JP6228454B2 - 回路付サスペンション基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路付サスペンション基板、および、その製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板、および、その製造方法に関する。

金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成される配線などの導体パターンとを備える回路付サスペンション基板が知られており、磁気ヘッドを搭載してハードディスクドライブなどに用いられている。

導体パターンは、書込配線と読取配線とを備え、各配線の先端部が磁気ヘッドに、後端部が外部基板に接続されている。そして、信号伝送におけるノイズを低減するため、導体パターンは、１対の書込配線および１対の読取配線を備え、各書込配線および各読取配線は、第１の電気信号が伝送される第１配線と、第１の電気信号と逆位相となる第２の電気信号が伝送される第２配線とを備える差動信号配線が一般的に採用されている。

ところで、このような差動信号配線では、差動インピーダンスが発生するため、差動インピーダンスを低減する必要がある。

そこで、１対の書込配線の第１配線および第２配線と、１対の読取配線の第１配線および第２配線とを交互に配置する構成（インターリーブ配線）が知られている。この構成では、第１配線と第２配線とを接触させることなく交差させる必要が生じる。すなわち、一方の配線（第１配線）を、他方の配線（第２配線）を跨いで、電気的に接続させる必要が生じる。

このような方法として、例えば、特許文献１には、第２配線を跨いた一方側と反対側とのそれぞれに、ベース絶縁層を貫通し、第１配線と金属支持基板とを接続する金属導通部が形成されたサスペンション基板が開示されている。このサスペンション基板では、一方側にある第１配線は、一方側にある金属導通部、金属支持基板、および、他方側にある金属導通部を介して、他方側にある第１配線と電気的に接続されるため、第１配線は、第２配線と接触することなく、交差することができる。

そして、この金属導通部は、第１配線と金属支持基板と確実に接続させるために、配線の幅方向よりも直径が長い平面視円形状に形成されている。

一方、このような金属導通部は、インターリーブ配線以外にも、ベース絶縁層を貫通させて金属支持基板に接地するためのグランド配線において、グランド配線と金属支持基板とを導通する導通部としても活用されている。

特開２０１２−１１４２１７号公報（図２、図３、図５、図６（ａ）、（ｂ）参照）

しかるに、サスペンション基板では、外部と接続させる端子部やそれに伴う配線の数がより多く必要になってきている。そのため、サスペンション基板の上に形成される導体パターンの小型化がより一層求められ、金属導通部についても、小型化すなわち小径化が求められている。

ところで、特許文献１のサスペンション基板では、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を、金属支持基板が露出する平面視円形状の開口部が形成されるようにパターン形成し、次いで、その開口部に金属導通部を形成している。

しかるに、開口部は、一般的に、露出する金属支持基板の表面(金属露出面)から上側に向かって広がる側断面視テーパ状に形成される。そして、金属露出面をより小さくすると、ベース絶縁層の表面付近の開口部の面積が、金属露出面の面積に対して、増加する割合が大きくなり、ベース絶縁層の表面付近の開口部の小型化、ひいては、金属導通部の小型化が図れない不具合が生じる。

本発明の目的は、金属導通部を小型化することができる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成される絶縁層とを備え、前記絶縁層は、単層からなり、前記絶縁層には、凹部が形成され、前記凹部には、金属支持層を露出する開口部が形成され、前記開口部には、金属導通部が形成されていることを特徴としている。

このような回路付サスペンション基板によると、絶縁層の凹部に開口部が形成されているため、凹部表面から金属支持層までの厚み（距離）が、凹部以外の絶縁層表面から金属支持層までの厚み（距離）よりも低減されている。その結果、金属支持層表面から凹部表面に向かうに従って広がるテーパ状の広がりの増加が抑制され、凹部表面の開口部さらには金属導通部を小型化することができる。

また、本発明の回路付サスペンションは、絶縁層を、金属支持層の上に、凹部と、前記凹部から前記金属支持層が露出する開口部とが形成されるように、階調露光により形成し、次いで、金属導通部を、前記開口部に形成することにより得られることを特徴としている。

このような回路付サスペンション基板によると、絶縁層の凹部に開口部が形成されているため、凹部表面から金属支持層までの厚みが、凹部以外の絶縁層表面から金属支持層までの厚みよりも低減されている。その結果、金属支持層表面から凹部表面に向かうに従って広がるテーパ状の広がりの増加が抑制され、凹部表面の開口部さらには金属導通部を小型化することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持層を用意する工程、絶縁層を、前記金属支持層の上に、凹部と、前記凹部から前記金属支持層が露出する開口部とが形成されるように、階調露光により形成する工程、金属導通部を、前記開口部に形成する工程を備えることを特徴としている。

