JP6120629B2 - チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法に関する。

従来から、電子機器に用いられるチップ抵抗器が知られている。たとえば特許文献１に開示のチップ抵抗器は、金属製の抵抗体と、２つの電極と、を備えている。２つの電極は互いに間隔を隔てて、抵抗体に設けられている。このチップ抵抗器においては、チップ抵抗器自体の強度を保つ必要があるので、金属製の抵抗体の厚さをあまり薄くできない。したがって、従来のチップ抵抗器では、抵抗値を十分に大きくすることができていない。

特開２００９−２１８５５２号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、強度を保ちつつ、抵抗値を大きくできるチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、第１電極と、前記第１電極に対し、第１方向とは反対の第２方向に離間する第２電極と、前記第１電極および前記第２電極に配置された抵抗体と、前記第１電極および前記抵抗体の間、並びに、前記第２電極および前記抵抗体の間に介在している接合層と、前記抵抗体に直接形成された第１導電層と、を備え、前記第１電極は、前記第１方向側を向く第１電極外側面を有し、前記第１導電層は、前記第１方向側を向く第１導電層側面を有し、前記第１導電層側面は、前記第１電極外側面と面一になっている、チップ抵抗器が提供される。

好ましくは、前記抵抗体は、前記第１方向側を向く第１抵抗体側面を有し、前記第１抵抗体側面は、前記第１電極外側面よりも、前記第２方向側に位置している。

好ましくは、前記第１導電層は、導電層側部を有し、前記導電層側部は、前記第１抵抗体側面を覆っている。

好ましくは、前記第１導電層は、導電層下部を有し、前記導電層下部は、前記抵抗体と前記第１電極との間に介在しており、且つ、前記抵抗体と前記第１電極とに直接接している。

好ましくは、前記抵抗体は、抵抗体表面を有し、前記抵抗体表面は、前記第１電極の位置する側とは反対側を向いており、前記第１導電層は、導電層上部を有し、前記導電層上部は、前記抵抗体表面を覆っている。

好ましくは、前記第１電極は、第３方向を向く第１電極端面を有し、前記第１導電層は、前記第３方向を向く第１導電層端面を有し、前記第１電極端面は、前記第１導電層端面と面一となっており、前記第３方向は、前記第１方向と、前記第１電極の厚さ方向とに直交する方向である。

好ましくは、前記抵抗体は、第１延出部を含み、前記第１延出部は、前記第１抵抗体側面から、前記第１方向側に延び出ており、前記第１延出部は、前記第１電極外側面と面一の第１延出部側面を有する。

好ましくは、前記第１導電層と、前記第１電極と、に直接形成された第１メッキ層を更に備える。

好ましくは、前記第１メッキ層は、第１電極外側面と、第１導電層側面と、を直接覆っている。

好ましくは、前記第１電極は、前記抵抗体が配置された第１電極表面と、前記第１電極表面とは反対側を向く第１電極裏面と、を有し、前記第１メッキ層は、前記第１電極裏面を直接覆っている。

好ましくは、前記第１電極は、第３方向を向く第１電極端面を有し、前記第３方向は、前記第１方向と、前記第１電極の厚さ方向とに直交する方向であり、前記第１メッキ層は、前記第１電極端面を直接覆っている。

好ましくは、前記第１電極は、前記第２電極の位置する側を向く第１電極内側面を有し、前記第１メッキ層は、前記第１電極内側面を直接覆っている。

好ましくは、前記第１導電層および第１電極のいずれか一方は、前記第１電極の厚さ方向視における端部に形成された、前記厚さ方向のいずれか一方に尖った部分を含み、前記第１導電層および前記第１電極の他方は、前記第１電極の厚さ方向視において、前記尖った部分に重なる位置に位置する曲面を有する。

好ましくは、前記抵抗体は、前記第１電極の厚さ方向視においてサーペンタイン状である。

好ましくは、前記接合層は、前記抵抗体の位置する側を向く接合層表面を有し、前記接合層表面は、前記抵抗体に直接接している。

好ましくは、前記接合層は、前記第１電極から前記抵抗体にわたる接合層側面を有する。

好ましくは、前記接合層側面は、前記第１電極の厚さ方向に沿って、前記第１電極から直立している。

好ましくは、前記接合層側面は、前記第１電極の厚さ方向に対し、傾斜している。

好ましくは、前記抵抗体を覆う、絶縁性の保護膜を更に備え、前記保護膜は、前記第１導電層に直接接している。

好ましくは、前記第１電極および前記第２電極の間に介在している、絶縁性の熱伝導部を更に備える。

好ましくは、前記熱伝導部は、前記接合層に直接接している。

好ましくは、前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、あるいは、Ａｕよりなる。

好ましくは、前記第１電極は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、あるいはＡｌよりなる。

好ましくは、前記第１メッキ層は、Ｓｎよりなる層を含む。

好ましくは、前記接合層は、エポキシ系の材料よりなる。

好ましくは、前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる。

本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるチップ抵抗器の製造方法であって、導電性の母材の母材表面に、接合材によって、抵抗体部材を接合する工程を備える、チップ抵抗器の製造方法が提供される。

好ましくは、前記母材表面に導電層を形成する工程と、前記導電層を形成する工程の後に、前記導電層と前記母材とを一括して切断し、複数の固片を得る工程を更に備える。

好ましくは、前記導電層を形成する工程は、メッキ、スパッタリング、あるいは、塗布によって行う。

好ましくは、前記導電層を形成する工程は、ラックメッキによって行う。

好ましくは、前記複数の固片を得る工程は、パンチングあるいはダイシングにより前記母材を切断する。

好ましくは、前記複数の固片を得る工程の後に、前記複数の固片のそれぞれにメッキを行い、メッキ層を形成する工程を更に備える。

好ましくは、前記母材には、一方向に沿って延びる複数の溝が形成されている。

好ましくは、前記接合材は、接着シートあるいは液状の接着剤である。

好ましくは、前記抵抗体部材を覆う、絶縁性の保護膜を形成する工程を備える。

好ましくは、前記複数の溝の各々に熱伝導部を形成する工程を更に備える。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（一部透視化）である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 図１から第１メッキ層および第２メッキ層を省略した平面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。 図８から第１メッキ層を省略した右側面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。 図１０から第２メッキ層を省略した左側面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の正面図である。 図１に示したチップ抵抗器の背面図である。 図１のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図２の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。 図２の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の変形例を示す部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の変形例を示す部分拡大断面図である。 図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。 図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す底面図である。 図１９、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。 図１９〜図２１に続く一工程を示す断面図である。 図２２に続く一工程を示す平面図である。 図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。 図２３に続く一工程を示す平面図である。 図２５のＸＸＶＩ−ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 図２５に続く一工程を示す平面図である。 図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２７に続く一工程を示す平面図である。 図２９のＸＸＸ−ＸＸＸ線に沿う断面図である。 図２９に続く一工程を示す平面図である。 図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う矢視図である。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の変形例を示す部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の変形例を示す部分拡大断面図である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図３５を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１〜図６等に示すチップ抵抗器１００は、第１電極１１と、第２電極１２と、抵抗体２と、接合層３と、第１導電層４１と、第１メッキ層４２と、第２導電層５１と、第２メッキ層５２と、保護膜６と、を備える。

第１電極１１は板状である。第１電極１１は導電性の材料よりなる。第１電極１１を構成する導電性の材料としては、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＡｌが挙げられる。第１電極１１を経由して、抵抗体２にて発生した熱がチップ抵抗器１００の外部に放熱される。図２に示すように、同図の上下方向を第１電極１１の厚さ方向Ｚ１とする。そして、図１に示すように、同図の右方向を第１方向Ｘ１とし、左方向を第２方向Ｘ２とし、上方向を第３方向Ｘ３とし、下方向を第４方向Ｘ４とする。第１電極１１の厚さ（厚さ方向Ｚ１の寸法）は、たとえば、２００〜８００μｍである。第１方向Ｘ１と第３方向Ｘ３とは、互いに直交しており、第２方向Ｘ２と第３方向Ｘ３とは互いに直交している。

なお、チップ抵抗器１００の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、３〜１０ｍｍであり、チップ抵抗器１００の第３方向Ｘ３における寸法は、たとえば、１〜１０ｍｍである。

第１電極１１は、第１電極表面１１１と、第１電極裏面１１２と、第１電極外側面１１３と、第１電極内側面１１４と、第１電極端面１１５と、第１電極端面１１６と、を有する。本実施形態では、少なくとも、第１電極表面１１１と、第１電極裏面１１２と、第１電極外側面１１３と、第１電極端面１１５と、第１電極端面１１６は、いずれも、平坦である。

図２に示すように、第１電極表面１１１および第１電極裏面１１２は互いに反対側を向く。第１電極表面１１１は、厚さ方向Ｚ１の一方を向き、第１電極裏面１１２は厚さ方向Ｚ１の他方を向く。第１電極外側面１１３は第１方向Ｘ１を向いている。第１電極内側面１１４は第２方向Ｘ２を向いている。すなわち第１電極外側面１１３および第１電極内側面１１４は互いに反対側を向いている。第１電極内側面１１４は、第２電極１２の位置する側を向いている。図１に示すように、第１電極端面１１５は第３方向Ｘ３を向いている。第１電極端面１１６は第４方向Ｘ４を向いている。すなわち第１電極端面１１５および第１電極端面１１６は互いに反対側を向いている。チップ抵抗器１００は、第１電極裏面１１２側が実装面とされる。

第２電極１２は、第１電極１１に対して離間している。具体的には、第２電極１２は、第１電極１１に対して第１方向Ｘ１とは反対の第２方向Ｘ２に離間している。第２電極１２は板状である。第２電極１２は導電性の材料よりなる。第２電極１２を構成する導電性の材料としては、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＡｌが挙げられる。第２電極１２を経由して、抵抗体２にて発生した熱がチップ抵抗器１００の外部に放熱される。第２電極１２の厚さ（厚さ方向Ｚ１の寸法）は、たとえば、２００〜８００μｍである。

第２電極１２は、第２電極表面１２１と、第２電極裏面１２２と、第２電極外側面１２３と、第２電極内側面１２４と、第２電極端面１２５と、第２電極端面１２６と、を有する。本実施形態では、少なくとも、第２電極表面１２１と、第２電極裏面１２２と、第２電極外側面１２３と、第２電極端面１２５と、第２電極端面１２６は、いずれも、平坦である。

図２に示すように、第２電極表面１２１および第２電極裏面１２２は互いに反対側を向く。第２電極表面１２１は、厚さ方向Ｚ１の一方を向き、第２電極裏面１２２は厚さ方向Ｚ１の他方を向く。第２電極外側面１２３は第２方向Ｘ２を向いている。第２電極内側面１２４は第１方向Ｘ１を向いている。すなわち第２電極外側面１２３および第２電極内側面１２４は互いに反対側を向いている。第２電極内側面１２４は、第１電極１１の位置する側を向いている。本実施形態においては、第２電極内側面１２４の一部は、第１電極内側面１１４の一部と対向している。図１に示すように、第２電極端面１２５は第３方向Ｘ３を向いている。第２電極端面１２６は第４方向Ｘ４を向いている。すなわち第２電極端面１２５および第２電極端面１２６は互いに反対側を向いている。チップ抵抗器１００は、第２電極裏面１２２側が実装面とされる。

図２に示すように、抵抗体２は第１電極１１および第２電極１２に配置されている。具体的には抵抗体２は、第１電極１１の第１電極表面１１１、および、第２電極１２の第２電極表面１２１に、配置されている。抵抗体２の厚さ（厚さ方向Ｚ１方向における寸法）は、たとえば、５０〜１５０μｍである。本実施形態では、抵抗体２は厚さ方向Ｚ１視において、サーペンタイン状である。抵抗体２がサーペンタイン状であることは、抵抗体２の抵抗値を大きくできる点において好ましい。本実施形態とは異なり、抵抗体２がサーペンタイン状ではなく、たとえば、Ｘ１−Ｘ２方向に延びる帯状であってもよい。抵抗体２は、金属抵抗材料よりなり、このような金属抵抗材料としては、たとえば、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、および、Ｆｅ−Ｃｒ合金が挙げられる。

図１、図２に示すように、抵抗体２は、抵抗体表面２１と、第１抵抗体側面２２３と、第１抵抗体端面２２５と、第１抵抗体端面２２６と、第２抵抗体側面２３３と、第２抵抗体端面２３５と、第２抵抗体端面２３６と、を有する。本実施形態において、抵抗体表面２１と、第１抵抗体側面２２３と、第１抵抗体端面２２５と、第１抵抗体端面２２６と、第２抵抗体側面２３３と、第２抵抗体端面２３５と、第２抵抗体端面２３６は、いずれも平坦である。

抵抗体表面２１は、第１電極１１の位置する側とは反対側を向いている。同様に、抵抗体表面２１は、第２電極１２の位置する側とは反対側を向いている。すなわち、抵抗体表面２１は、図２の上側を向いている。第１抵抗体側面２２３は、第１方向Ｘ１を向いている。第１抵抗体側面２２３は、第１電極外側面１１３よりも、第２方向Ｘ２側に位置している。第１抵抗体端面２２５は、第３方向Ｘ３を向いている。第１抵抗体端面２２５は、第１電極端面１１５と面一である。第１抵抗体端面２２６は、第４方向Ｘ４を向いている。第１抵抗体端面２２６は第１電極端面１１６と面一である。第２抵抗体側面２３３は、第２方向Ｘ２を向いている。第２抵抗体側面２３３は、第２電極外側面１２３よりも、第１方向Ｘ１側に位置している。第２抵抗体端面２３５は、第３方向Ｘ３を向いている。第２抵抗体端面２３５は、第２電極端面１２５と面一である。第２抵抗体端面２３６は、第４方向Ｘ４を向いている。第２抵抗体端面２３６は第２電極端面１２６と面一である。

