JP6237221B2 - 非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
本願において、「結晶質C12A7」とは、12CaO・7Al2O3の結晶、およびこれと同等の結晶構造を有する同型化合物を意味する。本化合物の鉱物名は、「マイエナイト」である。
(1)結晶中のCa原子の一部乃至全部が、Sr、Mg、およびBaからなる群から選択される一種以上の金属原子に置換された同型化合物。例えば、Ca原子の一部乃至全部がSrに置換された化合物としては、ストロンチウムアルミネートSr12Al14O33があり、CaとSrの混合比が任意に変化された混晶として、カルシウムストロンチウムアルミネートCa12−xSrXAl14O33(xは1〜11の整数;平均値の場合は0超12未満の数)などがある。
(2)結晶中のAl原子の一部乃至全部が、Si、Ge、Ga、In、およびBからなる群から選択される一種以上の原子に置換された同型化合物。例えば、Ca12Al10Si4O35などが挙げられる。
(3)12CaO・7Al2O3の結晶(上記(1)、(2)の化合物を含む)中の金属原子および/または非金属原子(ただし、酸素原子を除く)の一部が、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、およびCuからなる群から選択される一種以上の遷移金属原子もしくは典型金属原子、Li、Na、およびKからなる群から選択される一種以上のアルカリ金属原子、またはCe、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、およびYbからなる群から選択される一種以上の希土類原子と置換された同型化合物。
(4)ケージに包接されているフリー酸素イオンの一部乃至全部が、他の陰イオンに置換された化合物。他の陰イオンとしては、例えば、H−、H2 −、H2−、O−、O2 −、OH−、F−、Cl−、およびS2−などの陰イオンや、窒素(N)の陰イオンなどがある。
(5)ケージの骨格の酸素の一部が、窒素(N)などで置換された化合物。
本願において、「結晶質C12A7エレクトライド」とは、前述の「結晶質C12A7」において、ケージに包接されたフリー酸素イオン(ケージに包接された他の陰イオンを有する場合は、当該陰イオン)の一部乃至全部が電子に置換された化合物を意味する。
本発明の製造方法により得られる薄膜である、「カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜」に関連する用語について説明しておく。
本発明において、非晶質酸化物のエレクトライドは、2つのケージに包接されている2つの電子が、他の陰イオンに置換された化合物であっても良い。他の陰イオンとしては、例えば、H−、H2 −、H2−、O−、O2 −、OH−、F−、Cl−、およびS2−からなる群から選択される1以上の陰イオンが挙げられる。
バイポーラロンは、光子エネルギーが1.55eV〜3.10eVの可視光の範囲では光吸収がほとんどないか小さく、4.6eV付近で大きな光吸収を示す。従って、本発明によるエレクトライドの薄膜は、可視光において透明である。また、薄膜サンプルの光吸収特性を測定し、4.6eV付近の光吸収係数を測定することにより、薄膜サンプル中にバイポーラロンが存在するかどうか、すなわち薄膜サンプルが非晶質酸化物のエレクトライドを有するかどうかを確認することができる。
I2+e−→2I− (1)式
また、チオ硫酸ナトリウムでヨウ素水溶液を滴定した場合、
2Na2S2O3+I2→2NaI+Na2S4O6 (2)式
の反応により、未反応のヨウ素がヨウ化ナトリウムに変化する。最初の溶液中に存在するヨウ素量から、(2)式で滴定検出されたヨウ素量を差し引くことにより、(1)式の反応で消費されたヨウ素量が算定される。これにより、エレクトライドの薄膜のサンプル中の電子密度を測定することができる。
結晶質C12A7エレクトライドを含むターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、該ターゲットに連続した負の電圧あるいは500kHz以下の周期的に繰り返される間欠的な負の電圧を印加するスパッタリング法により、基板上に成膜を行うことにより、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法について説明する。
さらに、本発明の一実施例では、非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜が提供される。
(ターゲットの作製)
まず、CaO粉末およびAl2O3粉末をモル比が12:7となるように調合、混合し、原料粉末を得た。この原料粉末を、空気中で1350℃まで加熱して、結晶質C12A7のバルク体を作製した。
(非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜の形成)
表1に示す電子密度を有する結晶性C12A7エレクトライドターゲットを用いてスパッタリング法により、基板の表面に非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を成膜した。
分光光度計(JASCO社製、製品名:ARM−500N)を用いて、成膜したサンプルの光透過率と光反射率を測定し、その測定結果から光吸収係数を算定した。より具体的には、光透過率をT、反射率をR、膜厚をtとしたとき、光吸収係数Aは、以下の式で表される:
A=Ln(T/(1−R))/t (3)式
非晶質酸化物のエレクトライドのバイポーラロンは、4.6eVの光子エネルギー付近で光吸収を示す。4.6eVの光子エネルギー付近で光吸収係数が、薄膜中のバイポーラロンの含有量を示唆する。したがって、4.6eVでの光吸収係数が大きいものが求められる。表1に、4.6eVでの光吸収係数を示す。また、表1に、4.6eVの光子エネルギー位置における光吸収係数に対する、3.3eVの位置における光吸収係数の比を示す。
電子密度が8.5×1020cm−3のターゲットの代わりに、電子密度が1.4×1021cm−3のターゲットを用いた以外は、例1と同様の成膜および評価を行った。電子密度が1.4×1021cm−3のターゲットは、例1のターゲットの作製において、1300℃の熱処理の保持時間を12時間として作製した。
スパッタリング時の印加電力を100W、成膜時間を45分とした以外は、例2と同様の成膜および評価を行った。この際の印加電力密度は、5.0W/cm2であった。
DC電源の代わりにRF電源(ULVAC社製、製品名:RFS−02CA)を利用し、成膜時間を3時間にした以外は、例2と同様の成膜および評価を行った。
3 ケージ
4 電子(溶質)
5 バイポーラロン
Claims (9)
- 結晶質C12A7エレクトライドを含むターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、該ターゲットに連続した負の電圧あるいは500kHz以下の周期的に繰り返される間欠的な負の電圧を印加するスパッタリング法により、基板上に成膜を行うことにより、
カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法であって、
前記薄膜は4.6eVの光子エネルギー位置において光吸収を示し、
前記4.6eVの位置での光吸収値は、8000cm −1 以上である、製造方法。 - 前記薄膜において、アルミニウム原子とカルシウム原子のモル比(Ca/Al)は、0.3〜5.0の範囲である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記薄膜の電子密度が2.0×1017cm−3以上2.3×1021cm−3以下の範囲である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記薄膜のF+センターの濃度が5×1018cm−3未満である、請求項1〜3のいずれか一つに記載の製造方法。
- 前記薄膜の、4.6eVの光子エネルギー位置における光吸収係数に対する、3.3eVの位置における光吸収係数の比が0.35以下である、請求項1〜4のいずれか一つに記載の製造方法。
- 前記薄膜は、10μm以下の厚さを有する、請求項1〜5のいずれか一つに記載の製造方法。
- 前記基板は非加熱状態で使用される、請求項1〜6のいずれか一つに記載の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか一つに記載の製造方法により薄膜を得て、該薄膜を電子デバイスまたは光デバイスの機能層として用いる方法。
- カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜であって、4.6eVの光子エネルギー位置において光吸収を示し、4.6eVの位置での光吸収値は8000cm−1以上であることを特徴とする薄膜。
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