JP6199951B2 - ヒータおよびこれを備えたグロープラグ - Google Patents
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Description
酸化物セラミックス,窒化物セラミックス,炭化物セラミックス等の電気的な絶縁性を有するセラミックスが挙げられる。特に、絶縁基体9は、窒化珪素質セラミックスからなることが好適である。窒化珪素質セラミックスは、主成分である窒化珪素が高強度、高靱性、高絶縁性および耐熱性の観点で優れているからである。この窒化珪素質セラミックスは、例えば、主成分の窒化珪素に対して、焼結助剤として3〜12質量%のY2O3,Yb2O3,Er2O3等の希土類元素酸化物、0.5〜3質量%のAl2O3、さらに焼結体に
含まれるSiO2量として1.5〜5質量%となるようにSiO2を混合し、所定の形状に成型
し、その後、例えば1650〜1780℃でホットプレス焼成することにより得ることができる。
窒化珪素の含有量は20質量%〜35質量%とするのがよい。なお、リード8は、絶縁基体9の形成材料の含有量を抵抗体3よりも少なくすることによって抵抗体3よりも単位長さ当たりの抵抗値が低くなっていてもよく、抵抗体3よりも断面積を大きくすることによって抵抗体3よりも単位長さ当たりの抵抗値が低くなっていてもよい。
体線路の全ての領域で電子の移動が開始するが、特に抵抗の低いリード8側から接合部2に電子が突入しやすい。そこで、発熱部4より陰極側の接合部2に凸凹を設けて高周波電流に対する障壁の効果を増大させることで、オーバーシュートする電子の移動を抑止し、発熱部4の発熱立ち上がりを遅らせて瞬間的な熱応力を低減することができるからである。
熱立ち上がりを遅らせて瞬間的に発生する熱応力を低減することができる。
2:接合部
3:抵抗体
4:発熱部
8:リード
9:絶縁基体
11:導体層
Claims (6)
- 絶縁基体と、
該絶縁基体に埋設され、折返し形状をなしている抵抗体と、
前記絶縁基体に埋設され、先端側で前記抵抗体の両端にそれぞれ接続されるとともに後端側で前記絶縁基体の表面に導出された一対のリードとを備えたヒータであって、
前記抵抗体と前記一対のリードとの二つの接合部は、前記一対のリードの両方の軸を含む縦断面で見たときに先端側が内側または外側に向かって傾斜する境界面をそれぞれ有しており、前記二つの接合部のうちの少なくとも一方の接合部を前記一対のリードの軸に垂直な横断面で見たときに前記抵抗体と前記リードとの境界線が1本のみ存在するとともに凹凸形状になっており、
前記接合部における前記凹凸形状が前記先端側に向かうにつれて変化するとともに、前記境界線の位置が前記先端側に向かうにつれて移動していることを特徴とするヒータ。 - 前記二つの接合部のうちの陰極側の接合部を前記横断面で見たときに前記抵抗体と前記リードとの境界線が凹凸形状になっていることを特徴とする請求項1に記載のヒータ。
- 前記二つの接合部の両方を前記横断面で見たときにそれぞれの前記抵抗体と前記リードとの境界線が凹凸形状になっていることを特徴とする請求項1に記載のヒータ。
- 前記二つの接合部の両方を前記横断面で見たときにそれぞれの前記抵抗体と前記リードとの境界線の凹凸形状が前記二つの接合部から等距離の位置を結ぶ直線に対して対称になっていることを特徴とする請求項3に記載のヒータ。
- 前記凹凸形状は角部を有する形状である請求項1乃至請求項4のうちいずれかに記載のヒータ。
- 請求項1乃至請求項5のうちいずれかに記載のヒータと、前記リードと電気的に接続されて前記ヒータを保持する金属製部材とを備えたことを特徴とするグロープラグ。
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- 2015-12-24 JP JP2015250923A patent/JP6199951B2/ja active Active
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