（ＭｇＩ_２）などのような金属ハロゲン化物；または過塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ_４）_２）または過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ_４）_２）などのような金属塩素酸塩などが挙げられるが、これに制限されるものではない。

接着層には適切な散乱粒子を配合することができ、これにより、接着層自体が適切なヘイズを示すこともできる。接着層にヘイズを示すようにする場合に光抽出効率が改善され得る。接着層に配合できる散乱粒子の種類は特に制限されず、接着層を形成する樹脂の屈折率を考慮して前記散乱層に含まれる散乱粒子の中で適切な種類を選択して用いることができる。

基板領域に存在できる他の層としてはまた、前記基材フィルムの下部に一時的または永久的に付着していることができるキャリア基板が挙げられる。通常、キャリア基板としてはガラス基板のような剛性基板を適用することができる。

基板領域は、多様な構造で形成することができる。例えば、基板領域は、下部方向に第１無機層と基材フィルムが順次形成された構造、前記第１無機層と基材フィルムの間にバッファー層および／または散乱層が形成されている構造、前記基材フィルムの下部にキャリアフィルムまたはバリアーフィルムが必要であれば接着剤層によって付着している構造などを有することができる。

第１および第２電極層の間には有機物層が存在する。前記有機物層は少なくとも１個または２個以上の発光ユニットを含むことができる。このような構造において、発光ユニットで発生した光は反射電極層によって反射する過程などを経て透明電極層に放出され得る。

発光ユニットが２個以上存在する場合には適切な発光のために前記複数の発光ユニットの間に中間電極層または電荷発生層がさらに存在し得る。したがって発光ユニットは電荷発生特性を有する中間電極層や電荷発生層などによって分割されている構造を有することもできる。

発光ユニットを構成する材料は特に制限されない。業界では多様な発光中心波長を有する蛍光または燐光有機材料が公知されており、このような公知の材料の中で適切な種類を選択して前記発光ユニットを形成することができる。発光ユニットの材料としては、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ｔｒｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ））（Ａｌｇ_３）、４−ＭＡｌｑ_３またはＧａｑ_３などのＡｌｑ系列の材料、Ｃ−５４５Ｔ（Ｃ_２６Ｈ_２６Ｎ_２Ｏ_２Ｓ）、ＤＳＡ−アミン、ＴＢＳＡ、ＢＴＰ、ＰＡＰ−ＮＰＡ、スピロ−ＦＰＡ、Ｐｈ３Ｓｉ（ＰｈＴＤＡＯＸＤ）、ＰＰＣＰ（１，２，３，４，５−ｐｅｎｔａｐｈｅｎｙｌ−１，３−ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）などのようなシクロペナジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎａｄｉｅｎｅ）誘導体、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ｂｉｓ（２，２’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｙｉｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ジスチリルベンゼンまたはその誘導体またはＤＣＪＴＢ（４−（Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−６−（１，１，７，７−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｊｕｌｏｌｉｄｙｌ−９−ｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）、ＤＤＰ、ＡＡＡＰ、ＮＰＡＭＬＩ、；またはＦｉｒｐｉｃ、ｍ−Ｆｉｒｐｉｃ、Ｎ−Ｆｉｒｐｉｃ、ｂｏｎ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、（Ｃ_６）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｔ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｄｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｚｑ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｏ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ_２Ｉｒ（ｂｐｙ）、Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｏｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｐｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｔｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒｐｐｙ（ｆａｃ−ｔｒｉｓ［２−（４，５’−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ−Ｃ’２，Ｎ］ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ））またはＢｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（２−（２’−ｂｅｎｚｏ［４，５−ａ］ｔｈｉｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ３’）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｔｏｎａｔｅ））などのような燐光材料などが挙げられるが、これに制限されるものではない。発光層は、前記材料をホスト（ｈｏｓｔ）として含み、またペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ジスチリルビフェニル（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＰＴ、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ＢＴＸ、ＡＢＴＸまたはＤＣＪＴＢなどをドーパントで含むホスト−ドーパントシステム（Ｈｏｓｔ−Ｄｏｐａｎｔ ｓｙｓｔｅｍ）を有することもできる。

発光ユニットはまた後述する電子受容性有機化合物または電子供与性有機化合物の中で発光特性を示す種類を適切に採用して形成することもできる。

有機物層は、発光ユニットを含む限り、この分野に公知された他の多様な機能性層をさらに含む多様な構造で形成することができる。有機物層に含まれることがある層としては、電子注入層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔輸送層および正孔注入層などが挙げられる。

