JP6114547B2 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施例に係る表示装置の斜視図である。図2は図1のI−I’で切った断面図である。
隣接する犠牲パターンSPは、例えば第1サブ画素領域PA1に接続されたデータラインDLの幅に相当する分だけ互いに離隔する。
第1、第2及び第3カラーフィルタCF1、CF2、CF3はインクジェットなどの方法で形成されるが、これに限定されない。
120 TFTアレイ層
121、122、123 第1、第2、第3絶縁層
130 (嚢状の)構造層
131 (嚢状の)構造物
131a 構造絶縁層
132 配向層
133 液晶層
140 カラーフィルタ層
144 平坦化層
150 保護層
231、232、233 第1、第2、第3構造物
BP 遮光パターン
BP1、BP2 第1遮光パターン、第2遮光パターン
CA (トンネル構造の)空間
CE 共通電極
CEa 透明導電層
CF1、CF2、CF3 第1、第2、第3カラーフィルタ
CH コンタクトホール
DE ドレイン電極
DL データライン
GE ゲート電極
GL ゲートライン
PA1、PA2、PA3 第1、第2、第3サブ画素領域
PE1、PE2、PE3 第1、第2、第3画素電極
PUA 単位画素領域
SE ソース電極
SP 犠牲パターン
TR スイッチング素子
Claims (21)
- 各々複数のサブ画素領域を含む単位画素領域が複数個画定されたベース基板と、
前記サブ画素領域の各々に一つずつ前記ベース基板上に配置された画素電極と、
前記単位画素領域の各々に一つずつ前記ベース基板上に配置された、トンネル構造の空間を有する構造物と、
前記構造物上に配置された共通電極と、
前記サブ画素領域の各々に対応して前記構造物上に配置されたカラーフィルタと、を含み、
前記一つの構造物のサイズは前記単位画素領域のサイズに対応し、
前記一つの構造物は複数のサブ画素領域をカバーすることを特徴とする表示装置。 - 隣接した前記カラーフィルタ間に配置された遮光パターンをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記遮光パターンは、不透明な有機物質を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記遮光パターンは、前記複数のカラーフィルタ上に配置されることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記遮光パターンは、
隣接する前記構造物間に配置され、前記構造物上に配置された前記カラーフィルタの下に部分的に重なって位置する第1遮光パターンと、
前記構造物上に配置され、前記構造物上に配置された前記カラーフィルタの上に部分的に重なって位置する第2遮光パターンと、を含むことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。 - 前記遮光パターンは、前記構造物と前記ベース基板との間に配置されることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記遮光パターンは、不透明な金属物質を含むことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- 前記単位画素領域に含まれた前記サブ画素領域は第1方向に配列され、
前記共通電極は前記第1方向に延伸して、前記第1方向と直交する第2方向に配列されることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1方向に隣接した構造物は互いに接続され、前記第2方向に隣接した構造物は互いに離隔することを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
- 前記構造物の、前記トンネル構造の空間側の面上に配置された配向層と、
前記構造物の前記トンネル構造の空間内に配置され、前記配向層によって配向される液晶層と、をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記液晶層を密封する保護層をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- ベース基板のサブ画素領域に画素電極を形成する段階と、
複数の前記サブ画素領域を含む単位画素領域に対応する幅を有して、前記幅方向と直交する長手方向に延伸した犠牲パターンを形成する段階と、
前記犠牲パターン上に前記犠牲パターンの幅方向に延伸して、前記犠牲パターンの長手方向に離隔した構造物及び共通電極を形成する段階と、
前記犠牲パターンを除去して前記構造物によって画定されたトンネル構造の空間を形成する段階と、
前記トンネル構造の空間に液晶層を形成する段階と、
前記トンネル構造の空間に収納された前記液晶層を密封する保護層を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記サブ画素領域の各々に対応する前記構造物上にカラーフィルタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 各々異なるカラーを有する隣接した前記カラーフィルタ間に遮光パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光パターンは、不透明な有機物質を含むことを特徴とする請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光パターンは、前記カラーフィルタ間に配置されて、前記カラーフィルタと部分的に重なることを特徴とする請求項15に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光パターンを形成する段階は、前記カラーフィルタを形成する前に、隣接した構造物の間に配置された第1遮光パターンを形成する段階と、
前記カラーフィルタを形成した後に、前記構造物上に配置した第2遮光パターンを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の表示装置の製造方法。 - 前記画素電極を形成する前に遮光パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記遮光パターンは、不透明な金属物質を含むことを特徴とする請求項18に記載の表示装置の製造方法。
- 前記構造物の、前記トンネル構造の空間側の面上に配置された配向層を形成する段階と、
前記配向層上に液晶層を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。 - 複数の単位画素領域が画定されたベース基板と、
各々複数のサブ画素領域を含む前記単位画素領域の複数個に対応した複数個の画素電極と、
前記単位画素領域の各々に一つずつ前記ベース基板上に配置されて、各々複数のトンネル構造の空間を有する構造物と、
前記構造物のうち、複数の一部の上に配置された共通電極と、
前記サブ画素領域の各々に対応して前記複数の構造物上に配置されたカラーフィルタと、を含み、
前記一つの構造物のサイズは前記単位画素領域のサイズに対応し、
前記一つの構造物は複数のサブ画素領域をカバーすることを特徴とする表示装置。
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