JP6115642B2 - Height measuring device - Google Patents
Height measuring device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6115642B2 JP6115642B2 JP2015529485A JP2015529485A JP6115642B2 JP 6115642 B2 JP6115642 B2 JP 6115642B2 JP 2015529485 A JP2015529485 A JP 2015529485A JP 2015529485 A JP2015529485 A JP 2015529485A JP 6115642 B2 JP6115642 B2 JP 6115642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirrors
- solar cell
- height measuring
- imaging
- cell substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
- H02S50/15—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells using optical means, e.g. using electroluminescence
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
この発明は高さ測定装置に関し、特に、太陽電池セル用基板に形成された複数の表面電極の高さを一括して測定する場合に好適な高さ測定装置に関する。 The present invention relates to a height measuring device, and more particularly, to a height measuring device suitable for collectively measuring the height of a plurality of surface electrodes formed on a solar cell substrate.
例えば、太陽電池セル用基板の表面に形成された表面電極のように、微小な物体の高さを測定する場合には、光切断法が使用される。この光切断法は、測定対象物に対してライン状(スリット状)のレーザ光を斜め上方あるいは直上から照射し、レーザ光の照射位置の画像を直上あるいは傾けて撮影することにより、測定対象物の高さや形状を測定するものである(特許文献1および特許文献2参照)。
For example, when measuring the height of a minute object such as a surface electrode formed on the surface of a solar cell substrate, a light cutting method is used. In this light cutting method, a measurement target is obtained by irradiating a measurement target with a line (slit) laser beam obliquely from above or directly above, and shooting an image of the laser beam irradiation position directly above or tilting. Is measured (see
近年、特に、シリコンを材料とした太陽電池セル用基板においては、表面電極による遮光面積を減少させる目的で、表面電極の幅を小さくする方向となっている。このような構成を採用するときには、電気抵抗を小さくするため、表面電極の高さを高くする必要がある。このため、近年においては、スクリーン印刷により電極を重ねて印刷する二重印刷技術を利用して、表面電極の断面形状のアスペクト比を改善するようにしている。しかしながら、スクリーン印刷で電極を形成するときに、スクリーンの目詰まり等で表面電極の形状に異常が生ずると、不適切な太陽電池が製造されることになるため、スクリーン印刷直後において、表面電極の高さ測定を実行することが要請されている。 In recent years, in particular, in a solar cell substrate using silicon as a material, the width of the surface electrode has been reduced in order to reduce the light shielding area by the surface electrode. When such a configuration is employed, it is necessary to increase the height of the surface electrode in order to reduce the electrical resistance. For this reason, in recent years, the aspect ratio of the cross-sectional shape of the surface electrode is improved by utilizing a double printing technique in which electrodes are printed by screen printing. However, when an electrode is formed by screen printing, if an abnormality occurs in the shape of the surface electrode due to clogging of the screen, an inappropriate solar cell will be manufactured. It is required to perform height measurement.
図10は、上述した従来の光切断法を、太陽電池セル用基板100における表面電極101の高さ測定に適用したときの構成を示す斜視図であり、図11は、その側面概要図である。また、図12は、レーザ光の照射位置であるレーザライン102の平面図である。なお、図10においては、X方向に延びる表面電極101の一部のみを図示している。
FIG. 10 is a perspective view showing a configuration when the above-described conventional light cutting method is applied to the height measurement of the
光切断法により太陽電池セル用基板100における表面電極101の高さ測定を実行する場合においては、太陽電池セル用基板100の上方に配置されたレーザ光源14より太陽電池セル用基板100の表面に対して斜め上方からライン状のレーザ光を照射する。そして、このときに太陽電池セル用基板100の表面に表れるレーザ光の照射位置であるレーザライン102を、CCD撮像素子12およびレンズ13よりなる撮像機構11により撮像する。
When the height measurement of the
太陽電池セル用基板100の表面においてX方向に向けて互いに平行に形成された表面電極101の高さがHであり、レーザ光源14より照射されるライン状のレーザ光の照射角度が鉛直方向に対してθであった場合には、太陽電池セル用基板100の表面における表面電極101がある場所とない場所とで、図11および図12に示すように、レーザ光の照射位置であるレーザライン102に、下記の式で表される距離Dだけ、位置ずれが生ずることになる。
D=H×tanθThe heights of the
D = H × tan θ
この式から距離Dをカメラで撮像し測定することにより、太陽電池セル用基板100の表面に形成された表面電極の高さHを測定することが可能となる。より具体的には、照射位置であるレーザライン102を含むX方向に対してY方向の寸法が大きい領域の画像を撮影し、撮像した画像のノイズ除去処理および閾値処理を実行した後、X方向に重心計算を行いレーザラインの中心を算出する。そして、レーザラインの中心位置の変位量を、レーザ光の入射角度θおよびレンズ13の倍率から換算して、高さ寸法を算出する。
From this equation, it is possible to measure the height H of the surface electrode formed on the surface of the
ところで、このような構成により太陽電池セル用基板100における表面電極101の高さ測定を実行する場合を考える。例えば、太陽電池セル用基板100はその一辺が156mmの正方形であり、これをY方向のサンプリングピッチ(空間分解能)を10μmとして高さ測定を行うことを想定すると、太陽電池セル用基板100を撮影するためのCCD撮像素子12として、例えば、25メガピクセル(5120ピクセル×5120ピクセル)のCCD撮像素子12を使用する場合には、3個のCCD撮像素子12を表面電極101の長手方向と直交する方向(図10に示すY方向)に列設する必要がある。
By the way, the case where the height measurement of the
しかしながら、このように複数のCCD撮像素子12を使用する構成を採用した場合においては、装置のコストが高額化する。また、このように複数のCCD撮像素子12を使用する構成を採用した場合においては、複数のCCD撮像素子12を同期して撮像させる必要があるばかりではなく、複数のCCD撮像素子12により撮影した画像を別々の画像取得ボードで取得した後、これらを統合し、画像処理を行う必要があることから、装置構成や処理が複雑になるという問題が生ずる。
However, when such a configuration using a plurality of CCD
図13は、太陽電池セル用基板100の表面におけるレーザ光の照射位置を含む領域の画像を示す概要図である。ここで、図13においては、太陽電池セル用基板100の表面の画像を破線の矩形内に示し、この画像がCCD撮像素子12により撮像された状態を矢印の先の実線の矩形内を示している。なお、この図においては、レーザ光の照射位置であるレーザライン102に一箇所だけ上述した距離Dに相当する位置ずれが生じた状態を図示している。
FIG. 13 is a schematic diagram showing an image of a region including the irradiation position of the laser beam on the surface of the
上述したように、一辺が156mmの正方形の太陽電池セル用基板100を3台のCCD撮像素子12により撮影する場合には、太陽電池セル用基板100の幅に対する余裕を考えて、例えば、57mm×57mmの領域を1個のCCD撮像素子12で撮影することになる。このとき、表面電極101の高さがその上下変動を含めて4mmであった場合には、上述した角度θを70度とすれば、上述した距離Dは、上下変動を考慮した場合であっても、4mm×tanθから11mm程度となる。従って、レーザ光の照射位置であるレーザライン102の長手方向に対しては57mmの範囲で画像を撮影する必要があるが、レーザ光の照射位置であるレーザライン102の長手方向と直交する方向に対しては、11mmの範囲でのみ撮影を行えばよいことになる。すなわち、太陽電池セル用基板100の表面における撮像領域1は、57mm×11mmとなる。
As described above, in the case where the square
ここで、CCD撮像素子12の撮像領域が23mm×23mmであった場合には、上述した撮像領域1は縮小投影レンズにより0.4倍され、CCD撮像素子12上の撮像領域2は、約23mm×4.4mmとなる。このため、CCD撮像素子12の撮像領域に占める撮像領域2の領域は、20%未満となっており、CCD撮像素子12を効率的に使用しているとは言えないことになる。従って、撮像素子をより効率的に利用することが要請されている。
Here, when the imaging area of the
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、光切断法を利用して測定物の高さ測定を行うときに、X方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域においてレーザ光の照射位置の画像を撮影する場合においても、単一の撮像素子を使用して効率的に撮影領域の撮影を実行することが可能な高さ測定装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems. When measuring the height of an object to be measured by using a light cutting method, the laser beam is used in an imaging region having a large dimension in the Y direction with respect to the X direction. It is an object of the present invention to provide a height measuring apparatus capable of efficiently capturing an image of an imaging region using a single image sensor even when an image of the irradiation position is captured.
請求項1に記載の発明は、測定対象物に対してライン状の領域にレーザ光を照射し、レーザ光の照射位置の画像をレーザ光の照射方向と異なる方向から撮影することにより、前記測定対象物の高さを測定する高さ測定装置において、前記レーザ光の照射位置の画像を1方向に複数に分割し、分割後の複数の画像を、各画像に対して少なくとも一対のミラーで規定される同一平面上にない3つ以上の光路を使って並べ替え、同一平面上に平行にずらして配置するとともに、分割後の複数の撮影領域の画像のピッチを縮小する変換光学系と、ピッチを縮小した後の分割後の複数の撮影領域の画像を、縮小レンズを介してまとめて撮像する撮像素子と、を備え、前記測定対象物から前記撮像素子までの光路長が、前記分割後の複数の撮影領域の画像間で同一であることを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, the measurement object is irradiated with a laser beam on a line-shaped region, and an image of the laser beam irradiation position is taken from a direction different from the laser beam irradiation direction, whereby the measurement is performed. In the height measuring apparatus for measuring the height of an object, the image at the laser light irradiation position is divided into a plurality of directions in one direction, and the divided images are defined by at least a pair of mirrors for each image. A conversion optical system that rearranges using three or more optical paths that are not on the same plane, and arranges them in parallel on the same plane, and reduces the pitch of the images in the plurality of divided shooting areas, and the pitch An image sensor that collectively collects images of a plurality of imaging regions after the reduction of the image through a reduction lens, and an optical path length from the measurement object to the image sensor is Images from multiple shooting areas Characterized in that in the same.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記測定対象物から前記撮像素子までの光路長を変更するための光路長変更手段を、前記分割後の複数の撮影領域に備える。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, an optical path length changing means for changing an optical path length from the measurement object to the imaging device is provided in the plurality of divided imaging regions. Prepare.
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記一対のミラーのうちの一方のミラーと対向配置され、前記一対のミラーのうちの一方のミラーとにより光路長を変更する迂回路を構成するミラーを、前記分割後の複数の撮影領域に備える。 According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the optical path length is changed by one of the pair of mirrors and the one of the pair of mirrors. Mirrors constituting a detour are provided in the plurality of divided imaging areas.
請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の発明において、前記測定対象物は、太陽電池セル用基板に形成された表面電極である。 According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the measurement object is a surface electrode formed on a solar cell substrate.
請求項5に記載の発明は、太陽電池セル用基板におけるX方向を向けて互いに平行に形成された複数の表面電極に対して、Y方向を向くライン状の領域にレーザ光を照射してレーザ光の照射位置の画像をレーザ光の照射方向と異なる方向から撮影することにより、前記複数の表面電極のZ方向の高さを一括して測定する高さ測定装置において、前記レーザ光の照射位置の画像をY方向に対して複数に分割し、分割後の複数の画像を、各画像に対して少なくとも一対のミラーで規定される同一平面上にない3つ以上の光路を使って並べ替え、同一平面上に平行にずらして配置するとともに、分割後の複数の撮影領域の画像のピッチを縮小する変換光学系と、ピッチを縮小した後の分割後の複数の撮影領域の画像を、縮小レンズを介してまとめて撮像する撮像素子と、を備え、前記太陽電池セル用基板から前記撮像素子までの光路長が、前記分割後の複数の撮影領域の画像間で同一であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, a plurality of surface electrodes formed in parallel with each other in the X direction on the solar cell substrate are irradiated with laser light to a linear region facing the Y direction. In a height measuring device that collectively measures the height in the Z direction of the plurality of surface electrodes by taking an image of the light irradiation position from a direction different from the laser light irradiation direction, the laser light irradiation position Are divided into a plurality of images in the Y direction, and the divided images are rearranged using three or more optical paths that are not on the same plane defined by at least a pair of mirrors for each image , A conversion optical system that arranges them in parallel on the same plane and reduces the pitch of the images of the plurality of divided shooting areas, and a reduction lens that converts the images of the plurality of shooting areas after the reduction of the pitch. Through And a imaging device for an image, the optical path length from the substrate for the solar cell to the imaging device, characterized in that it is identical between images of a plurality of imaging area after the split.
