JP6145564B2 - リソグラフィ装置における使用のための物体ホルダ、及び、物体ホルダを製造する方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを製造する方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通例は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。この場合、パターニングデバイスが、これはマスクまたはレチクルと呼ばれることもあるが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されてもよい。このパターンは基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）目標部分に転写可能である。パターンの転写は通常、基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）層に結像されることによって行われる。一般に一枚の基板には網状に隣接する複数の目標部分が含まれており、これらに連続的にパターンが付与される。公知のリソグラフィ装置には、パターン全体を目標部分に一度に露光することによって目標部分のそれぞれが照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームでパターンを走査すると同時に基板をこの方向と平行または逆平行に走査することによって目標部分のそれぞれが照射されるいわゆるスキャナとが含まれる。また、パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。ある実施の形態においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明のある実施の形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に、湿潤流体、非圧縮性流体、及び／または、空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率をもつが適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることとみなすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下の粒子）で懸濁している液体がある。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として、芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液等の炭化水素もある。

従来のリソグラフィ装置においては露光される基板が基板ホルダに支持されてもよく、基板ホルダは基板テーブルに支持される。基板ホルダはたいてい、基板の大きさおよび形に相当する平坦剛性ディスクであり（ただし他の大きさまたは形を有してもよい）、少なくとも一方側から突き出すバールまたはピンプルと称される突起の配列を有する。ある実施の形態においては、基板ホルダは、対向する２つの側に突起の配列を有する。この場合、基板ホルダが基板テーブルに載置されるとき、基板ホルダの一方側のバールの端が基板テーブルの表面にあるので、基板ホルダの本体はある短い距離だけ基板テーブルの上方に保持される。同様に、基板が基板ホルダの反対側のバールの頂に置かれるとき、基板は基板ホルダの本体から離れている。これの目的は、基板テーブルまたは基板ホルダに存在するかもしれないパーティクル（つまりダストパーティクルのような汚染物質パーティクル）による基板ホルダまたは基板の変形防止を支援することにある。バールの合計表面積は基板または基板ホルダの総面積のごく一部でしかないので、すべてのパーティクルがバール間に位置しその存在が何の効果ももたないことがほぼ確実である。たいてい、基板ホルダおよび基板は、基板の上面が基板テーブルの上面と実質的に同一平面であるように基板テーブルの凹部内に収容されている。

高スループットのリソグラフィ装置の使用時に基板に作用する高加速度のために、基板を基板ホルダのバールに単純に置くことができるだけでは不十分であり、定位置に固定される。基板を定位置に固定する２つの方法が知られている。真空クランプと静電クランプである。真空クランプにおいては、基板ホルダと基板との間の空間および任意選択として基板テーブルと基板ホルダとの間の空間が部分的に排気され、その上方のそれより高い気体または液体の圧力によって基板が定位置に保持される。しかし真空クランプは、基板または基板ホルダの近傍のビーム経路及び／または環境が例えば極紫外（ＥＵＶ）放射リソグラフィのために低い圧力または非常に低い圧力に保たれる場合には使用されないかもしれない。この場合、基板（または基板ホルダ）の上下にそれを固定するのに十分に大きい圧力差を作り出すのは可能でないかもしれない。そこで静電クランプが使用されうる。静電クランプにおいては、電位差が、基板またはその下面にめっきされた電極と基板テーブル及び／または基板ホルダに設けられた電極との間に確立される。二つの電極は大型のコンデンサとして働き、実質的なクランプ力を合理的な電位差によって生成することができる。ある静電的な構成は、一方が基板テーブルにあり一方が基板にある一組の電極が基板テーブル、基板ホルダおよび基板の積層物全体を一緒に固定することが可能である。ある構成においては、１つ以上の電極が基板ホルダに設けられ、それにより基板ホルダが基板テーブルに固定されるとともに基板が基板ホルダに別に固定されてもよい。

静電クランプは、パターニングデバイスをパターニングデバイスホルダに固定するために使用されてもよい。

絶縁層が、基板ホルダと基板との間に、または基板ホルダと基板テーブルとの間に、またはその両方に、設けられうる。パターニングデバイス用のクランプの場合は、絶縁層が、パターニングデバイスホルダとパターニングデバイスとの間に、またはパターニングデバイスと（パターニングデバイスホルダと別の要素として設けられる場合には）パターニングデバイス用の支持構造との間に、またはその両方に、設けられうる。絶縁層は、クランプ力を低下させるであろう、固定される要素間の電荷移動を防ぐよう機能する。絶縁層における欠陥は静電クランプの性能を低下させうる。

ピンホール欠陥が、絶縁層の成膜中に導入されるかもしれない。陰極接合プロセスは絶縁層に応力をもたらしうる。応力によって層にクラックまたは変形が生じうる。ピンホールおよびクラックは、絶縁層の電圧破壊強度を下げる傾向を持ち、故にクランプが電圧破壊無く動作するために必要となる絶縁層の厚さを増やす傾向を持つ。絶縁層の厚さを増すことでクランプに必要とされる動作電圧が増加するが、これは効率を下げる傾向を持つ。成膜プロセスにおける不正確さ（例えば成膜表面にバールが存在することに起因する）によって起こる絶縁層の変形または絶縁層の厚さ変動は、クランプが与えるクランプ力に空間的な変動を生じさせうる。クランプ力の空間的変動はオーバレイ誤差またはフォーカス誤差につながりうる。また、絶縁層内の欠陥は絶縁層の耐久性を低下させうる。

基板表面にわたる温度制御は、液体（例えば水）の蒸発作用のために温度変動の影響を受けやすい液浸システムではとくに、重要である。基板からの液体蒸発は基板に熱負荷を与え、それが温度変動をもたらしうる。温度変動は基板内の熱応力となり、最終的にはオーバレイ誤差に寄与しうる。温度制御の精度向上を実現するには、能動加熱を組み合わせた温度のリアルタイム局所測定が望まれる。こうした測定加熱システムは、システムに、すなわち基板ホルダ（すなわち、基板を直接支持する物体）及び／または基板テーブル（ミラーブロックまたはステージすなわち基板ホルダを支持し基板ホルダを囲む上面を提供するテーブルのような物体）に、統合される。薄膜の積層物が、測定と加熱を両方できる構造を作るのに用いられうる。こうした構造は、基板テーブルまたは両方への統合の機会を提供する。

基板とヒータとの間の、または基板と温度センサとの間の距離の変動は、温度制御の精度を低下させうる。

センサやヒータのような電気的に機能する構成要素を基板ホルダの本体上に直接形成することは、形成前にそれら構成要素を適正に試験することは可能でないので、比較的歩留まりが低くなりうる。薄膜デバイスは故障しやすいので信頼性のために使用前に試験される必要がある。

電気的な接地層が基板に隣接して設けられうる。例えばＣｒＮの層が設けられ、基板テーブル上の突起（「バール」とも称される）の上面を通るようにパターニングされていてもよい。こうした接地層は、粗さ及び／または平坦さの調節を可能とするために比較的厚くする必要がありうる（例えば、厚さ１ミクロンより大きい）。こうした厚い層は剥離しがちでありうる。接地層への基板の付着を防ぐために接地層は例えばイオンビームフィギュアリングを用いて粗化されてもよい。また、接地層は耐摩耗性をもつ必要がありうる。層がイオンビームフィギュアリングのような粗化処理に耐えるものであり及び／または耐摩耗性をもつ必要があると、接地層を形成するのに使用可能な材料の範囲が制限される。これにより、例えば、必要な厚さを確実に与えるのが高価となるかまたは困難になるというように、いくつかの点で次善の材料となりうる。

望まれるのは、例えば、静電クランプ性能の改善、基板温度制御の改善、歩留まりの改善、またはこれらの任意の組み合わせを促進する基板ホルダを提供することである。これに代えて又はこれとともに、望まれるのは、より容易にまたは安価に製造され、及び／またはより信頼できる接地層を含む基板ホルダを提供することである。

本発明のある態様によると、リソグラフィ装置における使用のための物体ホルダを製造する方法であって、前記物体ホルダは、１つ以上の電気的に機能する構成要素を備え、前記方法は、前記物体ホルダの本体と異なるキャリアシートと、１つ又は複数の層を備え前記キャリアシート上に形成された層状構造と、を備える複合構造を使用することと、前記層状構造が前記キャリアシートと前記本体の表面との間にあるように前記本体の前記表面に前記複合構造を接続することと、前記本体に接続された前記層状構造を残して前記複合構造から前記キャリアシートを取り除くことと、を備える方法が提供される。

ある態様によると、リソグラフィ装置における使用のための物体を支持するための物体ホルダであって、本体と、１つ以上の電気的に機能する構成要素と、前記本体の表面上に形成された接着層と、１つ又は複数の層を備え前記本体に前記接着層を介して接続された層状構造と、を備え、前記層状構造は、基板のシリコン表面の熱酸化により形成されたＳｉＯ_２層を備える物体ホルダが提供される。

ある態様によると、リソグラフィ装置のための物体ホルダであって、前記物体ホルダの基面から突き出しており、各々が前記基面に近位端を有しかつ前記基面から最遠の遠位端を有する複数の突起と、前記物体ホルダにより支持される物体が前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体を前記突起に対し静電的に固定するように適応され、または、前記物体ホルダを支持するよう適応された物体テーブルが前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体ホルダを前記物体テーブルに静電的に固定するように適応された電極と、グランドまたは共通電位に前記突起のうち二以上を電気的に接続するよう適応された接地層と、誘電体層と、を備え、前記接地層は、前記誘電体層と前記接地層によりグランドまたは前記共通電位に接続された前記複数の突起の少なくとも１つとの間にある部分を備える物体ホルダが提供される。

ある態様によると、リソグラフィ装置のための物体ホルダを製造する方法であって、基面から突き出しており、各々が前記基面に近位端を有しかつ前記基面から最遠の遠位端を有する複数の突起を形成することと、前記物体ホルダにより支持される物体が前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体を前記突起に対し静電的に固定するように適応され、または、前記物体ホルダを支持するよう適応された物体テーブルが前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体ホルダを前記物体テーブルに静電的に固定するように適応された電極を形成することと、グランドまたは共通電位に前記突起のうち二以上を電気的に接続するよう適応された接地層を形成することと、誘電体層を形成することと、を備え、前記接地層は、前記誘電体層と前記接地層によりグランドまたは前記共通電位に接続された前記複数の突起の少なくとも１つとの間にある部分を備えるよう形成される方法が提供される。

