JP6250172B2 - 高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法 - Google Patents

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Description

本発明は半導体熱電材料分野に関するもので、具体的には高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料におよびその調製方法に関するものである。
熱電材料とは材料内部のキャリア(電子又は正孔)の運動によって電気エネルギーと熱エネルギーとの直接交換を実現する半導体材料を指す。熱電材料の両端に温度の差が存在する場合、熱電材料は熱エネルギーを電気エネルギーに変換させて出力するが、これをゼーベック(Seebeck)効果と呼ぶ。これに対し、熱電材料の両端に電界が加えられると、熱電材料は電気エネルギーを熱エネルギーに変換させ、一端は放熱し、反対の一端は吸熱するが、これをペルティエ(Petier)効果と呼ぶ。上記二種の効果はそれぞれ熱電材料に発電又は冷凍などの面で幅広い活用背景を持たせる。
熱電材料で作られた発電装置はディープスペース宇宙船、野外作業、海洋灯台、遊牧民が使用する電源として、又は工業予熱や廃熱発電に使われる。熱電材料で作られた冷凍装置はコンパクトで、化学媒質など要らなく、小型冷蔵庫やコンピューターチップおよびレーザー探知機などの局部冷却や医用携帯式超低温冷蔵庫などに使用することができ、さらに幅広い潜在的な活用分野としては、家庭用冷蔵庫や、冷却、車両用又は家庭用エアコンなどが含まれる。熱電材料で作られた装置は、機械運動部材がなく、ノイズや摩耗がなく、構造が簡単で、体積や形状が必要に応じてデザインできるなどの際立つ長所がある。
熱電材料の性能は「熱電性能指数」−zTで評価される。
zT=(asT/k)
式中、aは熱起電力係数、sは導電率、Tは絶対温度、kは熱伝導率である。
優れた熱電材料は高い導電率、高い熱起電力および低い熱伝導率を有すべきで、高性能の熱電素子は性能と構造がお互いにマッチングするN型とP型の材料がなければならない。
目下、高温発電熱電材料は自動車工業や、工場廃熱回収、人工衛星などの分野に幅広く活用されている。典型的な高温発電材料はSiGe合金で、そのN型材料は性能が良く、zT値は約1.0であるが、P型材料は性能があまり良くなく、約0.5である。
中国特許出願公開第102386321号明細書 中国特許出願公開第1888105号明細書
ここ数年来、Half−Heuslerシステムは構成元素含有量が豊富で、電気学性能が良いなどの長所があるため、熱電分野学者たちの注目を受けている。その中、N型ZrNiSnベースHalf−Heusler材料のzT値は1.0に達し、N型SiGeとほぼ同じぐらいである。しかし、P型Half−Heusler材料のzT値は依然として低いため、当該システムの高温発電分野への活用を制約する大きな難題となっている。
FeNbTiSb熱電材料の原料は地殻中の埋蔵量が豊富で、値段も相対的に安い。しかし、目下、この熱電材料に対する研究は極めて少ない。
本発明は新型の高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料およびその調製方法を提供し、前記P型FeNbTiSb熱電材料の最高zT値は1100Kの下で約1.1である。
本発明は高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料を開示し、原料の構成はFeNb1−xTiSbで、その中、x=0.06〜0.24、xは原子百分比である。
好ましくは、x=0.2〜0.24、さらに好ましくは、x=0.2である。
本発明は前記P型FeNbTiSb熱電材料の調製方法も開示し、そのステップは以下のとおりである。
(1)構成成分がFeNb1−xTiSbの化学成分分量比によって、原料の鉄、ニオビウム、チタンおよびアンチモンを量り取り、アルゴン雰囲気の保護の下で、溶融製錬によってインゴットが得られる。
(2)ステップ(1)から得られたインゴットを顆粒状に砕いて、再び焼成して前記P型FeNbTiSb熱電材料が得られる。
好ましくは、ステップ(1)において、原料を浮遊溶融製錬法で3回製錬することによって、インゴットが得られる。
好ましくは、ステップ(2)において、インゴットを顆粒状に砕いた粒径は200nm〜10.0μmである。
好ましくは、ステップ(2)において、放電プラズマ焼成技術によって、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、前記P型FeNbTiSb熱電材料が得られる。
既存技術に比べて、本発明は以下有益な効果がある。
本発明は高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料を調製し、そのzT最大値は1100Kの下で1.1にも達するが、これは目下Half−Heuslerシステムにて得られる最高の性能である。
本発明によって調製されるP型FeNbTiSb熱電材料において、その材料の成分に含まれる元素は地殻中埋蔵量が多いため、生産原価が相対的に安い。
本発明中のP型FeNbTiSb熱電材料は、高温安定性に優れており、調製工程が簡単で、生産周期が短く、生産能率が高い。
実施例1によって調製されるFeNb0.8Ti0.2SbのXRD図である。 実施例1によって調製されるFeNb0.8Ti0.2Sbサンプルの熱―重量分析図である。 実施例によって調製されるFeNb1−xTiSbサンプルの熱伝導率k(a)、導電率s(b)、Seebeck係数a(c)および力率asの温度に対する変化図である。 実施例によって調製されるFeNb1−xTiSbサンプルのzT値の温度に対する変化図である。
次では実施例に合わせて本発明に対してさらに詳しく説明するものとする。
<実施例1>
原料を化学分量比FeNb0.8Ti0.2Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
RigakuD/MAX−2550PC型多結晶体のX線回折スペクトル(XRD)で、本実施例によって作られたサンプルに対するフェーズ分析を行い、図1のとおり、FeNbSb基構造、つまり、立方構造(F43m)、スペース群れ番号は216号と確認された。
Netzsch LFA−457型レーザーパルス熱分析計で測定した熱拡散係数やNetzsch DSC−404型熱重量分析計測定した比熱および材料の密度によって熱伝導率kを算出する。本実施例によって作られたサンプルの熱伝導率は、1100Kの下で、k=4.5 W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=204μV/K、導電率s=10.7×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約1.1である。
DSCQ1000装置を使って、それぞれ窒素と空気雰囲気の中でサンプルに対し熱重量分析を行ったが、測定結果は図2のとおり、昇温速度は10K/min、温度範囲は300K−1200Kであった。300Kから1000Kまで、サンプルは窒素と空気の雰囲気の中で、いずれも重量の安定さを保っていたが、これは調製されたサンプルの高温安定性が良いということを表明する。1000Kを超えると、サンプルは窒素雰囲気の中で依然として安定さを保っていたが、空気雰囲気の中では重量が増えていた。これは表面酸化が原因となる。
<実施例2>
原料を化学分量比FeNb0.76Ti0.24Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100Kの下で、k=4.6W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=198μV/K、導電率s=11.3×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約1.06である。
<実施例3>
原料を化学分量比FeNb0.84Ti0.16Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100Kの下で、k=4.8W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=219μV/K、導電率s=8.6×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約0.96である。
<実施例4>
原料を化学分量比FeNb0.88Ti0.12Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100Kの下で、k=5.1W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=222μV/K、導電率s=6.7×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100Kの下で約0.72である。
<実施例5>
原料を化学分量比FeNb0.92Ti0.08Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1100kの下で、k=5.8W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100k下での熱起電力を測定し、熱起電力a=246μV/K、導電率s=5.3×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1100kの下で約0.61である。
<実施例6>
原料を化学分量比FeNb0.94Ti0.06Sbで計算して量り取り、Ar雰囲気に保護された銅チューブの中に入れて、高周波溶融製錬方法で繰り返して3回製錬してインゴットを得てから、機械ボールミーリング方法でインゴットを粉砕してサブミクロンサイズの小さな粒子を得て、引き続き放電プラズマ焼成方法で、850℃、65MPaの下で、10min焼成することによって、最終のサンプルが得られる。
本実施例によって作られるサンプルの熱伝導率は1000Kの下で、k=6.5W・m−1−1である。
Linses LSR−3装置で材料の1100K下での熱起電力を測定し、熱起電力a=263μV/K、導電率s=5.1×10S/m。
上記測定値は計算式zT=(asT/k)で算出するが、本実施例によって作られるサンプルのzT値は1000Kの下で約0.54である。
<熱電性能分析>
実施例1−6によって調製されたサンプルをそれぞれ異なる温度での熱電性能測定を行ったが、図3はFeNb1−xTiSbサンプルの温度変化に応じた熱電性能図である。図3(a)−3(d)から見れば、サンプルの熱伝導率とSeebeck係数はxが大きくなるにつれ、持続的に低くなり、導電率はxが大きくなるにつれ、大きくなる。計算式zT=(asT/k)によって、サンプルの最終のzT値を算出することができ、全てのサンプルのzT値がいずれも温度の上昇につれ大きくなり(図4のとおり)、最も好ましいサンプルはx=0.2、1100Kの下で最高zT=1.1であった。分析によれば、当該サンプルが最高zT値を擁する原因は、1100Kの下で最低熱伝導率(図3a)および最高力率(図3d)を有するからである。

Claims (3)

  1. 原料の構成がFeNb1−xTiSbで、その中、x=0.16〜0.24であることを特徴とする高性能指数のP型FeNbTiSb熱電材料。
  2. x=0.2〜0.24であることを特徴とする請求項1に記載のP型FeNbTiSb熱電材料。
  3. x=0.2であることを特徴とする請求項2に記載のP型FeNbTiSb熱電材料。
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