JP6160820B2 - Plasma processing equipment - Google Patents

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Description

本願発明は、基板にプラズマを照射し、基板の表面に対してクリーニングやエッチングなどを行うプラズマ処理装置に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus for irradiating a substrate with plasma and cleaning or etching the surface of the substrate.

電子部品が実装される基板のクリーニングやエッチング等の表面処理として、プラズマ処理が知られている。そして、このようなプラズマ処理を行う装置としては、プラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置では、筐体で囲まれた減圧雰囲気の処理室（真空チャンバ）内に基板が配置され、処理室内にガスを導入すると共に放電を行わせることによりプラズマを発生させ、発生したプラズマのエッチング作用により、基板の表面処理が行われる。   Plasma treatment is known as a surface treatment such as cleaning or etching of a substrate on which an electronic component is mounted. A plasma processing apparatus is known as an apparatus for performing such plasma processing. In a plasma processing apparatus, a substrate is disposed in a processing chamber (vacuum chamber) of a reduced pressure atmosphere surrounded by a casing, and plasma is generated by introducing gas and performing discharge in the processing chamber. Surface treatment of the substrate is performed by the etching action.

具体的に例えばプラズマ処理装置は、基板の裏面全体を覆うように基板の背方に配置される電極体を一方の極とし、筐体（特に基板の表面側に配置される蓋体）を他方の極として電圧を印加し、筐体（蓋体）と電極体との間で発生するプラズマに基板の表面を晒すことにより基板に対し表面処理を行う装置である。   Specifically, for example, in the plasma processing apparatus, an electrode body disposed on the back of the substrate so as to cover the entire back surface of the substrate is used as one pole, and the casing (particularly a lid disposed on the front surface side of the substrate) is used as the other. In this device, a substrate is subjected to surface treatment by applying a voltage as a pole of the substrate and exposing the surface of the substrate to plasma generated between a housing (lid body) and an electrode body.

このプラズマ処理を行うためには、電極体と筐体（蓋体）との間に高電圧が印加されるため、基板と電極体との間に空間が生じると、当該空間で異常放電が発生することがある。この異常放電は、基板に損傷を与えたり、クリーニングやエッチングなどの処理不足の部分が基板内に発生するなどの不具合が生じる。   In order to perform this plasma treatment, a high voltage is applied between the electrode body and the housing (lid body), so that when a space is generated between the substrate and the electrode body, abnormal discharge occurs in the space. There are things to do. This abnormal discharge causes problems such as damage to the substrate and occurrence of insufficient processing such as cleaning and etching in the substrate.

そこで、特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、電極体と基板との間に発生する空間を減少させるために基板の端縁部を保持するガイド部材を配置して、異常放電の発生を抑止している。   Therefore, the plasma processing apparatus described in Patent Document 1 suppresses the occurrence of abnormal discharge by arranging a guide member that holds the edge of the substrate in order to reduce the space generated between the electrode body and the substrate. doing.

特開２００６−２２８７７３号公報JP 2006-228773 A

プラズマ処理装置を生産ラインに等に組み込む場合、基板をプラズマ処理装置に自動的に搬出入するため、プラズマ処理装置の外方に配置されるローダーやアンローダーと接続されるレールをプラズマ処理装置内に配置し、当該レールに沿って基板を滑らせることで基板の搬出入が行われる場合がある。   When a plasma processing apparatus is incorporated in a production line, etc., a rail connected to a loader or unloader arranged outside the plasma processing apparatus is installed in the plasma processing apparatus in order to automatically carry the substrate in and out of the plasma processing apparatus. The board may be carried in and out by sliding the board along the rail.

ところが、昨今用いられる基板の場合、大きな反りが発生している場合が有り、当該基板の反りによってレールが、所定の位置から不本意に持ち上がってしまう場合が発生する。このようなレールの持ち上がりが発生すると、基板の搬送中においては、ジャミングが発生したり、レール自体が破損することも生じる。また、プラズマ処理中は、電極体と基板との間の一部において広い空間が生じることとなり、異常放電の発生確率を高め、プラズマ処理における不具合の発生の原因となる。   However, in the case of a board used recently, there is a case where a large warp has occurred, and there is a case where the rail unintentionally lifts from a predetermined position due to the warp of the board. When such a lifting of the rail occurs, jamming may occur or the rail itself may be damaged during the transport of the substrate. Further, during the plasma processing, a wide space is formed in a part between the electrode body and the substrate, increasing the probability of occurrence of abnormal discharge, and causing a problem in the plasma processing.

一方、レールをネジ止めすることなども考えられるが、レールはプラズマ中に存在するため、ネジ近辺にプラズマが集中してエッチングレートの分布に不均一が生じたり、ネジ穴がプラズマに晒されることにより磨耗したり、レールがセラミクスなどで形成される場合、レールがネジの締め付けにより破損する場合もある。   On the other hand, it is conceivable to screw the rail, but since the rail exists in the plasma, the plasma concentrates near the screw, resulting in uneven etching rate distribution, and the screw holes are exposed to the plasma. If the rail is worn out or the rail is formed of ceramics or the like, the rail may be damaged by screw tightening.

