JP6161095B2 - 光吸収層及びこの層を有する層系、層系の製造方法及びこのために適したスパッタターゲット - Google Patents
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Description
本発明は、550nmの波長で0.7を越える吸収指数(Absorptionsindex)kappaを示す光吸収層並びにこの種の光吸収層を有する層系に関する。
光吸収層系は、例えば陰極スパッタリング(スパッタ)により層を積み重ねて堆積させることにより作製される。この場合に、高エネルギーイオン(通常では希ガスイオン)の衝撃によって、固体、つまりスパッタターゲットから原子又は化合物が飛び出し、気相の形に移行する。この気相中に存在する原子又は分子は、最終的に凝縮によって、スパッタターゲットの付近にある基板上に堆積し、そこで層を形成する。「直流電圧スパッタリング」又は「DCスパッタリング」(direct current sputtering)の場合には、カソードとして接続されたターゲットとアノード(頻繁に装置ハウジング)との間に直流電圧が印加される。不活性ガス原子の衝突電離によって、真空化されたガスチャンバ中で低圧プラズマが形成され、この低圧プラズマの正電荷の成分が印加された直流電圧によって持続的な粒子流としてターゲット方向に加速され、衝突の際にターゲットから粒子が打ち出され、この粒子が更に基板方向に進み、そこで層として析出する。
この層系の製造及び複雑な層構造の実現の際に、ドライエッチング工程又は湿式エッチング工程が必要である。しかしながら、サーメット層系は原則としてエッチングが困難である、というのも金属相からなる領域は、酸化物系のマトリックスとは異なるエッチング液が必要となるためである。プラズマエッチングも困難であることが判明している。例えば酸化物と貴金属との組合せの場合、主に酸化物がエッチングされるため金属粒子は残留し、スパッタ装置や後続の基板が汚染されかねない。
本発明による光吸収層
光吸収層に関して、上述の課題は、冒頭に記載された種類の層を前提として、本発明の場合に、
・ 酸化亜鉛、酸化スズ及び/又は酸化インジウムからなる群から選択される基本成分K1及び添加成分K3を基礎とする酸化物系のマトリックスを有し、前記添加物成分K3は、前記基本成分K1を、0〜75質量%の割合「y」だけ置き換え、かつ酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム及びこれらの混合物からなる群から選択され、
・ 前記マトリックス中に、モリブデン、タングステン及びこれらの混合物及びこれらの合金からなる群から選択される黒化成分K2が分配されていて、前記黒化成分K2は、金属として又は金属の化学量論的に不足する酸化物系の化合物として又は金属の化学量論的に不足する酸窒化物系の化合物として存在する層材料からなり、この層材料は、化学量論的に最大の酸素含有率の最大65%の酸素含有率により定義される還元の程度を有し、かつ黒化成分K2の割合「x」は、層材料の質量を基準としてその元素の割合の質量から計算して、20〜50質量%の範囲内にある、層により解決される。
R[%]=100×質量増加/酸素中で焼成された試料の全質量。
・ この層は、HNO3、HCl又は有機酸、例えばシュウ酸、酢酸、リン酸の群からなる希釈された酸の使用下で及びKOH+H2O2を基礎とするバッチを用いて又はフッ化物含有の化合物、例えばNH4HF2の添加下で、粒子形成することなくエッチング可能である。フッ酸は必要なく、
・ 550nmの波長で、0.7より大きな吸収指数kappaを有する。
n・kappa=k
式中k=吸光係数、これはまた次の複素屈折率
N=n+i・k
に置き換えられ、かつこれを用いて層の屈折率における虚部により消衰寄与度が考慮される。
上述の課題は、光吸収層系に関して、本発明の場合に、本発明による光吸収層を観察者とは反対側の吸収層として、観察者側の反射防止層と組み合わせて有していて、この層系は、380〜780nmの波長領域で、2%未満の視感透過率Tv及び6%未満の視感反射率により特徴付けられる第1の実施態様により解決される。
上述の課題は、特に本発明による光吸収層又は光吸収層系を製造するためのスパッタターゲットに関して、このスパッタターゲットが、
・ 酸化亜鉛、酸化スズ及び/又は酸化インジウムからなる群から選択される基本成分K1及び添加成分K3を基礎とする酸化物系のマトリックスを有し、前記添加物成分K3は、前記基本成分K1を、0〜75質量%の割合「y」だけ置き換え、かつ酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム及びこれらの混合物からなる群から選択され、
・ 前記マトリックス中に、モリブデン、タングステン及びこれらの合金及びこれらの混合物からなる群から選択される黒化成分K2が分配されていて、前記黒化成分K2は、金属として及び/又は金属の化学量論的に不足する酸化物系の化合物として又は金属の化学量論的に不足する酸窒化物系の化合物として存在し、かつこの場合、化学量論的に最大の酸素含有率の最大65%の酸素含有率により定義される還元の程度を有し、かつ黒化成分K2の割合「x」は、ターゲット材料の質量を基準としてその金属の割合の質量から計算して、20〜50質量%の範囲内にある、
を基礎とするターゲット材料からなることにより解決される。
R[%]=100×質量増加/酸素中で焼成された試料の全質量。
R[%]=100×質量増加/酸素中で焼成された試料の全質量。
上述の課題は、スパッタターゲットのDCスパッタリング又はMFスパッタリングによる光吸収層又は光吸収層系の製造方法に関して本発明の場合に、前記スパッタリングをスパッタ雰囲気中で行い、このスパッタ雰囲気は希ガス及び酸素及び/又は窒素の形の反応ガスを含有し、スパッタ雰囲気中の反応ガス含有率は、最大10体積%、好ましくは最大4体積%に調節されることにより解決される。
次に、本発明を図面及び実施例に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明による、2つの層S1、S2からなる層系1を図式的に示す。この第1の層は、透明なガラスプレート3上に施された反射防止層S1であり、第2の層は、この反射防止層S1上に作製された吸収層S2である。反射防止層S1の層厚は約49nmであり、吸収層S2の層厚は約424nmである(表1の試料1に対応)。
ターゲット製造 − 方法様式1
ZnO(平均粒径<5μm)68.6質量%と平均粒径25μmのMo 31.4質量%とからなる粉末混合物を、偏心ドラムミキサー中で1時間強力に混合して、ZnO中にMo粒子の微細でかつ単分散性の分配が生じる。引き続きこの混合物を、75mmの直径及び15mmの高さの黒鉛型中に充填する。この円形板を、1150℃及び30MPaのホットプレスにより理論密度の85%より高く緻密化した。こうして得られた組織はZnOマトリックスを有し、このマトリックス中に平均粒径25μmのMo粒子が埋め込まれている。
ZnO 62.1質量%及びMo37.9質量%を有する第2のスパッタターゲットを製造し、特に均一なMo分布を製造するために粒径<10μmのMo粉末を選択した。混合の後に、この粉末を黒鉛で内張りした鋼製ポット中に充填し、400℃で2時間脱ガスし、このポットを溶接した後に1050℃で150MPaで熱間静水圧で圧縮した。得られた成形品は理論密度の99%の密度を有し、かつダイヤモンドソーで板に切断し、研磨によって75mmのターゲット板に加工した。こうして得られたスパッタターゲットは、一般に1Ohm・cm未満の比電気抵抗を有する。
スパッタターゲットの製造のために溶射も適していて、例えばモリブデン粉末(金属)と、例えば10〜70μmの範囲内の凝集物サイズを有するZnO凝集物からなる混合物の使用下での管状ターゲットのプラズマ溶射も適している。この限界範囲は、この粒度分布のd10値として若しくはd90値として明らかになる。モリブデン粉末は、この場合20μm未満の粒度で微細で存在し、好ましくは2μmのd10値及び10μmのd90値により特徴付けられる粒度分布で存在する。
方法様式1によるスパッタターゲットの使用下で、二層の層構造S1、S2を、2cm×2cmのサイズ及び1.0cmの厚さを有するガラス基板3上にDCスパッタリングにより施す。このガラス基板3上に、まず49nmの厚さの第1の層S1を施し、引き続きこの上に424nmの厚さの第2の層S2を施す。
残留ガス圧力:2・10-6mbar
プロセス圧力:アルゴン200sccmで、3・10-3mbar
比カソード出力:5W/cm2
層S1:ターゲット:ZnO 68.6質量%+Mo 31.4質量%;d=49nm、付加的酸素フロー:50sccm
層S2:ターゲット:ZnO 68.6質量%+Mo 31.4質量%;d=424nm、付加的酸素フロー:10sccm。
・ シート抵抗:Rγ=555kΩ/スクウェア
・ 視感反射率(被覆されていない基板側の測定による約4%の反射を差し引く):0.8%、
視感透過率:0.1%
・ 製造された層構造1の吸収指数kappaは、波長550nmについて0.737である。
本発明による他の層系は、「黒色導体路」に関する。これは、Al、Cu、Mo又はTiからなるか又はこれらの金属の合金からなる薄い基本層からなり、この基本層は、適切に選択された層厚を有する化学量論的に不足する亜鉛−モリブデン−酸化物からなる被覆によってほぼ黒色に見え、かつこの場合良好な導電性を有する。
Tv <8%、好ましくは<4%
Rv <15%
シート抵抗 <100オーム/スクウェア
例えば、HNO3、HCl、シュウ酸、酢酸、リン酸(これらの酸の混合物も)を基礎とする希釈された酸又はフッ化物含有の化合物、例えばNH4HF2を用いて簡単な湿式エッチング
僅かな層厚 <100nm、好ましくは<60nm。
表3
表4
層材料のエッチング挙動を技術的に重要な範囲内で変更するために、ターゲット基本材料に添加成分K3が添加され、この場合、比較的容易にエッチング可能な酸化物系の成分K1(上述の実施例の場合に:ZnO)は比較的エッチングしにくい添加成分K3に部分的に置き換えられた。エッチング挙動に関するこの影響は、複数の試験系列を用いて調査した。
785ml H2O
215ml H2O2
30g K2S2O5
15g H5F2N(=NH4HF2)。
ガラス基板
吸収層:ZnO−Mo25体積%−Nb2O3 20体積%;厚さ:40nm
金属層:Mo;厚さ:50nm。
ガラス基板
反射防止層:ZnO−Mo 25体積%−Nb2O3 5体積%;厚さ60nm
吸収層:ZnO−Mo 25体積%−Nb2O3 20体積%;厚さ:250nm。
ガラス基板上に堆積させた、表1の試料1の化学組成を有する単一層の吸収層S2(反射防止層S1なし)は、視覚的に不透過でかつ黒色であることが判明した。図12及び13は、350nm〜750nmの波長領域λ(nm)にわたる反射率R(%)及び透過率T(%)の推移を示す。暗灰色の曲線L1は、この場合、それぞれ125nmの平均層厚を有する薄い単一層の吸収層であり、明灰色の曲線L2は、平均で145nmの厚さの単一層の吸収層である。
Claims (24)
- 550nmの波長で0.7を越える吸収指数kappaを有する光吸収層であって、前記光吸収層は、
・ 酸化亜鉛、酸化スズ及び/又は酸化インジウムからなる群から選択される基本成分K1及び添加成分K3を基礎とする酸化物系のマトリックスを有し、前記添加成分K3は、前記基本成分K1を、0〜75質量%の割合「y」だけ置き換え、かつ酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム及びこれらの混合物からなる群から選択され、
・ 前記マトリックス中に、モリブデン、タングステン及びこれらの合金及びこれらの混合物からなる群から選択される黒化成分K2が分配されていて、前記黒化成分K2は、金属として又は金属の化学量論的に不足する酸化物系の化合物として又は金属の化学量論的に不足する酸窒化物系の化合物として存在する層材料からなり、前記層材料は、化学量論的に最大の酸素含有率の最大65%の酸素含有率により定義される還元度を有し、かつ前記黒化成分K2の割合「x」は、前記層材料の質量を基準として前記黒化成分K2の元素の割合の質量から計算して、20〜50質量%の範囲内にある、光吸収層。 - 前記黒化成分K2の割合x(層材料の質量%で示す)について、次の:
x≧25
が当てはまることを特徴とする、請求項1に記載の光吸収層。 - 前記層材料は、予め設定された固有の目標エッチング速度を有し、かつ添加成分K3の割合y(質量%で示す)は前記目標エッチング速度に依存して選択され、この場合:
y≦100/3
が当てはまることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光吸収層。 - 前記層材料は、光学的に均質でかつ、X線回折測定によって検知可能な結晶構造を有しない、非晶質の構造を有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載の光吸収層。
- 前記黒化成分K2は、金属の化学量論的に不足する酸化物系の酸素化合物又は化学量論的に不足する酸窒化物系の酸素化合物として又は金属として存在し、かつ前記層材料は、最大に可能な理論的な酸素含有率の30〜65%の酸素含有率により定義される還元の程度を有することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の光吸収層。
- 観察者とは反対側の吸収層としての請求項1から5のいずれか1項に記載の光吸収層を、観察者側の反射防止層と組み合わせて有する光吸収層系であって、前記層系は、380〜780nmの波長領域で、2%未満の視感透過率Tv、6%未満の視感反射率Rvにより特徴付けられる、光吸収層系。
- 視感透過率Tvが1%未満であり、かつ視感反射率Rvが3%未満であることを特徴とする、請求項6に記載の光吸収層系。
- 前記光吸収層は、600nm未満の層厚を有し、かつ前記反射防止層の層厚は45〜60nmの範囲内であることを特徴とする、請求項6又は7に記載の光吸収層系。
- 観察者側の吸収層としての請求項1から5までのいずれか1項に記載の光吸収層を、観察者とは反対側の、導体路として用いられる金属層と組み合わせて有する光吸収層系。
- 前記金属層は、Al、Mo、Cu、Tiの群から選択される金属の1種以上を有することを特徴とする、請求項9に記載の光吸収層系。
- 金属層と吸収層との組合せは、380〜780nmの波長領域で、8%未満の視感透過率Tv及び15%未満の視感反射率Rvを有することを特徴とする、請求項9又は10に記載の光吸収層系。
- 全体の厚さが90nm未満であることを特徴とする、請求項11に記載の光吸収層系。
- シート抵抗が100オーム/スクウェア未満であることを特徴とする、請求項9から12までのいずれか1項に記載の光吸収層系。
- 前記金属層はアルミニウム又はアルミニウム基合金からなり、かつ17〜21nmの範囲内の厚さを有し、かつ前記吸収層の厚さは30〜50nmの範囲内であることを特徴とする、請求項9から13までのいずれか1項に記載の光吸収層系。
- 前記金属層はモリブデン又はモリブデン基合金からなり、かつ15〜50nmの範囲内の厚さを有し、かつ前記吸収層の厚さは35〜50nmの範囲内であることを特徴とする、請求項9から13までのいずれか1項に記載の光吸収層系。
- 前記金属層は銅又は銅基合金からなり、かつ40〜50nmの範囲内の厚さを有し、かつ前記吸収層の厚さは28〜50nmの範囲内であることを特徴とする、請求項9から13までのいずれか1項に記載の光吸収層系。
- 請求項1から5までのいずれか1項に記載の光吸収層又は請求項6から16までのいずれか1項に記載の光吸収層系を製造するためのスパッタターゲットであって、前記ターゲットは、
・ 酸化亜鉛、酸化スズ及び/又は酸化インジウムからなる群から選択される基本成分K1及び添加成分K3を基礎とする酸化物系のマトリックスを有し、前記添加成分K3は、前記基本成分K1を、0〜75質量%の割合「y」だけ置き換え、かつ酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム及びこれらの混合物からなる群から選択され、
・ 前記マトリックス中に、モリブデン、タングステン及びこれらの合金及びこれらの混合物からなる群から選択される黒化成分K2が分配されていて、前記黒化成分K2は、金属として及び/又は前記金属の化学量論的に不足する酸化物系の化合物として又は金属の化学量論的に不足する酸窒化物系の化合物として存在し、前記ターゲットは、化学量論的に最大の酸素含有率の最大65%の酸素含有率により定義される還元度を有し、かつ前記黒化成分K2の割合「x」は、ターゲット材料の質量を基準として前記黒化成分K2の金属の割合の質量から計算して、20〜50質量%の範囲内にある、ターゲット材料からなることを特徴とする、スパッタターゲット。 - 前記黒化成分K2の割合は、少なくとも25質量%であることを特徴とする、請求項17に記載のスパッタターゲット。
- 前記黒化成分K2が金属の形で存在することを特徴とする、請求項18に記載のスパッタターゲット。
- 添加成分K3の割合yは、前記スパッタターゲットから製造される層の目標エッチング速度に依存して、基本成分K1の質量の最大1/3を置き換えることを特徴とする、請求項17から19までのいずれか1項に記載のスパッタターゲット。
- 前記添加成分K3は、酸化物として存在することを特徴とする、請求項20に記載のスパッタターゲット。
- 前記ターゲット材料が、理論密度の95%を越える密度を有し、かつ500質量ppm未満の不純物の含有率を有し、かつ最大に可能な理論的な酸素含有率の30〜65%の酸素含有率により定義される還元の程度を有することを特徴とする、請求項17から21までのいずれか1項に記載のスパッタターゲット。
- 請求項6から16までのいずれか1項に記載の層系の製造方法において、光吸収層を、希ガスと酸素及び/又は窒素の形の反応ガスとを含むスパッタ雰囲気中で、請求項17から22までのいずれか1項に記載のスパッタターゲットのDCスパッタリング又はMFスパッタリングによって堆積させ、その際、前記スパッタ雰囲気中の前記反応ガスの含有率を、最大10体積%に調節する、層系の製造方法。
- 請求項6から8までのいずれか1項に記載の層系を製造するための請求項23に記載の方法であって、反射防止層の堆積のため及び吸収層の堆積のために、同じ組成のスパッタターゲットを使用し、前記反射防止層の堆積の際のスパッタ雰囲気は、前記吸収層の堆積の場合よりも反射防止層中で5%未満の酸素不足が生じる程度に高い反応ガス含有率を有することを特徴とする、請求項23に記載の方法。
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ES2748667T3 (es) * | 2015-10-30 | 2020-03-17 | Rioglass Solar Systems Ltd | Método para la deposición de capas funcionales adecuadas para tubos receptores de calor |
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JP6997945B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-01-18 | 日立金属株式会社 | 積層配線膜およびその製造方法ならびにMo合金スパッタリングターゲット材 |
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EP3715497A1 (de) * | 2019-03-29 | 2020-09-30 | Plansee SE | Sputteringtarget zur herstellung molybdänoxidhaltiger schichten |
US20220242782A1 (en) * | 2019-07-01 | 2022-08-04 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Film-covered transparent base plate and top plate for cooking device |
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---|---|---|---|---|
WO1997008359A1 (fr) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente |
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US7732229B2 (en) * | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
US20070071985A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Prabhat Kumar | Sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
CN101389783B (zh) * | 2006-03-03 | 2011-06-29 | 殷志强 | 光选择性吸收层及其制备方法 |
JP4962100B2 (ja) * | 2007-01-16 | 2012-06-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 耐熱遮光フィルムとその製造方法、及び絞り、光量調整装置 |
CN101158028A (zh) * | 2007-10-11 | 2008-04-09 | 复旦大学 | 一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法 |
TW200925299A (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-16 | Ind Tech Res Inst | Solar selective absorber film and manufacturing method of the same |
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WO2010026853A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 黒色被覆膜とその製造方法、黒色遮光板、及び、それを用いた絞り、光量調整用絞り装置、シャッター、並びに耐熱遮光テープ |
ES2548153T3 (es) * | 2009-01-20 | 2015-10-14 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Composiciones transparentes e incoloras absorbentes de radiación infrarroja que comprenden nanopartículas de óxido de wolframio no estequiométricas |
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