JP6110939B2 - フレキシブル基材上にバリヤー層を製造するための方法および機器 - Google Patents
フレキシブル基材上にバリヤー層を製造するための方法および機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6110939B2 JP6110939B2 JP2015517838A JP2015517838A JP6110939B2 JP 6110939 B2 JP6110939 B2 JP 6110939B2 JP 2015517838 A JP2015517838 A JP 2015517838A JP 2015517838 A JP2015517838 A JP 2015517838A JP 6110939 B2 JP6110939 B2 JP 6110939B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrodes
- inorganic oxide
- layer
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249967—Inorganic matrix in void-containing component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
これまで、光学ガラスが電子表示用途において基材として用いられてきた。これは、光学ガラスが光学的および平坦性の要件を満たすことができ、耐熱性および耐薬品性ならびに良好なバリヤー性を有するためである。ガラスの使用の主な不利点は、その重量、フレキシブルでないこと、および脆性に関連する。このため、フレキシブルプラスチック材料がガラスの代替品として提案されてきた。
化合物または化学元素の付着に用いられる大気圧グロー放電プラズマはダスト形成の問題を有し、これにより、平滑表面の形成を達成することができず、用いられる器材にダストが短時間で蓄積して、バリヤー層の粗さのように、より劣るバリヤー性を有する製品がもたらされることは、公知の事実である。
−基材上に0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機酸化物層を提供し;そして
−続いて、無機酸化物層を有する該基材を、大気グロー放電プラズマ中で、
これに関し、該プラズマは、少なくとも2つの電極により、該少なくとも2つの電極の間に形成される処理空間において発生させ、該処理空間は、操作中に酸素および2〜50ppmの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
処理空間において10W/cm2以上の電力密度を用いて、局部付着速度を5nm/秒以下に制御することにより、処理して封止層を形成する。
他の態様において、無機酸化物層を有する基材の処理空間における処理は、150℃未満、例えば100℃未満の温度で行う。
一態様において、発生させるプラズマは、高周波または無線周波(RF)プラズマまたは放電である。
一態様において、形成され提供される無機酸化物層は、10〜100nm、例えば20〜80nmの厚さであり、50nmであってもよい。
用いることができる基材の他の例は、エチレン酢酸ビニル(EVA)、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ペルフルオロアルコキシ樹脂(PFA)、すなわち、テトラフルオロエチレンとペルフルオロアルキルビニルエーテルのコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー(FEP)、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル−ヘキサフルオロ−プロピレンコポリマー(EPE)、テトラフルオロエチレン−エチレンもしくはプロピレンコポリマー(ETFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン樹脂(PCTFE)、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー(ECTFE)、フッ化ビニリデン樹脂(PVDF)、およびポリフッ化ビニル(PVF)の透明シート、または、ポリエステルとEVA、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリウレタン、液晶ポリマー、アクラー(aclar)、アルミニウム、スパッタリングした酸化アルミニウムポリエステル(sputtered aluminum oxide polyester)、スパッタリングした酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素ポリエステル、スパッタリングした酸化アルミニウムポリカーボネート、およびスパッタリングした酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素ポリカーボネートの同時押出シートである。
該装置は、
少なくとも2つの電極を含む大気圧グロー放電(APGD)プラズマ装置、これに関し、該少なくとも2つの電極は、前記2つの電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマが発生するように配置されている、
該少なくとも2つの電極に接続されている制御ユニット、および
処理空間と連通しているガス供給ユニット、
を含み、
該制御ユニットおよびガス供給源は、
基材上に0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機酸化物層を提供し、そして
続いて、無機酸化物層を有する該基材を、処理空間において10W/cm2以上の電力密度を用いて、局部付着速度を5nm/秒以下に制御することにより、処理して封止層を形成する、これに関し、該処理空間は、操作中に酸素および2〜50ppmの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
ように配置されている。
さらに他の観点において、本発明は、基材、0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機層、および関連する方法態様のいずれか1つに従って製造される封止層を含む、フレキシブル基材組成物に関する。無機層は、他の態様において、他の関連する方法態様のいずれか1つに従って製造される。
図1aは、本発明を実施することができるプラズマ装置の略図を示す。包囲物(図1aには示していない)内の処理チャンバーであることができる処理空間5、または開いた構造を有する処理空間5は、2つの電極2、3を含む。一般に、電極2、3は、処理空間において大気圧でグロー放電を発生させ維持することができるように、誘電体バリヤー2a、3aを備えている(図1b参照)。示している態様において、電極2、3は平面電極であり、処理空間5は長方形の空間である。処理空間5を一方の側面で閉鎖するために、サイドタブ6が提供されている。
電力供給源は、広範囲の周波数、例えばf=10kHz〜30MHzをもたらす電力供給源であることができる。
いくつかの(外部)パラメーターは複雑に相互作用するので、局部付着速度を制御するためにはそれらが関係してくる。前駆体種の付着は表面への前駆体フラグメントの拡散により制御され、励起周波数電圧の振幅およびデューティーサイクルにより制御される平均プラズマ出力は、前駆体の解離速度に強い影響を有する。原子酸素のレベルも、局部付着速度において非常に重要である。局部付着が5nm/秒の閾値を確実に超えないように、電極の配列により支配されるガスの流れおよび全体的間隙距離を、ガスの流れの方向におけるガス種の速度が、付着している種の表面への局部拡散を制御するのに十分に速くなるように、調整すべきである。上記パラメーターはすべて局部付着速度をもたらし、したがって、本プロセス態様のバリヤー能力に強い影響を有する。
他の態様において、第1の段階は、酸素濃度を5%超(すなわち、10%または15%またはさらに21%)に制御し、処理空間5において250〜5000ppmという多量の前駆体を用いることにより行う。
さらに、両方の段階中の処理空間5の温度は、150℃未満、例えば100℃未満、例えば80℃である;両方の付着段階におけるプラズマ処理時間は、20分未満、例えば5分未満、さらに場合によっては2分未満である。60秒以下のプラズマ処理を用いて、優れた結果が見いだされた。結果として、非常に穏やかな条件、すなわち、大気圧において低温および高速で、優れたバリヤーを調製することができ、高い経済的価値がもたらされる。
[1]
基材(1;1a、1b)上にバリヤー層を製造するための方法であって、該方法が
基材(1;1a、1b)上に0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機酸化物層(11)を提供し;そして
続いて、無機酸化物層(11)を有する該基材(1;1a、1b)を、大気グロー放電プラズマ中で、処理空間(5)において10W/cm2以上の電力密度を用いて、局部付着速度を5nm/秒以下に制御することにより、処理して封止層(12)を形成する;
ことを含み、
該プラズマは、少なくとも2つの電極(2、3)により、該少なくとも2つの電極(2、3)の間に形成される処理空間(5)において発生させ、
該処理空間(5)は、操作中に酸素および2〜50ppmの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
前記方法。
[2]
無機酸化物層(11)を有する基材(1;1a、1b)の処理空間(5)における処理を、150℃未満、例えば100℃未満の温度で行う、[1]に記載の方法。
[3]
無機酸化物層(11)を有する基材(1;1a、1b)の処理空間(5)における処理を20分未満の時間中に行う、[1]〜[2]のいずれか一項に記載の方法。
[4]
基材(1、1a、1b)がPETまたはPENなどのフレキシブルポリマー基材である、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の方法。
[5]
前駆体材料が、TEOS(テトラエトキシシラン)、HMDSO(ヘキサメチルジシロキサン)、HMDSN(ヘキサメチルジシラザン)、TMDSO(テトラメチルジシロキサン)またはTMCTS(テトラメチルシクロテトラシロキサン)を含む群から選択される、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の方法。
[6]
無機層(11)を基材(1;1a、1b)上に大気グロー放電プラズマを用いて提供する、[1]〜[5]のいずれか一項に記載の方法であって、前記プラズマを、少なくとも2つの電極(2、3)により、該少なくとも2つの電極(2、3)の間に形成される処理空間(5)において発生させ、該処理空間(5)が、操作中に酸素および前駆体材料を含むガスを含む、前記方法。
[7]
無機層(11)が0.3〜3容積%の細孔容積を有する、[6]に記載の方法。
[8]
基材(1;1a、1b)上での無機層(11)の提供を20分未満の時間で行う、[6]または[7]に記載の方法。
[9]
ガスが、5%を超える濃度の酸素と、250〜5000ppmの量の前駆体材料を含む、[6]、[7]または[8]に記載の方法。
[10]
処理空間(5)における無機層(11)の提供を、150℃未満、例えば100℃未満の温度で行う、[6]〜[9]のいずれか一項1に記載の方法。
[11]
基材上にバリヤー層を製造するための装置であって、該装置が、以下:
少なくとも2つの電極(2、3)を含む大気圧グロー放電(APGD)プラズマ装置、これに関し、該少なくとも2つの電極(2、3)は、前記2つの電極(2、3)の間に形成される処理空間(5)において大気圧グロー放電プラズマが発生するように配置されている、
少なくとも2つの電極(2、3)に接続されている制御ユニット(4)、および
処理空間(5)と連通しているガス供給ユニット(8)、
を含み、
該制御ユニット(4)およびガス供給源(8)が、
基材(1;1a、1b)上に0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機酸化物層(11)を提供し、そして
続いて、無機酸化物層(11)を有する該基材(1;1a、1b)を、処理空間(5)において10W/cm2以上の電力密度を用いて、局部付着速度を5nm/秒以下に制御することにより、処理して封止層(12)を形成する、
これに関し、該処理空間(5)は、操作中に酸素および2〜50ppmの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
ように配置されている、前記装置。
[12]
制御ユニット(4)およびガス供給源(8)が、[2]〜[10]のいずれか一項に記載の方法が実行されるように配置されている、[11]に記載の装置。
[13]
基材(1;1a、1b)、0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機層(11)、および[1]〜[5]のいずれか一項に従って製造される封止層(12)を含む、フレキシブル基材組成物。
[14]
無機層(11)を[6]〜[10]のいずれか一項に従って製造する、[13]に記載のフレキシブル基材組成物。
1a 基材
1b 基材
2 電極
2a 誘電体バリヤー
3 電極
3a 誘電体バリヤー
4 電力供給源
5 処理空間
6 サイドタブ
6a サイドタブ
6b サイドタブ
8 ガス供給機器
8a ガス供給入口
9 誘導ローラー
20 AC電源
21 安定化回路
Claims (7)
- 基材上にバリヤー層を製造するための方法であって、該方法が
基材上に0.3〜10容積%の細孔容積を有する無機酸化物層を提供し;そして
続いて、無機酸化物層を有する該基材を、大気グロー放電プラズマ中で、処理空間において10W/cm2以上の電力密度を用いて、付着速度を5nm/秒以下に制御することにより、処理して封止層を形成する;
ことを含み、
該プラズマは、少なくとも2つの電極により、該少なくとも2つの電極の間に形成される処理空間において発生させ、
該処理空間は、操作中に酸素および2〜50ppmの量の前駆体材料を含む封止層形成用ガスの混合物を含み、
無機酸化物層及び封止層が酸化ケイ素層である、
前記方法。 - 無機酸化物層を有する基材の処理空間における処理を150℃未満の温度で行う、請求項1に記載の方法。
- 無機酸化物層を有する基材の処理空間における処理を20分未満の時間中に行う、請求項1〜2のいずれか一項に記載の方法。
- 基材がPETまたはPENなどのフレキシブルポリマー基材である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前駆体材料が、TEOS(テトラエトキシシラン)、HMDSO(ヘキサメチルジシロキサン)、HMDSN(ヘキサメチルジシラザン)、TMDSO(テトラメチルジシロキサン)またはTMCTS(テトラメチルシクロテトラシロキサン)を含む群から選択される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 無機酸化物層を基材上に大気グロー放電プラズマを用いて提供する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法であって、前記プラズマを、少なくとも2つの電極により、該少なくとも2つの電極の間に形成される処理空間において発生させ、該処理空間が、操作中に酸素および前駆体材料を含む無機酸化物層形成用ガスを含む、前記方法。
- 無機酸化物層形成用ガスが、5%を超える濃度の酸素と、250〜5000ppmの量の前駆体材料を含む、請求項6に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1210836.1 | 2012-06-19 | ||
GBGB1210836.1A GB201210836D0 (en) | 2012-06-19 | 2012-06-19 | Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate |
PCT/GB2013/051540 WO2013190269A1 (en) | 2012-06-19 | 2013-06-12 | Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015528051A JP2015528051A (ja) | 2015-09-24 |
JP2015528051A5 JP2015528051A5 (ja) | 2016-02-18 |
JP6110939B2 true JP6110939B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=46641141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015517838A Expired - Fee Related JP6110939B2 (ja) | 2012-06-19 | 2013-06-12 | フレキシブル基材上にバリヤー層を製造するための方法および機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10100404B2 (ja) |
EP (1) | EP2861778B1 (ja) |
JP (1) | JP6110939B2 (ja) |
GB (1) | GB201210836D0 (ja) |
WO (1) | WO2013190269A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI486996B (zh) * | 2013-12-04 | 2015-06-01 | Ind Tech Res Inst | 電漿裝置及電漿裝置的操作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6774569B2 (en) | 2002-07-11 | 2004-08-10 | Fuji Photo Film B.V. | Apparatus for producing and sustaining a glow discharge plasma under atmospheric conditions |
US7288204B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-10-30 | Fuji Photo Film B.V. | Method and arrangement for treating a substrate with an atmospheric pressure glow plasma (APG) |
EP1403902A1 (en) | 2002-09-30 | 2004-03-31 | Fuji Photo Film B.V. | Method and arrangement for generating an atmospheric pressure glow discharge plasma (APG) |
EP1626613B8 (en) | 2004-08-13 | 2007-03-07 | Fuji Film Manufacturing Europe B.V. | Method and arrangement for controlling a glow discharge plasma under atmospheric conditions |
JP2005320583A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性透明プラスチックフィルムとその製造方法および該ガスバリア性透明プラスチックフィルムを用いた有機el素子 |
GB0505517D0 (en) | 2005-03-17 | 2005-04-27 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Coated polymeric substrates |
JP2007190844A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
KR20070104158A (ko) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | 삼성전자주식회사 | 전자소자용 보호막 및 그 제조방법 |
WO2007139379A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
US7878054B2 (en) * | 2007-02-28 | 2011-02-01 | The Boeing Company | Barrier coatings for polymeric substrates |
WO2009104957A1 (en) | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Plasma treatment apparatus and method for treatment of a substrate with atmospheric pressure glow discharge electrode configuration |
US20110311808A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-22 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Two Layer Barrier on Polymeric Substrate |
EP2226832A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-08 | FUJIFILM Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using side tabs |
GB0910040D0 (en) * | 2009-06-11 | 2009-07-22 | Fujifilm Mfg Europe Bv | Substrate structure |
GB201110117D0 (en) * | 2011-06-16 | 2011-07-27 | Fujifilm Mfg Europe Bv | method and device for manufacturing a barrie layer on a flexible substrate |
-
2012
- 2012-06-19 GB GBGB1210836.1A patent/GB201210836D0/en not_active Ceased
-
2013
- 2013-06-12 US US14/407,120 patent/US10100404B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-12 JP JP2015517838A patent/JP6110939B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-12 WO PCT/GB2013/051540 patent/WO2013190269A1/en active Application Filing
- 2013-06-12 EP EP13728821.3A patent/EP2861778B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2861778B1 (en) | 2018-08-08 |
JP2015528051A (ja) | 2015-09-24 |
US20150184300A1 (en) | 2015-07-02 |
GB201210836D0 (en) | 2012-08-01 |
EP2861778A1 (en) | 2015-04-22 |
US10100404B2 (en) | 2018-10-16 |
WO2013190269A1 (en) | 2013-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9390908B2 (en) | Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate | |
JP5725865B2 (ja) | プラズマ処理装置、及び大気圧グロー放電電極構成を使用して基板を処理するための方法 | |
EP2764133B1 (en) | A method for producing a coating by atmospheric pressure plasma technology | |
KR102374497B1 (ko) | 적층 필름 및 플렉시블 전자 디바이스 | |
EP2396451B1 (en) | Two layer barrier on polymeric substrate | |
JP6657687B2 (ja) | 積層フィルムおよびフレキシブル電子デバイス | |
JP6110939B2 (ja) | フレキシブル基材上にバリヤー層を製造するための方法および機器 | |
JP2023507602A (ja) | 酸化ケイ素被覆ポリマーフィルム及びそれを製造するための低圧pecvd方法 | |
WO2017104357A1 (ja) | プラズマcvd成膜装置用電極、電極の製造方法、プラズマcvd成膜装置および機能性フィルムの製造方法 | |
KR102193005B1 (ko) | 가스 배리어 막, 가스 배리어 필름, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 페이퍼, 그리고 가스 배리어 필름의 제조 방법 | |
CN108349210B (zh) | 气体阻隔膜 | |
JP2012057237A (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
JP2019089311A (ja) | ガスバリア膜、ガスバリアフィルム、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子ペーパー並びにガスバリアフィルムの製造方法 | |
JPWO2014109250A1 (ja) | 機能性フィルムの製造方法、機能性フィルム製造装置、および機能性フィルムを備える有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151221 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6110939 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |