JP6120760B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明にかかる実施の形態1の太陽電池を示す構造模式図である。本実施の形態の太陽電池は、単結晶シリコン基板上に非晶質シリコン系薄膜をはじめとする非晶質薄膜を備えた太陽電池の構造に係り、またその構造に関する。第1導電型の単結晶シリコン基板上に非晶質シリコン系薄膜を形成した太陽電池において、第1導電型の単結晶シリコン基板と、真性の非晶質シリコン系薄膜との界面におけるプラズモンロスピーク変分が、単結晶シリコン基板内部に比べて、+10%以内であるようにしたことを特徴とするものである。
図9は、本発明にかかる実施の形態2の太陽電池の製造工程を示すフローチャートである。本実施の形態の太陽電池の製造方法では、単結晶シリコン基板上に非晶質シリコン系薄膜をはじめとする非晶質薄膜を備えた太陽電池の構造に係り、またその構造に関する。第1導電型の単結晶シリコン基板上に非晶質シリコン系薄膜を形成した太陽電池において、第1導電型の単結晶シリコン基板と、真性の非晶質シリコン系薄膜との界面におけるプラズモンロスピーク変分が、単結晶シリコン基板内部に比べて、+10%以内であるとともに、Cs−STEM観察結果から、界面を形成する単結晶シリコン基板内部にかけておおよそ5nmまでの平均透過電子量が、基板内部の平均透過電子量に比べてマイナス15%以内であるか否かの判定を行うようにしたことを特徴とするものである。
Claims (3)
- 第1導電型の単結晶シリコン基板上に、真性の非晶質シリコン系薄膜を介して第2導電型の非晶質シリコン系薄膜を形成しヘテロ接合型太陽電池を形成する工程と、
前記ヘテロ接合型太陽電池に対し、熱アニールを行う改質工程と、
前記第1導電型の単結晶シリコン基板と前記真性の非晶質シリコン系薄膜との接合界面におけるプラズモンロスピーク変分を測定する工程と、
前記測定する工程による測定結果に基づき、前記改質工程におけるアニール条件を設定する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記アニール条件を設定する工程は、
前記測定する工程による測定結果に基づき、前記接合界面における前記単結晶シリコン基板側界面近傍と、前記単結晶シリコン基板内部とのプラズモンロスピーク変分が+10%以内となるように、前記改質工程におけるアニール条件を設定する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記アニール条件を設定する工程は、
前記測定する工程による測定結果に基づき、前記接合界面における前記単結晶シリコン基板側界面近傍と、前記単結晶シリコン基板内部とのプラズモンロスピーク変分が+8%以内となるように、前記改質工程におけるアニール条件を設定する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
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