本願発明は上記課題に鑑みなされたものであり、プラズマ処理の対象物である基板に反りが発生している場合においても、基板の搬出入中やプラズマ処理中においてレールが所定の位置からの不本意に浮き上がることの抑止を目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and even when the substrate, which is the object of plasma processing, is warped, the rail is not fixed from a predetermined position during loading / unloading of the substrate or plasma processing. The purpose is to deter from being serious.

上記目的を達成するために、本願発明にかかるプラズマ処理装置は、基板を収容する筐体と、前記筐体に収容される基板の背方に配置される電極体と、前記電極体と前記基板との間に配置され、前記基板が載置される絶縁体からなる板状の載置体と、前記載置体の表面に一方向に延在して載置状態で配置され、基板の搬送経路を形成し、処理中の基板を保持する絶縁体からなるレールと、前記筐体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備るプラズマ処理装置であって、前記載置体と前記レールとを接続する棒状の絶縁体からなる接続体であって、前記載置体の厚さ方向に延在し、一端部に第一フランジと他端部に前記第一フランジよりも径の大きい第二フランジとを備える接続体を備え、前記載置体、および、前記レールのいずれか一方に、前記第一フランジと係合するだるま穴が設けられ、前記載置体、および、前記レールの他方に、前記第一フランジが通過可能で前記第二フランジは貫通できない貫通孔が設けられていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a plasma processing apparatus according to the present invention includes a housing that houses a substrate, an electrode body that is disposed behind the substrate that is housed in the housing, and the electrode body and the substrate. A plate-shaped mounting body made of an insulator on which the substrate is mounted, and a substrate mounted in a mounted state extending in one direction on the surface of the mounting body A plasma processing apparatus comprising a rail made of an insulator for forming a path and holding a substrate being processed, and plasma generating means for generating plasma in the housing, wherein the mounting body and the rail are A connecting body comprising a rod-like insulator to be connected, extending in the thickness direction of the mounting body, and having a first flange at one end and a second flange having a larger diameter than the first flange at the other end Any one of the above-mentioned mounting body and the rail One side is provided with a saddle hole that engages with the first flange, and the other side of the mounting body and the rail is provided with a through hole through which the first flange can pass but the second flange cannot pass. It is characterized by.

これによれば、載置体とレールとが接続体の端部にそれぞれ設けられた第一フランジと第二フランジとにそれぞれ係合するため、基板が反ることによって発生する付勢力によりレールが不本意に載置体から浮き上がることを抑制することができる。従って、基板搬送中のジャミングや、プラズマ処理中の基板に異常放電が発生するなどの不具合を回避することが可能となる。   According to this, since the mounting body and the rail are respectively engaged with the first flange and the second flange provided at the end portions of the connecting body, the rail is caused by the urging force generated when the board is warped. Unintentional lifting from the mounting body can be suppressed. Accordingly, it is possible to avoid problems such as jamming during substrate transportation and abnormal discharge occurring on the substrate during plasma processing.

また、載置体、レール、および、接続体のいずれもが絶縁体により形成されているため、発生したプラズマが例えば接続体に集中することを回避でき、プラズマ処理中の異常放電を抑制することが可能となる。   Moreover, since all of the mounting body, the rail, and the connection body are formed of an insulator, it is possible to prevent the generated plasma from concentrating on the connection body, for example, and to suppress abnormal discharge during plasma processing. Is possible.

さらに、前記載置体は、前記基板の搬送経路側に向かって突出する突出部を備え、前記レールは、下端部が前記突出部の側壁に当接した状態で配置されるものでもよい。   Furthermore, the mounting body described above may include a protruding portion that protrudes toward the transport path side of the substrate, and the rail may be arranged in a state where a lower end portion is in contact with a side wall of the protruding portion.

これによれば、基板の端縁部が載置体とレールとの間に入り込むことを抑制でき、搬送中のトラブルなどを抑制することが可能となる。   According to this, it can suppress that the edge part of a board | substrate enters between a mounting body and a rail, and it becomes possible to suppress the trouble during conveyance.

以上によれば、処理中のプラズマが偏在すること無く、また、またレールが破損するなどの不具合を抑制しつつ、反りが発生した基板の付勢力などによりレールの所定の位置からの不本意な移動を抑制することが可能となる。   According to the above, the plasma during processing is not unevenly distributed, and while the rail is damaged, the inconvenience from the predetermined position of the rail due to the biasing force of the substrate on which the warp has occurred is suppressed. It becomes possible to suppress movement.

図１は、実施の形態に係るプラズマ処理装置の外観を模式的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically showing the appearance of the plasma processing apparatus according to the embodiment. 図２は、蓋体を開けた状態のプラズマ処理装置を模式的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the plasma processing apparatus with the lid opened. 図３は、蓋体を開けた状態のプラズマ処理装置を上方から模式的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing the plasma processing apparatus with the lid opened from above. 図４は、蓋体を閉じた状態のプラズマ処理装置を模式的に図３に示すＡ−Ａ線で切断した断面図である。4 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus with the lid closed, schematically cut along line AA shown in FIG. 図５は、接続体を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing the connection body. 図６は、レールのだるま穴が設けられた部分を載置体とともに示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a portion of the rail provided with the dart hole together with the mounting body. 図７は、レールのだるま穴が設けられた部分を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a portion of the rail provided with a dart hole. 図８は、載置体に接続体を刺し通して配置した状態を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a state in which the connecting body is inserted through the mounting body. 図９は、載置体に取り付けられた接続体にレールを刺し通した状態を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state where a rail is pierced through a connection body attached to the mounting body. 図１０は、接続体を介して載置体とレールとが接続された状態を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a state in which the mounting body and the rail are connected via the connection body. 図１１は、接続体を介して載置体とレールとが接続された状態を示す別の角度から示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view from another angle showing a state in which the mounting body and the rail are connected via the connection body.

