JP6248604B2 - 半導体発光素子及びその電極形成方法 - Google Patents
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また、本発明に係る半導体発光素子は、絶縁膜の上面が、発生したバリの上端よりも高い位置にあるので、絶縁膜に隙間や亀裂が生じることを防止できる。そのため、絶縁膜の絶縁性を向上させ、電極の短絡を防止することができ、半導体発光素子の信頼性を高めることができる。
基板2の材料には、半導体構造体3に例えば窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合に好適な材料が用いられる。このような基板材料としては、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnOやGaN単結晶等が挙げられる。中でも結晶性の良い窒化ガリウムを量産性良く形成させるためにはサファイア基板を用いることが好ましい。基板2には、図2に示すように、半導体構造体3が積層される面(電極側の面)に凹凸が形成されていてもよい。この凹凸により半導体構造体3からの光を散乱または回折させて光取り出し効率を高めることができる。
半導体構造体3は、基板2の上に形成され、n型半導体層(第1半導体層)4と、活性層5と、p型半導体層(第2半導体層)6とがこの順に積層されている。半導体構造体3には、上面に対して段差を有する凹部7と周辺部8とが形成されている。凹部7は、図1にA−A線に沿って横方向に長く伸びた溝の形状となっている。図1に示す例では、2つの凹部7が形成されている。周辺部8は、半導体構造体3の実質的な発光部を取り囲むように配置されており、電極が形成された後の大判のウェハから半導体発光素子を切り出す際の切りしろとして利用することができる。
n側電極層11は、n型半導体層4とnパッド電極31との間に設けられた金属からなる電極層であり、Ti、Rh、Pt、Ru、Au等の材料を用いることができる。n側電極層11は、n型半導体層4側から順に、例えばTi、Rh、Tiが積層されてなる。
本実施形態では、n側電極層11は、第2絶縁膜40の第3貫通孔43を通じて透光性導電膜51と導通している。なお、変形例として、透光性導電膜51を介在させずにn側電極層11をn型半導体層4に直接接触させるようにしてもよい。
p側電極層12は、p型半導体層6とpパッド電極32との間に設けられた金属からなる電極層である。p側電極層12の材料は、n側電極層11と同様である。p側電極層12は、p型半導体層6側から順に、例えばTi、Rh、Tiが積層されてなる。
本実施形態では、p側電極層12は、第2絶縁膜40の第1貫通孔41を通じて透光性導電膜52と導通している。また、p側電極層12は、アンカー用開口(貫通孔)15を有している。なお、変形例として、透光性導電膜52を介在させずにp側電極層12をp型半導体層6に直接接触させるようにしてもよい。
p側電極層12やn側電極層11をリフトオフ法により形成すると、その上面の周縁端部にバリが形成される場合がある。ここでは、p側電極層12が、上面の周縁端部にバリ13,14が形成されていることとした。
絶縁膜20は、半導体発光素子1の表面を覆って保護するものである。絶縁膜20は、樹脂からなり、n側電極層11及びp側電極層12上に設けられている。本実施形態では、p側電極層12の上面の周縁端部に形成されたバリ13の上端よりも高い位置に、絶縁膜20の上面を設けた。絶縁膜20の上面はほぼ平坦であり、つまり、バリ13付近以外のp側電極層12上においても、絶縁膜20の上面がバリ13の上端よりも高い位置にある。このようにすることで、絶縁膜20が充分な厚みを有するので、p側電極層12にバリがあったとしてもnパッド電極31の側に電流がリークしない。また、n側電極層11にバリがあったとしてもpパッド電極32の側に電流がリークしない。
絶縁膜20は、n側電極層11上にn側開口(第1開口)21を有し、p側電極層12上にp側開口(第2開口)22を有する(図11参照)。
n側開口21は、その上に形成されるnパッド電極31と、凹部7に設けられたn側電極層11との充分な導通が得られる範囲で小さく作製されている。
p側開口22は、その上のpパッド電極32が形成される位置において、n側電極層11に近い部分(素子中央に近い部分)に少なくとも設けられている。このような位置に形成することで、半導体構造体3における電流の拡散を阻害しないようにすることができる。p側開口22は、p側電極層12とpパッド電極32との間の接触抵抗が小さくなるように、できるだけ大きく作製されている。図1に示したp側開口22の大きさは一例であり、図示した半分以下の大きさでも構わない。
nパッド電極31は、半導体発光素子1を実装するときのn側の最表面となる電極層である。nパッド電極31は、絶縁膜20のn側開口21を通じてn側電極層11と導通し、p側電極層12上かつ絶縁膜20上の一領域に設けられている。つまり、nパッド電極31は、p型半導体層6上にまで絶縁膜20を介して延在しn型半導体層4と電気的に接続されている。
pパッド電極32は、半導体発光素子1を実装するときのp側の最表面となる電極層である。pパッド電極32は、絶縁膜20のp側開口22を通じてp側電極層12と導通し、n側電極層11上かつ絶縁膜20上の他の領域にも設けられている。つまり、pパッド電極32は、n型半導体層4上にまで絶縁膜20を介して延在しp型半導体層6と電気的に接続されている。
本実施形態では、一例として、透光性導電膜52上に、さらに、多層膜からなる第2絶縁膜40を設けることとした。第2絶縁膜40は、p側電極層12による光の吸収を減らし、光出力を向上させるための光反射膜である。第2絶縁膜40は、多層膜の内部に、光反射用の金属膜46を有する。金属膜46はその全周囲が絶縁材料に被覆され、半導体構造体3等とは導通していないため、ここでは第2絶縁膜40の一部として説明する。詳細には、第2絶縁膜40は、図4に示すように、例えば透光性導電膜52の側から、下地層44と、DBR(分布ブラッグ反射器)45と、金属膜46と、キャップ層47とを備えることとした。金属膜46以外の材料は絶縁材料で構成される。
DBR45を酸化膜で形成した場合、低屈折率層451は、例えばSiO2で形成される。このとき、高屈折率層452は、例えば、Nb2O5、TiO2、ZrO2、Ta2O5等で形成される。
金属膜46は、DBR45の上に形成されているので、半導体構造体3からDBR45を透過した光を反射することができる。DBR45と金属膜46とを組み合わせることで、入射光を効率よく反射することができる。
この第2絶縁膜40は、金属膜46の多数の貫通孔(図7参照)のそれぞれの内側に、第1貫通孔41、第2貫通孔42、または第3貫通孔43を有している。第2貫通孔42の個数は、1個または複数個である。図8には、一例として8行10列の略格子状に貫通孔を設け、このうち、左上と左下の2箇所は第2貫通孔42とし、残りを第1貫通孔41としている。第1貫通孔41および第2貫通孔42の個数や配置は、これに限定されるものではない。第3貫通孔43は、凹部7の長手方向に沿った溝であり、凹部7の底面よりも狭小に形成されている。
透光性導電膜51は、n型半導体層4の上に設けられ、オーミック電極として機能する。透光性導電膜51は、金属、合金または導電性の酸化物からなる薄膜で形成されている。導電性の酸化物(酸化物半導体)としては、亜鉛、インジウム、スズ、ガリウムおよびマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む導電性の酸化物膜が挙げられる。具体的には、錫を含む酸化インジウム(Indium Tin Oxide:ITO)、ZnO、インジウムを含む酸化亜鉛(Indium Zinc Oxide:IZO)、ガリウムを含む酸化亜鉛(Gallium-doped Zinc Oxide:GZO)、In2O3またはSnO2等が挙げられる。特に導電性の酸化物については、導電性と透光性の観点からITOが最も好ましい。
透光性導電膜52は、p型半導体層6の上に設けられ、オーミック電極として機能する。透光性導電膜52の材料は、透光性導電膜51と同様である。透光性導電膜52は、例えばITO等で形成されている。なお、透光性とは、半導体発光素子1から出射された光を70%程度以上、80%程度以上、90%程度以上、95%程度以上透過させる性質を意味する。
