JP6182853B2 - Adhesive curing device and adhesive curing method - Google Patents
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Description
本発明は粘着剤硬化装置および粘着剤硬化方法に関し、支持テープの粘着剤層に貼り付けられたチップを剥離するために粘着剤層を硬化させる技術に関する。 The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive curing device and a pressure-sensitive adhesive curing method, and to a technique for curing a pressure-sensitive adhesive layer in order to peel off a chip attached to a pressure-sensitive adhesive layer of a support tape.
１枚の半導体ウエハには、多数の集積回路が形成される。これらの集積回路はダイシングによって分離され、チップ状に形成される。ダイシングするときには、それぞれのチップが飛び散らないように、一般にダイシングテープといわれる支持テープに半導体ウエハが貼り付けられる。支持テープには半導体ウエハが貼り付けられた状態を維持するための粘着剤層が設けられている。この粘着剤層は、ＵＶ（ultraviolet）光を照射すると硬化して粘着力が低下する。半導体ウエハをダイシングした後に粘着剤層を硬化させて粘着力を低下させることにより、その後に行われるチップの剥離を容易にする（例えば、特許文献１）。 A large number of integrated circuits are formed on one semiconductor wafer. These integrated circuits are separated by dicing and formed in a chip shape. When dicing, a semiconductor wafer is attached to a support tape generally called a dicing tape so that each chip does not scatter. The support tape is provided with an adhesive layer for maintaining the state where the semiconductor wafer is adhered. This pressure-sensitive adhesive layer is cured when irradiated with UV (ultraviolet) light, and its adhesive strength is reduced. After the semiconductor wafer is diced, the pressure-sensitive adhesive layer is cured to reduce the adhesive force, thereby facilitating the subsequent chip peeling (for example, Patent Document 1).
しかしながら、チップが剥離されたときに、粘着剤層の一部がチップ側に残ってしまう場合があり、その後の製造工程において悪影響を及ぼす場合があった。 However, when the chip is peeled off, a part of the pressure-sensitive adhesive layer may remain on the chip side, which may adversely affect the subsequent manufacturing process.
本発明は、支持テープからチップを剥離した場合に、チップ側に粘着剤層が残ることを抑制することを目的とする。 An object of this invention is to suppress that an adhesive layer remains on the chip | tip side, when a chip | tip is peeled from a support tape.
本発明の一実施形態によると、外部からエネルギが付与されると粘着力が低下する粘着剤層が第１面側に設けられた支持テープの前記粘着剤層にチップが貼り付けられた状態で、前記第１面側とは反対側の第２面側から前記チップの周縁部または外側を支持して、前記第２面側の少なくとも前記周縁部の内側に第１空間を形成する手段と、前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御する手段と、前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記低い圧力より高く、かつ大気圧以下の圧力に変化させた状態で、前記粘着剤層に前記エネルギを付与する手段とを備えることを特徴とする粘着剤硬化装置が提供される。
According to one embodiment of the present invention, in a state where a chip is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided on the first surface side with a pressure-sensitive adhesive layer whose adhesive strength is reduced when energy is applied from the outside. Means for supporting a peripheral edge portion or an outer side of the chip from a second surface side opposite to the first surface side, and forming a first space at least inside the peripheral edge portion on the second surface side; The first space is controlled to have a lower pressure than the outside, and after the first space is controlled to the low pressure, the pressure is changed to a pressure higher than the low pressure and lower than the atmospheric pressure. And a means for applying the energy to the pressure-sensitive adhesive layer.
この構成によると、粘着剤層を硬化する前に、支持テープのうちチップが貼り付けられた面と反対側の面側に低い圧力の空間を設けることによりチップの凹部等に入り込んだ粘着剤層を外側に引き出す。そのため、支持テープからチップを剥離した場合に、チップの凹部等に粘着剤層が残ることを抑制することができる。 According to this configuration, before the adhesive layer is cured, the adhesive layer that has entered the concave portion of the chip by providing a low-pressure space on the side of the support tape opposite to the surface on which the chip is attached. Pull out the outside. Therefore, when the chip is peeled off from the support tape, it is possible to suppress the pressure-sensitive adhesive layer from remaining in the concave portion of the chip.
本発明の一実施形態によると、外部からエネルギが付与されると粘着力が低下する粘着剤層が第１面側に設けられた支持テープの前記粘着剤層に複数のチップが貼り付けられた状態で、前記第１面側とは反対側の第２面側から前記複数のチップの周縁部または外側を支持して、前記第２面側の少なくとも前記周縁部の内側であって前記複数のチップの前記第２面側に第１空間を形成する手段と、前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御する手段と、前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与する手段とを備えることを特徴とする粘着剤硬化装置が提供される。According to an embodiment of the present invention, a plurality of chips are attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided on the first surface side with a pressure-sensitive adhesive layer whose adhesive strength decreases when energy is applied from the outside. In a state, the peripheral surface or the outer side of the plurality of chips is supported from the second surface side opposite to the first surface side, and at least the inner side of the peripheral portion on the second surface side and the plurality of the plurality of chips. Means for forming a first space on the second surface side of the chip; means for controlling the first space so as to have a lower pressure than the outside; and after the first space is controlled to the low pressure. And a means for applying the energy to the pressure-sensitive adhesive layer.
前記支持テープはフレームに固定され、前記第１空間を形成する手段によって支持される前記複数のチップの周縁部または外側は、前記フレームであり、前記第１空間を形成する手段は、前記支持テープを介して前記フレームに吸引具を接続してもよい。The support tape is fixed to a frame, and the peripheral or outer side of the plurality of chips supported by the means for forming the first space is the frame, and the means for forming the first space is the support tape. A suction tool may be connected to the frame via the.
前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間において前記チップが貼り合わせられた部分に前記フレームから振動を加える手段をさらに備えてもよい。There may be further provided means for applying vibration from the frame to a portion where the chip is bonded at least during a period when the first space is controlled to the low pressure.
本発明の一実施形態によると、外部からエネルギが付与されると粘着力が低下する粘着剤層が第１面側に設けられた支持テープの前記粘着剤層にチップが貼り付けられた状態で、前記第１面側とは反対側の第２面側から前記チップの周縁部または外側を支持して、前記第２面側の少なくとも前記周縁部の内側に第１空間を形成する手段と、前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御する手段と、前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与する手段と、前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間であって前記粘着層にエネルギを付与する前の期間において前記チップが貼り合わせられた部分に振動を加える手段とを備えることを特徴とする粘着剤硬化装置が提供される。According to one embodiment of the present invention, in a state where a chip is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided on the first surface side with a pressure-sensitive adhesive layer whose adhesive strength is reduced when energy is applied from the outside. Means for supporting a peripheral edge portion or an outer side of the chip from a second surface side opposite to the first surface side, and forming a first space at least inside the peripheral edge portion on the second surface side; Means for controlling the first space so as to have a lower pressure than the outside; means for applying the energy to the adhesive layer after the first space is controlled to the low pressure; And means for applying vibration to a portion where the chip is bonded in at least a partial period when the space is controlled to the low pressure and before applying energy to the adhesive layer. Provided adhesive curing device It is.
本発明の一実施形態によると、外部からエネルギが付与されると粘着力が低下する粘着剤層が第１面側に設けられた支持テープの前記粘着剤層にチップが貼り付けられた状態で、前記第１面側とは反対側の第２面側から前記チップの周縁部またはその外側を支持して、前記第２面側の少なくとも前記周縁部の内側に第１空間を形成し、前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御し、前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記低い圧力より高く、かつ大気圧以下の圧力に変化させた状態で、前記粘着剤層に前記エネルギを付与することを特徴とする粘着剤硬化方法が提供される。これにより、支持テープからチップを剥離した場合に、チップの凹部等に粘着剤層が残ることを抑制することができる。
また、本発明の一実施形態によると、外部からエネルギが付与されると粘着力が低下する粘着剤層が第１面側に設けられた支持テープの前記粘着剤層に複数のチップが貼り付けられた状態で、前記第１面側とは反対側の第２面側から前記複数のチップの周縁部または外側を支持して、前記第２面側の少なくとも前記周縁部の内側であって前記複数のチップの前記第２面側に第１空間を形成し、前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御し、前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与することを特徴とする粘着剤硬化方法が提供される。
前記支持テープはフレームに固定され、前記第１空間を形成するときに支持される前記複数のチップの周縁部または外側は、前記フレームであり、前記第１空間を形成することは、前記支持テープを介して前記フレームに吸引具を接続することを含んでもよい。
前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間において前記チップが貼り合わせられた部分に前記フレームから振動を加えてもよい。
また、本発明の一実施形態によると、外部からエネルギが付与されると粘着力が低下する粘着剤層が第１面側に設けられた支持テープの前記粘着剤層にチップが貼り付けられた状態で、前記第１面側とは反対側の第２面側から前記チップの周縁部または外側を支持して、前記第２面側の少なくとも前記周縁部の内側に第１空間を形成し、前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御し、前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与することを含み、前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間であって前記粘着層にエネルギを付与する前の期間において前記チップが貼り合わせられた部分に振動を加えることを特徴とする粘着剤硬化方法が提供される。
According to one embodiment of the present invention, in a state where a chip is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided on the first surface side with a pressure-sensitive adhesive layer whose adhesive strength is reduced when energy is applied from the outside. Supporting the peripheral edge of the chip or the outside thereof from the second surface side opposite to the first surface side, forming a first space at least inside the peripheral edge on the second surface side, In a state where the first space is controlled to have a lower pressure than the outside, and after the first space is controlled to the low pressure, the pressure is changed to a pressure higher than the low pressure and lower than the atmospheric pressure. A pressure-sensitive adhesive curing method is provided, wherein the energy is applied to the pressure-sensitive adhesive layer. Thereby, when a chip | tip is peeled from a support tape, it can suppress that an adhesive layer remains in the recessed part etc. of a chip | tip.
According to one embodiment of the present invention, a plurality of chips are attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided with the pressure-sensitive adhesive layer on the first surface side, which reduces the adhesive strength when energy is applied from the outside. In this state, the second surface side opposite to the first surface side is supported from the second surface side of the plurality of chips, and at least the inner side of the peripheral surface portion on the second surface side, Forming a first space on the second surface side of the plurality of chips, controlling the first space to have a lower pressure than the outside, and after the first space is controlled to the lower pressure, A pressure-sensitive adhesive curing method is provided, wherein the energy is applied to the pressure-sensitive adhesive layer.
The support tape is fixed to a frame, and peripheral edges or outer sides of the plurality of chips supported when the first space is formed are the frames, and the first space is formed by the support tape. A suction tool may be connected to the frame via
Vibration may be applied from the frame to a portion where the chip is bonded in at least a partial period when the first space is controlled to the low pressure.
In addition, according to an embodiment of the present invention, the chip is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided on the first surface side with the pressure-sensitive adhesive layer that decreases in adhesive strength when energy is applied from the outside. In the state, supporting the peripheral edge portion or the outer side of the chip from the second surface side opposite to the first surface side, forming a first space at least inside the peripheral edge portion on the second surface side, Controlling the first space to have a lower pressure than the outside, and applying the energy to the adhesive layer after the first space is controlled to the low pressure, A method of curing an adhesive, wherein vibration is applied to a portion where the chip is bonded in at least a partial period when the pressure is controlled to the low pressure and before applying energy to the adhesive layer Is provided.
本発明によると、支持テープからチップを剥離した場合に、チップ側へ粘着剤層が残ることを抑制することができる。 According to the present invention, when the chip is peeled from the support tape, it is possible to suppress the adhesive layer from remaining on the chip side.
本発明の一実施形態について説明する前に、従来の方法において、支持テープからチップを剥離した場合に、チップに粘着剤層の残りが発生することについて詳述する。 Before describing an embodiment of the present invention, it will be described in detail that in the conventional method, when the chip is peeled off from the support tape, the remaining adhesive layer is generated on the chip.
図７は、従来例に係るチップ２００への粘着剤層の残渣物３５の発生について説明する図である。図７（ａ）は、支持テープ３０に貼り付けられた半導体ウエハ２０の断面を模式的に表した図である。まず、図７（ａ）を用いて、支持テープ３０に貼り付けられた半導体ウエハ２０について説明する。図７（ａ）に示す状態の半導体ウエハ２０、支持テープ３０およびフレーム４０を、以下、単にワークという場合がある。なお、図７（ａ）の図上方からワークを見た場合、半導体ウエハ２０および支持テープ３０は、ほぼ円形状であり、フレーム４０は、支持テープ３０の周りに位置するリング状である。 FIG. 7 is a diagram for explaining the generation of the residue 35 of the pressure-sensitive adhesive layer on the chip 200 according to the conventional example. FIG. 7A is a diagram schematically showing a cross section of the semiconductor wafer 20 attached to the support tape 30. First, the semiconductor wafer 20 attached to the support tape 30 will be described with reference to FIG. Hereinafter, the semiconductor wafer 20, the support tape 30, and the frame 40 in the state shown in FIG. 7A, the semiconductor wafer 20 and the support tape 30 have a substantially circular shape, and the frame 40 has a ring shape positioned around the support tape 30.
支持テープ３０は例えばダイシングテープであり、リング状のフレーム４０により張られて固定されている。支持テープ３０は、フィルム基材３１と、フィルム基材３１の一方の面に設けられた粘着剤層３２とを有している。フィルム基板３１は、例えばＰＶＣ（polyvinyl chloride）である。粘着剤層３２は、例えばアクリル系の粘着剤を用いて形成された層であり、ＵＶ光が照射されると硬化して粘着力が低下する。 The support tape 30 is, for example, a dicing tape, and is stretched and fixed by a ring-shaped frame 40. The support tape 30 has a film base 31 and an adhesive layer 32 provided on one surface of the film base 31. The film substrate 31 is, for example, PVC (polyvinyl chloride). The pressure-sensitive adhesive layer 32 is a layer formed using, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, and is cured and reduced in adhesive strength when irradiated with UV light.
半導体ウエハ２０は、シリコンウエハなどであって、粘着剤層３２の粘着力により支持テープ３０に貼り付けられている。図７（ａ）に示す例では、半導体ウエハ２０はダイシングされて、複数のチップ２００に分離されている。 The semiconductor wafer 20 is a silicon wafer or the like, and is attached to the support tape 30 by the adhesive force of the adhesive layer 32. In the example shown in FIG. 7A, the semiconductor wafer 20 is diced and separated into a plurality of chips 200.
チップ２００には、集積回路、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）などが形成されている。また、チップ２００には、粘着剤層３２に接触する面から対向する面まで貫通する貫通孔２１０が設けられている。また、チップ２００には、粘着剤層３２に接触する面に凹部２２０が形成されている。チップ２００に形成された集積回路等による表面の段差などにより、この凹部２２０が生じる。なお、チップ２００には、貫通孔２１０および凹部２２０のいずれか一方だけが形成されていてもよい。 An integrated circuit, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and the like are formed on the chip 200. Further, the chip 200 is provided with a through-hole 210 that penetrates from the surface that contacts the pressure-sensitive adhesive layer 32 to the opposite surface. Further, the chip 200 has a recess 220 formed on the surface that contacts the pressure-sensitive adhesive layer 32. The concave portion 220 is generated by a surface step due to an integrated circuit or the like formed on the chip 200. Note that only one of the through hole 210 and the recess 220 may be formed in the chip 200.
図７（ｂ）は、１つのチップ２００の近傍を詳細に示した図である。半導体ウエハ２０が粘着剤層３２に貼り付けられるときには、半導体ウエハ２０と支持テープ２０とに圧力が加えられる。粘着剤層３２は、粘性のある材料で構成されるため、貼り付けのときに加えられた圧力などの要因で、図７（ｂ）に示すように貫通孔２１０および凹部２２０に入り込む。 FIG. 7B is a view showing the vicinity of one chip 200 in detail. When the semiconductor wafer 20 is attached to the adhesive layer 32, pressure is applied to the semiconductor wafer 20 and the support tape 20. Since the pressure-sensitive adhesive layer 32 is made of a viscous material, the pressure-sensitive adhesive layer 32 enters the through hole 210 and the recess 220 as shown in FIG. 7B due to factors such as pressure applied at the time of attachment.
このような状態において、粘着剤層３２にＵＶ光を照射し、チップ２００を支持テープ３０から剥離する場合について説明する。図７（ｃ）は、粘着剤層３２にＵＶ光を照射した後、支持テープ３０から剥離されたチップ２００を示す図である。図７（ｃ）に示すように、チップ２００が支持テープ３０から剥離されると、チップ２００の貫通孔２１０および凹部２２０には、粘着剤層３２の残渣物３５が生じる場合がある。このような残渣物３５は、この後の製造工程において悪影響を及ぼすことがある。この残渣物３５が発生する要因について、例えば以下の要因が挙げられる。 In such a state, the case where the adhesive layer 32 is irradiated with UV light and the chip 200 is peeled from the support tape 30 will be described. FIG. 7C shows the chip 200 peeled from the support tape 30 after the adhesive layer 32 is irradiated with UV light. As shown in FIG. 7C, when the chip 200 is peeled from the support tape 30, a residue 35 of the adhesive layer 32 may be generated in the through hole 210 and the recess 220 of the chip 200. Such residue 35 may adversely affect the subsequent manufacturing process. Examples of the factors that cause the residue 35 include the following factors.
貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ部分の粘着剤層３２にはＵＶ光が充分に照射されにくい。そのため、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ部分の粘着剤層３２の粘着力が低下せず、剥離時に粘着剤層３２が支持テープ３０から分離して、残渣物３５となる。また、粘着剤層３２が硬化して粘着力が弱まったとしても、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ部分が引っ掛かり、剥離時に粘着剤層３２が支持テープ３０から分離して、残渣物３５となる。 The UV light is not sufficiently irradiated to the adhesive layer 32 in the through hole 210 and the recessed portion 220. Therefore, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 32 in the through hole 210 and the recessed portion 220 does not decrease, and the pressure-sensitive adhesive layer 32 is separated from the support tape 30 at the time of peeling to become a residue 35. Further, even if the adhesive layer 32 is cured and the adhesive strength is weakened, the portions that have entered the through holes 210 and the recesses 220 are caught, and the adhesive layer 32 is separated from the support tape 30 at the time of peeling, and the residue 35 and Become.
本発明者は、上述の問題を解決すべく鋭意検討した結果、支持テープ３０からチップ２００を剥離した場合に、チップ２００に残渣物３５が残ることを抑制する方法を見出した。 As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventor has found a method for suppressing the residue 35 from remaining on the chip 200 when the chip 200 is peeled from the support tape 30.
以下、本発明の一実施形態に係る粘着剤硬化装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, an adhesive curing device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, embodiment shown below is an example of embodiment of this invention, and this invention is not limited to these embodiment.
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る粘着剤硬化装置１の構成を示す図である。第１実施形態に係る粘着剤硬化装置１は、吸引処理部１０、ＵＶ光照射部１３および制御部１５を有する。制御部１５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）およびメモリなどを有し、吸引処理部１０およびＵＶ光照射部１３など粘着剤硬化装置１の各構成を制御する。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an adhesive curing device 1 according to the first embodiment of the present invention. The adhesive curing device 1 according to the first embodiment includes a suction processing unit 10, a UV light irradiation unit 13, and a control unit 15. The control unit 15 includes a CPU (Central Processing Unit) and a memory, and controls each component of the adhesive curing device 1 such as the suction processing unit 10 and the UV light irradiation unit 13.
ダイシングされた半導体ウエハ２０が支持テープ３０に貼り付けられたワーク（図７参照）は、粘着剤硬化装置１に搬送されて、吸引処理部１０における処理、ＵＶ光照射部１３における処理が実行された後、チップ２００を剥離する装置（図示せず）に搬送されて、チップ２００が支持テープ３０から剥離される。続いて、吸引処理部１０およびＵＶ光照射部１３の構成について説明する。なお、半導体ウエハ２０、支持テープ３０およびフレーム４０の説明については、上述したため省略する。 The workpiece (see FIG. 7) on which the diced semiconductor wafer 20 is attached to the support tape 30 is transported to the adhesive curing device 1, and processing in the suction processing unit 10 and processing in the UV light irradiation unit 13 are performed. After that, the chip 200 is conveyed to a device (not shown) for peeling the chip 200, and the chip 200 is peeled from the support tape 30. Next, the configuration of the suction processing unit 10 and the UV light irradiation unit 13 will be described. Note that the description of the semiconductor wafer 20, the support tape 30, and the frame 40 has been described above, and will be omitted.
図２は、本発明の第１実施形態に係る吸引処理部１０を示す模式図である。吸引処理部１０は、吸引具１１０および減圧ポンプ１２０を有する。吸引具１１０は、支持テープ３０の粘着剤層３２が存在する面（以下、第１面という）とは反対側の面（以下、第２面という）側から、支持テープ３０のフィルム基材３１の外周部分に接触する。これにより、吸引具１１０は支持テープ３０の第２面側に、支持テープ３０とともに空間１００を形成する。ここで、支持テープ３０の外周部分は、図２上方から見た場合にほぼ円形であるため、吸引具１１０と支持テープ３０のフィルム基材３１とが接触する部分も円形である。なお、吸引具１１０は、フレーム４０に接触して空間１００を形成してもよい。 FIG. 2 is a schematic diagram showing the suction processing unit 10 according to the first embodiment of the present invention. The suction processing unit 10 includes a suction tool 110 and a decompression pump 120. The suction tool 110 has a film base 31 of the support tape 30 from the surface (hereinafter referred to as the second surface) opposite to the surface (hereinafter referred to as the first surface) where the adhesive layer 32 of the support tape 30 exists. It touches the outer peripheral part of. Thereby, the suction tool 110 forms the space 100 together with the support tape 30 on the second surface side of the support tape 30. Here, since the outer peripheral part of the support tape 30 is substantially circular when viewed from above in FIG. 2, the part where the suction tool 110 and the film base 31 of the support tape 30 contact is also circular. The suction tool 110 may be in contact with the frame 40 to form the space 100.
減圧ポンプ１２０は、吸引具１１０により形成された空間１００の圧力を制御し、空間１００の外側よりも低い圧力に減圧したり、空間１００を外側空間に開放して同じ圧力（例えば、大気圧以下の圧力）にしたりする。吸引具１１０によって支持テープ３０の外周部分が支持されている一方、支持テープ３０の第２面側のチップ２００に対応する位置には空間１００が形成されている。 The decompression pump 120 controls the pressure of the space 100 formed by the suction tool 110 to reduce the pressure to a pressure lower than the outside of the space 100, or opens the space 100 to the outer space and the same pressure (for example, below atmospheric pressure). Pressure). While the outer peripheral portion of the support tape 30 is supported by the suction tool 110, a space 100 is formed at a position corresponding to the chip 200 on the second surface side of the support tape 30.
ここで、空間１００が減圧されると、支持テープ３０が空間１００の方向に引っ張られて変形する。一方、チップ２００は、支持テープ３０よりも剛性があるため、変形しにくい。したがって、支持テープ３０が空間１００側に変形すると、図７（ｂ）に示した貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ粘着剤層３２は、引き出される方向に力が加わる。このため、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ粘着剤層３２は、少なくとも一部が引き出されることになる。このとき、粘着剤層３２はＵＶ光が照射される前であり、硬化して粘着力が低下する前の状態である。粘着剤層３２が硬化してしまった後においては、空間１００を減圧しても貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ粘着剤層３２を引き出すことが難しい。一方、粘着剤層３２が硬化する前においては硬化後よりも流動性が高いため、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ粘着剤層３２を、空間１００を減圧することによって効率良く引き出すことができる。 Here, when the space 100 is decompressed, the support tape 30 is pulled and deformed in the direction of the space 100. On the other hand, since the chip 200 is more rigid than the support tape 30, it is difficult to deform. Therefore, when the support tape 30 is deformed to the space 100 side, a force is applied to the pressure-sensitive adhesive layer 32 that has entered the through hole 210 and the recess 220 shown in FIG. For this reason, at least a part of the adhesive layer 32 that has entered the through-hole 210 and the recess 220 is drawn out. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 32 is before being irradiated with UV light, and is in a state before it is cured and the adhesive force is reduced. After the pressure-sensitive adhesive layer 32 has hardened, it is difficult to pull out the pressure-sensitive adhesive layer 32 that has entered the through hole 210 and the recess 220 even if the space 100 is depressurized. On the other hand, before the adhesive layer 32 is cured, the fluidity is higher than after the curing, so that the adhesive layer 32 that has entered the through holes 210 and the recesses 220 can be efficiently drawn out by decompressing the space 100. .
その後に空間１００が外側と同じ圧力に制御されても、チップ２００と支持テープ３０とを押し付ける方向に力が加わるわけではないから、粘着剤層３２が再び、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んでしまうことは生じにくい。続いて、吸引具１１０が支持テープ３０から離され、ワークがＵＶ光照射部１３において処理される。 Thereafter, even if the space 100 is controlled to the same pressure as the outside, no force is applied in the direction in which the chip 200 and the support tape 30 are pressed, so that the adhesive layer 32 enters the through hole 210 and the recess 220 again. It is hard to occur. Subsequently, the suction tool 110 is separated from the support tape 30, and the workpiece is processed in the UV light irradiation unit 13.
図３は、本発明の第１実施形態に係るＵＶ光照射部１３を示す模式図である。ＵＶ光照射部１３は、支持テープ３０の第２面側から粘着剤層３２に対してＵＶ光を照射するＵＶランプ１３０を有する。ＵＶランプ１３０によるＵＶ光の照射により、粘着剤層３２が硬化して粘着力が低下する。ここで、ワークが吸引処理部１０において処理されているため、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ粘着剤層３２が少ない、または存在しない状態である。したがって、粘着剤層３２が硬化した後に、チップ２００が剥離された場合、図７（ｃ）に示す残渣物３５が発生することを抑制することができる。なお、ＵＶ光が照射されるときには、大気圧以下の環境にワークがおかれていることが望ましい。 FIG. 3 is a schematic diagram showing the UV light irradiation unit 13 according to the first embodiment of the present invention. The UV light irradiation unit 13 includes a UV lamp 130 that irradiates the adhesive layer 32 with UV light from the second surface side of the support tape 30. By the irradiation of UV light by the UV lamp 130, the pressure-sensitive adhesive layer 32 is cured and the adhesive force is reduced. Here, since the workpiece is processed in the suction processing unit 10, the pressure-sensitive adhesive layer 32 that has entered the through-hole 210 and the concave portion 220 is few or does not exist. Therefore, when the chip | tip 200 is peeled after the adhesive layer 32 hardens | cures, it can suppress that the residue 35 shown in FIG.7 (c) generate | occur | produces. When UV light is irradiated, it is desirable that the work be placed in an environment at atmospheric pressure or lower.
＜第２実施形態＞
第１実施形態では吸引処理部１０において、吸引具１１０により形成される空間１００は、支持テープ３０の第２面側の複数のチップ２００に対応する位置に形成されていた。
第２実施形態では、複数のチップ２００ではなく、１つのチップ２００に対応する位置に吸引具１１０Ａが空間１００Ａを形成する構成の吸引処理部１０Ａについて説明する。
Second Embodiment
In the first embodiment, in the suction processing unit 10, the space 100 formed by the suction tool 110 is formed at a position corresponding to the plurality of chips 200 on the second surface side of the support tape 30.
In the second embodiment, a suction processing unit 10 </ b> A having a configuration in which the suction tool 110 </ b> A forms the space 100 </ b> A at a position corresponding to one chip 200 instead of the plurality of chips 200 will be described.
図４は、本発明の第２実施形態に係る吸引処理部１０Ａを示す模式図である。吸引処理部１０Ａは、第１実施形態における吸引具１１０とは形状が異なる吸引具１１０Ａを有している。吸引具１１０Ａは、チップ２００の周縁部に対応する位置を支持テープ３０の第２面側から支持する。これにより、吸引具１１０Ａは支持テープ３０の第２面側に、支持テープ３０とともに空間１００Ａを形成する。ここで、チップ２００は、図４上方から見た場合に矩形であるため、吸引具１１０Ａは、支持テープ３０のフィルム基材３１と接触する部分がチップ２００の周縁部に沿った矩形に形成されている。 FIG. 4 is a schematic diagram showing a suction processing unit 10A according to the second embodiment of the present invention. The suction processing unit 10A includes a suction tool 110A having a shape different from that of the suction tool 110 in the first embodiment. The suction tool 110 </ b> A supports a position corresponding to the peripheral edge of the chip 200 from the second surface side of the support tape 30. Thereby, the suction tool 110 </ b> A forms a space 100 </ b> A together with the support tape 30 on the second surface side of the support tape 30. Here, since the chip 200 has a rectangular shape when viewed from above in FIG. 4, the suction tool 110 </ b> A is formed in a rectangular shape in which the portion of the support tape 30 that makes contact with the film base 31 is along the peripheral edge of the chip 200. ing.
第１実施形態と同様に、空間１００Ａは、減圧ポンプ１２０により減圧されたり、外側空間と同じ圧力にされたりする。一方、空間１００Ａが減圧されたときには、第１実施形態とは異なり、１つのチップ２００に対応する部分の支持テープ３０が空間１００Ａの方向に引っ張られることになる。したがって、吸引具１１０Ａは、各チップ２００に対応して順に移動し、空間１００Ａを形成する位置を変更し、それぞれ空間１００Ａを形成するたびに減圧にする処理を行う。このとき、チップ２００に形成された回路などが異なる場合などには全てのチップ２００に対応して処理しなくてもよく、貫通孔２１０または凹部２２０のいずれかを有するチップ２００に対して処理するようにしてもよい。したがって、チップ２００毎に個別に処理を実施することができる。 As in the first embodiment, the space 100A is decompressed by the decompression pump 120 or is set to the same pressure as the outer space. On the other hand, when the space 100A is depressurized, unlike the first embodiment, the portion of the support tape 30 corresponding to one chip 200 is pulled in the direction of the space 100A. Therefore, the suction tool 110A sequentially moves corresponding to each chip 200, changes the position where the space 100A is formed, and performs a process of reducing the pressure each time the space 100A is formed. At this time, when the circuit formed on the chip 200 is different, the processing does not have to be performed for all the chips 200, and the processing is performed on the chip 200 having either the through hole 210 or the recess 220. You may do it. Therefore, the processing can be performed for each chip 200 individually.
なお、１つのチップ２００に対応する部分に空間１００Ａが形成されるのではなく、２以上のチップ２００に対応する部分に空間１００Ａが形成されるように、吸引具１１０Ａを構成してもよい。いずれにしても、貫通孔２１０または凹部２２０を有するチップ２００に対応する部分において、吸引具１１０Ａによって少なくとも一度、空間１００Ａが形成され、減圧に制御されればよい。 Note that the suction tool 110A may be configured such that the space 100A is not formed in a portion corresponding to one chip 200 but a space 100A is formed in a portion corresponding to two or more chips 200. In any case, the space 100 </ b> A may be formed at least once by the suction tool 110 </ b> A in the portion corresponding to the chip 200 having the through hole 210 or the recess 220 and controlled to be decompressed.
＜第３実施形態＞
第１実施形態では、ワークは、吸引処理部１０で処理された後、ＵＶ光照射部１３で処理されていたが、第３実施形態では、双方を並行して処理可能な場合、すなわち、空間１００を減圧にしたまま、ＵＶ光を粘着剤層３２に照射可能な場合について説明する。
<Third Embodiment>
In the first embodiment, the workpiece is processed by the UV light irradiation unit 13 after being processed by the suction processing unit 10. However, in the third embodiment, when both can be processed in parallel, that is, in the space. A case where the pressure-sensitive adhesive layer 32 can be irradiated with UV light while 100 is being decompressed will be described.
図５は、本発明の第３実施形態に係る粘着剤硬化装置１Ｂを示す模式図である。粘着剤硬化装置１Ｂは、第１実施形態における吸引処理部１０の構成に加えて、支持テープ３０と吸引具１１０とが接触した場合に形成される空間１００に位置するように、吸引具１１０にＵＶランプ１３０Ｂが設けられた構成である。 FIG. 5 is a schematic diagram showing an adhesive curing device 1B according to the third embodiment of the present invention. In addition to the configuration of the suction processing unit 10 in the first embodiment, the pressure-sensitive adhesive curing device 1B is disposed in the suction tool 110 so as to be positioned in the space 100 formed when the support tape 30 and the suction tool 110 are in contact with each other. In this configuration, a UV lamp 130B is provided.
第３実施形態においては、空間１００が形成されて減圧ポンプ１２０により減圧されると、その状態でＵＶランプ１３０Ｂが粘着剤層３２に対して、空間１００側からＵＶ光を照射する。このようにすると、空間１００を外側の圧力に戻す前にＵＶ光を照射することができる。 In the third embodiment, when the space 100 is formed and decompressed by the decompression pump 120, the UV lamp 130B irradiates the adhesive layer 32 with UV light from the space 100 side in that state. If it does in this way, before returning space 100 to an outside pressure, it can irradiate with UV light.
なお、図５に示す構成であっても、第１実施形態と同様に、ＵＶ光が照射されるときに空間１００が減圧になっていなくてもよい。ただし、第１実施形態であっても第５実施形態であっても、ＵＶ光の照射は、空間１００が減圧された後であることには変わらない。 Even in the configuration shown in FIG. 5, the space 100 does not have to be depressurized when UV light is irradiated, as in the first embodiment. However, in either the first embodiment or the fifth embodiment, the irradiation with UV light is not changed after the space 100 is decompressed.
また、第２実施形態における構成において、第３実施形態の構成を適用して、ＵＶランプ１３０Ｂが空間１００Ａに位置するように構成されてもよい。 Further, in the configuration of the second embodiment, the configuration of the third embodiment may be applied so that the UV lamp 130B is positioned in the space 100A.
＜第４実施形態＞
第４実施形態では、第１実施形態における吸引処理部１０において、空間１００が減圧されるときに粘着剤層３２とチップ２００とが貼り合わせられた部分を振動させる構成をさらに有する吸引処理部１０Ｃを用いている。
<Fourth embodiment>
In the fourth embodiment, in the suction processing unit 10 in the first embodiment, the suction processing unit 10C further includes a configuration that vibrates a portion where the adhesive layer 32 and the chip 200 are bonded when the space 100 is decompressed. Is used.
図６は、本発明の第４実施形態に係る吸引処理部１０Ｃを説明する図である。吸引処理部１０Ｃは、振動源１４０を有する。振動源１４０は、接触している物体を振動させるアクチュエータなどであり、この例では、図６に示すように、フレーム４０を振動させる。フレーム４０が振動すると、支持テープ３０を介して、粘着剤層３２とチップ２００とが貼り合わせられた部分に振動が加えられる。この振動源１４０は、減圧ポンプ１２０によって空間１００が減圧されるときの少なくとも一部期間にフレーム４０を振動させるようになっている。このように振動が加えられることにより、貫通孔２１０および凹部２２０に入り込んだ粘着剤層３２は、より引き出されやすくなる。 FIG. 6 is a diagram illustrating a suction processing unit 10C according to the fourth embodiment of the present invention. The suction processing unit 10 </ b> C includes a vibration source 140. The vibration source 140 is an actuator or the like that vibrates an object in contact. In this example, as shown in FIG. 6, the frame 40 is vibrated. When the frame 40 vibrates, vibration is applied to the portion where the adhesive layer 32 and the chip 200 are bonded together via the support tape 30. The vibration source 140 vibrates the frame 40 at least during a period when the space 100 is decompressed by the decompression pump 120. By applying vibration in this manner, the pressure-sensitive adhesive layer 32 that has entered the through hole 210 and the recess 220 is more easily pulled out.
なお、振動源１４０は、フレーム４０を振動させるのではなく、支持テープ３０を振動させてもよいし、各チップ２００を振動させてもよい。また、吸引具１１０が振動源１４０の機能を有していてもよい。また、振動源１４０は、第２、第３実施形態における構成に適用されてもよい。 Note that the vibration source 140 does not vibrate the frame 40 but may vibrate the support tape 30 or the chips 200. The suction tool 110 may have the function of the vibration source 140. Further, the vibration source 140 may be applied to the configurations in the second and third embodiments.
＜変形例＞
以上、本発明の実施形態およびその実施例について説明したが、本発明は以下のように、様々な態様で実施可能である。
<Modification>
As mentioned above, although embodiment and the Example of this invention were described, this invention can be implemented in various aspects as follows.
［変形例１］
上述した実施形態において、粘着剤層３２はＵＶ光が照射されると硬化して粘着力が低下するようになっていたが、熱により硬化して粘着力が低下する材料であってもよい。その場合には、各実施形態の構成において、ＵＶ光が粘着剤層３２に照射されるのではなく、粘着剤層３２が加熱される構成であればよい。例えば、ＵＶランプに代えて粘着剤層３２を局所的に加熱する発熱体を用いてもよいし、ワークが収容されるチャンバ内部を加熱するなどして、粘着剤層３２を含む全体を加熱する発熱体などを用いてもよい。
[Modification 1]
In the embodiment described above, the pressure-sensitive adhesive layer 32 is cured to reduce the adhesive strength when irradiated with UV light, but may be a material that is cured by heat and has a reduced adhesive strength. In that case, what is necessary is just the structure by which the adhesive layer 32 is not irradiated with UV light in the structure of each embodiment, but the adhesive layer 32 is heated. For example, a heating element that locally heats the pressure-sensitive adhesive layer 32 may be used instead of the UV lamp, or the inside including the pressure-sensitive adhesive layer 32 is heated by heating the inside of a chamber in which the workpiece is accommodated. A heating element or the like may be used.
このように、粘着剤層３２は、ＵＶ光、熱などのエネルギが付与されると硬化するものであればよく、粘着剤硬化装置は、粘着剤層３２に対して、このエネルギを付与して硬化する構成になっていればよい。 As described above, the pressure-sensitive adhesive layer 32 only needs to be cured when energy such as UV light or heat is applied, and the pressure-sensitive adhesive curing device applies this energy to the pressure-sensitive adhesive layer 32. What is necessary is just to become the structure which hardens | cures.
［変形例２］
上述した実施形態において、空間１００（１００Ａ）を減圧ポンプ１２０により減圧していたが、外側よりも相対的に低い圧力になればよいから、他の方法により実現されてもよい。例えば、空間１００（１００Ａ）は減圧ポンプ１２０等に接続されず密閉された状態で、ワークが収容されているチャンバを加圧するなどして外側の圧力が相対的に高くなるようにしてもよい。チップ２００に存在するのが貫通孔２１０である場合には有効な手段の一つである。この状態で、空間１００（１００Ａ）が減圧ポンプ１２０によりさらに減圧されるようにしてもよい。
[Modification 2]
In the above-described embodiment, the space 100 (100A) is decompressed by the decompression pump 120, but may be realized by other methods because it is sufficient that the pressure is relatively lower than the outside. For example, the space 100 (100A) may be sealed without being connected to the decompression pump 120 or the like, and the outside pressure may be relatively increased by pressurizing the chamber in which the workpiece is accommodated. If the chip 200 has a through-hole 210, it is one of effective means. In this state, the space 100 (100A) may be further decompressed by the decompression pump 120.
１，１Ｂ…粘着剤硬化装置、１０，１０Ａ，１０Ｃ…吸引処理部、１３…ＵＶ光照射部、１５…制御部、２０…半導体ウエハ、３０…支持テープ、３１…フィルム基材、３２…粘着剤層、３５…残渣物、４０…フレーム、１００，１００Ａ…空間、１１０，１１０Ａ…吸引具、１２０…減圧ポンプ、１３０，１３０Ｂ…ＵＶランプ、１４０…振動源、２００…チップ、２１０…貫通孔、２２０…凹部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1B ... Adhesive curing device 10, 10A, 10C ... Suction processing part, 13 ... UV light irradiation part, 15 ... Control part, 20 ... Semiconductor wafer, 30 ... Support tape, 31 ... Film base material, 32 ... Adhesion Agent layer, 35 ... residue, 40 ... frame, 100, 100A ... space, 110, 110A ... suction device, 120 ... vacuum pump, 130, 130B ... UV lamp, 140 ... vibration source, 200 ... tip, 210 ... through hole 220 ... concave
Claims (8)
前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御する手段と、
前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記低い圧力より高く、かつ大気圧以下の圧力に変化させた状態で、前記粘着剤層に前記エネルギを付与する手段と
を備えることを特徴とする粘着剤硬化装置。 In the state where a chip is attached to the adhesive layer of the support tape provided on the first surface side, the adhesive layer whose adhesive force is reduced when energy is applied from the outside is opposite to the first surface side. Means for supporting the peripheral edge or the outside of the chip from the second surface side on the side, and forming a first space at least inside the peripheral edge on the second surface side;
Means for controlling the first space to be at a lower pressure than the outside;
Means for applying the energy to the pressure-sensitive adhesive layer in a state where the first space is controlled to the low pressure and then changed to a pressure higher than the low pressure and lower than atmospheric pressure. Adhesive curing device.
前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御する手段と、
前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与する手段と、
前記支持テープはフレームに固定され、
前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間において前記チップが貼り合わせられた部分に前記フレームから振動を加える手段と
を備えることを特徴とする粘着剤硬化装置。 In a state where a plurality of chips are attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided with the pressure-sensitive adhesive layer on the first surface side when the energy is applied from the outside, the first surface side and Supports the peripheral edge or the outside of the plurality of chips from the opposite second surface side, and is at least inside the peripheral edge on the second surface side and on the second surface side of the plurality of chips. Means for forming one space;
Means for controlling the first space to be at a lower pressure than the outside;
Means for applying the energy to the adhesive layer after the first space is controlled to the low pressure;
The support tape is fixed to the frame;
A pressure-sensitive adhesive curing device comprising: means for applying vibration from the frame to a portion where the chip is bonded at least during a period when the first space is controlled to the low pressure.
前記第１空間を形成する手段は、前記支持テープを介して前記フレームに吸引具を接続することを特徴とする請求項２に記載の粘着剤硬化装置。 Periphery or outside of the plurality of chips that are supported by means for forming a pre-Symbol first space is the frame,
The pressure-sensitive adhesive curing device according to claim 2, wherein the means for forming the first space connects a suction tool to the frame via the support tape.
前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御する手段と、
前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与する手段と、
前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間であって前記粘着剤層にエネルギを付与する前の期間において前記チップが貼り合わせられた部分に振動を加える手段と
を備えることを特徴とする粘着剤硬化装置。 In the state where a chip is attached to the adhesive layer of the support tape provided on the first surface side, the adhesive layer whose adhesive force is reduced when energy is applied from the outside is opposite to the first surface side. Means for supporting the peripheral edge or the outside of the chip from the second surface side on the side, and forming a first space at least inside the peripheral edge on the second surface side;
Means for controlling the first space to be at a lower pressure than the outside;
Means for applying the energy to the adhesive layer after the first space is controlled to the low pressure;
And a means for applying vibration to the chip was bonded portion in the previous period in which the energy in the pressure-sensitive adhesive layer and at least partial period of time that the first space is controlled to a low pressure A pressure-sensitive adhesive curing device.
前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御し、
前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記低い圧力より高く、かつ大気圧以下の圧力に変化させた状態で、前記粘着剤層に前記エネルギを付与することを特徴とする粘着剤硬化方法。 In the state where a chip is attached to the adhesive layer of the support tape provided on the first surface side, the adhesive layer whose adhesive force is reduced when energy is applied from the outside is opposite to the first surface side. Supporting the peripheral edge or the outside of the chip from the second surface side of the side, forming a first space at least inside the peripheral edge of the second surface side,
Controlling the first space so as to have a lower pressure than the outside;
After the first space is controlled to the low pressure, the energy is applied to the pressure-sensitive adhesive layer in a state where the pressure is changed to a pressure higher than the low pressure and lower than atmospheric pressure. Curing method.
前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御し、
前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与することを含み、
前記支持テープはフレームに固定され、
前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間において前記チップが貼り合わせられた部分に前記フレームから振動を加えることを特徴とする粘着剤硬化方法。 In a state where a plurality of chips are attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the support tape provided with the pressure-sensitive adhesive layer on the first surface side when the energy is applied from the outside, the first surface side and Supports the peripheral edge or the outside of the plurality of chips from the opposite second surface side, and is at least inside the peripheral edge on the second surface side and on the second surface side of the plurality of chips. Forming a space,
Controlling the first space so as to have a lower pressure than the outside;
Applying the energy to the adhesive layer after the first space is controlled to the low pressure;
The support tape is fixed to the frame;
A pressure-sensitive adhesive curing method comprising applying vibration from the frame to a portion where the chip is bonded at least during a period when the first space is controlled to the low pressure.
前記第１空間を形成することは、前記支持テープを介して前記フレームに吸引具を接続することを含むことを特徴とする請求項６に記載の粘着剤硬化方法。 Periphery or outside of the plurality of chips to be supported when forming a pre-Symbol first space is the frame,
The pressure-sensitive adhesive curing method according to claim 6, wherein forming the first space includes connecting a suction tool to the frame via the support tape.
前記第１空間を、外側よりも低い圧力になるように制御し、
前記第１空間が前記低い圧力に制御された後に、前記粘着剤層に前記エネルギを付与することを含み、
前記第１空間が前記低い圧力に制御されるときの少なくとも一部期間であって前記粘着剤層にエネルギを付与する前の期間において前記チップが貼り合わせられた部分に振動を加えることを特徴とする粘着剤硬化方法。
In the state where a chip is attached to the adhesive layer of the support tape provided on the first surface side, the adhesive layer whose adhesive force is reduced when energy is applied from the outside is opposite to the first surface side. Supporting the peripheral edge or the outside of the chip from the second surface side of the side, forming a first space at least inside the peripheral edge of the second surface side,
Controlling the first space so as to have a lower pressure than the outside;
Applying the energy to the adhesive layer after the first space is controlled to the low pressure;
And characterized by applying vibration to the chip was bonded portion in the previous period in which the energy in the pressure-sensitive adhesive layer and at least partial period of time that the first space is controlled to a low pressure To cure the adhesive.
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