JP6201674B2 - ストレージ制御装置，プログラム及び制御方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ストレージ制御装置，プログラム及び制御方法に関する。
ストレージ装置において記憶装置が故障し、又は、記憶装置の予防交換を行なう場合には、Hot Spare（ＨＳ；予備記憶装置）にデータコピー（リビルド／冗長コピー）を行なう。そして、リビルド（再構築）／リダンダントコピー（冗長コピー）が完了し、故障した記憶装置又は予防交換対象の記憶装置の交換を行なった後に、ＨＳから交換後の記憶装置に対してコピーバックを行なう。
従来のストレージ装置の動作は、ホスト専用であり、殆ど構成変更を行なわない前提があり、コピーバック動作についても周知の事実・保守手順の一環となっている。
しかしながら、ＨＳからコピーバックを行なう際には、例えば、コピーバックが完了するまでストレージ装置の監視を行なわなければならず、又、コピーバック中はInput/Output（Ｉ／Ｏ）性能に影響が生じる。すなわち、ストレージ装置が備えられるシステムのオープンシステム化や共同利用化（クラウド化等）が進行し、運用形態にあった運用作業（コピーバック動作）による負荷の軽減が課題である。
１つの側面では、本発明は、記憶装置の入れ替えを効率的に行なうことを目的とする。
なお、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための形態に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本発明の他の目的の１つとして位置付けることができる。
なお、前記目的に限らず、後述する発明を実施するための形態に示す各構成により導かれる作用効果であって、従来の技術によっては得られない作用効果を奏することも本発明の他の目的の１つとして位置付けることができる。
このため、このストレージ制御装置は、複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置であって、前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶するメモリと、前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する選択部と、前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込む書き込み処理部と、前記経路接続条件を満さない第１の予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第２の予備記憶装置を検知する検知部と、を備え、前記第２の予備記憶装置が前記経路接続条件を満たす場合に、前記選択部は、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第２の予備記憶装置を選択し、前記書き込み処理部は、前記第１の予備記憶装置に対するデータの書き込みを継続するとともに、前記第１の予備記憶装置へのデータの書き込みが完了していない領域から前記第２の予備記憶装置に対してデータを書き込み、前記第１の予備記憶装置に書き込んだデータを前記第２の予備記憶装置にコピーする。
開示のストレージ制御装置によれば、記憶装置の入れ替えを効率的に行なうことができる。
以下、図面を参照してストレージ制御装置，プログラム及び制御方法に係る一実施の形態を説明する。ただし、以下に示す実施形態はあくまでも例示に過ぎず、実施形態で明示しない種々の変形例や技術の適用を排除する意図はない。すなわち、本実施形態を、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
また、各図は、図中に示す構成要素のみを備えるという趣旨ではなく、他の機能等を含むことができる。
また、各図は、図中に示す構成要素のみを備えるという趣旨ではなく、他の機能等を含むことができる。
以下、図中において、同一の各符号は同様の部分を示しているので、その説明は省略する。
〔Ａ〕実施形態の一例
〔Ａ−１〕システム構成
図１は、実施形態の一例としてのストレージシステムの機能構成を模式的に示す図である。
〔Ａ〕実施形態の一例
〔Ａ−１〕システム構成
図１は、実施形態の一例としてのストレージシステムの機能構成を模式的に示す図である。
本実施形態の一例におけるストレージシステム１００は、図１に示すように、ストレージ装置（ストレージディスクアレイ装置）１及びサーバ２を備える。これらのストレージ装置１とサーバ２とは、図示するように、例えばLocal Area Network（ＬＡＮ）ケーブルを介して通信可能に接続されている。
サーバ２は、例えば、サーバ機能を備えたコンピュータ（情報処理装置）である。図１に示す例では、１つのサーバ２を備えているが、２つ以上のサーバ２を備えることとしても良い。
サーバ２は、例えば、サーバ機能を備えたコンピュータ（情報処理装置）である。図１に示す例では、１つのサーバ２を備えているが、２つ以上のサーバ２を備えることとしても良い。
ストレージ装置１は、後述する複数の記憶装置２１を搭載し、サーバ２に対して記憶領域を提供する装置であり、Redundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）を用いて複数の記憶装置２１にデータを分散し、冗長化した状態で保存する。ストレージ装置１は、２つのControl Module＃０，＃１（ＣＭ＃０，＃１；ストレージ制御装置）１０及び複数のDisk Enclosure（ＤＥ）２０を備える。
以下、特定のＣＭを指す場合は、単に「ＣＭ＃０」又は「ＣＭ＃１」と表記するが、任意のＣＭを指す場合は、「ＣＭ１０」と表記する。
図１に示すように、ＣＭ＃０とＣＭ＃１とは例えばPeripheral Component Interconnect Express（ＰＣＩｅ）バスを介して通信可能に接続されており、ＣＭ１０とＤＥ２０とは例えばバス線（アクセスパス）を介して通信可能に接続されている。
図１に示すように、ＣＭ＃０とＣＭ＃１とは例えばPeripheral Component Interconnect Express（ＰＣＩｅ）バスを介して通信可能に接続されており、ＣＭ１０とＤＥ２０とは例えばバス線（アクセスパス）を介して通信可能に接続されている。
ＤＥ２０は、冗長化のためにＣＭ＃０，＃１のぞれぞれとアクセスパスで通信可能に接続されており、それぞれ複数の記憶装置２１を備える。
記憶装置２１は、データを読み書き可能に格納する既知の装置であり、例えば、Hard Disk Drive（ＨＤＤ）やSolid State Drive（ＳＳＤ）である。これらの記憶装置２１は、互いに同様の機能構成を備える。各ＤＥ２０が備える複数の記憶装置２１のうち、少なくとも１つは図２に示すようにＨＳ２１ａとして機能する。
記憶装置２１は、データを読み書き可能に格納する既知の装置であり、例えば、Hard Disk Drive（ＨＤＤ）やSolid State Drive（ＳＳＤ）である。これらの記憶装置２１は、互いに同様の機能構成を備える。各ＤＥ２０が備える複数の記憶装置２１のうち、少なくとも１つは図２に示すようにＨＳ２１ａとして機能する。
ＣＭ１０は、種々の制御を行なう制御装置であり、サーバ２からのストレージアクセス要求（アクセス制御信号：以下、ホストＩ／Ｏという）に従って、各種制御を行なう。ＣＭ１０は、Central Processing Unit（ＣＰＵ）１１，メモリ１２，複数のポート１３及びCommunication Adapter（ＣＡ）１４を備える。なお、図１に示す例においては、ストレージ装置１が２つのＣＭ１０を備えることとしたが、これに限定されるものではなく、１つ又は３つ以上のＣＭ１０を備えることとしても良い。
ＣＡ１４は、サーバ２と通信可能に接続するインタフェースコントローラである。
ポート１３は、ＣＭ１０とＤＥ２０とを通信可能に接続するためのインタフェースとしてのDevice Adapter（ＤＡ）であり、例えばFiber Channel（ＦＣ）アダプタである。Ｃ
Ｍ１０は、このポート１３を介してＤＥ２０に対するデータの書き込みや読み出しを行なう。
ポート１３は、ＣＭ１０とＤＥ２０とを通信可能に接続するためのインタフェースとしてのDevice Adapter（ＤＡ）であり、例えばFiber Channel（ＦＣ）アダプタである。Ｃ
Ｍ１０は、このポート１３を介してＤＥ２０に対するデータの書き込みや読み出しを行なう。
メモリ１２は、Read Only Memory（ＲＯＭ）及びRandom Access Memory（ＲＡＭ）を含む記憶装置である。メモリ１２のＲＯＭには、Basic Input/Output System（ＢＩＯＳ）等のプログラムが書き込まれている。メモリ１２上のソフトウェアプログラムは、ＣＰＵ１１に適宜読み込まれて実行される。また、メモリ１２のＲＡＭは、一次記録メモリあるいはワーキングメモリとして利用される。本実施形態の一例において、メモリ１２は、経路接続条件（図２を用いて後述）に関する情報，経路情報（図３を用いて後述），ＲＡＩＤ構成情報（図３を用いて後述）及び記憶装置性能情報（図３を用いて後述）を格納する。なお、経路接続条件に関する情報，経路情報，ＲＡＩＤ構成情報及び記憶装置性能情報は、ＣＭ１０が備える図示しない記憶装置が格納しても良い。
ＣＰＵ１１は、種々の制御や演算を行なう処理装置であり、メモリ１２に格納されたOperating System（ＯＳ）やプログラムを実行することにより、種々の機能を実現する。すなわち、ＣＰＵ１１は、図１に示すように、検知部１１１，選択部１１２，書き込み処理部１１３及び入れ替え処理部１１４として機能する。
なお、これらの検知部１１１，選択部１１２，書き込み処理部１１３及び入れ替え処理部１１４としての機能を実現するためのプログラムは、例えばフレキシブルディスク，ＣＤ（ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ等），ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋Ｒ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＨＤ ＤＶＤ等），ブルーレイディスク，磁気ディスク，光ディスク，光磁気ディスク等の、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録された形態で提供される。そして、コンピュータはその記録媒体から図示しない読取装置を介してプログラムを読み取って内部記録装置または外部記録装置に転送し格納して用いる。又、そのプログラムを、例えば磁気ディスク，光ディスク，光磁気ディスク等の記憶装置（記録媒体）に記録しておき、その記憶装置から通信経路を介してコンピュータに提供してもよい。
なお、これらの検知部１１１，選択部１１２，書き込み処理部１１３及び入れ替え処理部１１４としての機能を実現するためのプログラムは、例えばフレキシブルディスク，ＣＤ（ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ等），ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋Ｒ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＨＤ ＤＶＤ等），ブルーレイディスク，磁気ディスク，光ディスク，光磁気ディスク等の、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録された形態で提供される。そして、コンピュータはその記録媒体から図示しない読取装置を介してプログラムを読み取って内部記録装置または外部記録装置に転送し格納して用いる。又、そのプログラムを、例えば磁気ディスク，光ディスク，光磁気ディスク等の記憶装置（記録媒体）に記録しておき、その記憶装置から通信経路を介してコンピュータに提供してもよい。
検知部１１１，選択部１１２，書き込み処理部１１３及び入れ替え処理部１１４としての機能を実現する際には、内部記憶装置（本実施形態ではメモリ１２）に格納されたプログラムがコンピュータのマイクロプロセッサ（本実施形態ではＣＰＵ１１）によって実行される。このとき、記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータが読み取って実行してもよい。
なお、本ストレージ装置１は、ＣＭ＃０をプライマリとし、ＣＭ＃１をセカンダリとすることによって、冗長化されていても良い。また、プライマリであるＣＭ＃０が故障した場合には、セカンダリであるＣＭ＃１は、ＣＭ＃０の機能を引き継ぐようにしても良い。
検知部１１１は、入れ替え対象の記憶装置２１を特定する。具体的には、検知部１１１は、記憶装置２１の故障等の異常発生を検知し、又、記憶装置２１に対するオペレータからの予防交換の要求の発生を検知することで、入れ替え対象の記憶装置２１を特定する。なお、記憶装置２１の予防交換を行なう場合には、検知部１１１は、記憶装置２１がストレージ装置１に組み込まれてから一定時間が経過したことを検知しても良いし、特定の記憶装置２１に対するホストＩ／Ｏによって所定回数以上エラーが発生したことを検知しても良い。また、検知部１１１は、図７を用いて後述するように、非適合ＨＳに対する書き込み処理実行中に利用可能となった適合ＨＳを検知する。
検知部１１１は、入れ替え対象の記憶装置２１を特定する。具体的には、検知部１１１は、記憶装置２１の故障等の異常発生を検知し、又、記憶装置２１に対するオペレータからの予防交換の要求の発生を検知することで、入れ替え対象の記憶装置２１を特定する。なお、記憶装置２１の予防交換を行なう場合には、検知部１１１は、記憶装置２１がストレージ装置１に組み込まれてから一定時間が経過したことを検知しても良いし、特定の記憶装置２１に対するホストＩ／Ｏによって所定回数以上エラーが発生したことを検知しても良い。また、検知部１１１は、図７を用いて後述するように、非適合ＨＳに対する書き込み処理実行中に利用可能となった適合ＨＳを検知する。
選択部１１２は、ストレージ装置１が備える複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する。具体的には、選択部１１２は、検知部１１１が入れ替え対象の記憶装置２１を特定した場合に、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを書き込む入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する。選択部１１２による入れ替え先のＨＳ２１ａの具体的な選択手法は、図２を用いて後述する。
書き込み処理部１１３は、記憶装置２１にデータを書き込む。具体的には、書き込み処理部１１３は、選択部１１２が選択した入れ替え先のＨＳ２１ａに対してリビルド／冗長コピー（データディスク構築）の処理を実行する。同一のＲＡＩＤグループを構成する複数の記憶装置２１は、各記憶装置２１のデータが他の複数の記憶装置２１に分散してコピーされることにより、冗長化されている。書き込み処理部１１３は、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成する複数の記憶装置２１にそれぞれ格納されたデータを読み出して、入れ替え先のＨＳ２１ａに格納することで、入れ替え対象の記憶装置２１のデータを復元（データディスク構築）する。また、書き込み処理部１１３は、入れ替え対象の記憶装置２１の交換後に、入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込まれたデータを交換後の記憶装置２１にコピーバックする（書き戻す）書き戻し処理部１１３ａとしても機能する。書き込み処理部１１３による具体的な書き込み手法は図４及び図６を用いて後述し、書き戻し処理部１１３ａによる具体的な書き戻し手法は図６を用いて後述する。
入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によるリビルド／冗長コピー完了後、入れ替え対象の記憶装置２１と入れ替え先のＨＳ２１ａとの定義（図５を用いて後述する記憶装置構成情報）が入れ替え可能であるかを判断する。また、入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する。入れ替え処理部１１４による具体的な入れ替え手法は、図４を用いて後述する。
以下、図２〜図７を用いて、検知部１１１，選択部１１２，書き込み処理部１１３及び入れ替え処理部１１４としての機能を詳述する。
図２は、実施形態の一例としてのストレージ装置における選択部によるＨＳ選択処理を例示する図である。
図２に示す例において、ＣＭ１０は、４つの経路＃０〜＃３を介して、８つのＤＥ２０と通信可能に接続されている。この図２に示す例では、８つのＤＥ２０に対して、＃００，＃０１，＃１０，＃１１，＃２０，＃２１，＃３０及び＃３１をそれぞれ付して示している。
図２は、実施形態の一例としてのストレージ装置における選択部によるＨＳ選択処理を例示する図である。
図２に示す例において、ＣＭ１０は、４つの経路＃０〜＃３を介して、８つのＤＥ２０と通信可能に接続されている。この図２に示す例では、８つのＤＥ２０に対して、＃００，＃０１，＃１０，＃１１，＃２０，＃２１，＃３０及び＃３１をそれぞれ付して示している。
以下、特定のＤＥを指す場合は、「ＤＥ＃００」，「ＤＥ＃０１」，「ＤＥ＃１０」，「ＤＥ＃１１」，「ＤＥ＃２０」，「ＤＥ＃２１」，「ＤＥ＃３０」または「ＤＥ＃３１」と表記するが、任意のＤＥを指す場合は、「ＤＥ２０」と表記する。また、以下、ＣＭ１０と経路＃０〜＃３を介してそれぞれ直接接続されているＤＥ＃００，＃１０，＃２０，＃３０を基本ＤＥ２０という場合がある。更に、以下、ＣＭ１０とＤＥ＃００，＃１０，＃２０，＃３０を介してそれぞれ間接接続（カスケード接続）されているＤＥ＃０１，＃１１，＃２１，＃３１を拡張ＤＥ２０という場合がある。
ＣＭ１０は、＃０〜＃３で示す４つのポート１３を備える。以下、特定のポートを指す場合は、「ポート＃０」〜「ポート＃３」と表記するが、任意のポートを指す場合は、「ポート１３」と表記する。ポート＃０〜＃３は、経路＃０〜＃３とそれぞれ接続されている。
ＤＥ２０は、１つのＨＳ２１ａを含む複数の記憶装置２１及びエキスパンダ２２を備える。なお、図２に示す例においては、簡単のため一部の記憶装置２１の図示を省略している。
ＤＥ２０は、１つのＨＳ２１ａを含む複数の記憶装置２１及びエキスパンダ２２を備える。なお、図２に示す例においては、簡単のため一部の記憶装置２１の図示を省略している。
エキスパンダ２２は、ＣＭ１０とＤＥ２０とを中継する装置であり、ホストＩ／Ｏに基づくデータ転送を行なう。すなわち、ＣＭ１０は、各ＤＥ２０に対して、エキスパンダ２２を介してアクセスする。図２に示す例において、基本ＤＥ２０のエキスパンダ２２はＣＭ１０及び拡張ＤＥ２０と接続されており、拡張ＤＥ２０のエキスパンダ２２は基本ＤＥ２０と接続されている。そして、このエキスパンダ２２を介して、複数のＤＥ２０がカスケード接続（多段接続）される。
検知部１１１は、例えば故障がＤＥ＃１０の記憶装置２１で発生したことを検知し、又は、予防交換の要求がＤＥ＃１０の記憶装置２１に対して発生したことを検知する（符号Ａ１参照）。言い換えれば、検知部１１１は、符号Ａ１で示した記憶装置を入れ替え対象の記憶装置２１として特定する。
図２に示す例において、入れ替え対象の記憶装置２１とＤＥ＃００の記憶装置２１とは、ＲＡＩＤグループを構成している。
図２に示す例において、入れ替え対象の記憶装置２１とＤＥ＃００の記憶装置２１とは、ＲＡＩＤグループを構成している。
選択部１１２は、ストレージ装置１が備える複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１との入れ替えに用いる入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する。
具体的には、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と、取得した経路により定まる経路接続条件とをメモリ１２から取得する。また、選択部１１２は、ストレージ装置１が備える複数のＨＳ２１ａの経路を示す経路情報（図３を用いて後述）やＲＡＩＤ構成を示すＲＡＩＤ構成情報（図３を用いて後述）をメモリ１２から取得する。
具体的には、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と、取得した経路により定まる経路接続条件とをメモリ１２から取得する。また、選択部１１２は、ストレージ装置１が備える複数のＨＳ２１ａの経路を示す経路情報（図３を用いて後述）やＲＡＩＤ構成を示すＲＡＩＤ構成情報（図３を用いて後述）をメモリ１２から取得する。
そして、選択部１１２は、ストレージ装置１のＲＡＩＤ構成において、経路接続の観点でより冗長性が高いＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。
選択部１１２は、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路と同一経路上のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第１候補として選択する。ここで、同一経路とは、同一のポート１３に接続されていることを示す。つまり、図２に示す例においては、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１に対して、経路＃１を介してＣＭ１０と接続されているＤＥ＃１０，＃１１のＨＳ２１ａを第１候補のＨＳ２１ａとして選択する（符号Ａ２参照）。なお、第１候補のＨＳ２１ａが複数ある場合には（例えばＤＥ＃１０，＃１１のＨＳ２１ａ）、選択部１１２は、カスケード接続の段数が少なくＣＭ１０に近い基本ＤＥ２０（例えばＤＥ＃１０）のＨＳ２１ａを優先して第１候補として選択する。