請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の発明において、光路長を変更するための光路長変更手段を、前記分割後の複数の撮影領域に備える。 According to a sixth aspect of the present invention, the optical path length changing means for changing the optical path length is provided in the plurality of imaging regions after the division in the invention of the fifth aspect.
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記一対のミラーのうちの一方のミラーと対向配置され、前記一対のミラーのうちの一方のミラーとにより光路長を変更する迂回路を構成するミラーを、前記分割後の複数の撮影領域に備える。 The invention according to claim 7 is the invention according to claim 6, wherein the optical path length is changed by one of the pair of mirrors, and the one of the pair of mirrors. Mirrors constituting a detour are provided in the plurality of divided imaging areas.
請求項8に記載の発明は、請求項5から請求項7のいずれかに記載の発明において、前記縮小レンズは、前記分割後の複数の撮影領域に備えられた複数のミラーのうち前記撮像素子側のミラーと前記撮像素子との間に配設され、前記分割後の複数の撮影領域の画像を前記撮像素子に縮小投影するものであり、前記分割後の複数の撮影領域の各々に対応する前記複数のミラーのうちの前記太陽電池セル用基板側のミラーのうち、最も前記太陽電池セル用基板に近いミラーと前記太陽電池セル用基板との距離をH1とし、次に前記太陽電池セル用基板に近いミラーと前記太陽電池セル用基板との距離をH2とし、前記レンズの開口数をNAとしたときに、下記の式で表される距離Pが、前記太陽電池セル用基板に形成された複数の表面電極間の距離より小さい。
P=H1×NA+H2×NAThe invention according to an eighth aspect is the invention according to any one of the fifth to seventh aspects, wherein the reduction lens is the imaging element among a plurality of mirrors provided in the plurality of imaging regions after the division. Disposed between the side mirror and the imaging device, and projects the images of the plurality of divided imaging regions on the imaging device in a reduced scale, and corresponds to each of the plurality of imaging regions after the division. Of the mirrors on the solar cell substrate side among the plurality of mirrors, the distance between the mirror closest to the solar cell substrate and the solar cell substrate is H1, and then for the solar cell When the distance between the mirror close to the substrate and the solar cell substrate is H2, and the numerical aperture of the lens is NA, the distance P represented by the following formula is formed on the solar cell substrate. Distance between multiple surface electrodes Smaller.
P = H1 × NA + H2 × NA
請求項9に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記分割後の複数の撮影領域の各々に対応する前記複数のミラーのうちの前記太陽電池セル用基板側のミラーを、各々、Y方向に移動可能である。 The invention according to claim 9 is the invention according to claim 8, wherein each of the plurality of mirrors corresponding to each of the plurality of imaging regions after the division is a mirror on the solar cell substrate side. , Movable in the Y direction.
請求項10に記載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記レーザ光の波長が、400nm以上550nm以下である。
The invention according to
請求項1から請求項4に記載の発明によれば、光切断法を利用して測定物の高さ測定を行うときに、測定幅に対して測定高さが小さい撮影領域においてレーザ光の照射位置の画像を撮影する場合においても、単一の撮像素子を使用して効率的に撮影領域の撮影を実行することができ、複数の撮像素子を使用した場合と比較して、装置構成や画像処理を簡易なものとしながら効率的に高さ測定を実行することが可能となる。 According to the first to fourth aspects of the present invention, when the height of the measurement object is measured using the light cutting method, the laser beam irradiation is performed in the imaging region where the measurement height is small with respect to the measurement width. Even when shooting an image of a position, it is possible to efficiently perform shooting of a shooting area using a single image sensor, and compared with the case where a plurality of image sensors are used, the device configuration and image It is possible to efficiently perform height measurement while simplifying the processing.
請求項5から請求項7に記載の発明によれば、光切断法を利用して太陽電池セル用基板に形成された複数の表面電極の高さ測定を一括して行うときに、測定幅に対して測定高さが小さい撮影領域においてレーザ光の照射位置の画像を撮影する場合においても、単一の撮像素子を使用して効率的に撮影領域の撮影を実行することができ、複数の撮像素子を使用した場合と比較して、装置構成や画像処理を簡易なものとしながら効率的に高さ測定を実行することが可能となる。 According to invention of Claim 5-7, when measuring the height of the several surface electrode formed in the board | substrate for photovoltaic cells collectively using the optical cutting method, it is set as measurement width. On the other hand, even when shooting an image of the laser light irradiation position in a shooting area where the measurement height is small, it is possible to efficiently perform shooting of the shooting area using a single imaging device, and to perform multiple imaging. Compared with the case where an element is used, it is possible to efficiently perform height measurement while simplifying the apparatus configuration and image processing.
請求項8に記載の発明によれば、複数のミラーによる撮影領域間の繋ぎ部分で発生する解像度が低下する領域を、表面電極間の高さ測定が必要のない領域内に納めることが可能となる。 According to the eighth aspect of the present invention, it is possible to store an area where the resolution is reduced at a joint portion between imaging areas by a plurality of mirrors within an area where the height measurement between the surface electrodes is not necessary. Become.
請求項9に記載の発明によれば、複数のミラーによる撮影領域間の繋ぎ部分で発生する解像度が低下する領域と表面電極間の高さ測定が必要のない領域との位置合わせを容易に実行することが可能となる。 According to the ninth aspect of the present invention, it is possible to easily perform alignment between a region where the resolution is reduced and a region where the height measurement between the surface electrodes is not necessary, which occurs at a connection portion between the photographing regions by the plurality of mirrors. It becomes possible to do.
請求項10に記載の発明によれば、太陽電池セル用基板の表面において反射したレーザ光と表面電極の表面で反射したレーザ光との反射画像のコントラストを近似させることにより、正確な高さ測定を実行することが可能となる。
According to the invention described in
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。最初に、この発明の基本的な考え方について説明する。図1は、この発明に係る高さ測定装置の基本的な考え方を模式的に示す説明図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the basic concept of the present invention will be described. FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a basic concept of a height measuring apparatus according to the present invention.
この発明に係る高さ測定装置においては、図10に示す構成と同様、太陽電池セル用基板100におけるX方向を向けて互いに平行に形成された複数の表面電極101に対して、Y方向を向くライン状のレーザ光を照射する。X方向に対して測定するZ方向の高さが小さいときに必要となるY方向の視野は、小さくてよい。このように、X方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域となるレーザ光の照射位置の画像を撮影するときに、この撮影領域の画像を、最初に、Y方向に対して3個の撮影領域1a、1b、1cに分割する。そして、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像の方向を、各撮影領域毎に、X方向に変換する。しかる後、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像のZ方向のピッチを縮小した上で、縮小レンズとして機能するレンズ13を介してCCD撮像素子12に縮小投影する。
In the height measuring apparatus according to the present invention, as in the configuration shown in FIG. 10, the plurality of
図2は、上述した撮影領域の分割および方向変換を可能にするための変換光学系の基本的な構成をレーザ光源14、レンズ13およびCCD撮像素子12bとともに示す正面図であり、図3は、変換光学系の基本的な構成を示す斜視図である。なお、図2においては、説明の便宜上、太陽電池セル用基板100の表面に存在する撮影領域1a、1b、1cを太陽電池セル用基板100の表面から突出した状態で図示するとともに、これらの撮影領域1a、1b、1cを3個に分割された状態で図示している。
FIG. 2 is a front view showing the basic configuration of the conversion optical system for enabling the above-described division and direction conversion of the imaging region, together with the
この変換光学系においては、図10に示す構成と同様、太陽電池セル用基板100におけるX方向を向けて互いに平行に形成された複数の表面電極101に対して、レーザ光源14よりY方向を向くライン状のレーザ光を照射してその反射画像を撮影するときに、X方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域の画像を、互いにその高さ位置を異ならせた状態で配置された3枚のミラーM1、M2、M3により、Y方向に対して3個の撮影領域1a、1b、1cに分割する。そして、撮影領域1aについては、一対のミラーM1およびミラーM4の作用により、画像の方向をX方向に変換する。また、撮影領域1bについては、一対のミラーM2およびミラーM5の作用により、画像の方向をX方向に変換する。さらに、撮影領域1cについては、一対のミラーM3およびミラーM6の作用により、画像の方向をX方向に変換する。そして、方向を変換した後の3個の撮影領域1a、1b、1cの画像を、レンズ13を介してCCD撮像素子12bに縮小投影する。
In this conversion optical system, as in the configuration shown in FIG. 10, the plurality of
このときには、ミラーM1の高さH4とミラーM2の高さH5との差は3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のY方向のピッチL1と等しく、ミラーM2の高さH5とミラーM3の高さH6との差も3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のY方向のピッチL1と等しくなっている。また、ミラーM4、ミラーM5、ミラーM6からCCD撮像素子12bまでの距離の差もL1となる。これにより、太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12bに至る光学系の光路長は、各撮影領域1a、1b、1cの画像間で同一となる。このとき、太陽電池セル用基板100の表面における3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のY方向のピッチL1が、レンズ13に入射する前の3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のZ方向のピッチL1と等しくなる。
At this time, the difference between the height H4 of the mirror M1 and the height H5 of the mirror M2 is equal to the pitch L1 in the Y direction of the images of the three
このような構成を採用した場合には、図2および図3に示すように、Z方向のサイズがX方向のサイズより大きいCCD撮像素子12bを使用しないと、3個の撮影領域1a、1b、1cの画像がレンズ13により縮小投影された画像2a、2b、2cを撮像し得ないことになる。
When such a configuration is adopted, as shown in FIGS. 2 and 3, if the
このため、一対のミラーM1およびミラーM4の高さ位置を図3に示すH4より大きくすることにより一対のミラーM2およびミラーM5の高さ位置であるH5に近づけるとともに、一対のミラーM3およびミラーM6の高さ位置を図3に示すH6より小さくすることにより一対のミラーM2およびミラーM5の高さ位置であるH5に近づけることで、3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のZ方向のピッチをL1より小さなものとすることが可能となる。
Therefore, by making the height positions of the pair of mirrors M1 and M4 larger than H4 shown in FIG. 3, the height positions of the pair of mirrors M2 and M5 are brought close to H5, and the pair of mirrors M3 and M6 Is made smaller than H6 shown in FIG. 3 to be close to H5, which is the height position of the pair of mirrors M2 and M5, so that the images of the three
しかしながら、このような構成を採用した場合においては、太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12bに至る光学系の光路長が、各撮影領域1a、1b、1cの画像間で異なることになる。太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12bに至る光学系の光路長が、各撮影領域1a、1b、1cの画像間において、レンズ13の焦点深度以上に異なった場合には、各撮影領域1a、1b、1cの画像を適正に撮影し得ないという問題が生ずる。このため、この発明に係る高さ測定装置においては、各撮影領域1a、1b、1c毎に、太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12bに至る光学系の光路長を変更する光路長変更手段を採用している。
However, in the case where such a configuration is adopted, the optical path length of the optical system from the surface of the
図4は、この発明の第1実施形態に係る高さ測定装置の正面図であり、図5は、その側面図、図6は、その斜視図である。なお、図4においては、三次元的に配置された複数のミラーを平面的に図示している。また、図5においては、CCD撮像素子12の図示を省略している。さらに、図6においては、レンズ13の図示を省略している。なお、上述した図2および図3に示す部材と同様の部材については、同一の符号を付与している。また、図4においては、説明の便宜上、太陽電池セル用基板100の表面に存在する撮影領域1a、1b、1cを太陽電池セル用基板100の表面から突出した状態で図示するとともに、これらの撮影領域1a、1b、1cを3個に分割された状態で図示している。
4 is a front view of the height measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a side view thereof, and FIG. 6 is a perspective view thereof. In FIG. 4, a plurality of mirrors arranged three-dimensionally are shown in a plan view. In FIG. 5, the illustration of the CCD
この発明の第1実施形態に係る高さ測定装置は、図10と同様、太陽電池セル用基板100におけるX方向を向けて互いに平行に形成された複数の表面電極101に対して、Y方向を向くライン状のレーザ光を照射するレーザ光源14と、太陽電池セル用基板100における撮影領域の画像をY方向に対して3個の撮影領域1a、1b、1cに分割し、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像の方向をX方向に変換した上で、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像のZ方向のピッチを縮小する変換光学系と、レンズ13と、ピッチを縮小した後の分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像をまとめて撮像するCCD撮像素子12とを備える。この高さ測定装置においては、太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12までの光路長が、後述するように、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像間で同一となっている。
Similar to FIG. 10, the height measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention applies the Y direction to the plurality of
この高さ測定装置においては、レーザ光源14より、太陽電池セル用基板100に対してY方向を向くライン状のレーザ光を照射する。このとき、このレーザ光源14としては、出射される波長が、400nm以上550nm以下であるものが採用される。すなわち、太陽電池セル用基板100の表面には、光の反射率を下げるために、反射防止膜が形成されるとともにテクスチャ処理が施されており、長波長(赤色)領域の可視光の反射率が最も低くなるように構成されている。このため、太陽電池セル用基板100の表面は、目視では、青色に認識されることが多い。一方、表面電極101は、一般に、Agを主成分とした材料で構成されており、太陽電池セル用基板100の表面と比較して、反射率が高い。このため、上述する光切断法を採用する場合に、レーザ光源14として波長が400nm以上550nm以下であるものを使用した場合においては、太陽電池セル用基板100における反射膜で反射した画像と表面電極101で反射した画像とのコントラストを近似したものとすることが可能となる。従って、このようなレーザ光源14を使用することにより、太陽電池セル用基板100の表面において反射したレーザ光と表面電極101の表面で反射したレーザ光との反射画像のコントラストを近似させることができ、これにより、正確な高さ測定を実行することが可能となる。
In this height measuring device, the
このようにレーザ光源14から出射された波長が400nm以上550nm以下のレーザ光による反射画像を撮影するときに、X方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域の画像を、互いにその高さ位置を異ならせた状態で配置された3枚のミラーM1、M2、M3により、Y方向に対して3個の撮影領域1a、1b、1cに分割する。そして、撮影領域1aについては、一対のミラーM1、ミラーM4およびミラーM4と対向配置されたミラーM7の作用により、画像の方向をX方向に変換する。また、撮影領域1bについては、一対のミラーM2、ミラーM5およびミラーM5と対向配置されたミラーM8の作用により、画像の方向をX方向に変換する。さらに、撮影領域1cについては、一対のミラーM3、ミラーM6およびミラーM6と対向配置されたミラーM9の作用により、画像の方向をX方向に変換する。
As described above, when a reflected image is captured by a laser beam having a wavelength of 400 nm or more and 550 nm or less emitted from the
一方、この高さ測定装置においては、ミラーM1の高さH1とミラーM2の高さH2との差は、3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のY方向のピッチL1より小さな距離L2となっている。また、ミラーM2の高さH5とミラーM3の高さH6との差も、3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のY方向のピッチがL1より小さな距離L2となっている。このため、レンズ13に入射する前の3個の撮影領域1a、1b、1cの画像のZ方向のピッチもL2となり、このL2の値を適宜調整することにより、レンズ13により縮小投影されてCCD撮像素子12により撮像される画像2a、2b、2cのZ方向のピッチを小さなものとすることが可能となる。これにより、撮像範囲が正方形となる一般的なCCD撮像素子12を使用した場合においても、画像2a、2b、2cを好適に撮像することが可能となる。
On the other hand, in this height measuring apparatus, the difference between the height H1 of the mirror M1 and the height H2 of the mirror M2 is a distance L2 smaller than the pitch L1 in the Y direction of the images of the three
そして、この高さ測定装置においては、太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12に至る光学系の光路長を、各撮影領域1a、1b、1cの画像間で同一とすることが可能となる。
In this height measuring apparatus, the optical path length of the optical system from the surface of the
すなわち、撮影領域1aについては、互いに対向配置されたミラーM4およびミラーM7の作用により迂回路が形成される。また、撮影領域1bについては、互いに対向配置されたミラーM5およびミラーM8の作用により迂回路が形成される。さらに、撮影領域1cについては、互いに対向配置されたミラーM6およびミラーM9の作用により迂回路が形成される。そして、これらの迂回路により形成される距離を適当な距離とすることにより、太陽電池セル用基板100の表面からCCD撮像素子12bに至る光学系の光路長を、各撮影領域1a、1b、1cの画像間で同一とすることが可能となる。
That is, with respect to the
このように、この発明の第1実施形態に係る高さ測定装置においては、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像の方向をX方向に変換した上で、分割後の複数の撮影領域1a、1b、1cの画像のZ方向のピッチを縮小することから、一般的なCCD撮像素子12により、複数の撮影領域1a、1b、1cの画像をまとめて撮像することができる。そして、このときに太陽電池セル用基板100からCCD撮像素子12までの光路長を、複数の撮影領域1a、1b、1cの画像間で同一とすることができる。
As described above, in the height measuring apparatus according to the first embodiment of the present invention, the direction of the images of the plurality of divided
なお、この明細書で述べる「光路長が同一」とは、光路長間にレンズ13の焦点深度より小さな差異がある場合を含む概念である。このようなレンズ13の焦点深度より小さい距離の誤差が存在しても、画像の焦点合わせには影響がないためである。
Note that “the optical path length is the same” described in this specification is a concept including a case where there is a difference smaller than the focal depth of the
一方、このようにX方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域の画像を、3枚のミラーM1、M2、M3を利用してY方向に対して複数の撮影領域1a、1b、1cに分割する場合においては、各ミラーM1、M2、M3間の繋ぎ部分においてケラレが発生し、それに対応する撮影領域1a、1b、1cにおいて解像度の低下が発生するという問題が生ずる。
On the other hand, an image of a shooting area having a large dimension in the Y direction with respect to the X direction is used to form a plurality of
図7は、CCD撮像素子12において撮影される撮影領域1a、1b、1cにおいて解像度が低下する領域99を示す説明図である。また、図8は、解像度が低下する領域99を調整する方法を説明する説明図である。なお、図8においては、ミラーM1、M2、M3以外のミラーの図示を省略している。また、図8においては、複数のミラーにより反射する光路を反射しない状態で表現している。このため、後段のレンズ13およびCCD撮像素子12の配設方向は、図8に矢印で示すZ方向とは一致していない。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a
図7に示すように、CCD撮像素子12において撮影される撮影領域1a、1b、1cのうち、撮影領域1aの一端、撮影領域1bの両端および撮影領域1cの一端には、解像度が低下する領域99が存在する。これは、X方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域の画像がミラーM1、ミラーM2、ミラーM3により複数の撮影領域1a、1b、1cに分割されるときに、図8に示すミラーM1とミラーM2と境界、および、ミラーM2とミラーM3との境界となる領域でケラレが発生するためである。そして、このようなケラレが発生する領域のY方向の最大値Pは、太陽電池セル用基板100側に配置されるミラーM1、M2、M3のうち、最も太陽電池セル用基板100に近いミラーM1と太陽電池セル用基板100との距離をH1とし、次に太陽電池セル用基板100に近いミラーM2と太陽電池セル用基板100との距離をH2とし、レンズ13の開口数をNAとしたときに、下記の式で表される。
P=H1×NA+H2×NAAs shown in FIG. 7, among the
P = H1 × NA + H2 × NA
一方、太陽電池セル用基板100における複数の表面電極101間の距離は、一般的には、2mm程度である。このため、上記の式で表される距離Pを、太陽電池セル用基板100に形成された複数の表面電極101間の距離より小さくするとともに、この解像度が低くなる領域を太陽電池セル用基板100に形成された複数の表面電極101間に配置することにより、この解像度が低くなる領域が表面電極101の高さ測定に影響を与えることを防止することが可能となる。
On the other hand, the distance between the plurality of
例えば、レンズ13の開口数を0.03とし、太陽電池セル用基板100における複数の表面電極101間の距離を2mmとした場合においては、上記の式によりH1+H2を66mm以下とすることにより、解像度が低くなる領域を複数の表面電極101間の距離以下とすることができる。そして、この解像度が低くなる領域を表面電極101間に配置するために、この高さ測定装置においては、図8に示すように、太陽電池セル用基板100側に配置されるミラーM1、M2、M3を、図示を省略した微動機構により、Y方向に移動可能に構成している。
For example, when the numerical aperture of the
このような構成を採用することにより、ミラーM1とミラーM2と境界、および、ミラーM2とミラーM3との境界となる領域で発生するケラレに起因して発生する解像度が低くなる領域を表面電極101間に設定して、この解像度が低くなる領域が、表面電極101の高さ測定に影響を与えることを防止することが可能となる。
By adopting such a configuration, an area where the resolution generated due to vignetting occurring in the boundary between the mirror M1 and the mirror M2 and the boundary between the mirror M2 and the mirror M3 is reduced is the
以上のように、この発明の第1実施形態に係る高さ測定装置においては、光切断法を利用して太陽電池セル用基板100に形成された複数の表面電極101の高さ測定を一括して行うときに、X方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域1a、1b、1cにおいてレーザ光の照射位置の画像を撮影する場合においても、単一のCCD撮像素子12を使用して効率的に各撮影領域1a、1b、1cの撮影を実行することができ、複数の撮像素子を使用した場合と比較して、装置構成や画像処理を簡易なものとしながら効率的に表面電極101の高さ測定を実行することが可能となる。
As described above, in the height measuring device according to the first embodiment of the present invention, the height measurement of the plurality of
なお、上述した実施形態においては、図3に示すミラーM4に換えて互いに対向配置されたミラーM4およびミラーM7を使用して迂回路を形成し、ミラーM5に換えて互いに対向配置されたミラーM5およびミラーM8を使用して迂回路を形成し、ミラーM6に換えて互いに対向配置されたミラーM6およびミラーM9を使用して迂回路を形成している。しかしながら、ミラーM1,M2、M3側で迂回路を形成してもよい。 In the above-described embodiment, a detour is formed by using the mirror M4 and the mirror M7 arranged opposite to each other instead of the mirror M4 shown in FIG. 3, and the mirror M5 arranged opposite to each other instead of the mirror M5. Further, a detour is formed using the mirror M8, and a detour is formed using the mirror M6 and the mirror M9 arranged opposite to each other instead of the mirror M6. However, a detour may be formed on the mirrors M1, M2, and M3 side.
図9は、このような構成によるこの発明の第2実施形態を実施するための迂回路を示す説明図である。 FIG. 9 is an explanatory diagram showing a detour for carrying out the second embodiment of the present invention having such a configuration.
この第2実施形態においては、図9に示すように、撮影領域1aに対応させて、図2に示すミラーM1に換えて、互いに対向配置されたミラーM11およびミラーM12を採用し、これらのミラーM11およびミラーM12により迂回路を形成している。また、これと同様に、撮影領域1bについても、ミラーM2に換えて互いに対向配置された一対のミラーを使用し、撮影領域1cについても、ミラーM3にかえて互いに対向配置された一対のミラーを使用している。このような構成を採用した場合においても、第1実施形態に係る高さ測定装置と同様、単一のCCD撮像素子12を使用して効率的に各撮影領域1a、1b、1cの撮影を実行することが可能となる。
In the second embodiment, as shown in FIG. 9, a mirror M11 and a mirror M12 arranged opposite to each other are used instead of the mirror M1 shown in FIG. A detour is formed by M11 and mirror M12. Similarly, for the
なお、上述した実施形態においては、太陽電池セル用基板100に形成された表面電極101の高さを測定する高さ測定装置にこの発明を適用した場合について説明したが、この発明はそのような構成に限定されるものではない。この発明は、高さ方向の測定範囲がY方向の測定範囲に比べて十分小さくX方向に対してY方向の寸法が大きい撮影領域となる場合においてレーザ光の照射位置の画像を撮影することにより測定対象物のZ方向の高さを測定する高さ測定装置に対して、好適に適用することが可能となる。
In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the height measuring device that measures the height of the
また、上述した実施形態においては、複数の撮影領域1a、1b、1cの全てに対して、互いに対向配置されたミラーを配設して迂回路を形成しているが、複数の撮影領域1a、1b、1cのうちの一つを基準とし、他の撮影領域にのみ互いに対向配置されたミラーを配設して迂回路を形成するようにしてもよい。ただし、複数の撮影領域1a、1b、1cの全てに対して同数のミラーを配設した場合には、CCD撮像素子12に入射する反射光の明るさを同一に維持することができることから、測定精度を向上されることが可能となる。
In the above-described embodiment, the detours are formed by arranging the mirrors arranged opposite to each other for all of the plurality of
また、上述した実施形態においては、斜めに照射したレーザ光による太陽電池セル用基板100からの反射像を上方から観察しているが、直上から照射したレーザ光による反射光を斜め方向から観察するようにしてもよく、斜めに照射したレーザ光を上方からではないレーザ光の照射方向と異なる角度から観察してもよい。
In the embodiment described above, the reflected image from the
また、上述した実施形態においては、レーザ光源14からライン状のレーザ光を照射しているが、レーザ光を太陽電池セル用基板100の表面に対して走査させてもよい。要するに、太陽電池セル用基板100の表面のライン状の領域にレーザ光を照射できればよい。
In the above-described embodiment, the
さらに、上述した実施形態においては、光路を太陽電池セル用基板100から垂直にZ方向に立ち上げ、その後、X方向に90度反射させ、迂回路を経てY方向に90度反射させた例を示したが、少なくとも一対以上のミラーで規定される同一平面上にない3つ以上の光路を使って分割後の画像を並べ替える配置であればよく、その角度は90度に限定されるものではない。
Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which the optical path rises vertically from the
1a 撮影領域
1b 撮影領域
1c 撮影領域
12 CCD撮像素子
13 レンズ
14 レーザ光源
100 太陽電池セル用基板
101 表面電極
M1 ミラー
M2 ミラー
M3 ミラー
M4 ミラー
M5 ミラー
M6 ミラー
M7 ミラー
M8 ミラー
M9 ミラー
M11 ミラー
M12 ミラーDESCRIPTION OF
Claims (10)
前記レーザ光の照射位置の画像を1方向に複数に分割し、分割後の複数の画像を、各画像に対して少なくとも一対のミラーで規定される同一平面上にない3つ以上の光路を使って並べ替え、同一平面上に平行にずらして配置するとともに、分割後の複数の撮影領域の画像のピッチを縮小する変換光学系と、
ピッチを縮小した後の分割後の複数の撮影領域の画像を、縮小レンズを介してまとめて撮像する撮像素子と、
を備え、
前記測定対象物から前記撮像素子までの光路長が、前記分割後の複数の撮影領域の画像間で同一であることを特徴とする高さ測定装置。 A height at which the height of the measurement object is measured by irradiating the measurement target with a laser beam on a line-shaped region and taking an image of the laser light irradiation position from a direction different from the irradiation direction of the laser light. In the measuring device,
The image at the laser beam irradiation position is divided into a plurality of directions in one direction, and the plurality of divided images are used by using three or more optical paths that are not on the same plane defined by at least a pair of mirrors for each image. A conversion optical system that rearranges and arranges them in parallel on the same plane, and reduces the pitch of the images in the plurality of divided shooting areas,
An image sensor that collectively captures images of a plurality of shooting regions after the pitch is reduced through a reduction lens;
With
An optical path length from the measurement object to the image sensor is the same among the images of the plurality of imaged regions after the division.
前記測定対象物から前記撮像素子までの光路長を変更するための光路長変更手段を、前記分割後の複数の撮影領域に備える高さ測定装置。 The height measuring device according to claim 1,
A height measuring apparatus comprising: an optical path length changing unit for changing an optical path length from the measurement object to the imaging device in the plurality of imaging regions after the division.
前記一対のミラーのうちの一方のミラーと対向配置され、前記一対のミラーのうちの一方のミラーとにより光路長を変更する迂回路を構成するミラーを、前記分割後の複数の撮影領域に備える高さ測定装置。 In the height measuring device according to claim 2,
A plurality of imaging regions after the division include mirrors that are disposed to face one of the pair of mirrors and that constitute a detour that changes the optical path length with one of the pair of mirrors. Height measuring device.
前記測定対象物は、太陽電池セル用基板に形成された表面電極である高さ測定装置。 In the height measuring apparatus in any one of Claims 1-3,
The said measuring object is a height measuring apparatus which is the surface electrode formed in the board | substrate for photovoltaic cells.
前記レーザ光の照射位置の画像をY方向に対して複数に分割し、分割後の複数の画像を、各画像に対して少なくとも一対のミラーで規定される同一平面上にない3つ以上の光路を使って並べ替え、同一平面上に平行にずらして配置するとともに、分割後の複数の撮影領域の画像のピッチを縮小する変換光学系と、
ピッチを縮小した後の分割後の複数の撮影領域の画像を、縮小レンズを介してまとめて撮像する撮像素子と、
を備え、
前記太陽電池セル用基板から前記撮像素子までの光路長が、前記分割後の複数の撮影領域の画像間で同一であることを特徴とする高さ測定装置。 Laser light is irradiated onto a line-shaped region facing in the Y direction with respect to a plurality of surface electrodes formed parallel to each other in the X direction on the solar cell substrate, and an image of the laser light irradiation position is laser light In a height measuring device that measures the height in the Z direction of the plurality of surface electrodes collectively by photographing from a direction different from the irradiation direction of
Three or more optical paths that divide the image at the irradiation position of the laser beam into a plurality of portions in the Y direction and that do not lie on the same plane defined by at least a pair of mirrors for each image. The conversion optical system that rearranges the images and arranges them in parallel on the same plane, and reduces the pitch of the images in the plurality of shooting areas after the division,
An image sensor that collectively captures images of a plurality of shooting regions after the pitch is reduced through a reduction lens;
With
An optical path length from the solar cell substrate to the imaging element is the same among the images of the plurality of imaging regions after the division.
光路長を変更するための光路長変更手段を、前記分割後の複数の撮影領域に備える高さ測定装置。 In the height measuring device according to claim 5,
A height measuring device comprising an optical path length changing means for changing an optical path length in the plurality of divided imaging regions.
前記一対のミラーのうちの一方のミラーと対向配置され、前記一対のミラーのうちの一方のミラーとにより光路長を変更する迂回路を構成するミラーを、前記分割後の複数の撮影領域に備える高さ測定装置。 In the height measuring device according to claim 6,
A plurality of imaging regions after the division include mirrors that are disposed to face one of the pair of mirrors and that constitute a detour that changes the optical path length with one of the pair of mirrors. Height measuring device.
