JP6186693B2 - Suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and method for manufacturing suspension substrate - Google Patents
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Description
本発明は、薬液残留による端子部の劣化を抑制でき、さらに、使用時における経時的な端子部の劣化も抑制できるサスペンション用基板に関する。 The present invention relates to a suspension substrate that can suppress deterioration of a terminal portion due to residual chemicals and further suppress deterioration of the terminal portion over time during use.
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。 In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed, and along with this, the capacity of hard disk drives (HDD) incorporated in personal computers has increased. Increasing information transmission speed is required.
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。 A suspension substrate (flexure) used in an HDD is usually formed at one end portion, formed at a recording / reproducing element mounting area for mounting a recording / reproducing element such as a magnetic head slider, and at the other end portion. It has an external circuit board connection area for connecting to the external circuit board, and a wiring layer for connecting the recording / reproducing element mounting area and the external circuit board connection area.
また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板（例えばステンレス鋼）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えば銅）がこの順に積層された基本構造を有する。さらに絶縁層および配線層の間には、通常、金属薄膜部が存在する。この金属薄膜部は、例えば配線層を形成する際のシード層であり、絶縁性担保の観点から配線層の形成と同時またはその後に、金属薄膜の不要部分が除去されることで形成される。また、配線層は、例えば記録再生用素子等と接続するための端子部を有し、この端子部の表面には、接続信頼性向上の観点から金属めっきが形成されている。 The suspension substrate usually has a basic structure in which a metal support substrate (for example, stainless steel), an insulating layer (for example, polyimide resin), and a wiring layer (for example, copper) are laminated in this order. Furthermore, a metal thin film portion usually exists between the insulating layer and the wiring layer. This metal thin film portion is, for example, a seed layer for forming a wiring layer, and is formed by removing unnecessary portions of the metal thin film simultaneously with or after the formation of the wiring layer from the viewpoint of ensuring insulation. In addition, the wiring layer has a terminal portion for connection with, for example, a recording / reproducing element, and metal plating is formed on the surface of the terminal portion from the viewpoint of improving connection reliability.
また、例えば特許文献１においては、金属めっき層と絶縁層との間に、めっき液が残留することを抑制することを目的として、金属めっき層と絶縁層とが、それらが対向する方向において、間隔を隔てて設けられた配線回路基板が開示されている。具体的には、特許文献１の図１（ｃ）に示されるように、端子部５を支持する絶縁層２の厚さ、および、その周囲の絶縁層２の厚さに差異を設け、さらに、金属めっき層６および絶縁層２の間に間隙を設けた配線回路基板が開示されている。一方、特許文献２においては、金属めっき層と絶縁層との間に、めっき液が残留することを目的として、端子部と金属めっき層とが、絶縁層に対して部分的に埋設された配線回路基板が開示されている。
For example, in
特許文献１の図１（ｃ）に示されるように、端子部５を支持する絶縁層２の厚さ、および、その周囲の絶縁層２の厚さに差異を設け、さらに、金属めっき層６および絶縁層２の間に間隙を設けることで、薬液に含まれるイオン性不純物（例えば塩素イオン）が、金属めっき層６および絶縁層２の間に残留することを抑制できる。このような構造は、製造時において、薬液残留による端子部の劣化を抑制できるという点では好ましいが、一方で、後述するように、使用時において、水分およびガスが端子部に到達しやすくなり、経時的な端子部の劣化が生じやすい。
As shown in FIG. 1C of
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、薬液残留による端子部の劣化を抑制でき、さらに、使用時における経時的な端子部の劣化も抑制できるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is a main object of the present invention to provide a suspension substrate that can suppress deterioration of a terminal portion due to residual chemicals and further suppress deterioration of the terminal portion over time during use. Objective.
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された金属薄膜部と、上記金属薄膜部上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層が、上記配線層の端子部を支持する台座部と、上記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを有し、上記端子部の表面に金属めっき部が形成され、上記金属めっき部が、上記台座部の頂面および上記台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。 In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a metal thin film portion formed on the insulating layer, and a metal thin film portion on the metal thin film portion A suspension substrate having a wiring layer formed, wherein the insulating layer includes a pedestal portion that supports a terminal portion of the wiring layer and a pedestal adjacent portion that is thinner than the pedestal portion. A metal plating portion is formed on the surface of the terminal portion, and the metal plating portion is formed so as to contact at least one of a top surface of the pedestal portion and a side surface of the pedestal portion. Providing a substrate.
本発明によれば、台座部を設けることにより、薬液残留による端子部の劣化を抑制できる。さらに、金属めっき部が台座部の頂面および台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成されていることから、使用時における経時的な端子部の劣化を抑制できる。 According to the present invention, by providing the pedestal portion, it is possible to suppress deterioration of the terminal portion due to the remaining chemical. Furthermore, since the metal plating portion is formed so as to be in contact with at least one of the top surface of the pedestal portion and the side surface of the pedestal portion, deterioration of the terminal portion over time during use can be suppressed.
上記発明においては、上記台座部の頂面の端部が、上記端子部の端部よりも張り出していることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the edge part of the top surface of the said base part protrudes rather than the edge part of the said terminal part.
上記発明においては、上記台座部の頂面の端部と、上記端子部の端部とが一致していることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the edge part of the top surface of the said base part and the edge part of the said terminal part correspond.
上記発明においては、上記台座部は、厚さ方向において、上記台座隣接部の頂面と、上記台座部の頂面との間に、中間面を有することが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said base part has an intermediate surface between the top surface of the said base adjacent part and the top surface of the said base part in thickness direction.
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。 The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、耐久性が良好なサスペンションとすることができる。 According to the present invention, a suspension having excellent durability can be obtained by using the above-described suspension substrate.
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。 The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、耐久性が良好な素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element having excellent durability can be obtained.
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。 The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、耐久性が良好なハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with good durability can be obtained by using the above-described suspension with an element.
