JP6240429B2 - 面発光型半導体レーザおよび光伝送装置 - Google Patents
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Description
請求項2は、前記第2の電極は、前記第2の共振器側へ伝搬する光とは逆の位相で前記第1の共振器側 へ光が帰還するよう位相を制御する、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、前記第2の導電領域に対応する前記第2の共振器の出射面は、当該第2の共振器から光が出射しないように遮光性の部材で覆われている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、前記第2の共振器の出射面は、前記第1の共振器の出射面よりも遮光されている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記遮光性の部材は前記第2の電極である、請求項3または4に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、前記第1の共振器と前記第2の共振器との距離、及び前記結合部の幅は、前記第2の共振器が結合されていない場合の前記第1の共振器と比較し、高周波特性が改善される値に設定されている、請求項1または請求項5に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、前記結合部の電気抵抗は、前記第1の共振器及び前記第2の共振器の電気抵抗よりも高い、請求項1ないし請求項6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項8は、前記第1の共振器、第2の共振器、及び結合部は、活性層よりも出射面側に高屈折率層と低屈折率層の積層構造からなる多層膜反射鏡を有し、結合部における前記多層膜反射鏡が電気的に絶縁されている、請求項1ないし請求項7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項9は、第1の導電領域と第1の非導電領域とを有する第1の電流狭窄構造を含む複数の半導体層を有する第1の共振器と、前記第1の共振器を駆動する電力を供給する第1の電極と、前記第1の電流狭窄構造が形成される層と同じ層内に形成された第2の導電領域と第2の非導電領域とを有する第2の電流狭窄構造を含む複数の半導体層を有し、前記第1の共振器と並んで形成される第2の共振器と、前記第1および第2の電流狭窄構造が形成される層と同じ層内に形成される導電領域であって前記第1の導電領域と前記第2の導電領域とを接続する第3の導電領域を有するとともに、前記第1の共振器と前記第2の共振器の前記複数の半導体層同士を結合させる結合部と、前記第1の電極とは分離して設けられ、前記第1の共振器側から前記結合部を介して前記第2の共振器側へ伝搬してきた光が前記第1の共振器側へ帰還する場合の位相を制御する第2の電極と、を備え、前記第3の導電領域の幅は、前記第1及び第2の導電領域の幅よりも狭い面発光型半導体レーザ。
請求項10は、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザに駆動信号を印加する印加手段と、を備えた光伝送装置。
請求項1によれば、帰還される光の位相を制御しない場合と比較して、高速変調を改善させることができる。
請求項2によれば、帰還される光の位相が同相の場合と比較して、高速変調を改善させることができる。
請求項3、4によれば、第1および第2の共振器からレーザ光を出射させるときと比較して、モード制御が容易になる。
請求項5によれば、第2の共振器への電流注入と遮光を同時に行うことができる。
請求項6によれば、結合部を持たない面発光型半導体レーザと比較して、高速変調を容易に実現することができる。
請求項7、8によれば、結合部の電気抵抗を高くしない場合と比較して、第1の共振器の利得の低下を抑制することができる。
請求項9によれば、第2の共振器を持たない面発光型半導体レーザと比較して、高速変調することができる。
30:結合部 32:くびれ形状
40:駆動用メサ 100:GaAs基板
102:下部DBR 104:活性領域
106:電流狭窄層 106A:酸化領域
106B:非酸化領域 106C:境界
108:上部DBR 110:駆動用電極
120、122:制御用電極 130:n側電極
200:絶縁領域
Claims (10)
- 第1の導電領域と第1の非導電領域とを有する第1の電流狭窄構造を含む複数の半導体層を有する第1の共振器と、
前記第1の共振器を駆動する電力を供給する第1の電極と、
前記第1の電流狭窄構造が形成される層と同じ層内に形成された第2の導電領域と第2の非導電領域とを有する第2の電流狭窄構造を含む複数の半導体層を有し、前記 第1の共振器と並んで形成される第2の共振器と、
前記第1および第2の電流狭窄構造が形成される層と同じ層内に形成される導電領域であって前記第1の導電領域と前記第2の導電領域とを接続する第3の導電領域を有し、前記第1の共振器と前記第2の共振器の前記複数の半導体層同士を結合させる結合部と、
前記第1の電極とは分離して設けられ、前記第1の共振器側から前記結合部を介して前記第2の共振器側へ伝搬してきた光が前記第1の共振器側へ帰還する場合の位相を制御する第2の電極と、を備え、
前記結合部の等価屈折率は、前記第1の共振器及び前記第2の共振器のそれぞれの等価屈折率よりも小さい面発光型半導体レーザ。 - 前記第2の電極は、前記第2の共振器側へ伝搬する光とは逆の位相で前記第1の共振器側 へ光が帰還するよう位相を制御する、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第2の導電領域に対応する前記第2の共振器の出射面は、当該第2の共振器から光が出射しないように遮光性の部材で覆われている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第2の共振器の出射面は、前記第1の共振器の出射面よりも遮光されている、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記遮光性の部材は前記第2の電極である、請求項3または4に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第1の共振器と前記第2の共振器との距離、及び前記結合部の幅は、前記第2の共振器が結合されていない場合の前記第1の共振器と比較し、高周波特性が改善される値に設定されている、請求項1または請求項5に記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記結合部の電気抵抗は、前記第1の共振器及び前記第2の共振器の電気抵抗よりも高い、請求項1ないし請求項6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 前記第1の共振器、第2の共振器、及び結合部は、活性層よりも出射面側に高屈折率層と低屈折率層の積層構造からなる多層膜反射鏡を有し、結合部における前記多層膜反射鏡が電気的に絶縁されている、請求項1ないし請求項7いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
- 第1の導電領域と第1の非導電領域とを有する第1の電流狭窄構造を含む複数の半導体層を有する第1の共振器と、
前記第1の共振器を駆動する電力を供給する第1の電極と、
前記第1の電流狭窄構造が形成される層と同じ層内に形成された第2の導電領域と第2の非導電領域とを有する第2の電流狭窄構造を含む複数の半導体層を有し、前記第1の共振器と並んで形成される第2の共振器と、
前記第1および第2の電流狭窄構造が形成される層と同じ層内に形成される導電領域であって前記第1の導電領域と前記第2の導電領域とを接続する第3の導電領域を有するとともに、前記第1の共振器と前記第2の共振器の前記複数の半導体層同士を結合させる結合部と、
前記第1の電極とは分離して設けられ、前記第1の共振器側から前記結合部を介して前記第2の共振器側へ伝搬してきた光が前記第1の共振器側へ帰還する場合の位相を制御する第2の電極と、を備え、
前記第3の導電領域の幅は、前記第1及び第2の導電領域の幅よりも狭い面発光型半導体レーザ。 - 請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザに駆動信号を印加する印加手段と、を備えた光伝送装置。
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