選択部１１２は、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路と同一経路上のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第１候補として選択する。ここで、同一経路とは、同一のポート１３に接続されていることを示す。つまり、図２に示す例においては、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１に対して、経路＃１を介してＣＭ１０と接続されているＤＥ＃１０，＃１１のＨＳ２１ａを第１候補のＨＳ２１ａとして選択する（符号Ａ２参照）。なお、第１候補のＨＳ２１ａが複数ある場合には（例えばＤＥ＃１０，＃１１のＨＳ２１ａ）、選択部１１２は、カスケード接続の段数が少なくＣＭ１０に近い基本ＤＥ２０（例えばＤＥ＃１０）のＨＳ２１ａを優先して第１候補として選択する。
また、選択部１１２は、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第２候補として選択する。つまり、選択部１１２は、経路＃２，＃３を介してＣＭ１０と接続されているＤＥ＃２０，＃２１，＃３０，＃３１のＨＳ２１ａを第２候補のＨＳ２１ａとして選択する（符号Ａ３参照）。なお、第２候補のＨＳ２１ａが複数ある場合には（例えばＤＥ＃２０，＃２１，＃３０，＃３１のＨＳ２１ａ）、選択部１１２は、経路番号の値が小さいＤＥ２０（例えばＤＥ＃２０，＃２１）のＨＳ２１ａを優先して第２候補として選択する。また、経路番号が最小の経路上のＤＥ２０（例えばＤＥ＃２０，＃２１）が複数ある場合には、選択部１１２は、カスケード接続の段数が少なくＣＭ１０に近い基本ＤＥ２０（例えばＤＥ＃２０）のＨＳ２１ａを優先して第２候補として選択する。
すなわち、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路に基づいて、複数のＨＳ２１ａのうち、経路接続条件を満たすＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。経路接続条件とは、例えば、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路により定まる条件である。そして、選択部１１２は、経路接続条件を用いることにより、第１候補又は第２候補のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。
更に、選択部１１２は、入れ替え先のＨＳ２１ａとして、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１を基準とする性能条件を満たすＨＳ２１ａを優先して選択する。つまり、選択部１１２は、第１候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たすかを判定する。そして、第１候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たす場合には、選択部１１２は、第１候補のＨＳ２１ａを選択する。一方、第１候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たさない場合には、選択部１１２は、第２候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たすかを判定する。そして、第２候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たす場合には、選択部１１２は、第２候補のＨＳ２１ａを選択する。一方、第２候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たさない場合には、選択部１１２は、経路番号の値が小さいＤＥ２０のＨＳ２１ａを優先して選択する。また、経路番号が最小の経路上のＤＥ２０（例えばＤＥ＃００，＃０１）が複数ある場合には、選択部１１２は、カスケード接続の段数が少なくＣＭ１０に近い基本ＤＥ２０（例えばＤＥ＃００）を優先して選択する。
図３は、実施形態の一例としてのストレージ装置における記憶装置性能情報を例示する図である。
記憶装置性能情報には、各記憶装置２１について、例えば、Physical Logical Unit（ＰＬＵ）番号，ＤＥ番号，ＤＥ内Ｓｌｏｔ番号，ＨＳとデータ記憶装置との別（ＨＳ ｏｒ Ｄａｔａ），ｉｏｐｓ，アクセス速度（ＭＢ／ｓ），回転数，容量，ディスクサイズ（ｉｎｃｈ），ＨＤＤとＳＳＤとの別（ＨＤＤ ｏｒ ＳＳＤ），ＤＥ経路及びRAID Logical Unit（ＲＬＵ）番号が対応づけられている。記憶装置性能情報は、例えばメモリ１２が格納する。
記憶装置性能情報には、各記憶装置２１について、例えば、Physical Logical Unit（ＰＬＵ）番号，ＤＥ番号，ＤＥ内Ｓｌｏｔ番号，ＨＳとデータ記憶装置との別（ＨＳ ｏｒ Ｄａｔａ），ｉｏｐｓ，アクセス速度（ＭＢ／ｓ），回転数，容量，ディスクサイズ（ｉｎｃｈ），ＨＤＤとＳＳＤとの別（ＨＤＤ ｏｒ ＳＳＤ），ＤＥ経路及びRAID Logical Unit（ＲＬＵ）番号が対応づけられている。記憶装置性能情報は、例えばメモリ１２が格納する。
ＰＬＵ番号は、例えば、エキスパンダポート番号，ＤＥカスケード番号及びＤＥ内Ｓｌｏｔ番号を含み、１６ビットの情報である。例えば、bit 1〜bit 4にはＤＥ内Ｓｌｏｔ番号が登録され、bit 8〜bit 11にはＤＥカスケード番号が登録され、又、bit 12〜bit 13にはエキスパンダポート番号が登録されている。エキスパンダポート番号には記憶装置２１（ＤＥ２０）が接続されている経路に関する情報が登録されており、例えば図２に示した経路＃０〜＃３に対応する情報が登録されている。ＤＥカスケード番号には、ＤＥ２０の接続順序が登録されている。
ＤＥ経路は、エキスパンダポート番号に基づいて作成された情報であり、例えば図２に示した経路＃０〜＃３に対応する情報が登録されている。
ＲＬＵ番号は、記憶装置２１が属するＲＡＩＤグループの番号を示す情報である。記憶装置２１がいずれかのＲＡＩＤグループに属している場合には、ＲＬＵ番号には、該当するＲＡＩＤグループの番号が登録される。一方、記憶装置２１（ＨＳ２１ａ）が未使用の場合には、ＲＬＵ番号には、ＲＡＩＤグループの番号として使用されることのない番号（0xFFFF等）が登録されている。
ＲＬＵ番号は、記憶装置２１が属するＲＡＩＤグループの番号を示す情報である。記憶装置２１がいずれかのＲＡＩＤグループに属している場合には、ＲＬＵ番号には、該当するＲＡＩＤグループの番号が登録される。一方、記憶装置２１（ＨＳ２１ａ）が未使用の場合には、ＲＬＵ番号には、ＲＡＩＤグループの番号として使用されることのない番号（0xFFFF等）が登録されている。
本実施形態の一例においては、記憶装置性能情報に含まれるＤＥ経路及びＲＬＵ番号が経路情報及びＲＡＩＤ構成情報としてそれぞれ定義される。
そして、選択部１１２は、複数の記憶装置２１のうち入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路により定まる経路接続条件と経路情報とに基づいて、複数のＨＳ２１ａの中から入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する。具体的には、選択部１１２は、経路接続条件と経路情報とに基づき、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路と同一経路上のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第１候補として選択する。また、選択部１１２は、経路接続条件と経路情報とに基づき、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第２候補として選択する。
そして、選択部１１２は、複数の記憶装置２１のうち入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路により定まる経路接続条件と経路情報とに基づいて、複数のＨＳ２１ａの中から入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する。具体的には、選択部１１２は、経路接続条件と経路情報とに基づき、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路と同一経路上のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第１候補として選択する。また、選択部１１２は、経路接続条件と経路情報とに基づき、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａの第２候補として選択する。
選択部１１２は、例えばＣＭ１０が備えるメモリ１２が格納する記憶装置性能情報に基づいて性能条件を判定する。
選択部１１２は、例えば、入れ替え先のＨＳ２１ａの記憶装置性能情報のうち少なくとも一部の指標が入れ替え対象の記憶装置２１の対応する指標と比較して同等以上であるか否かを判定することで、性能条件を満たすか否かを判定する。なお、記憶装置性能情報のうち性能条件の判定に用いる一部の指標は、種々選択することができる。また、記憶装置性能情報の指標（性能値）が同等以上であるかの判断は、性能値が閾値以上であるかの判断に基づいて行なう。閾値は、入れ替え対象の記憶装置２１の性能値に基づいて設定される。そして、閾値には、入れ替え対象の記憶装置２１の性能値に望ましい柔軟性を持たせるために、所定量（例えば５％）のマージンを持たせても良い。
選択部１１２は、例えば、入れ替え先のＨＳ２１ａの記憶装置性能情報のうち少なくとも一部の指標が入れ替え対象の記憶装置２１の対応する指標と比較して同等以上であるか否かを判定することで、性能条件を満たすか否かを判定する。なお、記憶装置性能情報のうち性能条件の判定に用いる一部の指標は、種々選択することができる。また、記憶装置性能情報の指標（性能値）が同等以上であるかの判断は、性能値が閾値以上であるかの判断に基づいて行なう。閾値は、入れ替え対象の記憶装置２１の性能値に基づいて設定される。そして、閾値には、入れ替え対象の記憶装置２１の性能値に望ましい柔軟性を持たせるために、所定量（例えば５％）のマージンを持たせても良い。
以下、第１候補又は第２候補から選択され、且つ、性能条件を満たすＨＳ２１ａを適合ＨＳという。また、以下、第１候補及び第２候補以外から選択され、又は、性能条件を満たさないＨＳ２１ａを非適合ＨＳという。すなわち、経路接続条件及び性能条件を満たすＨＳ２１ａを適合ＨＳといい、経路接続条件又は性能条件を満たさないＨＳ２１ａを非適合ＨＳという。
図４（ａ）は実施形態の一例としてのストレージ装置における書き込み処理部による書き込み処理を例示する図であり、図４（ｂ）はその入れ替え処理部による記憶装置置換処理を例示する図である。
図４（ａ），（ｂ）に示す例においては、簡単のため、図２に示した複数のＤＥ２０のうちＤＥ＃００，＃１０のみを図示し、ＤＥ＃００，＃１０が備える一部の記憶装置２１及びＨＳ２１ａの図示を省略している。
図４（ａ），（ｂ）に示す例においては、簡単のため、図２に示した複数のＤＥ２０のうちＤＥ＃００，＃１０のみを図示し、ＤＥ＃００，＃１０が備える一部の記憶装置２１及びＨＳ２１ａの図示を省略している。
図４（ａ）に示す例において、ＤＥ＃１０のＨＳ２１ａは、選択部１１２により選択された入れ替え先のＨＳ２１ａであり、適合ＨＳである。
書き込み処理部１１３は、入れ替え対象の記憶装置２１（図４（ａ）の符号Ｂ１参照）とＲＡＩＤグループを構成するＤＥ＃００の記憶装置２１が格納する冗長化データに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込む（図４（ａ）の符号Ｂ２参照）。具体的には、例えばＤＥ＃１０の記憶装置２１で故障等の異常発生が検知された場合には、書き込み処理部１１３は、ＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａにリビルドする。また、入れ替え対象の記憶装置２１について予防交換の要求が検知された場合には、書き込み処理部１１３は、ＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに冗長コピーする。
書き込み処理部１１３は、入れ替え対象の記憶装置２１（図４（ａ）の符号Ｂ１参照）とＲＡＩＤグループを構成するＤＥ＃００の記憶装置２１が格納する冗長化データに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込む（図４（ａ）の符号Ｂ２参照）。具体的には、例えばＤＥ＃１０の記憶装置２１で故障等の異常発生が検知された場合には、書き込み処理部１１３は、ＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａにリビルドする。また、入れ替え対象の記憶装置２１について予防交換の要求が検知された場合には、書き込み処理部１１３は、ＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに冗長コピーする。
入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａが第１候補又は第２候補から選択され、且つ、性能条件を満たすＨＳ２１ａであるかを判定する。つまり、入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａが適合ＨＳであるかを判定する。
図４（ａ）に示す例において、入れ替え先のＨＳ２１ａは適合ＨＳであるため、入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する（図４（ｂ）の符号Ｂ３参照）。つまり、入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａを運用用の記憶装置２１に変更し、入れ替え対象の記憶装置２１をＨＳ２１ａに変更する。また、ＨＳ２１ａから運用用に変更したＤＥ＃１０の記憶装置２１は、ＤＥ＃００の記憶装置２１と同一のＲＡＩＤグループとして定義される。
図４（ａ）に示す例において、入れ替え先のＨＳ２１ａは適合ＨＳであるため、入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する（図４（ｂ）の符号Ｂ３参照）。つまり、入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａを運用用の記憶装置２１に変更し、入れ替え対象の記憶装置２１をＨＳ２１ａに変更する。また、ＨＳ２１ａから運用用に変更したＤＥ＃１０の記憶装置２１は、ＤＥ＃００の記憶装置２１と同一のＲＡＩＤグループとして定義される。
つまり、入れ替え先のＨＳ２１ａが経路接続条件及び性能条件を満たす場合には、リビルド／冗長コピーの完了後にオペレータによるディスク保守や書き戻し処理部１１３ａによるコピーバックを行なわない。そして、入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａをＲＡＩＤを構成するデータディスクとして組み込み、データディスクである入れ替え対象の記憶装置２１をＨＳ２１ａとして定義する（ＨＳ２１ａとデータディスクとを入れ替える）。
なお、リビルド／冗長コピーや記憶装置置換処理の完了は、例えばサーバ２が備える図示しない表示装置によってオペレータに通知することができる。
図５（ａ）は実施形態の一例としてのストレージ装置における変更前の記憶装置構成情報を例示する図であり、図５（ｂ）はその変更後の記憶装置構成情報を例示する図である。
図５（ａ）は実施形態の一例としてのストレージ装置における変更前の記憶装置構成情報を例示する図であり、図５（ｂ）はその変更後の記憶装置構成情報を例示する図である。
入れ替え処理部１１４は、ＣＭ１０が備える図示しない記憶装置が格納する記憶装置構成情報を書き換えることにより、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する。
図５（ａ）に示す例において、記憶装置構成情報には、RLU#0としてPLU#000及びPLU#100が定義され、HSとしてPLU#00d，PLU#01d，PLU#10d，PLU#11d及びPLU#20dが定義されている。RLUが同一のPLU#000及びPLU#100は、同一のＲＡＩＤグループとして定義されている。例えば、図５に示すPLU#000，PLU#100及びPLU#10dは、図４（ａ）に示したＤＥ＃００の記憶装置２１，入れ替え対象の記憶装置２１及びＤＥ＃１０のＨＳ２１ａにそれぞれ対応する。
図５（ａ）に示す例において、記憶装置構成情報には、RLU#0としてPLU#000及びPLU#100が定義され、HSとしてPLU#00d，PLU#01d，PLU#10d，PLU#11d及びPLU#20dが定義されている。RLUが同一のPLU#000及びPLU#100は、同一のＲＡＩＤグループとして定義されている。例えば、図５に示すPLU#000，PLU#100及びPLU#10dは、図４（ａ）に示したＤＥ＃００の記憶装置２１，入れ替え対象の記憶装置２１及びＤＥ＃１０のＨＳ２１ａにそれぞれ対応する。
入れ替え処理部１１４は、図４（ｂ）に示した記憶装置置換処理に際して、図５（ｂ）に示すように、RLU#0のPLU#100とHSのPLU#10dとを入れ替える。つまり、PLU#000及びPLU#10dは同一のＲＡＩＤグループとして定義され、PLU#100はＨＳ２１ａとして定義される。
図６（ａ）は実施形態の一例としてのストレージ装置における書き込み処理部による書き込み処理を例示する図であり、図６（ｂ）はその書き戻し処理部による書き戻し処理を例示する図である。
図６（ａ）は実施形態の一例としてのストレージ装置における書き込み処理部による書き込み処理を例示する図であり、図６（ｂ）はその書き戻し処理部による書き戻し処理を例示する図である。
図６（ａ），（ｂ）に示す例においては、簡単のため、図２に示した複数のＤＥ２０のうちＤＥ＃００，＃１０のみを図示し、ＤＥ＃００，＃１０が備える一部の記憶装置２１及びＨＳ２１ａの図示を省略している。
図６（ａ）に示す例において、ＤＥ＃００のＨＳ２１ａは、選択部１１２により選択された入れ替え先のＨＳ２１ａであり、非適合ＨＳである。
図６（ａ）に示す例において、ＤＥ＃００のＨＳ２１ａは、選択部１１２により選択された入れ替え先のＨＳ２１ａであり、非適合ＨＳである。
書き込み処理部１１３は、入れ替え対象のＤＥ＃１０の記憶装置２１（図６（ａ）の符号Ｃ１参照）とＲＡＩＤグループを構成するＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込む（図６（ａ）の符号Ｃ２参照）。具体的には、入れ替え対象の記憶装置２１で故障等の異常が検知された場合には、書き込み処理部１１３は、ＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａにリビルドすることで再現する。また、入れ替え対象の記憶装置２１について予防交換の要求が検知された場合には、書き込み処理部１１３は、ＤＥ＃００の記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに冗長コピーする。
入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａが第１候補又は第２候補から選択され、且つ、性能条件を満たすＨＳ２１ａであるかを判定する。つまり、入れ替え処理部１１４は、入れ替え先のＨＳ２１ａが適合ＨＳであるかを判定する。
図６（ａ），（ｂ）に示す例において、入れ替え先のＨＳ２１ａは非適合ＨＳであるため、オペレータは、書き込み処理部１１３によるリビルド／冗長コピーの完了後、入れ替え対象の記憶装置２１を新しい記憶装置２１と交換（ディスク保守）する（図６（ｂ）の符号Ｃ３参照）。
図６（ａ），（ｂ）に示す例において、入れ替え先のＨＳ２１ａは非適合ＨＳであるため、オペレータは、書き込み処理部１１３によるリビルド／冗長コピーの完了後、入れ替え対象の記憶装置２１を新しい記憶装置２１と交換（ディスク保守）する（図６（ｂ）の符号Ｃ３参照）。
書き戻し処理部１１３ａは、書き込み処理部１１３によって入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込まれたデータを交換後の記憶装置２１にコピーバックする（書き戻す）（図６（ｂ）の符号Ｃ４参照）。
なお、リビルド／冗長コピーやコピーバックの完了は、例えばサーバ２が備える図示しない表示装置によってオペレータに通知することができる。
なお、リビルド／冗長コピーやコピーバックの完了は、例えばサーバ２が備える図示しない表示装置によってオペレータに通知することができる。
図７は、実施形態の一例としてのストレージ装置における適合ＨＳ割り込み処理を例示する図である。
図７に示す例において、検知部１１１は、ＲＡＩＤグループを構成する４つの記憶装置２１のうち１つの記憶装置２１を入れ替え対象の記憶装置２１として特定する（符号Ｄ１参照）。
図７に示す例において、検知部１１１は、ＲＡＩＤグループを構成する４つの記憶装置２１のうち１つの記憶装置２１を入れ替え対象の記憶装置２１として特定する（符号Ｄ１参照）。
選択部１１２は、入れ替え先のＨＳ２１ａとして、非適合ＨＳを選択する（符号Ｄ２参照）。
書き込み処理部１１３は、ＲＡＩＤグループを構成する入れ替え対象の記憶装置２１以外の３つの記憶装置２１のそれぞれが格納する入れ替え対象の記憶装置２１の冗長データを抽出して、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータをリビルド／冗長コピーする（符号Ｄ３参照）。
書き込み処理部１１３は、ＲＡＩＤグループを構成する入れ替え対象の記憶装置２１以外の３つの記憶装置２１のそれぞれが格納する入れ替え対象の記憶装置２１の冗長データを抽出して、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータをリビルド／冗長コピーする（符号Ｄ３参照）。
ここで、例えば、あるＨＳ２１ａが他のリビルド／冗長コピーから解放された場合や、新たなＨＳ２１ａがストレージ装置１内に設置された場合には、新たに利用可能なＨＳ２１ａが発生することになる。このような場合に、検知部１１１は、新たに利用可能となったＨＳ２１ａを検知する。
そして、選択部１１２は、検知部１１１により検知されたＨＳ２１ａが適合ＨＳであるかを判定し、適合ＨＳである場合には、検知されたＨＳ２１ａを新たな入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する（符号Ｄ４参照）。
そして、選択部１１２は、検知部１１１により検知されたＨＳ２１ａが適合ＨＳであるかを判定し、適合ＨＳである場合には、検知されたＨＳ２１ａを新たな入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する（符号Ｄ４参照）。
書き込み処理部１１３は、ＲＡＩＤグループを構成する入れ替え対象の記憶装置２１以外の３つの記憶装置２１が格納するデータに基づき、非適合ＨＳへのリビルド／冗長コピーを継続するとともに、適合ＨＳへもリビルド／冗長コピーを並行して行なう（符号Ｄ５参照）。つまり、書き込み処理部１１３は、非適合ＨＳへのリビルド／冗長コピーが完了していない領域から（途中から）適合ＨＳへのリビルド／冗長コピーを開始する。
また、書き込み処理部１１３は、リビルド／冗長コピーと並行して、非適合ＨＳにリビルド／冗長コピー済のデータを非適合ＨＳから適合ＨＳへコピーする（符号Ｄ６参照）。
そして、入れ替え処理部１１４は、非適合ＨＳから適合ＨＳへのデータコピー完了後に、入れ替え対象の記憶装置２１と適合ＨＳとの記憶装置置換処理を行なう（図４（ｂ）参照）。すなわち、入れ替え処理部１１４は、非適合ＨＳへのリビルド／冗長コピー済みのデータであって適合ＨＳに格納されていないデータのコピーが完了すると、入れ替え対象の記憶装置２１と適合ＨＳとの記憶装置置換処理を行なう。
そして、入れ替え処理部１１４は、非適合ＨＳから適合ＨＳへのデータコピー完了後に、入れ替え対象の記憶装置２１と適合ＨＳとの記憶装置置換処理を行なう（図４（ｂ）参照）。すなわち、入れ替え処理部１１４は、非適合ＨＳへのリビルド／冗長コピー済みのデータであって適合ＨＳに格納されていないデータのコピーが完了すると、入れ替え対象の記憶装置２１と適合ＨＳとの記憶装置置換処理を行なう。
なお、非適合ＨＳは、非適合ＨＳから適合ＨＳに対するデータコピーが完了した時点で、図７に示すＲＡＩＤグループから解放される。また、書き込み処理部１１３は、非適合ＨＳから適合ＨＳに対するデータコピーが完了した時点で、リビルド／冗長コピー実行中であっても、非適合ＨＳへのリビルド／冗長コピーを中止し、適合ＨＳへのリビルド／冗長コピーのみを継続する。
〔Ａ−２〕動作
上述の如く構成された実施形態の一例としてのストレージ装置における記憶装置入れ替え処理を図８に示すフローチャート（ステップＳ１０〜Ｓ７０）に従って説明する。
検知部１１１は、記憶装置２１の故障等の異常を検知し、又は、記憶装置２１に対するオペレータ等からの予防交換の要求を検知する（ステップＳ１０）。なお、記憶装置２１の予防交換の要求の検知は、検知部１１１が、記憶装置２１がストレージ装置１に組み込まれてから一定時間が経過したことを検知することによって行なっても良い。また、記憶装置２１の予防交換の要求の検知は、検知部１１１が、特定の記憶装置２１に対するホストＩ／Ｏによって所定回数以上エラーが発生したことを検知することによって行なっても良い。
上述の如く構成された実施形態の一例としてのストレージ装置における記憶装置入れ替え処理を図８に示すフローチャート（ステップＳ１０〜Ｓ７０）に従って説明する。
検知部１１１は、記憶装置２１の故障等の異常を検知し、又は、記憶装置２１に対するオペレータ等からの予防交換の要求を検知する（ステップＳ１０）。なお、記憶装置２１の予防交換の要求の検知は、検知部１１１が、記憶装置２１がストレージ装置１に組み込まれてから一定時間が経過したことを検知することによって行なっても良い。また、記憶装置２１の予防交換の要求の検知は、検知部１１１が、特定の記憶装置２１に対するホストＩ／Ｏによって所定回数以上エラーが発生したことを検知することによって行なっても良い。
選択部１１２は、ストレージ装置１が備える複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する（ステップＳ２０）。ＨＳ選択処理の詳細は、図９に示すフローチャートを用いて後述する。
書き込み処理部１１３は、選択部１１２が選択した入れ替え先のＨＳ２１ａに対してリビルド／冗長コピーの処理を実行する（ステップＳ３０）。具体的には、書き込み処理部１１３は、検知部１１１によって記憶装置２１の故障等の異常が検知された場合にはリビルドを実行し、検知部１１１によって記憶装置２１に対する予防交換の要求が検知された場合には冗長コピーを実行する。また、データ構築処理においては、書き込み処理部１１３は、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成する記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込む。
書き込み処理部１１３は、選択部１１２が選択した入れ替え先のＨＳ２１ａに対してリビルド／冗長コピーの処理を実行する（ステップＳ３０）。具体的には、書き込み処理部１１３は、検知部１１１によって記憶装置２１の故障等の異常が検知された場合にはリビルドを実行し、検知部１１１によって記憶装置２１に対する予防交換の要求が検知された場合には冗長コピーを実行する。また、データ構築処理においては、書き込み処理部１１３は、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成する記憶装置２１が格納するデータに基づき、入れ替え対象の記憶装置２１が格納するデータを入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込む。
入れ替え処理部１１４は、記憶装置２１の入れ替え判断を行なう（ステップＳ４０）。入れ替え判断の詳細は、図１０に示すフローチャートを用いて後述する。
入れ替え判断の結果、記憶装置２１の入れ替えが可能な場合には（ステップＳ４０のＹＥＳルート参照）、入れ替え処理部１１４は、記憶装置２１の入れ替えを行ない（ステップＳ５０）、処理が終了する。具体的には、入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する。つまり、入れ替え処理部１１４は、入れ替え対象の記憶装置２１と入れ替え先のＨＳ２１ａとの記憶装置構成情報を入れ替えることにより、置換処理を行なう。
入れ替え判断の結果、記憶装置２１の入れ替えが可能な場合には（ステップＳ４０のＹＥＳルート参照）、入れ替え処理部１１４は、記憶装置２１の入れ替えを行ない（ステップＳ５０）、処理が終了する。具体的には、入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する。つまり、入れ替え処理部１１４は、入れ替え対象の記憶装置２１と入れ替え先のＨＳ２１ａとの記憶装置構成情報を入れ替えることにより、置換処理を行なう。
一方、入れ替え判断の結果、記憶装置２１の入れ替えが不可能な場合には（ステップＳ４０のＮＯルート参照）、オペレータは、ディスク保守を行なう（ステップＳ６０）。具体的には、オペレータは、入れ替え対象の記憶装置２１を新しい記憶装置２１に交換する。
書き戻し処理部１１３ａは、書き込み処理部１１３によって入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込まれたデータを交換後の記憶装置２１にコピーバックし（書き戻し）（ステップＳ７０）、処理が終了する。
書き戻し処理部１１３ａは、書き込み処理部１１３によって入れ替え先のＨＳ２１ａに書き込まれたデータを交換後の記憶装置２１にコピーバックし（書き戻し）（ステップＳ７０）、処理が終了する。
次に、図８のフローチャートで示したＨＳ選択処理（ステップＳ２０）の詳細を図９に示すフローチャート（ステップＳ２１〜Ｓ２７）に従って説明する。
選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａがあるかを判定する（ステップＳ２１）。すなわち、選択部１１２は、ストレージ装置１内に第１候補のＨＳ２１ａが存在し、第１候補のＨＳ２１ａが使用可能であるかを判定する。
選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａがあるかを判定する（ステップＳ２１）。すなわち、選択部１１２は、ストレージ装置１内に第１候補のＨＳ２１ａが存在し、第１候補のＨＳ２１ａが使用可能であるかを判定する。
入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａがある場合には（ステップＳ２１のＹＥＳルート参照）、選択部１１２は、当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能であるかを判定する（ステップＳ２２）。すなわち、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１を基準とする性能条件を満たすＨＳ２１ａであるかを判定する。
当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能である場合には（ステップＳ２２のＹＥＳルート参照）、選択部１１２は、当該ＨＳ２１ａを適合ＨＳとして選択する（ステップＳ２３）。これにより、処理が終了し、図８のステップＳ３０に移行する。すなわち、選択部１１２は、複数のＨＳ２１ａのうち、第１候補のＨＳ２１ａであり、且つ、性能条件を満たすＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。
一方、入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能でない場合には（ステップＳ２２のＮＯルート参照）、ステップＳ２４に移行する。
また、入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａがない場合にも（ステップＳ２１のＮＯルート参照）、ステップＳ２４に移行する。
また、入れ替え対象の記憶装置２１と同一経路のＨＳ２１ａがない場合にも（ステップＳ２１のＮＯルート参照）、ステップＳ２４に移行する。
そして、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａがあるかを判定する（ステップＳ２４）。すなわち、選択部１１２は、ストレージ装置１内に第２候補のＨＳ２１ａが存在し、第２候補のＨＳ２１ａが使用可能であるかを判定する。
入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａがある場合には（ステップＳ２４のＹＥＳルート参照）、選択部１１２は、当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能であるかを判定する（ステップＳ２５）。すなわち、選択部１１２は、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成する記憶装置２１とは別経路のＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１を基準とする性能条件を満たすＨＳ２１ａであるかを判定する。
当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能である場合には（ステップＳ２５のＹＥＳルート参照）、選択部１１２は、当該ＨＳ２１ａを適合ＨＳとして選択する（ステップＳ２６）。これにより、処理が終了し、図８のステップＳ３０に移行する。すなわち、選択部１１２は、複数のＨＳ２１ａのうち、第２候補のＨＳ２１ａであり、且つ、性能条件を満たすＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。
一方、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能でない場合には（ステップＳ２５のＮＯルート参照）、ステップＳ２７に移行する。
また、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａがない場合にも（ステップＳ２４のＮＯルート参照）、ステップＳ２７に移行する。
また、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されていない経路上にあり、且つ、入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成していない経路上にあるＨＳ２１ａがない場合にも（ステップＳ２４のＮＯルート参照）、ステップＳ２７に移行する。
そして、選択部１１２は、例えば、経路番号が最小のＤＥ２０のＨＳ２１ａを非適合ＨＳとして選択する（ステップＳ２７）。これにより、処理が終了し、図８のステップＳ３０に移行する。
次に、図８のフローチャートで示した記憶装置入れ替え判断処理（ステップＳ４０）の詳細を図１０に示すフローチャート（ステップＳ４１，Ｓ４２，Ｓ５０，Ｓ６０及びＳ７０）に従って説明する。
次に、図８のフローチャートで示した記憶装置入れ替え判断処理（ステップＳ４０）の詳細を図１０に示すフローチャート（ステップＳ４１，Ｓ４２，Ｓ５０，Ｓ６０及びＳ７０）に従って説明する。
入れ替え処理部１１４は、書き込み処理部１１３によってリビルド／冗長コピーを実行されたＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能であるかを判定する（ステップＳ４１）。
当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能でない場合には（ステップＳ４１のＮＯルート参照）、図８を用いて前述したように、オペレータは、ディスク保守を行なう（ステップＳ６０）。そして、書き戻し処理部１１３ａは、コピーバックを行ない（ステップＳ７０）、処理が終了する。
当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能でない場合には（ステップＳ４１のＮＯルート参照）、図８を用いて前述したように、オペレータは、ディスク保守を行なう（ステップＳ６０）。そして、書き戻し処理部１１３ａは、コピーバックを行ない（ステップＳ７０）、処理が終了する。
一方、当該ＨＳ２１ａが入れ替え対象の記憶装置２１と比較して同等以上の性能である場合には（ステップＳ４１のＹＥＳルート参照）、入れ替え処理部１１４は、当該ＨＳ２１ａが第１候補又は第２候補から選択されたかを判定する（ステップＳ４２）。
当該ＨＳ２１ａが第１候補又は第２候補から選択されていない場合には（ステップＳ４２のＮＯルート参照）、ステップＳ６０に移行する。
当該ＨＳ２１ａが第１候補又は第２候補から選択されていない場合には（ステップＳ４２のＮＯルート参照）、ステップＳ６０に移行する。
一方、当該ＨＳ２１ａが第１候補又は第２候補から選択されている場合には（ステップＳ４２のＹＥＳルート参照）、図８を用いて前述したように、入れ替え処理部１１４は、記憶装置２１の入れ替えを行ない（ステップＳ５０）、処理が終了する。
〔Ａ−３〕効果
このように、本実施形態の一例におけるＣＭ（ストレージ制御装置）１０によれば、以下の効果を奏することができる。
〔Ａ−３〕効果
このように、本実施形態の一例におけるＣＭ（ストレージ制御装置）１０によれば、以下の効果を奏することができる。
選択部１１２は、複数の記憶装置２１のうち入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路により定まる経路接続条件と、複数のＨＳ２１ａと複数の経路とを対応付けた経路情報とに基づいて、複数のＨＳ２１ａの中から入れ替え先のＨＳ２１ａを選択する。これにより、記憶装置２１の入れ替えを効率的に行なうことができる。
具体的には、選択部１１２は、経路接続条件として、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路と同一経路上の第１候補のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。これにより、記憶装置２１の入れ替えの前後において、ＣＭ１０とＤＥ２０との間の経路の負荷や冗長度を維持することができるとともに、ストレージ装置１内のＲＡＩＤグループの構成を維持することができる。
具体的には、選択部１１２は、経路接続条件として、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１が接続されている経路と同一経路上の第１候補のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。これにより、記憶装置２１の入れ替えの前後において、ＣＭ１０とＤＥ２０との間の経路の負荷や冗長度を維持することができるとともに、ストレージ装置１内のＲＡＩＤグループの構成を維持することができる。
また、選択部１１２は、経路接続条件として、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１又は入れ替え対象の記憶装置２１とＲＡＩＤグループを構成する記憶装置２１が接続されていない経路上の第２候補のＨＳ２１ａを入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択する。これにより、記憶装置２１の入れ替えの前後において、ＣＭ１０とＤＥ２０との間の経路の負荷や冗長度を維持することができる。
更に、選択部１１２は、入れ替え先のＨＳ２１ａとして、複数のＨＳ２１ａのうち、入れ替え対象の記憶装置２１を基準とする性能条件を満たすＨＳ２１ａを優先して選択する。これにより、記憶装置２１の入れ替えの前後において、ＣＭ１０とＤＥ２０との間の経路の負荷や冗長度を維持することができる。
また、入れ替え処理部１１４は、選択された第１候補又は第２候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たす場合に、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する。これにより、入れ替え対象の記憶装置２１の交換後に、交換後の記憶装置２１に対するコピーバック（書き戻し）を行なう必要がない。このため、以下の少なくともいずれか１つの効果ないし利点が得られる。
また、入れ替え処理部１１４は、選択された第１候補又は第２候補のＨＳ２１ａが性能条件を満たす場合に、書き込み処理部１１３によりデータが書き込まれたＨＳ２１ａを用いて入れ替え対象の記憶装置２１を置換する。これにより、入れ替え対象の記憶装置２１の交換後に、交換後の記憶装置２１に対するコピーバック（書き戻し）を行なう必要がない。このため、以下の少なくともいずれか１つの効果ないし利点が得られる。
（１）コピーバックにともなうストレージ装置の状態の監視が不要である。
（２）コピーバックにともなうストレージ装置の運用の待機や、ユーザに対するコピーバック完了の報告が不要である。
（３）記憶装置の入れ替えにおいて、リビルド又は冗長コピーとコピーバックとを繰り返さないため、入れ替え完了までに要する時間を減少できる。
（２）コピーバックにともなうストレージ装置の運用の待機や、ユーザに対するコピーバック完了の報告が不要である。
（３）記憶装置の入れ替えにおいて、リビルド又は冗長コピーとコピーバックとを繰り返さないため、入れ替え完了までに要する時間を減少できる。
（４）コピーバックにともなうＩ／Ｏ性能の影響を減少できる。
（５）記憶装置の入れ替えにおいて、記憶装置及びＨＳの可用性を高めることができる。
更に、検知部１１１は、経路接続条件又は性能条件を満さないＨＳ２１ａが入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択された場合に、新たに利用可能となったＨＳ２１ａを検知する。これにより、リビルド／冗長コピーの実行中においても、新たに利用可能となった適合ＨＳを検知できるため、交換後の記憶装置２１に対するコピーバック（書き戻し）を行なう必要がない。このため、上記（１）〜（５）の少なくともいずれか１つの効果ないし利点が得られる。
（５）記憶装置の入れ替えにおいて、記憶装置及びＨＳの可用性を高めることができる。
更に、検知部１１１は、経路接続条件又は性能条件を満さないＨＳ２１ａが入れ替え先のＨＳ２１ａとして選択された場合に、新たに利用可能となったＨＳ２１ａを検知する。これにより、リビルド／冗長コピーの実行中においても、新たに利用可能となった適合ＨＳを検知できるため、交換後の記憶装置２１に対するコピーバック（書き戻し）を行なう必要がない。このため、上記（１）〜（５）の少なくともいずれか１つの効果ないし利点が得られる。
〔Ｂ〕その他
開示の技術は上述した実施形態に限定されるものではなく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態の各構成及び各処理は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせてもよい。
例えば、上述した本実施形態の一例における記憶装置置換処理（図４（ｂ）参照）を行なうか否かは、ＲＡＩＤグループ単位やストレージ装置１単位で設定しても良い。すなわち、記憶装置置換処理（図４（ｂ）参照）を行なわないＲＡＩＤグループやストレージ装置１は、入れ替え先のＨＳ２１ａが適合ＨＳであるか非適合ＨＳであるかに関わらず、書き戻し処理（図６（ｂ）参照）を行なう。ストレージ装置１毎に記憶装置置換処理（図４（ｂ）参照）を行なうか否かの設定を行なう場合には、全てのＲＡＩＤグループが同じ設定値となる。
開示の技術は上述した実施形態に限定されるものではなく、本実施形態の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本実施形態の各構成及び各処理は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせてもよい。
例えば、上述した本実施形態の一例における記憶装置置換処理（図４（ｂ）参照）を行なうか否かは、ＲＡＩＤグループ単位やストレージ装置１単位で設定しても良い。すなわち、記憶装置置換処理（図４（ｂ）参照）を行なわないＲＡＩＤグループやストレージ装置１は、入れ替え先のＨＳ２１ａが適合ＨＳであるか非適合ＨＳであるかに関わらず、書き戻し処理（図６（ｂ）参照）を行なう。ストレージ装置１毎に記憶装置置換処理（図４（ｂ）参照）を行なうか否かの設定を行なう場合には、全てのＲＡＩＤグループが同じ設定値となる。