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された金属薄膜部と、上記金属薄膜部上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記配線層の端子部の表面に金属めっき部を形成する金属めっき部形成工程と、上記絶縁層に、上記配線層の端子部を支持する台座部と、上記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを形成する台座部形成工程と、を順不同に有し、上記金属めっき部を、上記台座部の頂面および上記台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。 In the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a metal thin film portion formed on the insulating layer, and a wiring layer formed on the metal thin film portion, A method of manufacturing a suspension substrate, comprising: a metal plating part forming step of forming a metal plating part on a surface of the terminal part of the wiring layer; and a base for supporting the terminal part of the wiring layer on the insulating layer And a pedestal part forming step for forming a pedestal adjacent part having a thickness smaller than that of the pedestal part, and the metal plating part on the top surface of the pedestal part and the side surface of the pedestal part Provided is a method for manufacturing a suspension substrate, wherein the suspension substrate is formed so as to be in contact with at least one.
本発明によれば台座部を設けることにより、薬液残留による端子部の劣化を抑制できる。さらに、金属めっき部が台座部の頂面および台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成することから、使用時における経時的な端子部の劣化を抑制できる。 According to the present invention, by providing the pedestal portion, it is possible to suppress deterioration of the terminal portion due to the remaining chemical solution. Furthermore, since the metal plating portion is formed so as to contact at least one of the top surface of the pedestal portion and the side surface of the pedestal portion, deterioration of the terminal portion over time during use can be suppressed.
本発明のサスペンション用基板は、薬液残留による端子部の劣化を抑制でき、さらに、使用時における経時的な端子部の劣化も抑制できるという効果を奏する。 The suspension substrate according to the present invention can suppress the deterioration of the terminal portion due to the remaining of the chemical solution, and further can suppress the deterioration of the terminal portion over time during use.
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and suspension substrate manufacturing method of the present invention will be described in detail.
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された金属薄膜部と、上記金属薄膜部上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記絶縁層が、上記配線層の端子部を支持する台座部と、上記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを有し、上記端子部の表面に金属めっき部が形成され、上記金属めっき部が、上記台座部の頂面および上記台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成されていることを特徴とするものである。
A. Suspension substrate The suspension substrate of the present invention is formed on a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a metal thin film portion formed on the insulating layer, and the metal thin film portion. A wiring board, wherein the insulating layer has a pedestal part that supports a terminal part of the wiring layer, and a pedestal adjacent part that is thinner than the pedestal part, A metal plating portion is formed on the surface of the terminal portion, and the metal plating portion is formed so as to contact at least one of the top surface of the pedestal portion and the side surface of the pedestal portion.
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用（書込用）配線層であり、他方がリード用（読取用）配線層である。また、図１（ｂ）に示すように、このサスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された金属薄膜部５と、金属薄膜部５上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a suspension substrate of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, illustration of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. A
図２は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する概略平面図である。なお、図２では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図２における記録再生用素子実装領域には、４本の配線層が存在し、そのうち２本の配線層はライト用配線層を構成する一対の配線層であり、残りの２本の配線層はリード用配線層を構成する一対の配線層である。それぞれの配線層は、端子部３ａと、配線パターン部（引き回し部）３ｂとから構成されている。
FIG. 2 is a schematic plan view illustrating the recording / reproducing element mounting region in the suspension substrate of the present invention. In FIG. 2, the description of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. In the recording / reproducing element mounting region in FIG. 2, there are four wiring layers, of which two wiring layers are a pair of wiring layers constituting the write wiring layer, and the remaining two wiring layers are It is a pair of wiring layers constituting the lead wiring layer. Each wiring layer includes a
図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の拡大図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明においては、絶縁層２が、配線層の端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１に隣接して形成され、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを有する。また、端子部３ａの表面に金属めっき部６が形成され、金属めっき部６が、台座部１１の頂面Ｘ１を覆うように形成されている。
3A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2, and FIG. 3B is an enlarged view of FIG. 3A. As shown in FIGS. 3A and 3B, in the present invention, the insulating
本発明によれば、台座部を設けることにより、薬液残留による端子部の劣化を抑制できる。さらに、金属めっき部が台座部の頂面および台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成されていることから、使用時における経時的な端子部の劣化を抑制できる。具体的には、図３（ｂ）に示すように、台座部１１を設けることで、たとえ薬液残留が生じたとしても、主として台座部１１および台座隣接部１２の境界部分βで薬液残留が生じるため、残留した薬液と、端子部３ａ（厳密には劣化の起点となる金属薄膜部５）との距離を大きくできる。これにより、薬液残留による端子部の劣化を抑制できる。また、金属めっき部６が台座部１１の頂面Ｘ１を覆うように形成されていることから、水分およびガスの侵入経路αを長くできる。これにより、使用時における経時的な端子部の劣化を抑制できる。
According to the present invention, by providing the pedestal portion, it is possible to suppress deterioration of the terminal portion due to the remaining chemical. Furthermore, since the metal plating portion is formed so as to be in contact with at least one of the top surface of the pedestal portion and the side surface of the pedestal portion, deterioration of the terminal portion over time during use can be suppressed. Specifically, as shown in FIG. 3B, by providing the
従来のサスペンション用基板は、図４に示すように、絶縁層２に台座部１１を設け、さらに、金属めっき部６および絶縁層２の間に間隙を設けている。間隙を設けることで、台座部１１および台座隣接部１２の境界部分βの排液性が向上し、薬液残留を抑制できる。一方で、水分およびガスの侵入経路αが短くなるため、使用時における経時的な端子部の劣化を抑制することは困難である。これに対して、本発明においては、水分およびガスの侵入経路αに着目し、金属めっき部を、台座部の頂面および台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成することで、薬液残留による端子部の劣化のみならず、使用時における経時的な端子部の劣化も抑制することができる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
As shown in FIG. 4, the conventional suspension substrate is provided with a
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、金属薄膜部、配線層および金属めっき部を少なくとも有する。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has at least a metal support substrate, an insulating layer, a metal thin film portion, a wiring layer, and a metal plating portion.
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。 The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having a spring property, and specific examples include stainless steel. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。 The insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.
本発明における金属薄膜部は、絶縁層上に形成されるものである。金属薄膜部の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、および、これらの金属元素の少なくとも一種を含有する合金等を挙げることができる。具体的には、クロム膜、ニッケル膜、ニッケル−クロム合金膜、ニッケル−銅合金膜、ニッケル−クロム−銅合金膜等を挙げることができる。金属薄膜部の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば０．０１μｍ〜０．５μｍの範囲内であることが好ましく、０．０１μｍ〜０．０５μｍの範囲内であることがより好ましい。上記範囲であれば、所望の密着性を保つことができ、また、配線層から絶縁層への金属拡散を防止できる所望のバリア効果を得ることもできるからである。 The metal thin film part in this invention is formed on an insulating layer. The material of the metal thin film portion is not particularly limited, and examples thereof include chromium (Cr), nickel (Ni), and an alloy containing at least one of these metal elements. Specific examples include a chromium film, a nickel film, a nickel-chromium alloy film, a nickel-copper alloy film, and a nickel-chromium-copper alloy film. The thickness of the metal thin film portion is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.01 μm to 0.5 μm, for example, and more preferably in the range of 0.01 μm to 0.05 μm. . This is because, within the above range, desired adhesion can be maintained, and a desired barrier effect that can prevent metal diffusion from the wiring layer to the insulating layer can be obtained.
本発明における配線層は、金属薄膜部上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、および、これらの金属元素の少なくとも一種を含有する合金が好ましく、ＣｕおよびＣｕ合金（特にＣｕを主成分とする合金）がより好ましい。また、配線層は、電解めっき法により形成されたものであることが好ましい。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。 The wiring layer in the present invention is formed on the metal thin film portion. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include metals such as copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), and these. An alloy containing at least one metal element is preferable, and Cu and a Cu alloy (particularly, an alloy containing Cu as a main component) are more preferable. The wiring layer is preferably formed by an electrolytic plating method. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.
上記配線層の種類は、端子部を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ライト用配線層、リード用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ素子用配線層、グランド用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、ハイトセンサー用配線層等を挙げることができる。なお、端子部とは、電気的な接続を行う部分をいい、端子部の種類は特に限定されるものではない。 The type of the wiring layer is not particularly limited as long as it has a terminal portion. For example, the wiring layer for writing, the wiring layer for reading, the wiring layer for heat assist, the wiring layer for actuator element, and the ground Examples thereof include a wiring layer, a power supply wiring layer, a flight height control wiring layer, and a height sensor wiring layer. In addition, a terminal part means the part which performs electrical connection and the kind of terminal part is not specifically limited.
本発明における金属めっき部は、配線層の端子部に形成されるものである。金属めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができる。また、金属めっき部は、単層構成であっても良く、複層構成であっても良い。単層構成の場合、金属めっき部は、Ａｕめっき部であることが好ましい。電気化学的安定性が高いからである。一方、複層構成である場合、金属めっき部は、端子部の表面側から、ＮｉめっきおよびＡｕめっきの順に形成されていることが好ましい。なお、金属めっき部は、通常、配線層の端子部の材料とは異なる材料である。また、金属めっき部は、金属薄膜部の材料と異なることが好ましい。 The metal plating part in this invention is formed in the terminal part of a wiring layer. Although the kind of metal plating part is not specifically limited, For example, Au plating, Ni plating, Ag plating, Cu plating etc. can be mentioned. Moreover, the metal plating part may have a single layer structure or a multilayer structure. In the case of a single layer configuration, the metal plating part is preferably an Au plating part. This is because the electrochemical stability is high. On the other hand, when it is a multilayer structure, it is preferable that the metal plating part is formed in order of Ni plating and Au plating from the surface side of a terminal part. In addition, the metal plating part is a material different from the material of the terminal part of a wiring layer normally. Moreover, it is preferable that a metal plating part differs from the material of a metal thin film part.
本発明のサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していても良い。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。 The suspension substrate of the present invention may have a cover layer that covers the wiring layer. By providing the cover layer, deterioration (corrosion etc.) of the wiring layer can be prevented. Examples of the material for the cover layer include those described above as the material for the insulating layer, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm.
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板においては、絶縁層が、配線層の端子部を支持する台座部と、その台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを有する。さらに、端子部の表面に金属めっき部が形成され、その金属めっき部が、台座部の頂面および台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成されている。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. In the suspension substrate of the present invention, the insulating layer has a pedestal portion that supports the terminal portion of the wiring layer and a pedestal adjacent portion that is thinner than the pedestal portion. Furthermore, a metal plating part is formed on the surface of the terminal part, and the metal plating part is formed so as to be in contact with at least one of the top surface of the base part and the side surface of the base part.
ここで、図３（ｂ）に示すように、台座部１１の頂面Ｘ１および台座隣接部１２の頂面Ｘ３の厚さの差をＴ１とする。Ｔ１の値は、例えば０．１μｍ以上であることが好ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましく、０．３μｍ以上であることがさらに好ましい。Ｔ１の値が小さすぎると、薬液残留の影響を十分に抑制できない可能性あるからである。一方、Ｔ１の値は、例えば１．０μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましい。Ｔ１の値が大きすぎると、薬液残留の影響を抑制する効果は変わらず、製造コストが上昇するからである。また、図３（ｂ）に示すように、端子部３ａの側面の金属めっき部６の厚さをＴ２１とし、端子部３ａ上に形成される金属めっき部６の厚さをＴ２２とする。Ｔ２１の値は、例えば１．５μｍ以上であることが好ましく、２．０μｍ以上であることがより好ましい。Ｔ２１の値が小さすぎると、水分およびガスの侵入経路αを十分に長くできない可能性があるからである。一方、Ｔ２１の値は、例えば５．０μｍ以下であることが好ましく、４．０μｍ以下であることがより好ましい。また、Ｔ２２の値は、例えば１．５μｍ〜３．０μｍの範囲内であることが好ましく、１．８μｍ〜２．５μｍの範囲内であることがより好ましい。
Here, as shown in FIG. 3 (b), the difference in thickness of the top surface X 1 and the top surface X 3 of the base
本発明における台座部の形状の一例としては、台座部の頂面の端部が、端子部の端部よりも張り出している形状を挙げることができる。この形状を、台座部の形状の第一実施態様とする。具体的には、図５（ａ）に示すように、台座部１１の頂面Ｘ１の端部２１が、端子部３ａの端部３１よりも張り出している形状を挙げることができる。なお、端子部３ａの端部３１とは、厳密には端子部の下端（絶縁層側）の端部をいう（以下同様）。ここで、図５（ａ）に示すように、台座部１１の頂面Ｘ１の端部２１と、端子部３ａの端部３１との差をＬ１とする。Ｌ１の値は、後述する金属めっき部の厚さとの関係を考慮して、任意に選択することができるが、例えば１．０μｍ〜５．０μｍの範囲内であることが好ましく、１．５μｍ〜４．０μｍの範囲内であることがより好ましい。
As an example of the shape of the base part in this invention, the shape which the edge part of the top surface of a base part protrudes rather than the edge part of a terminal part can be mentioned. This shape is the first embodiment of the shape of the pedestal. Specifically, as shown in FIG. 5 (a), the
第一実施態様における金属めっき部の形状は、台座部の頂面に接する形状であれば特に限定されるものではない。第一実施態様における金属めっき部の形状の一例としては、図５（ａ）に示すように、金属めっき部６が、台座部１１の頂面Ｘ１全面に接触するように形成され、かつ、台座隣接部１２の頂面Ｘ３には接触しないように形成された形状を挙げることができる。なお、金属めっき部６は、台座部１１の側面Ｘ２に接触するように形成されていても良く、台座部１１の側面Ｘ２に接触しないように形成されていても良い。この形状の場合、たとえ薬液残留が生じたとしても、主として台座部１１および台座隣接部１２の境界部分βで薬液残留が生じるため、端子部３ａおよび絶縁層２の界面では薬液残留が生じにくい。そのため、薬液残留による端子部の劣化を効果的に抑制できるという利点がある。
The shape of the metal plating part in a 1st embodiment will not be specifically limited if it is a shape which contact | connects the top face of a base part. As an example of the shape of the metal plating section in the first embodiment, as shown in FIG. 5 (a), a
第一実施態様における金属めっき部の形状の他の例としては、図５（ｂ）に示すように、金属めっき部６が、台座部１１の頂面Ｘ１全面および側面Ｘ２全面に接触するように形成され、さらに、台座隣接部１２の頂面Ｘ３にも接触するように形成された形状を挙げることができる。この形状の場合、侵入経路αが厚さ方向にも伸びるため、金属めっき部６の厚さが同じであっても、図５（ａ）に比べて、侵入経路αを長くできる。そのため、例えば高密度化および接続信頼性向上の観点から、金属めっき部の厚さを薄くした場合であっても、侵入経路αを長くできるという利点がある。なお、図５（ｃ）に示すように、金属めっき部６は、台座部１１の頂面Ｘ１の一部に接触するように形成されていても良い。ただし、この形状は、境界部分βによる薬液残留抑制効果が発現される場合に限られる。すなわち、境界部分βによる薬液残留抑制効果が全く発現されない場合（台座部の頂面が過度に露出する場合）は含まれない。
As another example of the shape of the metal plating section in the first embodiment, as shown in FIG. 5 (b), a
また、本発明における台座部の形状の他の例としては、台座部の頂面の端部と、端子部の端部とが一致している形状を挙げることができる。この形状を、台座部の形状の第二実施態様とする。具体的には、図６に示すように、台座部１１の頂面Ｘ１の端部２１と、端子部３ａの端部３１とが一致しているものを挙げることができる。なお、「一致」とは、端部２１および端部３１の差（図５（ａ）におけるＬ１に相当する差）が０．０５μｍ以下であることをいう。なお、この範囲内であれば、端部２１が端部３１より張り出していても良く、端部３１が端部２１より張り出していても良い。
In addition, as another example of the shape of the pedestal portion in the present invention, a shape in which the end portion of the top surface of the pedestal portion is coincident with the end portion of the terminal portion can be mentioned. This shape is the second embodiment of the shape of the pedestal. Specifically, as shown in FIG. 6, the
第二実施態様における金属めっき部の形状は、通常、図６に示すように、金属めっき部６が、台座部１１の頂面Ｘ２全面に接触するように形成され、かつ、台座隣接部１２の頂面Ｘ３にも接触するように形成された形状となる。この形状の場合、侵入経路αが厚さ方向にも伸びるため、金属めっき部６の厚さが同じであっても、図５（ａ）に比べて、侵入経路αを長くできる。そのため、例えば高密度化および接続信頼性向上の観点から、金属めっき部の厚さを薄くした場合であっても、侵入経路αを長くできるという利点がある。
The shape of the metal plating section in the second embodiment, typically, as shown in FIG. 6, the
本発明における台座部の形状の他の例としては、厚さ方向において、台座隣接部の頂面と、台座部の頂面との間に、中間面を有する形状を挙げることができる。この形状を、台座部の形状の第三実施態様とする。具体的には、図７（ａ）に示すように、厚さ方向において、台座隣接部１２の頂面Ｘ３と、台座部１１の頂面Ｘ１との間に、中間面Ｘ４を有する形状を挙げることができる。ここで、図７（ａ）に示すように、台座部１１における頂面Ｘ１および中間面Ｘ４の厚さの差をＴ３とするＴ３の値は、例えば０．０２μｍ〜０．２μｍの範囲内であることが好ましく、０．０５μｍ〜０．１μｍの範囲内であることがより好ましい。
As another example of the shape of the pedestal portion in the present invention, a shape having an intermediate surface between the top surface of the pedestal adjacent portion and the top surface of the pedestal portion in the thickness direction can be exemplified. This shape is the third embodiment of the shape of the pedestal. Specifically, having as illustrated in FIG. 7 (a), in the thickness direction, the top surface X 3 of the base
第三実施態様における金属めっき部の形状は、台座部の側面に接する形状であれば特に限定されるものではない。第三実施態様における金属めっき部の形状の一例としては、図７（ａ）に示すように、金属めっき部６が、台座部１１の側面Ｘ２２全面および中間面Ｘ４全面に接触するように形成され、かつ、台座隣接部１２の頂面Ｘ３には接触しないように形成された形状を挙げることができる。なお、金属めっき部６は、台座部１１の側面Ｘ２１に接触するように形成されていても良く、台座部１１の側面Ｘ２１に接触しないように形成されていても良い。また、台座部１１の頂面Ｘ１の端部は、端子部３ａの端部より張り出していても良く（図５（ａ）と同様）、端子部３ａの端部と一致していても良い（図６と同様）。これらの事項については、図７（ｂ）、（ｃ）においても同様である。この形状の場合、たとえ薬液残留が生じたとしても、主として台座部１１および台座隣接部１２の境界部分βで薬液残留が生じるため、端子部３ａおよび絶縁層２の界面では薬液残留が生じにくい。そのため、薬液残留による端子部の劣化を効果的に抑制できるという利点がある。
The shape of the metal plating part in a 3rd embodiment will not be specifically limited if it is a shape which contact | connects the side surface of a base part. As an example of the shape of the metal plating part in the third embodiment, as shown in FIG. 7A, the
第三実施態様における金属めっき部の形状の他の例としては、図７（ｂ）に示すように、金属めっき部６が、台座部１１の側面Ｘ２２全面、中間面Ｘ４全面および側面Ｘ２１全面に接触するように形成され、さらに、台座隣接部１２の頂面Ｘ３にも接触するように形成された形状を挙げることができる。この形状の場合、侵入経路αがより複雑になるため、金属めっき部６の厚さが同じであっても、図７（ａ）に比べて、水分およびガスの侵入をさらに抑制できるという利点がある。なお、図７（ｃ）に示すように、金属めっき部６は、台座部１１の中間面Ｘ４の一部に接触するように形成されていても良い。
As another example of the shape of the metal plating part in the third embodiment, as shown in FIG. 7B, the
また、本発明のサスペンション用基板は、例えば図８に示すように、金属めっき部６と接触する台座部１１の表面が、粗化処理されていることが好ましい。金属めっき部６と台座部１１（絶縁層２）との密着性を向上させることができるからである。粗化面の表面粗さＲａは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、２０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
Moreover, as for the board | substrate for suspensions of this invention, as shown, for example in FIG. 8, it is preferable that the surface of the
また、本発明のサスペンション用基板は、例えば図９に示すように、配線層の端子部３ａにおいて、金属薄膜部５の端部５１が端子部３ａの端部３１より内側に形成され、これにより、端子部３ａの絶縁層２側の表面の一部３ｘが金属薄膜部５から露出していることが好ましい。金属薄膜部５にアンダーカットを生じさせ、その部分を埋めるように金属めっき部を設けることにより、薬液が界面に侵入した場合でも、残渣が金属薄膜部に到達しにくいという利点を有するからである。
Further, in the suspension substrate of the present invention, for example, as shown in FIG. 9, in the
図９に示すように、端子部３ａの端部３１と金属薄膜部５の端部５１との距離をＡとした場合、Ａの値は、特に限定されるものではないが、例えば０．３μｍ以上であり、０．５μｍ以上であることが好ましく、０．７μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。上記範囲であれば、端子部における腐食の発生を十分に抑制することができるからである。一方、Ａの値の上限は、端子部および絶縁層が良好な密着性を維持できる値であれば特に限定されるものではない。
As shown in FIG. 9, when the distance between the
また、図９に示すように、金属薄膜部５の幅をＷとした場合、Ｗの値は、特に限定されるものではないが、例えば７μｍ以上であり、９μｍ以上であることがより好ましい。上記範囲であれば、絶縁層に対する密着性が十分に得られるからである。一方、Ｗの値は、特に限定されるものではないが、例えば５０μｍ以下であり、３０μｍ以下であることが好ましい。上記範囲であれば、配置可能な端子数が制限されるというデザイン上の制約が少なくなるからである。なお、図９では、台座部および金属めっき部の形状が、図３（ｂ）と同じであるが、本発明においては、この形状に限定されるものではなく、上述した任意の形状において、金属薄膜部の端部が端子部の端部より内側に形成され、これにより、端子部の絶縁層側の表面の一部が金属薄膜部から露出していることが好ましい。
As shown in FIG. 9, when the width of the metal
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension according to the present invention includes the suspension substrate described above and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.
図１０は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるサスペンション３００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２００とを有するものである。
FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、耐久性が良好なサスペンションとすることができる。 According to the present invention, a suspension having excellent durability can be obtained by using the above-described suspension substrate.
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。 The suspension of the present invention has at least a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.
図１１は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１１に示される素子付サスペンション４００は、上述したサスペンション３００と、サスペンション３００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子３０１とを有するものである。
FIG. 11 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. A
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、耐久性が良好な素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element having excellent durability can be obtained.
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。さらに、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方をさらに有することが好ましい。 The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. The recording / reproducing element is not particularly limited, but preferably has a magnetic generating element. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned. Furthermore, it is preferable that the suspension with an element of the present invention further includes at least one of a thermal assist element and an actuator element.
熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。 The heat assisting element is not particularly limited as long as it can assist recording by the recording / reproducing element with heat. Among them, the heat assist element in the present invention is preferably an element using light. This is because heat-assisted recording by an optical dominant recording method can be performed. Examples of the heat assist element using light include a semiconductor laser diode element. The semiconductor laser diode element may be a pn-type element, or a pnp-type or npn-type element.
アクチュエータ素子は、通常、マイクロアクチュエータ、ミリアクチュエータが該当する。アクチュエータ素子としては、例えばピエゾ素子を挙げることができる。ピエゾ素子としては、例えばＰＺＴからなるものを挙げることができる。ピエゾ素子の伸縮応答を利用することで、サブミクロン単位での位置決めを行うことができる。また、ピエゾ素子には、エネルギー効率が高い、耐荷重が大きい、応答性が速い、摩耗劣化がない、磁場が発生しないという利点がある。また、本発明においては、２極のピエゾ素子を１個用いても良い。１極のピエゾ素子を２個用いても良い。 The actuator element usually corresponds to a microactuator or a millimeter actuator. Examples of the actuator element include a piezo element. As the piezo element, for example, one made of PZT can be cited. By using the expansion / contraction response of the piezo element, positioning can be performed in submicron units. In addition, the piezoelectric element has advantages such as high energy efficiency, large load resistance, fast response, no wear deterioration, and no magnetic field. In the present invention, a single bipolar piezo element may be used. Two unipolar piezoelectric elements may be used.
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.
図１２は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１２に示されるハードディスクドライブ５００は、上述した素子付サスペンション４００と、素子付サスペンション４００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０１と、ディスク４０１を回転させるスピンドルモータ４０２と、素子付サスペンション４００の素子を移動させるアーム４０３およびボイスコイルモータ４０４と、上記の部材を密閉するケース４０５とを有するものである。
FIG. 12 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. The
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、耐久性が良好なハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with good durability can be obtained by using the above-described suspension with an element.
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。 The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された金属薄膜部と、上記金属薄膜部上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記配線層の端子部の表面に金属めっき部を形成する金属めっき部形成工程と、上記絶縁層に、上記配線層の端子部を支持する台座部と、上記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを形成する台座部形成工程と、を順不同に有し、上記金属めっき部を、上記台座部の頂面および上記台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成することを特徴とするものである。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension substrate manufacturing method of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a metal thin film portion formed on the insulating layer, and a metal thin film portion. And a wiring layer forming step for forming a metal plating portion on a surface of the terminal portion of the wiring layer, and a terminal portion of the wiring layer on the insulating layer. A pedestal part forming step for forming a pedestal part for supporting the pedestal part and a pedestal adjacent part having a thickness smaller than that of the pedestal part, and the metal plating part includes the top surface of the pedestal part and the pedestal. It forms so that it may contact | connect at least one of the side surfaces of a part.
図１３は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１３においては、まず、金属支持基板１、絶縁層２、金属薄膜部５および端子部３ａを有する中間部材１５を準備する（図１３（ａ））。この中間部材１５は、いわゆるサブトラクティブ法で形成されたものであっても良く、いわゆるアディティブ法で形成されたものであっても良い。次に、端子部３ａの表面に、電解めっき法により金属めっき部６を形成する（図１３（ｂ））。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２に、端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを形成する（図１３（ｃ））。これにより、金属めっき部６が台座部１１の頂面Ｘ１を覆うように形成されたサスペンション基板が得られる。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention. In FIG. 13, first, an
本発明によれば台座部を設けることにより、薬液残留による端子部の劣化を抑制できる。さらに、金属めっき部が台座部の頂面および台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成することから、使用時における経時的な端子部の劣化を抑制できる。 According to the present invention, by providing the pedestal portion, it is possible to suppress deterioration of the terminal portion due to the remaining chemical solution. Furthermore, since the metal plating portion is formed so as to contact at least one of the top surface of the pedestal portion and the side surface of the pedestal portion, deterioration of the terminal portion over time during use can be suppressed.
１．金属めっき部形成工程
本発明における金属めっき部形成工程は、上記配線層の端子部の表面に金属めっき部を形成する工程である。
1. Metal plating part formation process The metal plating part formation process in this invention is a process of forming a metal plating part in the surface of the terminal part of the said wiring layer.
金属めっき部の形成方法としては、具体的にはめっき法を挙げることができ、中でも電解めっき法が好ましい。例えば電解Ｎｉめっき浴としては、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、電解Ａｕめっき浴としては、シアン化金浴、酸性金浴等を挙げることができる。 Specific examples of the method for forming the metal plating portion include a plating method, and an electrolytic plating method is particularly preferable. For example, examples of the electrolytic Ni plating bath include a watt bath and a sulfamic acid bath. Examples of the electrolytic Au plating bath include a gold cyanide bath and an acidic gold bath.
２．台座部形成工程
本発明における台座部形成工程は、上記絶縁層に、上記配線層の端子部を支持する台座部と、上記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを形成する工程である。通常は、台座部となる位置の周囲の絶縁層をエッチングすることで、台座隣接部を形成する。
2. Pedestal portion forming step The pedestal portion forming step in the present invention is a step of forming, on the insulating layer, a pedestal portion that supports the terminal portion of the wiring layer and a pedestal adjacent portion that is thinner than the pedestal portion. . Usually, the pedestal adjacent part is formed by etching the insulating layer around the position to be the pedestal part.
絶縁層をエッチングする方法としては、例えばドライエッチングが好ましく、中でもプラズマエッチングがより好ましい。異方性の高いエッチングが可能となるからである。また、プラズマエッチングに用いられる反応ガスとしては、例えばＮＦ３、ＣＦ４等を挙げることができる。また、本発明においては、絶縁層をエッチングする方法として、ウェットエッチングを用いても良い。 As a method for etching the insulating layer, for example, dry etching is preferable, and plasma etching is more preferable. This is because highly anisotropic etching is possible. Examples of the reactive gas used for plasma etching include NF 3 and CF 4 . In the present invention, wet etching may be used as a method for etching the insulating layer.
３．サスペンション用基板の製造方法
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述した金属めっき部形成工程および台座部形成工程を有するものであれば特に限定されるものではない。以下、具体例として、上述した図５（ａ）、図６、図７（ａ）、図８に記載した構造を有するサスペンション用基板の製造方法について、図１４〜図１８を用いて説明する。
3. Suspension Substrate Manufacturing Method The suspension substrate manufacturing method of the present invention is not particularly limited as long as it has the above-described metal plating portion forming step and pedestal portion forming step. Hereinafter, as a specific example, a method for manufacturing a suspension substrate having the structure described in FIGS. 5A, 6, 7 A, and 8 will be described with reference to FIGS. 14 to 18.
図１４は、上述した図５に記載した構造を有するサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１４においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａ、金属薄膜層５Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１４（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、端子部３ａを有する配線層を形成する（図１４（ｂ））。エッチング液としては、例えば、塩化鉄系エッチング液を挙げることができる。
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing an example of a manufacturing method of the suspension substrate having the structure described in FIG. 5 described above. In FIG. 14, first, a laminated member in which the
次に、金属薄膜層５Ａに対してウェットエッチングを行い、金属薄膜部５を形成する（図１４（ｃ））。用いられるエッチング液は、金属薄膜層のエッチングレートが高く、配線層のエッチングレートが低いエッチング液（選択性の高いエッチング液）であることが好ましい。例えば、配線層の材料がＣｕ（Ｃｕ合金を含む）であって、金属薄膜層の材料がＣｒ（Ｃｒ合金を含む）である場合、エッチング液としては、例えばフェリシアン化カリウムまたは過マンガン酸カリウムを主成分とするアルカリ性エッチング液を用いることができる。なお、配線層を形成するウェットエッチングと、金属薄膜部を形成するウェットエッチングとは、同一の工程であっても良い。すなわち、ウェットエッチングにより、配線層および金属薄膜部を連続的に形成しても良い。
Next, wet etching is performed on the metal
次に、図示しないが、配線層（配線パターン部）上にカバー層を形成する。次に、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、絶縁層２を形成する（図１４（ｄ））。エッチング液としては、例えば、アルカリ系エッチング液を挙げることができる。次に、端子部３ａの表面に、電解めっき法により金属めっき部６を形成する（図１４（ｅ））。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２に、端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを形成する（図１４（ｆ））。その後、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。
Next, although not shown, a cover layer is formed on the wiring layer (wiring pattern portion). Next, wet etching is performed on the insulating
図１５は、上述した図５に記載した構造を有するサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。図１５においては、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａ、金属薄膜層５Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１５（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、端子部３ａを有する配線層を形成する（図１５（ｂ））。次に、金属薄膜層５Ａに対してウェットエッチングを行い、金属薄膜部５を形成する（図１５（ｃ））。この際、エッチング条件を適宜調整し、金属薄膜部５の端部が端子部３ａの端部よりも張り出すように、金属薄膜部５を形成する。次に、図示しないが、配線層（配線パターン部）上にカバー層を形成する。
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing another example of a method for manufacturing a suspension substrate having the structure shown in FIG. 5 described above. In FIG. 15, a laminated member in which the
次に、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、絶縁層２を形成する（図１５（ｄ））。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２に、端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを形成する（図１５（ｅ））。この際、端子部３ａの端部から張り出した金属薄膜部５が、一種のレジストとして機能し、台座部１１の頂面の端部が、端子部３の端部よりも張り出した形状となる。次に、端子部３ａの表面に、電解めっき法により金属めっき部６を形成する（図１５（ｆ））。その後、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。なお、図５（ａ）におけるＬ１の値と、図３（ｂ）におけるＴ２１の値との関係において、Ｌ１＝Ｔ２１であれば、図５（ａ）に記載した構造が得られ、Ｌ１＜Ｔ２１であれば、図５（ｂ）に記載した構造が得られ、Ｌ１＞Ｔ２１であれば、図５（ｃ）に記載した構造が得られる。
Next, wet etching is performed on the insulating
図１６は、上述した図６に記載した構造を有するサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１６において、図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、上述した図１４（ａ）〜図１４（ｄ）と同様であるので、ここでの説明は省略する。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２に、端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを形成する（図１６（ｅ））。次に、端子部３ａの表面に、電解めっき法により金属めっき部６を形成する（図１６（ｆ））。その後、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate having the structure shown in FIG. 6 described above. In FIG. 16, FIGS. 16 (a) to 16 (d) are the same as FIGS. 14 (a) to 14 (d) described above, and a description thereof will be omitted. Next, plasma etching is performed on the surface of the insulating
図１７は、上述した図７（ａ）に記載した構造を有するサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１７において、図１７（ａ）〜図１７（ｄ）は、上述した図１５（ａ）〜図１５（ｄ）と同様であるので、ここでの説明は省略する。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２に、端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを形成する（図１７（ｅ））。この際、端子部３ａの端部から張り出した金属薄膜部５が、一種のレジストとして機能し、中間面が形成される。次に、端子部３ａの表面に、電解めっき法により金属めっき部６を形成する（図１７（ｆ））。その後、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。なお、図７（ａ）におけるＬ３の値と、図３（ｂ）におけるＴ２１の値との関係において、Ｌ３＝Ｔ２１であれば、図７（ａ）に記載した構造が得られ、Ｌ３＜Ｔ２１であれば、図７（ｂ）に記載した構造が得られ、Ｌ３＞Ｔ２１であれば、図７（ｃ）に記載した構造が得られる。
FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate having the structure described in FIG. In FIG. 17, FIGS. 17 (a) to 17 (d) are the same as FIGS. 15 (a) to 15 (d) described above, and a description thereof will be omitted. Next, plasma etching is performed on the surface of the insulating
図１８は、上述した図８に記載した構造を有するサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１８において、図１８（ａ）〜図１８（ｄ）は、上述した図１４（ａ）〜図１４（ｄ）と同様であるので、ここでの説明は省略する。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２の表面を粗化する（図１８（ｅ））。粗化する方法は、特に限定されるものではなく、任意の方法を用いることができる。次に、端子部３ａの表面に、電解めっき法により金属めっき部６を形成する（図１８（ｆ））。次に、絶縁層２の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層２に、端子部３ａを支持する台座部１１と、台座部１１よりも厚さが薄い台座隣接部１２とを形成する（図１８（ｇ））。その後、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる。
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a suspension substrate having the structure shown in FIG. 8 described above. 18, since FIG. 18 (a)-FIG.18 (d) are the same as that of FIG.14 (a)-FIG.14 (d) mentioned above, description here is abbreviate | omitted. Next, plasma etching is performed on the surface of the insulating
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
［実施例１］
まず、金属支持部材（ＳＵＳ３０４、厚さ１８μｍ）、絶縁部材（ポリイミド樹脂、厚さ１０μｍ）、金属薄膜層（Ｃｒ、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍ）および導体部材（銅、厚さ１２μｍ）がこの順に積層された積層部材を準備した（図１５（ａ））。次に、導体部材に対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、端子部３ａを有する配線層を形成した（図１５（ｂ））。次に、金属薄膜層に対してウェットエッチングを行い、金属薄膜部を形成した（図１５（ｃ））。次に、図示しないが、配線層（配線パターン部）上に、ポリイミド樹脂から構成されるカバー層を形成した。
[Example 1]
First, a metal support member (SUS304, thickness 18 μm), an insulating member (polyimide resin, thickness 10 μm), a metal thin film layer (Cr, thickness 10 nm to 50 nm) and a conductor member (copper,
次に、絶縁部材に対してウェットエッチングを行い、絶縁層を形成した（図１５（ｄ））。次に、絶縁層の表面に、プラズマエッチングを行い、絶縁層に、端子部を支持する台座部と、台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを形成した（図１５（ｅ））。次に、端子部の表面に、電解めっき法により金属めっき部を形成した（図１５（ｆ））。金属めっき部は、Ｎｉめっき部（厚さ１．５μｍ）、Ａｕめっき部（厚さ０．５μｍ）とした。その後、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板を形成した。これにより、サスペンション用基板を得た。
Next, wet etching was performed on the insulating member to form an insulating layer (FIG. 15D). Next, plasma etching was performed on the surface of the insulating layer, and a pedestal portion that supported the terminal portion and a pedestal adjacent portion that was thinner than the pedestal portion were formed in the insulating layer (FIG. 15E). Next, a metal plating part was formed on the surface of the terminal part by an electrolytic plating method (FIG. 15 (f)). The metal plating part was a Ni plating part (thickness 1.5 μm) and an Au plating part (thickness 0.5 μm). Thereafter, wet etching was performed on the
［実施例２〜４、比較例］
エッチング条件および台座部の寸法を変更し、それぞれ図５（ｂ）、図６、図７（ａ）、図４に記載した構造に変更したこと以外は、実施例１と同様にしてサスペンション用基板を得た。
[Examples 2 to 4, comparative example]
Suspension substrate in the same manner as in Example 1 except that the etching conditions and the dimensions of the pedestal were changed to the structures shown in FIGS. 5B, 6, 7 A, and 4, respectively. Got.
［評価］
（耐久試験）
実施例１〜４および比較例で得られたサスペンション用基板を、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの環境下にて静置する耐久試験を行い、耐久試験後の状態変化を観察した。その結果を表１に示す。なお、状態変化の判定において、端子部の腐食が生じたものを×と評価し、端子部の腐食が生じていないものを○と評価した。
[Evaluation]
(An endurance test)
A durability test was performed in which the suspension substrates obtained in Examples 1 to 4 and the comparative example were allowed to stand in an environment of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% RH, and state changes after the durability test were observed. The results are shown in Table 1. In the determination of the state change, the case where the corrosion of the terminal portion occurred was evaluated as x, and the case where the terminal portion did not corrode was evaluated as ◯.
表１に記載されるように、実施例１〜４では、いずれも耐久試験後に状態変化が生じていないことが確認された。これに対して、比較例では、水分やガスの影響により、端子部が腐食することが確認された。 As described in Table 1, in Examples 1 to 4, it was confirmed that no state change occurred after the durability test. On the other hand, in the comparative example, it was confirmed that the terminal portion was corroded due to the influence of moisture and gas.
１…金属支持基板、 ２…絶縁層、 ３…配線層、 ３ａ…端子部、 ３ｂ…配線パターン部、 ３ｘ…露出表面、 ４…カバー層、 ５…金属薄膜部、 ６…金属めっき部、 １１…台座部、 １２…台座隣接部、 １５…中間部材、 ２１…台座部の頂面の端部、 ３１…端子部の端部、 ５１…金属薄膜部の端部、 １００…サスペンション用基板、 １０１…記録再生用素子実装領域、 １０２…外部回路基板接続領域、 １０３…配線層
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記絶縁層が、前記配線層の端子部を支持する台座部と、前記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを有し、
前記端子部の上面および側面は前記カバー層から露出し、かつ、金属めっき部が形成されており、
前記金属めっき部が、前記台座部の頂面および前記台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。 A metal supporting substrate, an insulating layer formed on the metal supporting substrate, a metal thin film portion formed on the insulating layer, a wiring layer formed on the metal thin film portion, and so as to cover the wiring layer A suspension layer having a cover layer formed on
The insulating layer has a pedestal portion that supports a terminal portion of the wiring layer, and a pedestal adjacent portion that is thinner than the pedestal portion,
Upper surface and a side surface of the terminal portion exposed from the cover layer, and has a metal-plated portions are formed,
The suspension substrate, wherein the metal plating portion is formed so as to contact at least one of a top surface of the pedestal portion and a side surface of the pedestal portion.
前記カバー層から露出している、前記配線層の端子部の上面および側面に金属めっき部を形成する金属めっき部形成工程と、
前記絶縁層に、前記配線層の端子部を支持する台座部と、前記台座部よりも厚さが薄い台座隣接部とを形成する台座部形成工程と、
を順不同に有し、
前記金属めっき部を、前記台座部の頂面および前記台座部の側面の少なくとも一方に接するように形成することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 A metal supporting substrate, an insulating layer formed on the metal supporting substrate, a metal thin film portion formed on the insulating layer, a wiring layer formed on the metal thin film portion, and so as to cover the wiring layer A method for producing a suspension substrate having a cover layer formed on
A metal plating part forming step of forming a metal plating part on the upper surface and side surfaces of the terminal part of the wiring layer exposed from the cover layer ;
In the insulating layer, a pedestal part forming step for forming a pedestal part that supports a terminal part of the wiring layer and a pedestal adjacent part having a thickness smaller than the pedestal part,
In random order,
The method of manufacturing a suspension substrate, wherein the metal plating portion is formed so as to be in contact with at least one of a top surface of the pedestal portion and a side surface of the pedestal portion.
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