JP6194126B2 - モジュライメージング検出器asic - Google Patents
モジュライメージング検出器asic Download PDFInfo
- Publication number
- JP6194126B2 JP6194126B2 JP2016570838A JP2016570838A JP6194126B2 JP 6194126 B2 JP6194126 B2 JP 6194126B2 JP 2016570838 A JP2016570838 A JP 2016570838A JP 2016570838 A JP2016570838 A JP 2016570838A JP 6194126 B2 JP6194126 B2 JP 6194126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channels
- asic
- processing regions
- imaging system
- electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 58
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 102000001671 Acid Sensing Ion Channels Human genes 0.000 description 1
- 108010068806 Acid Sensing Ion Channels Proteins 0.000 description 1
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- -1 flex Substances 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/44—Constructional features of apparatus for radiation diagnosis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Claims (29)
- イメージングシステム検出器アレイであって、
複数の光センサピクセルを含む、光センサアレイと、
前記光センサアレイに光学的に結合されるシンチレータアレイと、
前記光センサアレイに電気的に結合される電子レイヤと
を含む検出器タイルを有し、
前記電子レイヤは複数の個別の処理領域を含み、各々の前記処理領域は前記複数の光センサピクセルのサブセットに対応する所定の数のチャネルを含み、前記処理領域は互いに電気的に通信し、各々の前記処理領域はそれ自体の電気的レファレンス及びバイアス回路を含む、
イメージングシステム検出器アレイ。 - 複数の前記電子レイヤを含む、請求項1に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記電子レイヤは、
前記複数の電子レイヤの少なくとも二つの隣接する電子レイヤによって共有されるデジタル電子領域のサブ部分
を更に含む、請求項2に記載のイメージングシステム検出器アレイ。 - 前記デジタル電子領域は前記処理領域の少なくとも二つの間にある、請求項3に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記デジタル電子領域は、第一のサブ部分及び第二のサブ部分を有し、前記処理領域は、前記デジタル電子領域の前記第一のサブ部分及び前記第二のサブ部分の間にある、請求項4に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記電子レイヤは、
前記複数の電子レイヤの少なくとも二つの隣接する電子レイヤによって共有されるアナログ電子領域のサブ部分
を更に含む、請求項2乃至5の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。 - 前記検出器タイルの前記電子レイヤは512より少ないチャネルを含む、請求項2乃至6の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記検出器タイルの前記電子レイヤは第一の数のチャネルを含み、前記第一の数のチャネルは16、32、64、128又は256のチャネルから構成されるグループからなる、請求項2乃至6の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記処理領域の一つの前記電気的レファレンス及びバイアス回路は、前記処理領域の一つの内部にある、請求項1乃至6の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記処理領域の一つの前記電気的レファレンス及びバイアス回路は、前記処理領域の一つの外部にある、請求項1乃至9の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記電子レイヤは、機能チャネルと非機能チャネルとの両方を有する、請求項1乃至10の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。
- 前記電子レイヤは、
検出器ピクセルに入力されるX線フォトンを示すパルス周波数で一連のパルスを生成する電流・周波数コンバータ
を更に有する、請求項1乃至11の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。 - 前記電子レイヤは、
フレックス材料、セラミック材料、シリコン材料、又はプリント回路基板のうちの少なくとも一つ
を更に有する、請求項1乃至12の何れか一項に記載のイメージングシステム検出器アレイ。 - 第一の数の処理領域を含むASICを製造し、テストし、各々の前記処理領域は、所定の数のチャネルを含み、各々の前記処理領域は、それ自体の電気的レファレンス及びバイアス回路を含むステップと、
第二及び第三の数のチャネルをそれぞれ持つ少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICに前記ASICをダイシングし、前記第二及び第三の数のチャネルは、第一の数のチャネルより少ない、ステップと、
イメージングシステムの検出器アレイにおいて前記少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICのうちの少なくとも一つを使用するステップと
を有する方法。 - レーザ、機械的鋸引き、又はスクライブのうちの一つで前記ASICをダイシングするステップ
を更に有する、請求項14に記載の方法。 - 前記ダイシングは、前記ASICの材料の量を除去し、前記量は、150ミクロン又はそれより少ない範囲にある、請求項14乃至15の何れか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICは、ダイシングに先行して前記少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICによって共有されるデジタル電子領域のサブ部分又はダイシングに先行して前記少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICによって共有されるデジタル電子領域のサブ部分の少なくとも一つを含む、請求項14乃至16の何れか一項に記載の方法。
- 前記ASICは512のチャネルを含み、前記少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICは512より少ないチャネルを含む、請求項14乃至17の何れか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも二つの完全機能縮小チャネルASICは、第一の数のチャネル及び第二の数のチャネルを各々含み、前記ASICは第三の数のチャネルを含み、前記第三の数のチャネルは前記第一及び第二の数のチャネルより多い、請求項14乃至17の何れか一項に記載の方法。
- イメージング検出器タイルのためのASICであって、
複数の個別の処理領域を有し、各々の前記処理領域は前記検出器タイルの複数の光センサピクセルのサブセットに対応する所定の数のチャネルを含み、前記処理領域は互いに電気的に通信し、各々の前記処理領域はそれ自体の電気的レファレンス及びバイアス回路を含む、ASIC。 - 前記複数の個別の処理領域の少なくとも二つによって共有されるデジタル電子領域
を更に含む、請求項20に記載のASIC。 - 前記複数の個別の処理領域の少なくとも二つによって共有されるアナログ電子領域
を更に含む、請求項20に記載のASIC。 - 複数の個別の処理領域は512より少ないチャネルを含む、請求項20乃至22の何れか一項に記載のASIC。
- 前記複数の個別の処理領域は第一の数のチャネルを含み、前記第一の数のチャネルは16、32、64、128又は256のチャネルから構成されるグループからなる、請求項20乃至22の何れか一項に記載のASIC。
- 前記複数の個別の処理領域の一つの前記電気的レファレンス及びバイアス回路は、前記複数の個別の処理領域の一つの内部にある、請求項20乃至24の何れか一項に記載のASIC。
- 前記複数の個別の処理領域の一つの前記電気的レファレンス及びバイアス回路は、前記複数の個別の処理領域の一つの外部にある、請求項20乃至24の何れか一項に記載のASIC。
- 前記複数の個別の処理領域は一つ又はそれより多くの完全機能縮小チャネルASICに分割され得る、請求項20乃至26の何れか一項に記載のASIC。
- 前記複数の個別の処理領域は、第一の解像度又は第一のピクセルカウント検出器の部分であり、一つ又はそれより多くの第二の解像度又は第二のピクセルカウント検出器に分割されることができ、前記第一の解像度は前記第二の解像度より大きく、又は前記第一のピクセルカウントは前記第二のピクセルカウントより大きい、請求項27に記載のASIC。
- 光センサピクセルに入力されるX線フォトンを示すパルス周波数で一連のパルスを生成する電流・周波数コンバータ
を更に有する、請求項20乃至28の何れか一項に記載のASIC。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462009974P | 2014-06-10 | 2014-06-10 | |
US62/009,974 | 2014-06-10 | ||
PCT/IB2015/053665 WO2015189728A1 (en) | 2014-06-10 | 2015-05-19 | Modular imaging detector asic |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017518498A JP2017518498A (ja) | 2017-07-06 |
JP6194126B2 true JP6194126B2 (ja) | 2017-09-06 |
Family
ID=53434405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016570838A Active JP6194126B2 (ja) | 2014-06-10 | 2015-05-19 | モジュライメージング検出器asic |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170186807A1 (ja) |
EP (1) | EP3155663B1 (ja) |
JP (1) | JP6194126B2 (ja) |
KR (1) | KR20170016948A (ja) |
CN (1) | CN106659451B (ja) |
RU (1) | RU2686867C2 (ja) |
WO (1) | WO2015189728A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102004987B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2019-07-29 | 삼성전자주식회사 | 광자 계수 검출 장치 및 독출 회로 |
US10153317B1 (en) * | 2018-04-26 | 2018-12-11 | Alentic Microscience Inc. | Image sensors comprising a chamber to confine a sample at a sensor surface of successive light sensitive subareas and non-light sensitive areas |
CN108769498B (zh) * | 2018-08-23 | 2024-04-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种可结合的感光芯片、摄像头模组及电子设备 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001169191A (ja) * | 1999-10-02 | 2001-06-22 | Koji Eto | 撮影装置及び撮像素子 |
CN1438855A (zh) * | 2000-11-14 | 2003-08-27 | 马科尼医疗***公司 | 用于计算的断层成像的数据采集 |
US6671345B2 (en) | 2000-11-14 | 2003-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Data acquisition for computed tomography |
US6510195B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
JP2004008406A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Toshiba Corp | 放射線検出器の製造方法、放射線検出器およびx線ct装置 |
RU2411542C2 (ru) * | 2005-04-22 | 2011-02-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Цифровой кремниевый фотоумножитель для врп-пэт |
US7750305B2 (en) * | 2006-06-15 | 2010-07-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated multi-channel time-to-digital converter for time-of-flight pet |
JP2012015400A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP5697371B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP5885401B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
FI124818B (fi) * | 2011-10-06 | 2015-02-13 | Advacam Oy | Hybridipikseli-ilmaisinrakenne ja tämän valmistusmenetelmä |
JP6366573B2 (ja) * | 2012-04-30 | 2018-08-01 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | デカップリングにより毎ピクセル・アナログチャネルウェル絶縁された画像化検出器及び方法 |
BR112014026769A2 (pt) * | 2012-04-30 | 2017-06-27 | Koninklijke Philips Nv | equipamento de imagens, método, e, conjunto detector de imagens |
DE102013200021B4 (de) * | 2013-01-02 | 2016-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Kalibrierung eines zählenden digitalen Röntgendetektors, Röntgensysteme zur Durchführung eines solchen Verfahrens und Verfahren zur Aufnahme eines Röntgenbildes |
-
2015
- 2015-05-19 CN CN201580031219.0A patent/CN106659451B/zh active Active
- 2015-05-19 WO PCT/IB2015/053665 patent/WO2015189728A1/en active Application Filing
- 2015-05-19 JP JP2016570838A patent/JP6194126B2/ja active Active
- 2015-05-19 US US15/316,533 patent/US20170186807A1/en not_active Abandoned
- 2015-05-19 EP EP15730278.7A patent/EP3155663B1/en active Active
- 2015-05-19 KR KR1020177000539A patent/KR20170016948A/ko unknown
- 2015-05-19 RU RU2017100032A patent/RU2686867C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106659451A (zh) | 2017-05-10 |
JP2017518498A (ja) | 2017-07-06 |
US20170186807A1 (en) | 2017-06-29 |
EP3155663A1 (en) | 2017-04-19 |
CN106659451B (zh) | 2020-10-09 |
KR20170016948A (ko) | 2017-02-14 |
RU2686867C2 (ru) | 2019-05-06 |
RU2017100032A3 (ja) | 2018-11-15 |
RU2017100032A (ru) | 2018-07-10 |
WO2015189728A1 (en) | 2015-12-17 |
EP3155663B1 (en) | 2018-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9599725B2 (en) | Spectral imaging detector | |
JP5455620B2 (ja) | 放射線検出器および当該検出器を含む装置 | |
US9012857B2 (en) | Multi-layer horizontal computed tomography (CT) detector array with at least one thin photosensor array layer disposed between at least two scintillator array layers | |
US20080253507A1 (en) | Computed Tomography Detector Using Thin Circuits | |
RU2647206C1 (ru) | Сенсорное устройство и система визуализации для обнаружения сигналов излучения | |
US8575558B2 (en) | Detector array with a through-via interposer | |
JP6251683B2 (ja) | 放射線検出装置、放射線検出方法、画像化システム | |
US20140348290A1 (en) | Apparatus and Method for Low Capacitance Packaging for Direct Conversion X-Ray or Gamma Ray Detector | |
JP2014508567A (ja) | 2つ又はこれ以上の代替的に選択可能で別々のサブ陽極を含む陽極を持つ光子計数検出器ピクセル | |
JP2016503506A (ja) | イメージング検出器 | |
JP6194126B2 (ja) | モジュライメージング検出器asic | |
US20210278553A1 (en) | Three-dimensional solid state imaging photodetector | |
JP6548488B2 (ja) | X線コンピュータ断層撮影装置及びx線検出器 | |
WO2019185846A1 (en) | X-ray radiation detector with a porous silicon interposer | |
JP7486939B2 (ja) | X線検出器及びx線ct装置 | |
US20240219589A1 (en) | Direct attach radiation detector structures including a carrier board and methods of fabrication thereof | |
JP2017086474A (ja) | X線検出器およびx線コンピュータ断層撮影装置 | |
JP2022077085A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2010099361A (ja) | 放射線検出装置及びこれを用いたx線ct装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170727 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6194126 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |