JP6204436B2 - ショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Description
ショットキーダイオード1に対して順方向(ショットキー電極層2側が正電位)に電圧Vを加えると、図3に示すφdが(φd−V)となり、n型半導体層3からショットキー電極層2へ移動する電子による電流が増大する。これにより、順方向電流がショットキー電極層2からオーミック電極層4へ流れる。
本実施の形態によれば、下記の作用効果がある。
図4は、比較例として示すショットキーダイオード10の断面構成を模式的に示す図である。このショットキーダイオード10は、EFG法により作製した厚さ400μmのβ−Ga2O3基板をn−半導体層33として用いた単層構造であり、このn−半導体層33の一方の主面33aにショットキー電極層2を形成し、他方の主面33bにオーミック電極層4を形成した。ショットキー電極層2及びオーミック電極層4の構成は、上記の実施例と共通の構成とした。また、n−半導体層33は、厚さを400μmとし、ノンドープかつ窒素雰囲気熱処理を行わないことで、電子キャリア濃度を8×1016cm−3とした。
次に、本発明の実施の形態に係るショットキーダイオードの構造の3つの変形例を図6〜8を参照して説明する。これらの変形例において、n−半導体層31及びn+半導体層32のキャリア濃度及び厚み等の諸元は、上記説明したものと同様に設定することができる。
図6は、本発明の実施の形態の第1の変形例に係るショットキーダイオード1Aを示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。
図7は、本発明の実施の形態の第2の変形例に係るショットキーダイオード1Bを示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。
図8は、本発明の実施の形態の第3の変形例に係るショットキーダイオード1Cを示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。
Claims (4)
- n型の導電性を有するGa2O3系化合物半導体からなるn型半導体層と、
前記n型半導体層に対してショットキー接触する電極層とを備え、
前記n型半導体層には、前記電極層にショットキー接触する第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも高い電子キャリア濃度を有する第2の半導体層とが形成されており、
前記第2の半導体層は、(100)面から50°以上90°以下の角度だけ回転させた面を主面としたβ−Ga2O3基板からなり、
前記第1の半導体層は、前記β−Ga 2 O 3 基板の前記主面上に位置するエピタキシャル層からなるショットキーバリアダイオード。 - 前記第1の半導体層の厚みは、逆方向耐圧に対応する空乏層の厚みよりも大きい請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第1の半導体層における電子キャリア濃度が1×1017cm−3よりも低い請求項1又は2に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記第2の半導体層における電子キャリア濃度が1×1018cm−3よりも高い請求項1乃至3の何れか1項に記載のショットキーバリアダイオード。
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