次に、本願発明に係るプラズマ処理装置の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施の形態は、本願発明に係るプラズマ処理装置の一例を示したものに過ぎない。従って本願発明は、以下の実施の形態を参考に請求の範囲の文言によって範囲が画定されるものであり、以下の実施の形態のみに限定されるものではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。   Next, embodiments of the plasma processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. The following embodiment is merely an example of the plasma processing apparatus according to the present invention. Accordingly, the scope of the present invention is defined by the wording of the claims with reference to the following embodiments, and is not limited to the following embodiments. Therefore, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims indicating the highest concept of the present invention are not necessarily required to achieve the object of the present invention. It will be described as constituting a preferred form.

図１は、実施の形態に係るプラズマ処理装置の外観を模式的に示す斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view schematically showing the appearance of the plasma processing apparatus according to the embodiment.

図２は、蓋体を開けた状態のプラズマ処理装置を模式的に示す斜視図である。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing the plasma processing apparatus with the lid opened.

図３は、蓋体を開けた状態のプラズマ処理装置を上方から模式的に示す平面図である。   FIG. 3 is a plan view schematically showing the plasma processing apparatus with the lid opened from above.

図４は、蓋体を閉じた状態のプラズマ処理装置を模式的に図３に示すＡ−Ａ線で切断した断面図である。   4 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus with the lid closed, schematically cut along line AA shown in FIG.

これらの図に示すように、プラズマ処理装置１００は、被処理物としての基板２００の表面にプラズマを照射し、基板２００の表面をクリーニングやエッチングなどのプラズマ処理をする装置であって、筐体１０１と、電極体１０２と、レール１０３と、載置体１０６と、接続体１０７と、プラズマ発生手段とを備えている。   As shown in these drawings, a plasma processing apparatus 100 is an apparatus that irradiates plasma on the surface of a substrate 200 as an object to be processed, and performs plasma processing such as cleaning and etching on the surface of the substrate 200. 101, an electrode body 102, a rail 103, a mounting body 106, a connection body 107, and plasma generating means.

なお、プラズマ処理装置１００は、筐体１０１の内部を真空にする真空ポンプなどの真空吸引手段や、プラズマ処理用のガスを筐体１０１の内部に導入するガス供給手段などを備えるが、図示を省略している。また、プラズマ処理装置１００は、基板２００を筐体１０１の内部に搬入し、また、筐体１０１内の基板２００を筐体１０１外部に搬出するための外部レール１３９を備えている。   The plasma processing apparatus 100 includes a vacuum suction means such as a vacuum pump that evacuates the inside of the housing 101, a gas supply means that introduces plasma processing gas into the housing 101, and the like. Omitted. Further, the plasma processing apparatus 100 includes an external rail 139 for carrying the substrate 200 into the housing 101 and carrying the substrate 200 in the housing 101 out of the housing 101.

真空吸引手段は、真空ポンプと筐体１０１とを接続する真空排気配管、真空バルブ、圧力調整バルブ等で構成されている。   The vacuum suction means includes a vacuum exhaust pipe, a vacuum valve, a pressure adjustment valve, and the like that connect the vacuum pump and the housing 101.

ガス供給手段は、アルゴンや窒素などのガスボンベと筐体１０１と接続されるガス導入管等で構成されている。   The gas supply means includes a gas cylinder such as argon or nitrogen and a gas introduction pipe connected to the housing 101.

本実施の形態の場合、プラズマ処理装置１００は、例えばベアチップを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングにおけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合強度を向上させるため、基板２００に設けられるボンディングパッドにプラズマを照射して洗浄する装置である。   In the case of the present embodiment, the plasma processing apparatus 100 irradiates the bonding pad provided on the substrate 200 with plasma in order to improve the bonding strength between the bonding pad and the bonding wire, for example, when the bare chip is directly wire bonded. This is a device for cleaning.

筐体１０１は、基板２００を収容し、基板２００を収容した空間を真空に維持することのできる真空容器であり、基体１１１と、基体１１１の上方に設けられた蓋体１１２とを備えている。   The housing 101 is a vacuum container that can accommodate the substrate 200 and can maintain the space accommodating the substrate 200 in a vacuum, and includes a base 111 and a lid 112 provided above the base 111. .

基体１１１は、電極体１０２やレール１０３が収容される容器であり、真空容器としての十分な剛性を備えている。基体１１１は、絶縁部材１１３（図４参照）により電極体１０２を絶縁状態で保持している。   The base 111 is a container in which the electrode body 102 and the rail 103 are accommodated, and has sufficient rigidity as a vacuum container. The base 111 holds the electrode body 102 in an insulated state by an insulating member 113 (see FIG. 4).

蓋体１１２は、基体１１１に対し相対的に移動することにより筐体１０１を開閉することができる蓋（または扉）であり、真空容器としての十分な剛性を備えている。また、蓋体１１２は、モータなどの駆動源を備えた図示しない開閉機構によって基体１１１に対し進退自在となるように構成されている。つまり、筐体１０１の中に基板２００を搬入する際や、筐体１０１から基板２００を搬出する際には基体１１１に対し蓋体１１２が持ち上げられ、プラズマ処理をする際には、基体１１１に蓋体１１２が当接するまで蓋体１１２が下降するものとなっている。なお、基体１１１と蓋体１１２との間には、筐体１０１の気密性を保持すべく、Ｏリング等のシール部材１１４が介在している。   The lid body 112 is a lid (or door) that can open and close the housing 101 by moving relative to the base body 111 and has sufficient rigidity as a vacuum container. The lid body 112 is configured to be movable back and forth with respect to the base body 111 by an opening / closing mechanism (not shown) provided with a drive source such as a motor. That is, when the substrate 200 is loaded into the casing 101 or when the substrate 200 is unloaded from the casing 101, the lid body 112 is lifted with respect to the base 111, and when performing plasma treatment, The lid 112 is lowered until the lid 112 abuts. Note that a sealing member 114 such as an O-ring is interposed between the base 111 and the lid 112 in order to maintain the airtightness of the housing 101.

また、蓋体１１２は、プラズマ処理をする際の電極としても機能している。つまり、蓋体１１２と電極体１０２との間に電圧を印加することにより、蓋体１１２と電極体１０２との間にプラズマが発生するものとなっている。本実施の形態の場合、蓋体１１２は接地されている。   The lid 112 also functions as an electrode when performing plasma processing. That is, when a voltage is applied between the lid body 112 and the electrode body 102, plasma is generated between the lid body 112 and the electrode body 102. In the case of the present embodiment, the lid body 112 is grounded.

電極体１０２は、筐体１０１内でプラズマを発生させるための一方の電極として機能する部材であり、例えば金属などの導電性材料で形成される板状（ブロック状）の部材である。本実施の形態の場合、電極体１０２は、基体１１１の上に絶縁部材１１３を介して載置されており、基体１１１ばかりで無く、蓋体１１２を含む筐体１０１から絶縁状態となっている。   The electrode body 102 is a member that functions as one electrode for generating plasma in the housing 101, and is a plate-shaped (block-shaped) member formed of a conductive material such as metal, for example. In the case of the present embodiment, the electrode body 102 is placed on the base body 111 via an insulating member 113 and is in an insulated state not only from the base body 111 but also from the casing 101 including the lid body 112. .

レール１０３は、基板２００を搬出入する際には、搬送経路Ａ（図２参照）を形成する部材であり、プラズマ処理を行う際は、基板２００の端縁を保持する部材である。また、レール１０３は、基板２００の搬送方向（図中Ｘ軸方向）に筐体１０１の内方全体にわたって電極体１０２を横断するように延在しており、載置体１０６の上に載置されている。レール１０３は、絶縁体からなり、特に、プラズマ処理中はプラズマに晒されるためセラミクスなどの硬度の高い絶縁体が好ましい。   The rail 103 is a member that forms a transport path A (see FIG. 2) when the substrate 200 is carried in and out, and is a member that holds the edge of the substrate 200 when performing plasma processing. Further, the rail 103 extends so as to traverse the electrode body 102 over the entire inner side of the housing 101 in the transport direction of the substrate 200 (X-axis direction in the drawing), and is mounted on the mounting body 106. Has been. The rail 103 is made of an insulator, and is particularly preferably an insulator having high hardness such as ceramics because it is exposed to plasma during plasma processing.

本実施の形態の場合、レール１０３は、レール１０３の下端部が突出部１６１の幅方向（図中Ｙ軸方向）と交差する面に沿う側壁に当接した状態で配置されている。これにより、レール１０３を載置体１０６に載置する際に、レール１０３の位置決めを容易に行うことができる。また、接続体１０７によって載置体１０６と係合状態になった後は、レール１０３と載置体１０６との間に基板２００の端縁が入り込むことを抑制できる。   In the case of the present embodiment, the rail 103 is arranged in a state in which the lower end portion of the rail 103 is in contact with a side wall along a plane that intersects the width direction (Y-axis direction in the drawing) of the protruding portion 161. Thereby, when the rail 103 is mounted on the mounting body 106, the rail 103 can be easily positioned. In addition, after the connection body 107 is engaged with the mounting body 106, the edge of the substrate 200 can be prevented from entering between the rail 103 and the mounting body 106.

また、レール１０３の上端部には、基板２００の搬送経路Ａに向かって突出する鍔部１３１が設けられている。   In addition, a flange 131 that protrudes toward the transport path A of the substrate 200 is provided at the upper end of the rail 103.