本発明のいくつかの実施の形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。

リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す。 リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す。

リソグラフィ投影装置に使用される更なる液体供給システムを示す。

液浸液供給システムとして本発明のある実施の形態に使用されうるバリア部材を断面で示す。

本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す。

図６の装置のより詳細な図である。

図６及び図７の装置のソースコレクタのより詳細な図である。

本発明のある実施の形態に係る基板テーブル及び基板ホルダを断面で示す。

基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダの製造に使用されるキャリアシートを示す。

図１０のキャリアシート上に第１の層を形成することによって生成された複合構造を示す。

第１の層を通じてキャリアシートへとくぼみを形成した後の図１１の複合構造を示す。

図１２の複合構造に基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダの本体を、複合構造内のくぼみに本体上の突起が係合するように取り付けるプロセスを示す。

図１３のプロセスの完了後に複合構造に取り付けられた基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダの本体を示す。

図１４の構成からキャリアシートを除去することによって形成された基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを示す。

図１５の基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダに装着された基板またはパターニングデバイスを示す。

第１の層および第１の層上に形成された１つ以上の更なる層の積層物を有するキャリアシートを示す。

図１７のキャリアシートを使用して形成された基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを示す。

基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダの基板またはパターニングデバイスとは反対側で電気接続を可能とするよう第１の層および１つ以上の更なる層を曲げて基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダ内の穴を通すことができる構成の上面図である。

図１９の構成のＸ−Ｘ線に沿う側断面図である。

突起をもたず静電クランプ用の電極を備える基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダへの酸化シリコンウェーハの接続を示す。

接続後の図２１のウェーハおよびホルダを示す。

図２２の構成からシリコンウェーハを除去することによって形成された基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダ、および突起の追加を示す。

基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダと基板またはパターニングデバイスとの間の表面上に、および基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダと基板テーブルまたはパターニングデバイス用支持構造との間の表面上に、熱ＳｉＯ_２層を有する基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを示す。

突起の上面の上に形成された接地層を有する基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを示す。

誘電体層と突起との間に形成された接地層を有する基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを示す。

誘電体層と突起との間に形成された接地層を有し、接地層のいくつかの部分の上に形成された保護層をもつ基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダを示す。

図１及び図６は、本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、以下を備える。

−放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射、またはＥＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬ。

−パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ。

−基板（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメタに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ。本書に説明される基板ホルダは、基板テーブルＷＴ上に基板Ｗを保持するために使用することができる。

−パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つ以上のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズ系または反射投影レンズ系）ＰＳ。

照明システムは、放射の方向や形状の調整、または放射の制御のために、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否か等その他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定技術を用いることができる。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。

本書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜可能であるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

「照明システム」との用語と同様に、本書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射に関して又は液浸液や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきであり、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含む。本書における「投影レンズ」との用語の使用はいかなる場合も、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。照明システムと同様に、投影システムは、使用される露光放射に関して又は真空の利用などの他の要因に関して適切とされる、各種の光学素子、例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはその他の形式の光学素子、若しくはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましい。ガスはＥＵＶ放射を吸収する可能性があるからである。それ故、真空壁及び真空ポンプを用いて全ビーム経路に真空環境が与えられてもよい。

図１に示されるように、本装置は、（例えば透過型マスクを用いる）透過型である。これに代えて、図６に示されるように、本装置は、（例えば、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ、または反射型マスクを用いる）反射型であってもよい。

リソグラフィ装置は、デュアルステージとも称される２つ以上のテーブル（またはステージまたは支持部）、例えば、２つ以上の基板テーブル、または１つ以上の基板テーブルと１つ以上のセンサテーブルまたは計測テーブルとの組み合わせ、を備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においてはそれら追加のテーブルが並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。リソグラフィ装置は、基板テーブル、センサテーブル、及び計測テーブルと同様に並列に使用され得る２つ以上のパターニングデバイステーブル（またはステージまたは支持部）を有してもよい。

図１及び図６を参照すると、イルミネータＩＬは、図１においては放射ソースＳＯから、図６においてはソースコレクタ装置ＳＯから、放射ビームを受け取る。例えばソースがエキシマレーザである場合には、ソースとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームはソースＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送システムＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送システムＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいはソースが例えば水銀ランプである場合には、ソースはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。ソースＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送システムＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称されてもよい。

ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしもそれに限定されるわけではないものの、ＥＵＶ範囲にひとつ以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの少なくともひとつの元素を有するプラズマ状態に物質を変換することを含む。こうしたひとつの方法（これは多くの場合レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称される）においては、所望される輝線を放出する元素を有する物質の滴、流、又はクラスタなどの燃料にレーザビームを照射することによって、プラズマを生成することができる。ソースコレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図６に図示せず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出する。この出力放射は、ソースコレクタ装置内に設けられる放射コレクタを使用して集められる。例えば燃料励起のためのレーザビームを提供するのにＣＯ_２レーザが使用される場合には、レーザとソースコレクタ装置とは別体であってもよい。こうした場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、放射ビームはレーザからビーム搬送システムを介してソースコレクタ装置へと通過していく。ビーム搬送システムは例えば適切な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。他の場合、例えば、ソースが通例ＤＰＰソースと呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶ生成部である場合には、ソースはソースコレクタ装置に一体に構成されていてもよい。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するよう構成されているアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）を調整することができる。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ、コンデンサＣＯ、ファセットフィールドミラーデバイス、及び／または瞳ミラーデバイス等その他の各種構成要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。ソースＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを横切った放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＰＳ１（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により、例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）は、例えばマスクライブラリの機械検索後や走査中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現されうる。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されうる。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。

１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回で目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一静的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で結像される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。

２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められうる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。

３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とし、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載した使用モードの組み合わせ及び／または変形例、あるいは全く別の使用モードもありうる。

図７は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むＥＵＶ装置４１００をより詳細に示す。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースコレクタ装置ＳＯの囲み構造４２２０内で真空環境を維持することができるように構築され構成される。ＥＵＶ放射放出プラズマ４２１０が放電生成プラズマ源によって形成されうる。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気により生み出されうる。そのガスまたは蒸気の中で、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出する非常に高温のプラズマ４２１０が生成される。非常に高温のプラズマ４２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせる放電によって生成される。放射の効果的な生成には、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気またはその他の適するガスまたは蒸気の分圧は例えば１０Ｐａが必要とされうる。ある実施の形態においては、励起スズ（Ｓｎ）のプラズマがＥＵＶ放射を生成するために用意される。

高温プラズマ４２１０により放出される放射は、ソースチャンバー４２１１からコレクタチャンバー４２１２へと、ソースチャンバー４２１１の開口の中または背後に配置される任意的なガスバリアまたは汚染物質トラップ４２３０（汚染物質バリアまたはフォイルトラップと呼ばれることもある）を経て、通過する。汚染物質トラップ４２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ４２３０は、ガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本書に示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア４２３０は、公知のチャネル構造を少なくとも含む。

コレクタチャンバー４２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタでありうる放射コレクタＣＯを含みうる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側４２５１および下流放射コレクタ側４２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は、グレーティングスペクトルフィルタ４２４０で反射でき、仮想ソース点ＩＦに集束する。仮想ソース点ＩＦは多くの場合中間フォーカスと称され、ソースコレクタ装置は、中間フォーカスＩＦが囲み構造４２２０の開口４２２１またはその近傍に配置されるように、構成される。仮想ソース点ＩＦは放射放出プラズマ４２１０の像である。

次に、放射は照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬはファセットフィールドミラーデバイス４２２とファセット瞳ミラーデバイス４２４とを含んでもよい。それらのミラーデバイスは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム４２１に所望の角度分布を提供し、かつ、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の一様性を提供するよう構成される。支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム４２１が反射されると、パターンが付与されたビーム４２６が形成され、そのパターンが付与されたビーム４２６は、投影システムＰＳによって反射性要素４２８、４３０を介して、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に結像される。

照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳには、示されているよりも多くの要素が一般には存在しうる。リソグラフィ装置の形式によっては、グレーティングスペクトルフィルタ４２４０が任意選択として存在してもよい。また、図示されるよりも多くのミラーが存在してもよい。例えば、投影システムＰＳには、図７に示されるもの以外に、１個から６個の追加的な反射性要素が存在してもよい。

図７に示すように、コレクタ光学部品ＣＯは、かすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４、４２５５を有する入れ子式コレクタとして示されるが、これはコレクタ（またはコレクタミラー）の単なる一例である。かすめ入射リフレクタ４２５３、４２５４、４２５５は、光軸Ｏの周りに軸対称に配置され、この型式のコレクタ光学部品ＣＯは好ましくは、多くの場合ＤＰＰソースと呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて使用される。

あるいは、ソースコレクタ装置ＳＯは、図８に示すようなＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料にレーザエネルギーを堆積し、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ４２１０を生成するように構成される。これらのイオンの脱励起および再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学部品ＣＯによって集められ、囲み構造４２２０における開口４２２１へと集束される。

多くのリソグラフィ装置において流体、とくに液体が、例えば液浸リソグラフィ装置において、液体供給システムＩＨを使用して投影システムの最終要素との間に提供されて、より小さいフィーチャの結像が可能となり及び／または装置の有効ＮＡが増加される。本発明のある実施の形態は、こうした液浸装置を参照して後述されるが、非液浸装置にも等しく実施されうる。投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二つのカテゴリに大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムである。浴槽型の構成においては基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を提供する液体供給システムを使用する。後者のカテゴリにおいては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影システムに対し実質的に静止状態にある。本発明のある実施の形態が指向する他の構成は、液体が閉じ込められない全濡れ法である。この構成においては基板の上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体は、基板上の（例えば薄い）液体フィルムであってもよい。

４つの異なる局所液体供給システムが図２から図５に示される。図２から図５の液体供給デバイスのいずれもが非閉じ込め式のシステムに使用されうる。ただし、シールする特徴部分は、存在しないか、動作させないか、通常ほどは効果的でないか、さもなければ、局所域のみに液体をシールするには有効でない。

局所液浸システムに提案される構成の一つは、液体供給システムが液体閉じ込めシステムを用いて投影システムの最終要素と基板との間で基板の局所域のみに液体を提供するというものである（基板は通例、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを構成するために提案された一つの手法がＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。

図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続される出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示す。基板Ｗの上方の矢印は液体流れの方向を示し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブルの移動方向を示す。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給および液体回収デバイスにおいて矢印は液体流れの方向を示す。

局所液体供給システムをもつ更なる液浸リソグラフィ法が図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配設された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、中心に穴をもつプレートに設けることができ、そこを通って投影ビームが投影される。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向に依存する（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。

提案されている別の構成は液体閉じ込め部材をもつ液体供給システムを設けることである。液体閉じ込め部材は投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図５に示す。液体閉じ込め部材は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）では多少の相対運動があってよい。液体閉じ込めと基板の表面との間にシールが形成される。ある実施の形態においては、シールは、液体閉じ込め構造と基板の表面との間に形成され、ガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されており、その全体を本書に援用する。

図５は、流体ハンドリング構造１２を有する局所液体供給システムを概略的に示す図である。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて基板テーブルの表面にも言及するものと留意されたい。）流体ハンドリング構造１２は、投影システムに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）では多少の相対運動があってよい。ある実施の形態においては、シールは、バリア部材と基板Ｗの表面との間に形成され、流体シール等の非接触シール、望ましくはガスシールであってもよい。

流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも部分的に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール１６が投影システムの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗ表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間内に液体が閉じ込められてもよい。この空間は少なくとも一部が、投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され当該最終要素を囲む流体ハンドリング構造１２により形成される。液体が、投影システム下方かつ流体ハンドリング構造１２内部の空間に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施の形態においては、流体ハンドリング構造１２は、上端において内周が投影システムまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。

ある実施の形態においては、液体は、流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容される。ガスシールは気体例えば空気または合成空気によって形成されるが、ある実施の形態においては、Ｎ_２または他の不活性ガスである。ガスシールの気体は、圧力の作用で入口１５を介して流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れ１６が存在するように構成される。流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れ１６は空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されており、その全体を本書に援用する。

図５の例は局所域の構成であり、液体はいかなる時点においても基板Ｗの上面の局所域に供給されるのみである。単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含むその他の構成も可能であり、それは例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号に開示されており、その全体を本書に援用する。

あり得る別の構成は、気体抵抗原理に基づき動作するものである。このいわゆる気体抵抗原理が説明されているのは、例えば、米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号、第２００９−０２７９０６０号、第２００９−０２７９０６２号であり、それらの全体を本書に援用する。そのシステムにおいては抽出孔が、望ましくは角をもつ形状に配列されている。この角はステップ方向またはスキャン方向に合わせてあってもよい。これにより、ステップ方向またはスキャン方向の所与の速度における流体ハンドリング構造表面の二つの開口間のメニスカスに生じる力が、仮にそれら２つの排出口がスキャン方向に垂直に整列されている場合に比べて、小さくなる。

その全体を本書に援用するＵＳ２００８−０２１２０４６には、主液体回収形状の半径方向外側に位置するガスナイフも開示されている。ガスナイフは、主液体回収形状を通過した液体をすべて捕捉する。こうしたガスナイフは、（その全体を本書に援用するＵＳ２００８−０２１２０４６に開示されるように）いわゆる気体抵抗原理の構成に存在してもよいし、（その全体を本書に援用する米国特許出願公開第ＵＳ２００９−０２６２３１８号に開示されるように）単層抽出器または二層抽出器の構成、またはその他の任意の構成に存在してもよい。

その他に多くの液体供給システムの形式があり得る。本発明はいかなる特定の形式の液体供給システムにも液浸リソグラフィにも限定されない。本発明は任意のリソグラフィに等しく適用されうる。ＥＵＶリソグラフィ装置においては、ビーム経路は実質的に排気されており、上述の液浸構成は使用されない。

図１に示される制御システム５００は、リソグラフィ装置の全体的な運転を制御し、とくに、後述する最適化プロセスを実行する。制御システム５００は、中央処理装置、揮発性および不揮発性記憶手段、キーボードおよびスクリーンのような１つ以上の入出力デバイス、１つ以上のネットワーク接続、およびリソグラフィ装置の各種部分との１つ以上のインターフェイスを備える、適切にプログラムされた汎用のコンピュータとして具体化されることができる。制御するコンピュータとリソグラフィ装置との一対一の関係は必須でないことは理解されよう。本発明のある実施の形態においては、１つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明のある実施の形態においては、多数のネットワーク化されたコンピュータが１つのリソグラフィ装置を制御するために使用されることができる。また、制御システム５００は、リソグラフィ装置が一部を構成するリソセルまたはクラスタ内の１つ以上の関連するプロセス装置および基板ハンドリング装置を制御するよう構成されていてもよい。また、制御システム５００は、リソセルまたはクラスタの上位制御システム及び／または工場の全体制御システムに従属するよう構成されることもできる。

図９は、本発明のある実施の形態に係る基板ホルダ１００を示す。それは基板テーブルＷＴ内の凹部の内部に保持されてもよく、基板Ｗを支持する。基板ホルダの本体１００ａは、ある実施の形態においては、実質的に平坦でありかつ基板Ｗの形および大きさに相当しており、例えば平坦プレートであり例えばディスクである。少なくとも上側に、ある実施の形態においては両側に、基板ホルダは、複数の突起１０６を有し、これらはバールと通例呼ばれる。ある実施の形態においては、基板ホルダは、基板テーブルと一体の部分でありその下面にバールを有しない。バールは図９において縮尺通りには示されていない。ある実用的な実施の形態においては、数百または数千を超えるバールが基板ホルダ直径例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍにわたり分布して存在することができる。バールの先端の面積は小さく例えば１ｍｍ^２未満であり、そのため基板ホルダ１００の一方側のすべてのバールの合計面積は基板ホルダの総表面積の約１０％の面積未満である。支持体上のこのようなバール配列によって、基板、基板ホルダ、または基板テーブルの表面にあるかもしれないパーティクルはすべてバール間に落ち、その結果基板または基板ホルダを変形させないことがほぼ確実である。バール配列は、パターンを形成してもよく、それは規則的であることができ、または望まれる場合には、基板および基板テーブル上に適切な力分布をもたらすよう異なることができる。バールは平面図でいかなる形状を有することもできるが、通例は平面図で円形である。バールは高さ方向に同一の形および寸法を有することもできるが、通例は先細になっている。突起は、約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約５μｍから約２５０μｍの距離を基板ホルダ１００の本体１００ａの表面の残部から突き出すことができる。基板ホルダ１００の本体１００ａの厚さは、約１ｍｍから約５０ｍｍの範囲にあり、望ましくは約５ｍｍから約２０ｍｍの範囲にあり、典型的には１０ｍｍであることができる。

本発明のある実施の形態においては、基板ホルダ１００は、剛体材料で形成されている。望ましくは、材料は、高い熱伝導率または低い熱膨張係数を有する。適当な材料は、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＳｉＳｉＣ（シリコン浸潤シリコンカーバイド）、Ｓｉ_３Ｎ_４（シリコンナイトライト）、石英、及び／または、ゼロデュア（商標）ガラスセラミックのようなその他各種のセラミックおよびガラスセラミックを含む。基板ホルダ１００は、突き出すバールを残すようこうした関連材料の固体ディスクから選択的に材料を除去することによって製造されることができる。材料除去のための適当な技術は、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、機械加工、及び／またはレーザアブレーションを含む。これら技術のいくつかは、数ミクロンオーダの粗さ値Ｒａを例えば有する粗面をもたらす。これら除去技術で実現可能な最小の粗さは、材料特性とバール製造プロセスに由来しうる。例えば、ＳｉＳｉＣのような二相材料の場合、実現可能な最小の粗さは、二相材料の粒径により定められる。また、基板ホルダは、マスクを通じてバールを成長させることによって製造されることもできる。バールは基部と同じ材料を有し、物理蒸着プロセスまたはスパッタリングにより成長させることができる。

こうした残存粗さにより生じるのは、基板の表面上に１つ以上の薄膜構成要素のような１つ以上の電気的構成要素を形成する困難さと、そうした構成要素の信頼性欠如である。これらの問題が起こりうるのは、粗さが、電子的構成要素を形成するために基板ホルダ上に被覆し又は成長させる薄層における隙間およびクラックの原因となるからである。薄膜構成要素は、約２ｎｍから約１００μｍの範囲にある層厚を有してもよく、化学蒸着、物理蒸着（例えばスパッタリング）、ディップコーティング、スピンコーティング、及び／またはスプレーコーティングを含むプロセスによって形成されてもよい。ある実施の形態においては、基板ホルダ上に形成される構成要素は、薄膜積層物（すなわち複数の薄膜層を含む）を備える。こうした構成要素は以下に説明される。

リソグラフィ装置のための基板ホルダがその表面上に設けられた平坦化層を有する構成が提供されてもよい。平坦化層は薄膜積層物の形成のための平滑な表面を提供する。こうした構成はＵＳ２０１２−０２１２７２５Ａ１に開示されており、その全体を本書に援用する。

基板テーブル上に形成される電子的構成要素は、例えば、電極、抵抗ヒータ、及び／又は、（非限定的に列挙すると）歪みセンサ、磁気センサ、圧力センサ、容量センサ、又は温度センサなどのセンサを含むことができる。ヒータ及びセンサは、例えば電気的システム又は回路に含まれる場合には、基板ホルダ又は基板内の望ましくない温度変化及び応力を低減するか又は望ましい温度変化及び応力を誘起するように、基板ホルダ及び／又は基板の温度を局所的に制御し及び／又は監視するために使用されることができる。望ましくは、ヒータ及びセンサは、相互に同一の領域上、周囲、及び上方に配置される。基板の局所的な膨張又は収縮によるオーバーレイ誤差などの結像誤差を低減し又は除去するために基板の温度及び／又は応力を制御することが望まれる。例えば、液浸リソグラフィ装置においては、基板上の残留液浸液（例えば水）の蒸発は局所的冷却の原因となり液体が載る表面に熱負荷を与え、その結果基板を収縮させうる。逆に、露光中に投影ビームによって基板に届くエネルギーは相当の加熱の原因となり基板に熱負荷を与え、それ故に基板を膨張させうる。

ある実施の形態においては、形成される構成要素は、静電クランプ用の電極である。

ある実施の形態においては、１つ以上の局所ヒータ１０１が、基板Ｗの温度を制御すべく基板ホルダ１００及び基板Ｗに所望の熱量を与えるようコントローラ１０３によって制御される。１つ以上の温度センサ１０２が、基板ホルダ１００及び／または基板Ｗの温度を監視するコントローラ１０４に接続されている。ある実施の形態においては、基板Ｗと基板ホルダ１００との間に及び／または基板ホルダ１００と基板テーブルＷＴとの間に静電クランプ力を与えるために電位差が電極間に生成される。ある実施の形態においては、局所ヒータ１０１がそれら電極として使用され、コントローラ１０３が電位差を印加するよう構成されている。他の実施の形態においては、別個の電位差源が設けられ、別個の電極が設けられてもよい。ある実施の形態においては、電極１００は電気絶縁層間に封入されている。ある実施の形態においては、１０ボルトから５０００ボルト程度の電位差が電極１００間に生成される。基板の温度を局所的に制御するよう１つ以上のヒータ及び温度センサを使用する構成は、米国公開公報第２０１１−０２２２０３３号に記述されており、その全体を本書に援用する。そこに記述された構成は、本書に説明する抵抗ヒータ及び温度センサを利用するよう変更されることができる。

電気デバイスが基板ホルダ１００の上面上にあってもよい。電気接続の少なくとも一部が基板サポート１００の本体を通っていてもよく、それは米国公開公報第２０１２−０２７４９２０号に記述されており、その全体を本書に援用する。

図９を参照する上記説明においては、基板テーブルＷＴに装着された基板ホルダ１００を含むある実施の形態に言及がなされている。しかし、上記説明は、基板ホルダ１００の代わりにパターニングデバイスホルダ１００が設けられ、基板テーブルＷＴの代わりにパターニングデバイス用の支持構造ＭＡが設けられる等価な実施の形態にも等しく適用可能である。さらに、上記説明は、リソグラフィ装置における使用のための物体を支持するための任意の物体ホルダにも等しく適用可能である。

本説明の導入部において説明したように、絶縁層が基板ホルダと基板との間にまたはパターニングデバイスとパターニングデバイスホルダとの間に静電クランプ中の電気的破壊を防ぐために設けられうる。絶縁層内の欠陥は、より高い動作電圧を必要とすることによって、クランプ力の空間的変動をもたらすことによって、または、耐久性を低減することによって、静電クランプの性能を低下させうる。基板ホルダ１００及び基板上に形成されるヒータ間またはセンサ間の距離の変動は、基板の温度制御の精度を低下させうる。図１０から図２４は、これら問題の１つ以上に対処するための方法及び装置を示す。

図１０から図１６は、物体ホルダ１００（例えば基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダ）を製造する方法を示す。この方法は、１つ以上の層を備える層状構造を、保持される物体（例えば基板Ｗ）に対し物体ホルダ１００上に正確に位置決めすることを容易にする。それに代えて又はそれとともに、開示される方法は、欠陥を低レベルとする層状構造を形成することを容易にする。

図１０は、本製造プロセスでの使用のためのキャリアシート２０を示す。ある実施の形態においては、キャリアシートは、シリコンウェーハを備える。

図１１は、層状構造の第１の層２２をキャリアシート２０上に形成した後のキャリアシート２０を示す。第１の層２２は、層状構造の唯一の層でありうる。あるいは、１つ以上の更なる層が第１の層２２上に設けられてもよい（例えば図１７を参照）。キャリアシート２０と層状構造（例えば、第１の層２２および任意選択として１つ以上の更なる層）の組み合わせが、「複合構造」と称されてもよい。ある実施の形態においては、第１の層２２は、キャリアシート２０を酸化することによって形成される。酸化プロセスは、高温例えば摂氏１０００度で行われてもよい。ある実施の形態においては、キャリアシート２０はシリコンウェーハを備え、第１の層２２は熱ＳｉＯ_２を備える。熱ＳｉＯ_２は、シリコンウェーハの熱酸化によって生成された酸化シリコンであり、例えば成膜プロセスによるものではない。ある実施の形態においては、熱ＳｉＯ_２の厚さは、約０．５ミクロンから約２ミクロンの間である。

図１２は、複数のくぼみ２５を形成した後の図１１の複合構造を示す。くぼみ２５はそれぞれくぼみ２５の最深部を定める基部２７を有する。くぼみ２５はキャリアシート２０へと層状構造（この場合第１の層２２）を貫通している。くぼみ２５がキャリアシート２０へと貫通する深さは、完成した基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダにおいて突起１０６が第１の層２２を越えて突き出す量を定める（例えば図１５及び図１６を参照）。ある実施の形態においては、突起１０６は物体ホルダの本体１００ａから一体的に延出する（本体１００ａ上に成長し又は成膜されるのではない）。

ある実施の形態においては、くぼみ２５は、次の工程、すなわち、反応性イオンエッチング、マスクを使用する反応性イオンエッチング、ハードマスクを使用する反応性イオンエッチング、深掘り反応性イオンエッチング、（第１の層２２の一部として、又は第１の層２２に付着されるかもしれない１つ以上の更なる層の一部として、設けられうる）１つ以上の感光層の露光、のうち１つ以上を使用して形成される。

図１３は、図１２に示すくぼみを用いた複合構造への本体１００ａの取り付けを示す。接着層３２が本体１００ａを複合構造に取り付けるために設けられている。ある実施の形態においては、接着層３２は、エポキシ、アクリレート、またはベンゾシクロブテン系重合体のうち１つ以上を備える。ある実施の形態においては、接着層３２は、接合される表面の一方または両方に、施し、吹きつけ、またはローラ塗りされることによって塗布される。図示される実施の形態においては、接着層３２は、くぼみ２５とくぼみ２５の間の複合構造の表面にのみ塗布される。代替的な実施の形態においては、接着層３２は、本体１００ａのうち突起１０６間の領域に、または、本体１００ａと複合構造の両方に、塗布される。接着層３２が塗布される表面は、良好な接着を保証するために塗布前に表面処理がなされてもよい。取り付けは、本体１００ａに対し、及び／または、設けられている場合には本体１００ａの突起１０６に対し、複合構造を押し付け又は一緒に保持することによって実現されてもよい。接着層３２を硬化させるために室温より高く昇温されてもよい。例えば、接着層３２がベンゾシクロブテン系重合体（ＢＣＢ）を備える場合、摂氏２５０度より高く昇温されてもよい。摂氏１５０度を超えるとＢＣＢは非常に液状となり、摂氏２５０度を超えると架橋する。架橋後に複合構造は本体１００ａに固定される。結合は、任意選択として、空気の気泡の捕捉を回避し又は低減するため真空環境で行われる。

本体１００ａは、複合構造内のくぼみ２５が本体１００ａからの突起１０６と係合するように取り付けられる。この係合は、くぼみ２５が突起１０６と空間的に相補するように構成することによって可能となる。ある実施の形態においては、くぼみ２５は、それぞれが複数の突起１０６のうち１つ以上を受け入れるよう位置決めされかつ成形されている。ある実施の形態においては、複数の突起１０６のすべてが対応するくぼみ２５に受け入れられる。突起１０６の端面２８がくぼみ２５内でキャリアシート２０と接触する（例えばくぼみ２５の基部２７に触れる）。ある実施の形態においては、くぼみの基部２７はすべて同じ高さに（例えば同一平面内に）設けられる。ある実施の形態においては、突起１０６の端面２８は、キャリアシート２０の材料に直に触れる。代替的な実施の形態においては、保護層がそれぞれの端面２８上に設けられる。こうした実施の形態においては、それぞれの端面２８は保護層を介してキャリアシート２０と接触する。ある実施の形態においては、保護層は、キャリアシート２０を除去するエッチングプロセス用の停止点として機能する。したがって保護層はエッチングプロセス中の突起１０６の除去または損傷を防止しうる。保護層は、キャリアシート２０の除去後の別の工程、例えば、保護層に特異的であるが本体１００ａまたは突起１０６を傷つけないエッチを使用して、除去されてもよい。突起の端面２８をキャリアシートに直接に（または、厚さが正確に制御された薄層及び／または層を介して間接的に）接触させることは、突起１０６の端面２８（従って使用時に突起１０６に搭載される任意の物体）と第１の層２２の上面との距離の正確な制御を容易にする。

代替的な実施の形態においては、突起１０６は、くぼみ２５の深さより短くなっている。この構成の結果、本体１００ａとキャリアシート２０との隙間が結合後に非常に小さい。小さい隙間を実現することは、本体１００ａが非導電性であり及び／または平滑な表面を有する場合に望まれるかもしれない。

図１４は、接着層３２を介して複合構造に取り付けられた本体１００ａを示す。

図１５は、図１４の構成における複合構造からキャリアシート２０を除去することによって形成された物体ホルダ１００を示す。キャリアシート２０の除去によって、本体１００ａに取り付けられた（図示の例では第１の層２２からなる）層状構造が残され、突起１０６が層状構造を越えて突き出しており、よって物体（例えば基板Ｗ）を支持するよう利用可能である。

ある実施の形態においては、キャリアシート２０は、背面研削または研磨、及び／またはウエットまたはドライエッチングによって除去される。例えば、背面研削または研磨は、除去プロセスの大半のために行われ、最後の約１００ミクロンがドライエッチングにより除去されてもよい。第１の層２２は、そのエッチ用の停止層として機能する（すなわち、エッチはキャリアシート２０の材料を除去するが第１の層２２には効果がまったくないか最小である）。この手法は例えばキャリアシート２０がシリコンウェーハを備える場合に適する。

代替的な実施の形態においては、第１の層２２は、有機膜例えばポリイミドを備える。キャリアシート２０の除去は、有機膜のレーザ露光によって実現され、これにより有機膜は分解される。分解によりガスが生成されキャリアシートが複合構造から取り除かれる。こうした実施の形態のキャリアシート２０は例えばガラスを備えてもよい。この手法は、第１の層が酸化シリコンを備えキャリアシートがエッチングにより除去される実施の形態に比べていくつか欠点がある。１つの欠点は、キャリアシート上に追加の層を形成するための最高のプロセス温度が有機膜の存在によって制限されることである。ほとんどの有機膜は高温で損傷される。典型的に、有機膜の存在は処理の最高温度を摂氏約３００から４００度までに制限する。第１の層が酸化シリコンである場合には、最高プロセス温度は、形成される追加の層の性質によって制限されるにすぎない。

ＵＳ２００７−０２１０３１３Ａ１は、アモルファスシリコン層に形成された有機層を通じてアモルファスシリコン層にレーザを照射し有機層を除去することによって形成された多結晶シリコン層を含む薄膜トランジスタを製造する方法を開示しており、その全体を本書に援用する。ＵＳ２０１１−０２２７０８６は、あるレーザ除去プロセスを使用する別の製造方法を開示しており、その全体を本書に援用する。

図１６は、物体（例えば基板ＷまたはパターニングデバイスＭＡ）を支持する図１５の物体ホルダ１００を示す。物体と第１の層２２の外面４５との間隔３５は、くぼみ２５がキャリアシート２０へと延びていた深さによって定められる。ある実施の形態においては、深さは約１０ミクロンである。深さを卓越した正確さ及び均一性をもって制御することができるので、間隔３５の精確な制御と高い平行度の実現が保証される。キャリアシート２０がシリコンウェーハを備える場合、例えば、エッチングは典型的にウェーハ上で５％未満の深さ偏差を実現することができる。

基板ホルダ１００の本体１００ａと異なるキャリアシート２０上に第１の層２２を形成することは、第１の層２２の正確な形成を容易にする。例えば、第１の層２２の厚さは、本体１００ａに同様の層を直接成膜することによって典型的に実現可能であるものに比べて、より高度に精密に及び／またはより高度に均一に（例えば、キャリアシート２０とより平行に、従って取り付け後の本体１００ａとより平行に）制御することができる。例えば、突起１０６の存在は本体１００ａへの正確な直接の成膜を妨げうる。第１の層２２がキャリアシート２０の酸化により形成される場合、成膜ベースの代替手段に対する酸化物成長の優位性によって、改善された正確さが実現されうる。本説明の導入部で述べたように、例えば、成膜技術は、ピンホール欠陥などの成膜層内の欠陥、応力およびクラックをもたらす傾向がある。酸化により形成された層はこうした欠陥が低水準でありうる。

第１の層２２がシリコンウェーハの熱酸化により形成された熱ＳｉＯ_２である場合、例えば、成膜により形成された酸化シリコン層に対し様々な改善が見られる。ピンホール欠陥が熱ＳｉＯ_２層において減少し又は回避される。酸素含有量が熱ＳｉＯ_２層においてより均一である。例えば深さによる酸素含有量の変動が小さくなる。熱ＳｉＯ_２層における酸素含有量はふつう、成膜層における酸素含有量より少ない。様々な酸化状態の範囲をもつ代わりに、熱ＳｉＯ_２層における酸化状態は、唯一の種類の酸化物および飽和結合の存在（ＳｉＯ_２）を反映して、顕著に一定である。熱ＳｉＯ_２層においては密度がより高くより均一である結果、内部応力は低く、クラックは低減され、高強度である。また、強度は熱ＳｉＯ_２層においてより均一な傾向にある。よって熱ＳｉＯ_２層は一般に、より強く、機械的により信頼でき、より高度の耐久性及び／またはより長い寿命をもたらす。電圧破壊強度は熱ＳｉＯ_２層において成膜層に対し顕著に増加される。上記の特性のうち１つ以上を検出することは、所与の層が熱ＳｉＯ_２層であるか、または（成膜のような）別のプロセスにより形成された酸化シリコン層であるかを検出するために容易に使用されうる。例えば、層の強度を試験し及び／または層の強度を既知の熱ＳｉＯ_２層または既知の成膜酸化シリコン層の強度と比較する装置が使用されてもよい。例えば、層の上下に電位差を印加し（例えば層の抵抗率を測定することによって）電気的破壊を監視する装置が、電圧破壊強度を決定するために使用されてもよい。

熱ＳｉＯ_２層の電圧破壊強度は成膜酸化シリコン層より顕著に高い。典型的に、熱ＳｉＯ_２層は１０００Ｖ／ミクロンを超える電圧破壊強度を有し、これは成膜酸化シリコン層よりかなり高い。この高い電圧破壊強度は、静電クランプ用の非常に薄い絶縁層を形成することを可能とし、従って、必要な動作電圧が約１ｋＶに減少する。酸化シリコンを成膜することにより形成された絶縁層については動作電圧が典型的に約３ｋＶである必要がある。したがって、静電クランプを備える物体ホルダにおいて例えば、層状構造が電気絶縁層として機能するよう構成される熱ＳｉＯ_２層を備える実施の形態が提供される。

図１０から図１６を参照して説明した実施の形態においては、層状構造は、本体１００ａへの接続前にキャリアシート２０上に単一の層２２のみを備える。これが適当でありうるのは例えば、層２２が静電クランプ用の絶縁層として使用され層と本体１００ａとの間に静電クランプの電極が設けられる必要がない場合である（例えば、本体１００ａそれ自身の内部に電極が設けられるからである）。こうした実施の形態の一例においては、単一の層２２は熱ＳｉＯ_２層から形成され、これは上述のように、絶縁層としてとくに有効である。他の実施の形態においては、層状構造は、１つ以上の更なる層の積層物を備え、これらは本体１００ａへの複合構造の取付前にキャリアシート２０上に形成されてもよい。図１７は、こうした実施の形態の１つを示し、積層物は、第１の更なる層３４、第２の更なる層３５、および第３の更なる層３６を備える。１つ以上の更なる層の積層物の形成後に、図１２から図１６を参照して説明した方法の工程に従って複合構造が処理されてもよい。複数のくぼみ２５が例えば、キャリアシート２０へと積層物３４−３６及び第１の層２２を貫通して（すなわち層状構造の全体を貫通して）形成されていてもよい。そして、複合構造は接着層３２を介して本体１００ａに取り付けられ、キャリアシート２０が突起１０６及び第１の層２２を露出するよう除去される。その後、物体（例えば基板ＷまたはパターニングデバイスＭＡ）が突起１０６に装着されることができる（図１８参照）。

ある実施の形態においては、層状構造は、１つ以上の電気的に機能する構成要素を（例えば積層物３４−３６内に）備える。例えば、層状構造は、ヒータ、センサ、または静電クランプ用の電極を備えてもよい。センサは、例えば基板Ｗの温度を制御するために１つ以上の抵抗ヒータとともに使用される温度センサであってもよい。

キャリアシート２０上に電気的に機能する構成要素を形成することは、基板ホルダ１００の本体１００ａに構成要素を取り付ける前に構成要素を試験することを可能にする。基板ホルダ１００の本体１００ａに構成要素を移した後の期待はずれの性能による歩留まり低下はこれにより低減されうる。

ある実施の形態においては、積層物の第１の更なる層３４は、金属伝導経路例えば配線を備える。よって第１の更なる層３４は、連続的なスラブ状の（例えば平面的な）層でなくてもよい。線は、フォトリソグラフィおよびエッチングに続く金属成膜によって、または、金属成膜またはリフトオフに続くフォトリソグラフィによって、形成されてもよい。金属線は望ましくは２０μｍより太い幅をもつ。金属線の最大の幅は、それらの機能および利用可能なスペースにより定まるが、数十ミリメートルでありうる。金属線を形成する他の方法も使用可能である。ヒータ及び／またはセンサの場合、太い金属線（例えば約１５００μｍ）が加熱素子として使用され、細い金属線（例えば約１００μｍ）がセンサ素子として使用されることができる。静電クランプの電極については、互いにおよそ５００μｍ隔てられ二分された連続金属層（ただし突起１０６の端面２８から絶縁されている）が、静電クランプの正負の素子を形成するよう成膜されてもよい。金属線は望ましくは約２０ｎｍより大きい層厚を有し、望ましくは約４０ｎｍより大きい層厚を有する。金属線は望ましくは約１μｍ以下、望ましくは約５００ｎｍ未満、望ましくは約２００ｎｍ未満の層厚を有する。第１の層２２は、電気絶縁層として機能してもよい。

ヒータ及び／またはセンサの作成のために、パターニングされた金属線は、多数の金属層例えばチタン（Ｔｉ）および白金（Ｐｔ）、Ｔｉ−Ｐｔから成っていてもよい。ある実施の形態においては、線は、１つ以上の薄膜層に存在するおよそ２５０ｎｍの厚さの白金の接着を改善するために１０ｎｍの重畳した厚さをもつ１つ以上のチタン層を有する。各金属線は変動する幅を有しうる。金属例えばＴｉ／Ｐｔのパターニングは、１つ以上のフォトレジスト成膜工程、金属膜の成膜のためのＰＶＤ、およびリフトオフプロセス（これにより例えばフォトレジストが存在する領域からフォトレジストが除去され、フォトレジストの除去によってフォトレジスト上に存在する金属もすべてリフトオフされ除去される）の組み合わせを使用して実現されてもよい。ヒータ単独については、太いクロム（Ｃｒ）線（〜１５００μｍ）がＣｒ膜の成膜（ＰＶＤ）によって成膜されてもよい。ヒータのパターンは、フォトリソグラフィマスクを使用する選択的クロムエッチングによって形成されてもよい。静電クランプの金属電極は、アルミニウム、クロム、またはその他の任意の導電材料から成っていてもよい。金属電極はＰＶＤまたはスパッタリングによって形成されてもよい。これら金属の任意の適当な組み合わせの合金が使用されてもよい。

第１の層２２は、電気絶縁層として機能するよう構成され、例えば第１の更なる層３４における成膜金属線を上方から絶縁してもよい。それに代えて又はそれとともに、第１の層２２は、金属線をパーティクルの堆積、剥離、および酸化から保護するよう構成されていてもよい。第２の更なる層３５は、第１の更なる層３４を本体１００ａから絶縁するために設けられていてもよい。ヒータまたはセンサについては、第２の更なる層３５は、ＢＣＢ（ダウケミカル）及び／またはＮＮ１２０（デュポン）のスプレーコーティングにより成膜され、またはＳｉＯｘ、またはスプレーされた層とＳｉＯｘの組み合わせであってもよい。第３の更なる層３６はスペーサ層として機能してもよい。