半導体発光素子1の製造工程は、主に、ウェハ準備工程と、前処理工程と、電極形成工程と、絶縁膜形成工程と、パッド電極形成工程と、ウェハ個片化工程と、を含んでいる。なお、ウェハ個片化工程のウェハとは、少なくとも、n側電極層(第1電極)11、p側電極層(第2電極)12、絶縁膜20、nパッド電極(第1パッド電極)31、pパッド電極(第2パッド電極)32が形成されたものである。
まず、n型半導体層(第1半導体層)4及びp型半導体層(第2半導体層)6を有するウェハを準備する。既に製作されたウェハがあれば、それを用いてもよい。ウェハを製作する場合、具体的には、基板2の上に、n型半導体層4、活性層5、p型半導体層6をこの順番に積層し、半導体構造体3を形成する(図2参照)。そして、半導体構造体3の一部を、例えばRIE(Reactive Ion Etching反応性イオンエッチング)によってエッチングし、図5に示すように半導体構造体3の段差部である凹部7及び周辺部8を形成する。
前処理工程は、準備されたウェハ上で各素子に対応した電極をそれぞれ形成する前に行う工程である。本発明に係る電極形成方法では、前処理工程は、特に限定されるものではない。ここでは、一例として、透光性導電膜や絶縁膜を形成することとした。この場合、図6に示すように、凹部7にてp型半導体層6から露出されたn型半導体層4上面に透光性導電膜51を形成し、p型半導体層6上面に透光性導電膜52を形成する。
電極形成工程は、n型半導体層4上の一領域にn側電極層11を形成すると共に、n型半導体層4上の他の領域に設けられたp型半導体層6上にp側電極層12を形成する工程である。電極形成工程では、n側電極層11及びp側電極層12のうち少なくとも一方の電極を、レジストをマスクとして用いるリフトオフ法により形成する。ここでは、n側電極層11及びp側電極層12の両方をリフトオフ法により形成することとする。
(第1−2工程)図9(c)に示すように、反転工程を行う。すなわち、反転ベーク(リバーサルベーク)を行う。これにより、第1−1工程で露光された部分94の性質が反転する。具体的には、露光された部分94に、熱による架橋反応で、アルカリ耐性と紫外光耐性とを持たせる。
(第1−3工程)図9(d)に示すように、全面露光を行う。これにより、初期露光で感光した領域以外の部分を感光させる。ここで、レジスト92の破線で挟まれた領域(第1−1工程で露光された部分94の直下)は感光されにくくなっている。その後、図9(e)に示すように、現像により、第1−1工程で露光されなかった部分が除去され、第1−1工程で露光された部分94が残る。このとき、第1−1工程にて露光され第1−2工程にて反転された部分94の直下は感光されにくく、全面露光による可溶性の上昇の影響が少ない。このため、そのほとんどが現像後も残るが、側面95は現像液によるウェットエッチングによってやや除去されるので、庇部81が形成される。
絶縁膜形成工程は、n側電極層11及びp側電極層12上に絶縁膜20を形成する工程である。絶縁膜形成工程では、まず、n側電極層11及びp側電極層12上の全面に絶縁性樹脂をスピンコート法により形成することで絶縁膜20を形成する。その後、絶縁膜20に、n側電極層11の表面を露出させるn側開口21と、p側電極層12の表面を露出させるp側開口22と、を設ける。
同様に、第3貫通孔43のうち、nパッド電極31となる側(図11において右側)の一部を含む領域の絶縁膜20を除去することで、n側開口21が形成される。
パッド電極形成工程は、絶縁膜20上の一領域にn側開口21を通じてn側電極層11と導通したnパッド電極31を形成すると共に、絶縁膜20上の他の領域にp側開口22を通じてp側電極層12と導通したpパッド電極32を形成する工程である。
パッド電極形成工程では、少なくとも一方の電極層と導通したパッド電極を、絶縁膜20を介して他方の電極層上に形成する。つまり、図2において右側に示すようにn側電極層11と導通したnパッド電極31を、絶縁膜20を介して延在するようにp側電極層12上に形成する。また、図2において左側に示すようにp側電極層12と導通したpパッド電極32を、絶縁膜20を介して延在するようにn側電極層11上に形成する。
ウェハ個片化工程は、各素子に対応した電極がそれぞれ形成された大判のウェハを各素子のサイズに切り出して個片化する工程である。なお、個片化された素子は、接着層として合金を用いて、電極面側が実装基板等に接合される。なお、接着層の具体的な材料としては、例えば、AuとSnとを主成分とする合金等の共晶合金膜が挙げられる。
半導体発光素子1は、p側電極層12の上にnパッド電極31の一部を形成するために、または、n側電極層11の上にpパッド電極32の一部を形成するために、n側電極層11及びp側電極層12上に絶縁膜20を形成する。このような立体的な電極構造を有した半導体発光素子において、p側電極層12を、リフトオフ法により形成すると、図2においてXで示す領域の近傍にバリ13が生じることがある。従来技術では、バリ13の周囲において、絶縁膜20に、仮に隙間や亀裂が発生してしまうと、p側電極層12とnパッド電極31が短絡してしまう場合があった。また、p側電極層12には、図2においてYで示す領域にバリ14が生じることがある。ただし、p側電極層12のバリ14の上にある電極はpパッド電極32であり、短絡の心配はない。
半導体発光素子1のようにn側電極層11及びp側電極層12上に、絶縁膜20として絶縁性樹脂をスピンコート法で形成する実施例の効果について、酸化膜をスパッタリング法により形成する場合と比較しながら説明する。
また、仮に、バリ121を含めたp側電極層120の厚みがウェハ110上における絶縁膜130Bの厚みよりも大きい場合でも、絶縁膜130Bをスピンコート法で形成すれば、p側電極層120とnパッド電極140とが短絡することを防止可能であると考えられる。スピンコート法に用いる絶縁性樹脂は、通常、スパッタリング法で形成されるSiO2等よりも軟らかいので、スピンコート法で形成した絶縁膜130Bは比較的軟らかく、隙間や亀裂が生じにくい。このため、バリ121を含めたp側電極層120の厚みが絶縁膜130Bの厚みよりも大きい場合であっても、隙間や亀裂が発生せず、短絡を防止できると考えられる。例えば、絶縁膜130Bの材料をフッ素系樹脂とすると、硬化したときに、SiO2等の酸化物を用いた場合よりも軟らかくなり、隙間や亀裂が生じにくくなる。隙間や亀裂を予防できるので、p側電極層120とnパッド電極140とが短絡することを防止できる。
また、本実施形態の半導体発光素子1は、p型半導体層6上に、nパッド電極31とpパッド電極32との双方が配置された構造であり、従来の単純構造に比べて、フェイスダウン実装される際の接合領域が大きいため、接合強度・精度、放熱性を向上させることができる。
2 基板
3 半導体構造体
4 n型半導体層(第1半導体層)
5 活性層
6 p型半導体層(第2半導体層)
7 凹部
8 周辺部
11 n側電極層(第1電極)
12 p側電極層(第2電極)
13,14 バリ
15 アンカー用開口
20 絶縁膜
21 n側開口(第1開口)
22 p側開口(第2開口)
31 nパッド電極(第1パッド電極)
32 pパッド電極(第2パッド電極)
33 切欠部
40 第2絶縁膜
41 第1貫通孔
42 第2貫通孔
43 第3貫通孔
44 下地層
45 DBR(分布ブラッグ反射器)
451 低屈折率層
452 高屈折率層
46 金属膜
47 キャップ層
51,52 透光性導電膜
80 レジスト
81 庇部
100 電極材料層
110 ウェハ
120 p側電極層
121 バリ
130A,130B 絶縁膜
131 空洞
140 nパッド電極
Claims (8)
- 第1半導体層及び第2半導体層を有するウェハを準備する工程と、
前記第1半導体層上の一領域に第1電極を形成すると共に、前記第1半導体層上の他の領域に設けられた前記第2半導体層上に第2電極を形成する工程と、
前記第1電極及び前記第2電極上に、前記第1電極の表面を露出させる第1開口及び前記第2電極の表面を露出させる第2開口を設けた絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上の一領域に前記第1開口を通じて前記第1電極と導通した第1パッド電極を形成すると共に、前記絶縁膜上の他の領域に前記第2開口を通じて前記第2電極と導通した第2パッド電極を形成する工程と、
前記ウェハを個片化する工程と、を有し、
前記第1電極及び前記第2電極を形成する工程では、前記第1電極及び前記第2電極のうち少なくとも一方の電極を、レジストをマスクとして用いるリフトオフ法により形成し、
前記絶縁膜を形成する工程では、前記第1電極及び前記第2電極上の全面に絶縁性樹脂をスピンコート法により形成することで前記第2電極上の前記絶縁膜の厚みが1〜3μmになるように前記絶縁膜を形成し、
前記第1パッド電極及び前記第2パッド電極を形成する工程では、スパッタリング法により、前記一方の電極と導通したパッド電極を、前記絶縁膜を介して前記一方の電極とは異なる他方の電極上に形成することを特徴とする半導体発光素子の電極形成方法。 - 前記一方の電極は、リフトオフ法により、上面の周縁端部にバリが形成されており、
前記絶縁膜を形成する工程では、前記絶縁膜の上面が、前記バリの上端よりも高い位置にあるように前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の電極形成方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程では、前記第2電極上の前記絶縁膜の厚みが、前記レジストの膜厚以下になるように前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光素子の電極形成方法。
- 前記レジストは、その端縁部に庇部を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体発光素子の電極形成方法。
- 前記第1電極及び前記第2電極を形成する工程では、前記第1電極及び前記第2電極の両方を、前記第1電極及び前記第2電極の膜厚よりも大きな膜厚のレジストをマスクとして用いるリフトオフ法により形成し、
前記第1パッド電極及び前記第2パッド電極を形成する工程では、前記第1パッド電極を、前記絶縁膜を介して前記第2電極上に形成すると共に、前記第2パッド電極を、前記絶縁膜を介して前記第1電極上に形成することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体発光素子の電極形成方法。 - 前記絶縁性樹脂は、感光性のあるフッ素系樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体発光素子の電極形成方法。
- 前記第2電極を形成する工程では、
前記第2半導体層上に透光性導電膜を形成し、前記透光性導電膜上に複数の貫通孔を有する第2絶縁膜を形成し、前記第2電極を、前記貫通孔を通じて前記透光性導電膜と導通するように前記第2絶縁膜上に形成し、
前記絶縁膜を形成する工程では、前記第2電極上に前記絶縁膜を形成することにより、前記第2電極の表面における前記貫通孔に対応した凹凸を平坦化することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体発光素子の電極形成方法。 - 第1半導体層と、前記第1半導体層上の一領域に設けられた第2半導体層とを備える半導体構造体と、
前記第1半導体層上の他の領域に設けられた第1電極と、
前記第2半導体層上に設けられた第2電極と、を備えた半導体発光素子であって、
前記第1電極及び前記第2電極上に設けられ、前記第1電極上に第1開口を有し、前記第2電極上に第2開口を有する、樹脂からなる絶縁膜と、
前記第1開口を通じて前記第1電極と導通し、前記第2電極上かつ前記絶縁膜上の一領域に設けられた第1パッド電極と、
前記第2開口を通じて前記第2電極と導通し、前記第1電極上かつ前記絶縁膜上の他の領域に設けられた第2パッド電極と、を備え、
前記第1パッド電極は、Ti、PtおよびAuが積層されてなるか、またはTi、NiおよびAuが積層されてなり、
前記第2パッド電極は、Ti、PtおよびAuが積層されてなり、
前記第2電極上の前記絶縁膜の厚みが1〜3μmであり、
前記第2電極の上面の周縁端部に形成されたバリの上端よりも高い位置に、前記絶縁膜の上面を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
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