JP6251534B2 - 発光素子及び発光素子パッケージ - Google Patents

発光素子及び発光素子パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP6251534B2
JP6251534B2 JP2013206033A JP2013206033A JP6251534B2 JP 6251534 B2 JP6251534 B2 JP 6251534B2 JP 2013206033 A JP2013206033 A JP 2013206033A JP 2013206033 A JP2013206033 A JP 2013206033A JP 6251534 B2 JP6251534 B2 JP 6251534B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
electrode
light emitting
emitting device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013206033A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014090164A (ja
JP2014090164A5 (ja
Inventor
イ，グンキョ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2014090164A publication Critical patent/JP2014090164A/ja
Publication of JP2014090164A5 publication Critical patent/JP2014090164A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6251534B2 publication Critical patent/JP6251534B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/74—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades
    • F21V29/77—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks with fins or blades with essentially identical diverging planar fins or blades, e.g. with fan-like or star-like cross-section
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/83—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks the elements having apertures, ducts or channels, e.g. heat radiation holes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2101/00—Point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

実施形態は、発光素子及び発光素子パッケージに関する。
半導体の３−５族または２−６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）やレーザーダイオード(Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）のような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの様々な色を具現することができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせることによって効率の良い白色光線も具現可能であり、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性などの長所を有する。
一般に、白色光を具現するために、蛍光体と樹脂とを混合した樹脂組成物を発光チップ（ｃｈｉｐ）の上部に塗布したり、発光チップを樹脂組成物で密封する方式を用いることができる。また、蛍光体を含有する樹脂のコーティング（ｃｏａｔｉｎｇ）またはモールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ）方法の代わりに、蛍光体を含む層（ｌａｙｅｒ）、シート（ｓｈｅｅｔ）、またはプレート（ｐｌａｔｅ）を発光チップの上部に配置させる方法を用いることができる。この場合には、蛍光体層、蛍光体シート、または蛍光体プレートを発光チップの上部に安定的に付着させることが重要である。
実施形態は、蛍光体プレートの接着の正確度が向上し、熱に起因する蛍光体プレートの変色及びクラックを防止することができる発光素子を提供する。
実施形態に係る発光素子は、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物と；前記発光構造物上に配置される蛍光体プレート（ｐｌａｔｅ）と；前記蛍光体プレート上に配置される第１電極部と；前記発光構造物と前記蛍光体プレートとの間に配置され、前記蛍光体プレートを前記発光構造物にボンディングさせるボンディング部と；を含み、前記ボンディング部は、前記第１電極部と電気的に接続される少なくとも一つの第１ボンディング部を含む。
前記第１電極部は、前記蛍光体プレートの上部面上に配置されるパッド部、及び前記パッド部と前記第１ボンディング部とを連結する連結部を含むことができる。
前記ボンディング部は、前記蛍光体プレートに位置する第１ボンディング層と、前記発光構造物上に位置し、前記第１ボンディング層にボンディングされる第２ボンディング層とを含み、前記第１電極部と電気的に分離される少なくとも一つの第２ボンディング部を含むことができる。
前記連結部は、前記蛍光体プレートを通過することができる。
前記第１ボンディング部は、前記第２半導体層上に配置される第１ボンディング電極と、前記蛍光体プレートの下部面及び前記連結部上に位置し、前記第１ボンディング電極とボンディングされる第２ボンディング電極と、を含むことができる。
前記第２ボンディング電極は、前記第１ボンディング電極に融着することができる。
前記第１ボンディング電極と前記第２ボンディング電極との間には融着された境界面が存在することができる。前記第２ボンディング電極の融点と前記第１ボンディング電極の融点は互いに異なってもよい。
前記第１電極部は、前記第２半導体層上に配置される拡張電極をさらに含み、前記第１ボンディング部は、前記連結部と前記拡張電極との間に位置し、前記連結部を前記拡張電極にボンディングさせる第３ボンディング電極を含むことができる。
前記第３ボンディング電極の融点は、前記拡張電極の融点と互いに異なってもよい。
前記第３ボンディング電極は、前記拡張電極に融着することができる。前記第３ボンディング電極と前記拡張電極との間には融着された境界面が存在することができる。
前記第３ボンディング電極とボンディングされる前記拡張電極の一部分は、前記拡張電極の残りの部分と幅が互いに異なってもよい。
前記第３ボンディング電極の幅は、前記拡張電極の幅よりも小さいか又は同一であってもよい。
前記蛍光体プレートと前記発光構造物との間にはエアギャップ（ａｉｒ ｇａｐ）が存在することができる。
前記第１電極部は、前記第２半導体層上に配置される拡張電極をさらに含み、前記第１ボンディング部は、前記蛍光体プレートの下部面と前記拡張電極との間に位置し、前記蛍光体プレートを前記拡張電極にボンディングさせる第３ボンディング電極を含むことができる。前記第１ボンディング部は、前記連結部と前記拡張電極との間に位置し、前記連結部を前記拡張電極にボンディングさせるボンディング電極をさらに含むことができる。
前記第１ボンディング電極と前記第２ボンディング電極は少なくとも一つの同一の金属を含むことができる。前記パッド部は、前記蛍光体プレートの一側に位置することができる。
実施形態に係る発光素子パッケージは、パッケージボディーと；前記パッケージボディーに配置される第１リードフレーム及び第２リードフレームと；前記第２リードフレーム上に配置される発光素子と；前記発光素子を包囲する樹脂層と；を含み、前記発光素子は、上述した実施形態であってもよい。
実施形態は、蛍光体プレートの接着の正確度が向上し、熱に起因する蛍光体プレートの変色及びクラックを防止することができる。
実施形態に係る発光素子の平面図である。 図１に示された発光素子のＡＢ方向の断面図である。 図１に示された発光素子のＣＤ方向の断面図である。 図１に示されたボンディング部の第１ボンディング電極が配置される第２半導体層の上部面を示す図である。 図１に示されたボンディング部の第２ボンディング電極が配置される蛍光体プレートの下部面を示す図である。 第２電極が配置される蛍光体プレートの上部面を示す図である。 第１ボンディング電極と第２ボンディング電極との融着を示す図である。 第１ボンディング電極に融着された第２ボンディング電極を示す図である。 図２及び図３に示された点線部分の拡大図である。 図１に示された発光素子の変形例のＡＢ方向の断面図である。 図１０に示された変形例のＣＤ方向の断面図である。 他の実施形態に係る発光素子の平面図である。 図１２に示された発光素子のＥＦ方向の断面図である。 図１２に示された発光素子のＧＨ方向の断面図である。 図１２に示された第２ボンディング部の第１ボンディング層及び第２拡張電極を示す図である。 図１２に示された蛍光体プレートの下部面を示す図である。 図１２に示された蛍光体プレートの上部面を示す図である。 図１３に示された点線部分の拡大図である。 図１４に示された点線部分の拡大図である。 他の実施形態に係る発光素子の平面図である。 図２０に示された発光素子のＡＢ方向の断面図である。 図２０に示された第１電極部を示す図である。 図２０に示された蛍光体プレートの下部面を示す図である。 図２０に示された蛍光体プレートの上部面を示す図である。 図２０に示された実施形態の変形例を示す図である。 実施形態に係る発光素子パッケージを示す図である。 実施形態に係る発光素子パッケージを含む照明装置の分解斜視図である。 実施形態に係る発光素子パッケージを含む表示装置を示す図である。 実施形態に係る発光素子パッケージを含むヘッドランプを示す図である。
以下、各実施形態は、添付の図面及び各実施形態についての説明を通じて明白になる。実施形態の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの「上／上部（ｏｎ）」に又は「下／下部（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、「上／上部（ｏｎ）」と「下／下部（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「別の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることを全て含む。また、各層の上／上部または下／下部に対する基準は、図面を基準にして説明する。
図面において、大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。また、同一の参照番号は図面の説明を通じて同一の要素を示す。以下、添付の図面を参照して、実施形態に係る発光素子について説明する。
図１は、実施形態に係る発光素子１００−１の平面図を示し、図２は、図１に示された発光素子１００−１のＡＢ方向の断面図を示し、図３は、図１に示された発光素子１００−１のＣＤ方向の断面図を示し、図４は、図１に示されたボンディング部１６０−１〜１６０−ｎの第１ボンディング電極１７０−１〜１７０−ｎが配置される第２半導体層１２６の上部面を示し、図５は、図１に示されたボンディング部１６０−１〜１６０−ｎの第２ボンディング電極１８０−１〜１８０−ｎが配置される蛍光体プレート１５０の下部面１５１を示し、図６は、第２電極１４４−１、１４４−２が配置される蛍光体プレート１５０の上部面１５２を示す。
図１乃至図６を参照すると、発光素子１００−１は、基板１１０、発光構造物１２０、第１電極１４２、第２電極１４４、複数のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ>１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０を含む。
基板１１０は発光構造物１２０を支持する。基板１１０は、半導体物質の成長に適した物質で形成することができる。また、基板１１０は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板または絶縁性基板であってもよい。
例えば、基板１１０は、サファイア（Ａｌ２０３）であるか、またはＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２０３、ＧａＡｓのうち少なくとも一つを含む物質であってもよい。このような基板１１０の上面には、光抽出を向上させるために凹凸を形成することができる。
基板１１０と発光構造物１２０との間の格子定数の差による格子不整合を緩和するために、第１半導体層１２２と基板１１０との間にバッファ層（図示せず）を配置することができる。バッファ層は、３族元素及び５族元素を含む窒化物半導体であってもよい。
例えば、バッファ層は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮのうち少なくとも一つを含むことができる。バッファ層は、単一層または多層構造であってもよく、２族元素または４族元素が不純物としてドーピングされてもよい。
また、第１半導体層１２２の結晶性の向上のために、アンドープ半導体層（図示せず）を基板１１０と発光構造物１２０との間に介在することができる。例えば、アンドープ半導体層は、第１導電型ドーパント（例えば、ｎ型ドーパントまたはｐ型ドーパント）がドーピングされないので第１半導体層１２２に比べて低い電気伝導性を有すること以外は、第１半導体層１２２と同一であってもよい。
発光構造物１２０は、基板１１０上に配置され、光を発生させる。発光構造物１２０は、第１半導体層１２２の一部を露出することができる。例えば、第２半導体層１２６、活性層１２４及び第１半導体層１２２を部分的にエッチングして、第１半導体層１２２の一部を露出することができる。
第１半導体層１２２は、基板１１０上に配置され、窒化物半導体層であってもよい。
例えば、第１半導体層１２２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ(１−ｘ−ｙ)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどから選択されてもよく、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングされてもよい。
活性層１２４は、第１半導体層１２２と第２半導体層１２６との間に配置することができる。活性層１２４は、第１半導体層１２２から提供される電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と第２半導体層１２６から提供される正孔（ｈｏｌｅ）との結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）過程で発生するエネルギーによって光を生成することができる。
活性層１２４は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体であってもよく、活性層１２４は、１回以上交互に配置される量子井戸層及び量子障壁層を含む量子井戸構造であってもよい。例えば、活性層１２４は、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造であってもよい。量子障壁層は、量子井戸層のエネルギーバンドギャップよりも大きいエネルギーバンドギャップを有することができる。
第２半導体層１２６は、活性層１２４上に配置され、窒化物半導体層であってもよい。第２半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどから選択されてもよく、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングされてもよい。
第１半導体層１２２は一部を露出することができる。例えば、発光構造物の一部を除去して、第１半導体層１２２の一部を露出することができる。
第１電極１４２は、露出される第１半導体層１２２上に配置することができる。例えば、第１電極１４２は、露出される第１半導体層１２２上に蒸着可能である。第１電極１４２は、第１電源を供給するワイヤーがボンディングされるパッド（ｐａｄ）であってもよい。
第２電極１４４は、蛍光体プレート１５０の一面１５２（例えば、上部面）上に配置することができる。第２電極１４４の一部は、蛍光体プレート１５０を通過して蛍光体プレート１５０の他の一面１５１（例えば、下部面）に露出することができる。第２電極１４４の数は１個以上であってもよい。例えば、複数の第２電極１４４−１，１４４−２が、蛍光体プレート１５０の一面上に互いに離隔して配置されてもよい。
蛍光体プレート１５０は、貫通孔１６２（図９参照）を有することができ、第２電極１４４−１，１４４−２は、蛍光体プレート１５０の上部面１５２及び貫通孔１６２内に導電物質を蒸着して形成することができる。
第２電極１４４は、蛍光体プレート１５０の上部面１５２上に位置し、外部から電源を供給するためのワイヤー１０３（図９参照）がボンディングされる少なくとも一つのパッド部１６４−１，１６４−２、及び蛍光体プレート１５０を貫通してパッド部１６４−１，１６４−２の下面と接触する連結部１６５−１，１６５−２を含むことができる。
例えば、第２電極１４４は、蛍光体プレート１５０の上面上に互いに離隔して位置する複数のパッド部（例えば、１６４−１、１６４−２）、及び複数のパッド部（例えば、１６４−１、１６４−２）と連結され、蛍光体プレート１５０を貫通する連結部（例えば、１６５−１、１６５−２）を含むことができる。すなわち、連結部（例えば、１６５−１）の一端は、パッド部（例えば、１６４−１）の下面と接触し、残りの一端は蛍光体プレート１５０の下面１５１から露出することができる。
第１電極１４２及び第２電極１４４のそれぞれは、導電物質、例えば、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ｌｒ、ｌｎ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも一つを含むか、またはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなることができ、単層または複層であってもよい。
蛍光体プレート１５０は、発光構造物１２０、例えば、第２半導体層１２６上に配置することができる。蛍光体プレート１５０は、発光構造物１２０から出射される光の波長を変換させることができる。
蛍光体プレート１５０は、蛍光体と樹脂（ｒｅｓｉｎ）とが混合された形態であってもよい。蛍光体と混合される樹脂は、硬度が高く且つ信頼性の良い透明性の熱硬化性樹脂、例えば、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ガラス（ｇｌａｓｓ）、ガラスセラミック（ｇｌａｓｓ ｃｅｒａｍｉｃ）、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ナイロン（登録商標）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、テフロン（登録商標）樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリオレフィン樹脂などであってもよい。好ましくは、蛍光体プレート１５０は、ポリカーボネート、ガラス、またはガラスセラミックのうちいずれか一つであってもよい。
樹脂と混合される蛍光体は、種類が一つ以上であってもよい。蛍光体プレート１５０は、シリケート（ｓｉｌｉｃａｔｅ）系蛍光体、ＹＡＧ系蛍光体、または窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、シリケート系蛍光体はＣａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、及び（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）であってもよく、ＹＡＧ系蛍光体はＹ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）であってもよく、窒化物系蛍光体はＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ２：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ２：Ｅｕ、α、β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕであってもよい。
金型を用いて、スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）形態の樹脂と蛍光体との混合物をプレス成形することによって蛍光体プレートを製造することができるが、これに限定されるものではない。押出機によってスラリー形態の樹脂と蛍光体との混合物を金型から押し出す方法（“押出成形法”という。）によって蛍光体プレートを形成してもよい。または、樹脂と蛍光体の混合物を底に注いで置いて、底と一定の間隔を維持するように設計されたブレード（ｂｌａｄｅ）を混合物の上に通過するようにして一定の厚さのプレートを作る方法（“ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ ｂｌａｄｅ）法”という）によって蛍光体プレートを形成してもよい。
上述した方法で形成された蛍光体プレートの原板は、ソーイング（ｓａｗｉｎｇ）またはスクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程を通じて、所望のサイズ及び形状に切断して蛍光体プレート１５０を形成することができる。
蛍光体プレート１５０は、第２電極１４４の連結部１６５−１，１６５−２（図９参照）が位置する少なくとも一つの貫通孔１６２（図９参照）を有することができる。
蛍光体プレート１５０は、発光構造物１２０の形状によってその形状を決定することができる。例えば、第１電極１４２を露出するために、発光構造物１２０は一部が除去された部分を有することができ、蛍光体プレート１５０は、第１電極１４２を露出する発光構造物１２０の一領域の形状と対応する露出部１５４を有することができる。
露出部１５４の形状及び個数は、第１電極１４２の位置、形状、及び個数によって決定することができる。例えば、図５に示されたように、露出部１５４は、蛍光体プレート１５０の角部が切開された形状であってもよいが、これに限定されるものではない。
複数のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ>１である自然数）は、蛍光体プレート１５０と発光構造物１２０、例えば、第２半導体層１２６との間に位置することができ、蛍光体プレート１５０を第２半導体層１２６に付着または固定させることができる。
複数のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ>１である自然数）は、第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）及び第２ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−８）を含むことができる。
第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）は第２電極１４４と電気的に接続することができ、第２ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−８）は第２電極１４４と電気的に分離され得る。
第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）は、蛍光体プレート１５０を貫通する第２電極１４４の一部と第２半導体層１２６との間に位置することができ、第２電極１４４を第２半導体層１２６に付着または固定させることができ、両者を電気的に接続することができる。第１ボンディング部（例えば、１６０−９〜１６０−１０）は１個以上であってもよく、互いに離隔して位置することができる。
複数のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）のうち第２電極１４４と電気的に接続される第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）は、発光構造物１２０に電源を供給する電極の役割を果たすことができる。
第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）は、第２半導体層１２６上に位置する少なくとも一つの第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）、及び蛍光体プレート１５０の他の一面（例えば、下部面１５１）上に位置し、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９及び１７０−１０）と互いにボンディングされる少なくとも一つの第２ボンディング電極（例えば、１８０−９及び１８０−１０）を含むことができる。
また、第２ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−８）は、第２半導体層１２６上に配置される少なくとも一つの第１ボンディング層１７０−１〜１７０−８、及び前記蛍光体プレート１５０の下部面１５１上に配置され、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）にボンディングされる第２ボンディング層１８０−１〜１８０−８を含むことができる。
図４を参照すると、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）は複数個であってもよく、複数の第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）は、第２半導体層１２６上に互いに離隔して配置可能である。また、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）は、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）と離隔して配置可能である。
第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）は複数個であってもよく、複数の第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）は、第２半導体層１２６上に互いに離隔して配置可能である。また、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）は、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）と離隔して配置可能である。
例えば、第２半導体層１２６上に金属物質を蒸着し、蒸着された金属物質をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を通じてパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）して、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９〜１７０−１０）及び第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）を同時に形成することができる。
図５を参照すると、第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）は複数個であってもよく、複数の第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）は、蛍光体プレート１５０の下部面１５１上に互いに離隔して配置可能である。このとき、蛍光体プレート１５０の下部面１５１は、第２半導体層１２６の上部面１５２と対向する面とすることができる。
第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）は複数個であってもよく、複数の第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）は、蛍光体プレート１５０の下部面１５１上に互いに離隔して配置可能である。第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）は、第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）と離隔して配置可能である。
例えば、蛍光体プレート１５０の下部面１５１上に金属物質を蒸着し、蒸着された金属物質をフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を通じてパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）して、第２ボンディング電極１８０−９、１８０−１０及び第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）を同時に形成することができる。
第１ボンディング電極１７０−９、１７０−１０は、蛍光体プレート１５０の下部面１５１に露出される連結部（例えば、１６５−１、１６５−２）と接触することができる。例えば、第１ボンディング電極（例えば、１８０−９）は第１連結部（例えば、１６５−１）と接触でき、第１ボンディング電極（例えば、１８０−１０）は第２連結部（例えば、１６５−２）と接触できる。
第１ボンディング電極１７０−９、１７０−１０及び第２ボンディング電極１８０−９、１８０−１０の水平断面の形状、及び第１ボンディング層１７０−１〜１７０−８及び第２ボンディング層１８０−１〜１８０−８の水平断面の形状は、円形、楕円形、または多角形などのように様々な形態を有することができる。
蛍光体プレート１５０を第２半導体層１２６に効果的に付着または固定させるために、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）及び第１ボンディング層１７０−１〜１７０−８は、第２半導体層１２６の角及び縁領域に隣接して配置することができる。そして、第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）は、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）と互いに対応するように蛍光体プレート１５０の下部面１５１上に配置することができ、第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）は、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）と互いに対応するように蛍光体プレート１５０の下部面１５１上に配置することができる。例えば、第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）及び第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）は、蛍光体プレート１５０の角及び縁領域に隣接して配置することができる。
第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）のいずれか一つは、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）のうち、対応するいずれか一つとボンディング可能である。また、第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）のいずれか一つは、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）のうち、対応するいずれか一つとボンディング可能である。
このように、互いにボンディングされた第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）と第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）は、第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）を形成し、互いにボンディングされた第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）と第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）は、第２ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−８）を形成することができる。
例えば、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）と第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）との間のボンディング、及び第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）と第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）との間のボンディングは、共晶接合（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法を用いることができる。
第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）の形状又は幅は、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）と異なってもよい。
例えば、第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、及び１７０−１０）の幅又は面積は、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）の幅又は面積よりも大きいか又は同一であってもよい。第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、及び１７０−１０）は、電源が供給される第２電極１４４と直接接続されて、電流が直接的に供給される部分であるので、単純にボンディングを目的とする第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）よりは幅（又は面積）が大きいか又は同一であってもよい。これは、電流の集中による電極保護及び電流分散の向上のためである。
図７は、第１ボンディング層と第２ボンディング層との融着を示し、図８は、第１ボンディング層に融着された第２ボンディング層を示す。
図７及び図８を参照すると、第１ボンディング層（例えば、１７０−１）と第２ボンディング層（例えば、１８０−１）は互いに融着することができ、第１ボンディング層（例えば、１７０−１）と第２ボンディング層（例えば、１８０−１）との間には融着された境界面１９０が存在することができる。
第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）及び第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）は、金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むか、またはこれらのうち少なくとも一つを含む合金であってもよい。
第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）及び第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）は、金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むか、またはこれらのうち少なくとも一つを含む合金であってもよい。
第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）及び第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）の融点は、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）及び第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）の融点よりも低くすることができる。
例えば、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）及び第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）はＡｕであってもよく、第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）及び第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）はＡｕＳｎであってもよい。
第２ボンディング電極（例えば、１８０−９、１８０−１０）が溶けて第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）に融着することができ、第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）が溶けて第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）に融着することができる。
一般に、蛍光体プレートを、シリコン樹脂のような接着剤で発光構造物や伝導層に接着する場合、シリコン樹脂のような接着剤は高温に弱いため、信頼性が低下し、また、ワイヤーがボンディングされるパッド部分を露出させる別途の工程（以下、“パッド露出工程”という）を必要とし、また、接着剤用樹脂は流動性があるため、接着の正確度が低下することがある。
しかし、実施形態は、金属融着によって蛍光体プレート１５０を発光構造物１２０に付着するので、高温に強くて信頼性が向上し、正確な位置にボンディングすることができるので、接着の正確度が向上することができる。
また、図２及び図３には、蛍光体プレート１５０の下部面１５１が第２半導体層１２６の表面に接触することのように示されているが、これに限定されるものではない。図８及び図９に示されたように、第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）及び第２ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−８）によって、蛍光体プレート１５０の下部面１５１の少なくとも一部分は第２半導体層１２６の表面から離隔することができる。
ボンディング部（例えば、１６０−１、１６０−１０）によって、蛍光体プレート１５０と第２半導体層１２６との間にはエアギャップ１６３（ａｉｒ ｇａｐ）が存在できる。エアギャップ１６３が存在しても、蛍光体プレート１５０の下部面１５１の一部分は第２半導体層１２６に接触することができる。
第２半導体層１２６、エアギャップ１６３、及び蛍光体プレート１５０の間には光屈折率の差が存在することができる。これによって、発光素子１００−１の光拡散及び光抽出が向上することができる。
図９は、図２及び図３に示された点線部分１２の拡大図を示す。図９を参照すると、蛍光体プレート１５０は、貫通孔（例えば、１６２）を有することができ、貫通孔（例えば、１６２）内に導電物質を充填して連結部１６５−１，１６５−２を形成することができる。連結部１６５−１，１６５−２の形成のための導電物質は、上述した第２電極１４４の導電物質と同一であってもよい。
第１連結部１６５−１の一端は第１パッド部１６４−１の下部面と接触でき、残りの一端は第１ボンディング部１６０−９の第２ボンディング電極（例えば、１８０−９）の上部面と接触することができる。また、第２連結部１６５−２の一端は第２パッド部１６４−２の下部面と接触でき、残りの一端は第１ボンディング部１６０−１０の第２ボンディング電極１８０−１０の上部面と接触することができる。
例えば、第１連結部１６５−１は、蛍光体プレート１５０の一領域を貫通して、第１パッド部１６４−１と第１ボンディング部１６０−９とを連結し、第２連結部１６５−２は、蛍光体プレート１５０の他の一領域を貫通して、第２パッド部１６４−２と第１ボンディング部１６０−１０とを連結することができる。
ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−１０）及び連結部１６５−１，１６５−２は、蛍光体プレート１５０の熱を発散する通路の役割を果たすことができる。これによって、実施形態は、熱放出効率が向上して、熱に起因する蛍光体プレート１５０の変色及びクラック（ｃｒａｃｋ）を防止することができる。
また、実施形態は、第２電極１４４−１，１４４−２のパッド部１６４−１，１６４−２が蛍光体プレート１５０の上部面１５２上に配置されるので、別途のパッド露出工程を必要とせず、工程を単純化することができる。
図１０は、図１に示された発光素子の変形例１００−２のＡＢ方向の断面図であり、図１１は、図１０に示された変形例１００−２のＣＤ方向の断面図である。変形例１００−２の平面図は、図１と同一であってもよい。図１乃至図３と同一の図面符号は同一の構成を示し、前述した内容と重複する内容は省略または簡略に説明する。
図１０及び図１１を参照すると、変形例は、図１に示された発光素子１００−１と比較するとき、第２半導体層１２６上に位置する伝導層１３０をさらに含むことができる。
伝導層１３０は、全反射を減少させると共に、透光性が良いので、活性層１２４から第２半導体層１２６に放出される光の抽出効率を増加させることができる。
伝導層１３０は、電気伝導度の高い物質であってもよい。伝導層１３０は、透明伝導性酸化物、例えば、ＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＴＯ(Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ(Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ(Ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ(Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ)、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、またはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち一つ以上を用いて単層または多層からなることができる。
変形例１００−２のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０と伝導層１３０との間に位置することができ、蛍光体プレート１５０を伝導層１３０に付着または固定させることができる。
また、変形例１００−２の第１ボンディング部（例えば、１６０−９、１６０−１０）は、連結部１６５−１，１６５−２と伝導層１３０との間に位置することができ、第２電極１４４を伝導層１３０に付着または固定させることができ、両者を電気的に接続することができる。
変形例１００−２の第１ボンディング電極（例えば、１７０−９、１７０−１０）及び第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）は、伝導層１３０上に位置することができる。
変形例１００−２の第１ボンディング電極（例えば、１７０−９及び１７０−１０）、第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）、第２ボンディング電極（１８０−９及び１８０−１０）、第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）、及び連結部１６５−１，１６５−２の形成方法と物質、及びボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の形成方法（図７、図８、及び図９参照）などは上述と同一であってもよい。
変形例１００−２は、上述と同様の理由で、高温に強くて信頼性が向上し、蛍光体プレート１５０の接着の正確度が向上し、別途のパッド露出工程を必要としないので、工程を単純化することができる。
ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−１０）によって、蛍光体プレート１５０と伝導層１３０との間には、図８に示されたように、エアギャップ１６３（ａｉｒ ｖｏｉｄ）が存在することができる。
エアギャップ１６３が存在しても、蛍光体プレート１５０の下部面１５１の一部分は伝導層１３０に接触することができる。伝導層１３０、エアギャップ１６３、及び蛍光体プレート１５０の間には光屈折率の差が存在することができる。これによって、発光素子１００−２の光拡散及び光抽出が向上することができる。
図１２は、他の実施形態に係る発光素子１００−３の平面図を示し、図１３は、図１２に示された発光素子１００−３のＥＦ方向の断面図を示し、図１４は、図１２に示された発光素子１００−３のＧＨ方向の断面図を示す。図１乃至図３と同一の図面符号は同一の構成を示し、前述した内容と重複する内容は省略または簡略に説明する。
図１２乃至図１４を参照すると、発光素子１００−３は、基板１１０、発光構造物１２０−１、伝導層１３０、第１電極２１０、第２電極２２０、第１ボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ（ｍ≧１である自然数）、第２ボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０−１を含む。
図１に示された実施形態１００−１と比較するとき、発光素子１００−３は、電極の構造が異なり、それによる発光構造物１２０−１の形状及びボンディング部の構造が異なってもよい。
図１２に示された第１半導体層１２２の露出部分の形状は、図１と異なる形状を有することができる。例えば、発光構造物１２０−１は、第１半導体層１２２の第１領域Ｐ１及び第２領域Ｐ２を露出することができる。第１領域Ｐ１は、第１電極２１０の第１パッド部２１２が位置する領域であってもよく、第２領域Ｐ２は、第１電極２１０の第１拡張電極２１４が位置する領域であってもよい。
第１電極２１０は、第１半導体層１２２の第１領域Ｐ１上に位置する第１パッド部２１２、及び露出される第１半導体層１２２の第２領域Ｐ２上に位置する第１拡張電極２１４を含むことができる。
第１パッド部２１２は、第１電源の供給を受けるためにワイヤーがボンディングされる第１電極２１０の一部分であってもよい。第１拡張電極２１４は、第１パッド部２１２から分岐して第１方向に拡張される第１電極２１０の残りの部分であってもよい。第１方向は、発光構造物（例えば、第１半導体層１２２）の第１角部１９１から第４角部１９４に向かう方向であってもよい。
図１２に示された実施形態は、第１パッド部２１２から分岐する一つの第１拡張電極２１４を含んでいるが、実施形態は、これに限定されるものではなく、第１拡張電極２１４は、複数の枝電極（ｆｉｎｇｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を含むことができる。
第２電極２２０は、ワイヤボンディングのために蛍光体プレート１５０−１の上部面１５２上に配置され、一部は蛍光体プレート１５０−１を通過して蛍光体プレート１５０−１の下部面１５１に露出する第２パッド部２２９、及び伝導層１３０上に配置される第２拡張電極２２４，２２６を含むことができる。他の実施形態では伝導層１３０を省略することができ、この場合、第２拡張電極２２４，２２６は第２半導体層１２６上に位置することができる。
第１電極２１０及び第２電極２２０は、図１で説明した第１及び第２電極１４２，１４４と同一の物質からなることができる。
第１ボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０−１を第２拡張電極２２４，２２６にボンディングさせ、第２パッド部２２９と拡張電極２２４，２２６を互いにボンディングさせ、両者を電気的に接続することができる。
第２ボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０−１と伝導層１３０との間に位置し、蛍光体プレート１５０−１を伝導層１３０にボンディングさせることができる。他の実施形態では伝導層１３０を省略することができ、この場合、第２ボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０−１と発光構造物１２０−１との間に位置することができ、蛍光体プレート１５０−１を発光構造物１２０−１にボンディングさせることができる。
図１５は、図１２に示された第２ボンディング部２４０−１〜２４０−９の第１ボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び第２拡張電極２２４，２２６を示し、図１６は、図１２に示された蛍光体プレート１５０−１の下部面１５１を示し、図１７は、図１２に示された蛍光体プレート１５０−２の上部面１５２を示す。
図１５乃至図１７を参照すると、蛍光体プレート１５０−１は、第１電極２１０を露出する発光構造物１２０−１の一領域の形状と対応する露出部２９２を有することができる。
第１ボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ（ｍ≧１である自然数）は第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）を含むことができる。第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２拡張電極２２４，２２６に対応または整列するように蛍光体プレート１５０−１の下部面１５１上に配置することができる。
第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は第２拡張電極２２４，２２６にボンディングすることができる。図１５に示されたように、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）がボンディングされる第２拡張電極２２４，２２６の一部分をボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）という。第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、図５で説明した第２ボンディング電極１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）と同一の物質からなることができる。
第２ボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第１ボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び第１ボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）とボンディングされる第２ボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含むことができる。
第１ボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、伝導層１３０上に配置することができ、図４で説明した第１ボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−８）と同一の構造、材質、及び形状であってもよい。
第２ボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）は蛍光体プレート１３０の下部面１５１上に位置することができる。第２ボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、図５に示された第２ボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−８）と同一の構造、材質、及び形状であってもよい。
また、第１ボンディング層２８２−1〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）と第２ボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）との融着は、図７及び図８での説明と同一であってもよい。
図１８は、図１３に示された点線部分１１の拡大図を示す。
図１８を参照すると、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２ボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）と離隔し、第２拡張電極２２４，２２６のボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）に対応または整列するように蛍光体プレート１３０の下部面１５１上に位置することができる。第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２拡張電極２２４，２２６のボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）にボンディングすることができる。
第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の数は複数個であってもよく、互いに離隔して配置することができる。第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）のいずれか一つ（例えば、２８６−１）は、ボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）のうち、対応するいずれか一つ（例えば、Ａ１）とボンディング可能である。このとき、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、ボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）に共晶接合（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ）されてもよい。
第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）と第２拡張電極２２４，２２６のボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）には融着された境界面１９０−１が存在することができる。
第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の幅は、第２拡張電極２２４，２２６の幅よりも小さいか又は同一であってもよい。これは、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）を第２拡張電極２２４，２２６に容易にボンディングするためである。
また、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の融点は、第２拡張電極２２４，２２６の融点と異なってもよい。例えば、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の融点は、第２拡張電極２２４，２２６の融点よりも低くすることができる。これは、第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）を第２拡張電極２２４，２２６に融着するためである。仮に、第２拡張電極２２４，２２６の融点が低い場合には、ボンディングによる融着時に第２拡張電極２２４，２２６の形状が変形することがあるため、第２半導体層１２６または伝導層１３０に円滑な電流供給ができないことがあるからである。
図１９は、図１４に示された点線部分１３の拡大図を示す。
図１９を参照すると、第２パッド部２２９−１は、蛍光体プレート１５０−１の上部面１５２上に位置することができ、連結部２２９−２は、蛍光体プレート１５０−１を通過して蛍光体プレート１５０−１の下部面１５１に露出することができる。第１ボンディング部（例えば、２３０−４）は、露出される連結部２２９−２を第２拡張電極２２４，２２６にボンディングさせることができる。
蛍光体プレート１５０−１は、連結部２２９−２に対応する貫通孔（例えば、１６２）を有することができ、連結部２２９−２は、貫通孔（例えば、１６２）内に位置することができる。
連結部２２９−２の一端は第２パッド部２２９−１の下部面と接触することができ、残りの一端は第３ボンディング電極（例えば、２８６−４）の上部面と接触することができる。
第２拡張電極２２４，２２６は、電流の分散のために位置し、複数の枝電極を含むことができる。例えば、第２拡張電極２２４，２２６は、連結部２２９−２と接触する第３ボンディング電極２８６−４がボンディングされるボンディング領域Ａ４から第２方向に拡張する第１部分Ｆ１と、第１部分Ｆ１の一端から第３方向に拡張する第２部分Ｆ２とを有する第１枝電極２２４、及びボンディング領域Ａ４から第３方向に拡張する第３部分Ｆ３を有する第２枝電極２２６を含むことができる。ここで、第２方向は、発光構造物１２０−１、例えば、第１半導体層１２２の第３角部１９３から第４角部１９４に向かう方向であり、第３方向は、第１方向と反対方向であってもよい。
図１５では、第２パッド部２２９−１と電気的に接続されるボンディング領域Ａ４が位置する第２拡張電極２２４，２２６の領域２２５から分岐する２個の枝電極２２４，２２６を示しているが、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、枝電極２２４，２２６の数は１個または３個以上であってもよい。また、枝電極２２４，２２６が互いに会う第２拡張電極２２４，２２６の領域２２５は、他の部分よりも幅または直径が大きくてもよい。
図１５では、第１枝電極２２４と第２枝電極２２６とが、ボンディング領域Ａ４が位置する第２拡張電極２２４，２２６の領域２２５を基準に左右非対称であるが、他の実施形態では、左右対称であってもよい。
第１及び第２ボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ，２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ及びｍ≧１である自然数）及び連結部１６５−１，１６５−２は、蛍光体プレート１５０−１の熱を発散する通路の役割を果たすことができる。これによって、実施形態は、熱放出効率が向上して、熱に起因する蛍光体プレート１５０−１の変色及びクラック（ｃｒａｃｋ）を防止することができる。
また、実施形態は、第２パッド部２２９−１が蛍光体プレート１５０−１の上部面１５２に配置されるので、ワイヤボンディングのために別途のパッド露出工程を必要とせず、工程を単純化することができる。
図２０は、他の実施形態に係る発光素子２００−１の平面図を示し、図２１は、図２０に示された発光素子２００−１のＡＢ方向の断面図を示す。
図２０及び図２１を参照すると、発光素子２００−１は、第２電極部４０５、保護層４４０、電流遮断層（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）４４５、発光構造物４５０、パッシベーション層４６５、第１電極部４７０、蛍光体プレート１５０−２、及び第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数），３２５−１、３２５−２を含む。
第２電極部４０５は、第１電極部４７０と共に発光構造物４５０に電源を提供する。第２電極部４０５は、支持層（ｓｕｐｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）４１０、接合層（ｂｏｎｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）４１５、バリア層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）４２０、反射層（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）４２５、及びオーミック領域（ｏｈｍｉｃ ｒｅｇｉｏｎ）４３０を含むことができる。
支持層４１０は、発光構造物４５０を支持する。支持層４１０は、金属または半導体物質で形成することができる。また、支持層４１０は、電気伝導性及び熱伝導性の高い物質で形成することができる。例えば、支持層４１０は、銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ ａｌｌｏｙ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）のうち少なくとも一つを含む金属物質、またはＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣのうち少なくとも一つを含む半導体であってもよい。
接合層４１５は、支持層４１０とバリア層４２０との間に配置することができ、支持層４１０とバリア層４２０とを接合させるボンディング層（ｂｏｎｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割を果たすことができる。接合層４１５は、金属物質、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕのうち少なくとも一つを含むことができる。接合層４１５は、支持層４１０をボンディング方式で接合するために形成するものであるので、支持層４１０をメッキや蒸着方法で形成する場合には接合層４１５は省略できる。
バリア層４２０は、反射層４２５、オーミック領域４３０、及び保護層４４０の下に配置され、接合層４１５及び支持層４１０の金属イオンが反射層４２５及びオーミック領域４３０を通過して発光構造物４５０に拡散することを防止できる。例えば、バリア層４２０は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏのうち少なくとも一つを含むことができ、単層または多層からなることができる。
反射層４２５は、バリア層４２０上に配置することができ、発光構造物４５０から入射される光を反射させることで、光抽出効率を改善させることができる。反射層４２５は、光反射物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含む金属または合金で形成することができる。
反射層４２５は、金属または合金と、ＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質とを用いて多層で形成することができ、例えば、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで形成することができる。
オーミック領域４３０は、反射層４２５と第２半導体層４５２との間に位置することができ、第２半導体層４５２にオーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）されて、発光構造物４５０に電源が円滑に供給されるようにすることができる。
透光性伝導層と金属を選択的に使用してオーミック領域４３０を形成することができる。例えば、オーミック領域４３０は、第２半導体層４５２とオーミック接触する金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
保護層４４０は、第２電極層４０５の縁領域上に配置することができる。例えば、保護層４４０は、オーミック領域４３０の縁領域、または反射層４２５の縁領域、またはバリア層４２０の縁領域、または支持層４１０の縁領域上に配置することができる。
保護層４４０は、発光構造物４５０と第２電極層４０５との間の界面が剥離されて発光素子２００−１の信頼性が低下することを防止できる。保護層４４０は、電気絶縁性物質、例えば、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯｘ（ｘは、正の実数）、またはＡｌ２Ｏ３などで形成することができる。
電流遮断層４４５は、オーミック領域４３０と発光構造物４５０との間に配置することができる。電流遮断層４４５の上面は第２半導体層４５２と接触し、電流遮断層４４５の下面、または下面及び側面はオーミック領域４３０と接触することができる。電流遮断層４４５は、垂直方向に第１電極部４７０と少なくとも一部がオーバーラップされるように配置することができる。電流遮断層４４５は、オーミック領域４３０と第２半導体層４５２との間に形成したり、または反射層４２５とオーミック領域４３０との間に形成することができ、これに限定するものではない。
電流遮断層４４５は、反射層４２５またはオーミック領域４３０よりも電気伝導性の低い物質、または第２半導体層４５２とショットキー接触（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する物質、または電気絶縁性物質であってもよい。例えば、電流遮断層４４５は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｉＮのうち少なくとも一つを含むことができる。
発光構造物４５０は、オーミック領域４３０及び保護層４４０上に配置することができる。発光構造物４５０の側面は、単位チップに区分するアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）エッチング過程で傾斜面になることができる。
発光構造物４５０は、第２半導体層４５２、活性層４５４、及び第１半導体層４５６を含むことができる。第２半導体層４５２、活性層４５４、及び第１半導体層４５６は、図１で説明した通りであるので、重複を避けるために説明を省略する。
パッシベーション層４６５は、発光構造物４５０を電気的に保護するために発光構造物４５０の側面に配置することができる。パッシベーション層４６５は、第１半導体層４５６の上面の一部または保護層４４０の上面にも配置することができる。パッシベーション層４６５は、絶縁物質、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、またはＡｌ２Ｏ３で形成することができる。
蛍光体プレート１５０−２は、発光構造物４５０、例えば、第１半導体層４５６上に位置することができる。蛍光体プレート１５０−２は、その形状のみが図５に示された蛍光体プレート１５０と異なり、材質などは上述と同一であってもよい。
第２電極部４０５は、発光構造物４５０の下部に位置し、第２電極部４０５のための別途のパッド部を必要としないので、蛍光体プレート１５０−２は、第２電極部４０５のためのパッド部を露出する露出部を有さなくてもよい。
第１電極部４７０は、第１半導体層４５６上に配置される拡張電極９２、蛍光体プレート１５０−２の上部面１５２上に位置するパッド部（例えば、４０３−１，４０３−２）、及び蛍光体プレート１５０−２を通過して拡張電極９２とパッド部（例えば、４０３−１，４０３−２）とを連結する連結部（例えば、４０２−１，４０２−２）を含むことができる。
パッド部（例えば、４０３−１，４０３−２）は、ワイヤーがボンディングされる第１電極部４７０の一部分であってもよい。連結部（例えば、４０２−１，４０２−２）の一端はパッド部（例えば、４０３−１，４０３−２）の下面と接触でき、残りの一端は蛍光体プレート１５０−２の下部面１５１から露出することができる。
第１電極部４７０をなす物質は、図１で説明した第１電極１４２及び第２電極１４４の物質を含むことができる。例えば、第１電極部４７０は、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ｌｒ、ｌｎ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも一つを含むか、またはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなることができる。
拡張電極９２は、所定のパターン形状を有することができる。第１半導体層４５６の上面は、光抽出効率を増加させるためにラフネスパターン（図示せず）が形成されてもよい。また、光抽出効率を増加させるために拡張電極９２の上面にもラフネスパターン（図示せず）を形成することができる。
例えば、拡張電極９２は、第１半導体層４５６の上面縁に沿って配置される外部電極９２ａ，９２ｂ，９２ｃ，９２ｄ、及び外部電極９２ａ，９２ｂ，９２ｃ，９２ｄの内部に配置される内部電極９４ａ，９４ｄを含むことができる。図２０に示された拡張電極９２は、第１電極部４７０の一実施形態に過ぎず、その形状がこれに限定されるものではなく、様々な形態で具現することができる。連結部（例えば、４０２−１，４０２−２）によってパッド部（例えば、４０３−１，４０３−２）とボンディングされる拡張電極９２の一部分１０２ａ，１０２ｂの幅は、拡張電極９２の他の部分よりも幅を大きくすることができる。
第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数），３２５−１，３２５−２）は、蛍光体プレート１５０−２と第１電極部４７０をボンディングさせることができる。
第１ボンディング部（例えば、３２０−１〜３２０−７）は、拡張電極９２と蛍光体プレート１５０−２との間に介在され、蛍光体プレート１５０−２と拡張電極９２をボンディングさせることができる。また、第１ボンディング部３２５−１，３２５−２は、連結部（例えば、４０２−１，４０２−２）を拡張電極９２にボンディングさせることができる。
図２２は、図２０に示された第１電極部４７０を示し、図２３は、図２０に示された蛍光体プレート１５０−２の下部面１５１を示し、図２４は、図２０に示された蛍光体プレート１５０−２の上部面１５２を示す。
図２２乃至図２４を参照すると、第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０−２の下部面１５１と拡張電極９２との間に配置される第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含むことができる。
第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、図１６に示された第３ボンディング電極２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）と同一であってもよい。
第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ≧１である自然数）は複数個であってもよく、複数の第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）は、拡張電極９２に対応または整列されて、蛍光体プレート１５０−２の下部面１５１上に離隔して配置することができる。
第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）は、拡張電極９２にボンディングすることができる。第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）がボンディングされる拡張電極９２の一領域を、ボンディング領域Ｂ１〜Ｂｎ（ｎ>１である自然数）といえる。第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）の幅は、拡張電極９２の幅よりも小さいか又は同一であってもよい。
また、第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）の融点は、第１電極部４７０、例えば、拡張電極９２の融点と互いに異なってもよい。例えば、第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）の融点は、第１電極部４７０、例えば、拡張電極９２の融点よりも低くすることができる。
第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）は、拡張電極９２に融着することができ、第４ボンディング電極４０１−１〜４０１−ｎ（ｎ>１である自然数）と拡張電極９２のボンディング領域Ｂ１〜Ｂｎ（ｎ≧１である自然数）との間には、図８で説明したような融着による境界面が存在することができる。
第１ボンディング部３２５−１，３２５−２は、連結部４０２−１，４０２−２と拡張電極９２との間に配置される第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２を含むことができる。第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２の数はパッド部４０３−１，４０３−２の数と同一であってもよい。
第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２は、拡張電極９２にボンディングすることができる。第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２がボンディングされる拡張電極９２の他の領域をボンディング領域Ｋ１，Ｋ２といえる。第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２は拡張電極９２に融着することができ、第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２と拡張電極９２のボンディング領域Ｋ１，Ｋ２との間には、図８で説明したような融着による境界面が存在することができる。第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２の幅は、拡張電極９２の幅よりも小さいか又は同一であってもよい。
また、第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２の融点は、第１電極部４７０、例えば、拡張電極９２の融点と互いに異なってもよい。例えば、第４ボンディング電極４０６−１，４０６−２の融点は、第１電極部４７０、例えば、拡張電極９２の融点よりも低くすることができる。
第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数），３２５−１、３２５−２）によって蛍光体プレート１５０−２と第１半導体層４５６との間にはエアギャップ（ａｉｒ ｖｏｉｄ）が存在できる。エアギャップが存在しても、蛍光体プレート１５０−２の下部面１５１の一部分は第１半導体層４５６に接触することができる。
第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ，３２５−１，３２５−２によって、実施形態は、蛍光体プレートの接着の正確度を向上させることができる。第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ，３２５−１，３２５−２及び連結部４０２−１，４０２−２は、蛍光体プレート１５０−２の熱を発散する通路の役割を果たすことができる。これによって、実施形態は、熱放出効率が向上して、熱に起因する蛍光体プレート１５０−２の変色及びクラック（ｃｒａｃｋ）を防止することができる。また、実施形態は、パッド部４０３−１，４０３−２が蛍光体プレート１５０−２の上部面１５２に配置されるので、ワイヤボンディングのために別途のパッド部露出工程を必要とせず、工程を単純化することができる。
図２５は、図２０に示された実施形態の変形例２００−２を示す。図２５を参照すると、変形例２００−２は、図２０に示された第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ>１である自然数）が省略され、発光構造物１２０、例えば、第１半導体層４５６と蛍光体プレート１５０−２の下部面１５１との間に配置される第２ボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ>１である自然数）、及び第１ボンディング部３２５−１，３２５−２を含むことができる。
第２ボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ>１である自然数）は、蛍光体プレート１５０−２を第１半導体層４５６に付着または固定させることができる。第２ボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ>１である自然数）は、第１半導体層４５６の上部面上に位置する第１ボンディング層（図示せず）、及び蛍光体プレート１５０−２の下部面上に位置し、第１ボンディング層にボンディングされる第２ボンディング層（図示せず）を含むことができる。例えば、第２ボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ>１である自然数）の構造は、図１で説明した第２ボンディング部１６０−１〜１６０−８と同一の構造とすることができる。
また、他の実施形態に係る発光素子（図示せず）は、図２０に示された第１ボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数），３２５−１，３２５−２、及び図２５に示された第２ボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ>１である自然数）を全て含むことができる。
図２６は、実施形態に係る発光素子パッケージ４００を示す。
図２６を参照すると、発光素子パッケージ４００は、パッケージボディー６１０、リードフレーム６１２，６１４、発光素子６２０、反射板６２５、ワイヤー６３０、及び樹脂層６４０を含む。
パッケージボディー６１０の上面にはキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成することができる。前記キャビティの側壁は傾斜するように形成することができる。図２６に示されたパッケージボディー６１０はキャビティを有するが、実施形態は、これに限定されるものではなく、他の実施形態においてパッケージボディーはキャビティを有さなくてもよい。
パッケージボディー６１０は、シリコンベースのウエハーレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）、シリコン基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ、ＡｌＮ）などのように絶縁性または熱伝導度の良い基板で形成することができ、複数個の基板が積層される構造であってもよいが、パッケージボディー６１０は、上述した材質、構造及び形状に限定されない。
リードフレーム６１２，６１４は、熱の排出や発光素子６２０の装着を考慮して、互いに電気的に分離されるようにパッケージボディー６１０に配置することができる。
発光素子６２０は、リードフレーム６１２，６１４と電気的に接続することができる。発光素子６２０は、実施形態１００−１，１００−２，２００−１，２００−２のいずれか一つであってもよい。
反射板６２５は、発光素子６２０から放出された光が所定の方向に向かうように、パッケージボディー６１０のキャビティの側壁に形成される。反射板６２５は、光反射物質からなり、例えば、金属コーティングまたは金属薄片であってもよい。
樹脂層６４０は、パッケージボディー６１０のキャビティ内に位置する発光素子６２０を包囲して、発光素子６２０を外部環境から保護することができる。樹脂層６４０は、エポキシまたはシリコンのような無色透明な高分子樹脂材質からなることができる。
実施形態に係る発光素子６２０は、蛍光体プレート１５０，１５０−１〜１５０−３を含むので、樹脂層６４０には蛍光体が含まれなくてもよい。しかし、他の実施形態において、樹脂層６４０は、蛍光体プレートに含まれる蛍光体の種類と同一又は異なる種類の蛍光体を含むこともできる。
図２７は、実施形態に係る発光素子パッケージを含む照明装置の分解斜視図である。図２７を参照すると、照明装置は、光を投射する光源７５０と、光源の熱を放出する放熱部７４０と、光源７５０及び放熱部７４０を収納するハウジング７００と、光源７５０及び放熱部７４０をハウジング７００に結合するホルダー７６０と、を含む。
ハウジング７００は、電気ソケット（図示せず）に結合されるソケット結合部７１０と、ソケット結合部７１０と連結され、光源７５０が内蔵されるボディー部７３０とを含むことができる。ボディー部７３０には一つの空気流動口７２０が穿設されてもよい。
ハウジング７００のボディー部７３０上に複数個の空気流動口７２０を備えることができ、空気流動口７２０は、一つまたは複数個であってもよい。空気流動口７２０は、ボディー部７３０に放射状に配置されたり、様々な形状に配置することができる。
光源７５０は、基板７５４上に実装される複数個の発光素子パッケージ７５２を含むことができる。基板７５４は、ハウジング７００の露出部に挿入可能な形状であってもよく、後述するように、放熱部７４０に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなることができる。例えば、発光素子パッケージ７５２は、図２６に示された実施形態４００であってもよい。
光源７５０の下部にはホルダー７６０が備えられ、ホルダー７６０は、フレーム及び他の空気流動口を含むことができる。また、図示してはいないが、光源７５０の下部には光学部材が備えられて、光源７５０の発光素子パッケージ７５２から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。
図２８は、実施形態に係る発光素子パッケージを含む表示装置を示す。図２８を参照すると、表示装置８００は、ボトムカバー８１０と、ボトムカバー８１０上に配置される反射板８２０と、光を放出する発光モジュール８３０，８３５と、反射板８２０の前方に配置され、前記発光モジュール８３０，８３５から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板８４０と、導光板８４０の前方に配置されるプリズムシート８５０，８６０を含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネル８７０と、ディスプレイパネル８７０と連結され、ディスプレイパネル８７０に画像信号を供給する画像信号出力回路８７２と、ディスプレイパネル８７０の前方に配置されるカラーフィルター８８０と、を含むことができる。ここで、ボトムカバー８１０、反射板８２０、発光モジュール８３０，８３５、導光板８４０、及び光学シートはバックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）をなすことができる。
発光モジュールは、基板８３０上に実装される発光素子パッケージ８３５を含むことができる。ここで、基板８３０はＰＣＢなどを使用することができ、発光素子パッケージ８３５は、図２６に示された実施形態４００であってもよい。
ボトムカバー８１０は、表示装置８００内の構成要素を収納することができる。そして、反射板８２０は、同図のように別途の構成要素として設けられてもよく、導光板８４０の後面や、ボトムカバー８１０の前面に反射度の高い物質でコーティングする形態で設けることもできる。
ここで、反射板８２０は、反射率が高く且つ超薄型に形成可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を使用することができる。
そして、導光板８３０は、ポリメチルメタクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）、またはポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ；ＰＥ）などで形成することができる。
そして、第１プリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、透光性で且つ弾性を有する重合体材料で形成することができ、重合体は、複数個の立体構造が反復して形成されたプリズム層を有することができる。ここで、複数個のパターンは、図示のように、山と谷が反復的にストライプ状に備えられてもよい。
そして、第２プリズムシート８６０において支持フィルム一面の山と谷の方向は、第１プリズムシート８５０内の支持フィルム一面の山と谷の方向と直交することができる。これは、発光モジュールと反射シートから伝達された光をディスプレイパネル８７０の前面に均一に分散させるためである。
そして、図示してはいないが、導光板８４０と第１プリズムシート８５０との間に拡散シートを配置することができる。拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系列の材料からなることができ、バックライトユニットから入射された光を、屈折と散乱を通じて光投射角を最大に広げることができる。そして、拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光出射面（第１プリズムシート方向）と光入射面（反射シート方向）に形成され、光拡散剤を含まない第１レイヤー及び第２レイヤーとを含むことができる。
実施形態において、拡散シート、第１プリズムシート８５０、及び第２プリズムシート８６０が光学シートを構成するが、光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイからなってもよく、拡散シートとマイクロレンズアレイとの組み合わせ、または一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイとの組み合わせなどからなってもよい。
ディスプレイパネル８７０としては、液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）を配置してもよいが、液晶表示パネル以外に、光源を必要とする他の種類の表示装置を備えてもよい。
図２９は、実施形態に係る発光素子パッケージを含むヘッドランプ（ｈｅａｄ ｌａｍｐ）９００を示す。図２９を参照すると、ヘッドランプ９００は、発光モジュール９０１、リフレクタ（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）９０２、シェイド９０３、及びレンズ９０４を含む。
発光モジュール９０１は、基板（図示せず）上に配置される実施形態に係る発光素子パッケージ４００を含むことができる。リフレクタ９０２は、発光モジュール９０１から照射される光９１１を一定の方向、例えば、前方９１２に反射させることができる。
シェイド９０３は、リフレクタ９０２とレンズ９０４との間に配置され、リフレクタ９０２によって反射されてレンズ９０４に向かう光の一部分を遮断または反射して、設計者の所望の配光パターンをなすようにする部材であって、シェイド９０３の一側部９０３−１と他側部９０３−２は互いに高さが異なってもよい。
発光モジュール９０１から照射される光は、リフレクタ９０２及びシェイド９０３で反射された後、レンズ９０４を透過して車体の前方に向かうことができる。レンズ９０４は、リフレクタ９０２によって反射された光を前方に屈折させることができる。
以上で各実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれ、必ず一つの実施形態にのみ限定されるものではない。さらに、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態の属する分野における通常の知識を有する者によって、他の各実施形態に対しても組み合わせ又は変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に関する内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (17)

  1. 第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む発光構造物と、
    前記発光構造物上に配置される蛍光体プレートと、
    前記蛍光体プレートの上面上に配置されるパッド部を含み、一部が前記蛍光体プレートを貫通して前記蛍光体プレートの下面に露出する第２電極と、
    前記第２半導体層上に配置され、前記第２電極の一部を構成し、前記パッド部から拡張される拡張電極と、
    前記蛍光体プレートの下面と前記拡張電極の上面との間に配置される少なくとも一つの第３ボンディング電極と、
    前記蛍光体プレートと前記発光構造物との間に配置される少なくとも一つの第２ボンディング部とを含み、
    前記少なくとも一つの第３ボンディング電極は、前記蛍光体プレートを貫通する前記第２電極の一部と接触し、
    前記少なくとも一つの第２ボンディング部の上面は、前記蛍光体プレートの下面に接触し、前記第２電極から離隔する、発光素子。
  2. 前記第２電極は、
    前記蛍光体プレートを通過し、前記パッド部と前記拡張電極とを連結する連結部を含み、
    前記少なくとも一つの第２ボンディング部は前記連結部から離隔する、請求項１に記載の発光素子。
  3. 前記第２ボンディング部は、
    前記蛍光体プレートの下面上に配置される第１ボンディング層と、
    前記発光構造物上に配置され、前記第１ボンディング層にボンディングされる第２ボンディング層とを含む、請求項２に記載の発光素子。
  4. 前記少なくとも一つの第３ボンディング電極は、
    前記連結部と前記拡張電極との間に位置し、前記連結部を前記拡張電極にボンディングさせる、請求項２又は３に記載の発光素子。
  5. 前記第２ボンディング層は前記第１ボンディング層に融着される、請求項３に記載の発光素子。
  6. 前記第１ボンディング層と前記第２ボンディング層との間には、融着された境界面が存在する、請求項５に記載の発光素子。
  7. 前記第２ボンディング層の融点と前記第１ボンディング層の融点は互いに異なる、請求項５又は６に記載の発光素子。
  8. 前記第３ボンディング電極は複数個であり、該複数個の第３ボンディング電極は、前記拡張電極に整列され、互いに離隔し、
    前記複数個の第３ボンディング電極のいずれか一つは前記連結部と接触する、請求項４に記載の発光素子。
  9. 前記第３ボンディング電極の融点は、前記拡張電極の融点と互いに異なる、請求項８に記載の発光素子。
  10. 前記第３ボンディング電極は前記拡張電極に融着される、請求項８又は９に記載の発光素子。
  11. 前記第３ボンディング電極と前記拡張電極との間には、融着された境界面が存在する、請求項８ないし１０のいずれかに記載の発光素子。
  12. 前記第３ボンディング電極とボンディングされる前記拡張電極の一部分は、前記拡張電極の残りの部分と幅が互いに異なる、請求項８ないし１１のいずれかに記載の発光素子。
  13. 前記第３ボンディング電極の幅は、前記拡張電極の幅よりも小さいか又は同一である、請求項８ないし１２のいずれかに記載の発光素子。
  14. 前記蛍光体プレートと前記発光構造物との間にはエアギャップ（ａｉｒ ｇａｐ）が存在する、請求項１に記載の発光素子。
  15. 前記パッド部は前記蛍光体プレートの一側に位置する、請求項２に記載の発光素子。
  16. 前記拡張電極は、
    前記第３ボンディング電極がボンディングされるボンディング領域と、
    前記ボンディング領域から拡張される枝電極とを含む、請求項８に記載の発光素子。
  17. パッケージボディーと、
    前記パッケージボディーに配置される第１リードフレーム及び第２リードフレームと、
    前記第２リードフレーム上に配置され、請求項１乃至１６のいずれかに記載の発光素子と、
    前記発光素子を包囲する樹脂層と、を含む、発光素子パッケージ。
JP2013206033A 2012-10-29 2013-10-01 発光素子及び発光素子パッケージ Active JP6251534B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0120332 2012-10-29
KR1020120120332A KR101977278B1 (ko) 2012-10-29 2012-10-29 발광 소자

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014090164A JP2014090164A (ja) 2014-05-15
JP2014090164A5 JP2014090164A5 (ja) 2016-11-04
JP6251534B2 true JP6251534B2 (ja) 2017-12-20

Family

ID=49304854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013206033A Active JP6251534B2 (ja) 2012-10-29 2013-10-01 発光素子及び発光素子パッケージ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9437784B2 (ja)
EP (1) EP2725630B1 (ja)
JP (1) JP6251534B2 (ja)
KR (1) KR101977278B1 (ja)
CN (1) CN103794705B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101983774B1 (ko) * 2012-09-20 2019-05-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
DE102013111503B4 (de) * 2013-10-18 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterchips
US9705035B1 (en) * 2015-12-30 2017-07-11 Epistar Corporation Light emitting device
KR102554231B1 (ko) * 2016-06-16 2023-07-12 서울바이오시스 주식회사 전극 구조를 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지
DE102016112587A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
CN117367327B (zh) * 2023-12-01 2024-03-29 上海隐冠半导体技术有限公司 一种五角棱镜垂直度检测***及方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6465951B1 (en) * 1992-12-16 2002-10-15 Durel Corporation Electroluminescent lamp devices and their manufacture
JPH0725060A (ja) * 1993-06-25 1995-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光プリントヘッドおよびその製造方法
EP1119058A4 (en) 1999-07-29 2006-08-23 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7078737B2 (en) 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
JP3782411B2 (ja) * 2002-09-02 2006-06-07 松下電器産業株式会社 発光装置
JP4991026B2 (ja) * 2003-02-26 2012-08-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US20130240834A1 (en) * 2005-01-11 2013-09-19 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating vertical light emitting diode (vled) dice with wavelength conversion layers
JP2006278567A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄユニット
US7863642B2 (en) * 2005-08-24 2011-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diodes and lasers diodes with color converters
JP2007067326A (ja) 2005-09-02 2007-03-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP5219331B2 (ja) * 2005-09-13 2013-06-26 株式会社住田光学ガラス 固体素子デバイスの製造方法
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US20090140279A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
WO2009141960A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
EP2357679B1 (en) * 2008-11-14 2018-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical/horizontal light-emitting diode for semiconductor
US7875984B2 (en) * 2009-03-04 2011-01-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Complaint bonding structures for semiconductor devices
US8597963B2 (en) * 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
WO2011083923A2 (en) * 2010-01-07 2011-07-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
KR101644501B1 (ko) 2010-01-18 2016-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 패키지 및 조명장치
KR101093181B1 (ko) * 2010-01-19 2011-12-13 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101020995B1 (ko) * 2010-02-18 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101014102B1 (ko) * 2010-04-06 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5786278B2 (ja) * 2010-04-07 2015-09-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI476959B (zh) * 2010-04-11 2015-03-11 Achrolux Inc 轉移均勻螢光層至一物件上之方法及所製得之發光結構
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
KR101798232B1 (ko) 2010-07-07 2017-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 발광 시스템
JP2012028381A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US10546846B2 (en) * 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
DE102010045403A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TWI446590B (zh) * 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
KR101707532B1 (ko) 2010-10-29 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWI493756B (zh) * 2010-11-15 2015-07-21 Epistar Corp 發光元件
US8987772B2 (en) * 2010-11-18 2015-03-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
JP5820295B2 (ja) * 2011-02-21 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
EP3664167B1 (en) * 2011-03-25 2021-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US20140048824A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
KR101983774B1 (ko) * 2012-09-20 2019-05-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN103794705B (zh) 2018-01-02
EP2725630A1 (en) 2014-04-30
CN103794705A (zh) 2014-05-14
US20140117389A1 (en) 2014-05-01
EP2725630B1 (en) 2019-09-25
JP2014090164A (ja) 2014-05-15
KR101977278B1 (ko) 2019-09-10
KR20140054625A (ko) 2014-05-09
US9437784B2 (en) 2016-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5755676B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
JP2014096591A (ja) 発光素子
JP6251534B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
JP2016082231A (ja) 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置
KR102080778B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP2015076617A (ja) 発光素子、それを含む発光素子パッケージ及びパッケージを含む照明装置
KR101984785B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102034715B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102194805B1 (ko) 발광소자
KR102252477B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102140273B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101983778B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102080779B1 (ko) 발광 소자
KR102320866B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101983779B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102170213B1 (ko) 발광 소자
KR101979845B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102550291B1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102024292B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102170218B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102047440B1 (ko) 발광 소자
KR20190014323A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20160055440A (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20170025322A (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 장치
KR20120134687A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160913

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6251534

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250