JP6125247B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせる半導体装置の製造方法が提供される。
基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせる基板処理方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板の側方に設けられガスをプラズマ励起させる複数の励起部と、
前記各励起部に対して反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた前記複数の励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する処理を行い、前記励起種を前記各励起部より供給する処理では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせるように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および前記各励起部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記励起種を前記各励起部より供給する手順では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせるプログラムが提供される。
(1)基板処理装置の構成
図1は、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面図で示している。また、図2は本実施形態で好適に用いられる縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図1のA−A線断面図で示している。
次に、上述の基板処理装置の処理炉202を用いて、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に薄膜として絶縁膜である窒化膜を成膜する方法の例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
処理室201内のウエハ200に対して原料ガスを供給することで、ウエハ200上にシリコン含有層を形成する工程と、
処理室201内のウエハ200に対して、ウエハ200の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスとして窒素含有ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、各励起部より供給することで、シリコン含有層を窒化させてシリコン窒化層に変化させる工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン窒化膜を形成する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。なお、真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。なお、ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217及びウエハ200の回転を開始する。なお、回転機構267によるボート217及びウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
その後、後述する4つのステップ、すなわち、ステップ1a〜4aを順次実行する。
第1ガス供給管232aのバルブ243a、第1不活性ガス供給管232dのバルブ243dを開き、第1ガス供給管232aにMCSガス、第1不活性ガス供給管232dにN2ガスを流す。N2ガスは、第1不活性ガス供給管232dから流れ、マスフローコントローラ241dにより流量調整される。MCSガスは、第1ガス供給管232aから流れ、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたMCSガスは、流量調整されたN2ガスと第1ガス供給管232a内で混合されて、第1ノズル233aのガス供給孔248aから、加熱された減圧状態の処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してMCSガスが供給されることとなる(MCSガス供給工程)。
ウエハ200上にシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管232aのバルブ243aを閉じ、MCSガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のMCSガスを処理室201内から排除する。なお、このとき、バルブ243d,243e,243fは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のMCSガスを処理室201内から排除する効果を更に高めることができる(第1のパージ工程)。
処理室201内の残留ガスを除去した後、ウエハ200の側方に設けられた2つの励起部(プラズマ発生部)においてNH3ガスを同時にプラズマで励起させ、プラズマ励起させたNH3ガス、すなわち、NH3ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、2つの励起部(プラズマ発生部)から処理室201内のウエハ200に対して同時に供給する(NH3ガス供給工程)。
シリコン含有層をシリコン窒化層へと変化させた後、第2ガス供給管232bのバルブ243b及び第3ガス供給管232cのバルブ243cをそれぞれ閉じ、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン窒化層形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。なお、このとき、バルブ243e,243f,243dは開いたままとして、不活性ガスとしてのN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン窒化層形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する効果を更に高めることができる(第2のパージ工程)。
上述したステップ1a〜4aを1サイクルとして、このサイクルを所定回数、好ましくは複数回実施することにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン窒化膜(Si3N4膜、以下、単にSiN膜ともいう。)を成膜することが出来る。
所定膜厚のシリコン窒化膜が成膜されると、バルブ243d,243e,243fを開き、第1不活性ガス供給管232d、第2不活性ガス供給管232e、第3不活性ガス供給管232fのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスが処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に保持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。その後、処理済みのウエハ200はボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせる半導体装置の製造方法が提供される。
付記1の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記励起種が前記基板の中央部まで及ぶ分布とし、
前記他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記励起種が前記基板の中央部以外の部分まで及ぶ分布とする。
付記1または2の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記励起種が前記基板の中央部まで及ぶ分布とし、
前記他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記励起種が前記基板の周縁部まで及ぶ分布とする。
付記1乃至3のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部に対して供給する前記反応ガスの供給流量を、
前記他の励起部に対して供給する前記反応ガスの供給流量よりも大きくする。
付記1乃至4のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の供給量を、
前記他の励起部より供給する前記励起種の供給量よりも多くする。
付記1乃至5のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部に対して供給する前記反応ガスの供給時間を、
前記他の励起部に対して供給する前記反応ガスの供給時間よりも長くする。
付記1乃至6のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の供給時間を、
前記他の励起部より供給する前記励起種の供給時間よりも長くする。
付記1乃至7のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させるために、前記少なくとも一つの励起部に印加する電力を、
前記他の励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させるために、前記他の励起部に印加する電力よりも大きくする。
付記1乃至8のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部に対して供給する前記反応ガスの種類を、
前記他の励起部に対して供給する前記反応ガスの種類と異ならせる。
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記少なくとも一つの励起部より前記励起種を供給する供給孔の開口面積を、
前記他の励起部より前記励起種を供給する供給孔の開口面積と異ならせる。
付記1乃至9のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記少なくとも一つの励起部より前記励起種を供給する供給孔を、前記励起種を前記基板の中心部に向けて流すような方向に開設し、
前記他の励起部より前記励起種を供給する供給孔を、前記励起種を前記基板の周縁部に向けて流すような方向に開設する。
付記1乃至3のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の生成条件を、
前記他の励起部より供給する前記励起種の生成条件と異ならせる。
付記1乃至3のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の供給条件を、
前記他の励起部より供給する前記励起種の供給条件と異ならせる。
本発明の他の態様によれば、
基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせる基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板の側方に設けられガスをプラズマ励起させる複数の励起部と、
前記各励起部に対して反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた前記複数の励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する処理を行い、前記励起種を前記各励起部より供給する処理では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせるように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および前記各励起部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記励起種を前記各励起部より供給する手順では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせるプログラムが提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記励起種を前記各励起部より供給する手順では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における分布と異ならせるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 排気管
232a 第1ガス供給管
232b 第2ガス供給管
232c 第3ガス供給管
233a 第1ノズル
233b 第2ノズル
233c 第3ノズル
237b,237c バッファ室
Claims (18)
- 基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する工程と、
を交互に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離と異ならせる半導体装置の製造方法。 - 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種を前記基板の面内における中央部まで到達させ、
前記他の励起部より供給する前記励起種を前記基板の面内における中央部以外の部分まで到達させる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種を前記基板の面内における中央部まで到達させ、
前記他の励起部より供給する前記励起種を前記基板の面内における周縁部まで到達させる請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種を前記基板の面内における中央部まで到達させ、
前記他の励起部より供給する前記励起種を、前記基板の面内における中央部まで到達させることなく、前記基板の面内における周縁部まで到達させる請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の供給量を、前記他の励起部より供給する前記励起種の供給量と異ならせる請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部に対して供給する前記反応ガスの供給流量を、前記他の励起部に対して供給する前記反応ガスの供給流量と異ならせる請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部に対して供給する前記反応ガスの供給時間を、前記他の励起部に対して供給する前記反応ガスの供給時間と異ならせる請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の供給時間を、前記他の励起部より供給する前記励起種の供給時間と異ならせる請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記励起種を前記各励起部より間欠的に供給し、前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の供給回数を、前記他の励起部より供給する前記励起種の供給回数と異ならせる請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、
前記少なくとも一つの励起部より前記励起種を連続的に供給しつつ前記他の励起部より前記励起種を間欠的に供給するか、もしくは、
前記少なくとも一つの励起部より前記励起種を間欠的に供給しつつ前記他の励起部より前記励起種を連続的に供給する請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させるために、前記少なくとも一つの励起部に印加する電力を、前記他の励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させるために、前記他の励起部に印加する電力と異ならせる請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部に対して供給する前記反応ガスの種類を、前記他の励起部に対して供給する前記反応ガスの種類と異ならせる請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記少なくとも一つの励起部より前記励起種を供給する供給孔の開口面積を、前記他の励起部より前記励起種を供給する供給孔の開口面積と異ならせる請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記少なくとも一つの励起部より前記励起種を供給する供給孔を、前記励起種を前記基板の中心部に向けて流すような方向に開設し、前記他の励起部より前記励起種を供給する供給孔を、前記励起種を前記基板の周縁部に向けて流すような方向に開設する請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の生成条件を、前記他の励起部より供給する前記励起種の生成条件と異ならせる請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する工程と、
を交互に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する工程を有し、
前記励起種を前記各励起部より供給する工程では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離と異ならせる基板処理方法。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内の基板の側方に設けられガスをプラズマ励起させる複数の励起部と、
前記各励起部に対して反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた前記複数の励起部において前記反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する処理と、を交互に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する処理を行わせ、前記励起種を前記各励起部より供給する処理では、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離と異ならせるように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系および前記各励起部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して、前記基板の側方に設けられた複数の励起部において反応ガスをプラズマ励起させて生成した励起種を、前記各励起部より供給する手順と、
を交互に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に薄膜を形成する手順と、
前記励起種を前記各励起部より供給する手順において、前記複数の励起部のうち少なくとも一つの励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離を、前記複数の励起部のうち前記少なくとも一つの励起部とは異なる他の励起部より供給する前記励起種の前記基板の面内における前記基板の外周部からの到達距離と異ならせる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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