図７は、図１から第１メッキ層４２および第２メッキ層５２を省略した平面図（一部透視化）である。図８は、図１に示したチップ抵抗器１００の右側面図（一部透視化）である。図９は、図８から第１メッキ層４２を省略した右側面図（一部透視化）である。図１０は、図１に示したチップ抵抗器１００の左側面図（一部透視化）である。図１１は、図１０から第２メッキ層５２を省略した左側面図（一部透視化）である。

図７〜図１１によく表れているように、本実施形態においては、抵抗体２は、少なくとも１つの第１延出部２２９と、少なくとも１つの第２延出部２３９と、を含む。本実施形態では、抵抗体２は、２つの第１延出部２２９と、２つの第２延出部２３９と、含む。第１延出部２２９の個数は、２つに限定されず、１つでもよく、あるいは、３つ以上であってもよい。同様に、第２延出部２３９の個数は、２つに限定されず、１つでもよく、あるいは、３つ以上であってもよい。

図７〜図９によく表れているように、第１延出部２２９は、第１抵抗体側面２２３から、第１方向Ｘ１側に延び出ている。第１延出部２２９の幅（第３方向Ｘ３における寸法）は、たとえば、０．２〜１．０ｍｍである。第１延出部２２９は、第１延出部側面２２９Ａを有する。第１延出部側面２２９Ａは、第１方向Ｘ１側を向いている。第１延出部側面２２９Ａは、第１導電層４１から露出している。図９では、第１延出部側面２２９Ａを砂模様を付して示している。第１延出部側面２２９Ａは、第１電極外側面１１３と面一になっている。

図７、図１０、図１１によく表れているように、第２延出部２３９は、第２抵抗体側面２３３から、第２方向Ｘ２側に延び出ている。第２延出部２３９の幅（第３方向Ｘ３における寸法）は、たとえば、０．２〜１．０ｍｍである。第２延出部２３９は、第２延出部側面２３９Ａを有する。第２延出部側面２３９Ａは、第２方向Ｘ２側を向いている。第２延出部側面２３９Ａは、第２導電層５１から露出している。図１１では、第２延出部側面２３９Ａを砂模様を付して示している。第２延出部側面２３９Ａは、第２電極外側面１２３と面一になっている。

図２〜図４等に示す接合層３は、第１電極１１と抵抗体２との間、および、第２電極１２と抵抗体２との間に介在している。具体的には、接合層３は、第１電極１１における第１電極表面１１１と、抵抗体２との間、および、第２電極１２における第２電極表面１２１と抵抗体２との間に介在している。接合層３は、抵抗体２を、第１電極表面１１１および第２電極表面１２１に接合している。接合層３は絶縁性の材料よりなることが好ましい。このような絶縁性の材料としては、エポキシ系の材料が挙げられる。接合層３を構成する材料の熱伝導率は大きい方が好ましい。抵抗体２にて発生した熱を、接合層３を経由してチップ抵抗器１００の外部に放出しやすくするためである。接合層３を構成する材料の熱伝導率は、たとえば、０．５〜３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。接合層３の厚さ（厚さ方向Ｚ１における寸法）は、たとえば、３０〜１００μｍである。図２に示すように、本実施形態においては、接合層３は第１電極表面１１１の一部のみ、および、第２電極表面１２１の一部のみを覆っている。すなわち、接合層３からは、第１電極表面１１１の一部（図２では第１電極表面１１１における右端）と、第２電極表面１２１の一部（図２では第２電極表面１２１における左端）と、が露出している。

図２〜図５、図１５、図１６に示すように、接合層３は、接合層表面３１と、接合層裏面３２と、第１接合層側面３３と、第２接合層側面３４と、を有する。

接合層表面３１は、第１電極表面１１１の向く方向と同一方向（すなわち、図２の上方向）を向いている。接合層表面３１は抵抗体２に直接接している。

接合層裏面３２は、第１電極表面１１１の向く方向とは反対方向（すなわち、図２の下方向）を向いている。接合層裏面３２は、第１電極１１および第２電極１２に直接接している。

図１５に示すように、第１接合層側面３３は、第１電極１１から抵抗体２にわたっている。後述のように、第１接合層側面３３が、シート状の部材（接着シート）を用いることにより形成されることがある。この場合には、図１５に示すように、第１接合層側面３３は、厚さ方向Ｚ１に沿って、第１電極１１から直立した形状となる。一方、第１接合層側面３３がシート状の部材を用いることにより形成されず、液状の接着剤を用いることにより形成されていてもよい。この場合には、図３４に示すように、第１接合層側面３３は、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜するような形状となる。

図１６に示すように、第２接合層側面３４は、第２電極１２から抵抗体２にわたっている。後述のように、第２接合層側面３４が、シート状の部材（接着シート）を用いることにより形成されることがある。この場合には、図１６に示すように、第２接合層側面３４は、厚さ方向Ｚ１に沿って、第２電極１２から直立した形状となる。一方、第２接合層側面３４がシート状の部材を用いることにより形成されず、液状の接着剤を用いることにより形成されていてもよい。この場合には、図３５に示すように、第２接合層側面３４は、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜するような形状となる。

図２、図１４等に示す第１導電層４１は、抵抗体２に導通している。第１導電層４１は、抵抗体２に直接形成されている。本実施形態においては、第１導電層４１は、抵抗体２における抵抗体表面２１と、第１抵抗体側面２２３と、を覆っている。また、第１導電層４１は、第１電極表面１１１に直接接している。具体的には、第１導電層４１は、第１電極表面１１１のうち第１方向Ｘ１側の端部を覆っている。第１導電層４１は、たとえば、Ｃｕ、Ａｕ、あるいは、Ａｇよりなる。第１導電層４１は、接合層３に直接接している。

図１、図２、図６、図７、図１５に示すように、第１導電層４１は、第１導電層側面４１３と、第１導電層端面４１５と、第１導電層端面４１６と、を有する。本実施形態では、第１導電層側面４１３と、第１導電層端面４１５と、第１導電層端面４１６と、はいずれも平坦である。

第１導電層側面４１３は、第１方向Ｘ１を向いている。第１導電層側面４１３は、第１電極外側面１１３と面一である。図９、図１４に示すように、本実施形態においては、第１導電層側面４１３から、第１延出部２２９が露出している。第１導電層側面４１３は、第１延出部２２９における第１延出部側面２２９Ａと面一である。第１導電層端面４１５は、第３方向Ｘ３を向いている。第１導電層端面４１５は、第１電極端面１１５と面一である。第１導電層端面４１６は、第４方向Ｘ４を向いている。第１導電層端面４１６は第１電極端面１１６と面一である。

また、図１５に示すように、第１導電層４１は、第１導電層側部４１Ａと、第１導電層上部４１Ｂと、第１導電層下部４１Ｃと、を含む。

第１導電層側部４１Ａは、接合層３よりも第１方向Ｘ１側に位置している。第１導電層側部４１Ａは、第１抵抗体側面２２３を覆っている。第１導電層側部４１Ａは、上述の第１導電層側面４１３と第１導電層端面４１５と第１導電層端面４１６とを構成している。第１導電層側部４１Ａの第１方向Ｘ１における寸法Ｌ１１は、たとえば、０．１〜１．０ｍｍである。

第１導電層上部４１Ｂは、抵抗体２における抵抗体表面２１を覆っている。第１導電層上部４１Ｂと第１電極１１との間には、抵抗体２が介在している。第１導電層上部４１Ｂは、第１導電層端面４１５と第１導電層端面４１６とを構成している。

第１導電層下部４１Ｃは、抵抗体２と第１電極１１との間に介在している。また、第１導電層下部４１Ｃは、抵抗体２と第１電極１１とに直接接している。更に、第１導電層下部４１Ｃは、接合層３における第１接合層側面３３に直接接している。第１導電層下部４１Ｃは、第１導電層端面４１５と第１導電層端面４１６とを構成している。第１導電層下部４１Ｃにおける最も第２方向Ｘ２側の端部と、第１抵抗体側面２２３と、の第１方向Ｘ１における離間距離Ｌ１２は、たとえば、０．１〜０．５ｍｍである。第１導電層下部４１Ｃの厚さ方向Ｚ１における寸法は、接合層３の厚さ方向Ｚ１における寸法と同一である。

図２、図１６等に示す第２導電層５１は、抵抗体２に導通している。第２導電層５１は、抵抗体２に直接形成されている。本実施形態においては、第２導電層５１は、抵抗体２における抵抗体表面２１と、第２抵抗体側面２３３と、を覆っている。また、第２導電層５１は、第２電極表面１２１に直接接している。具体的には、第２導電層５１は、第２電極表面１２１のうち第２方向Ｘ２側の端部を覆っている。第２導電層５１は、たとえば、Ｃｕ、Ａｕ、あるいは、Ａｇよりなる。第２導電層５１は、接合層３に直接接している。

図１、図２、図７、図１６に示すように、第２導電層５１は、第２導電層側面５１３と、第２導電層端面５１５と、第２導電層端面５１６と、を有する。本実施形態では、第２導電層側面５１３と、第２導電層端面５１５と、第２導電層端面５１６と、はいずれも平坦である。

第２導電層側面５１３は、第２方向Ｘ２を向いている。第２導電層側面５１３は、第２電極外側面１２３と面一である。図１１、図１４に示すように、本実施形態においては、第２導電層側面５１３から、第２延出部２３９が露出している。第２導電層側面５１３は、第２延出部２３９における第２延出部側面２３９Ａと面一である。第２導電層端面５１５は、第３方向Ｘ３を向いている。第２導電層端面５１５は、第２電極端面１２５と面一である。第２導電層端面５１６は、第４方向Ｘ４を向いている。第２導電層端面５１６は第２電極端面１２６と面一である。

また、図１６に示すように、第２導電層５１は、第２導電層側部５１Ａと、第２導電層上部５１Ｂと、第２導電層下部５１Ｃと、を含む。

第２導電層側部５１Ａは、接合層３よりも第２方向Ｘ２側に位置している。第２導電層側部５１Ａは、第２抵抗体側面２３３を覆っている。第２導電層側部５１Ａは、上述の第２導電層側面５１３と第２導電層端面５１５と第２導電層端面５１６とを構成している。第２導電層側部５１Ａの第２方向Ｘ２における寸法Ｌ２１は、たとえば、０．１〜１．０ｍｍである。

第２導電層上部５１Ｂは、抵抗体２における抵抗体表面２１を覆っている。第２導電層上部５１Ｂと第２電極１２との間には、抵抗体２が介在している。第２導電層上部５１Ｂは、第２導電層端面５１５と第２導電層端面５１６とを構成している。

第２導電層下部５１Ｃは、抵抗体２と第１電極１１との間に介在している。また、第２導電層下部５１Ｃは、抵抗体２と第２電極１２とに直接接している。更に、第２導電層下部５１Ｃは、接合層３における第２接合層側面３４に直接接している。第２導電層下部５１Ｃは、第２導電層端面５１５と第２導電層端面５１６とを構成している。第２導電層下部５１Ｃにおける最も第１方向Ｘ１側の端部と、第２抵抗体側面２３３と、の第２方向Ｘ２における離間距離Ｌ２２は、たとえば、０．１〜０．５ｍｍである。第２導電層下部５１Ｃの厚さ方向Ｚ１における寸法は、接合層３の厚さ方向Ｚ１における寸法と同一である。

図１、図２、図１２〜図１５等に示す第１メッキ層４２は抵抗体２に導通している。第１メッキ層４２は、第３方向Ｘ３における、第１電極外側面１１３の全体を直接覆っている。本実施形態においては、第１メッキ層４２は、第１電極外側面１１３の全体を直接覆っている。本実施形態においては更に、第１メッキ層４２は、第１電極裏面１１２と、第１電極内側面１１４と、第１電極端面１１５と、第１電極端面１１６と、を直接覆っている。本実施形態とは異なり、第１メッキ層４２は、第１電極裏面１１２と、第１電極内側面１１４と、第１電極端面１１５と、第１電極端面１１６と、を全て直接覆っている必要はなく、これらの面の一部が第１メッキ層４２から露出していてもよい。本実施形態においては更に、第１メッキ層４２は、第１導電層４１を直接覆っている。具体的には、第１メッキ層４２は、第１導電層側面４１３と、第１導電層端面４１５と、第１導電層端面４１６と、を直接覆っている。また、第１メッキ層４２は、第１導電層側部４１Ａと、第１導電層上部４１Ｂと、を直接覆っている。

チップ抵抗器１００の実装の際には、第１メッキ層４２にはハンダが付着する。第１メッキ層４２は、たとえば、Ｓｎからなる層を含む。本実施形態では、第１メッキ層４２は全体が、Ｓｎよりなる。本実施形態とは異なり、第１メッキ層４２が、Ｎｉよりなる層と、Ｓｎよりなる層と、を含んでいてもよい。この場合、Ｓｎよりなる層と、第１電極１１と、の間、および、Ｓｎよりなる層と、第１導電層４１との間に、Ｎｉよりなる層が介在する。第１メッキ層４２の厚さは、たとえば１〜１０μｍである。

図１、図２、図１２〜図１４、図１６等に示す第２メッキ層５２は抵抗体２に導通している。第２メッキ層５２は、第３方向Ｘ３における、第２電極外側面１２３の全体を直接覆っている。本実施形態においては、第２メッキ層５２は、第２電極外側面１２３の全体を直接覆っている。本実施形態においては更に、第２メッキ層５２は、第２電極裏面１２２と、第２電極内側面１２４と、第２電極端面１２５と、第２電極端面１２６と、を直接覆っている。本実施形態とは異なり、第２メッキ層５２は、第２電極裏面１２２と、第２電極内側面１２４と、第２電極端面１２５と、第２電極端面１２６と、を全て直接覆っている必要はなく、これらの面の一部が第２メッキ層５２から露出していてもよい。本実施形態においては更に、第２メッキ層５２は、第２導電層５１を直接覆っている。具体的には、第２メッキ層５２は、第２導電層側面５１３と、第２導電層端面５１５と、第２導電層端面５１６と、を直接覆っている。また、第２メッキ層５２は、第２導電層側部５１Ａと、第２導電層上部５１Ｂと、を直接覆っている。

チップ抵抗器１００の実装の際には、第２メッキ層５２にはハンダが付着する。第２メッキ層５２は、たとえば、Ｓｎからなる層を含む。本実施形態では、第２メッキ層５２は全体が、Ｓｎよりなる。本実施形態とは異なり、第２メッキ層５２が、Ｎｉよりなる層と、Ｓｎよりなる層と、を含んでいてもよい。この場合、Ｓｎよりなる層と、第２電極１２と、の間、および、Ｓｎよりなる層と、第２導電層５１との間に、Ｎｉよりなる層が介在する。第２メッキ層５２の厚さは、たとえば１〜１０μｍである。

図２等に示す保護膜６は、絶縁性であり、抵抗体２を覆っている。保護膜６は、エポキシ系の材料よりなる。本実施形態においては、保護膜６は接合層３（具体的には、接合層３の接合層表面３１）を直接覆っている。保護膜６は、第１導電層４１と、第１メッキ層４２と、第２導電層５１と、第２メッキ層５２と、に接している。保護膜６は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。保護膜６の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１における最大寸法）は、たとえば、１００〜２５０μｍである。

図２等に示す熱伝導部７は、絶縁性であり、第１電極１１と第２電極１２との間に介在している。熱伝導部７は、エポキシ系の材料よりなる。本実施形態においては、熱伝導部７は接合層３（具体的には、接合層裏面３２）を直接覆っている。また、熱伝導部７は、第１電極１１の第１電極内側面１１４と、第２電極１２の第２電極内側面１２４とに直接接している。熱伝導部７は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。本実施形態では、熱伝導部７は、第１メッキ層４２および第２メッキ層５２に直接接している。抵抗体２にて発生した熱を、熱伝導部７を経由して、チップ抵抗器１００の外部に放出しやすくするためには、熱伝導部７を構成する材料の熱伝導率は、保護膜６を構成する材料の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。熱伝導部７を構成する材料の熱伝導率は、たとえば、０．５〜３．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。

なお、後述のように、本実施形態では、チップ抵抗器１００をパンチングにより形成してもよい。そのため、パンチングを用いたとき、第１電極１１および第１導電層４１のいずれか一方は、第１電極１１の厚さ方向Ｚ１視における端部に形成された、厚さ方向Ｚ１のいずれか一方に尖った部分を有する。これに対し、第１電極１１および第１導電層４１の他方は、厚さ方向Ｚ１視において、この尖った部分に重なる位置に位置する曲面を有する。

図１５では、第１電極１１は、尖った部分１１９を有する。部分１１９は、第１電極１１の厚さ方向Ｚ１視における端部に形成された、厚さ方向Ｚ１のいずれか一方（図１５では下方）に尖っている。部分１１９は、第１電極外側面１１３につながっており、図１５の下方に尖っている。これに対し、第１導電層４１は、第１曲面４１８を有している。第１曲面４１８は、厚さ方向Ｚ１視において、尖った部分１１９に重なる位置に位置している。第１曲面４１８は、第１導電層側面４１３につながっている。部分１１９および第１曲面４１８はいずれも、第１メッキ層４２に覆われている。

図１６では、第２電極１２は、尖った部分１２９を有する。部分１２９は、第２電極１２の厚さ方向Ｚ１視における端部に形成された、厚さ方向Ｚ１のいずれか一方（図１６では下方）に尖っている。部分１２９は、第２電極外側面１２３につながっており、図１６の下方に尖っている。これに対し、第２導電層５１は、第２曲面５１８を有している。第２曲面５１８は、厚さ方向Ｚ１視において、尖った部分１２９に重なる位置に位置している。第２曲面５１８は、第２導電層側面５１３につながっている。部分１２９および第２曲面５１８はいずれも、第２メッキ層５２に覆われている。

図１５、図１６とは逆に、本実施形態とは異なり、図１７、図１８に示すように、尖った部分と曲面とが上下逆に形成されていてもよい。

図１７では、第１導電層４１は、尖った部分４１９を有する。部分４１９は、第１導電層４１の厚さ方向Ｚ１視における端部に形成された、厚さ方向Ｚ１のいずれか一方（図１７では上方）に尖っている。部分４１９は、第１導電層側面４１３につながっており、図１７の上方に尖っている。これに対し、第１電極１１は、第１曲面１１８を有している。第１曲面１１８は、厚さ方向Ｚ１視において、尖った部分４１９に重なる位置に位置している。第１曲面１１８は、第１電極外側面１１３と第１電極裏面１１２とにつながっている。第１曲面１１８および部分４１９はいずれも、第１メッキ層４２に覆われている。

図１８に示すように、第２導電層５１は、尖った部分５１９を有する。部分５１９は、第２導電層５１の厚さ方向Ｚ１視における端部に形成された、厚さ方向Ｚ１のいずれか一方（図１８では上方）に尖っている。部分５１９は、第２導電層側面５１３につながっており、図１８の上方に尖っている。これに対し、第２電極１２は、第２曲面１２８を有している。第２曲面１２８は、厚さ方向Ｚ１視において、尖った部分５１９に重なる位置に位置している。第２曲面１２８は、第２電極外側面１２３と第２電極裏面１２２とにつながっている。第２曲面１２８および部分５１９はいずれも、第２メッキ層５２に覆われている。

次に、チップ抵抗器１００の製造方法について説明する。

まず、図１９〜図２１に示すように、母材８１０を用意する。図１９は、母材８１０の母材表面８１１を示し、図２０は、母材８１０の母材裏面８１２を示す。母材８１０は上述の第１電極１１および第２電極１２になるものである。母材８１０は導電性の材料よりなる。母材８１０を構成する導電性の材料としては、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＡｌが挙げられる。母材８１０には、複数の溝８１６が形成されている。複数の溝８１６はそれぞれ、一方向に沿うスリット状である。溝８１６は、母材８１０を、母材表面８１１から母材裏面８１２に貫通している。溝８１６の内面は、上述の第１電極内側面１１４および第２電極内側面１２４になる。溝８１６は、たとえば、エッチングあるいは打ち抜きによって形成されている。

次に、図２２に示すように、熱伝導部８７０を形成する。熱伝導部８７０は、上述の熱伝導部７になるものである。熱伝導部８７０は、一方向に沿って延びる複数の帯状の溝８１６の各々に形成される。熱伝導部８７０は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。

次に、図２３、図２４に示すように、母材８１０の母材表面８１１に接合材８３０を接合する。接合材８３０は、上述の接合層３になるものである。本実施形態においては、接合材８３０は熱伝導性の接着シートである。そして、図２３、図２４に示した状態では、母材８１０の母材表面８１１に接合材８３０が仮熱圧着されている。

本実施形態においては、接合材８３０は、複数の部分８３１を有する。複数の部分８３１はそれぞれ、互いに離間し、且つ、一方向に沿って延びる帯状である。複数の帯状の部分８３１の延びる方向は、溝８１６の延びる方向に一致する。接合材８３０が、互いに離間する部分８３１を有しているので、部分８３１どうしの間から、母材８１０の母材表面８１１が露出している。すなわち、接合材８３０から、母材８１０の母材表面８１１が露出している。各部分８３１の側面が、上述の第１接合層側面３３や第２接合層側面３４になる。

なお、本実施形態とは異なり、母材８１０の母材表面８１１の全面に接着シートを接合した後に、たとえばエッチング等によって接着シートの一部を除去して、互いに離間する部分８３１を有する接合材８３０を形成してもよい。

次に、図２５、図２６に示すように、母材表面８１１に、接合材８３０によって、抵抗体部材８２０を接合する。本実施形態では、図２５、図２６に示した状態では、抵抗体部材８２０は接合材８３０に仮圧着されている。抵抗体部材８２０は、上述の抵抗体２となるべき部分を複数有している。本実施形態では、サーペンタイン状の抵抗体２を形成するべく、抵抗体部材８２０を母材表面８１１に接合する前に、エッチングあるいは打ち抜き金型で抵抗体部材８２０に複数のサーペンタイン状の部分が形成されている。抵抗体部材８２０は一枚のシート状であるから、抵抗体部材８２０は、サーペンタイン状の部分をつなぐアーチ部８２１を複数有している。これにより、抵抗体部材８２０を一枚のシートとして取り扱うことができる。

本実施形態とは異なり、母材８１０の母材表面８１１に抵抗体部材８２０を接合するのに、接合材８３０としてシート状の部材を用いずに、液状の接着剤を用いてもよい。

次に、抵抗体部材８２０にトリミング処理を施す（図示略）。抵抗体２の抵抗値の調整のためである。トリミング処理はたとえば、レーザや、サンドブラストや、ダイサーや、グラインダー等を用いて行われる。

次に、図２７、図２８に示すように、絶縁性の保護膜８６０を形成する。保護膜８６０は、上述の保護膜６になるものである。保護膜８６０は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成される。保護膜８６０は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。

次に、図示しないが、図２７、図２８に示した中間品を、たとえば、１５０〜２００℃、好ましくは、１５０〜１７０℃にて硬化させる。

次に、図２９、図３０に示すように、母材８１０の母材表面８１１に、導電層８４５を形成する。導電層８４５は、上述の第１導電層４１あるいは第２導電層５１になるものである。導電層８４５を形成するには、たとえば、メッキ、スパッタリング、あるいは、塗布によって行う。好ましくは、導電層８４５を形成するには、ラックメッキによって行う。ラックメッキは、簡単に述べると以下のように行う。すなわち、母材８１０の母材裏面８１２に電極を接続した状態で、母材８１０を電解液に浸して、母材表面８１１にメッキ膜を成長させる。このようにメッキ膜を成長させることにより、導電層８４５が形成される。

次に、図３１、図３２に示すように、図２９、図３０に示した中間品から複数の固片８８６を得る。具体的には、母材８１０および導電層８４５等を一括して切断することにより、複数の固片８８６を得る。図３１には、固片８８６となる箇所を二点鎖線を用いて示している。複数の固片８８６を得る工程では、たとえば、パンチングあるいはダイシングにより、母材８１０と抵抗体部材８２０と導電層８４５とを一括して切断する。本実施形態では、複数の固片８８６を得る工程は、パンチングにより行う。母材８１０が切断されることにより、第１電極１１における面（第１電極外側面１１３、第１電極端面１１５、および第１電極端面１１６）と、第２電極１２における面（第２電極外側面１２３、第２電極端面１２５、および第２電極端面１２６）と、が形成される。抵抗体部材８２０（具体的には、抵抗体部材８２０におけるアーチ部８２１）が切断されることにより、図３３に示すように、抵抗体２における第１延出部側面２２９Ａおよび第２延出部側面２３９Ａが形成される。導電層８４５が切断されることにより、第１導電層４１における面（第１導電層側面４１３、第１導電層端面４１５、および第１導電層端面４１６）と、第２導電層５１における面（第２導電層側面５１３、第２導電層端面５１５、および第２導電層端面５１６）と、が形成される。

なお、固片８８６を得るためにパンチングを用いる場合、パンチング用の打ち抜き金型（図示略）が母材８１０および抵抗体部材８２０に力を与える。そのため、第１電極１１や第２電極１２の形状は完全な直方体にならない可能性がある。このとき、たとえば、図１５に示したように、第１電極１１に尖った部分１１９が形成され、第１導電層４１に第１曲面４１８が形成される可能性がある。同時に、図１６に示したように、第２電極１２に尖った部分１２９が形成され、第２導電層５１に第２曲面５１８が形成される可能性がある。

一方、金型の噛み合わせが上下逆の場合には、図１７、図１８に示したように、曲面および尖った部分が図１５、図１６に示した場合とは上下逆に形成されると考えられる。

母材８１０と抵抗体部材８２０と導電層８４５とが同時に切断されることにより、上述のように、第１電極外側面１１３と第１延出部側面２２９Ａと第１導電層側面４１３とが面一となる。同様に、母材８１０と抵抗体部材８２０と導電層８４５とが同時に切断されることにより、上述のように、第２電極外側面１２３と第２延出部側面２３９Ａと第２導電層側面５１３とが面一となる。同様に、母材８１０と抵抗体部材８２０と導電層８４５とが同時に切断されることにより、上述のように、第１電極端面１１５と、第１抵抗体端面２２５と、第２電極端面１２５と、第２抵抗体端面２３５と、第１導電層端面４１５と、第２導電層端面５１５と、が面一となる。同様に、母材８１０と抵抗体部材８２０と導電層８４５とが同時に切断されることにより、上述のように、第１電極端面１１６と、第１抵抗体端面２２６と、第２電極端面１２６と、第２抵抗体端面２３６と、第１導電層端面４１６と、第２導電層端面５１６と、が面一となる。

次に、固片８８６に、図２等に示した第１メッキ層４２および第２メッキ層５２を形成する。第１メッキ層４２および第２メッキ層５２を形成するには、たとえば電解メッキを用いる。また、第１メッキ層４２および第２メッキ層５２を形成するには、たとえばバレルメッキを用いる。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器１００の製造が完成する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、チップ抵抗器１００は、第１電極１１と、第２電極１２と、抵抗体２と、接合層３と、を備える。抵抗体２は、第１電極１１および第２電極１２に配置されている。接合層３は、第１電極１１および抵抗体２の間、並びに、第２電極１２および抵抗体２の間に介在している。このような構成によると、抵抗体２の厚みを小さくしても、第１電極１１および第２電極１２がチップ抵抗器１００の強度を保つことができる。これにより、チップ抵抗器１００の強度を保ちつつ、抵抗体２の抵抗値（チップ抵抗器１００の抵抗値）を大きくすることができる。

チップ抵抗器１００は、抵抗体２に直接形成された第１導電層４１を備える。第１導電層４１は、第１方向Ｘ１側を向く第１導電層側面４１３を有する。第１導電層側面４１３は、第１電極外側面１１３と面一になっている。第１導電層側面４１３は、第１電極外側面１１３と面一になっているのは、導電層８４５を母材表面８１１に形成する工程の後に、導電層８４５と母材８１０とを一括して切断したためである。母材表面８１１に導電層８４５を形成する方法によると、一括して導電層８４５を形成することができる。よって、母材表面８１１に導電層８４５を形成する方法は、固片８８６を得た後に第１導電層４１や第２導電層５１を形成する場合に比較して、非常に効率的である。これにより、チップ抵抗器１００の製造時間の短縮を図ることが可能となる。

特に、本実施形態では、導電層８４５を形成する工程は、ラックメッキによって行う。このような構成によると、低い抵抗値の導電層８４５（すなわち第１導電層４１および第２導電層５１）を、形成できる。また、より簡単に、多くの量の導電層８４５を形成できる。したがって、本実施形態の方法は、チップ抵抗器１００の製造の効率化、および、チップ抵抗器１００の性能向上に好適である。

本実施形態では、第１導電層４１は、第１導電層下部４１Ｃを有し、第１導電層下部４１Ｃは、抵抗体２と第１電極１１との間に介在しており、且つ、抵抗体２と第１電極１１とに直接接している。このような構成によると、第１導電層下部４１Ｃが、抵抗体２と第１電極１１とをより強固に接合する。これにより、チップ抵抗器１００の強度向上を図ることが可能となる。なお、第１導電層下部４１Ｃを有するような第１導電層４１となる導電層８４５を形成するには、メッキ（特にラックメッキ）を用いることが好ましい。

同様に、本実施形態では、第２導電層５１は、第２導電層下部５１Ｃを有し、第２導電層下部５１Ｃは、抵抗体２と第２電極１２との間に介在しており、且つ、抵抗体２と第２電極１２とに直接接している。このような構成によると、第２導電層下部５１Ｃが、抵抗体２と第２電極１２とをより強固に接合する。これにより、チップ抵抗器１００の強度向上を図ることが可能となる。なお、第２導電層下部５１Ｃを有するような第２導電層５１となる導電層８４５を形成するには、メッキ（特にラックメッキ）を用いることが好ましい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

上述の説明では、抵抗体部材８２０を母材８１０に接合する前に、母材８１０に溝８１６が形成されている例を示したが、チップ抵抗器１００の製造方法はこれに限定されない。たとえば、保護膜８６０を形成した後に、母材８１０に溝８１６を形成してもよい。

１００ チップ抵抗器
１１ 第１電極
１１１ 第１電極表面
１１２ 第１電極裏面
１１３ 第１電極外側面
１１４ 第１電極内側面
１１５ 第１電極端面
１１６ 第１電極端面
１１８ 第１曲面
１１９ 部分
１２ 第２電極
１２１ 第２電極表面
１２２ 第２電極裏面
１２３ 第２電極外側面
１２４ 第２電極内側面
１２５ 第２電極端面
１２６ 第２電極端面
１２８ 第２曲面
１２９ 部分
２ 抵抗体
２１ 抵抗体表面
２２３ 第１抵抗体側面
２２５ 第１抵抗体端面
２２６ 第１抵抗体端面
２２９ 第１延出部
２２９Ａ 第１延出部側面
２３３ 第２抵抗体側面
２３５ 第２抵抗体端面
２３６ 第２抵抗体端面
２３９ 第２延出部
２３９Ａ 第２延出部側面
３ 接合層
３１ 接合層表面
３２ 接合層裏面
３３ 第１接合層側面
３４ 第２接合層側面
４１ 第１導電層
４１３ 第１導電層側面
４１５ 第１導電層端面
４１６ 第１導電層端面
４１８ 第１曲面
４１９ 部分
４１Ａ 第１導電層側部
４１Ｂ 第１導電層上部
４１Ｃ 第１導電層下部
４２ 第１メッキ層
５１ 第２導電層
５１３ 第２導電層側面
５１５ 第２導電層端面
５１６ 第２導電層端面
５１８ 第２曲面
５１９ 部分
５１Ａ 第２導電層側部
５１Ｂ 第２導電層上部
５１Ｃ 第２導電層下部
５２ 第２メッキ層
６ 保護膜
７ 熱伝導部
８１０ 母材
８１１ 母材表面
８１２ 母材裏面
８１６ 溝
８２０ 抵抗体部材
８２１ アーチ部
８３０ 接合材
８３１ 部分
８４５ 導電層
８６０ 保護膜
８７０ 熱伝導部
８８６ 固片
Ｘ１ 第１方向
Ｘ２ 第２方向
Ｘ３ 第３方向
Ｘ４ 第４方向
Ｚ１ 厚さ方向

Claims (36)

1. 第１電極と、
   前記第１電極に対し、第１方向とは反対の第２方向に離間する第２電極と、
   前記第１電極および前記第２電極に配置された抵抗体と、
   前記第１電極および前記抵抗体の間、並びに、前記第２電極および前記抵抗体の間に介在している接合層と、
   前記抵抗体に直接形成された第１導電層と、を備え、
   前記第１電極は、前記第１方向側を向く第１電極外側面を有し、
   前記第１導電層は、前記第１方向側を向く第１導電層側面を有し、
   前記第１導電層側面は、前記第１電極外側面と面一になっており、
   前記第１導電層は、導電層下部を有し、前記第１電極は、前記抵抗体の位置する側を向く第１電極表面を有し、
   前記導電層下部および前記接合層は、前記第１電極の厚さ方向において前記抵抗体と前記第１電極表面との間に介在しており、且つ、前記第１電極の厚さ方向視において前記抵抗体と重なる位置にて互いに直接接している、チップ抵抗器。
2. 前記抵抗体は、前記第１方向側を向く第１抵抗体側面を有し、
   前記第１抵抗体側面は、前記第１電極外側面よりも、前記第２方向側に位置している、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１導電層は、導電層側部を有し、前記導電層側部は、前記第１抵抗体側面を覆っている、請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記第１導電層は、前記抵抗体と前記第１電極とに直接接している、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
5. 前記抵抗体は、抵抗体表面を有し、
   前記抵抗体表面は、前記第１電極の位置する側とは反対側を向いており、
   前記第１導電層は、導電層上部を有し、前記導電層上部は、前記抵抗体表面を覆っている、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
6. 前記第１電極は、第３方向を向く第１電極端面を有し、
   前記第１導電層は、前記第３方向を向く第１導電層端面を有し、
   前記第１電極端面は、前記第１導電層端面と面一となっており、
   前記第３方向は、前記第１方向と、前記第１電極の厚さ方向とに直交する方向である、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
7. 第１電極と、
   前記第１電極に対し、第１方向とは反対の第２方向に離間する第２電極と、
   前記第１電極および前記第２電極に配置された抵抗体と、
   前記第１電極および前記抵抗体の間、並びに、前記第２電極および前記抵抗体の間に介在している接合層と、
   前記抵抗体に直接形成された第１導電層と、を備え、
   前記第１電極は、前記第１方向側を向く第１電極外側面を有し、
   前記第１導電層は、前記第１方向側を向く第１導電層側面を有し、
   前記第１導電層側面は、前記第１電極外側面と面一になっており、
   前記抵抗体は、前記第１方向側を向く第１抵抗体側面を有し、
   前記第１抵抗体側面は、前記第１電極外側面よりも、前記第２方向側に位置しており、
   前記抵抗体は、第１延出部を含み、
   前記第１延出部は、前記第１抵抗体側面から、前記第１方向側に延び出ており、
   前記第１延出部は、前記第１電極外側面と面一の第１延出部側面を有する、チップ抵抗器。
8. 前記第１導電層と、前記第１電極と、に直接形成された第１メッキ層を更に備える、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
9. 前記第１メッキ層は、第１電極外側面と、第１導電層側面と、を直接覆っている、請求項８に記載のチップ抵抗器。
10. 前記第１電極は、前記抵抗体が配置された第１電極表面と、前記第１電極表面とは反対側を向く第１電極裏面と、を有し、
    前記第１メッキ層は、前記第１電極裏面を直接覆っている、請求項８または請求項９に記載のチップ抵抗器。
11. 前記第１電極は、第３方向を向く第１電極端面を有し、
    前記第３方向は、前記第１方向と、前記第１電極の厚さ方向とに直交する方向であり、
    前記第１メッキ層は、前記第１電極端面を直接覆っている、請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
12. 前記第１電極は、前記第２電極の位置する側を向く第１電極内側面を有し、
    前記第１メッキ層は、前記第１電極内側面を直接覆っている、請求項８ないし請求項１１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
13. 前記第１導電層および第１電極のいずれか一方は、前記第１電極の厚さ方向視における端部に形成された、前記厚さ方向のいずれか一方に尖った部分を含み、
    前記第１導電層および前記第１電極の他方は、前記第１電極の厚さ方向視において、前記尖った部分に重なる位置に位置する曲面を有する、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
14. 前記抵抗体は、前記第１電極の厚さ方向視においてサーペンタイン状である、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
15. 前記接合層は、前記抵抗体の位置する側を向く接合層表面を有し、
    前記接合層表面は、前記抵抗体に直接接している、請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
16. 前記接合層は、前記第１電極から前記抵抗体にわたる接合層側面を有する、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
17. 前記接合層側面は、前記第１電極の厚さ方向に沿って、前記第１電極から直立している、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
18. 前記接合層側面は、前記第１電極の厚さ方向に対し、傾斜している、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
19. 前記抵抗体を覆う、絶縁性の保護膜を更に備え、前記保護膜は、前記第１導電層に直接接している、請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
20. 前記第１電極および前記第２電極の間に介在している、絶縁性の熱伝導部を更に備える、請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
21. 前記熱伝導部は、前記接合層に直接接している、請求項２０に記載のチップ抵抗器。
22. 前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、あるいは、Ａｕよりなる、請求項１ないし請求項２１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
23. 前記第１電極は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、あるいはＡｌよりなる、請求項１ないし請求項２２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
24. 前記第１メッキ層は、Ｓｎよりなる層を含む、請求項８ないし請求項１２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
25. 前記接合層は、エポキシ系の材料よりなる、請求項１ないし請求項２４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
26. 前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる、請求項１ないし請求項２５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
27. 請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法であって、
    導電性の母材の母材表面に、接合材によって、抵抗体部材を接合する工程を備える、チップ抵抗器の製造方法。
28. 前記母材表面に導電層を形成する工程と、
    前記導電層を形成する工程の後に、前記導電層と前記母材とを一括して切断し、複数の固片を得る工程を更に備える、請求項２７に記載のチップ抵抗器の製造方法。
29. 前記導電層を形成する工程は、メッキ、スパッタリング、あるいは、塗布によって行う、請求項２８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
30. 前記導電層を形成する工程は、ラックメッキによって行う、請求項２９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
31. 前記複数の固片を得る工程は、パンチングあるいはダイシングにより前記母材を切断する、請求項２８ないし請求項３０のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
32. 前記複数の固片を得る工程の後に、前記複数の固片のそれぞれにメッキを行い、メッキ層を形成する工程を更に備える、請求項２８ないし請求項３１のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
33. 前記母材には、一方向に沿って延びる複数の溝が形成されている、請求項２７ないし請求項３２のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
34. 前記接合材は、接着シートあるいは液状の接着剤である、請求項２７ないし請求項３３のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
35. 前記抵抗体部材を覆う、絶縁性の保護膜を形成する工程を備える、請求項２７ないし請求項３４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
36. 前記複数の溝の各々に熱伝導部を形成する工程を更に備える、請求項３３に記載のチップ抵抗器の製造方法。

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