〔Ｃ〕付記
（付記１）
複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置であって、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶するメモリと、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する選択部と、
を備えることを特徴とする、ストレージ制御装置。
（付記１）
複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置であって、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶するメモリと、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する選択部と、
を備えることを特徴とする、ストレージ制御装置。
（付記２）
前記選択部は、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第１の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記１に記載のストレージ制御装置。
前記選択部は、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第１の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記１に記載のストレージ制御装置。
（付記３）
前記選択部は、
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第１の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第２の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記２に記載のストレージ制御装置。
前記選択部は、
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第１の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第２の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記２に記載のストレージ制御装置。
（付記４）
前記選択部は、
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
ことを特徴とする、付記３に記載のストレージ制御装置。
前記選択部は、
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
ことを特徴とする、付記３に記載のストレージ制御装置。
（付記５）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込む書き込み処理部と、
前記選択された第１又は第２の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記書き込み処理部によりデータが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する入れ替え処理部と、
を備えることを特徴とする、付記４に記載のストレージ制御装置。
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込む書き込み処理部と、
前記選択された第１又は第２の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記書き込み処理部によりデータが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する入れ替え処理部と、
を備えることを特徴とする、付記４に記載のストレージ制御装置。
（付記６）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込む書き込み処理部と、
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す書き戻し処理部と、
を備えることを特徴とする、付記４に記載のストレージ制御装置。
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込む書き込み処理部と、
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す書き戻し処理部と、
を備えることを特徴とする、付記４に記載のストレージ制御装置。
（付記７）
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第３の予備記憶装置を検知する検知部を備え、
前記第３の予備記憶装置が前記経路接続条件及び前記性能条件を満たす場合に、前記選択部は、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択する、
ことを特徴とする、付記４に記載のストレージ制御装置。
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第３の予備記憶装置を検知する検知部を備え、
前記第３の予備記憶装置が前記経路接続条件及び前記性能条件を満たす場合に、前記選択部は、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択する、
ことを特徴とする、付記４に記載のストレージ制御装置。
（付記８）
複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置に備えられるコンピュータに、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶し、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する、
処理を実行させることを特徴とする、プログラム。
複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置に備えられるコンピュータに、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶し、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する、
処理を実行させることを特徴とする、プログラム。
（付記９）
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第１の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記８に記載のプログラム。
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第１の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記８に記載のプログラム。
（付記１０）
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第１の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第２の予備記憶装置（Ａ３）を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記９に記載のプログラム。
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第１の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第２の予備記憶装置（Ａ３）を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記９に記載のプログラム。
（付記１１）
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１０に記載のプログラム。
（付記１２）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記選択された第１又は第２の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記データが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１１に記載のプログラム。
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１０に記載のプログラム。
（付記１２）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記選択された第１又は第２の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記データが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１１に記載のプログラム。
（付記１３）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１１に記載のプログラム。
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１１に記載のプログラム。
（付記１４）
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第３の予備記憶装置を検知し、
前記第３の予備記憶装置が前記経路接続条件及び前記性能条件を満たす場合に、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１１に記載のプログラム。
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第３の予備記憶装置を検知し、
前記第３の予備記憶装置が前記経路接続条件及び前記性能条件を満たす場合に、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択する、
処理を前記コンピュータに実行させることを特徴とする、付記１１に記載のプログラム。
（付記１５）
複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置における制御方法であって、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶し、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する、
ことを特徴とする、制御方法。
複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置における制御方法であって、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶し、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する、
ことを特徴とする、制御方法。
（付記１６）
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第１の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記１５に記載の制御方法。
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第１の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記１５に記載の制御方法。
（付記１７）
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第１の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第２の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記１６に記載の制御方法。
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第１の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩＤ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第２の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、付記１６に記載の制御方法。
（付記１８）
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
ことを特徴とする、付記１７に記載の制御方法。
（付記１９）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記選択された第１又は第２の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記データが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する、
ことを特徴とする、付記１８に記載の制御方法。
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
ことを特徴とする、付記１７に記載の制御方法。
（付記１９）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記選択された第１又は第２の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記データが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する、
ことを特徴とする、付記１８に記載の制御方法。
（付記２０）
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す、
ことを特徴とする、付記１８に記載の制御方法。
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す、
ことを特徴とする、付記１８に記載の制御方法。
（付記２１）
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第３の予備記憶装置を検知し、
前記第３の予備記憶装置が前記経路接続条件及び前記性能条件を満たす場合に、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択する、
ことを特徴とする、付記１８に記載の制御方法。
前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第３の予備記憶装置を検知し、
前記第３の予備記憶装置が前記経路接続条件及び前記性能条件を満たす場合に、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択する、
ことを特徴とする、付記１８に記載の制御方法。
１００ ストレージシステム
１ ストレージ装置
１０ ＣＭ（ストレージ制御装置）
１１ ＣＰＵ（コンピュータ）
１１１ 検知部
１１２ 選択部
１１３ 書き込み処理部
１１３ａ 書き戻し処理部
１１４ 入れ替え処理部
１２ メモリ
１３ ポート
１４ ＣＡ
２ サーバ
２０ ＤＥ
２１ 記憶装置
２１ａ ＨＳ（予備記憶装置）
２２ エキスパンダ
１ ストレージ装置
１０ ＣＭ（ストレージ制御装置）
１１ ＣＰＵ（コンピュータ）
１１１ 検知部
１１２ 選択部
１１３ 書き込み処理部
１１３ａ 書き戻し処理部
１１４ 入れ替え処理部
１２ メモリ
１３ ポート
１４ ＣＡ
２ サーバ
２０ ＤＥ
２１ 記憶装置
２１ａ ＨＳ（予備記憶装置）
２２ エキスパンダ
Claims (8)
- 複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置であって、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶するメモリと、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択する選択部と、
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込む書き込み処理部と、
前記経路接続条件を満さない第１の予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第２の予備記憶装置を検知する検知部と、
を備え、
前記第２の予備記憶装置が前記経路接続条件を満たす場合に、前記選択部は、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第２の予備記憶装置を選択し、
前記書き込み処理部は、前記第１の予備記憶装置に対するデータの書き込みを継続するとともに、前記第１の予備記憶装置へのデータの書き込みが完了していない領域から前記第２の予備記憶装置に対してデータを書き込み、前記第１の予備記憶装置に書き込んだデータを前記第２の予備記憶装置にコピーする、
ことを特徴とする、ストレージ制御装置。 - 前記選択部は、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路と同一経路上の第３の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、請求項１に記載のストレージ制御装置。 - 前記選択部は、
前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第３の予備記憶装置を選択できない場合に、
前記経路接続条件として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置又は当該入れ替え対象の記憶装置とRedundant Arrays of Inexpensive Disks（ＲＡＩ
Ｄ）グループを構成する記憶装置が接続されていない経路上の第４の予備記憶装置を前記入れ替え先の予備記憶装置として選択する、
ことを特徴とする、請求項２に記載のストレージ制御装置。 - 前記選択部は、
前記入れ替え先の予備記憶装置として、前記複数の予備記憶装置のうち、前記入れ替え対象の記憶装置を基準とする性能条件を満たす予備記憶装置を優先して選択する、
ことを特徴とする、請求項３に記載のストレージ制御装置。 - 前記選択された第３又は第４の予備記憶装置が前記性能条件を満たす場合に、前記書き込み処理部によりデータが書き込まれた予備記憶装置を用いて前記入れ替え対象の記憶装置を置換する入れ替え処理部と、
を備えることを特徴とする、請求項４に記載のストレージ制御装置。 - 前記経路接続条件又は前記性能条件を満さない予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、前記入れ替え対象の記憶装置の交換後に、前記入れ替え先の予備記憶装置に書き込まれたデータを前記交換後の入れ替え対象の記憶装置に書き戻す書き戻し処理部と、
を備えることを特徴とする、請求項４に記載のストレージ制御装置。 - 複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置に備えられるコンピュータに、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶し、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択し、
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記経路接続条件を満さない第１の予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第２の予備記憶装置を検知し、
前記第２の予備記憶装置が前記経路接続条件を満たす場合に、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第２の予備記憶装置を選択し、
前記第１の予備記憶装置に対するデータの書き込みを継続するとともに、前記第１の予備記憶装置へのデータの書き込みが完了していない領域から前記第２の予備記憶装置に対してデータを書き込み、前記第１の予備記憶装置に書き込んだデータを前記第２の予備記憶装置にコピーする、
処理を実行させることを特徴とする、プログラム。 - 複数の記憶装置及び複数の予備記憶装置と複数の経路を介して通信可能に接続されたストレージ制御装置における制御方法であって、
前記複数の予備記憶装置と前記複数の経路とを対応付けた経路情報を記憶し、
前記複数の記憶装置のうち入れ替え対象の記憶装置が接続されている経路により定まる経路接続条件と前記経路情報とに基づいて、前記複数の予備記憶装置の中から入れ替え先の予備記憶装置を選択し、
前記選択された入れ替え先の予備記憶装置に前記入れ替え対象の記憶装置が格納するデータを書き込み、
前記経路接続条件を満さない第１の予備記憶装置が前記入れ替え先の予備記憶装置として選択された場合に、新たに利用可能となった第２の予備記憶装置を検知し、
前記第２の予備記憶装置が前記経路接続条件を満たす場合に、前記入れ替え先の予備記憶装置として前記第２の予備記憶装置を選択し、
前記第１の予備記憶装置に対するデータの書き込みを継続するとともに、前記第１の予備記憶装置へのデータの書き込みが完了していない領域から前記第２の予備記憶装置に対してデータを書き込み、前記第１の予備記憶装置に書き込んだデータを前記第２の予備記憶装置にコピーする、
ことを特徴とする、制御方法。
Priority Applications (3)
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