JP6120644B2 - Cutting groove detection method - Google Patents

Description

本発明は、切削により形成された被加工物の切削溝のエッジの検出方法に関する。   The present invention relates to a method for detecting an edge of a cutting groove of a workpiece formed by cutting.

従来、半導体ウェーハやガラス基板、樹脂基板等をデバイスチップへと分割するための切削装置（ダイシング装置）が知られており、例えば、特許文献１に開示されるように、２つのスピンドルユニットを有する２スピンドル切削装置も知られている。   Conventionally, a cutting device (dicing device) for dividing a semiconductor wafer, a glass substrate, a resin substrate or the like into device chips is known. For example, as disclosed in Patent Document 1, it has two spindle units. Two spindle cutting devices are also known.

このような２スピンドル切削装置では、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードによって所定深さの溝を形成するハーフカットを行い、その後、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードによってハーフカットされた溝を完全切断するフルカットを行う、といったステップカットが実施される。   In such a two-spindle cutting apparatus, first, a half-cut is formed by forming a groove of a predetermined depth by the cutting blade of one spindle unit, and then the groove half-cut by the cutting blade of the other spindle unit is completely cut. A step cut such as performing a full cut is performed.

このようなステップカットは、半導体ウェーハを切削加工する際において、分割予定ラインが設定されたストリートにテストエレメントグループ（ＴＥＧ）と称されるテスト用の金属パターンを除去する場合においても行われる。   Such a step cut is also performed when a test metal pattern called a test element group (TEG) is removed from a street where a division planned line is set when cutting a semiconductor wafer.

即ち、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードにてＴＥＧを除去（ハーフカット）して第一の切削溝を形成し、次いで、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードにて第一の切削溝の位置に第二の切削溝を形成して半導体ウェーハを完全に切断する（フルカット）、といったものである。   That is, the TEG is first removed (half cut) with the cutting blade of one spindle unit to form the first cutting groove, and then the cutting blade of the other spindle unit is moved to the position of the first cutting groove. The second cutting groove is formed to completely cut the semiconductor wafer (full cut).

このようなステップカットを実施することによれば、予めハーフカットによってＴＥＧが除去され、ハーフカットで用いた切削ブレードとは別の切削ブレードでフルカットが行われるため、フルカットを行う切削ブレードについてはＴＥＧによる目詰まりが発生することがない。   By performing such a step cut, the TEG is removed in advance by a half cut, and a full cut is performed with a cutting blade different from the cutting blade used in the half cut. No clogging due to TEG occurs.

そして、フルカットを行う切削ブレードについてＴＥＧによる目詰まり気味の状況を発生させないことにより、ウェーハの裏面側にチッピングが発生してしまうことを効果的に防止することができる。   Then, by preventing the cutting blade that performs full cutting from being clogged by TEG, it is possible to effectively prevent chipping from occurring on the back side of the wafer.

他方、切削溝の位置は、ストリートに対する位置合わせや２枚の切削ブレードの溝同士の位置を合わせる都合上、切削装置によって正確に検出され、制御される必要がある。   On the other hand, the position of the cutting groove needs to be accurately detected and controlled by the cutting device for the purpose of aligning with the street and aligning the positions of the grooves of the two cutting blades.

このため、例えば、特許文献２に開示されるように、ウェーハの上面の撮像画像に基づき位置あわせのためのずれ量を検出し、補正値を加減して、所定の位置を正確に切削するようにしている。この特許文献２では、ウェーハが存在しない領域（ダイシングテープ）に切り込んで切削傷を形成し、この切削傷をもとにずれ量の検出を行っていた。   For this reason, for example, as disclosed in Patent Document 2, a deviation amount for alignment is detected based on a captured image of the upper surface of the wafer, and a predetermined value is accurately cut by adjusting a correction value. I have to. In Patent Document 2, a cutting flaw is formed by cutting into a region (dicing tape) where no wafer exists, and the amount of deviation is detected based on the cutting flaw.

特開２００３−１７３９８６号公報JP 2003-173986 A 特開２００５−３１１０３３号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-311033 特開２００５−１９７４９２号公報JP 2005-197492 A

上述したステップカットを実施する際には、ＴＥＧを除去して形成された第一の切削溝の位置に正確に切削ブレードを位置付け、第二の切削溝を形成する必要がある。このため、適宜、第一の切削溝と第二の切削溝の位置関係を確認する必要がある。   When performing the above-mentioned step cut, it is necessary to accurately position the cutting blade at the position of the first cutting groove formed by removing the TEG and form the second cutting groove. For this reason, it is necessary to confirm the positional relationship of a 1st cutting groove and a 2nd cutting groove suitably.

ここで、第一の切削溝については、上面から光を当てて撮像することにより、容易に溝のエッジ（境界部分）が認識できる。理由としては、第一の切削溝はエッジがウェーハの表面にあり、光が当り易いためと考えられる。   Here, about the 1st cutting groove, the edge (boundary part) of a groove | channel can be easily recognized by applying light from the upper surface and imaging. The reason is considered that the first cutting groove has an edge on the surface of the wafer and is easily exposed to light.

他方、第一の切削溝の底に形成された第二の切削溝は、エッジが深く掘り込んだ第一の切削溝の底にあることから光が当たりにくく、撮像しても明確に溝のエッジ（境界部分）が認識され難いという問題があった。   On the other hand, the second cutting groove formed at the bottom of the first cutting groove is not easily exposed to light because the edge is at the bottom of the first cutting groove deeply dug. There was a problem that the edge (boundary portion) was difficult to recognize.

ここで、特許文献２の様に、第二の切削溝を形成する切削ブレードで第一の切削溝の底以外のところに切削傷を形成し、この切削傷を検出するといった手法をとることも考えられるが、別途検出用の切削傷を形成する必要があり、追加の工数を要することになる。また、この追加の切削傷の形成によって、切削ブレードに目詰まりが生じることも懸念される。   Here, as in Patent Document 2, a method may be used in which a cutting flaw is formed on a portion other than the bottom of the first cutting groove with a cutting blade that forms the second cutting groove, and this cutting flaw is detected. Although it is conceivable, it is necessary to form a cutting flaw for detection separately, which requires additional man-hours. There is also a concern that the formation of the additional cutting flaws may cause clogging of the cutting blade.

さらには、特許文献３のように、第一の切削溝を形成した第一の切削ブレードの溝を検出し、第一の切削ブレードの位置を検出するものとは別に、第二の切削溝を形成するための第二の切削ブレードでＴＥＧ（テスト用の金属パターン）のあるストリートを切削して第二の切削ブレードの切削溝を検出して第二の切削ブレードの位置を検出するという手法もあるが、これではＴＥＧを切削させないことで目づまりを抑制していた効果が薄れてしまうという問題が有る。   Further, as described in Patent Document 3, the groove of the first cutting blade in which the first cutting groove is formed is detected, and separately from the detection of the position of the first cutting blade, the second cutting groove is formed. There is also a technique of detecting the position of the second cutting blade by cutting the street with TEG (metal pattern for test) with the second cutting blade to form and detecting the cutting groove of the second cutting blade. However, there is a problem in that the effect of suppressing clogging by not cutting the TEG is reduced.

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、第一の切削溝と同一箇所に形成される第二の切削溝のエッジを確実に検出可能とするための新規な技術を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and the object of the present invention is to make it possible to reliably detect the edge of the second cutting groove formed at the same location as the first cutting groove. Is to provide a new technology.

本発明によると、切削溝の検出方法であって、板状の被加工物の裏面側に、粘着層と基材層と反射材層とから構成され、該反射材層は少なくとも該被加工物が貼着される領域に配設されたダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、該ダイシングテープ貼着ステップの後に、該ダイシングテープを介してチャックテーブルにて該被加工物を保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面に裏面に至らない深さの第一の切削溝を第一の切削ブレードで形成する第一切削ステップと、該第一切削ステップの後に、該第一の切削溝の底部から該被加工物の裏面に至る第二の切削溝を、該第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードで形成する第二切削ステップと、該第二切削ステップの後に、該被加工物の表面側から光を照射しつつ該表面側から該第一の切削溝及び該第二の切削溝を撮像して該第一、第二の切削溝のエッジを検出する検出ステップと、を備え、該検出ステップでは、照射された光によって照らされる該被加工物の表面を撮像して該第一の切削溝のエッジが検出され、照射された光が該第一の切削溝及び該第二の切削溝を介して前記反射材層で反射し、該反射した光によって裏面側から照らされた該第二の切削溝を該表面側から撮像して、該第二の切削溝のエッジが検出される、ことを特徴とする切削溝の検出方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method for detecting a cutting groove, comprising: an adhesive layer, a base material layer, and a reflective material layer on the back side of a plate-shaped workpiece , wherein the reflective material layer is at least the workpiece. A dicing tape adhering step for adhering a dicing tape disposed in a region where the material is adhered , and after the dicing tape adhering step, the workpiece is held on a chuck table via the dicing tape. A first cutting step for forming, after the holding step, a first cutting groove having a depth that does not reach the back surface on the surface of the workpiece held on the chuck table by the first cutting blade; After the first cutting step, a second cutting groove having a thickness smaller than that of the first cutting blade is formed on the second cutting groove extending from the bottom of the first cutting groove to the back surface of the workpiece. Forming in the second cutting step Then, after the second cutting step, the first and second cutting grooves are imaged from the surface side while irradiating light from the surface side of the workpiece. Detecting the edge of the cutting groove, and detecting the edge of the first cutting groove by imaging the surface of the workpiece illuminated by the irradiated light. The reflected light is reflected by the reflector layer through the first cutting groove and the second cutting groove, and the second cutting groove illuminated from the back side by the reflected light is imaged from the front surface side. And the edge of this 2nd cutting groove is detected, The cutting groove detection method characterized by the above-mentioned is provided.

本発明のダイシングテープ、及び、切削溝の検出方法においては、反射材層を備えたダイシングテープを用いることによって、第二の切削溝を裏面側から反射光によって照らすことができるため、確実に各切削溝をエッジを検出することが可能となる。   In the dicing tape and the cutting groove detection method of the present invention, the second cutting groove can be illuminated with reflected light from the back surface side by using the dicing tape provided with the reflective material layer. It becomes possible to detect the edge of the cutting groove.

また、従来のように、別途、切削ブレードの位置あわせのためだけに利用する検出用の溝を切削する必要もなく、切削ブレードの目詰まりも抑えることが可能となる。   Further, unlike the prior art, it is not necessary to cut a detection groove that is used only for positioning of the cutting blade, and clogging of the cutting blade can be suppressed.

本発明の実施に適した加工装置（切削装置）の斜視図である。It is a perspective view of the processing apparatus (cutting apparatus) suitable for implementation of this invention. （Ａ）はダイシングテープ貼着ステップについて説明する図である。（Ｂ）はダイシングテープにウェーハを貼着した状態について示す図である。(A) is a figure explaining a dicing tape sticking step. (B) is a figure shown about the state which stuck the wafer to the dicing tape. ダイシングテープの断面について説明する図である。It is a figure explaining the cross section of a dicing tape. 第一の切削溝と第二の切削溝の加工について説明する図である。It is a figure explaining the process of a 1st cutting groove and a 2nd cutting groove. （Ａ）はハーフカット後のウェーハの断面図である。（Ｂ）はフルカット後のウェーハの断面図である。(A) is sectional drawing of the wafer after a half cut. (B) is a sectional view of the wafer after full cut. 撮像装置による撮像について説明する図である。It is a figure explaining the imaging by an imaging device. エッジが顕著に現れる撮像画像の一例について示す図である。It is a figure shown about an example of the captured image in which an edge appears notably.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。加工装置の一例として、半導体ウェーハの切削装置１の外観斜視図が図１に示されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. As an example of the processing apparatus, an external perspective view of a semiconductor wafer cutting apparatus 1 is shown in FIG.

切削装置１は、切削ブレードを有する切削ユニット２０ａ，２０ｂ（切削手段）と、被加工物となるウェーハＷを保持したチャックテーブル１０とを相対移動させることで、ウェーハＷを切削加工するものである。   The cutting apparatus 1 cuts the wafer W by relatively moving the cutting units 20a and 20b (cutting means) having cutting blades and the chuck table 10 holding the wafer W to be processed. .

図２（Ｂ）に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａには、複数のデバイス１５が格子状に配設されており、各デバイス１５の間に互いに直交する分割予定ライン１３が形成されるようになっている。この分割予定ライン１３に沿って切削が行われることで、個々のデバイスチップに分割される。   As shown in FIG. 2 (B), a plurality of devices 15 are arranged in a lattice pattern on the surface Wa of the wafer W, so that the division lines 13 orthogonal to each other are formed between the devices 15. It has become. By cutting along the division line 13, it is divided into individual device chips.

図１に示すように、切削装置１は、２つのスピンドルを有してなる、いわゆるフェイシングデュアルタイプのダイサーであり、制御装置９０によって加工が自動制御される構成としている。装置本体２上には門型の柱部３が設けられており、柱部３には、Ｙ軸方向に移動する２つのＹ軸移動装置３０ａ，３０ｂ（Ｙ軸移動手段）と、Ｙ軸移動装置３０ａ，３０ｂにそれぞれＺ軸方向に移動するＺ軸移動装置４０ａ，４０ｂ（Ｚ軸移動手段）と、が設けられ、各Ｚ軸移動装置４０ａ，４０ｂにそれぞれ切削ユニット２０ａ，２０ｂが設けられている。   As shown in FIG. 1, the cutting device 1 is a so-called facing dual type dicer having two spindles, and has a configuration in which machining is automatically controlled by a control device 90. A gate-shaped column 3 is provided on the apparatus main body 2, and the column 3 includes two Y-axis moving devices 30a and 30b (Y-axis moving means) that move in the Y-axis direction, and Y-axis movement. Z-axis moving devices 40a and 40b (Z-axis moving means) that move in the Z-axis direction are provided in the devices 30a and 30b, respectively, and cutting units 20a and 20b are provided in the Z-axis moving devices 40a and 40b, respectively. Yes.

Ｙ軸移動装置３０ａは、Ｙ軸パルスモータ３２ａによってボールねじ３１ａを回転させることで、Ｙ軸移動基台６ａをＹ軸方向へと移動させるべく構成される。Ｚ軸移動装置４０ａは、Ｚ軸パルスモータ４２ａによって、切削ユニット２０ａの支持部材５ａをＺ軸方向へと移動させるべく構成される。この構成により、切削ユニット２０ａは、Ｙ軸パルスモータ３２ａの駆動によりＹ軸方向へ移動し、Ｚ軸パルスモータ４２ａの駆動によりＺ軸方向に移動する。   The Y-axis moving device 30a is configured to move the Y-axis moving base 6a in the Y-axis direction by rotating the ball screw 31a by the Y-axis pulse motor 32a. The Z-axis moving device 40a is configured to move the support member 5a of the cutting unit 20a in the Z-axis direction by the Z-axis pulse motor 42a. With this configuration, the cutting unit 20a moves in the Y-axis direction by driving the Y-axis pulse motor 32a, and moves in the Z-axis direction by driving the Z-axis pulse motor 42a.

同様に、Ｙ軸移動装置３０ｂは、Ｙ軸パルスモータ３２ｂによってボールねじ３１ｂを回転させることで、Ｙ軸移動基台６ｂをＹ軸方向へと移動させるべく構成される。Ｚ軸移動装置４０ｂは、Ｚ軸パルスモータ４２ｂによって、切削ユニット２０ｂの支持部材５ｂをＺ軸方向へと移動させるべく構成される。この構成により、切削ユニット２０ｂは、Ｙ軸パルスモータ３２ｂの駆動によりＹ軸方向へ移動し、Ｚ軸パルスモータ４２ｂの駆動によりＺ軸方向に移動する。   Similarly, the Y-axis moving device 30b is configured to move the Y-axis moving base 6b in the Y-axis direction by rotating the ball screw 31b by the Y-axis pulse motor 32b. The Z-axis moving device 40b is configured to move the support member 5b of the cutting unit 20b in the Z-axis direction by the Z-axis pulse motor 42b. With this configuration, the cutting unit 20b moves in the Y-axis direction by driving the Y-axis pulse motor 32b, and moves in the Z-axis direction by driving the Z-axis pulse motor 42b.

二つの切削ユニット２０ａ，２０ｂは、Ｙ軸方向において対向するように配置され、平面視において切削ユニット２０ａ，２０ｂの間において、チャックテーブル１０がＸ軸方向に移動する位置関係としている。   The two cutting units 20a and 20b are arranged so as to face each other in the Y-axis direction, and have a positional relationship in which the chuck table 10 moves in the X-axis direction between the cutting units 20a and 20b in plan view.

切削装置１は、チャックテーブル１０のテーブルベース１０ａをＸ軸方向に移動させるためのＸ軸移動装置８（Ｘ軸移動手段）を有しており、蛇腹１０ｂの下にＸ軸移動装置８が配設されている。カセットエレベータ６０上のウェーハカセットから仮置き機構７０に搬出されたウェーハＷは、図示せぬ搬送装置によってチャックテーブル１０に載置されてＸ軸方向に移動させることで切削加工がなされる。切削加工がなされたウェーハＷは、洗浄・乾燥手段８０によって洗浄・乾燥された後、再び、カセットエレベータ６０にセットされるウェーハカセットへと搬出される。   The cutting device 1 has an X-axis moving device 8 (X-axis moving means) for moving the table base 10a of the chuck table 10 in the X-axis direction, and the X-axis moving device 8 is arranged below the bellows 10b. It is installed. The wafer W carried out from the wafer cassette on the cassette elevator 60 to the temporary placement mechanism 70 is placed on the chuck table 10 by a transfer device (not shown) and moved in the X-axis direction for cutting. The wafer W that has been subjected to the cutting process is cleaned and dried by the cleaning / drying means 80 and is then carried out again to the wafer cassette set in the cassette elevator 60.

切削装置１で加工されるウェーハＷは、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とするウェーハや、ガラス、セラミックス、樹脂基板、金属等の板状物である。ウェーハＷは、デバイスが複数形成されているデバイス側の表面と反対側の裏面がダイシングテープＴに貼著され、ウェーハＷを貼着したダイシングテープＴが環状のフレームＦに貼着された状態で、図示せぬウェーハカセット内に収容される。   The wafer W processed by the cutting apparatus 1 is a wafer made of silicon, sapphire, gallium or the like as a base material, or a plate-like object such as glass, ceramics, a resin substrate, or metal. The wafer W is in a state in which the device-side surface on which a plurality of devices are formed and the back surface opposite to the device-side surface are attached to the dicing tape T, and the dicing tape T to which the wafer W is attached is attached to the annular frame F. Are accommodated in a wafer cassette (not shown).

切削装置１の装置本体２の上面部２ａには、その上面部２ａよりも一段低く構成されるウォーターケース部２ｂが構成されている。このウォーターケース部２ｂは、Ｘ軸方向に伸びるように構成されており、ウォーターケース部２ｂ内でチャックテーブル１０が移動するように構成されている。   The upper surface 2a of the apparatus main body 2 of the cutting device 1 is configured with a water case 2b configured to be one step lower than the upper surface 2a. The water case portion 2b is configured to extend in the X-axis direction, and the chuck table 10 is configured to move within the water case portion 2b.

切削加工時においてウェーハＷにかけられる切削水は、ウォーターケース部２ｂによって形成される凹状の空間内に流れ、図示せぬ排出口を通って、外部に排出される。   The cutting water applied to the wafer W during the cutting process flows into a concave space formed by the water case portion 2b, and is discharged to the outside through a discharge port (not shown).

次に、以上のように構成する切削装置１を用いて行う切削溝の検出方法について説明する。   Next, a method for detecting a cutting groove performed using the cutting apparatus 1 configured as described above will be described.

まず、図２（Ａ）に示すように、被加工物となるウェーハＷの裏面Ｗｂ側にダイシングテープＴを貼着するダイシングテープ貼着ステップを実施する。   First, as shown to FIG. 2 (A), the dicing tape sticking step which sticks the dicing tape T to the back surface Wb side of the wafer W used as a workpiece is implemented.

ダイシングテープＴは、図３に示すように、表側から順に、ウェーハＷの裏面Ｗｂが貼着される粘着層Ｔ１、基材層Ｔ２、反射材層Ｔ３を有して構成されている。   As shown in FIG. 3, the dicing tape T includes an adhesive layer T1, a base material layer T2, and a reflective material layer T3 to which the back surface Wb of the wafer W is attached in order from the front side.

粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２は、環状フレームＦの開口部Ｆｃを塞ぐ大きさに構成されており、粘着層Ｔ１が環状フレームＦの裏面Ｆｂ側に貼着される。   The adhesive layer T1 and the base material layer T2 are configured to close the opening Fc of the annular frame F, and the adhesive layer T1 is attached to the back surface Fb side of the annular frame F.

粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２は、それぞれ透明、半透明、乳白色、黒色などとすることができ、光を透過するものである。   The adhesive layer T1 and the base material layer T2 can be transparent, translucent, milky white, black, etc., and transmit light.

反射材層Ｔ３は、少なくともウェーハＷが貼着される領域に配設される。本実施例では、ウェーハＷが円形であるため、ウェーハＷの径よりも径が大きい円形の反射材層Ｔ３が形成されることとしている。   The reflective material layer T3 is disposed at least in a region where the wafer W is attached. In this embodiment, since the wafer W is circular, a circular reflecting material layer T3 having a diameter larger than the diameter of the wafer W is formed.

反射材層Ｔ３は、光を反射する素材にて構成することができ、例えば、基材層Ｔ２の裏面Ｔ２ｂに光反射性を有する塗料を塗布してなる塗膜や、裏面Ｔ２ｂに貼着されるシート状のアルミ箔、などで構成することなどが考えられる。   The reflective material layer T3 can be composed of a material that reflects light. For example, the reflective material layer T3 is attached to the back surface T2b of the base material layer T2 or a back surface T2b. For example, it may be composed of a sheet-like aluminum foil.

図２（Ａ）に示すように、ダイシングテープ貼着ステップでは、ウェーハＷの裏面Ｗｂと環状フレームＦの裏面Ｆｂに対し、ダイシングテープＴの粘着層Ｔ１を上から被せるようにして貼着することで、図２（Ｂ）に示すように、粘着層Ｔ１の上側にウェーハＷが配設され、ウェーハＷの表面Ｗａが露出した状態とされる。   As shown in FIG. 2A, in the dicing tape adhering step, the adhesive layer T1 of the dicing tape T is adhered to the back surface Wb of the wafer W and the back surface Fb of the annular frame F so as to be covered from above. Thus, as shown in FIG. 2B, the wafer W is disposed above the adhesive layer T1, and the surface Wa of the wafer W is exposed.

この図２（Ｂ）に示すように、ダイシングテープＴにおいてウェーハＷが配設される領域を取り囲むようにして、反射材層Ｔ３がダイシングテープＴの裏側に配設される。   As shown in FIG. 2B, a reflective material layer T3 is disposed on the back side of the dicing tape T so as to surround a region where the wafer W is disposed on the dicing tape T.

次いで、ダイシングテープ貼着ステップの後に、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル１０（図１）にてウェーハＷを保持する保持ステップを実施する。   Next, after the dicing tape attaching step, a holding step for holding the wafer W on the chuck table 10 (FIG. 1) via the dicing tape T is performed.

チャックテーブル１０は、図４に示すように吸引源１０ｄと通じる吸引保持部１０ｃを有して構成されており、この吸引保持部１０ｃの上面において、ダイシングテープＴを介してウェーハＷが吸引保持されるようになっている。   As shown in FIG. 4, the chuck table 10 has a suction holding portion 10c that communicates with the suction source 10d, and the wafer W is sucked and held via the dicing tape T on the upper surface of the suction holding portion 10c. It has become so.

次いで、図４に示すように、保持ステップの後に、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの表面Ｗａに裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１を第一の切削ブレード２１で形成する第一切削ステップを実施する。   Next, as shown in FIG. 4, after the holding step, the first cutting blade 21 forms a first cutting groove M1 having a depth that does not reach the back surface Wb on the front surface Wa of the wafer W held on the chuck table 10. A first cutting step is performed.

図５（Ａ）は、ウェーハＷの表面Ｗａに裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１が形成された様子を示す断面図である。ここで、第一の切削溝Ｍ１は、分割予定ライン１３に沿って形成されるものである。   FIG. 5A is a cross-sectional view showing a state where the first cutting groove M1 having a depth not reaching the back surface Wb is formed on the front surface Wa of the wafer W. FIG. Here, the first cutting groove M <b> 1 is formed along the division planned line 13.

また、この分割予定ライン１３上に、ＴＥＧ（テストエレメントグループ）と称されるテスト用の金属パターンが存在する場合においては、このＴＥＧが第一の切削ブレード２１による切削加工によって除去される。   Further, when a test metal pattern called a TEG (test element group) exists on the planned dividing line 13, the TEG is removed by cutting with the first cutting blade 21.

以上のようにして、第一の切削ブレード２１によって、ウェーハＷの裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１を形成するハーフカットが実施され、この形成の際にＴＥＧの除去も行うことが可能となる。   As described above, the first cutting blade 21 performs the half cut to form the first cutting groove M1 having a depth that does not reach the back surface Wb of the wafer W, and the TEG is also removed during the formation. It becomes possible.

次いで、図４及び図５（Ｂ）に示すように、第一切削ステップの後に、第一の切削溝Ｍ１の底部ＭａからウェーハＷの裏面Ｗｂに至る第二の切削溝Ｍ２を、第一の切削ブレード２１よりも刃厚の薄い第二の切削ブレード２２で形成する第二切削ステップを実施する。   Next, as shown in FIGS. 4 and 5B, after the first cutting step, the second cutting groove M2 extending from the bottom Ma of the first cutting groove M1 to the back surface Wb of the wafer W is changed to the first cutting groove M1. The 2nd cutting step formed with the 2nd cutting blade 22 whose blade thickness is thinner than the cutting blade 21 is implemented.

図５（Ｂ）は、ウェーハＷの裏面Ｗｂに至る第二の切削溝Ｍ２が形成された様子を示す断面図である。ここで、第二の切削溝Ｍ２は、第一の切削溝Ｍ１の底部Ｍａに切り込まれて形成されるものであり、第一の切削溝Ｍ１と同様に分割予定ライン１３に沿って形成されるものである。   FIG. 5B is a cross-sectional view showing a state in which the second cutting groove M2 reaching the back surface Wb of the wafer W is formed. Here, the second cutting groove M2 is formed by being cut into the bottom Ma of the first cutting groove M1, and is formed along the planned dividing line 13 in the same manner as the first cutting groove M1. Is.

第二の切削溝Ｍ２は、ウェーハＷ、及び、粘着層Ｔ１に完全に切り込むことでウェーハＷがフルカットされる。また、基材層Ｔ２の一部に切り込まれるようになっている。   The second cutting groove M2 is completely cut into the wafer W and the adhesive layer T1, whereby the wafer W is fully cut. Moreover, it cuts into a part of base material layer T2.

次いで、図６に示すように、第二切削ステップの後に、ウェーハＷの表面Ｗａ側から光Ｈ１を照射しつつ表面Ｗａ側から第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を撮像して切削溝Ｍ１，Ｍ２のエッジＥ１，Ｅ２を検出する検出ステップを実施する。   Next, as shown in FIG. 6, after the second cutting step, the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2 are imaged from the surface Wa side while irradiating the light H1 from the surface Wa side of the wafer W. A detection step of detecting the edges E1, E2 of the cutting grooves M1, M2 is performed.

本実施形態では、図１に示すように切削ユニット２０ａに撮像装置２３が付設され、切削ユニット２０ａとともに撮像装置２３をＹ軸方向に移動させるとともに、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させることで、ウェーハＷの所望の位置を撮像できるようになっている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, an imaging device 23 is attached to the cutting unit 20a, and the imaging device 23 is moved in the Y-axis direction together with the cutting unit 20a, and the chuck table 10 is moved in the X-axis direction. The desired position of the wafer W can be imaged.

撮像装置２３は、撮像対象位置を照らす照明装置２４と、照らされた領域の像を結像させる顕微鏡２５と、ＣＣＤ等の撮像素子２６とを有して構成される。   The imaging device 23 includes an illumination device 24 that illuminates an imaging target position, a microscope 25 that forms an image of the illuminated area, and an imaging element 26 such as a CCD.

照明装置２４は、ＬＥＤ、ハロゲンランプ等の発光体を備えており、照明装置２４からウェーハＷに向けて光Ｈ１が照射される。   The illumination device 24 includes a light emitter such as an LED or a halogen lamp, and the light H <b> 1 is emitted from the illumination device 24 toward the wafer W.

顕微鏡２５は、対物レンズとハーフミラーとを備えており、ハーフミラーと照明装置２４とはグラスファイバーによって接続されている。ハーフミラーの上方には、顕微鏡２５に対して光軸が一致する撮像素子２６が位置している。撮像素子２６は、モニタ２７及び画像処理手段２８に接続されており、撮像素子２６によって取得された画像情報は、モニタ２７及び画像処理手段２８に転送され、適宜表示及び画像処理される。   The microscope 25 includes an objective lens and a half mirror, and the half mirror and the illumination device 24 are connected by glass fiber. Above the half mirror, an image sensor 26 whose optical axis coincides with the microscope 25 is located. The image sensor 26 is connected to a monitor 27 and image processing means 28, and image information acquired by the image sensor 26 is transferred to the monitor 27 and image processing means 28, and is appropriately displayed and processed.

そして、検出ステップでは、図６及び図７に示すように、照射された光Ｈ１によって照らされるウェーハＷの表面Ｗａを撮像して第一の切削溝Ｍ１のエッジＥ１が検出され、照射された光Ｈ１が第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を介して反射材層Ｔ３で反射し、反射した光Ｈ２によって裏面Ｗｂ側から照らされた第二の切削溝Ｍ２を表面Ｗａ側から撮像して、第二の切削溝Ｍ２のエッジＥ２が検出される。   In the detection step, as shown in FIGS. 6 and 7, the surface Wa of the wafer W illuminated by the irradiated light H1 is imaged to detect the edge E1 of the first cutting groove M1, and the irradiated light. H1 is reflected by the reflector layer T3 through the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2, and the second cutting groove M2 illuminated from the back surface Wb side by the reflected light H2 is imaged from the front surface Wa side. Then, the edge E2 of the second cutting groove M2 is detected.

反射材層Ｔ３が存在することによって、照射された光Ｈ１が反射材層Ｔ３によって反射するため、図７に示す撮像画像２９のように、反射した光Ｈ２（反射光）が第一の切削溝Ｍ１と第二の切削溝Ｍ２の境界部分となるエッジＥ２が顕著に現れる。換言すれば、第二の切削溝Ｍ２が暗くならず反射した光Ｈ２によって明るい領域となり、これにより、第一の切削溝Ｍ１と第二の切削溝Ｍ２の境界部分となるエッジＥ２がはっきりと現れる撮像画像２９を取得することができる。   Since the irradiated light H1 is reflected by the reflective material layer T3 due to the presence of the reflective material layer T3, the reflected light H2 (reflected light) is the first cutting groove as in the captured image 29 shown in FIG. An edge E2 that becomes a boundary portion between M1 and the second cutting groove M2 appears remarkably. In other words, the second cutting groove M2 does not become dark but becomes a bright region by the reflected light H2, and thereby, an edge E2 that becomes a boundary portion between the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2 appears clearly. The captured image 29 can be acquired.

そして、撮像画像２９を利用し、例えば、画像処理手段２８によって第一の切削溝Ｍ１、第二の切削溝Ｍ２の明度の差異などを認識して各領域の境界部の座標を取得するなどの画像解析することで、自動でエッジＥ１，Ｅ２を検出することができる。なお、エッジＥ１，Ｅ２を検出するための画像解析の方法については、特に限定されるものではない。   Then, using the captured image 29, for example, the image processing unit 28 recognizes the difference in brightness between the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2, and acquires the coordinates of the boundary portion of each region. By analyzing the image, the edges E1 and E2 can be automatically detected. The image analysis method for detecting the edges E1 and E2 is not particularly limited.

さらに、二本のエッジＥ１の中心線と、二本のエッジＥ２の中心線を求めるとともに、両中心線が一致しない場合には、第一の切削溝Ｍ１と第二の切削溝Ｍ２の中心線が一致しないことになるため、両者を一致させるための補正が実施される。   Further, the center lines of the two edges E1 and the center lines of the two edges E2 are obtained, and if the center lines do not match, the center lines of the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2 are obtained. Therefore, correction for matching the two is performed.

この補正は、例えば、二本のエッジＥ１の中心線と、二本のエッジＥ２の中心線のズレ量を求めるとともに、当該ズレ量を補正値として、第一の切削ブレード２１、又は、第二の切削ブレード２２のいずれか一方を、他方に対して相対移動させる位置補正をすることで行うことができる。   This correction is performed by, for example, obtaining a deviation amount between the center line of the two edges E1 and the center line of the two edges E2, and using the deviation amount as a correction value, the first cutting blade 21 or the second This can be done by correcting the position of either one of the cutting blades 22 relative to the other.

以上のようにして本発明を実施することができる。
即ち、図２及び図３に示すように、板状の被加工物であるウェーハＷに貼着されウェーハＷを支持するダイシングテープＴであって、粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２と反射材層Ｔ３とから構成され、反射材層Ｔ３は、少なくともウェーハＷが貼着される領域に配設されることとする。 The present invention can be implemented as described above.
That is, as shown in FIGS. 2 and 3, a dicing tape T is attached to a wafer W, which is a plate-like workpiece, and supports the wafer W, and includes an adhesive layer T1, a base material layer T2, and a reflector layer. The reflector layer T3 is disposed at least in a region where the wafer W is attached.

また、ダイシングテープＴの反射材層Ｔ３は、塗料又はシート状部材からなることとする。   Further, the reflecting material layer T3 of the dicing tape T is made of a paint or a sheet-like member.

そして、以上のダイシングテープＴを用い、被加工物となるウェーハＷの裏面Ｗｂ側にダイシングテープＴを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、ダイシングテープ貼着ステップの後に、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル１０（図１）にてウェーハＷを保持する保持ステップと、保持ステップの後に、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの表面Ｗａに裏面Ｗｂに至らない深さの第一の切削溝Ｍ１を第一の切削ブレード２１で形成する第一切削ステップと、第一切削ステップの後に、第一の切削溝Ｍ１の底部ＭａからウェーハＷの裏面Ｗｂに至る第二の切削溝Ｍ２を、第一の切削ブレード２１よりも刃厚の薄い第二の切削ブレード２２で形成する第二切削ステップと、第二切削ステップの後に、ウェーハＷの表面Ｗａ側から光Ｈ１を照射しつつ表面Ｗａ側から第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を撮像して切削溝Ｍ１，Ｍ２のエッジＥ１，Ｅ２を検出する検出ステップと、を備え、検出ステップでは、図６及び図７に示すように、照射された光Ｈ１によって照らされるウェーハＷの表面Ｗａを撮像して第一の切削溝Ｍ１のエッジＥ１が検出され、照射された光Ｈ１が第一の切削溝Ｍ１及び第二の切削溝Ｍ２を介して反射材層Ｔ３で反射し、反射した光Ｈ２によって裏面Ｗｂ側から照らされた第二の切削溝Ｍ２を表面Ｗａ側から撮像して、第二の切削溝Ｍ２のエッジＥ２が検出されることとするものである。   And using the above dicing tape T, after the dicing tape sticking step which sticks the dicing tape T on the back surface Wb side of the wafer W which becomes a workpiece, and after the dicing tape sticking step, the dicing tape T is passed through. A holding step for holding the wafer W on the chuck table 10 (FIG. 1), and a first cutting groove M1 having a depth that does not reach the back surface Wb on the front surface Wa of the wafer W held on the chuck table 10 after the holding step. Are formed by the first cutting blade 21, and after the first cutting step, the second cutting groove M2 extending from the bottom Ma of the first cutting groove M1 to the back surface Wb of the wafer W is formed in the first cutting step. A second cutting step formed by a second cutting blade 22 having a thinner blade thickness than the cutting blade 21 and the surface of the wafer W after the second cutting step. a step of detecting the edges E1, E2 of the cutting grooves M1, M2 by imaging the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2 from the surface Wa side while irradiating the light H1 from the a side, In the detection step, as shown in FIGS. 6 and 7, the surface Wa of the wafer W illuminated by the irradiated light H1 is imaged to detect the edge E1 of the first cutting groove M1, and the irradiated light H1 is detected. The second cutting groove M2 reflected from the reflective material layer T3 through the first cutting groove M1 and the second cutting groove M2 and illuminated from the back surface Wb side by the reflected light H2 is imaged from the front surface Wa side. The edge E2 of the second cutting groove M2 is detected.

この検出方法によれば、反射材層Ｔ３を備えたダイシングテープＴを用いることによって、第二の切削溝Ｍ２を裏面Ｗｂ側から反射した光Ｈ２によって照らすことができるため、確実に各切削溝Ｍ１，Ｍ２のエッジＥ１，Ｅ２を検出することが可能となる。   According to this detection method, by using the dicing tape T provided with the reflective material layer T3, the second cutting groove M2 can be illuminated with the light H2 reflected from the back surface Wb side. , M2 edges E1 and E2 can be detected.

また、従来のように、別途、切削ブレードの位置あわせのためだけに利用する検出用の溝を切削する必要もなく、切削ブレードの目詰まりも抑えることが可能となる。   Further, unlike the prior art, it is not necessary to cut a detection groove that is used only for positioning of the cutting blade, and clogging of the cutting blade can be suppressed.

なお、以上に述べた実施形態のほか、図５（Ａ）に示すように、反射材層Ｔ３を、粘着層Ｔ１と基材層Ｔ２の間に設けることとしてもよい。この場合、第二の切削溝Ｍ２を形成する場合には、反射材層Ｔ３によって光が反射するようにするため、反射材層Ｔ３には切り込ませず、粘着層Ｔ１にのみ切り込んでフルカットを行うこととする。また、粘着層Ｔ１については、反射材層Ｔ３よりも被加工物に近い側にあるため、光を透過しない素材にて構成することとしてもよい。   In addition to the embodiment described above, as shown in FIG. 5A, the reflective material layer T3 may be provided between the adhesive layer T1 and the base material layer T2. In this case, when the second cutting groove M2 is formed, the light is reflected by the reflective material layer T3. Therefore, the light is not cut into the reflective material layer T3, and only the adhesive layer T1 is cut into a full cut. To do. Moreover, since the adhesive layer T1 is closer to the workpiece than the reflector layer T3, it may be made of a material that does not transmit light.

１ 切削装置
１０ チャックテーブル
１３ 分割予定ライン
２１ 切削ブレード
２２ 切削ブレード
２３ 撮像装置
２４ 照明装置
２９ 撮像画像
Ｅ１ エッジ
Ｅ２ エッジ
Ｈ１ 光
Ｈ２ 光
Ｍ１ 切削溝
Ｍ２ 切削溝
Ｔ ダイシングテープ
Ｔ１ 粘着層
Ｔ２ 基材層
Ｔ３ 反射材層
Ｗ ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 10 Chuck table 13 Scheduled division line 21 Cutting blade 22 Cutting blade 23 Imaging device 24 Illumination device 29 Imaged image E1 Edge E2 Edge H1 Light H2 Light M1 Cutting groove M2 Cutting groove T Dicing tape T1 Adhesive layer T2 Base material layer T3 Reflector layer W wafer

Claims (1)

切削溝の検出方法であって、
板状の被加工物の裏面側に、粘着層と基材層と反射材層とから構成され、該反射材層は少なくとも該被加工物が貼着される領域に配設されたダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、
該ダイシングテープ貼着ステップの後に、該ダイシングテープを介してチャックテーブルにて該被加工物を保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該チャックテーブルに保持された該被加工物の表面に裏面に至らない深さの第一の切削溝を第一の切削ブレードで形成する第一切削ステップと、
該第一切削ステップの後に、該第一の切削溝の底部から該被加工物の裏面に至る第二の切削溝を、該第一の切削ブレードよりも刃厚の薄い第二の切削ブレードで形成する第二切削ステップと、
該第二切削ステップの後に、該被加工物の表面側から光を照射しつつ該表面側から該第一の切削溝及び該第二の切削溝を撮像して該第一、第二の切削溝のエッジを検出する検出ステップと、を備え、
該検出ステップでは、
照射された光によって照らされる該被加工物の表面を撮像して該第一の切削溝のエッジが検出され、
照射された光が該第一の切削溝及び該第二の切削溝を介して前記反射材層で反射し、該反射した光によって裏面側から照らされた該第二の切削溝を該表面側から撮像して、該第二の切削溝のエッジが検出される、
ことを特徴とする切削溝の検出方法。 A method for detecting a cutting groove,
On the back side of the plate-like workpiece, an adhesive layer, a base material layer, and a reflector layer are formed, and the reflector layer is a dicing tape disposed at least in a region where the workpiece is adhered. A dicing tape sticking step to stick,
After the dicing tape attaching step, a holding step for holding the workpiece on the chuck table via the dicing tape;
After the holding step, a first cutting step of forming a first cutting groove having a depth that does not reach the back surface on the surface of the workpiece held on the chuck table with a first cutting blade;
After the first cutting step, the second cutting groove from the bottom of the first cutting groove to the back surface of the workpiece is formed with a second cutting blade having a thinner blade thickness than the first cutting blade. A second cutting step to form;
After the second cutting step, imaging the first cutting groove and the second cutting groove from the surface side while irradiating light from the surface side of the workpiece, the first and second cutting A detection step of detecting an edge of the groove,
In the detection step,
The edge of the first cutting groove is detected by imaging the surface of the workpiece illuminated by the irradiated light,
The irradiated light is reflected by the reflector layer through the first cutting groove and the second cutting groove, and the second cutting groove illuminated from the back side by the reflected light is reflected on the surface side. From the image, the edge of the second cutting groove is detected,
A method for detecting a cutting groove.

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