電子注入層または電子輸送層は、例えば、電子受容性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｃｃｅｐｔｉｎｇ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を用いて形成することができる。前記において電子受容性有機化合物としては、特に制限されず、公知された任意の化合物を用いることができる。このような有機化合物としては、ｐ−ターフェニル（ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）またはクアテルフェニル（ｑｕａｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）などのような多環化合物またはその誘導体、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）、コロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ジフェニルアントラセン（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ナフタセン（ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）またはフェナントレン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）などのような多環炭化水素化合物またはその誘導体、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、バソフェナントロリン（ｂａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、フェナントリジン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｉｄｉｎｅ）、アクリジン（ａｃｒｉｄｉｎｅ）、キノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、キノキサリン（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ）またはフェナジン（ｐｈｅｎａｚｉｎｅ）などの複素環化合物またはその誘導体などが挙げられる。また、フルオレセイン（ｆｌｕｏｒｏｃｅｉｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、フタロペリレン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ナフタロペリレン（ｎａｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリノン（ｐｅｒｙｎｏｎｅ）、プタロペリノン、ナプタロペリノン、ジフェニルブタジエン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、アルダジン（ａｌｄａｚｉｎｅ）、ビスベンゾオキサゾリン（ｂｉｓｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｉｎｅ）、ピススチリル（ｂｉｓｓｔｙｒｙｌ）、ピラジン（ｐｙｒａｚｉｎｅ）、シクロペンタジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）、オキシン（ｏｘｉｎｅ）、アミノキノリン（ａｍｉｎｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、イミン（ｉｍｉｎｅ）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール（ｄｉａｍｉｎｏｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ピラン（ｐｙｒａｎｅ）、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎｅ）、ポリメチン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｉｎｅ）、メロシアニン（ｍｅｒｏｃｙａｎｉｎｅ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）またはルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）などやその誘導体、日本特許公開第１９８８−２９５６９５号、日本特許公開第１９９６−２２５５７号、日本特許公開第１９９６−８１４７２号、日本特許公開第１９９３−００９４７０号または日本特許公開第１９９３−０１７７６４号などの公報で開示する金属キレート錯体化合物、例えば、金属キレート化オキサノイド化合物であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ］、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（エフ）−８−キノリノラト］亜鉛｛ｂｉｓ［ｂｅｎｚｏ（ｆ）−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ］ｚｉｎｃ｝、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（８−キノリノラト）インジウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｉｎｄｉｕｍ］、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウムなどの８−キノリノラトまたはその誘導体を配位子で一つ以上有する金属錯体、日本特許公開第１９９３−２０２０１１号、日本特許公開第１９９５−１７９３９４号、日本特許公開第１９９５−２７８１２４号または日本特許公開第１９９５−２２８５７９号などの公報に開示されたオキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）化合物、日本特許公開第１９９５−１５７４７３号公報などに開示されたトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）化合物、日本特許公開第１９９４−２０３９６３号公報などに開示されたスチルベン（ｓｔｉｌｂｅｎｅ）誘導体や、ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、日本特許公開第１９９４−１３２０８０号または日本特許公開第１９９４−８８０７２号公報などに開示されたスチリル誘導体、日本特許公開第１９９４−１００８５７号や日本特許公開第１９９４−２０７１７０号公報などに開示されたジオレフィン誘導体；ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｏｘａｚｏｌｅ）化合物、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）化合物またはベンゾイミダゾール（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ）化合物などの蛍光増白剤；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンジル、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼンまたは１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼンなどのようなジスチリルベンゼン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）化合物；２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジンまたは２，５−ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジンなどのジスチリルピラジン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｐｙｒａｚｉｎｅ）化合物、１，４−フェニレンジメチリジン、４，４’−フェニレンジメチリジン、２，５−キシレンジメチリジン、２，６−ナフチレンジメチリジン、１，４−ビフェニレンジメチリジン、１，４−パラ−テルフェニレンジメチリジン、９，１０−アントラセンジイルジメチリジン（９，１０−ａｎｔｈｒａｃｅｎｅｄｉｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）または４，４’−（２，２−ジ−チ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニルなどのようなジメチリジン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）化合物またはその誘導体、日本特許公開第１９９４−４９０７９号または日本特許公開第１９９４−２９３７７８号公報などに開示されたシラナミン（ｓｉｌａｎａｍｉｎｅ）誘導体、日本特許公開第１９９４−２７９３２２号または日本特許公開第１９９４−２７９３２３号公報などに開示された多官能スチリル化合物、日本特許公開第１９９４−１０７６４８号または日本特許公開第１９９４−０９２９４７号公報などに開示されているオキサジアゾール誘導体、日本特許公開第１９９４−２０６８６５号公報などに開示されたアントラセン化合物、日本特許公開第１９９４−１４５１４６号公報などに開示されたオキシネート（ｏｘｙｎａｔｅ）誘導体、日本特許公開第１９９２−９６９９０号公報などに開示されたテトラフェニルブタジエン化合物、日本特許公開第１９９１−２９６５９５号公報などに開示された有機三官能化合物、日本特許公開第１９９０−１９１６９４号公報などに開示されたクマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）誘導体、日本特許公開第１９９０−１９６８８５号公報などに開示されたペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、日本特許公開第１９９０−２５５７８９号公報などに開示されたナフタレン誘導体、日本特許公開第１９９０−２８９６７６号や日本特許公開第１９９０−８８６８９号公報などに開示されたフタロペリノン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｎｏｎｅ）誘導体または日本特許公開第１９９０−２５０２９２号公報などに開示されたスチリルアミン誘導体なども低屈折層に含まれる電子受容性有機化合物として用いることができる。また、前記において電子注入層は、例えば、ＬｉＦまたはＣｓＦなどのような材料を用いて形成することもできる。

正孔阻止層は、注入された正孔が発光層を通って電子注入性電極層に進入することを防止して素子の寿命と効率を向上させることができる層であり、必要な場合に公知の材料を用いて発光層と電子注入性電極層の間に適切な部分に形成することができる。

正孔注入層または正孔輸送層は、例えば、電子供与性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎａｔｉｎｇ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができる。電子供与性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ティ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル［４，４’−ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｑｕａｄｒｉｐｈｅｎｙｌ］、４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニルＮ−フェニルカルバゾール、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４’’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（３−ジ−ｐ−トリルアミノ）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン、４，４’−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルフェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（８−フルオランテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（４，４’−ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｃｏｒｏｎｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン、２，６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン、４，４’’−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ］ターフェニル、４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル、２，６−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ−（２−ナフチル）アミノ］フルオレンまたは４，４’’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ターフェニル、およびビス（Ｎ−１−ナフチル）（Ｎ−２−ナフチル）アミンなどのようなアリルアミン化合物が代表的に挙げられるが、これに制限されるものではない。挙げられる。

正孔注入層や正孔輸送層は、有機化合物を高分子中に分散させるか、前記有機化合物から由来した高分子を用いて形成することもできる。また、ポリパラフェニレンビニレンおよびその誘導体などのようにいわゆるπ−共役高分子（π−ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）などの正孔輸送性非共役高分子またはポリシランのσ−共役高分子なども用いることができる。

正孔注入層は、銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンや非金属フタロシアニン、カーボン膜およびポリアニリンなどの電気的に伝導性である高分子を用いて形成するか、前記アリルアミン化合物を酸化剤としてルイス酸（Ｌｅｗｉｓ ａｃｉｄ）と反応させて形成することもできる。

有機層の具体的な構造は特に制限されない。この分野では正孔または電子注入電極層と有機層、例えば、発光層、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層を形成するための多様な素材およびその形成方法が公知されており、前記有機電子装置の製造には前記のような方式をすべて適用することができる。

有機電子素子の上部領域は上部方向に順次形成された無機物層とカバーフィルムを含むことができる。前記有機電子素子用基板で無機物層と区分するために前記上部領域に含まれる無機物層を以下第２無機物層と呼び、基板に含まれる無機物層は第１無機物層と呼ぶことができる。

第２無機物層は、外部物質の浸透を遮断、抑制または緩和して耐久性を確保するために存在し、具体的な素材および形成方式は前記第１無機物層の項目で言及したものと類似し得る。ただし、光が基板領域側に放出されるように設計される場合に第２無機物層は第１無機物層のような高屈折率を有するように形成する必要はない。

第２無機物層の上部に存在するカバーフィルムは、有機電子素子を保護する構造として、例えば、公知のバリアーフィルム、金属シートまたは伝導性フィルムなどであるか、前記中の２種以上の積層構造であり得る。上部領域でカバーフィルムは、接着層、例えば、前述した遮断性接着層を通じて第２無機物層の上部に付着していることができる。

本出願はまた、前記有機電子素子、例えば、有機発光素子の用途に関するものである。

前記有機発光素子は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｌａｙ）のバックライト、照明各種センサ、プリンタ、コピー機などの光源、車両用計器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどに効果的に適用することができる。

一つの例示において、本出願は、前記有機発光素子を含む照明装置に関するものである。前記照明装置またはその他の用途に前記有機発光素子が適用される場合に、前記装置などを構成する他の部品やその装置の構成方法は特に制限されず、前記有機発光素子が用いられる限り、該当分野に公知されている任意の材料や方式をすべて採用できる。

本出願は前記のような有機電子素子用基板の製造方法に関するものであり得る。

すなわち、本出願はフレキシブル基材フィルム上に形成された無機物層の上部、下部または内部に弾性係数が２０ＧＰａ〜４００ＧＰａである物質を含んで弾性層を形成することを含む有機電子素子用基板の製造方法に関するものであり得る。

前記無機物層の材料および構造は前述した有機電子素子で言及したすべての材料および構造を含むことができ、無機物層の部分的な結晶化を防止することができるようにする厚さ範囲で、単層または多層膜を形成できる前述したＡＬＤ法を含む公知のすべての方法を制限なく含むことができる。

すなわち、本出願の無機物層は、前述した無機物層の形成方法のうち選択されるいずれか一つまたは二つ以上の方法を複数適用して形成することができる。例えば、前述した無機物層の形成材料およびＡＬＤ法を利用して所定厚さ範囲の単層無機物層を形成することができる。

また、無機物層は、多層構造例えば、第１サブ層を形成した後、第１サブ層と異なる材料およびＡＬＤ法を利用して第２サブ層を形成する工程を繰り返し遂行し、形成することもできる。前記第１サブ層および第２サブ層の厚さは結晶化を防止するための適切な範囲に設定することができ、例えば、前述した通り、７ｎｍ以下になるように形成することができる。

前記無機物層の形成方法の一例である、ＡＬＤ法の原理はＡＸとＢＹという気体形態の物質を原料に利用してＡＢという固体物質からなる薄膜を蒸着し、副産物で気体形態のＸＹを生成する場合を例にして説明することができ、化学反応式を簡単に表示すると下記の化学反応式１の通りである。

［化学反応式１］
ＡＸ（気体）＋ＢＹ（気体） → ＡＢ（固体）＋ＸＹ（気体）

すなわち、ＡＬＤ法は気体状のＡＸ物質を供給し、基板の表面に吸着させた後、余分のＡＸをアルゴンガスなどの不活性物質を利用して除去し、気体状のＢＹ物質を供給し、基板に吸着されているＡＸと反応させる。その後、余分のＢＹと副産物ＸＹを除去する工程を繰り返し遂行することもできる。前記のようなＡＬＤ法を通じて、基材フィルム上に目的とする厚さ範囲で無機物層を形成することができ、無機物層の部分的な結晶化を防止することができる。

具体的には、本出願の無機物層の第１および第２サブ層は７ｎｍ以下の厚さを有するようにＡＬＤ法を利用して形成することができる。前記のような厚さで、目的とする無機物層の部分的な結晶化を防止することができる。

また、第１および第２サブ層は交番的に形成して多層構造を含む無機物層を形成することができる。

無機物層の５５０ｎｍ波長に対する屈折率は前述した第１電極層および基材フィルムなどの屈折率範囲を考慮して適切に選択することができ、一例として、無機物層の屈折率は１．８〜２．２の範囲を有することができる。前記屈折率の範囲は基材フィルムの屈折率、サブ層の厚さおよびサブ層を形成する物質の種類などによって設定され得る。

本出願の弾性層は、その形成材料により、無機物層またはサブ層を形成する公知のすべての方式を利用することができ、例えば、ＭＬＤ法またはｉＣＶＤ法を利用して形成するものであり得る。

本出願の前記ｉＣＶＤ法はフリーラジカルを利用した連鎖重合反応を利用するものであり、具体的に開始剤とモノマーを気化して気相で高分子反応がなされるようにすることによって、高分子薄膜を蒸着する工程を意味し得る。

本出願の前記モノマーはフリーラジカルによって重合されて基材フィルムまたは無機物層に蒸着されることによって、ｉＣＶＤ層を形成できるものであれば制限なく利用することができ、有機電子素子用基板で前述した各物質をすべて含むことができる。

本出願においては、有機物と無機物が混在された構造で内部応力などに発生し得る層間剥離などが防止されて耐久性が優秀な素子を提供できる基板を提供することができる。また、本出願は、前記のような基板を用いて耐久性が優秀でありながらも光抽出効率などの他の要求物性も優秀な有機電子素子を提供することができる。

例示的な前記基板の構造を示している図面である。 例示的な前記基板の構造を示している図面である。 例示的な前記基板の構造を示している図面である。

以下、本出願に従う実施例および本出願に従わない比較例を通じて本出願をより具体的に説明するが、本出願の範囲は下記に提示された実施例によって制限されるものではない。

［実施例１］
基材フィルムであるＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルムに次の方式でバリアー層であるＡｌ_２Ｏ_３層と弾性層であるＭＬＤ層（トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびエチレングリコール（ＥＧ））の複合層、弾性係数：約２０〜２００ＧＰａ（２３℃））を交互に形成した。ＰＩフィルムをキャリア基板であるガラス基板上に位置させた。引き続き、ＭＬＤ方式で前記弾性層を形成する過程とＡＬＤ方式で前記バリアー層を形成する過程を繰り返して遂行した。前記においてバリアー層であるＡｌ_２Ｏ_３層は単独蒸着時に屈折率が１．５〜１．８程度である物質であり、ＭＬＤ層は単独蒸着時に屈折率が約１．４５〜１．７の範囲内にある物質である。Ａｌ_２Ｏ_３の層は公知のＡＬＤ方式にしたがって約２００℃の温度で前駆体としてトリメチルアルミニウム層と水（Ｈ_２Ｏ）層を交互に吸着させて形成した。また、前記ＭＬＤ層も公知のＭＬＤ方式にしたがって約１００℃の温度で前駆体としてトリメチルアルミニウムとエチレングリコールを交互に吸着させて形成した。形成された層の構造はＡｌ_２Ｏ_３層（厚さ０．５〜３０ｎｍ）／ＭＬＤ層（厚さ２００〜５００ｎｍ）の構造が２．５回〜３回繰り返された構造と同じである。

引き続き、前記層上に公知のスパッタリング方式でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含む正孔注入性電極層を形成し、継続して蒸着方式を通じてアルファ−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ−［（１−ｎａｌｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ］−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）を含む正孔注入層および発光層（４，４’ ，４’’’−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（ＴＣＴＡ）；Ｆｉｒｐｉｃ、ＴＣＴＡ；Ｆｉｒｅ６）を順次形成した。引き続き、前記発光層の上部に電子輸送性化合物であるＴＣＴＡ（４，４’，４’’’−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）および低屈折材料であるＬｉＦ（屈折率約１．３９）を全体層の屈折率が１．６６程度となるように共蒸着して低屈折有機層を約７０ｎｍの厚さで形成した。引き続き、電子注入性反射電極としてアルミニウム（Ａｌ）電極を真空蒸着方式で前記低屈折有機層の上部に形成して素子を製造した。引き続きＡｒガスの雰囲気のグローブボックスで前記素子に封止構造を付着して有機電子素子を製造した。

［実施例２］
実施例１と同じ方式で層を形成するものの、ＭＬＤおよびＡＬＤの形成サイクルを下記の式１を満足するように変更して弾性係数が２５ＧＰａ〜１３０ＧＰａ範囲の有機電子素子用基板を含む有機電子素子を製造した。

［式１］
０．２≦Ｎ_Ａ／（Ｎ_Ａ＋Ｎ_Ｂ）≦０．８
Ｎ_Ａは基板に含まれたＡＬＤ層の数を意味し、Ｎ_Ｂは基板に含まれたＭＬＤ層の数を意味する。

［参考例１］
ＭＬＤ層の代わりにトリビニルトリメチルシクロトリシロキサン（Ｖ３Ｄ３）を使ったｉＣＶＤ層（弾性係数：約４〜８ＧＰａ（２３℃）、屈折率：約１．５〜１．６）を弾性層に適用し、ＰＩフィルムの表面またはバリアー層（Ａｌ_２Ｏ_３層）の表面で誘導し、Ａｌ_２Ｏ_３層（厚さ：０．５〜３０ｎｍ）／ｉＣＶＤ層（厚さ２００〜５００ｎｍ）の積層構造を含む有機電子素子用基板を利用したことを除いては実施例１と同じ方式で有機電子素子を製造した。ｉＣＶＤ層は、単量体として前記トリビニルトリメチルシクロシロキサンを用い、開始剤としてターシャリーブチルパーオキサイド（ＴＢＰ、９７％、Ａｌｄｒｉｃｈ）を用いて約２５０〜３００℃の温度で維持されたフィラメントで前記単量体と開始剤の混合物で開始剤を熱分解させ、重合反応を温度が約３０〜４０℃程度で維持された前記ＰＩフィルムの表面またはバリアー層（Ａｌ_２Ｏ_３）の表面で誘導した。

［実施例３〜６］
ｉＣＶＤ層を形成する単量体の種類および積層回数を下記の表１のように変更したことを除いては参考例１と同じ方式で製造された有機電子素子用基板およびこれを含む有機電子素子を製造した。

［比較例１］
ＭＬＤ層を形成せず、バリアー層だけを実施例１の弾性層と無機物層の合計厚さと同じ厚さで形成したことを除いては実施例１と同一に基板および有機電子素子を製造した。

試験例１．
実施例１〜６および比較例１で製造された有機電子素子を同一条件で駆動させた後、ＰＩフィルムと無機物層界面および無機物層と電極層の界面での剥離および／またはクラックの発生を観察した。観察結果、比較例１の素子においては、ＰＩフィルムと無機物層界面および無機物層と電極層の界面で剥離およびクラックが観察されたが、実施例１〜６の場合、このような欠陥が観察されなかった。

１０ フレキシブル基材フィルム
２０ 無機物層
３０ 弾性層

Claims (17)

1. フレキシブル基材フィルム、前記基材フィルム上に存在する無機物層；および前記無機物層の上部、下部または内部に存在し、２３℃の温度での弾性係数が２０ＧＰａ〜４００ＧＰａである物質を含む弾性層を有し、無機物層と基材フィルムの屈折率差が１以下であり、無機物層は、多層構造であり、かつ厚さが７ｎｍを超過する層を含まない、有機電子素子用基板。
2. 基材フィルムはヘイズが３％〜３０％の範囲内にある、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
3. 基材フィルムは、５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．７以上である、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
4. 無機物層はそれぞれ厚さが７ｎｍ以下である第１および第２サブ層を含む、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
5. 無機物層は厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内にある、請求項４に記載の有機電子素子用基板。
6. 第１サブ層と第２サブ層は互いに接触した状態で積層されており、前記第１および第２サブ層は互いに異なる酸化物、窒化物または酸窒化物を含む、請求項４に記載の有機電子素子用基板。
7. 第１サブ層の屈折率は、１．４〜１．９の範囲内にあり、第２サブ層の屈折率は２．０〜２．６の範囲内にある、請求項４に記載の有機電子素子用基板。
8. 弾性層は、屈折率が１．７以下である、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
9. 弾性層は、ＴｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯまたはＺｒＯ_２を含む、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
10. 弾性層は、金属または非金属のキレート化合物およびアルキレングリコールを含むか、前記反応物を含むＭＬＤ層である、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
11. 弾性層は、下記の化学式１または２で表示される化合物の重合単位を含むｉＣＶＤ層である、請求項１に記載の有機電子素子用基板。
    ［化学式１］
    Ｒ^１（Ｒ^１ _２ＳｉＯ）_ｎＲ^１
    

    

    化学式１または２でＲ^１、Ｒ^ｄおよびＲ^ｅはそれぞれ独立的に水素、ヒドロキシ基、エポキシ基、アルコキシ基または１価炭化水素基であるものの、Ｒ^１中の少なくとも一つはアルケニル基であり、Ｒ^ｄおよびＲ^ｅ中の少なくとも一つはアルケニル基であり、ｎは１〜１０の範囲内の数であり、ｏは３〜１０の範囲内の数である。
12. 請求項１に記載された有機電子素子用基板；および前記基板の無機物層上に存在する第１電極層、有機物層および第２電極層を有する素子領域を含む、有機電子素子。
13. 請求項１２に記載された有機電子素子を含む、ディスプレイ用光源。
14. 請求項１２に記載された有機電子素子を含む、照明機器。
15. フレキシブル基材フィルム上に形成された無機物層の上部、下部または内部に弾性層を形成することを含む、請求項１に記載された有機電子素子用基板の製造方法。
16. 無機物層は、ＡＬＤ法を利用してそれぞれの厚さが７ｎｍ以下である第１および第２サブ層の積層構造を形成するものから製造される、請求項１５に記載の有機電子素子用基板の製造方法。
17. 弾性層はＭＬＤ法またはｉＣＶＤ法を利用して形成するものである、請求項１５に記載の有機電子素子用基板の製造方法。

Images