ある実施の形態においては、第２の更なる層３５は、ＣＶＤを使用して成膜されたＳｉＯｘ層を備える。第２の更なる層３５の厚さは、例えば約０．５ミクロンから約１０ミクロンの間であってもよい。ある実施の形態においては、第３の更なる層３６はポリイミドを備える。第３の更なる層３６は、約５から５０ミクロンの間の厚さであってもよい。この実施の形態においては、くぼみ２５は次のように層３４−３６を貫通してキャリアシート２０へと形成される。第３の更なる（ポリイミド）層３６がハードマスクを使用する反応性イオンエッチングによりパターニングされる。代替的な実施の形態においては、感光性ポリイミドが使用されそれによりパターニングされる。続いて、層３６下方の第２の更なる（ＳｉＯｘ）層３５および第１の層２２が、任意選択として反応性イオンエッチングにより、エッチングされる。典型的に、第１の更なる層３４は電気的に機能する構成要素を定めるので連続層ではなく、くぼみ２５が形成されるべき場所に存在しない。最後の工程においては、くぼみ２５が深掘り反応性イオンエッチングを使用して（シリコンウェーハでありうる）キャリアシート２０へと延長される。こうしたプロセス後の状態が図１７に示されている。

ある実施の形態においては、接着層３２が選択された領域で除去されており、その上に形成される第１の層２２および任意の更なる層３４−３６が当該選択された領域で本体１００ａに対し曲げられてもよい。

図１９は、例示的な実施の形態に係る突起１０６の端面２８を見下ろす物体ホルダ１００の上面図である。図２０は、Ｘ−Ｘ線に沿う側断面図である。導体線４６および接触パッド４２を備える例示的な回路パターンが更なる層３４に形成されており、図１９に破線で示されている。図示される具体例においては、導体線４６が第１の層２２に覆われ、接触パッド４２は露出されている（第１の層２２に覆われていない）。接着層３２は、矢印３９で指し示されるように本構成の右側でＡ点より上側にて、第１の層２２および更なる層３４−３６の下方の選択された領域から除去されている。接着層の除去は、第１の層２２および更なる層が当該選択された領域において曲がることを可能にする。貫通孔３８が本体１００ａに設けられており、それを通じて第１の層２２および更なる層が物体ホルダ１００の物体側（図１９に示される側であり、たいてい物体ホルダ１００の上側と呼ばれる）から反対側（または下側）へと送給されることが可能である。図示される具体例においては、図の右側でＸ−Ｘ線より上方の、図中で４４と表す長さに相当する第１の層２２および更なる層の部分が貫通孔３８へと送給されることができる。この構成は、露出された接触パッド４２に物体ホルダ１００の下側から電気接続を容易につなぐことを可能にする。物体ホルダ１００の下側から接続することが便利でありうるのは、多くの状況で空間及び／または上方からのアクセスが制限されているからである（例えば、物体ホルダが基板ホルダの場合）。柔軟な層の使用は、例えば物体ホルダ（例えば基板ホルダ）における穴を通じて剛性接触パッドに直接接触させるのに比べて、信頼性を向上する。そうした接触パッドは典型的に、信頼性を実現するには脆すぎる。また、柔軟層に接触させることは一般に、剛体接触パッドに接触させることより容易であるから、より容易に接触を実現することができる。接触を実現するのがより容易であることは、多数の接点が作られるべき状況で、とりわけ重要である。多数の接点が作られるべき例示的な状況は、それら接点が計測または駆動電子機器に関連する場合である。

ある実施の形態においては、柔軟層は薄型の柔軟基板例えばポリイミド柔軟箔のように振る舞いうる。これは標準的な種々の方法で接続されることができる。例えば、柔軟基板は、補強板及び／または作られる接点に、（１）はんだ、（２）クランピングコネクタ（例えばジフ（zif）コネクタ）、（３）ワイヤボンド、及び／または、（４）導電性接着剤を使用して、接続されてもよい。

上述の例においては、キャリアシート２０上の第１の層２２を物体ホルダ（例えば基板ホルダ）１００の本体１００ａに接続するプロセスが、本体１００ａから一体的に延出する突起１０６を有する物体ホルダの本体１００ａとの関連で行われる。代替的な実施の形態においては、当該プロセスは、そうした突起を備えない物体ホルダとの関連で行われる。例示的なプロセスが図２１から図２３に示される。

図２１は、一体的な突起を備えない物体ホルダ（例えば基板ホルダまたはパターニングデバイスホルダ）本体４８への複合構造２０、２２の接続を示す。本体４８は、例えばＡｌＮを備えてもよい。図示される例においては、本体４８は、上面で実質的に平坦である。複合構造は、上下両側に第１の層２２をもつキャリアシート２０を備える。この例においては、第１の層２２は、キャリアシート２０の酸化によって形成されている（例えば、キャリアシートがシリコンウェーハである場合、熱ＳｉＯ_２を形成する）。キャリアシート２０の上側に形成される第１の層２２はこの具体的な実施の形態においては使用されないが、キャリアシート２０の両側を酸化することは一方側だけをそうするよりも容易でありうる。他の実施の形態においては、キャリアシート２０の下側のみが酸化される。本体４８は上面に接着層３２を備える。この例においては、本体４８は、本体４８にベークされた電極層５０をさらに備える。電極層５０は、物体ホルダに対し物体を固定するための静電クランプにおける使用のための電極を備える。図２２は、接着層３２を介して接続された複合構造２０、２２および本体４８を示す。図２３は、接着層３２上に第１の層２２を残すようキャリアシート２０（および上側の第１の層２２）を取り除き、それから第１の層２２の上に突起５２を形成することによって形成された物体ホルダを示す。突起５２は、例えば物体ホルダ上で物体を支持するよう構成されていてもよい。ある実施の形態においては、突起５２は、ＳｉＣを備える。

図２４は、図２１から図２３のプロセスをホルダの上下両側に繰り返し用いて物体ホルダ本体４８の上下両側に第１の層２２が形成された更なる実施の形態を示す。２つのキャリアシート２０が、１つは本体４８の上面に第１の層２２を取り付けるために、１つは底面に第１の層２２を取り付けるために、使用される。この例においては、２つの電極層５０、５４が設けられている。電極層５０は、物体Ｗを物体ホルダに静電的に固定するよう構成され、電極層５４は、物体ホルダを、物体テーブルとも呼ばれる物体ホルダ用の支持構造に静電的に固定するよう構成されている。物体テーブルは例えば、基板ホルダを支持するための基板テーブルＷＴであってもよい。物体テーブルは例えば、パターニングデバイスホルダを支持するための支持構造ＭＴであってもよい。

上記に説明したいずれの方法においても、物体ホルダ上に層状構造を形成する工程は、多数の層状構造を形成するよう必要に応じて繰り返されてもよい。例えば、多数の異なる層状構造の組み合わせによって形成される、断面において種々の高さの突起を備える物体ホルダが提供されてもよい。種々の高さの突起は例えば、（平面図で）尾根部のような様々なフィーチャを形成し、または、スペーサとして機能してもよい。種々の層状構造が種々の使用法を有しうる種々の電気的に機能する構成要素（例えば電気回路）を備えてもよい。ある実施の形態においては、最も高い突起が物体ホルダ上に物体（例えば基板）を支持するバールとして使用されてもよい。

本書の導入部で説明したように、基板またはパターニングデバイス等の物体を保持するための突起（バール）に電気接続された接地層を設けることが知られている。公知の構成ではこれが比較的厚いＣｒＮ層を成膜することによって行われている。そして成膜層が接地層を形成するようパターニングされる。パターンは、突起の遠位端を接続する一連の配線を備えてもよい。このようなパターンは、「マンハッタン」パターンと呼ばれることもある。ＣｒＮの粗さが突起への物体の付着を避けるために増加されてもよい。これは例えばイオンビームフィギュアリング・ウエットエッチングプロセスを用いて実現されうる。

図２５は、この形式の例示的な構成を示す。物体ホルダが用意される。物体ホルダはその基面６５から突き出す複数の突起５２を備え、各突起５２は、基面６５上の近位端と、遠位端６６と、を有する。遠位端６６は、基面６５から最も遠い端である。物体ホルダによって突起５２に対し支持される物体（例えば基板またはパターニングデバイス）を静電的に固定する電極５０が設けられている。物体は突起５２の遠位端６６に接触して保持される。それに代えて又はそれとともに、物体ホルダを支持するよう適応された物体テーブル（例えば、基板テーブル、またはパターニングデバイス用支持構造）に物体ホルダを静電的に固定する電極が設けられていてもよい。物体テーブルは突起５２の遠位端６６に接触して保持される。２つ以上の突起５２（任意選択としてすべての突起）をグランドまたは共通電位に電気的に接続する接地層６０が設けられている。突起５２下方で本体４８上に誘電体層６２が設けられていてもよい。図２５の構成においては、接地層６０は、突起５２の遠位端６６上および誘電体層６２上に設けられている。上述のように、接地層６０は、遠位端６６を接続するよう、例えば「マンハッタン」配線パターンに、パターニングされていてもよい。

図２５の構成においては、突起５２の遠位端を覆う接地層６０は、物体ホルダにより支持される物体または物体ホルダを支持している物体テーブルに使用時に直に接触する。したがって接地層６０は、物体ホルダを使用する物体の「循環」（すなわち、反復的な物体操作の手順）を原因とする摩耗に抵抗性をもたなければならない。また、接地層６０は、突起５２の遠位端６６に直接作用するその他のプロセスを原因とする摩耗にも抵抗性を有するべきでありうる。例えば、アブレーション及び／または化学物質を使用する清掃運転が遠位端６６に作用しうる。また、接地層６０は、遠位端６６への物体または物体テーブルの付着を防止するための粗化処理に耐えるべきでありうる。例えば、イオンビームフィギュアリング・ウエットエッチングプロセスが使用される場合、接地層６０はこのプロセスに耐えられる必要がある。これらの要求は、接地層６０に使用可能な材料の範囲を制限する。これにより材料が次善のものとなりうる。また、接地層６０は、粗化処理に適合するように、及び／または、平坦度の調整を可能とするように（例えば、遠位端６６がすべて同一平面にあるよう突起５２を調整するために）、十分に厚さをもつ必要がありうる。厚さが大きいほど、剥離（接地層の分離）の可能性が高くなり、及び／または接地層の製造が複雑となりうる。

ある実施の形態においては、接地層６０によってグランドまたは共通電位に接続される複数の突起５２のうち少なくとも１つと誘電体層６２との間にある部分６７を接地層６０が備えるように接地層６０を形成することによって、上記の問題の１つ以上に対処する。こうした構成の例が図２６および図２７に示される。このようにして、電気接続が上ではなく下から突起５２になされる。この又は任意の実施の形態においては、突起５２は、好ましくは、突起５２の高さの上に等しい電位を維持するように、高い電気伝導率を有する材料例えば金属材料から形成される。このようにして、接地層６０と突起５２の下部との電気接続が突起５２の遠位端６６を接地するのにも有効である。したがって、突起の遠位端６６上に接地層６０を設けることはもはや何ら必要ではない。接地層６０が遠位端６６に存在しなければ、図２５のような構成に必要とされるのと同じレベルの耐摩耗性はもはや不要である。さらに、物体または物体テーブルはもはや接地層６０の材料と直接接触しないから、物体または物体テーブルの付着防止のための接地層６０の粗化をもはや実行する必要がない。そのため、粗化処理に耐えられるとの要求によって材料の選択が制約されることはもはやない。例えば、材料がイオンビームフィギュアリング・ウエットエッチングプロセスに耐える必要はもはやない。さらに、こうした粗化プロセスを接地層６０に実行する必要はもはやない。したがって接地層６０の製造が簡単になる。接地層６０が粗化処理に適合する必要はないし、突起の高さを調整することにより平坦度を調整するために接地層の厚さが使用されることもないので、厚さの大きい接地層はもはや必要ない。よって接地層６０を薄くすることができるので、接地層６０が剥離する可能性が小さくなる。剥離の可能性が減ることにより、信頼性及び／または製造歩留まりが向上されうる。

図２６は、誘電体層６２および突起５２の上に成膜された接地層６０に代えて接地層６０が誘電体層６２の上にあるが突起５２の下にある層として形成されたことを除いて、図２５の構成と同一である例示的な実施の形態を示す。こうした構造は、例えば、突起５２の前に接地層６０を形成することによって製造されてもよい。それから突起５２が接地層６０の上に形成される。したがって接地層６０は、接地層６０の部分６７が（基面６５に垂直に見て）誘電体層６２と複数の突起５２のうち少なくとも１つ（任意選択としてすべて）との間にあるように形成される。誘電体層６２と突起５２との間にある接地層６０の部分６７は、接地層６０と突起５２との間に良好な電気接続を与えることができる。

図２７は、代替的な実施の形態を示す。この実施の形態は、「保護層」６４とも呼ばれる追加の層６４が接地層６０の上に形成されることを除いて、図２６を参照して上述した実施の形態と同様である。ある実施の形態においては、保護層６４は誘電体である。この実施の形態においては、保護層６４は、突起５２の下方に部分的に延在する。他の実施の形態においては、保護層６４は、一部の突起５２の下方に（部分的にまたは完全に）延在するだけでもよいし、または、どの突起５２の下方にも延在しなくてもよい。こうした実施の形態においては、保護層６４は、保護層６４が下方に延在しない１つ以上の突起５２の側方境界で終了してもよい。ある実施の形態においては、導電性材料６８が、１つ以上の突起５２の真下で保護層６４内の開口に、接地層６０と突起５２との電気接続を与えるために設けられる。ある実施の形態においては、図２７の構造は、第１工程で接地層６０を形成することによって製造される。第２工程では保護層６４が形成され、これは突起５２が想定される場所に開口をもつ。それから導電性材料６８が第３工程で開口に形成される。最後に、突起５２が第４工程で開口６８における導電性材料の上に形成される。ある実施の形態においては、導電性材料は接地層６０と同じ材料で形成される。

ある実施の形態においては、接地層６０は、１ミクロン未満の、好ましくは０．５ミクロン未満の、好ましくは０．３ミクロン未満の、好ましくは０．２ミクロン未満の厚さで設けられる。

図２６および図２７を参照して述べた実施の形態においては、接地層６０が本体に直に隣接する誘電体層６２上に形成されるものと説明されている。しかし、他の構成も可能である。接地層６０は、例えば誘電体ではない構造上に形成されてもよい。それに代えて又はそれとともに、多層構造が本体４８と接地層６０との間に設けられてもよい。例えば、図９から図２４を参照して説明した層状構造のいずれかが、本体４８と接地層６０との間に設けられてもよい。図９から図２４を参照して説明した層状構造を設ける１つ以上の方法のいずれかが、本体４８上に層状構造を設けるために使用されてもよい。

図２６および図２７を参照して述べた実施の形態においては、接地層６０の形成後に突起５２が形成された。しかし、これは必須ではない。他の実施の形態においては、突起は接地層６０の形成前に形成される。例えば、突起５２は凹部をエッチングすることによって形成されてもよい。例えば、突起５２は、本体４８の材料に凹部をエッチングすることによって形成されてもよい。したがって突起５２は、本体４８と一体でもよいし、一体でなくてもよい。

接地層６０および突起５２用の例示的な材料が以下に説明される。

ある実施の形態においては、接地層６０は、ＣｒまたはＣｒＮで形成される。接地層の厚さは、好ましくは０．１ミクロンから１ミクロンの間であってもよい。ある実施の形態においては、接地層は、ＳｉＯ_２層（「誘電体層」の例である）に接着される。

ある実施の形態においては、突起５２の遠位端６６は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＳｉＣ、またはＣｒＮ、またはこれら材料の任意の組み合わせで形成される（または被覆される）。ある実施の形態においては、突起は、（接地面の平面に垂直な方向に）約１０ミクロンの高さを有する。

接地層６０は、（開口または隙間を有しない）連続層であってもよいし、または、（例えばいわゆる「マンハッタン」パターンと同様に）パターニングされていてもよい。接地層６０は、接地層の実質的にすべての部分が同一平面にあるように設けられてもよいし、または、接地層６０は、接地層６０の異なる部分が異なる平面に設けられるように設けられてもよい。

上述のいずれかの特徴は他のいずれかの特徴とともに使用可能であり、本願に含まれる明示的に説明されたそれらの組み合わせのみではないものと理解されたい。

本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、ここに説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど、マイクロスケールの、またはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造におけるその他の用途も有しうるものと理解されたい。当業者であればこうした代替の用途の文脈において、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語の使用はそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理ツールにも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを生成するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は多数の処理済みの層を既に含む基板をも意味しうる。

また、本明細書における「放射」及び「ビーム」なる用語は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、１３．５ｎｍ、または６．５ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射および極紫外（ＥＵＶ）放射を含むあらゆる電磁放射を包含する。

「レンズ」なる用語は文脈が許す限り、屈折光学部品および反射光学部品を含む各種の光学部品のいずれかまたは任意の組合せを指し示してもよい。

本発明の具体的な実施の形態が上述されたが、本発明は少なくとも装置を運転する方法の形式で、説明したもの以外に実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は少なくとも装置を運転する方法の形式で、上記に開示した装置を運転する方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つ以上のシーケンスを含む１つ以上のコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つ以上の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。

本明細書に記載のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に配置された１つ以上のコンピュータプロセッサによって１つ以上のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは各々がまたは組み合わされて、信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成を有してもよい。１つ以上のプロセッサは少なくとも１つのコントローラと通信するよう構成されている。例えば、各コントローラが上述の装置を運転する方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つ以上のプロセッサを含んでもよい。コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。そうして、コントローラは１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。

本発明は、３００ｍｍ、４５０ｍｍ、またはその他任意の大きさの直径をもつ基板に適用されうる。

本発明の１つ以上の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。特に、上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所表面領域のみに提供されてもよいし、基板及び／または基板テーブル上で非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型の構成においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面の上を流れることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。

本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。いくつかの実施の形態においては液体供給システムは投影システムと基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構、または構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、空間に液体を提供する、１つ以上の構造体、１つ以上の液体入口、１つ以上の気体入口、１つ以上の気体出口、及び／または１つ以上の液体出口の組み合わせを備えてもよい。ある実施の形態においては、空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよく、空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよいし、空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための１つ以上の要素をさらに含んでもよい。

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の特許請求の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
実施形態をいくつか挙げる。
１．リソグラフィ装置における使用のための物体ホルダを製造する方法であって、前記物体ホルダは、１つ以上の電気的に機能する構成要素を備え、前記方法は、
前記物体ホルダの本体と異なるキャリアシートと、１つ又は複数の層を備え前記キャリアシート上に形成された層状構造と、を備える複合構造を使用することと、
前記層状構造が前記キャリアシートと前記本体の表面との間にあるように前記本体の前記表面に前記複合構造を接続することと、
前記本体に接続された前記層状構造を残して前記複合構造から前記キャリアシートを取り除くことと、を備える方法。
２．前記キャリアシートは、シリコンを含む表面を備え、前記層状構造は、前記キャリアシートの前記表面を熱酸化することにより形成された第１の層を備える、実施形態１に記載の方法。
３．前記層状構造は、１つ以上の前記電気的に機能する構成要素を備える、実施形態１または２に記載の方法。
４．１つ以上の前記電気的に機能する構成要素は、前記層状構造の外部に形成される、実施形態１から３のいずれかに記載の方法。
５．前記電気的に機能する構成要素は、ヒータ、センサ、前記物体ホルダに対し物体を又は前記物体ホルダを支持するための物体テーブルに対し前記物体ホルダを静電的に保持するための電極、のうち１つ以上を備える、実施形態１から４のいずれかに記載の方法。
６．前記電極は、前記物体ホルダの前記本体内に、または、前記層状構造が前記物体ホルダに接続されるほうとは反対の前記物体ホルダの前記本体の側に、形成される、実施形態５に記載の方法。
７．物体を支持するための１つ以上の突起を前記層状構造上に形成することをさらに備え、前記突起は、前記複合構造から前記キャリアシートを取り除いた後に形成される、実施形態１から６のいずれかに記載の方法。
８．物体を支持するための前記本体の表面から複数の突起が突き出しており、前記方法は、
前記本体の前記表面に前記複合構造を接続する前に、前記キャリアシートへと前記層状構造を貫通する複数のくぼみを形成することをさらに備え、前記複数のくぼみは、前記複合構造が前記本体上に置かれるとき前記複数の突起が前記複数のくぼみと係合するよう前記複数の突起と空間的に相補する、実施形態１から７のいずれかに記載の方法。
９．前記突起の端面が前記くぼみ内で前記キャリアシートに接触する、実施形態８に記載の方法。
１０．前記複合構造は、前記複合構造と前記本体の前記表面との間に形成された接着層を介して前記本体の前記表面に接続される、実施形態１から９のいずれかに記載の方法。
１１．前記接着層は、前記複合構造と前記本体の前記表面との間の選択された領域において前記層状構造を前記本体に対し曲げられるように、前記選択された領域において除去される、実施形態１０に記載の方法。
１２．前記本体には前記選択された領域の配置に対応する貫通孔が設けられており、前記層状構造が前記選択された領域において前記貫通孔を通じて送給されることが可能であり、それによって、物体とは反対の前記本体の側から前記層状構造への電気接続がなされうる、実施形態１１に記載の方法。
１３．物体は基板であり前記物体ホルダは基板ホルダであり、または、物体はパターニングデバイスであり前記物体ホルダはパターニングデバイスホルダである、実施形態１から１２のいずれかに記載の方法。
１４．リソグラフィ装置における使用のための物体を支持するための物体ホルダであって、
本体と、
１つ以上の電気的に機能する構成要素と、
前記本体の表面上に形成された接着層と、
１つ又は複数の層を備え前記本体に前記接着層を介して接続された層状構造と、を備え、前記層状構造は、基板のシリコン表面の熱酸化により形成されたＳｉＯ _２ 層を備える物体ホルダ。
１５．前記１つ以上の電気的に機能する構成要素は、前記物体ホルダに対し物体を又は前記物体ホルダを支持するための物体テーブルに対し前記物体ホルダを静電的に固定するのに使用される電極を備える、実施形態１４に記載の物体ホルダ。
１６．前記ＳｉＯ _２ 層は、静電的に固定される要素間の電気絶縁層として機能するよう配置されている、実施形態１５に記載の物体ホルダ。
１７．物体を支持するための複数の突起をさらに備え、前記複数の突起は前記ＳｉＯ _２ 層上に設けられている、実施形態１４から１６のいずれかに記載の物体ホルダ。
１８．前記本体は、前記物体を支持するための前記本体の表面から突き出す複数の突起を備える、実施形態１４から１６のいずれかに記載の物体ホルダ。
１９．前記１つ以上の電気的に機能する構成要素は、ヒータ、センサ、前記物体ホルダに対し前記物体を又は前記物体ホルダを支持するための物体テーブルに対し前記物体ホルダを静電的に保持するための電極、のうち１つ以上を備える、実施形態１４から１８のいずれかに記載の物体ホルダ。
２０．リソグラフィ装置のための物体ホルダであって、
前記物体ホルダの基面から突き出しており、各々が前記基面に近位端を有しかつ前記基面から最遠の遠位端を有する複数の突起と、
前記物体ホルダにより支持される物体が前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体を前記突起に対し静電的に固定するように適応され、または、前記物体ホルダを支持するよう適応された物体テーブルが前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体ホルダを前記物体テーブルに静電的に固定するように適応された電極と、
グランドまたは共通電位に前記突起のうち二以上を電気的に接続するよう適応された接地層と、
誘電体層と、を備え、
前記接地層は、前記誘電体層と前記接地層によりグランドまたは前記共通電位に接続された前記複数の突起の少なくとも１つとの間にある部分を備える物体ホルダ。
２１．前記接地層は、前記接地層によりグランドまたは共通電位に接続された前記突起のうち少なくとも１つの突起の遠位端のいかなる部分も覆わないよう配設されている、実施形態２０に記載の物体ホルダ。
２２．前記物体ホルダは、保護層をさらに備え、前記接地層は、前記誘電体層と前記保護層との間に設けられ、
電気接続が、前記接地層によりグランドまたは前記共通電位に接続された前記突起の各々と前記接地層との間に前記保護層を通じて提供される、実施形態２０または２１に記載の物体ホルダ。
２３．前記接地層は、ＣｒまたはＣｒＮを備える、実施形態２０から２２のいずれかに記載の物体ホルダ。
２４．前記接地層は、１ミクロン未満の厚さを有する、実施形態２０から２３のいずれかに記載の物体ホルダ。
２５．前記物体は基板であり前記物体ホルダは基板ホルダであり、または、前記物体はパターニングデバイスであり前記物体ホルダはパターニングデバイスホルダである、実施形態１４から２４のいずれかに記載の物体ホルダ。
２６．実施形態１４から２５のいずれかに記載の物体ホルダによりパターニングデバイスを保持するためのパターニングデバイスホルダと、
前記パターニングデバイスによりパターンが付与されたビームを基板に投影するよう配設された投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
２７．パターニングデバイスによりパターンが付与されたビームを基板に投影するよう配設された投影システムと、
実施形態１４から２５のいずれかに記載の物体ホルダにより前記基板を保持するよう配設された基板ホルダと、を備えるリソグラフィ装置。
２８．リソグラフィ装置のための物体ホルダを製造する方法であって、
基面から突き出しており、各々が前記基面に近位端を有しかつ前記基面から最遠の遠位端を有する複数の突起を形成することと、
前記物体ホルダにより支持される物体が前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体を前記突起に対し静電的に固定するように適応され、または、前記物体ホルダを支持するよう適応された物体テーブルが前記突起の前記遠位端との接触を保持するよう前記物体ホルダを前記物体テーブルに静電的に固定するように適応された電極を形成することと、
グランドまたは共通電位に前記突起のうち二以上を電気的に接続するよう適応された接地層を形成することと、
誘電体層を形成することと、を備え、
前記接地層は、前記誘電体層と前記接地層によりグランドまたは前記共通電位に接続された前記複数の突起の少なくとも１つとの間にある部分を備えるよう形成される方法。
２９．前記接地層は、前記複数の突起の前に形成される、実施形態２８に記載の方法。
３０．リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
パターニングデバイスホルダにパターニングデバイスを保持し基板ホルダに基板を保持しつつ、パターニングデバイスによりパターンが付与されたビームを基板に投影することを備え、前記基板ホルダまたは前記パターニングデバイスホルダは、実施形態１４から２５のいずれかに記載の物体ホルダである方法。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置における使用のための物体ホルダを製造する方法であって、前記物体ホルダは、１つ以上の電気的に機能する構成要素を備え、前記方法は、
   前記物体ホルダの本体と異なるキャリアシートと、１つ又は複数の層を備え前記キャリアシート上に形成された層状構造と、を備える複合構造を使用することと、
   前記層状構造が前記キャリアシートと前記本体の表面との間にあるように前記本体の前記表面に前記複合構造を接続することと、
   前記本体に接続された前記層状構造を残して前記複合構造から前記キャリアシートを取り除くことと、を備える方法。
2. 前記キャリアシートは、シリコンを含む表面を備え、前記層状構造は、前記キャリアシートの前記表面を熱酸化することにより形成された第１の層を備える、請求項１に記載の方法。
3. 前記層状構造は、１つ以上の前記電気的に機能する構成要素を備え、及び／または、１つ以上の前記電気的に機能する構成要素は、前記層状構造の外部に形成され、及び／または、前記電気的に機能する構成要素は、ヒータ、センサ、前記物体ホルダに対し物体を又は前記物体ホルダを支持するための物体テーブルに対し前記物体ホルダを静電的に保持するための電極、のうち１つ以上を備える、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記電極は、前記物体ホルダの前記本体内に、または、前記層状構造が前記物体ホルダに接続されるほうとは反対の前記物体ホルダの前記本体の側に、形成される、請求項３に記載の方法。
5. 物体を支持するための１つ以上の突起を前記層状構造上に形成することをさらに備え、前記突起は、前記複合構造から前記キャリアシートを取り除いた後に形成される、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
6. 物体を支持するための前記本体の表面から複数の突起が突き出しており、前記方法は、
   前記本体の前記表面に前記複合構造を接続する前に、前記キャリアシートへと前記層状構造を貫通する複数のくぼみを形成することをさらに備え、前記複数のくぼみは、前記複合構造が前記本体上に置かれるとき前記複数の突起が前記複数のくぼみと係合するよう前記複数の突起と空間的に相補する、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
7. 前記突起の端面が前記くぼみ内で前記キャリアシートに接触する、請求項６に記載の方法。
8. 前記複合構造は、前記複合構造と前記本体の前記表面との間に形成された接着層を介して前記本体の前記表面に接続される、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
9. 前記接着層は、前記複合構造と前記本体の前記表面との間の選択された領域において前記層状構造を前記本体に対し曲げられるように、前記選択された領域において除去される、請求項８に記載の方法。
10. 前記本体には前記選択された領域の配置に対応する貫通孔が設けられており、前記層状構造が前記選択された領域において前記貫通孔を通じて送給されることが可能であり、それによって、物体とは反対の前記本体の側から前記層状構造への電気接続がなされうる、請求項９に記載の方法。
11. リソグラフィ装置における使用のための物体を支持するための物体ホルダであって、
    本体と、
    １つ以上の電気的に機能する構成要素と、
    前記本体の表面上に形成された接着層と、
    １つ又は複数の層を備え前記本体に前記接着層を介して接続された層状構造であって、基板のシリコン表面の熱酸化により形成されたＳｉＯ_２層を備える層状構造と、
    前記物体を支持するための前記本体の表面から前記層状構造を越えて突き出す複数の突起と、を備え、
    前記ＳｉＯ _２ 層と前記複数の突起の端面とが前記接着層に対し同じ側に配置されている物体ホルダ。
12. 前記１つ以上の電気的に機能する構成要素は、前記物体ホルダに対し物体を又は前記物体ホルダを支持するための物体テーブルに対し前記物体ホルダを静電的に固定するのに使用される電極を備える、請求項１１に記載の物体ホルダ。
13. 前記ＳｉＯ_２層は、静電的に固定される要素間の電気絶縁層として機能するよう配置されている、請求項１２に記載の物体ホルダ。
14. 物体を支持するための複数の突起をさらに備え、前記複数の突起は前記ＳｉＯ_２層上に設けられている、請求項１１から１３のいずれかに記載の物体ホルダ。
15. 前記１つ以上の電気的に機能する構成要素は、ヒータ、センサ、前記物体ホルダに対し前記物体を又は前記物体ホルダを支持するための物体テーブルに対し前記物体ホルダを静電的に保持するための電極、のうち１つ以上を備える、請求項１１から１４のいずれかに記載の物体ホルダ。

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