JP6138113B2 - Method for manufacturing glass substrate for information recording medium, method for manufacturing magnetic disk, and carrier for grinding - Google Patents

Method for manufacturing glass substrate for information recording medium, method for manufacturing magnetic disk, and carrier for grinding Download PDF

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Description

本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、研削用キャリアに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium, a method for manufacturing a magnetic disk, and a carrier for grinding .

磁気ディスクなどの情報記録媒体は、コンピュータなどにハードディスクとして搭載される。情報記録媒体は、基板の表面上に、磁気、光、または光磁気などの性質を利用した記録層を含む磁気薄膜層が形成されて製造される。記録層が磁気ヘッドによって磁化されることによって、所定の情報が情報記録媒体に記録される。   An information recording medium such as a magnetic disk is mounted as a hard disk in a computer or the like. An information recording medium is manufactured by forming a magnetic thin film layer including a recording layer using properties such as magnetism, light, or magnetomagnetism on the surface of a substrate. As the recording layer is magnetized by the magnetic head, predetermined information is recorded on the information recording medium.

情報記録媒体は年々記録密度が向上している。それに伴い情報記録媒体に使用される基板の品質にも高い品質が要求されている。情報記録媒体用の基板としては、従来アルミニウム基板が用いられてきたが、記録密度の向上に伴い、アルミニウム基板に比較して基板表面の平滑性および強度に優れるガラス基板に徐々に置き換わりつつある。   The recording density of information recording media is improving year by year. Accordingly, high quality is required for the quality of substrates used for information recording media. Conventionally, an aluminum substrate has been used as a substrate for an information recording medium. However, as the recording density is improved, it is gradually being replaced by a glass substrate that is superior in smoothness and strength of the substrate surface as compared with an aluminum substrate.

情報記録媒体用のガラス基板の製造方法では、高い表面形状精度を確保するための研削工程／研磨工程を有している。ガラス基板の高精度な形状品質を達成するために、加工処理能力の異なるスラリーや研削／研磨パッドを効果的に組み合わせた２段階以上の研削／研磨工程が適用されている。従来のガラス基板の製造に関する技術は、たとえば特開２００７−０１５１０５号公報（特許文献１）に開示されている。   The method for producing a glass substrate for an information recording medium has a grinding / polishing step for ensuring high surface shape accuracy. In order to achieve high-precision shape quality of the glass substrate, two or more stages of grinding / polishing processes in which slurry and grinding / polishing pads having different processing capabilities are effectively combined are applied. A technique related to the manufacturing of a conventional glass substrate is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-015105 (Patent Document 1).

特開２００７−０１５１０５号公報JP 2007-015105 A

情報記録媒体として使用されるガラス基板は、一般に複数のガラス基板をキャリアに設けられた貫通保持孔に保持して、ガラス基板の研削／研磨が行なわれる。近年はコスト削減のため、研削／研磨で使用されるキャリアの一枚辺りのガラス基板数を増やす傾向がある。   A glass substrate used as an information recording medium is generally ground / polished by holding a plurality of glass substrates in through-holding holes provided in a carrier. In recent years, in order to reduce costs, there is a tendency to increase the number of glass substrates per carrier used in grinding / polishing.

また、一枚あたりの記録密度を高めるために、ガラス基板の外周側の端面近傍に至る領域にまで情報記録領域として用いるようになってきていることから、ガラス基板の外周側の端面の形状仕上げ精度も高い精度が要求されるようになってきている。   Also, in order to increase the recording density per sheet, it has come to be used as an information recording area up to the vicinity of the end face on the outer peripheral side of the glass substrate, so that the shape finish of the end face on the outer peripheral side of the glass substrate High accuracy is also demanded.

キャリアに対して、最密となるように貫通保持孔を設けると、キャリアの中心位置付近にもガラス基板を置くことになる。ガラス基板をキャリアの中心に配置すると、研削工程において、両面研削装置の駆動時に、中心に配置されたガラス基板は、研削パッドの定盤内周付近と定盤外周付近の中間にある領域（以下、中帯領域と称する。）の同じ位置を、集中的に通過する。   When the through-holding hole is provided so as to be closest to the carrier, the glass substrate is also placed near the center position of the carrier. When the glass substrate is placed at the center of the carrier, the glass substrate placed at the center in the grinding process when the double-side grinding machine is driven is a region between the inner periphery of the surface plate of the grinding pad and the outer periphery of the surface plate (hereinafter referred to as the center). , Referred to as a middle zone region)) through the same position.

ガラス基板が、研削パッドの同じ位置を集中的に通過することは、研削工程において、研削パッド上のガラス基板が通過する部分に、研削パッド（固定砥粒）の偏摩耗が生じ、研削パッドの中帯領域に断面が凹形状の段差（轍）が生じることとなる。   When the glass substrate passes through the same position of the grinding pad intensively, in the grinding process, uneven wear of the grinding pad (fixed abrasive grains) occurs in the portion where the glass substrate on the grinding pad passes, and the grinding pad A step (轍) having a concave cross section is generated in the middle belt region.

研削パッドに段差が生じると、この段差に起因する研削傷(スクラッチ)がガラス基板の表面に入りやすくなる。また、この研削傷を取り除くために、後の研磨工程において長時間の加工が(大きな取代量)必要となる。しかし、後の研磨工程、特に最終研磨工程（精密研磨）では低硬度の研磨パッドが使用されることが多く、最終研磨工程が長時間になると、ガラス基板の端面形状が悪化する。   When a level difference occurs in the grinding pad, grinding scratches (scratches) due to the level difference easily enter the surface of the glass substrate. Further, in order to remove the grinding flaws, a long processing time (a large machining allowance) is required in the subsequent polishing process. However, in the subsequent polishing process, particularly the final polishing process (precision polishing), a low-hardness polishing pad is often used, and when the final polishing process takes a long time, the end face shape of the glass substrate deteriorates.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、両面研削装置を用いた研削工程において、研削パッドに段差が生じることを抑制することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、研削用キャリアを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and in a grinding process using a double-side grinding apparatus, a method for producing a glass substrate for an information recording medium capable of suppressing the occurrence of a step in a grinding pad, and magnetic It is an object of the present invention to provide a disk manufacturing method and a grinding carrier .

この発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、円形ディスク形状のガラス基板の主表面に磁気薄膜層が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて上記ガラス基板の主表面を、水、研削液または潤滑液を供給しながら研削する表面研削工程を有する。   The method for manufacturing a glass substrate for information recording medium according to the present invention is a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium in which a magnetic thin film layer is formed on the main surface of a circular disk-shaped glass substrate, comprising a planetary gear mechanism. And a surface grinding step of grinding the main surface of the glass substrate while supplying water, a grinding liquid or a lubricating liquid.

上記両面研削装置は、上記ガラス基板の上側に位置し、上記ガラス基板側に上側研削パッドを有する上定盤と、上記ガラス基板の下側に位置し、上記ガラス基板側に下側研削パッドを有する下定盤と、上記ガラス基板を保持する貫通保持孔が複数設けられ、上記上定盤と上記下定盤との間に配置されるとともに、上記遊星歯車機構により所定の回転運動を行なう円盤状のキャリアとを備える。 The double-side grinding apparatus is located on the upper side of the glass substrate, has an upper surface plate having an upper grinding pad on the glass substrate side, and is located on the lower side of the glass substrate, and has a lower grinding pad on the glass substrate side. a lower platen having a through holding hole for holding the glass substrate is provided with a plurality, disposed between the upper plate and the lower plate Rutotomoni, discoid performing predetermined rotational motion by the planetary gear mechanism With a carrier.

上記貫通保持孔は、上記キャリアの中心位置の近傍に配置される一つの第１貫通保持孔と、上記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される複数の第２貫通保持孔とを有する。   The through-holding hole has one first through-holding hole arranged in the vicinity of the center position of the carrier and a plurality of second through-holding holes arranged annularly around the first through-holding hole. .

上記第１貫通保持孔の中心位置は、上記ガラス基板の直径をＤｍｍとし、上記キャリアの中心位置から上記第１貫通保持孔の中心位置までの距離をｒｍｍとした場合に、［（Ｄ／４）≦ｒ≦（Ｄ／２）］の関係式を満足する位置に設けられる。   The center position of the first through-holding hole is [(D / 4) when the diameter of the glass substrate is Dmm and the distance from the center position of the carrier to the center position of the first through-holding hole is rmm. ) ≦ r ≦ (D / 2)].

他の形態においては、上記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される上記第２貫通保持孔よりも、上記キャリアの半径方向の内側の位置において、上記貫通保持孔よりも直径が小さい補助貫通孔をさらに有する。   In another embodiment, the auxiliary is smaller in diameter than the through-holding hole at a position radially inward of the carrier than the second through-holding hole arranged annularly around the first through-holding hole. It further has a through hole.

この発明に基づいた磁気ディスクの製造方法においては、上述のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られた上記情報記録媒体用ガラス基板の表面に少なくとも磁性層を含む薄膜を形成する。
この発明に基づいた研削用キャリアにおいては、円形ディスク形状のガラス基板を研削する遊星歯車機構を備えた両面研削装置に用いられる円盤状の研削用キャリアであって、上記ガラス基板を保持する貫通保持孔が複数設けられ、上記貫通保持孔は、上記キャリアの中心位置の近傍に配置される一つの第１貫通保持孔と、上記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される複数の第２貫通保持孔と、を有し、上記第１貫通保持孔の中心位置は、上記ガラス基板の直径をＤｍｍとし、上記キャリアの中心位置から上記第１貫通保持孔の中心位置までの距離をｒｍｍとした場合に、［（Ｄ／４）≦ｒ≦（Ｄ／２）］の関係式を満足する位置に設けられる。上記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される上記第２貫通保持孔よりも、上記キャリアの半径方向の内側の位置において、上記貫通保持孔よりも直径が小さい補助貫通孔をさらに有し、上記補助貫通孔は、上記キャリアの重心位置が上記キャリアの中心位置となるように設けられている。 In the method for manufacturing a magnetic disk based on the present invention, a thin film including at least a magnetic layer is formed on the surface of the glass substrate for information recording medium obtained by the method for manufacturing a glass substrate for information recording medium described above. Form.
The grinding carrier according to the present invention is a disc-shaped grinding carrier used in a double-side grinding apparatus equipped with a planetary gear mechanism for grinding a circular disk-shaped glass substrate, and holds through the glass substrate. A plurality of holes are provided, and the through-holding holes include one first through-holding hole disposed in the vicinity of the center position of the carrier and a plurality of second through-holes disposed around the first through-holding hole. And the center position of the first through-holding hole is Dmm as the diameter of the glass substrate, and the distance from the center position of the carrier to the center position of the first through-holding hole is rmm. In this case, it is provided at a position satisfying the relational expression [(D / 4) ≦ r ≦ (D / 2)]. An auxiliary through-hole having a smaller diameter than the through-holding hole is further provided at a position radially inside the carrier than the second through-holding hole disposed in an annular shape around the first through-holding hole. The auxiliary through hole is provided such that the center of gravity of the carrier is the center position of the carrier.

本発明によれば、両面研削装置を用いた研削工程において、研削パッドに段差が生じることを抑制することが可能な、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、および、研削用キャリアを提供することを可能する。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the glass substrate for information recording media, the manufacturing method of a magnetic disc, and grinding which can suppress that a level | step difference arises in a grinding pad in the grinding process using a double-sided grinding apparatus. It is possible to provide a carrier for.

実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the glass substrate obtained by the manufacturing method of the glass substrate in embodiment. 実施の形態におけるガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板を備えた磁気ディスクを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the magnetic disc provided with the glass substrate obtained by the manufacturing method of the glass substrate in embodiment. 実施の形態におけるガラス基板の製造方法を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the manufacturing method of the glass substrate in embodiment. 研削工程に用いられる両面研削装置の部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view of the double-sided grinding apparatus used for a grinding process. 実施の形態におけるキャリアを示す平面図である。It is a top view which shows the carrier in embodiment. 実施の形態におけるキャリアの寸法関係を示す平面図である。It is a top view which shows the dimensional relationship of the carrier in embodiment. ガラス基板の平面図である。It is a top view of a glass substrate. 参考技術におけるキャリアを示す平面図である。It is a top view which shows the carrier in a reference technique. 参考技術における下側研削パッドの平面図である。It is a top view of the lower grinding pad in a reference technique. 他の実施の形態におけるキャリアを示す平面図である。It is a top view which shows the carrier in other embodiment. 実施例１−２、比較例１−２における端面形状の評価結果を示す図である。It is a figure which shows the evaluation result of the end surface shape in Example 1-2 and Comparative Example 1-2.

本発明に基づいた実施の形態および実施例について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態および実施例の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態および実施例の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。   Embodiments and examples based on the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the embodiments and examples, when referring to the number, amount, and the like, the scope of the present invention is not necessarily limited to the number, amount, and the like, unless otherwise specified. In the description of the embodiments and examples, the same parts and corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description may not be repeated.

［ガラス基板１・磁気ディスク１０］
図１および図２を参照して、まず、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板１、およびガラス基板１を備えた磁気ディスク１０について説明する。図１は、磁気ディスク１０（図２参照）に用いられるガラス基板１を示す斜視図である。図２は、情報記録媒体として、ガラス基板１を備えた磁気ディスク１０を示す斜視図である。[Glass substrate 1 and magnetic disk 10]
With reference to FIG. 1 and FIG. 2, the glass substrate 1 obtained by the manufacturing method of the glass substrate for information recording media based on this Embodiment and the magnetic disc 10 provided with the glass substrate 1 are demonstrated first. FIG. 1 is a perspective view showing a glass substrate 1 used for a magnetic disk 10 (see FIG. 2). FIG. 2 is a perspective view showing a magnetic disk 10 provided with a glass substrate 1 as an information recording medium.

図１に示すように、磁気ディスク１０に用いられるガラス基板１（情報記録媒体用ガラス基板）は、中心に孔１Ｈが形成された環状の円板形状を呈している。円形ディスク形状のガラス基板１は、表主表面１Ａ、裏主表面１Ｂ、内周端面１Ｃ、および外周端面１Ｄを有している。   As shown in FIG. 1, a glass substrate 1 (glass substrate for information recording medium) used for a magnetic disk 10 has an annular disk shape with a hole 1H formed in the center. The circular disk-shaped glass substrate 1 has a front main surface 1A, a back main surface 1B, an inner peripheral end surface 1C, and an outer peripheral end surface 1D.

ガラス基板１の大きさは、特に制限はなく、たとえば外径０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチなどである。ガラス基板１の厚さは、破損防止の観点から、たとえば０．３０ｍｍ〜２．２ｍｍである。本実施の形態におけるガラス基板１の大きさは、外径が約６５ｍｍ、内径が約２０ｍｍ、厚さが約０．８ｍｍである。ガラス基板１の厚さとは、ガラス基板１上の点対称となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。   The size of the glass substrate 1 is not particularly limited, and is, for example, 0.8 inch, 1.0 inch, 1.8 inch, 2.5 inch, or 3.5 inch outer diameter. The thickness of the glass substrate 1 is, for example, 0.30 mm to 2.2 mm from the viewpoint of preventing breakage. As for the size of the glass substrate 1 in the present embodiment, the outer diameter is about 65 mm, the inner diameter is about 20 mm, and the thickness is about 0.8 mm. The thickness of the glass substrate 1 is a value calculated by averaging the values measured at a plurality of arbitrary points that are point-symmetric on the glass substrate 1.

図２に示すように、磁気ディスク１０は、上記したガラス基板１の表主表面１Ａ上に磁性膜が成膜されて、磁気記録層を含む磁気薄膜層２が形成される。図２中では、表主表面１Ａ上にのみ磁気薄膜層２が形成されているが、裏主表面１Ｂ上にも磁気薄膜層２が形成されていてもよい。   As shown in FIG. 2, in the magnetic disk 10, a magnetic film is formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 to form a magnetic thin film layer 2 including a magnetic recording layer. In FIG. 2, the magnetic thin film layer 2 is formed only on the front main surface 1A, but the magnetic thin film layer 2 may also be formed on the back main surface 1B.

磁気薄膜層２は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１の表主表面１Ａ上にスピンコートすることによって形成される（スピンコート法）。磁気薄膜層２は、ガラス基板１の表主表面１Ａに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。   The magnetic thin film layer 2 is formed by spin-coating a thermosetting resin in which magnetic particles are dispersed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 (spin coating method). The magnetic thin film layer 2 may be formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 by a sputtering method, an electroless plating method, or the like.

ガラス基板１の表主表面１Ａに形成される磁気薄膜層２の膜厚は、スピンコート法の場合は約０．３μｍ〜約１．２μｍ、スパッタリング法の場合は約０．０４μｍ〜約０．０８μｍ、無電解めっき法の場合は約０．０５μｍ〜約０．１μｍである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層２はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。   The film thickness of the magnetic thin film layer 2 formed on the front main surface 1A of the glass substrate 1 is about 0.3 μm to about 1.2 μm in the case of the spin coating method, and about 0.04 μm to about 0.00 in the case of the sputtering method. In the case of the electroless plating method, the thickness is about 0.05 μm to about 0.1 μm. From the viewpoint of thinning and high density, the magnetic thin film layer 2 is preferably formed by sputtering or electroless plating.

磁気薄膜層２に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。また、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられてもよい。   The magnetic material used for the magnetic thin film layer 2 is not particularly limited, and a conventionally known material can be used. However, in order to obtain a high coercive force, Co having high crystal anisotropy is basically used for the purpose of adjusting the residual magnetic flux density. A Co-based alloy to which Ni or Cr is added is suitable. Further, as a magnetic layer material suitable for heat-assisted recording, an FePt-based material may be used.

また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。   In addition, a lubricant may be thinly coated on the surface of the magnetic thin film layer 2 in order to improve the sliding of the magnetic recording head. Examples of the lubricant include those obtained by diluting perfluoropolyether (PFPE), which is a liquid lubricant, with a solvent such as Freon.

さらに、必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスク１０における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、またはＮｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。   Furthermore, you may provide a base layer and a protective layer as needed. The underlayer in the magnetic disk 10 is selected according to the magnetic film. Examples of the material for the underlayer include at least one material selected from nonmagnetic metals such as Cr, Mo, Ta, Ti, W, V, B, Al, and Ni.

また、下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。   Further, the underlayer is not limited to a single layer, and may have a multi-layer structure in which the same or different layers are stacked. For example, a multilayer underlayer such as Cr / Cr, Cr / CrMo, Cr / CrV, NiAl / Cr, NiAl / CrMo, or NiAl / CrV may be used.

磁気薄膜層２の摩耗や腐食を防止する保護層としては、たとえば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。   Examples of the protective layer that prevents wear and corrosion of the magnetic thin film layer 2 include a Cr layer, a Cr alloy layer, a carbon layer, a hydrogenated carbon layer, a zirconia layer, and a silica layer. These protective layers can be formed continuously with an in-line type sputtering apparatus, such as an underlayer and a magnetic film. In addition, these protective layers may be a single layer, or may have a multilayer structure including the same or different layers.

上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。   Another protective layer may be formed on the protective layer or instead of the protective layer. For example, instead of the protective layer, colloidal silica fine particles are dispersed and coated on a Cr layer with tetraalkoxysilane diluted with an alcohol solvent, and then fired to form a silicon oxide (SiO2) layer. May be.

［ガラス基板の製造方法］
次に、図３に示すフローチャート図を用いて、本実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板（以下、単にガラス基板と称する。）の製造方法について説明する。図３は、実施の形態におけるガラス基板１の製造方法を示すフローチャート図である。[Glass substrate manufacturing method]
Next, a method for manufacturing a glass substrate for information recording medium (hereinafter simply referred to as a glass substrate) in the present embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the glass substrate 1 in the embodiment.

本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）、研削／研磨工程（ステップＳ３０）、化学強化工程（ステップＳ４０）、および洗浄工程（ステップＳ５０）を備えている。化学強化処理工程（ステップＳ４０）を経ることによって得られたガラス基板（図１におけるガラス基板１に相当）に対して、磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）が実施されてもよい。磁気薄膜形成工程（ステップＳ６０）によって、情報記録媒体としての磁気ディスク１０が得られる。   The glass substrate manufacturing method in the present embodiment includes a glass blank material preparation step (step S10), a glass substrate formation step (step S20), a grinding / polishing step (step S30), a chemical strengthening step (step S40), and a cleaning. The process (step S50) is provided. The magnetic thin film forming step (step S60) may be performed on the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 in FIG. 1) obtained through the chemical strengthening treatment step (step S40). The magnetic disk 10 as an information recording medium is obtained by the magnetic thin film forming step (step S60).

以下、これらの各ステップＳ１０〜Ｓ６０の詳細について順に説明する、以下には、各ステップＳ１０〜Ｓ６０間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。   Hereinafter, details of each of these steps S10 to S60 will be described in order. In the following, simple cleaning appropriately performed between steps S10 to S60 is not described.

（ガラスブランク材準備工程）
ガラスブランク材準備工程（ステップＳ１０）においては、ガラス基板を構成するガラス素材が溶融される（ステップＳ１１）。ガラス素材は、たとえば一般的なアルミノシリケートガラスが用いられる。アルミノシリケートガラスは、５８質量％〜７５質量％のＳｉＯ２と、５質量％〜２３質量％のＡｌ２Ｏ３と、３質量％〜１０質量％のＬｉ２Ｏと、４質量％〜１３質量％のＮａ２Ｏと、を主成分として含有する。溶融したガラス素材は、下型上に流し込まれた後、上型および下型によってプレス成形される（ステップＳ１２）。プレス成形によって、円盤状のガラスブランク材（ガラス母材）が形成される。(Glass blank material preparation process)
In the glass blank material preparation step (step S10), the glass material constituting the glass substrate is melted (step S11). For example, general aluminosilicate glass is used as the glass material. The aluminosilicate glass comprises 58% to 75% by mass of SiO2, 5% to 23% by mass of Al2O3, 3% to 10% by mass of Li2O, and 4% to 13% by mass of Na2O. Contains as a main component. The molten glass material is poured onto the lower mold and then press-molded with the upper mold and the lower mold (step S12). A disk-shaped glass blank (glass base material) is formed by press molding.

ガラスブランク材は、ダウンドロー法またはフロート法によって形成されたシートガラス（板ガラス）を、研削砥石で切り出すことによって形成されてもよい。またガラス素材も、アルミノシリケートガラスに限られるものではなく、任意の素材であってもよい。   The glass blank material may be formed by cutting out a sheet glass (sheet glass) formed by a downdraw method or a float method with a grinding wheel. Further, the glass material is not limited to aluminosilicate glass, and may be any material.

（ガラス基板形成工程）
次に、ガラス基板形成工程（ステップＳ２０）においては、プレス成形されたガラスブランク材の両方の主表面に対して、寸法精度および形状精度の向上を目的として、第１ラップ工程が施される（ステップＳ２１）。ガラスブランク材の両方の主表面とは、後述する各処理を経ることによって、図１における表主表面１Ａとなる主表面および裏主表面１Ｂとなる主表面のことである（以下、両主表面ともいう）。たとえば、粒度＃４００のアルミナ砥粒（粒径約４０〜６０μｍ）を用い、表面粗さＲｍａｘで６μｍ程度に仕上げる。(Glass substrate forming process)
Next, in the glass substrate forming step (step S20), the first lapping step is performed on both main surfaces of the press-molded glass blank material for the purpose of improving dimensional accuracy and shape accuracy ( Step S21). Both main surfaces of a glass blank material are the main surfaces used as the front main surface 1A and the main surface used as the back main surface 1B in FIG. 1 through each process mentioned later (henceforth, both main surfaces) Also called). For example, alumina abrasive grains having a particle size of # 400 (particle size of about 40 to 60 μm) are used, and the surface roughness Rmax is finished to about 6 μm.

第１ラップ工程の後、円筒状のダイヤモンドドリルなどを用いて、ガラスブランク材の中心部に対してコアリング（内周カット）処理が施される（ステップＳ２２）。コアリング処理によって、中心部に孔の開いた円環状のガラス基板が得られる。中心部の孔に対しては、所定の面取り加工が施されてもよい。   After the first lapping step, a coring (inner peripheral cut) process is performed on the center portion of the glass blank using a cylindrical diamond drill or the like (step S22). By the coring process, an annular glass substrate having a hole in the center is obtained. A predetermined chamfering process may be performed on the hole in the center.

また、ガラス基板の外周端面および内周端面がブラシによって鏡面状に研磨される（ステップＳ２２）。研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリーが用いられる。   Further, the outer peripheral end surface and the inner peripheral end surface of the glass substrate are polished into a mirror surface by a brush (step S22). As the abrasive grains, a slurry containing cerium oxide abrasive grains is used.

（研削／研磨工程）
次に、研削／研磨工程（ステップＳ３０）においては、ガラス基板の両主表面に対して第２ラップ工程が施される（ステップＳ３１）。第２ラップ工程（ステップＳ３１）は、遊星歯車機構を利用した両面研削装置を用いて行なわれる。具体的には、ガラスブランク材の両主表面に上下から定盤を押圧させ、水、研削液または潤滑液を両主表面上に供給し、ガラスブランク材とラップ定盤とを相対的に移動させて、第２ラップ工程が行なわれる。(Grinding / polishing process)
Next, in the grinding / polishing process (step S30), a second lapping process is performed on both main surfaces of the glass substrate (step S31). The second lapping step (step S31) is performed using a double-side grinding apparatus that uses a planetary gear mechanism. Specifically, press the surface plate from above and below both main surfaces of the glass blank material, supply water, grinding liquid or lubricating liquid onto both main surfaces, and move the glass blank material and the lapping surface plate relatively. Then, the second lapping step is performed.

第２ラップ工程（ステップＳ３１）によって、ガラス基板としてのおおよその平行度、平坦度、および厚みなどが予備調整され、おおよそ平坦な主表面を有するガラス母材が得られる。第２ラップ工程では、発生する研削痕を小さくするため、前記第１ラップ工程と比較して微細な砥粒を用いる。たとえば、定盤上にダイヤモンドタイルパッド等の固定砥粒を取りつけることにより、ガラス基板両面上を表面粗さＲｍａｘで２μｍ程度に仕上げる。   By the second lapping step (step S31), the approximate parallelism, flatness, thickness, etc. of the glass substrate are preliminarily adjusted, and a glass base material having an approximately flat main surface is obtained. In the second lapping step, fine abrasive grains are used as compared with the first lapping step in order to reduce the generated grinding marks. For example, by attaching fixed abrasive grains such as a diamond tile pad on a surface plate, both surfaces of the glass substrate are finished to a surface roughness Rmax of about 2 μm.

ここで、図４を参照して、両面研削装置１０００の概略構成について説明する。図４は、第２ラップ工程に用いられる両面研削装置１０００の部分斜視図である。   Here, a schematic configuration of the double-side grinding apparatus 1000 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a partial perspective view of a double-sided grinding apparatus 1000 used in the second lapping step.

両面研削装置１０００は、上定盤（上側砥石保持定盤）３００と、下定盤（下側砥石保持定盤）４００と、上定盤３００の下定盤４００に対向する側（ガラス基板側）の下面に取り付けられた上側研削パッド３１０と、下定盤４００の上定盤３００に対向する側（ガラス基板側）の上面に取り付けられた下側研削パッド４１０と、を備える。   The double-side grinding apparatus 1000 includes an upper surface plate (upper grindstone holding surface plate) 300, a lower surface plate (lower grindstone holding surface plate) 400, and a side facing the lower surface plate 400 (glass substrate side) of the upper surface plate 300. The upper grinding pad 310 attached to the lower surface and the lower grinding pad 410 attached to the upper surface on the side (glass substrate side) facing the upper surface plate 300 of the lower surface plate 400 are provided.

上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０は、ガラス基板１の両主表面を研削加工するための加工工具である。上定盤３００と下定盤４００とは、キャリア５００の公転方向に対して互いに反対方向に回転するようになっている。上定盤３００と下定盤４００との間に形成される隙間に、キャリア５００が配置される。ディスク状のガラス基板１は、このキャリア５００に複数枚保持される。なお、キャリア５００の詳細構造については、後述する。   The upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 are processing tools for grinding both main surfaces of the glass substrate 1. The upper surface plate 300 and the lower surface plate 400 rotate in directions opposite to each other with respect to the revolution direction of the carrier 500. Carrier 500 is arranged in a gap formed between upper surface plate 300 and lower surface plate 400. A plurality of disk-shaped glass substrates 1 are held by the carrier 500. The detailed structure of the carrier 500 will be described later.

第２ラップ工程（ステップＳ３１）において、上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０の表面の洗浄が行なわれてもよい。上側研削パッド３１０および下側研削パッドの表面の洗浄は、第２ラップ工程（ステップＳ３１）中の任意の工程において行なわれてもよく、研削／研磨工程（ステップＳ３０）中の任意の工程間に行なわれてもよく、または、研削／研磨工程（ステップＳ３０）の終了後に行なわれてもよい。   In the second lapping step (step S31), the surfaces of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 may be cleaned. The surface of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad may be cleaned in any step in the second lapping step (step S31), and between any steps in the grinding / polishing step (step S30). It may be performed or may be performed after completion of the grinding / polishing process (step S30).

ガラス基板１の両主表面を一回または複数回研削加工した後に、両面研削装置１０００において上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０の表面の洗浄が行なわれる。上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０の表面は、一回もしくは複数回の研削を行なう毎に定期的に洗浄されてもよく、または、不定期的に洗浄されてもよい。   After both main surfaces of the glass substrate 1 are ground once or a plurality of times, the surfaces of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 are cleaned in the double-side grinding apparatus 1000. The surfaces of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 may be periodically cleaned every time one or a plurality of times of grinding are performed, or may be cleaned irregularly.

次に、第１ポリッシュ工程（粗研磨）として、第２ラップ工程（ステップＳ３１）においてガラス基板の両主表面に残留したキズを除去しつつ、ガラス基板の反りを矯正する（ステップＳ３３）。第１ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置が使用される。たとえば、硬質ベロア、ウレタン発泡、またはピッチ含浸スウェードなどの研磨パッドを用いて研磨が行なわれる。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を主成分とするスラリーが用いられる。   Next, as a first polishing process (rough polishing), warping of the glass substrate is corrected while removing scratches remaining on both main surfaces of the glass substrate in the second lapping process (step S31) (step S33). In the first polishing process, a double-side polishing apparatus using a planetary gear mechanism is used. For example, polishing is performed using a polishing pad such as hard velor, urethane foam, or pitch-impregnated suede. As the abrasive, a slurry mainly composed of general cerium oxide abrasive grains is used.

第２ポリッシュ工程（精密研磨）においては、ガラス基板に研磨加工が再度実施され、ガラス基板の両主表面上に残留した微小欠陥等が解消される（ステップＳ３４）。ガラス基板の両主表面は鏡面状に仕上げられることによって所望の平坦度に形成され、ガラス基板の反りも解消される。第２ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を利用した両面研磨装置が使用される。たとえば、スウェードまたはベロアを素材とする軟質ポリッシャである研磨パッドを用いて研磨が行なわれる。研磨剤としては、第１ポリッシュ工程で用いた酸化セリウムよりも微細な、一般的なコロイダルシリカを主成分とするスラリーが用いられる。   In the second polishing step (precise polishing), the glass substrate is subjected to polishing again, and minute defects and the like remaining on both main surfaces of the glass substrate are eliminated (step S34). Both main surfaces of the glass substrate are finished to have a mirror-like surface, thereby forming a desired flatness and eliminating the warpage of the glass substrate. In the second polishing step, a double-side polishing apparatus using a planetary gear mechanism is used. For example, polishing is performed using a polishing pad which is a soft polisher made of suede or velor. As the abrasive, a slurry mainly composed of general colloidal silica that is finer than the cerium oxide used in the first polishing step is used.

（化学強化工程）
ガラス基板が洗浄された後、化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによって、ガラス基板の両主表面に化学強化層を形成する（ステップＳ４０）。ガラス基板１が洗浄された後、３００℃に加熱された硝酸カリウム（７０％）と硝酸ナトリウム（３０％）との混合用液などの化学強化処理液中に、ガラス基板１を３０分間程度浸漬することによって、化学強化を行なう。(Chemical strengthening process)
After the glass substrate is washed, the chemical strengthening layer is formed on both main surfaces of the glass substrate by immersing the glass substrate in the chemical strengthening treatment liquid (step S40). After the glass substrate 1 is cleaned, the glass substrate 1 is immersed for about 30 minutes in a chemical strengthening treatment solution such as a mixture solution of potassium nitrate (70%) and sodium nitrate (30%) heated to 300 ° C. By doing so, chemical strengthening is performed.

ガラス基板１に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べてイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換される（イオン交換法）。   Alkali metal ions such as lithium ions and sodium ions contained in the glass substrate 1 are replaced by alkali metal ions such as potassium ions having a larger ion radius than these ions (ion exchange method).

イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板１の両主表面が強化される。たとえば、ガラス基板１の両主表面において、ガラス基板１表面から約５μｍまでの範囲に化学強化層を形成し、ガラス基板１の剛性を向上させてもよい。以上のようにして、図１に示すガラス基板１に相当するガラス基板が得られる。   Compressive stress is generated in the ion-exchanged region due to strain caused by the difference in ion radius, and both main surfaces of the glass substrate 1 are strengthened. For example, on both the main surfaces of the glass substrate 1, a chemical strengthening layer may be formed in a range from the surface of the glass substrate 1 to about 5 μm to improve the rigidity of the glass substrate 1. As described above, a glass substrate corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1 is obtained.

ガラス基板１に対しては、両主表面上における取り代が０．１μｍ以上０．５μｍ以下のポリッシュ処理がさらに施されてもよい。化学強化工程を経た後にガラス基板１の主表面上に残留している付着物が除去されることによって、ガラス基板１を用いて製造される磁気ディスクにヘッドクラッシュが発生することが低減される。また、ポリッシュ処理における両主表面上の取り代を０．１μｍ以上０．５μｍ以下とすることによって、化学強化処理によって発生した応力の不均一性が表面に現れることもなくなる。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法としては、以上のように構成される。   The glass substrate 1 may be further subjected to a polishing treatment with a machining allowance on both main surfaces of 0.1 μm or more and 0.5 μm or less. By removing the deposits remaining on the main surface of the glass substrate 1 after the chemical strengthening step, occurrence of head crashes in a magnetic disk manufactured using the glass substrate 1 is reduced. Further, by setting the machining allowance on both main surfaces in the polishing process to be 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, the unevenness of stress generated by the chemical strengthening process does not appear on the surface. The manufacturing method of the glass substrate in the present embodiment is configured as described above.

なお、第１ポリッシュ工程（粗研磨）と第２ポリッシュ工程（精密研磨）との間に、化学強化工程を施してもかまわない。   Note that a chemical strengthening step may be performed between the first polishing step (rough polishing) and the second polishing step (precision polishing).

（洗浄工程）
次に、ガラス基板は洗浄される（ステップＳ５０）。ガラス基板の両主表面が洗剤、純水、オゾン、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、またはＵＶ（ultraviolet）オゾンなどによって洗浄されることによって、ガラス基板の両主表面に付着した付着物が除去される。(Washing process)
Next, the glass substrate is cleaned (step S50). By cleaning the two main surfaces of the glass substrate with detergent, pure water, ozone, IPA (isopropyl alcohol), UV (ultraviolet) ozone, or the like, the deposits attached to the two main surfaces of the glass substrate are removed.

その後、ガラス基板１の表面上の付着物の数が、光学式欠陥検査装置等を用いて検査される。   Thereafter, the number of deposits on the surface of the glass substrate 1 is inspected using an optical defect inspection apparatus or the like.

（磁気薄膜形成工程）
化学強化処理が完了したガラス基板（図１に示すガラス基板１に相当）の両主表面（またはいずれか一方の主表面）に対し、磁性膜が形成されることにより、磁気薄膜層２が形成される。磁気薄膜層は、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系からなる保護層、およびＦ系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層の形成によって、図２に示す磁気ディスク１０に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。(Magnetic thin film formation process)
The magnetic thin film layer 2 is formed by forming a magnetic film on both main surfaces (or one of the main surfaces) of the glass substrate (corresponding to the glass substrate 1 shown in FIG. 1) that has been subjected to the chemical strengthening treatment. Is done. The magnetic thin film layer includes an adhesion layer made of a Cr alloy, a soft magnetic layer made of a CoFeZr alloy, an orientation control underlayer made of Ru, a perpendicular magnetic recording layer made of a CoCrPt alloy, a protective layer made of a C system, and a lubrication made of an F system. It is formed by sequentially depositing layers. By forming the magnetic thin film layer, a perpendicular magnetic recording disk corresponding to the magnetic disk 10 shown in FIG. 2 can be obtained.

本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。   The magnetic disk in the present embodiment is an example of a perpendicular magnetic disk composed of a magnetic thin film layer. The magnetic disk may be composed of a magnetic layer or the like as a so-called in-plane magnetic disk.

（キャリア５００）
次に、図５から図７を参照して、上述した研削／研磨工程中の第２ラップ工程において用いられる両面研削装置１０００に採用されるキャリア５００の詳細構造について説明する。図５は、本実施の形態におけるキャリア５００を示す平面図、図６は、本実施の形態におけるキャリアの寸法関係を示す平面図、図７は、ガラス基板１の平面図である。(Carrier 500)
Next, the detailed structure of the carrier 500 employed in the double-side grinding apparatus 1000 used in the second lapping step in the above-described grinding / polishing step will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a plan view showing a carrier 500 in the present embodiment, FIG. 6 is a plan view showing a dimensional relationship of the carrier in the present embodiment, and FIG. 7 is a plan view of the glass substrate 1.

図５を参照して、本実施の形態におけるキャリア５００は、円盤形状の本体５１０を有し、厚さは、約０．３０ｍｍ〜２．２ｍｍであり、保持するガラス基板１の厚さよりも薄い厚さが選択される。キャリア５００の直径は、約４３０ｍｍである。本体５１０には、アラミド繊維、ＦＲＰ（ガラスエポキシ）、ＰＣ（ポリカーボネート）等が用いられる。   Referring to FIG. 5, carrier 500 in the present embodiment has a disk-shaped main body 510 and has a thickness of about 0.30 mm to 2.2 mm, which is thinner than the thickness of glass substrate 1 to be held. The thickness is selected. The diameter of the carrier 500 is about 430 mm. For the main body 510, aramid fiber, FRP (glass epoxy), PC (polycarbonate), or the like is used.

キャリア５００には、ガラス基板１を保持する貫通保持孔５２０が２３箇所設けられている。本実施の形態では、貫通保持孔５２０は、キャリア５００の中心位置Ｃ１の近傍に配置される一つの第１貫通保持孔５２０Ｃと、この第１貫通保持孔５２０Ｃの周りに環状に配置される２２個の第２貫通保持孔５２０Ｐとを有している。本実施の形態では、第２貫通保持孔５２０Ｐは、２重の環状となるように配列され、内環状ラインｒ１上に、貫通保持孔５２０Ｐが等間隔で８個配列され、外環状ラインｒ２上に、貫通保持孔５２０Ｐが等間隔で１４個、配列されている。貫通保持孔５２０の直径は、約６６．５ｍｍである。   The carrier 500 is provided with 23 through holding holes 520 for holding the glass substrate 1. In the present embodiment, the through-holding hole 520 is annularly arranged around one first through-holding hole 520C disposed in the vicinity of the center position C1 of the carrier 500 and the first through-holding hole 520C. Each of the second through-holding holes 520P. In the present embodiment, the second through-holding holes 520P are arranged in a double ring shape, and eight through-holding holes 520P are arranged at equal intervals on the inner annular line r1, and on the outer annular line r2. In addition, 14 through-holding holes 520P are arranged at equal intervals. The diameter of the through-holding hole 520 is about 66.5 mm.

ここで、図６を参照して、第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２は、ガラス基板１の直径をＤｍｍとし、キャリア５００の中心位置Ｃ１から第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２までの距離をｒｍｍとした場合に、［（Ｄ／４）≦ｒ≦（Ｄ／２）］の関係式を満足する位置（図中Ｓで示す網掛け領域）に設けられている。   Here, referring to FIG. 6, the center position C2 of the first through-holding hole 520C is the diameter of the glass substrate 1 being Dmm, and from the center position C1 of the carrier 500 to the center position C2 of the first through-holding hole 520C. When the distance is rmm, it is provided at a position (shaded area indicated by S in the figure) that satisfies the relational expression [(D / 4) ≦ r ≦ (D / 2)].

本実施の形態では、ガラス基板１の直径Ｄは６５ｍｍであることから、第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２は、１６．２５ｍｍ≦ｒ≦３２．５ｍｍを満足する位置に設けられることになる。   In the present embodiment, since the diameter D of the glass substrate 1 is 65 mm, the center position C2 of the first through-holding hole 520C is provided at a position satisfying 16.25 mm ≦ r ≦ 32.5 mm. .

本実施の形態における両面研削装置１０００は、上定盤３００と下定盤４００との間に、５枚のキャリア５００を環状に配置する。キャリア５００の外周面には、ギヤが設けられているが、ギヤの図示は省略する。また、キャリア５００の半径は、ギヤの歯先円で測定した場合の寸法を意味する。   In the double-side grinding apparatus 1000 according to the present embodiment, five carriers 500 are annularly arranged between the upper surface plate 300 and the lower surface plate 400. A gear is provided on the outer peripheral surface of the carrier 500, but the illustration of the gear is omitted. Further, the radius of the carrier 500 means a dimension when measured with a gear tip circle.

ここで、図８および図９を参照して、キャリア５００の中心位置Ｃ１と第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２とが重なる場合、つまり、第１貫通保持孔５２０Ｃをキャリア５００の中心に設けた場合の両面研削装置１０００について説明する。図８は、第１貫通保持孔５２０Ｃをキャリア５００の中心に設けた場合のキャリア５００を示している。   8 and 9, when the center position C1 of the carrier 500 and the center position C2 of the first through-holding hole 520C overlap, that is, the first through-holding hole 520C is provided at the center of the carrier 500. The double-sided grinding apparatus 1000 will be described. FIG. 8 shows the carrier 500 when the first through-holding hole 520 </ b> C is provided at the center of the carrier 500.

この図８に示すキャリア５００を用いて、両面研削装置１０００によりガラス基板１の両面研削を行なった場合には、図９に示すように、両面研削装置１０００の駆動時に、中心に配置されたガラス基板１は、下側研削パッド４１０の同じ位置である中帯領域ＢＬ１を集中的に通過することになる。   When double-side grinding of the glass substrate 1 is performed by the double-side grinding apparatus 1000 using the carrier 500 shown in FIG. 8, the glass disposed at the center when the double-side grinding apparatus 1000 is driven as shown in FIG. The substrate 1 intensively passes through the middle belt region BL1 which is the same position of the lower grinding pad 410.

ガラス基板１が、下側研削パッド４１０の同じ位置である中帯領域ＢＬ１を集中的に通過することは、研削工程において、固定砥粒である下側研削パッド４１０上のガラス基板１が通過する部分に、下側研削パッド４１０の偏摩耗が生じ、下側研削パッド４１０の中帯領域ＢＬ１に断面が凹形状の段差（轍）が生じることとなる。   When the glass substrate 1 passes through the middle belt region BL1 that is the same position of the lower grinding pad 410 in a concentrated manner, the glass substrate 1 on the lower grinding pad 410, which is a fixed abrasive, passes through in the grinding process. In this portion, uneven wear of the lower grinding pad 410 occurs, and a step (段 差) having a concave cross section occurs in the middle band region BL1 of the lower grinding pad 410.

下側研削パッド４１０に段差が生じると、この段差に起因する研削傷(スクラッチ)がガラス基板１の表面に入りやすくなる。また、この研削傷を取り除くために、後の研磨工程において長時間の加工が(大きな取代量)必要となる。しかし、後の研磨工程、特に最終研磨工程（精密研磨）では低硬度の研磨パッドが使用されることが多く、最終研磨工程が長時間になると、ガラス基板の端面形状が悪化する。このことは、下側研削パッド４１０に限らず、上側研削パッド４１０においても同様の現象が生じる。   When a step is generated in the lower grinding pad 410, grinding scratches (scratches) due to the step are likely to enter the surface of the glass substrate 1. Further, in order to remove the grinding flaws, a long processing time (a large machining allowance) is required in the subsequent polishing process. However, in the subsequent polishing process, particularly the final polishing process (precision polishing), a low-hardness polishing pad is often used, and when the final polishing process takes a long time, the end face shape of the glass substrate deteriorates. This occurs not only in the lower grinding pad 410 but also in the upper grinding pad 410.

一方、図５に示した本実施の形態おけるキャリア５００は、第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２は、［（Ｄ／４）≦ｒ≦（Ｄ／２）］の関係式を満足する位置（図中Ｓで示す領域）に、キャリア５００の中心位置Ｃ１からずれた位置となるように設けられている。   On the other hand, in the carrier 500 in the present embodiment shown in FIG. 5, the center position C2 of the first through-holding hole 520C satisfies the relational expression [(D / 4) ≦ r ≦ (D / 2)]. (A region indicated by S in the figure) is provided so as to be shifted from the center position C1 of the carrier 500.

これにより、第１貫通保持孔５２０Ｃにより保持されたガラス基板１は、両面研削装置１０００によりガラス基板１の両面研削を行なった場合でも、上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０の同じ位置を通過することが抑制される。   Thus, the glass substrate 1 held by the first through-holding hole 520C passes through the same positions of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 even when the double-side grinding of the glass substrate 1 is performed by the double-side grinding apparatus 1000. Is suppressed.

その結果、上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０の偏摩耗の発生を抑制して、上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０への断面が凹形状の段差（轍）の発生が低減され、この段差に起因する研削傷(スクラッチ)がガラス基板１の表面に入ることを抑制することができる。   As a result, the occurrence of uneven wear of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 is suppressed, and the occurrence of a step having a concave shape (へ) to the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 is reduced. It is possible to suppress grinding scratches (scratches) caused by the step from entering the surface of the glass substrate 1.

（実施例）
上記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の各実施例および各比較例について以下説明する。以下に示す各実施例および各比較例においては、図３に示すＳ２０の「ガラス基板成形工程」までは、上記した説明のとおり実施した。ガラス基板の枚数は、１条件あたり合計１１５枚である。(Example)
Examples and comparative examples of the method for producing the glass substrate for information recording medium will be described below. In each of the examples and comparative examples shown below, the steps up to the “glass substrate forming step” of S20 shown in FIG. 3 were performed as described above. The total number of glass substrates is 115 per condition.

(第２ラップ工程)
前工程に続き、第２ラップ工程を実施した。上側研削パッド及び下側研削パッドには、固定砥粒である砥粒径９μｍのダイヤモンドタイルパッドを使用した。実施例１および実施例２には、キャリア５００の中心位置Ｃ１から第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２までの距離ｒが、２０ｍｍのものを用いた。一方、比較例１には、キャリア５００の中心位置Ｃ１に第１貫通保持孔５２０Ｃの中心位置Ｃ２を設けたキャリアを用い、比較例２には、ｒが１６．２５ｍｍ以下である１５ｍｍのものを用いた。(Second lap process)
Following the previous step, a second lapping step was performed. As the upper and lower grinding pads, diamond tile pads having a fixed abrasive grain size of 9 μm were used. In Example 1 and Example 2, the distance r from the center position C1 of the carrier 500 to the center position C2 of the first through-holding hole 520C was 20 mm. On the other hand, in Comparative Example 1, a carrier in which the center position C2 of the first through-holding hole 520C is provided at the center position C1 of the carrier 500 is used, and in Comparative Example 2, a carrier having a diameter of 15 mm that is 16.25 mm or less. Using.

また、実施例２には、図１０に示すように、第１貫通保持孔５２０Ｃの周りに環状に配置される第２貫通保持孔５２０ｐよりも、キャリア５００の半径方向の内側の位置において、貫通保持孔５２０よりも直径が小さい補助貫通孔５２０Ｍを有するガラス基板１を用いた。このガラス基板には、補助貫通孔５２０Ｍを４つ設けた。補助貫通孔５２０Ｍの直径は、２６ｍｍ、キャリア５００の中心位置Ｃ１から補助貫通孔５２０Ｍの中心位置までの距離は５０ｍｍである。   Further, in the second embodiment, as shown in FIG. 10, the second through-holding hole 520p arranged in a ring around the first through-holding hole 520C is penetrated at a position inside the carrier 500 in the radial direction. The glass substrate 1 having the auxiliary through hole 520M having a smaller diameter than the holding hole 520 was used. This glass substrate was provided with four auxiliary through holes 520M. The diameter of the auxiliary through hole 520M is 26 mm, and the distance from the center position C1 of the carrier 500 to the center position of the auxiliary through hole 520M is 50 mm.

この補助貫通穴５２０Ｍは、キャリア５００の中心位置Ｃ１からずれた位置に１個の第１貫通保持孔５２０Ｃのみを設けた場合には、キャリア５００の重心位置がずれ、研削工程中にキャリアに歪が生じ、上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０に傷を生じさせるおそれがある。そこで、キャリア５００の重心位置が、キャリア５００の中心位置となる位置に、補助貫通孔５２０Ｍを設けるとよい。これにより、キャリア５００の歪による上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０への傷の発生を抑制することができる。   When only one first through-holding hole 520C is provided at a position displaced from the center position C1 of the carrier 500, the auxiliary through-hole 520M is displaced from the center of gravity of the carrier 500, and the carrier is distorted during the grinding process. May occur, and the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 may be damaged. Therefore, the auxiliary through hole 520 </ b> M may be provided at a position where the center of gravity of the carrier 500 is the center position of the carrier 500. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of scratches on the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 due to the distortion of the carrier 500.

なお、各実施例および各比較例においては、第２ラップ工程で用いられる両面研削装置により、予め本試験で使用するガラス基板とは別のガラス基板を用いた事前加工が行なわれ、上下研削パッドが固有の傾向を示す条件を整えた上で第２ラップ工程を実施した。具体的には、本試験を行なう前に、各実施例および各比較例で用いられているキャリアを使用し、それぞれ累計加工時間が略合計４０時間となるよう、本試験で使用する両面研削装置を用いて事前のガラス基板加工を行なった。事前加工には、上記Ｓ２２工程までの手順で作成されるガラス基板と同様のガラス基板を使用した。事前加工により、その実施例・比較例のキャリアに固有である、研削パッドへの摩耗が見られるようになる。   In each example and each comparative example, the double-side grinding apparatus used in the second lapping step performs pre-processing using a glass substrate different from the glass substrate used in this test in advance, and the upper and lower grinding pads. The second lapping step was carried out after adjusting the conditions showing a unique tendency. Specifically, before carrying out this test, the double-sided grinding apparatus used in this test is used so that the total machining time is approximately 40 hours using the carriers used in each example and each comparative example. The glass substrate was processed in advance using For the pre-processing, a glass substrate similar to the glass substrate prepared by the procedure up to step S22 was used. By the pre-processing, the wear on the grinding pad, which is specific to the carrier of the example and the comparative example, can be seen.

（表面粗さ計測）
第２ラップ工程（Ｓ３１）の終了後、各実施例および各比較例によって得られたガラス基板に対して、表面粗さの計測を行なった。表面粗さの計測には、株式会社キーエンス社製、形状測定レーザマイクロスコープ ＶＫ９７００を使用した。(Surface roughness measurement)
After the end of the second lapping step (S31), the surface roughness was measured for the glass substrates obtained in each example and each comparative example. For measurement of the surface roughness, a shape measurement laser microscope VK9700 manufactured by Keyence Corporation was used.

いずれも、ガラス基板の表面１ｍｍ２を計測した結果を評価した。実施例１および実施例２では、比較例１および比較例２と比較して表面の粗さが低く、確認できる深い傷の数は少なかった。   All evaluated the result of having measured the surface 1mm2 of the glass substrate. In Example 1 and Example 2, the surface roughness was lower than in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, and the number of deep scratches that could be confirmed was small.

（第１ポリッシュ工程（粗研磨））
表面に観察される研磨痕が無くなると考えられる加工量に達するまで、第１ポリッシュ工程（粗研磨）を実施した。実施例１および実施例２では、比較例１および比較例２と比較して必要加工時間を短くすることができた。(First polishing process (rough polishing))
The first polishing step (coarse polishing) was performed until a processing amount that was considered to eliminate polishing marks observed on the surface was reached. In Example 1 and Example 2, the required processing time could be shortened compared to Comparative Example 1 and Comparative Example 2.

続いて、第２ポリッシュ工程（精密研磨）を実施した。各実施例および各比較例において、加工条件は同一とした。ここで、各実施例および各比較例では研磨痕除去を主に第１ポリッシュ工程によって達成し、第２ポリッシュ工程では加工条件を同一としたが、主に第２ポリッシュ工程で加工量を調整し、研磨痕を取り除く場合でも、同様の手法で加工時間を短縮することができる。特に第２ポリッシュ工程で使用される研磨パッドが第１ポリッシュ工程で使用される研磨パッドよりも硬度が低い場合、第２ポリッシュ工程ではガラス基板に面ダレが発生しやすくなるが、本実施例と同様の手法で加工時間を短縮し、面ダレを防ぐ効果が期待できる。   Subsequently, a second polishing step (precision polishing) was performed. The processing conditions were the same in each example and each comparative example. Here, in each example and each comparative example, polishing mark removal was achieved mainly by the first polishing process, and the processing conditions were the same in the second polishing process, but the processing amount was mainly adjusted in the second polishing process. Even when polishing marks are removed, the processing time can be shortened by the same method. In particular, when the polishing pad used in the second polishing step has a lower hardness than the polishing pad used in the first polishing step, the glass substrate is likely to be sagging in the second polishing step. A similar technique can be expected to shorten the machining time and prevent surface sagging.

（ガラス基板の端面計測）
図１１に、実施例１，実施例２および比較例１，比較例２における評価結果を示す。実施例１，実施例２および比較例１，比較例２によって得られたガラス基板に対して、触針式表面計測機を使用し、ガラス基板の端面部分の形状として、ガラス基板の中心から半径方向に、Ｒ１（２２．２５ｍｍ）の点と、Ｒ２（２７．２５ｍｍ）の点と、Ｒ３（３１．２５ｍｍ）の点とにおけるガラス基板の高さを計測し、Ｒ１とＲ２との高さを結んだ線を基準線として、Ｒ３位置の高さの相対的な変位量を解析した。この解析結果が、±０．１８μｍ以内のものを良品と判定した。(End measurement of glass substrate)
FIG. 11 shows the evaluation results in Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. For the glass substrates obtained in Example 1, Example 2 and Comparative Examples 1 and 2, using a stylus type surface measuring machine, the shape of the end surface portion of the glass substrate is set to a radius from the center of the glass substrate. In the direction, the height of the glass substrate at the point of R1 (22.25 mm), the point of R2 (27.25 mm), and the point of R3 (31.25 mm) is measured, and the height of R1 and R2 is measured. Using the connected line as a reference line, the relative displacement of the height of the R3 position was analyzed. If the analysis result is within ± 0.18 μm, it was determined as a good product.

また、実施例１，２および比較例１，２において、各５０枚のガラス基板に対して、端面計測を行ない、良品の割合を調査し、８６％以上のガラス基板が、±０．１８μｍ以内のものを評価「Ａ」として合格とし、８６％未満の場合には、評価「Ｃ」として不合格とした。   Further, in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, end face measurement was performed on each of 50 glass substrates, and the ratio of non-defective products was examined. 86% or more of glass substrates were within ± 0.18 μm. Was evaluated as “A”, and when it was less than 86%, it was rejected as evaluation “C”.

端面計測の結果、図１１に示すように、実施例１および実施例２においては、評価「Ａ」が得られた。比較例１および比較例２においては、評価「Ｃ」であった。   As a result of the end face measurement, evaluation “A” was obtained in Example 1 and Example 2 as shown in FIG. 11. In Comparative Examples 1 and 2, the evaluation was “C”.

このように、端面計測の結果、比較例１および比較例２では、端面形状が悪く、実施例１および実施例２においては、端面形状が良好となった。比較例１および比較例２では、第１ポリッシュ工程（粗研磨）の加工時間が、実施例１および実施例２に比べて増大したため、この加工時間の増大に伴い、ガラス基板の端面形状が悪化したと考えられる。   Thus, as a result of end face measurement, the end face shape was poor in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, and the end face shape was good in Example 1 and Example 2. In Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the processing time of the first polishing step (rough polishing) is increased as compared with Example 1 and Example 2, so that the end face shape of the glass substrate is deteriorated as the processing time increases. It is thought that.

実施例１および実施例２で使用した研削定盤について、本加工後に上下の研削パッドの平均厚みを計測した。厚み計測は上側研削パッドと下側研削パッドについて、内周付近、中帯領域、外周付近について２か所ずつ、計６か所をそれぞれ測定し、更に上側研削パッドと下側研削パッドの平均値を求めた。   About the grinding surface plate used in Example 1 and Example 2, the average thickness of the upper and lower grinding pads was measured after the main processing. Thickness measurement is performed on the upper and lower grinding pads at two locations near the inner circumference, middle belt area, and near the outer circumference, for a total of six locations, and the average value of the upper and lower grinding pads. Asked.

図１１に示すように、実施例１と比較し、実施例２では上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０の摩耗が平均で２０μｍ程度小さかった。これは、実施例２の場合には、補助貫通孔５２０Ｍを設けることにより、キャリア５００の中心位置Ｃ１に、キャリア５００の重心位置が補正されることで、キャリア５００に生じる鉛直方向の歪が、実施例１のキャリア５００に比べて低減され、上側研削パッド３１０および下側研削パッド４１０への傷の発生が抑制されたためである。   As shown in FIG. 11, compared with Example 1, in Example 2, the wear of the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 was about 20 μm smaller on average. In the case of Example 2, by providing the auxiliary through hole 520M, the center of gravity position of the carrier 500 is corrected at the center position C1 of the carrier 500, so that the vertical distortion generated in the carrier 500 is This is because it is reduced compared to the carrier 500 of the first embodiment, and the occurrence of scratches on the upper grinding pad 310 and the lower grinding pad 410 is suppressed.

さらに、上記実施例１−２、および、比較例１−２によって得られたガラス基板に対して、図３に示す、化学強化工程（Ｓ４０）、洗浄工程（Ｓ５０）、および磁気薄膜形成工程（Ｓ６０）を実施し、情報記録媒体を得た。   Furthermore, with respect to the glass substrate obtained by the said Example 1-2 and the comparative example 1-2, the chemical strengthening process (S40) shown in FIG. 3, the washing | cleaning process (S50), and a magnetic thin film formation process ( S60) was carried out to obtain an information recording medium.

この情報記録媒体を、ハードドライブに組み込み、リードライト試験を行なった。比較例１−２によって得られたガラス基板を用いた情報記録媒体は、情報記録媒体の外周付近で、記録不可能なエリアが発生した。一方、実施例１−２によって得られたガラス基板を用いた情報記録媒体は、情報記録媒体の外周付近でも、良好な記録が可能であった。   This information recording medium was incorporated into a hard drive, and a read / write test was conducted. In the information recording medium using the glass substrate obtained in Comparative Example 1-2, an unrecordable area was generated near the outer periphery of the information recording medium. On the other hand, the information recording medium using the glass substrate obtained in Example 1-2 was capable of good recording even near the outer periphery of the information recording medium.

以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   Although the embodiments and examples of the present invention have been described above, the embodiments and examples disclosed this time are illustrative in all respects and should not be considered as restrictive. It is. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１Ａ 表主表面、１Ｂ 裏主表面、１Ｃ 内周端面、１Ｄ 外周端面、１Ｈ 孔、２ 磁気薄膜層、１０ 磁気ディスク、３００ 上定盤、３１０ 上側研削パッド、３１０ｇ，４１０ｇ 溝、４００ 下定盤、４１０ 下側研削パッド、５００ キャリア、５１０ 本体、５２０ 貫通保持孔、５２０Ｃ 第１貫通保持孔、５２０Ｐ 第２貫通保持孔、５２０Ｍ 補助貫通孔、１０００ 両面研削装置。   1A front main surface, 1B back main surface, 1C inner peripheral end surface, 1D outer peripheral end surface, 1H hole, 2 magnetic thin film layer, 10 magnetic disk, 300 upper surface plate, 310 upper grinding pad, 310g, 410g groove, 400 lower surface plate, 410 Lower grinding pad, 500 carrier, 510 body, 520 through-holding hole, 520C first through-holding hole, 520P second through-holding hole, 520M auxiliary through-hole, 1000 double-side grinding machine.

Claims (5)

情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて前記ガラス基板の主表面を、水、研削液または潤滑液を供給しながら研削する表面研削工程を有し、
前記両面研削装置は、
前記ガラス基板の上側に位置し、前記ガラス基板側に上側研削パッドを有する上定盤と、
前記ガラス基板の下側に位置し、前記ガラス基板側に下側研削パッドを有する下定盤と、
前記ガラス基板を保持する貫通保持孔が複数設けられ、前記上定盤と前記下定盤との間に配置されるとともに、前記遊星歯車機構により所定の回転運動を行なう円盤状のキャリアと、を備え、
前記貫通保持孔は、
前記キャリアの中心位置の近傍に配置される一つの第１貫通保持孔と、
前記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される複数の第２貫通保持孔と、を有し、
前記第１貫通保持孔の中心位置は、
前記ガラス基板の直径をＤｍｍとし、前記キャリアの中心位置から前記第１貫通保持孔の中心位置までの距離をｒｍｍとした場合に、［（Ｄ／４）≦ｒ≦（Ｄ／２）］の関係式を満足する位置に設けられ、
前記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される前記第２貫通保持孔よりも、前記キャリアの半径方向の内側の位置において、前記貫通保持孔よりも直径が小さい補助貫通孔をさらに有し、
前記補助貫通孔は、前記キャリアの重心位置が前記キャリアの中心位置となるように設けられている、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。 A method for producing a glass substrate for an information recording medium, comprising:
A surface grinding step of grinding the main surface of the glass substrate using a double-sided grinding device equipped with a planetary gear mechanism while supplying water, a grinding fluid or a lubricating fluid;
The double-side grinding apparatus
Located on the upper side of the glass substrate, an upper surface plate having an upper grinding pad on the glass substrate side,
Located on the lower side of the glass substrate, a lower surface plate having a lower grinding pad on the glass substrate side,
A plurality of through-holding holes for holding the glass substrate, disposed between the upper surface plate and the lower surface plate, and a disk-shaped carrier that performs a predetermined rotational movement by the planetary gear mechanism. ,
The through-holding hole is
One first through-holding hole disposed in the vicinity of the center position of the carrier;
A plurality of second through-holding holes arranged annularly around the first through-holding hole,
The center position of the first through-holding hole is
When the diameter of the glass substrate is Dmm and the distance from the center position of the carrier to the center position of the first through hole is rmm, [(D / 4) ≦ r ≦ (D / 2)] It is provided at a position that satisfies the relational expression ,
An auxiliary through-hole having a smaller diameter than the through-holding hole is further provided at an inner position in the radial direction of the carrier than the second through-holding hole disposed in an annular shape around the first through-holding hole. ,
The auxiliary through hole is a method for manufacturing a glass substrate for an information recording medium , wherein the center of gravity of the carrier is located at the center of the carrier . 前記キャリアの板厚は、０．３ｍｍ以上２．２ｍｍ以下である、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。The method for producing a glass substrate for an information recording medium according to claim 1, wherein the thickness of the carrier is 0.3 mm or more and 2.2 mm or less. 請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られた前記情報記録媒体用ガラス基板の表面に少なくとも磁性層を含む薄膜を形成する、磁気ディスクの製造方法。   A method for manufacturing a magnetic disk, wherein a thin film including at least a magnetic layer is formed on a surface of the glass substrate for information recording medium obtained by the method for manufacturing a glass substrate for information recording medium according to claim 1. 円形ディスク形状のガラス基板を研削する遊星歯車機構を備えた両面研削装置に用いられる円盤状の研削用キャリアであって、
前記ガラス基板を保持する貫通保持孔が複数設けられ、
前記貫通保持孔は、
前記キャリアの中心位置の近傍に配置される一つの第１貫通保持孔と、前記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される複数の第２貫通保持孔と、を有し、
前記第１貫通保持孔の中心位置は、
前記ガラス基板の直径をＤｍｍとし、前記キャリアの中心位置から前記第１貫通保持孔の中心位置までの距離をｒｍｍとした場合に、［（Ｄ／４）≦ｒ≦（Ｄ／２）］の関係式を満足する位置に設けられ、
前記第１貫通保持孔の周りに環状に配置される前記第２貫通保持孔よりも、前記キャリアの半径方向の内側の位置において、前記貫通保持孔よりも直径が小さい補助貫通孔をさらに有し、
前記補助貫通孔は、前記キャリアの重心位置が前記キャリアの中心位置となるように設けられている、研削用キャリア。 A disk-shaped carrier for grinding used in a double-side grinding apparatus equipped with a planetary gear mechanism for grinding a circular disk-shaped glass substrate,
A plurality of through-holding holes for holding the glass substrate are provided,
The through-holding hole is
One first through-holding hole disposed in the vicinity of the center position of the carrier, and a plurality of second through-holding holes disposed annularly around the first through-holding hole;
The center position of the first through-holding hole is
When the diameter of the glass substrate is Dmm and the distance from the center position of the carrier to the center position of the first through hole is rmm, [(D / 4) ≦ r ≦ (D / 2)] It is provided at a position that satisfies the relational expression ,
An auxiliary through-hole having a smaller diameter than the through-holding hole is further provided at an inner position in the radial direction of the carrier than the second through-holding hole disposed in an annular shape around the first through-holding hole. ,
The auxiliary through hole is a grinding carrier provided so that the center of gravity of the carrier is located at the center of the carrier. 前記キャリアの板厚は、０．３ｍｍ以上２．２ｍｍ以下である、請求項４に記載の研削用キャリア。The carrier for grinding according to claim 4 whose board thickness of said carrier is 0.3 mm or more and 2.2 mm or less.
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