JP6146382B2 - 単結晶基板の抵抗率保証方法 - Google Patents
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Description
測定した抵抗率値が全て要求される抵抗率範囲内に収まるものであれば合格と判定される。シリコン基板を製品とする際には合格品のみで、不合格品は取り除き出荷しない。
前記製造条件で単結晶を製造し、該単結晶から得られた複数の単結晶基板について径方向に所定の間隔で抵抗率を測定し、径方向抵抗率分布を取得する工程と、
前記単結晶基板各々について抵抗率最大値、抵抗率最小値の現れる位置を求め、前記抵抗率を測定した全単結晶基板について前記抵抗率最大値及び前記抵抗率最小値の出現頻度が最大となる位置を求める工程と、
少なくとも前記抵抗率最大値の出現頻度が最大となる位置及び前記抵抗率最小値の出現頻度が最大となる位置を含むように前記単結晶基板の抵抗率を保証する測定点を決める工程と、
前記抵抗率を保証する測定点で、前記製造条件と同一の製造条件で製造された単結晶から得られた単結晶基板の抵抗率を測定し、該単結晶基板の抵抗率が所定の範囲内であることを保証する工程と
を有することを特徴とする単結晶基板の抵抗率保証方法を提供する。
前記保証する工程において、前記単結晶基板の抵抗率の測定値が、前記内部判定規格を満たす場合を合格品、満たさない場合を不合格品と判定することで、前記合格品の抵抗率が前記抵抗率規格を満たすことを保証することが好ましい。
FZ法により事前に同一製造条件で、結晶直径205mmのシリコン単結晶を3本取得し、取得結晶全てからスライスして直径200mmのシリコン基板を取得し、取得全シリコン基板について、直径方向に2.5mm間隔で抵抗率測定を行い、径方向抵抗率分布を取得した。各々のシリコン基板について、得られた径方向抵抗率分布(各抵抗率測定値)から面内抵抗率最大値及び最小値、及び該抵抗率最大値及び最小値の面内出現位置を確認した。
実施例と同じ200枚のシリコン基板表面を直径方向に中心1点、r/2(中心から50mm)を2点、外周(中心から95mm)を2点の面内計5点、均等に抵抗率測定を行い合否判定した。判定基準は、抵抗率規格幅の狙い抵抗率値±15%をそのまま用いた。
4…被測定面、 5…シリコン単結晶基板。
Claims (7)
- 一つの製造条件で製造された単結晶から得られた単結晶基板の抵抗率を保証する方法であって、
前記製造条件で単結晶を製造し、該単結晶から得られた複数の単結晶基板について径方向に所定の間隔で抵抗率を測定し、径方向抵抗率分布を取得する工程と、
前記単結晶基板各々について抵抗率最大値、抵抗率最小値の現れる位置を求め、前記抵抗率を測定した全単結晶基板について前記抵抗率最大値及び前記抵抗率最小値の出現頻度が最大となる位置を求める工程と、
少なくとも前記抵抗率最大値の出現頻度が最大となる位置及び前記抵抗率最小値の出現頻度が最大となる位置を含むように前記単結晶基板の抵抗率を保証する測定点を決める工程と、
前記抵抗率を保証する測定点で、前記製造条件と同一の製造条件で製造された単結晶から得られた単結晶基板の抵抗率を測定し、該単結晶基板の抵抗率が所定の範囲内であることを保証する工程と
を有することを特徴とする単結晶基板の抵抗率保証方法。 - 前記径方向抵抗率分布を取得する工程における単結晶と、前記保証する工程における単結晶を、同一の単結晶又は異なる単結晶、あるいはこれらの両方とすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶基板の抵抗率保証方法。
- 前記径方向抵抗率分布を取得する工程において、前記製造条件で複数の単結晶を製造し、該複数の単結晶から得られた複数の単結晶基板について径方向に所定の間隔で抵抗率を測定し、径方向抵抗率分布を取得することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶基板の抵抗率保証方法。
- 前記径方向抵抗率分布を取得する工程において、前記抵抗率を測定する所定の間隔を5mm以下の間隔とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の単結晶基板の抵抗率保証方法。
- 前記保証する工程において、前記単結晶基板の全数について抵抗率を測定し、該測定値が要求される抵抗率規格を満たす場合を合格品、満たさない場合を不合格品と判定することで、前記合格品の抵抗率が前記抵抗率規格を満たすことを保証することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の単結晶基板の抵抗率保証方法。
- 前記測定点を決める工程の後かつ前記保証する工程の前に、前記単結晶基板について、前記抵抗率を保証する測定点で測定した抵抗率の最大値と、前記径方向抵抗率分布における抵抗率の最大値との差Δρmax、及び前記抵抗率を保証する測定点で測定した抵抗率の最小値と、前記径方向抵抗率分布における抵抗率の最小値との差Δρminを求め、要求される抵抗率規格から前記Δρmax及び前記Δρminにより決定される内寄せ幅を差し引いた内部判定規格を設定する工程を行い、
前記保証する工程において、前記単結晶基板の抵抗率の測定値が、前記内部判定規格を満たす場合を合格品、満たさない場合を不合格品と判定することで、前記合格品の抵抗率が前記抵抗率規格を満たすことを保証することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の単結晶基板の抵抗率保証方法。 - 前記単結晶基板を、FZ法で作製された直径150mm以上のシリコン基板とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の単結晶基板の抵抗率保証方法。
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