JP6131783B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、加速度等の力学量を検出する容量式のセンサデバイスである。図1に示されるように、半導体装置は、センサチップ10、回路チップ20、第1ワイヤ30、第2ワイヤ31、第3ワイヤ32、第4ワイヤ33、及び第5ワイヤ34を備えて構成されている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。図4に示されるように、本実施形態では、半導体装置は、センサチップ10、回路チップ20、第1ワイヤ30、第2ワイヤ31、第3ワイヤ32、及びパッケージ部40を備えて構成されている。回路チップ20、第1ワイヤ30、第2ワイヤ31、及び第3ワイヤ32の構成は第1実施形態と同じである。なお、図4では、各パッド15、22を省略している。
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。図5に示されるように、本実施形態では、半導体装置は、センサチップ10、回路チップ20、第1ワイヤ30、第2ワイヤ31、第3ワイヤ32、及び導電性接着剤50を備えて構成されている。
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。図6に示されるように、本実施形態では、半導体装置は、センサチップ10、回路チップ20、第1ワイヤ30、第2ワイヤ31、第3ワイヤ32、及びパッド60を備えて構成されている。
本実施形態では、第1〜第4実施形態と異なる部分について説明する。図7に示されるように、本実施形態では、半導体装置は、センサチップ10、回路チップ20、第1ワイヤ30、第2ワイヤ31、及び第3ワイヤ32を備えて構成されている。
上記各実施形態で示された半導体装置の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、センサチップ10は力学量として加速度の他に角速度や圧力を検出するものでも良い。また、図2に示された可動部11や各固定部12、13の構造は一例であり、他の構造でも良い。
11c 可動電極
12b 第1固定電極
13b 第2固定電極
20 回路チップ
30 第1ワイヤ
31 第2ワイヤ
32 第3ワイヤ
33 第4ワイヤ(低電位手段)
34 第5ワイヤ(低電位手段)
Claims (1)
- 可動電極(11c)、第1固定電極(12b)、及び第2固定電極(13b)を有し、前記可動電極(11c)と前記第1固定電極(12b)との間に形成された第1容量を第1容量信号として出力すると共に、前記可動電極(11c)と前記第2固定電極(13b)との間に形成された第2容量を第2容量信号として出力するセンサチップ(10)と、
前記センサチップ(10)に前記可動電極(11c)を駆動するための搬送波信号を出力する一方、前記センサチップ(10)から前記第1容量信号及び前記第2容量信号を入力し、前記可動電極(11c)に力学量が印加されたときの当該可動電極(11c)の変位に伴う、前記第1容量と前記第2容量との差動容量変化に基づいて前記力学量を取得する回路チップ(20)と、
前記センサチップ(10)と前記回路チップ(20)とを電気的に接続すると共に、前記センサチップ(10)から前記回路チップ(20)に前記第1容量信号を伝える第1ワイヤ(30)と、
前記センサチップ(10)と前記回路チップ(20)とを電気的に接続すると共に、前記センサチップ(10)から前記回路チップ(20)に前記第2容量信号を伝える第2ワイヤ(31)と、
前記センサチップ(10)と前記回路チップ(20)とを電気的に接続すると共に前記第1ワイヤ(30)と前記第2ワイヤ(31)との間に配置されており、前記回路チップ(20)から前記可動電極(11c)に前記搬送波信号を伝える第3ワイヤ(32)と、
前記回路チップ(20)から前記第1ワイヤ(30)及び前記第2ワイヤ(31)よりも低い電位が与えられると共に、前記第1ワイヤ(30)及び前記第2ワイヤ(31)から発せられた電気力線の一部を受ける低電位手段(60)と、
を備え、
前記低電位手段は、前記回路チップ(20)の一面(21)に設けられたパッド(60)であることを特徴とする半導体装置。
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