鍔部１３１は、基板２００の搬送中、および、プラズマ処理中のいずれにおいても、基板２００の搬送経路と交差する方向（図中Ｙ軸方向）の端縁に対し電極体１０２の反対側に配置され、基板２００の端縁と重なるように突出している部分である。鍔部１３１は、基板２００の搬送方向（図中Ｘ軸方向）に筐体１０１の内方全体にわたって延在している。   The collar 131 is disposed on the opposite side of the electrode body 102 with respect to the edge in the direction (Y-axis direction in the drawing) intersecting the transport path of the substrate 200 both during transport of the substrate 200 and during plasma processing. And is a portion protruding so as to overlap the edge of the substrate 200. The flange 131 extends over the entire inside of the housing 101 in the transport direction of the substrate 200 (X-axis direction in the drawing).

載置体１０６は、電極体１０２の上方に載置され、基板２００が載置される板状（ブロック状）の部材であり、プラズマ処理をする際には、基板２００と電極体１０２との間の空間を減少させる部材である。また、載置体１０６は、基板２００の搬出入の際には、基板２００の搬送経路を形成し、基板２００が滑りながら移動する場合もある。載置体１０６の材質は、絶縁体であればよく、例えばセラミクスで形成されるものなどがある。   The mounting body 106 is a plate-shaped (block-shaped) member that is mounted above the electrode body 102 and on which the substrate 200 is mounted. When performing plasma processing, the mounting body 106 is formed between the substrate 200 and the electrode body 102. It is a member that reduces the space between them. In addition, when the substrate 200 is carried in and out, the mounting body 106 forms a transport path for the substrate 200, and the substrate 200 may move while sliding. The material of the mounting body 106 should just be an insulator, for example, there exist some formed with ceramics.

本実施の形態の場合、図４に示すように、載置体１０６は、基板２００が通過する搬送経路Ａ側に向かって突出する突出部１６１を備えている。突出部１６１は、基板２００の搬送方向（図中Ｘ軸方向）における載置体１０６の全長にわたって延在する矩形板状の部分であり、直接基板２００と接触する部分である。また、筐体１０１の内部には搬送経路Ａが３本設けられているため、突出部１６１も搬送経路Ａと交差する方向（図中Ｙ軸方向）に平行に並んで３箇所設けられている。   In the case of the present embodiment, as shown in FIG. 4, the mounting body 106 includes a protruding portion 161 that protrudes toward the transport path A side through which the substrate 200 passes. The protruding portion 161 is a rectangular plate-like portion that extends over the entire length of the mounting body 106 in the transport direction (X-axis direction in the drawing) of the substrate 200, and is a portion that directly contacts the substrate 200. In addition, since three conveyance paths A are provided inside the casing 101, three protrusions 161 are also provided in parallel along the direction intersecting the conveyance path A (Y-axis direction in the drawing). .

なお、突出部１６１は、載置体１０６として一体に設けられるばかりでなく、別体の板状の部材を配置することにより載置体１０６の一部としてもかまわない。   The protruding portion 161 is not only provided integrally as the mounting body 106, but may also be a part of the mounting body 106 by disposing a separate plate-like member.

以上のように、電極体１０２とは別体の載置体１０６を設けることで、載置体１０６のみを取り替えるだけで基板２００の種類に柔軟に対応することが可能となる。   As described above, by providing the mounting body 106 separate from the electrode body 102, it is possible to flexibly cope with the type of the substrate 200 only by replacing the mounting body 106.

図５は、接続体を示す側面図である。   FIG. 5 is a side view showing the connection body.

接続体１０７は、載置体１０６とレール１０３とを接続する棒状の絶縁体からなる部材である。同図に示すように、接続体１０７は、載置体１０６の厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に延在する軸部１７３と、軸部１７３の一端部（上端部）に第一フランジ１７１と軸部１７３の他端部（下端部）に第一フランジ１７１よりも径の大きい第二フランジ１７２とを備えている。本実施の形態の場合、接続体１０７は、全体視丸棒状であり、第一フランジ１７１、および、第二フランジ１７２は、軸部１７３の軸心と同心状に配置される円板形状となっている。また、接続体１０７は、レール１０３や載置体１０６と同様、絶縁体からなり、特に、プラズマ処理中はプラズマに晒されるためセラミクスなどの硬度の高い絶縁体が好ましい。   The connection body 107 is a member made of a rod-shaped insulator that connects the mounting body 106 and the rail 103. As shown in the figure, the connecting body 107 includes a shaft portion 173 extending in the thickness direction of the mounting body 106 (Z-axis direction in the figure), and a first flange at one end portion (upper end portion) of the shaft portion 173. 171 and a second flange 172 having a larger diameter than the first flange 171 are provided at the other end (lower end) of the shaft portion 173. In the case of the present embodiment, the connection body 107 has a round bar shape as a whole, and the first flange 171 and the second flange 172 have a disk shape that is concentrically arranged with the shaft center of the shaft portion 173. ing. Further, the connecting body 107 is made of an insulator, like the rail 103 and the mounting body 106, and is particularly preferably an insulator having high hardness such as ceramics because it is exposed to plasma during plasma processing.

図６は、レールのだるま穴が設けられた部分を載置体とともに示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a portion of the rail provided with the dart hole together with the mounting body.

図７は、レールのだるま穴が設けられた部分を示す平面図である。   FIG. 7 is a plan view showing a portion of the rail provided with a dart hole.

これらの図に示すように、本実施の形態の場合、レール１０３には、だるま穴１０８が設けられている。だるま穴１０８は、接続体１０７の第一フランジ１７１を刺し通すことができる径を有する第一穴１８１と、第一フランジ１７１を刺し通すことができず、軸部１７３のみを収容することができる第二穴１８２とを備えている。第一穴１８１と第二穴１８２とは、穴軸が平行となるように配置されており、また、軸部１７３がスライドにより第一穴１８１と第二穴１８２との間を往復できるように連通している。また、第一穴１８１と第二穴１８２とは、レール１０３を上下方向（図中Ｚ軸方向）に貫通状に設けられている。さらに、だるま穴１０８の上端部には、第一フランジ１７１を収容した状態でスライドすることができる長穴１８３を備えている。長穴１８３により、第一フランジ１７１がレール１０３の上端面から突出することなく、レール１０３と接続体１０７とを係合させることができ、接続体１０７にプラズマが集中することを回避することができる。   As shown in these drawings, in the present embodiment, a rail hole 108 is provided in the rail 103. The daruma hole 108 cannot accommodate the first hole 181 having a diameter capable of piercing the first flange 171 of the connection body 107 and the first flange 171, and can accommodate only the shaft portion 173. And a second hole 182. The first hole 181 and the second hole 182 are arranged so that the hole axes are parallel, and the shaft portion 173 can reciprocate between the first hole 181 and the second hole 182 by sliding. Communicate. Further, the first hole 181 and the second hole 182 are provided so as to penetrate the rail 103 in the vertical direction (Z-axis direction in the figure). Further, an elongated hole 183 that can slide in a state in which the first flange 171 is accommodated is provided at the upper end portion of the daruma hole 108. By the long hole 183, the rail 103 and the connecting body 107 can be engaged without the first flange 171 projecting from the upper end surface of the rail 103, and plasma concentration on the connecting body 107 can be avoided. it can.

また、だるま穴１０８の第一穴１８１と第二穴１８２とは、基板２００の搬送方向（図中Ｘ軸方向）に並んで配置されており、さらに、第一穴１８１は、第二穴１８２に対し搬送方向の下流側に配置されている。これにより、搬送中の基板２００等との摩擦によりレール１０３が搬送方向（図中Ｘ軸方向）にずれ動くことを防止することが可能となる。   Further, the first hole 181 and the second hole 182 of the daruma hole 108 are arranged side by side in the transport direction (X-axis direction in the drawing) of the substrate 200, and further, the first hole 181 is the second hole 182. On the other hand, it is arranged downstream in the transport direction. As a result, it is possible to prevent the rail 103 from shifting in the transport direction (X-axis direction in the figure) due to friction with the substrate 200 being transported.

また本実施の形態の場合、だるま穴１０８は１本のレール１０３に対し二箇所設けられている。   Further, in the case of the present embodiment, the darling hole 108 is provided at two locations for one rail 103.

本実施の形態の場合、載置体１０６には、載置体１０６の厚さ方向（図中Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔１０９が設けられている。貫通孔１０９は、接続体１０７の第一フランジ１７１が通過可能で第二フランジ１７２が通過不可能な孔である。本実施の形態の場合、円板形状の第一フランジ１７１の形状に対応し、貫通孔１０９の形状は断面円形となっている。   In the case of the present embodiment, the mounting body 106 is provided with a through hole 109 penetrating in the thickness direction of the mounting body 106 (Z-axis direction in the drawing). The through-hole 109 is a hole through which the first flange 171 of the connection body 107 can pass but the second flange 172 cannot pass. In the case of the present embodiment, the shape of the through hole 109 corresponds to the shape of the disk-shaped first flange 171 and has a circular cross section.

さらに、載置体１０６には、貫通孔１０９に対しレール１０３と反対側に、貫通孔１０９に刺し通された接続体１０７の第二フランジ１７２を収容する収容穴１９１が貫通孔１０９と同軸上に設けられている。これにより、載置体１０６に接続体１０７を刺し通した状態で、平板状の電極体１０２の上面に載置体１０６を密着状態で載置することが可能となる。   Further, in the mounting body 106, an accommodation hole 191 that accommodates the second flange 172 of the connection body 107 pierced through the through hole 109 is coaxial with the through hole 109 on the opposite side to the rail 103 with respect to the through hole 109. Is provided. As a result, the mounting body 106 can be placed in close contact with the upper surface of the flat electrode body 102 with the connecting body 107 pierced through the mounting body 106.

また、本実施の形態の場合、プラズマ処理装置１００は、筐体１０１内方の空気を排出する真空吸引手段（図示せず）と、筐体１０１内方にガスを供給するガス供給手段（図示せず）とを備えている。   In the case of the present embodiment, the plasma processing apparatus 100 includes a vacuum suction means (not shown) for exhausting air inside the casing 101 and a gas supply means (see FIG. Not shown).

真空吸引手段は、基体１１１のシール部材１１４に囲まれた内側に開口する排気口１１９から空気を排出することにより基体１１１に蓋体１１２が当接することで形成された密閉空間内（筐体１０１内）を減圧して真空状態にする装置である。   The vacuum suction means is formed in a sealed space formed by the lid body 112 coming into contact with the base body 111 by discharging air from an exhaust port 119 that opens to the inside surrounded by the seal member 114 of the base body 111 (the casing 101. This is a device that reduces the pressure in the inside) to a vacuum state.

ガス供給手段は、基体１１１、または、蓋体１１２のシール部材１１４に囲まれた内側に設けられたガス導入口（図示省略）に接続され、筐体１０１の内方にプラズマ発生用ガスを導入する装置である。   The gas supply means is connected to a gas introduction port (not shown) provided on the inner side of the base body 111 or the lid 112 surrounded by the seal member 114, and introduces a plasma generating gas into the housing 101. It is a device to do.

プラズマ発生用電源部１０４は、電極体１０２と蓋体１１２との間に電圧を印加してプラズマを発生させる装置である。本実施の形態の場合、プラズマ発生用電源部１０４は、高周波電圧を電極体１０２と蓋体１１２との間に印加する高周波電源部１４１と、電極体１０２と蓋体１１２との間に印加した高周波の反射波による干渉を防止する自動整合器１４２とを備えている。   The plasma generating power supply unit 104 is a device that generates plasma by applying a voltage between the electrode body 102 and the lid body 112. In the case of the present embodiment, the plasma generating power supply unit 104 applies a high frequency voltage between the electrode body 102 and the lid body 112 and a high frequency power supply section 141 that applies a high frequency voltage between the electrode body 102 and the lid body 112. And an automatic matching unit 142 for preventing interference due to high-frequency reflected waves.

上述の真空吸引手段、ガス供給手段、および、プラズマ発生用電源部１０４は、本実施の形態においてプラズマ発生手段を構成している。   The above-described vacuum suction means, gas supply means, and plasma generation power supply unit 104 constitute plasma generation means in the present embodiment.

次に、接続体１０７による載置体１０６とレール１０３との係合方法を説明する。   Next, a method for engaging the mounting body 106 and the rail 103 by the connecting body 107 will be described.

図８は、載置体に接続体を刺し通して配置した状態を示す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a state in which the connecting body is inserted through the mounting body.

同図に示すように、載置体１０６の貫通孔１０９に接続体１０７を下方から刺し通し、第二フランジ１７２を収容穴１９１に納める。これにより、載置体１０６から上方に向かって接続体１０７が突出状態に配置される。   As shown in the figure, the connecting body 107 is pierced through the through hole 109 of the mounting body 106 from below, and the second flange 172 is received in the receiving hole 191. Thereby, the connection body 107 is arrange | positioned in the protrusion state toward the upper direction from the mounting body 106. FIG.

次に、レール１０３に設けられただるま穴１０８の第一穴１８１に接続体１０７を挿入しつつ、図９に示すような状態になるようにレール１０３を載置体１０６に載置する。   Next, the rail 103 is mounted on the mounting body 106 so as to be in the state shown in FIG. 9 while the connecting body 107 is inserted into the first hole 181 of the saddle hole 108 provided in the rail 103.

次に、搬送方向の下流側（図中Ｘ軸方向正側）に向かってレール１０３を載置体１０６に対し図１０、および、図１１に示すような状態になるように、スライドさせる。  Next, the rail 103 is slid with respect to the mounting body 106 so as to be in a state as shown in FIGS. 10 and 11 toward the downstream side in the transport direction (positive side in the X-axis direction in the drawing).

以上により、だるま穴１０８の第二穴１８２に接続体１０７の軸部１７３が収容されると共に、第二穴１８２を形成するレール１０３の部分と第一フランジ１７１が係合した状態になる。従って、接続体１０７の第一フランジ１７１と上下方向（図中Ｚ軸方向）と係合するレール１０３と、第二フランジ１７２と上下方向に係合する載置体１０６とが接続体１０７を介して接続され、レール１０３は、載置体１０６から浮き上がることなく載置体１０６に保持される。   As described above, the shaft portion 173 of the connection body 107 is accommodated in the second hole 182 of the boring hole 108, and the portion of the rail 103 forming the second hole 182 and the first flange 171 are engaged. Therefore, the rail 103 that engages with the first flange 171 of the connection body 107 in the vertical direction (Z-axis direction in the drawing) and the mounting body 106 that engages with the second flange 172 in the vertical direction are interposed via the connection body 107. The rail 103 is held by the mounting body 106 without being lifted from the mounting body 106.

以上の構成により、プラズマ処理装置１００は、基板２００の反りによってレール１０３が載置体１０６から不本意に浮き上がることを防止することができる。また、載置体１０６とレール１０３とを締め付けることなく、接続体１０７との係合により接続しているため、レール１０３や載置体１０６が脆い部材であっても、欠損や破壊を回避することが可能となる。   With the above configuration, the plasma processing apparatus 100 can prevent the rail 103 from floating unintentionally from the mounting body 106 due to the warp of the substrate 200. In addition, since the mounting body 106 and the rail 103 are connected by engaging with the connection body 107 without being tightened, even if the rail 103 or the mounting body 106 is a fragile member, damage or breakage is avoided. It becomes possible.

なお、本願発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本明細書において記載した構成要素を任意に組み合わせて、また、構成要素のいくつかを除外して実現される別の実施の形態を本願発明の実施の形態としてもよい。また、上記実施の形態に対して本願発明の主旨、すなわち、請求の範囲に記載される文言が示す意味を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本願発明に含まれる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment. For example, another embodiment realized by arbitrarily combining the components described in this specification and excluding some of the components may be used as an embodiment of the present invention. In addition, the present invention includes modifications obtained by making various modifications conceivable by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention, that is, the meaning described in the claims. It is.

例えば、上記実施の形態では、レール１０３にだるま穴１０８を設け、載置体１０６に貫通孔１０９を設けたが、レール１０３に貫通孔１０９を設け、載置体１０６にだるま穴１０８を設けてもかまわない。   For example, in the above embodiment, the saddle hole 108 is provided in the rail 103 and the through hole 109 is provided in the mounting body 106, but the through hole 109 is provided in the rail 103 and the saddle hole 108 is provided in the mounting body 106. It doesn't matter.

また、だるま穴１０８を貫通状態で示したが、だるま穴１０８を貫通しない袋穴状態としてもかまわない。レール１０３に下方に開口し上端部が袋状のだるま穴１０８を設けることで、レール１０３の上端面を平面とすることができ、プラズマ処理中にプラズマが特異な形状部分に偏在することを抑制できる。   Further, although the daruma hole 108 is shown in a penetrating state, a bag hole state that does not pass through the daruma hole 108 may be used. Opening the rail 103 downward and providing a bag-shaped dart hole 108 at the upper end allows the upper end surface of the rail 103 to be a flat surface and suppresses uneven distribution of plasma in an unusually shaped part during plasma processing. it can.

本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に利用でき、特に反りのある基板や裏面に突出部がある基板に対しプラズマ処理するプラズマ処理装置に適用できる。   The present invention can be used in a plasma processing apparatus and a plasma processing method, and is particularly applicable to a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a warped substrate or a substrate having a protrusion on the back surface.

１００ プラズマ処理装置
１０１ 筐体
１０２ 電極体
１０３ レール
１０４ プラズマ発生用電源部
１０６ 載置体
１０７ 接続体
１０８ 穴
１０９ 貫通孔
１１１ 基体
１１２ 蓋体
１１３ 絶縁部材
１１４ シール部材
１１９ 排気口
１３１ 鍔部
１３９ 外部レール
１４１ 高周波電源部
１４２ 自動整合器
１６１ 突出部
１７１ 第一フランジ
１７２ 第二フランジ
１７３ 軸部
１８１ 第一穴
１８２ 第二穴
１８３ 長穴
１９１ 収容穴
２００ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Plasma processing apparatus 101 Case 102 Electrode body 103 Rail 104 Power supply part 106 for plasma generation Placement body 107 Connection body 108 Hole 109 Through-hole 111 Base body 112 Cover body 113 Insulation member 114 Seal member 119 Exhaust port 131 Gutter part 139 External rail 141 High-frequency power supply unit 142 Automatic matching unit 161 Projection unit 171 First flange 172 Second flange 173 Shaft unit 181 First hole 182 Second hole 183 Long hole 191 Housing hole 200 Substrate

Claims (2)

基板を収容する筐体と、
前記筐体に収容される基板の背方に配置される電極体と、
前記電極体と前記基板との間に配置され、前記基板が載置される絶縁体からなる板状の載置体と、
前記載置体の表面に一方向に延在して載置状態で配置され、基板の搬送経路を形成し、処理中の基板を保持する絶縁体からなるレールと、
前記筐体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記載置体と前記レールとを接続する棒状の絶縁体からなる接続体であって、前記載置体の厚さ方向に延在し、一端部に第一フランジと他端部に前記第一フランジよりも径の大きい第二フランジとを備える接続体を備え、
前記載置体、および、前記レールのいずれか一方に、前記第一フランジと係合するだるま穴が設けられ、
前記載置体、および、前記レールの他方に、前記第一フランジが通過可能で前記第二フランジは貫通できない貫通孔が設けられている
プラズマ処理装置。 A housing for accommodating the substrate;
An electrode body disposed on the back of the substrate housed in the housing;
A plate-like mounting body that is disposed between the electrode body and the substrate and is made of an insulator on which the substrate is mounted;
A rail made of an insulator that extends in one direction on the surface of the mounting body and is placed in a mounted state, forms a substrate transport path, and holds the substrate being processed;
A plasma processing apparatus comprising plasma generating means for generating plasma in the housing,
A connecting body comprising a rod-like insulator for connecting the mounting body and the rail, extending in the thickness direction of the mounting body, having a first flange at one end and the first at the other end. A connecting body including a second flange having a diameter larger than that of the flange;
In the above-mentioned mounting body and any one of the rails, a dart hole for engaging with the first flange is provided,
The plasma processing apparatus, wherein the mounting body and the other of the rails are provided with a through-hole through which the first flange can pass but not through the second flange. 前記載置体は、前記基板の搬送経路側に向かって突出する突出部を備え、
前記レールは、下端部が前記突出部の側壁に当接した状態で配置される
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The mounting body includes a protruding portion that protrudes toward the transport path side of the substrate,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the rail is disposed with a lower end portion in contact with a side wall of the protruding portion.
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