このような回路付サスペンション基板の製造方法によると、絶縁層の凹部に開口部を形成するため、凹部表面から金属支持層までの厚みが、凹部以外の絶縁層表面から金属支持層までの厚みよりも低減することができる。その結果、金属支持層表面から凹部表面に向かうに従って広がるテーパ状の広がりの増加を抑制し、凹部表面の開口部さらには金属導通部を小型化することができる。

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法では、前記階調露光が、１つのマスクを用いて実施されることが好適である。

このような回路付サスペンション基板の製造方法によると、絶縁層に凹部および開口部のパターンを１つの工程で形成することができ、回路付サスペンション基板を簡易に製造することができる。また、１つのマスクで階調露光すると、凹部と開口部との相対位置の精度の向上を図ることができる。

本発明の回路付サスペンション基板によれば、金属導通部が小型化されている。その結果、回路付サスペンション基板に形成される単位面積当たりの端子部や配線の数を増大させたり、端子部や配線の配置の自由度を増大させることができる。

本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、金属導通部を小型化することができ、回路付サスペンション基板に形成される単位面積当たりの端子部や配線の数を増大させたり、端子部や配線の配置の自由度を増大させることができる。

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。 図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の交差接続部の拡大図であり、図２Ａは、平面図、図２Ｂは、底面図を示す。 図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の信号配線接続部の拡大図であり、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。 図４は、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図２ＡのＡ−Ａ線に沿う断面図であって、図４Ａは、金属支持層を用意する工程、図４Ｂは、ベース皮膜を形成する工程、図４Ｃは、ベース皮膜を露光する工程、図４Ｄは、ベース皮膜を現像する工程を示す。 図５は、図４に引き続き、図１に示す回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であり、図２ＡのＡ−Ａ線に沿う断面図であって、図５Ｅは、導体パターンおよび金属導通部を形成する工程、図５Ｆは、カバー絶縁層を形成する工程、図５Ｇは、支持開口部を形成する工程を示す。 図６は、図１に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（金属導通部と、第１周側部との距離が長い形態）の信号配線接続部の拡大図を示す。 図７は、図１に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（金属導通部の周端縁が、厚膜部の上に位置する形態）の信号配線接続部の拡大図を示す。 図８は、図１に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（グランド配線接続部を備え、金属導通部の周端縁が薄膜部の上に位置し、上側配線がベース上部の上に形成されている形態）の信号配線接続部の拡大図を示す。 図９は、図１に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（グランド配線接続部を備え、金属導通部の周端縁が厚膜部の上に位置する形態）の信号配線接続部の拡大図を示す。 図１０は、図１に示す回路付サスペンション基板の他の実施形態（グランド配線接続部を備え、金属導通部と第１周側部との距離が長い形態）の信号配線接続部の拡大図を示す。 図１１は、従来の回路付サスペンション基板の信号配線接続部の拡大図を示す。

図１において、紙面左側を先側（第１方向一方側）、紙面右側を後側（第１方向他方側）とし、紙面上側を左側（第２方向一方側）、紙面下側を右側（第２方向他方側）とし、紙面手前側を上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側を下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）とする。図１以外の図面についても、図１の方向を基準とする。なお、図１〜図３において、カバー絶縁層６は、導体パターン５および信号配線接続部１１の配置を明確に示すため、省略している。

回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、長手方向に延びる平帯状に形成されており、図５Ｇに示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン５と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５を被覆するように形成されるカバー絶縁層６とを備えている。

金属支持層２は、回路付サスペンション基板１の平面形状に対応する形状に形成されている。また、金属支持層２には、後述するヘッド側端子７を左右方向に挟むスリット２１、および、後述する支持開口部２３が、厚み方向を貫通するように形成されている。

金属支持層２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが挙げられる。好ましくは、ステンレスが挙げられる。

金属支持層２の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、６０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。

ベース絶縁層３は、金属支持層２の上面において、導体パターン５および信号配線接続部１１（後述）に対応するパターンに形成されている。なお、信号配線接続部１１におけるベース絶縁層３には、後述する凹部１３が形成されている。

ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。

ベース絶縁層３（信号配線接続部１１は除く）の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

導体パターン５は、回路付サスペンション基板１の先端部に接続されるヘッド側端子７と、回路付サスペンション基板１の後端部に接続される外部側端子１７と、ヘッド側端子７と外部側端子１７とに接続される信号配線８とを備えている。

ヘッド側端子７は、回路付サスペンション基板１の先端部において、左右方向に間隔を隔てて複数（４つ）配置され、各ヘッド側端子７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。

外部側端子１７は、回路付サスペンション基板１の後端部において、左右方向に間隔を隔てて複数（４つ）配置され、各外部側端子１７は、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。

信号配線８は、１対の書込配線８Ｗと、１対の読取配線８Ｒとを備えている。

１対の書込配線８Ｗは、ヘッド側端子７と外部側端子１７との間において、互いに平行するように、回路付サスペンション基板１の左側端部に沿って延びるように配置されている。

各書込配線８Ｗは、第１配線１９と第２配線２０とを備えている。すなわち、１対の書込配線８Ｗは、１対の第１配線１９と１対の第２配線２０とを備えている。

１対の第１配線１９は、左右方向に互いに間隔を隔てて並列に配置されている。各第１配線１９は、先端部においてヘッド側端子７に接続され、後端部において外部側端子１７に接続されている。

１対の第２配線２０は、１対の第１配線１９の左右方向内方であって、左右方向に互いに間隔を隔てて並列に配置されている。

具体的には、左右方向外方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａに対応する第２配線２０Ａは、左右方向内方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂに隣接して配置されている。また、左右方向内方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂに対応する第２配線２０Ｂは、左右方向外方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａに隣接して配置されている。

これによって、左右方向において、左右方向内方（一方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂ、左右方向外方（他方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａに対応する第２配線２０Ａ、左右方向内方（一方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂに対応する第２配線２０Ｂ、および、左右方向外方（他方）の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａが並列して配置している。つまり、左右方向において、一方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ｂ、他方の書込配線８Ｗの第２配線２０Ａ、一方の書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂ、他方の書込配線８Ｗの第１配線１９Ａが交互に配置されている。換言すると、一方の書込配線８Ｗの２つの配線と、他方の書込配線８Ｗの２つの配線とが交互に配置されている。

そして、各第２配線２０は、対応する第１配線１９に対して、第１配線１９の先側部分および後側部分のいずれか一方から分岐し、他方に後述する交差接続部９を介して接合（合流）している。

具体的には、左右方向外方の書込配線８Ｗにおいては、第２配線２０は、後側部分から分岐し、先側部分にて交差接続部９を介して接合する。また、左右方向内方の書込配線８Ｗにおいては、第２配線２０は、先側部分から分岐し、後側部分にて交差接続部９を介して接合する。

１対の読取配線８Ｒは、ヘッド側端子７と外部側端子１７との間において、互いに平行するように、回路付サスペンション基板１の右側端部に沿って延びるように配置されている。１対の読取配線８Ｒは、１対の書込配線８Ｗと略同一構成（略左右対称）であり、その説明を省略する。

導体パターン５（および後述する金属導通部１２）を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などが挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン５の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

また、各ヘッド側端子７および各外部側端子１７の幅は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

各信号配線８の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

カバー絶縁層６は、図５Ｇで示すように、導体パターン５から露出するベース絶縁層３の上面と、信号配線８（および後述する金属導通部１２）の上面および側面とに形成されている。また、カバー絶縁層６は、ヘッド側端子７および外部側端子１７を露出するように形成されている。

カバー絶縁層６を形成する絶縁材料としては、ベース絶縁層３を形成する絶縁材料と同様のものが挙げられる。また、カバー絶縁層６の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、４μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。

次に、交差接続部９について詳述する。

交差接続部９は、図１に示すように、書込配線８Ｗの第２配線２０Ａの先端部、書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂの後端部、読取配線８Ｒの第２配線２０Ａの後端部、および、読取配線８Ｒの第２配線２０Ｂの先端部にそれぞれ対応するように設けられている。各交差接続部９は、略同一構成であるため、以下、書込配線８Ｗの第２配線２０Ａの先端部に対応する交差接続部９について詳述する。

交差接続部９は、図５Ｇに示すように、２つの信号配線接続部１１と、それらの間に配置され、それらを電気的に接続する支持接続部１８とを備えている。

各信号配線接続部１１は、ベース絶縁層３に形成される凹部１３と、凹部１３に形成される開口部２５とを備えている。

凹部１３は、平面視略円形状をなし、上側に向かって広がる（つまり、上側に向かって開口断面積が大きくなる）側断面視テーパ状（略円錐台形状）に形成されている。凹部１３は、凹部の周側部をなし、厚み方向に対して表面が傾斜するように形成されるベース絶縁層３の第１周側部２６の傾斜面（第１周側面）と、凹部１３の底部をなし、上面が平坦となるように形成されるベース絶縁層３の薄膜部２８の上面（凹部底面）とから区画され形成されている。

凹部１３の外周には、第１周側部２６と連続するベース絶縁層３の厚膜部２９が形成されている。厚膜部２９の上面は、平坦状をなし、厚膜部２９と薄膜部２８とで第１段差部を形成している。また、平面視において、第１周側部２６の外側周端縁の直径Ｗ_１は、凹部１３の外径をなし、第１周側部２６の内側周端縁の直径Ｗ_２は、凹部１３の内径をなしている（図３参照）。

開口部２５は、薄膜部２８（凹部底面）の平面視略中央に形成されている。

開口部２５は、平面視略円形状をなし、上側に向かって広がる側断面視テーパ状（略円錐台形状）に形成されている。開口部２５は、開口部２５の周側部をなし、厚み方向に対して表面が傾斜するように形成される第２周側部２７の傾斜面（第２周側面）と、開口部２５の底部をなし、ベース絶縁層３から露出する金属支持層２の表面（金属露出面１６）とから区画され形成されている。そして、薄膜部２８と金属露出面１６とで第２段差部を形成している。平面視において、第２周側部２７の外側周端縁の直径は、開口部２５の外径Ｗ_３をなしている。一方、第２周側部２７の内側周端縁は、金属露出面１６との外縁と一致し、その直径は、開口部２５の内径Ｗ_４をなしている。なお、開口部２５は、凹部１３と同心円となるように形成されている。

ベース絶縁層３は、単層から形成されている。すなわち、厚膜部２９、第１周側部２６、薄膜部２８および第２周側部２７は、一体成形されており、厚膜部２９の上面、第１周側部２６の傾斜面（第１周側面）、薄膜部２８の上面（凹部底面）および第２周側部２７の傾斜面（第２周側面）、ならびに、これらの境界は、継ぎ目のない、連続面となるように形成されている。

また、信号配線接続部１１は、金属導通部１２を備えている。金属導通部１２は、開口部２５に充填されている。

金属導通部１２は、平面視略円形状であり、開口部２５および凹部１３と同心円となるように形成されている。金属導通部１２は、金属露出面１６および第２周側面（第２周側部２７の傾斜面）の全面、ならびに、凹部底面（薄膜部２８の上面）の内側の一部と接触し、それらを被覆している。

金属導通部１２は、内側部１４と、内側部１４の周端縁から外側に膨出する外側部１５とを一体的に備えている。

内側部１４は、平面視略円形状をなし、側断面視において、表面が金属露出面１６および第２周側面に沿うＵ字状に形成されている。内側部１４は、金属露出面１６および第２周側面を被覆する。内側部１４の外周縁は、第２周側部２７の外側周端縁と一致し、その直径は、開口部２５の外径Ｗ_３と一致とする。

外側部１５は、平面視略円環状に形成されている。外側部１５の周端縁２４は、第１周側部２６と、間隔を隔てて対向配置されている。外側部１５の上面は、厚膜部２９の上面よりも、下方に位置する。

凹部１３の外径Ｗ_１（凹部１３の外側周端縁の直径）は、例えば、３３μｍ以上、好ましくは、３８μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

凹部１３の内径Ｗ_２（凹部１３の内側周端縁の直径）は、例えば、２９μｍ以上、好ましくは、３４μｍ以上であり、また、例えば、９９６μｍ以下、好ましくは、４９６μｍ以下である。

開口部２５の外径Ｗ_３（開口部２５の外側周端縁の直径、すなわち、金属導通部１２の内側部１４の直径）は、例えば、９μｍ以上、好ましくは、１４μｍ以上であり、また、例えば、２５０μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。開口部２５の外径Ｗ_３は、凹部１３の内径Ｗ_２に対して、例えば、０．１％以上、好ましくは、１％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。

開口部２５の内径Ｗ_４（開口部２５の内側周端縁の直径）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。開口部２５の内径Ｗ_４は、開口部２５の外径Ｗ_３に対して、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。

金属導通部１２の外側部１５の直径Ｗ_５は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、９００μｍ以下、好ましくは、４９０μｍ以下である。

厚膜部２９(ベース絶縁層３)の厚みＨ_１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、４μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

薄膜部２８の厚みＨ_２は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。また、薄膜部２８の厚みＨ_２は、厚膜部２９の厚みＨ_１に対して、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。

外側部１５の周端縁２４と第１周側部２６の内側周端縁との距離Ｄは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、４９０μｍ以下、好ましくは、２４０μｍ以下である。

そして、図２および図５Ｇに示すように、２つの信号配線接続部１１は、第２配線２０Ｂを挟んで左右方向に間隔を隔てて配置され、一方（左側）の信号配線接続部１１は、第１配線１９Ａの先端部分から分岐した配線に接続され、他方（右側）の信号配線接続部１１は、第２配線２０Ａの先端部に接続されている。２つの信号配線接続部１１は、支持接続部１８によって電気的に接続されている。

支持接続部１８は、支持開口部２３により仕切られる金属支持層２の部分として形成されている。

支持開口部２３は、図２Ｂおよび図３に示すように、金属支持層２の厚み方向を貫通し、左右方向に長い底面視略矩形枠状をなし、２つの信号配線接続部１１を囲むように形成されている。

また、支持接続部１８は、支持開口部２３内において、左右方向に長い底面視略矩形状をなし、一方の書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂを左右方向に横切るように配置されている。また、支持接続部１８は、支持開口部２３の周囲の金属支持層２の内側に間隔を隔てて配置されている。このため、支持接続部１８は、支持開口部２３の周囲の金属支持層２と電気的に絶縁されている。

そして、２つの信号配線接続部１１の金属導通部１２のそれぞれは、共通の支持接続部１８に接続されている。つまり、支持接続部１８は、厚み方向に投影したときに、２つの信号配線接続部１１と、それらに挟まれる書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂとを含んでいる。

これにより、２つの信号配線接続部１１は、書込配線８Ｗの第２配線２０Ｂを跨ぐ一方、支持接続部１８を介して、電気的に接続される。つまり、第１配線１９Ａは、一方の金属導通部１２、支持接続部１８および他方の信号配線接続部１１を介して、第２配線２０Ａに電気的に接続（導通）されている。

そして、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）と外部基板（図示せず）とを実装して、ハードディスクドライブに搭載される。

次に、回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４および図５を参照して説明する。

まず、図４Ａに示すように、この方法では、長手方向に延びる平板状の金属支持層２を用意する。

次いで、図４Ｂに示すように、感光性のベース皮膜３ａを、金属支持層２の上に、形成する。

ベース皮膜３ａを形成するには、例えば、金属支持層２の上に、感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を塗布して、乾燥する。

次いで、図４Ｃに示すように、１つの、マスクとしての階調フォトマスク３０を介してベース皮膜３ａを露光する。

フォトマスクは、遮光部分３１、光半透過部分３２および光全透過部分３３からなるマスクパターンを備えている。

そして、階調フォトマスク３０をベース皮膜３ａの上側に配置する。

具体的には、光全透過部分３３を、厚膜部２９を形成する部分に対向させ、光半透過部分３２を、薄膜部２８を形成する部分に対向させ、遮光部分３１を、金属露出面１６を形成する部分に対向させる。

その後、ベース皮膜３ａを、上側から階調フォトマスク３０を介して階調露光する。

次いで、図４Ｄに示すように、ベース皮膜３ａを現像する。

これにより、遮光部分３１に対向する部分、つまり、未露光部分を溶解させるとともに、光半透過部分３２に対向する部分、つまり、露光の度合いが調整された半露光部分を部分的に溶解させて現像し、その後、必要に応じて、加熱硬化する。

すると、光全透過部分３３に対応して厚膜部２９が形成され、光半透過部分３２に対応して薄膜部２８が形成されるとともに、遮光部分３１に対応して、ベース絶縁層３が形成されずに、金属支持層２の表面（金属露出面１６）が露出する。

このとき、光半透過部分３２と光全透過部分３３との境界周辺において、光半透過部分３２側に光全透過部分３３からの露光が僅かに漏れるため、光半透過部分３２の境界側端部は、光半透過部分３２の中心部よりも露光量が増大する。その結果、現像液に浸漬させた後に、光半透過部分３２と光全透過部分３３との境界に、すなわち、薄膜部２８と厚膜部２９との間に、傾斜面（第１周側面）を備える第１周側部２６が形成される。

また、遮光部分３１と光半透過部分３２との境界周辺において、遮光部分３１側に光半透過部分３２からの露光が僅かに漏れるため、遮光部分３１の境界側端部は、遮光部分３１の中心部よりも露光量が増大する。その結果、現像液に浸漬させた後に、遮光部分３１と光半透過部分３２との境界に、すなわち、金属露出面１６と薄膜部２８との間に、傾斜面（第２周側面）を備える第２周側部２７が形成される。

よって、ベース絶縁層３は、凹部１３および開口部２５を有するパターンで形成され、厚膜部２９と、第１周側部２６と、薄膜部２８と、第２周側部２７とを備える。

次いで、図５Ｅに示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５および金属導通部１２を一体的に形成する。すなわち、ヘッド側端子７、外部側端子１７および信号配線８を上記したパターンで形成する。同時に、金属導通部１２を、上記したパターンでかつ信号配線８と連続するように形成する。

導体パターン５および金属導通部１２を形成するには、例えば、アディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。

アディティブ法では、まず、金属支持層２およびベース絶縁層３の上面全面に、図示しない金属薄膜（種膜）を形成する。金属薄膜としては、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。金属薄膜は、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、スパッタリングにより金属薄膜を形成する。

次いで、金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、導体パターン５および金属導通部１２のパターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、電解めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターン５および金属導通部１２を形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングなどにより除去する。

次いで、図５Ｆに示すように、カバー絶縁層６を形成する。

具体的には、カバー絶縁層６を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン５および金属導通部１２を被覆し、ヘッド側端子７および外部側端子１７を露出するように形成する。例えば、感光性の合成樹脂を、導体パターン５および金属導通部１２を含むベース絶縁層３の表面に塗布して、感光性のカバー皮膜を形成した後、それを露光および現像して、上記したパターンとし、次いで、必要に応じて、加熱硬化させる。

その後、図示しないが、必要により、ヘッド側端子７および外部側端子１７の上面に、金属めっき層を形成する。金属めっき層は、例えば、金および／またはニッケルからなり、厚みが、例えば、０．０１〜３μｍである。

次いで、図５Ｇに示すように、支持開口部２３およびスリット２１（図１参照）を、金属支持層２に形成する。支持開口部２３の形成により、支持接続部１８が形成される。

支持開口部２３およびスリット２１は、例えば、エッチング、ドリル穿孔、レーザ加工によって形成する。

これにより、回路付サスペンション基板１を得る。

その後、ヘッド側端子７に磁気ヘッド（図示せず）を接続するとともに、外部側端子１７に外部基板（図示せず）を接続する。

そして、電気信号が、磁気ヘッドと外部基板との間において、ヘッド側端子７、信号配線８および外部側端子１７に伝送される。このとき、一方の第２配線２０を伝送する電気信号は、交差接続部９において、他方の第２配線２０に短絡することなく、信号配線接続部１１を介して一方の第１配線１９に伝送される。

このように、信号配線８（１対の書込配線８Ｗおよび１対の読取配線８Ｒ）は、差動信号配線として使用される。具体的には、１対の書込配線８Ｗでは、第１配線１９Ａ、１９Ｂに、第１の電気信号が伝送され、第２配線２０Ａ、２０Ｂには、第１の電気信号と逆位相の第２の電気信号が伝送される。また、具体的には、１対の読取配線８Ｒでは、第１配線１９Ａ、１９Ｂに、第１の電気信号が伝送され、第２配線２０Ａ、２０Ｂには、第１の電気信号と逆位相の第２の電気信号が伝送される。

この場合、信号配線接続部１１は、差動信号を伝送するための差動信号配線接続部として使用される。

そして、このように製造された回路付サスペンション基板１によれば、信号配線接続部１１において凹部１３が形成されているため、開口部２５さらには金属導通部１２を小型化することができる。

従来の回路付サスペンション基板では、図１１に示すように、金属導通部１２は、開口部２５の外側周端縁（すなわち、ベース絶縁層３の厚膜部２９の上面）に至るまで形成される。そして、開口部２５は、上側に向かうに従って広がるテーパ状に形成されているため、ベース絶縁層３の厚みに応じて、金属導通部１２の外径Ｗ_３´は、大きくなっている。

これに対し、この回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層３の凹部１３に開口部２５が形成されており、その開口部２５に金属導通部１２が形成されているため、開口部２５の高さ（すなわち、薄膜部２８の厚みＨ_２）を低くできる。そのため、開口部２５の広がり（すなわち、開口部２５の外径Ｗ_３）を小さくできる。その結果、開口部２５内部に形成される金属導通部１２（特に、内側部１４）を小型化（すなわち、小径化）することができる。

よって、回路付サスペンション基板１に形成される単位面積当たりの端子部や配線の数を増大させたり、端子部や配線の配置の自由度を増大させることができる。

また、この回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層３が単層から形成され、露光などにより、そのベース絶縁層３の一部を除去することにより、凹部１３および開口部２５が形成されている。そのため、複数のベース絶縁層３を積層してベース絶縁層３に凹部１３および開口部２５を設ける場合よりも、開口部２５の高さ（薄膜部２８の厚みＨ_２）を小さくすることができ、金属導通部１２を確実に小径化できる。また、回路付サスペンション基板１では、凹部１３および開口部２５の表面（具体的には、厚膜部２９、第１周側部２６、薄膜部２８および第２周側部２７、ならび、これらの境界）は、継ぎ目のない、連続する面となるように形成されている。その結果、複数のベース絶縁層３の境界面における剥離を防止し、良好な強度を備えている。

また、開口部２５の高さ（支持接続部１８の上面から開口部２５の上端縁までの高さ）は、従来の回路付サスペンション基板の開口部の高さよりも低くできるため、開口部２５を現像により形成する場合に、開口部２５に相当する部分のベース皮膜３ａを除去し易く、金属露出面１６を確実に露出させることができる。さらに、開口部２５に貯留するベース皮膜残差をより容易に洗浄除去することができる。

また、開口部２５を形成する周辺部分（薄膜部２８）が、従来の回路付サスペンション基板の開口部を形成する周辺部分よりも薄く形成されている。そのため、ベース絶縁層３を加熱硬化する際に生じるベース絶縁層３の収縮応力を低減し、金属導通部１２への応力を低減することができる。その結果、金属導通部１２と金属露出面１６との接続信頼性を向上させることができる。

（変形例）
なお、以降の各図面において、上記した各部に対応する部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

上記した図３の実施形態では、金属導通部１２と第１周側部２６との距離が比較的短いが、例えば、図６に示すように、金属導通部１２と第１周側部２６との距離を比較的長くすることもできる。

この場合、外側部１５の周端縁２４と第１周側部２６の内側周端縁との距離Ｄ´は、例えば、４９０μｍ以上、好ましくは、６００μｍ以上であり、また、例えば、８００００μｍ以下、好ましくは、１００００μｍ以下、より好ましくは、１０００μｍ以下である。

図６の実施形態も、図３の実施形態と同様の作用効果を奏する。

上記した図３の実施形態では、金属導通部１２は、外側部１５の周端縁が薄膜部２８の上に位置するように形成されているが、例えば、図７に示すように、金属導通部１２を、外側部１５の周端縁２４が厚膜部２９の上に位置するように形成することもできる。

すなわち、図７の実施形態では、金属導通部１２は、金属露出面１６、第２周側部２７、薄膜部２８、第１周側部２６および厚膜部２９を被覆する。

金属導通部１２を確実に小径化できる観点から、好ましくは、図３に示すように、金属導通部１２を、外側部１５の周端縁２４が薄膜部２８の上に位置するように形成する。

また、図３の実施形態では、金属導通部１２は、内側部１４と外側部１５とを備えているが、例えば、図示しないが、金属導通部１２は、外側部１５を備えず、内側部１４のみを備えることができる。

この実施形態では、内側部１４が第２配線２０Ａと接続している。

金属導通部１２をより一層小型化できる観点では、好ましくは、金属導通部１２は、内側部１４のみを備える。

金属導通部１２を金属露出面１６と確実に接触させ、信号配線接続部１１間における導通を確実にする観点からは、好ましくは、金属導通部１２は、内側部１４と外側部１５とを備える。

また、上記した図１〜５の実施形態では、金属支持層２に支持開口部２３が形成され、信号配線接続部１１を差動信号配線接続部として用いることを例示したが、例えば、金属支持層２に支持開口部２３を形成せずに、信号配線接続部１１をグランド配線接続部４０として用いることもできる。

また、グランド配線接続部４０として、図８〜図１０に示す実施形態が挙げられる。

図８のグランド配線接続部４０は、金属支持層２と、金属支持層２の上側に積層されるベース絶縁層３としての第１ベース絶縁層４１と、金属露出面１６および第１ベース絶縁層４１の上に形成される金属導通部１２と、第１ベース絶縁層４１の上に形成される第２ベース絶縁層４２と、第２ベース絶縁層４２および金属導通部１２の上に形成される上側配線４３と、上側配線４３に積層されるカバー絶縁層６とを備えている。

金属支持層２は、接地（グランド接続）されている。

第２ベース絶縁層４２は、上側に向かうに従って広がるテーパ状に形成されており、薄膜部２８を被覆するベース底部４４と、第１周側部２６および厚膜部２９を被覆するベース上部４５とを備えている。ベース底部４４は、外側部１５の周端縁２４を被覆している。

金属導通部１２の外側部１５は、周端縁２４が薄膜部２８の上面に位置し、開口部２５の内側周端縁と間隔を隔てるように形成されている。

上側配線４３は、金属導通部１２、ベース底部４４およびベース上部４５の上面を被覆している。すなわち、上側配線４３は、金属導通部１２と電気的に接続されている。

これにより、上側配線４３は、金属導通部１２を介して、グランド接続されている。

また、図８の実施形態では、金属導通部１２は、外側部１５の周端縁２４が薄膜部２８の上に位置するように、形成されているが、例えば、図９に示すように、金属導通部１２を、外側部１５の周端縁２４が厚膜部２９の上に位置するように、形成することもできる。

また、図８の実施形態では、第２ベース絶縁層４２を備え、金属導通部１２と第１周側部２６との距離が比較的短いが、例えば、図１０に示すように、第１ベース絶縁層４１の上に直接カバー絶縁層６を形成し、さらに、金属導通部１２と第１周側部２６との距離を比較的長くすることもできる。

この場合、外側部１５の周端縁２４と第１周側部２６の内側周端縁との距離Ｄ´は、図６の実施形態と同様の距離である。

これら図７〜１０の実施形態も、図８の実施形態と同様の作用効果を奏する。

また、図４に示す製造方法では、１つの階調フォトマスク３０を介してベース皮膜３ａを露光しているが、例えば、図示しないが、複数（２枚）の階調フォトマスクＡ、Ｂを介してベース皮膜３ａを露光することもできる。

複数のマスクを用いる場合、一方の階調フォトマスクＡは、遮光部分３１および光半透過部分３２を備え、他方の階調フォトマスクＢは、遮光部分３１および光全透過部分３３を備える。

そして、まず、一方の階調フォトマスクＡを用いて、遮光部分３１を厚膜部２９および金属露出面１６を形成する部分に、光半透過部分３２を薄膜部２８を形成する部分に対向させて露光する。次いで、他方の階調フォトマスクＢを用いて、遮光部分３１を金属露出面１６および薄膜部２８を形成する部分に、光全透過部分３３を厚膜部２９を形成する部分に対向させて露光する。

好ましくは、１つの階調フォトマスク３０を用いてベース皮膜３ａを露光する。ベース絶縁層３の凹部１３および開口部２５のパターンを一の工程で形成することができ、回路付サスペンション基板１を簡易に製造することができる。また、１つの階調フォトマスク３０を用いるため、凹部１３と開口部２５との相対位置の精度の向上を図ることができる。

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持層
３ ベース絶縁層
１２ 金属導通部
１３ 凹部
２５ 開口部
３０ 階調フォトマスク

Claims (7)

1. 金属支持層と、
   前記金属支持層の上に形成される絶縁層とを備え、
   前記絶縁層は、単層からなり、
   前記絶縁層には、凹部が形成され、
   前記凹部には、金属支持層を露出する開口部が形成され、
   前記開口部には、金属導通部が形成されており、
   前記絶縁層は、前記凹部を区画する周側部と、前記周側部の外側に位置する厚膜部と、前記周側部の内側に位置する薄膜部とを備え、
   前記金属導通部の周端縁は、前記周側部と間隔を隔てて、前記周側部の内側に配置されていることを特徴とする回路付サスペンション基板。
2. 絶縁層を、金属支持層の上に、凹部と、前記凹部から前記金属支持層が露出する開口部とが形成されるように、階調露光により形成し、
   次いで、金属導通部を、前記開口部に形成する
   ことにより得られ、
   前記絶縁層は、前記凹部を区画する周側部と、前記周側部の外側に位置する厚膜部と、前記周側部の内側に位置する薄膜部とを備え、
   前記金属導通部の周端縁は、前記周側部と間隔を隔てて、前記周側部の内側に配置されていることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
3. 前記金属導通部の上面は、前記厚膜部の上面よりも、下方に位置する、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
4. 前記回路付サスペンション基板は、交差接続部を備え、
   前記交差接続部は、２つの信号配線接続部を備え、
   前記２つの信号配線接続部のそれぞれは、前記凹部と、前記開口部と、前記金属導通部とを備え、
   前記２つの信号配線接続部は、共通の支持接続部によって電気的に接続されており、
   前記支持接続部は、前記金属支持層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
5. 前記回路付サスペンション基板は、グランド配線接続部を備え、
   前記グランド配線接続部は、前記金属支持層と、前記絶縁層と、前記凹部と、前記開口部と、前記金属導通部とを備え、
   前記金属支持層は、接地されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
6. 金属支持層を用意する工程、
   絶縁層を、前記金属支持層の上に、凹部と、前記凹部から前記金属支持層が露出する開口部と、前記凹部を区画する周側部と、前記周側部の外側に位置する厚膜部と、前記周側部の内側に位置する薄膜部とが形成されるように、階調露光により形成する工程、
   金属導通部を、前記金属導通部の周端縁が、前記周側部と間隔を隔てて、前記周側部の内側に配置されるように、前記開口部に形成する工程を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
7. 前記階調露光が、１つのマスクを用いて実施されることを特徴とする、請求項６に記載の、回路付サスペンション基板の製造方法。

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