JP6222690B2 - 抵抗変化素子 - Google Patents
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Description
本発明の別の視点においては、抵抗変化素子において、第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配されるとともに、酸素及び金属を含む抵抗変化層と、前記抵抗変化層と前記第2電極との間に配されるとともに、前記抵抗変化層及び前記第2電極にそれぞれ接合する抵抗層と、を備え、前記抵抗層は、ハフニウム、アルミニウム及び酸素から構成され、その原子組成百分率がアルミニウムの15atom%以上かつ30atom%以下に対して酸素が20atom%以上かつ35atom%以下であり、ハフニウムが35atom%以上かつ65atom%以下であり、前記酸素の原子組成百分率の前記アルミニウムの原子組成百分率に対する比は、1.1以上かつ1.4以下であり、前記抵抗変化層は、酸素欠損のある酸化ハフニウムよりなることを特徴とする。
本発明の一視点においては、抵抗変化素子において、視点第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配されるとともに、酸素及び金属を含む抵抗変化層と、前記抵抗変化層と前記第2電極との間に配されるとともに、前記抵抗変化層及び前記第2電極にそれぞれ接合する抵抗層と、を備え、前記抵抗層は、ハフニウム、アルミニウム及び酸素から構成され、その原子組成百分率がアルミニウムの15atom%以上かつ30atom%以下に対して酸素が20atom%以上かつ35atom%以下であり、ハフニウムが35atom%以上かつ65atom%以下であることを特徴とする。
1a 溝
2 絶縁膜
3 ゲート絶縁膜
4 ワード線
5 サイドウォール絶縁膜
6a、6b 拡散領域
7 層間絶縁膜
8 コンタクトプラグ
9 ソース線
10 層間絶縁膜
11 コンタクトプラグ(第1電極)
12 抵抗変化層(第1の膜)
13 抵抗層(第2の膜)
14 上部電極(第2電極)
15 抵抗変化素子
16 層間絶縁膜
17 コンタクトプラグ
18 ビット線
19 MOSトランジスタ
20 半導体記憶装置
30 メモリセルアレイ
31 ロウデコーダ
32 センスアンプ
33 ライトアンプ
34 判定レジスタ
35 データレジスタ
36 カラムデコーダ
37 ロウアドレスバッファ
38 アレイコントロール回路
39 フェーズカウンタ
40 制御ロジック回路
41 コマンドレジスタ
42 ステータスレジスタ
43 コマンドディテクタ
44 I/Oコントロール回路
45 カラムアドレスバッファ
46 アドレスレジスタ
47 トランジスタ
WL、WL0〜WL5 ワード線
BL、BL0〜BL2 ビット線
MC メモリセル
Claims (3)
- 第1電極及び第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配されるとともに、酸素及び金属を含む抵抗変化層と、
前記抵抗変化層と前記第2電極との間に配されるとともに、前記抵抗変化層及び前記第2電極にそれぞれ接合する抵抗層と、
を備え、
前記抵抗層は、ハフニウム、アルミニウム及び酸素から構成され、その原子組成百分率がアルミニウムの15atom%以上かつ30atom%以下に対して酸素が20atom%以上かつ35atom%以下であり、ハフニウムが35atom%以上かつ65atom%以下であり、
前記酸素の原子組成百分率の前記アルミニウムの原子組成百分率に対する比は、1.1以上かつ1.4以下であり、
前記抵抗変化層は、酸素欠損のある酸化ハフニウムよりなることを特徴とする抵抗変化素子。 - 前記抵抗層の膜厚は、1nm以上かつ10nm以下であることを特徴とする請求項1記載の抵抗変化素子。
- 前記抵抗変化層の膜厚は、1nm以上かつ10nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の抵抗変化素子。
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