前記縮小レンズは、前記分割後の複数の撮影領域に備えられた複数のミラーのうち前記撮像素子側のミラーと前記撮像素子との間に配設され、前記分割後の複数の撮影領域の画像を前記撮像素子に縮小投影するものであり、
前記分割後の複数の撮影領域の各々に対応する前記複数のミラーのうちの前記太陽電池セル用基板側のミラーのうち、最も前記太陽電池セル用基板に近いミラーと前記太陽電池セル用基板との距離をH1とし、次に前記太陽電池セル用基板に近いミラーと前記太陽電池セル用基板との距離をH2とし、前記レンズの開口数をNAとしたときに、下記の式で表される距離Pが、前記太陽電池セル用基板に形成された複数の表面電極間の距離より小さい高さ測定装置。
P=H1×NA+H2×NA In the height measuring device in any one of Claims 5-7,
The reduction lens is disposed between the mirror on the imaging element side and the imaging element among a plurality of mirrors provided in the plurality of imaging areas after the division, and images of the plurality of imaging areas after the division Is reduced and projected onto the image sensor,
Of the mirrors on the solar cell substrate side among the plurality of mirrors corresponding to each of the plurality of imaging regions after the division, the mirror closest to the solar cell substrate, and the solar cell substrate Where H1 is the distance between the mirror close to the solar cell substrate and the solar cell substrate, and the numerical aperture of the lens is NA. A height measuring device in which the distance P is smaller than the distance between the plurality of surface electrodes formed on the solar cell substrate.
P = H1 × NA + H2 × NA
前記分割後の複数の撮影領域の各々に対応する前記複数のミラーのうちの前記太陽電池セル用基板側のミラーが、各々、Y方向に移動可能である高さ測定装置。 The height measuring device according to claim 8,
The height measuring device in which each of the mirrors on the solar cell substrate side among the plurality of mirrors corresponding to each of the plurality of imaging regions after the division is movable in the Y direction.
前記レーザ光の波長が、400nm以上550nm以下である高さ測定装置。 The height measuring device according to claim 8,
A height measuring apparatus, wherein the wavelength of the laser beam is 400 nm or more and 550 nm or less.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013160336 | 2013-08-01 | ||
JP2013160336 | 2013-08-01 | ||
PCT/JP2014/068172 WO2015016016A1 (en) | 2013-08-01 | 2014-07-08 | Height measurement device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015016016A1 JPWO2015016016A1 (en) | 2017-03-02 |
JP6115642B2 true JP6115642B2 (en) | 2017-04-19 |
Family
ID=52431556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015529485A Active JP6115642B2 (en) | 2013-08-01 | 2014-07-08 | Height measuring device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6115642B2 (en) |
TW (1) | TWI521183B (en) |
WO (1) | WO2015016016A1 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104864813A (en) * | 2015-05-18 | 2015-08-26 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | Method for measuring height and width of crystalline silica solar cell grid line |
CN111886858B (en) * | 2018-03-15 | 2022-06-21 | 株式会社小糸制作所 | Image system for vehicle |
CN110388855B (en) * | 2019-07-18 | 2021-07-20 | 西安工业大学 | Method and device for testing bounce height |
JP2022030051A (en) * | 2020-08-06 | 2022-02-18 | Towa株式会社 | Cutting device and manufacturing method of cutting article |
DE102020210999A1 (en) * | 2020-09-01 | 2022-03-03 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Method and system for evaluating solar cells |
WO2022224455A1 (en) * | 2021-04-23 | 2022-10-27 | ヤマハ発動機株式会社 | Measurement device and substrate inspection device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1089925A (en) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Nkk Corp | Device for measuring vehicle shape |
JP3887809B2 (en) * | 1998-03-26 | 2007-02-28 | アイシン精機株式会社 | Imaging device |
JP2001188008A (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Yasunaga Corp | Height measuring device |
JP2011039006A (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Topcon Corp | Measurement device |
-
2014
- 2014-07-08 JP JP2015529485A patent/JP6115642B2/en active Active
- 2014-07-08 WO PCT/JP2014/068172 patent/WO2015016016A1/en active Application Filing
- 2014-07-15 TW TW103124189A patent/TWI521183B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015016016A1 (en) | 2017-03-02 |
WO2015016016A1 (en) | 2015-02-05 |
TWI521183B (en) | 2016-02-11 |
TW201506351A (en) | 2015-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6115642B2 (en) | Height measuring device | |
KR101207198B1 (en) | Board inspection apparatus | |
US9456198B2 (en) | Depth estimating image capture device and image sensor | |
JP2006516719A (en) | 3D shape measuring device | |
JP5854680B2 (en) | Imaging device | |
JP6364193B2 (en) | Focus position adjustment method and inspection method | |
JP2008249958A (en) | Reference position measuring instrument and method, and drawing device | |
JP2012255792A (en) | Three-dimensional shape measuring apparatus | |
JP2007010393A (en) | Screw shape measuring device | |
JP2013257162A (en) | Distance measuring device | |
WO2019159427A1 (en) | Camera module adjustment device and camera module adjustment method | |
JP5973756B2 (en) | Focus position changing device and confocal optical device using the same | |
KR101566129B1 (en) | Moire Technique- based Measurement of the 3-Dimension Profile of a Specimen and its Implementation with Line-Scan Camera | |
CN104136881B (en) | The method and device for the method for the height of projection or ridge on measurement article surface | |
JP4557799B2 (en) | ADJUSTING METHOD AND ADJUSTING DEVICE FOR DIGITAL CAMERA | |
TWI506241B (en) | Surface profile measurement apparatus | |
JP6155924B2 (en) | Dimension measuring apparatus and dimension measuring method | |
JP2007163429A (en) | Three-dimensional distance measuring method, and instrument therefor | |
TWI597474B (en) | Measuring device | |
JP5434816B2 (en) | Ranging device and imaging device | |
JP5447250B2 (en) | Ranging device and imaging device | |
JP2008154195A (en) | Method of creating pattern for calibration of lens, pattern for calibration of lens, method and device for calibrating lens utilizing pattern for calibration, and method and device for calibrating imaging apparatus | |
JP2007010579A (en) | Focus measuring instrument | |
JP6136364B2 (en) | Defocus amount detection device and camera | |
JP4642889B2 (en) | 3D field for calibration, 3D field for calibration |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170306 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6115642 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |