JP6094344B2

JP6094344B2 - Aerosol deposition apparatus and aerosol deposition method

Info

Publication number: JP6094344B2
Application number: JP2013082186A
Authority: JP
Inventors: 英之天田; 今中　佳彦; 佳彦今中
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2013-04-10
Filing date: 2013-04-10
Publication date: 2017-03-15
Anticipated expiration: 2033-04-10
Also published as: JP2014205863A

Description

本発明は、エアロゾルデポジション装置及びエアロゾルデポジション法に関する。 The present invention relates to an aerosol deposition apparatus and an aerosol deposition method.

従来、エアロゾルデポジション法を用いた成膜が行われている。 Conventionally, film formation using an aerosol deposition method has been performed.

エアロゾルデポジション法は、エアロゾル状態の材料粒子をノズルから成膜基板へ向けて噴射する。ノズルから噴射された材料粒子は、成膜基板へ衝突する。この衝突の時に、材料粒子の持つ運動エネルギーが成膜エネルギーに変えられて、基板-粒子間及び粒子間の結合を実現して、材料粒子による膜が形成される。 In the aerosol deposition method, material particles in an aerosol state are ejected from a nozzle toward a film formation substrate. The material particles ejected from the nozzle collide with the film formation substrate. At the time of this collision, the kinetic energy of the material particles is changed to the film formation energy, and the bonding between the substrate and the particles and between the particles is realized, and a film made of the material particles is formed.

エアロゾルデポジション法では、室温において、セラミックス、金属又はこれらの複合体の成膜を行うことができる。 In the aerosol deposition method, a ceramic, a metal, or a composite thereof can be formed at room temperature.

一方、従来のセラミックスの成膜では、高温の焼成処理が行われていた。 On the other hand, in conventional ceramic film formation, a high-temperature firing process has been performed.

エアロゾルデポジション法では、このような高温の焼成処理を行わずにセラミックスの膜を形成することができるので、他の材料を高温にさらすことを防ぐと共に、製造工程を簡略にできる。 In the aerosol deposition method, a ceramic film can be formed without performing such a high-temperature baking treatment, so that other materials can be prevented from being exposed to a high temperature and the manufacturing process can be simplified.

特開２０１１−１４７７６号公報JP 2011-14776 A

このような利点を有するエアロゾルデポジション法であるが、従来のエアロゾルデポジション法では、成膜されない粒子が多いため、成膜速度が速くないという問題があった。 Although the aerosol deposition method has such advantages, the conventional aerosol deposition method has a problem that the film formation rate is not high because there are many particles that are not formed.

そこで、本明細書では、成膜速度の速いエアロゾルデポジション装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present specification is to provide an aerosol deposition apparatus having a high film formation rate.

また、本明細書では、成膜速度の速いエアロゾルデポジション法を提供することを目的とする。 Another object of the present specification is to provide an aerosol deposition method having a high film formation rate.

本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置の一形態によれば、成膜基板を保持する基板保持部及び成膜ノズルを有する成膜室と、上記成膜ノズルにエアロゾル状態の材料粒子を供給するエアロゾル発生部と、上記エアロゾル発生部にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、上記成膜ノズル側に向いた第１面と、上記基板保持部側に向いた第２面と、上記第１面から上記第２面に向かって貫通する貫通孔を有し、上記成膜ノズルと上記基板保持部との間に配置される電気絶縁性の帯電板と、を備える。 According to one embodiment of the aerosol deposition apparatus disclosed in this specification, a substrate holding unit that holds a deposition substrate, a deposition chamber having a deposition nozzle, and aerosol material particles are supplied to the deposition nozzle. An aerosol generation unit, a carrier gas supply unit for supplying a carrier gas to the aerosol generation unit, a first surface facing the film forming nozzle, a second surface facing the substrate holding unit, and the first An electrically insulating charging plate having a through-hole penetrating from the surface toward the second surface and disposed between the film forming nozzle and the substrate holding portion.

また、本明細書に開示するエアロゾルデポジション法の一形態によれば、成膜ノズルから、エアロゾル状態の材料粒子を噴射する第１工程と、噴射した材料粒子を、成膜ノズル側の第１面から上記第１面とは反対側の第２面に向かって貫通する貫通孔を有する電気絶縁性の帯電板の貫通孔を通過させて、材料粒子を帯電させる第２工程と、帯電した材料粒子を、成膜基板上に堆積させて成膜する第３工程と、を備える。 Further, according to one form of the aerosol deposition method disclosed in the present specification, the first step of injecting the aerosol state material particles from the deposition nozzle, and the ejected material particles on the deposition nozzle side of the first step. A second step of charging material particles by passing through a through hole of an electrically insulating charging plate having a through hole penetrating from the surface toward the second surface opposite to the first surface; and charged material And a third step of depositing particles on a deposition substrate to form a film.

上述した本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置の一形態によれば、成膜速度が速い。 According to one embodiment of the aerosol deposition apparatus disclosed in the present specification described above, the film forming speed is high.

また、上述した本明細書に開示するエアロゾルデポジション法の一形態によれば、成膜速度が速い。 In addition, according to one embodiment of the aerosol deposition method disclosed in the present specification, the film formation rate is high.

本発明の目的及び効果は、特に請求項において指摘される構成要素及び組み合わせを用いることによって認識され且つ得られるだろう。 The objects and advantages of the invention will be realized and obtained by means of the elements and combinations particularly pointed out in the appended claims.

前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明の両方は、例示的及び説明的なものであり、特許請求の範囲に記載されている本発明を制限するものではない。 Both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not restrictive of the invention as claimed.

本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置の第１実施形態を示す図である。It is a figure showing a 1st embodiment of an aerosol deposition device indicated to this specification. （Ａ）は、第１実施形態のエアロゾルデポジション装置の帯電板を示す断面図であり、（Ｂ）は、帯電板の貫通孔を示す平面図である。(A) is sectional drawing which shows the charging plate of the aerosol deposition apparatus of 1st Embodiment, (B) is a top view which shows the through-hole of a charging plate. 第１実施形態のエアロゾルデポジション装置の帯電板の貫通孔の径と、閉塞性及び静電気力との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the diameter of the through-hole of the charging plate of the aerosol deposition apparatus of 1st Embodiment, obstruction | occlusion property, and electrostatic force. 本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置の第２実施形態の帯電板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the charging plate of 2nd Embodiment of the aerosol deposition apparatus disclosed to this specification. 上下の帯電板の貫通孔の配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the through-hole of an up-and-down charging plate. 実施例及び比較例の結果を示す図である。It is a figure which shows the result of an Example and a comparative example.

以下、本明細書で開示するエアロゾルデポジション装置の好ましい第１実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。 Hereinafter, a preferred first embodiment of an aerosol deposition apparatus disclosed in the present specification will be described with reference to the drawings. However, the technical scope of the present invention is not limited to these embodiments, but extends to the invention described in the claims and equivalents thereof.

図１は、本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置の第１実施形態を示す図である。図２（Ａ）は、第１実施形態のエアロゾルデポジション装置の帯電板を示す断面図であり、図２（Ｂ）は、帯電板の貫通孔を示す平面図である。 FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of an aerosol deposition apparatus disclosed in this specification. FIG. 2A is a cross-sectional view showing a charging plate of the aerosol deposition apparatus of the first embodiment, and FIG. 2B is a plan view showing through holes of the charging plate.

本実施形態のエアロゾルデポジション装置１０（以下、単に装置１０ともいう）は、エアロゾルデポジション法を用いて、成膜基板上に材料粒子を成膜する装置である。 The aerosol deposition apparatus 10 (hereinafter also simply referred to as the apparatus 10) of the present embodiment is an apparatus that forms material particles on a film formation substrate using an aerosol deposition method.

装置１０は、成膜室１１と、エアロゾル発生部１２と、キャリアガス供給部１３と、減圧部１８と、帯電板１４を備える。 The apparatus 10 includes a film formation chamber 11, an aerosol generation unit 12, a carrier gas supply unit 13, a decompression unit 18, and a charging plate 14.

成膜室１１は、成膜基板２０を保持する基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂ及び成膜ノズル１１ａを有する。基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂは、成膜基板２０を保持する保持面を有しており、成膜基板２０はこの保持面上に保持される。 The film forming chamber 11 includes a substrate holding unit (also called “XY stage”) 11 b that holds the film forming substrate 20 and a film forming nozzle 11 a. The substrate holding unit (also called “XY stage”) 11b has a holding surface for holding the film formation substrate 20, and the film formation substrate 20 is held on this holding surface.

また、成膜室１１は、基板保持部１１ｂ（別名「ＸＹステージ」）を水平方向又は垂直方向に移動させる駆動部１５を有する。駆動部１５は、支柱１１ｃを介して基板保持部１１ｂ（別名「ＸＹステージ」）と接続される。成膜基板２０は、駆動部１５によって駆動される基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂと共に移動しながら成膜される。 In addition, the film forming chamber 11 includes a driving unit 15 that moves the substrate holding unit 11b (also called “XY stage”) in the horizontal direction or the vertical direction. The drive unit 15 is connected to the substrate holding unit 11b (also called “XY stage”) via the support column 11c. The film formation substrate 20 is formed while moving together with a substrate holding portion (also called “XY stage”) 11 b driven by the drive portion 15.

キャリアガス供給部１３は、エアロゾル発生部１２にキャリアガスを供給する。キャリアガス供給部１３は、酸素ガス又は窒素ガス等のキャリアガスを供給するキャリアガスタンクを有する。キャリアガス供給部１３は、流量計１７を備えた配管１９ｂを介してエアロゾル発生部１２と接続される。 The carrier gas supply unit 13 supplies a carrier gas to the aerosol generation unit 12. The carrier gas supply unit 13 includes a carrier gas tank that supplies a carrier gas such as oxygen gas or nitrogen gas. The carrier gas supply unit 13 is connected to the aerosol generation unit 12 via a pipe 19 b provided with a flow meter 17.

エアロゾル発生部１２は、成膜ノズル１１ａにエアロゾル状態の材料粒子を供給する。エアロゾル発生部１２は、材料粒子Ｍを収容する容器を振動させる超音波振動部１２ａを有する。エアロゾル発生部１２は、配管１９ａを介して成膜ノズル１１ａと接続される。 The aerosol generation unit 12 supplies material particles in an aerosol state to the film forming nozzle 11a. The aerosol generation unit 12 includes an ultrasonic vibration unit 12a that vibrates a container that accommodates the material particles M. The aerosol generating unit 12 is connected to the film forming nozzle 11a through a pipe 19a.

減圧部１８は、メカニカルブースタポンプ１８ｂ及び真空ポンプ１８ａを有する。成膜室１１は、メカニカルブースタポンプ１８ｂを介して真空ポンプ１８ａと接続される。また、エアロゾル発生部１２も、配管１９ｃを介して、メカニカルブースタポンプ１８ｂ及び真空ポンプ１８ａと接続される。 The decompression unit 18 includes a mechanical booster pump 18b and a vacuum pump 18a. The film forming chamber 11 is connected to a vacuum pump 18a via a mechanical booster pump 18b. The aerosol generating unit 12 is also connected to the mechanical booster pump 18b and the vacuum pump 18a via the pipe 19c.

成膜に使用される材料粒子としては、特に制限はなく、電気絶縁体、導電体又はこれらの混合物を用いることができる。 The material particles used for film formation are not particularly limited, and an electrical insulator, a conductor, or a mixture thereof can be used.

成膜基板としては、特に制限はなく、電気絶縁体又は導電体を用いることができるが、荷電した材料粒子の電荷を速やかに放電させる観点から、導電体を用いることが好ましい。 There is no restriction | limiting in particular as a film-forming board | substrate, Although an electrical insulator or a conductor can be used, it is preferable to use a conductor from a viewpoint of discharging the electric charge of the charged material particle rapidly.

帯電板１４は、電気絶縁性であり、成膜ノズル１１ａと基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂとの間に配置される。帯電板１４は、成膜ノズル１１ａ側に向いた第１面Ｐ１と、基板保持部１１ｂ側に向いた第２面Ｐ２と、第１面Ｐ１から第２面Ｐ２に向かって貫通する複数の貫通孔Ｈを有する（図２（Ａ）参照）。 The charging plate 14 is electrically insulative, and is disposed between the film forming nozzle 11a and the substrate holding portion (also called “XY stage”) 11b. The charging plate 14 has a first surface P1 facing the film forming nozzle 11a, a second surface P2 facing the substrate holding portion 11b, and a plurality of penetrations penetrating from the first surface P1 toward the second surface P2. It has a hole H (see FIG. 2A).

帯電板１４は、連結部１１ｄによって基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂと連結される。従って、帯電板１４は、駆動部１５によって、基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂに保持される成膜基板２０と共に駆動される。 The charging plate 14 is connected to a substrate holding part (also called “XY stage”) 11b by a connecting part 11d. Therefore, the charging plate 14 is driven by the driving unit 15 together with the film formation substrate 20 held on the substrate holding unit (also called “XY stage”) 11b.

具体的には、駆動部１５が、基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂを水平方向に、即ち、貫通孔Ｈが帯電板１４を貫通する方向と交差又は直交する向きに駆動することにより、帯電板１５も成膜基板２０と共に水平方向に移動する。 Specifically, the driving unit 15 drives the substrate holding unit (also called “XY stage”) 11b in the horizontal direction, that is, in a direction intersecting or orthogonal to the direction in which the through hole H penetrates the charging plate 14. The charging plate 15 also moves in the horizontal direction together with the film formation substrate 20.

成膜ノズル１１ａから噴射されたエアロゾル状態の材料粒子Ｚは、帯電板１４の貫通孔Ｈを通過する間に、貫通孔Ｈの内壁と衝突して、摩擦帯電と同様の電荷移行により帯電する。そして、荷電した材料粒子は、成膜基板２０に向かって衝突する。 The aerosol-state material particles Z ejected from the film forming nozzle 11a collide with the inner wall of the through hole H while passing through the through hole H of the charging plate 14, and are charged by charge transfer similar to frictional charging. The charged material particles collide toward the film formation substrate 20.

帯電板１４は、電気絶縁性の材料を用いて形成される。帯電板１４を形成する材料としては、複数の貫通孔Ｈが形成された状態で所定の機械的強度を有するものであれば、特に制限されない。帯電板１４の形成材料として、例えば、酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウム等を用いても良い。 The charging plate 14 is formed using an electrically insulating material. The material for forming the charging plate 14 is not particularly limited as long as it has a predetermined mechanical strength in a state where a plurality of through holes H are formed. As a material for forming the charging plate 14, for example, aluminum oxide or zirconium oxide may be used.

また、装置１０は、成膜基板２０を帯電させる電荷発生部１６を備える。電荷発生部１６は、帯電板２０の貫通孔Ｈを通過した材料粒子が帯電する極性とは反対の極性に、成膜基板２０を帯電させる。帯電板１４の貫通孔Ｈを通過し、第１の極性（例えば正の極性）に荷電した材料粒子は、第２の極性（例えば負の極性）に帯電した成膜基板２０に対して、静電引力により引きつけられて衝突し膜が形成される。 In addition, the apparatus 10 includes a charge generation unit 16 that charges the film formation substrate 20. The charge generation unit 16 charges the deposition substrate 20 with a polarity opposite to the polarity with which the material particles that have passed through the through holes H of the charging plate 20 are charged. The material particles that have passed through the through-hole H of the charging plate 14 and have been charged to the first polarity (for example, positive polarity) are statically bonded to the film formation substrate 20 that has been charged to the second polarity (for example, negative polarity). It is attracted by the electric attractive force and collides to form a film.

電荷発生部１６は、例えば、ナイロン樹脂とフッ素樹脂を、しゅう動させることにより、正の極性及び負の極性の電荷を発生することができる。この場合、ナイロン樹脂から正の極性を取り出すことでき、フッ素樹脂から負の極性を取り出すことできる。また，電荷発生部１６は電圧計を用いることも可能である。 The charge generation unit 16 can generate positive and negative polar charges by, for example, sliding a nylon resin and a fluororesin. In this case, the positive polarity can be taken out from the nylon resin, and the negative polarity can be taken out from the fluororesin. The charge generator 16 can also use a voltmeter.

成膜する際には、成膜室１１内を減圧部１８で減圧にした後、材料粒子Ｍを収容したエアロゾル発生部１２の容器を超音波振動部１２ａで振動させながら、キャリアガス供給部１３よりエアロゾル発生部１２の容器内にキャリアガスを送り込んでエアロゾルＺを発生させる。 When forming a film, the inside of the film forming chamber 11 is depressurized by the depressurization unit 18, and then the container of the aerosol generation unit 12 containing the material particles M is vibrated by the ultrasonic vibration unit 12 a while the carrier gas supply unit 13. The carrier gas is fed into the container of the aerosol generating unit 12 to generate the aerosol Z.

発生したエアロゾルＺは、配管１９ａを介して成膜ノズル１１ａに搬送され、成膜ノズル１１ａから、駆動部１５により貫通孔Ｈが帯電板１４を貫通する方向と交差又は直交する向きに駆動される帯電板１４に向けて噴射される。噴射されたエアロゾルＺ中の材料粒子は、貫通孔Ｈを通過する際に貫通孔Ｈの内壁と衝突することにより帯電する。そして、第１の極性に荷電した材料粒子は、第２の極性に帯電した成膜基板２０に引き寄せられて衝突し、膜状に堆積する。 The generated aerosol Z is conveyed to the film forming nozzle 11a through the pipe 19a, and is driven from the film forming nozzle 11a in a direction intersecting or orthogonal to the direction in which the through hole H penetrates the charging plate 14 by the driving unit 15. Injected toward the charging plate 14. The material particles in the sprayed aerosol Z are charged by colliding with the inner wall of the through hole H when passing through the through hole H. Then, the material particles charged to the first polarity are attracted to and collide with the film formation substrate 20 charged to the second polarity, and are deposited in a film shape.

次に、帯電板１４について、更に以下に詳述する。 Next, the charging plate 14 will be described in detail below.

帯電板１４の貫通孔Ｈは曲がっていることが、貫通孔Ｈを通過する材料粒子を内壁と衝突させて材料粒子の帯電を促進する観点から好ましい。この場合、貫通孔Ｈは、角を有した曲がりよりも、角を有さない湾曲した形状を有することが、材料粒子による貫通孔Ｈの閉塞を防止する上で好ましい。 It is preferable that the through hole H of the charging plate 14 is bent from the viewpoint of promoting charging of the material particles by causing the material particles passing through the through hole H to collide with the inner wall. In this case, it is preferable that the through hole H has a curved shape with no corners rather than a corner with a corner in order to prevent the through holes H from being blocked by the material particles.

図２（Ａ）に示すように、本実施形態の装置１０では、貫通孔Ｈは、螺旋形状を有する。 As shown in FIG. 2A, in the device 10 of the present embodiment, the through hole H has a spiral shape.

貫通孔Ｈは、帯電板１４を第１面Ｐ１から第２面Ｐ２に向かって螺旋状に貫通する。貫通孔Ｈは、多くの曲がった部分を有するので、貫通孔Ｈを通過する材料粒子と内壁との間の衝突回数を増加して材料粒子の帯電を促進する。 The through hole H penetrates the charging plate 14 in a spiral shape from the first surface P1 toward the second surface P2. Since the through-hole H has many bent portions, the number of collisions between the material particles passing through the through-hole H and the inner wall is increased to promote charging of the material particles.

装置１０では、貫通孔Ｈの断面形状は円形である。貫通孔Ｈの直径Ｌ３としては、材料粒子の体積平均粒子径に対して、２０倍〜２０００倍の範囲にあることが、材料粒子の帯電を促進すると共に貫通孔Ｈの閉塞を防止する観点から好ましい。なお、材料粒子が不定形である場合には、材料粒子の径は、材料粒子の体積平均粒子径を直径として有する球の半径として扱うことができる。 In the device 10, the cross-sectional shape of the through hole H is circular. The diameter L3 of the through hole H is in the range of 20 times to 2000 times the volume average particle diameter of the material particles from the viewpoint of promoting charging of the material particles and preventing the through holes H from being blocked. preferable. When the material particles are indefinite, the diameter of the material particles can be handled as the radius of a sphere having the volume average particle diameter of the material particles as a diameter.

貫通孔Ｈの直径Ｌ３は、螺旋の外径Ｌ１と内径Ｌ２との差で表される。貫通孔Ｈは、例えば、外径Ｌ１と内径Ｌ２で規定される螺旋形状を有するドリルを用いて電気絶縁性の板に孔を開けることにより形成される。 The diameter L3 of the through hole H is represented by the difference between the outer diameter L1 and the inner diameter L2 of the spiral. The through hole H is formed, for example, by opening a hole in an electrically insulating plate using a drill having a spiral shape defined by an outer diameter L1 and an inner diameter L2.

隣接する貫通孔Ｈ同士の間の距離Ｌ４は、適宜設定され得る。例えば、距離Ｌ４は、０．１ｍｍから１ｍｍというようにしても良い。 The distance L4 between the adjacent through holes H can be set as appropriate. For example, the distance L4 may be 0.1 mm to 1 mm.

貫通孔Ｈの螺旋の数は、材料粒子の帯電を促進すると共に貫通孔Ｈの閉塞を防止する観点から、適宜設定され得る。 The number of spirals of the through hole H can be appropriately set from the viewpoint of promoting charging of the material particles and preventing the through hole H from being blocked.

また、帯電板１４の厚さも、材料粒子の帯電を促進すると共に貫通孔Ｈの閉塞を防止する観点から、適宜設定され得る。 The thickness of the charging plate 14 can also be set as appropriate from the viewpoint of promoting charging of the material particles and preventing the through-hole H from being blocked.

帯電板１４は、具体的には、成膜ノズル１１ａと、基板保持部（別名「ＸＹステージ」）１１ｂ上に保持される成膜基板２０との間に配置されるが、成膜ノズル１１ａと接触するように配置しても良い。 Specifically, the charging plate 14 is disposed between the film forming nozzle 11a and the film forming substrate 20 held on the substrate holding unit (also called “XY stage”) 11b. You may arrange | position so that it may contact.

また、成膜ノズル１１ａを、電荷発生部と同様の装置を用いて、材料粒子が帯電板１４によって帯電するのと同じ極性に帯電させても良い。 Further, the film forming nozzle 11a may be charged to the same polarity as the material particles are charged by the charging plate 14 using the same device as the charge generation unit.

上述した帯電板１４は、駆動部１５によって駆動されるので、帯電板１４の同じ部分に材料粒子が噴射され続けないため、貫通孔Ｈが閉塞することが防止される。 Since the above-described charging plate 14 is driven by the driving unit 15, the material particles are not continuously ejected to the same portion of the charging plate 14, so that the through hole H is prevented from being blocked.

帯電板１４の貫通孔Ｈを通過させて、材料粒子を成膜基板２０上に堆積させる観点から、成膜ノズル１１ａから噴射される材料粒子の速度は、３０〜１００ｍ／秒の範囲にすることが好ましい。 From the viewpoint of passing the through holes H of the charging plate 14 and depositing the material particles on the film forming substrate 20, the speed of the material particles ejected from the film forming nozzle 11a is in the range of 30 to 100 m / sec. Is preferred.

図３は、第１実施形態のエアロゾルデポジション装置の帯電板の貫通孔の径と、閉塞性及び静電気力との関係を示す図である。 FIG. 3 is a diagram illustrating the relationship between the diameter of the through hole of the charging plate of the aerosol deposition apparatus according to the first embodiment, the blocking property, and the electrostatic force.

図３に示す関係は、本実施形態の装置１０を用いて、帯電板１４により帯電させた材料粒子を成膜基板２０上に堆積させて得られた。 The relationship shown in FIG. 3 was obtained by depositing material particles charged by the charging plate 14 on the film forming substrate 20 using the apparatus 10 of the present embodiment.

材料粒子として、体積平均粒子径が０．５μｍであるチタン酸バリウムを用いた。材料粒子の前処理として、減圧下において、約１３０℃×３０分の熱処理を行って、水分を除去した。成膜基板２０として銅箔を用いた。 As the material particles, barium titanate having a volume average particle diameter of 0.5 μm was used. As a pretreatment of the material particles, a heat treatment was performed at about 130 ° C. for 30 minutes under reduced pressure to remove moisture. A copper foil was used as the film formation substrate 20.

帯電板１４の形成材料として、酸化アルミニウムを用いた。貫通孔Ｈの螺旋の数は６とした。貫通孔Ｈの直径Ｌ３は、図３の横軸に示すように１μｍ〜１００００μｍの範囲とした。 Aluminum oxide was used as a material for forming the charging plate 14. The number of spirals of the through hole H was six. The diameter L3 of the through hole H was in the range of 1 μm to 10000 μm as shown on the horizontal axis in FIG.

キャリアガスとして、酸素を用いた。キャリアガス供給部１３からのガス流量は、流量計１７を用いて１０Ｌ／分とした。 Oxygen was used as a carrier gas. The gas flow rate from the carrier gas supply unit 13 was set to 10 L / min using the flow meter 17.

図３における左側の縦軸の閉塞性は、帯電板１４の貫通孔Ｈが粒子によって閉塞される程度を示している。この縦軸の閉塞性は、成膜速度が高い程、貫通孔Ｈの閉塞性が小さく、成膜速度が低い程、貫通孔Ｈの閉塞性が大きいと判断した。これは、貫通孔Ｈの閉塞が小さい時には、貫通孔Ｈを通過する材料粒子の数が多いので成膜速度が高くなり、一方、貫通孔Ｈの閉塞が大きい時には、貫通孔Ｈを通過する材料粒子の数が少ないので成膜速度が低くなるためである。 The blockage of the left vertical axis in FIG. 3 indicates the degree to which the through holes H of the charging plate 14 are blocked by particles. It was determined that the occlusiveness of the vertical axis was such that the higher the film formation rate, the smaller the occlusiveness of the through hole H, and the lower the film formation rate, the greater the occlusiveness of the through hole H. This is because when the through-hole H is small, the number of material particles passing through the through-hole H is large, so that the film forming rate is high. On the other hand, when the through-hole H is large, the material passing through the through-hole H This is because the film formation rate is low because the number of particles is small.

図３における右側の縦軸の静電気力は、帯電板１４が材料粒子を帯電させる帯電量の度合いを示している。この縦軸の静電気力は、成膜ノズル１１ａから噴射した材料粒子の内、成膜基板２０ではなく、成膜室１１の内壁へ付着した粒子の量が多い程、静電気力が小さく、成膜室１１の内壁へ付着した粒子の量が少ない程、静電気力が大きいと判断した。 The electrostatic force on the vertical axis on the right side in FIG. 3 indicates the degree of charge with which the charging plate 14 charges the material particles. The electrostatic force on the vertical axis indicates that the electrostatic force decreases as the amount of particles adhering to the inner wall of the film forming chamber 11 rather than the film forming substrate 20 out of the material particles ejected from the film forming nozzle 11a decreases. It was determined that the smaller the amount of particles attached to the inner wall of the chamber 11, the greater the electrostatic force.

図３に示すように、体積平均粒子径が０．５μｍである材料粒子を用いた場合、貫通孔の径Ｌ３が１０〜１０００μｍの範囲にあることが、良好な閉塞性及び静電気力を兼ね備えている。 As shown in FIG. 3, when material particles having a volume average particle diameter of 0.5 μm are used, the diameter L3 of the through hole is in the range of 10 to 1000 μm, which has both good blockage and electrostatic force. Yes.

従って、貫通孔Ｈの直径Ｌ３としては、上述したように、材料粒子の体積平均粒子径に対して、２０倍〜２０００倍の範囲にあることが好ましいことが分かる。 Therefore, it can be seen that the diameter L3 of the through hole H is preferably in the range of 20 to 2000 times the volume average particle diameter of the material particles as described above.

上述した本実施形態の装置１０によれば、帯電板１４によって第１の極性に帯電した材料粒子が、第２の極性に帯電した成膜基板２０に引き寄せられて衝突して堆積するので、成膜速度が向上する。 According to the apparatus 10 of the present embodiment described above, the material particles charged to the first polarity by the charging plate 14 are attracted to the deposition substrate 20 charged to the second polarity and collide and accumulate. The film speed is improved.

また、装置１０を用いることにより、良好な電気的特性を有するキャパシタを形成することができる。例えば、酸素等のキャリアガスを用い、材料粒子としてチタン酸バリウム等の誘電体粒子を用いることにより、酸化物誘電体セラミックスである膜状のキャパシタを形成できる。 Further, by using the device 10, a capacitor having good electrical characteristics can be formed. For example, by using a carrier gas such as oxygen and using dielectric particles such as barium titanate as material particles, a film-like capacitor that is an oxide dielectric ceramic can be formed.

次に、上述したエアロゾルデポジション装置の第２実施形態を、図４及び図５を参照しながら以下に説明する。第２実施形態について特に説明しない点については、上述の第１実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。また、同一の構成要素には同一の符号を付してある。 Next, a second embodiment of the above-described aerosol deposition apparatus will be described below with reference to FIGS. For points that are not particularly described in the second embodiment, the description in detail regarding the first embodiment is applied as appropriate. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the same component.

図４は、本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置の第２実施形態の帯電板を示す断面図である。 FIG. 4 is a sectional view showing a charging plate of the second embodiment of the aerosol deposition apparatus disclosed in this specification.

本実施形態の装置１０は、帯電板の部分が異なる他は上述した第１実施形態と同様の構成を有する。 The apparatus 10 of this embodiment has the same configuration as that of the first embodiment described above except that the charging plate portion is different.

装置１０は、成膜ノズル１１ａと基板保持部１１ｂ（別名「ＸＹステージ」）との間に、間隔を空けて配置された第１帯電板１４ａと、第２帯電板１４ｂと、第３帯電板１４ｃを備える。 The apparatus 10 includes a first charging plate 14 a, a second charging plate 14 b, and a third charging plate that are spaced apart from each other between a film forming nozzle 11 a and a substrate holding unit 11 b (also called “XY stage”). 14c.

成膜ノズル１１ａ側に配置された第１帯電板１４ａの貫通孔Ｈａの断面積は、第１帯電板１４ａよりも基板保持部１１ｂ側に配置された第２帯電板１４ｂの貫通孔Ｈｂの断面積よりも大きい。 The cross-sectional area of the through hole Ha of the first charging plate 14a arranged on the film forming nozzle 11a side is equal to that of the through hole Hb of the second charging plate 14b arranged on the substrate holding portion 11b side of the first charging plate 14a. Greater than area.

また、第２帯電板１４ｂの貫通孔Ｈｂの断面積は、第２帯電板１４ｂよりも基板保持部１１ｂ側に配置された第３帯電板１４ｃの貫通孔Ｈｃの断面積よりも大きい。 Further, the cross-sectional area of the through hole Hb of the second charging plate 14b is larger than the cross-sectional area of the through hole Hc of the third charging plate 14c disposed on the substrate holding portion 11b side than the second charging plate 14b.

このように、３枚の帯電板の貫通孔の断面積は、成膜ノズル１１ａ側から基板保持部１１ｂ側に向かって減少している。なお、帯電板の数は、２枚以上であれば、３枚でなくても良い。 Thus, the cross-sectional areas of the through holes of the three charging plates decrease from the film forming nozzle 11a side toward the substrate holding portion 11b side. The number of charging plates is not limited to three as long as it is two or more.

エアロゾル状態の材料粒子は、１次粒子が凝集して、粒径の大きな２次粒子となっているものがある。例えば、体積平均粒子径が０．５μｍであっても、数１０μｍ以上の粒径を有する２次粒子が存在する場合がある。このような大きな粒径の材料粒子が膜内に存在すると、膜内に空隙が生じたりして、電気的性質等の膜質に影響を与えるおそれがある。 Some material particles in an aerosol state are secondary particles having a large particle diameter by agglomeration of primary particles. For example, even if the volume average particle diameter is 0.5 μm, secondary particles having a particle diameter of several tens of μm or more may exist. When material particles having such a large particle diameter are present in the film, voids may be generated in the film, which may affect the film quality such as electrical properties.

第１帯電板１４ａの貫通孔Ｈａよりも径の大きな材料粒子又は粒子凝集体が、貫通孔Ｈａに衝突すると、材料粒子又は粒子凝集体は粉砕されて、小さな粒子へ分解されるか、又は、貫通孔を閉塞することになる。従って、貫通孔Ｈａよりも径の大きな材料粒子又は粒子凝集体が、第１帯電板１４ａを通過することが防止される。この働きは、第２帯電板１４ｂの貫通孔Ｈｂ及び第３帯電板１４ｃの貫通孔Ｈｃについても同様である。 When material particles or particle aggregates larger in diameter than the through holes Ha of the first charging plate 14a collide with the through holes Ha, the material particles or particle aggregates are crushed and broken down into small particles, or The through hole is blocked. Accordingly, material particles or particle aggregates having a diameter larger than that of the through hole Ha are prevented from passing through the first charging plate 14a. This function is the same for the through hole Hb of the second charging plate 14b and the through hole Hc of the third charging plate 14c.

従って、貫通孔Ｈｃの径以下の径を有する材料粒子が、第３帯電板１４ｃを通過し、成膜基板２０に衝突し、成膜基板２０に堆積して膜が形成される。 Therefore, material particles having a diameter equal to or smaller than the diameter of the through hole Hc pass through the third charging plate 14c, collide with the film formation substrate 20, and deposit on the film formation substrate 20 to form a film.

このように、本実施形態では、材料粒子を、径の大きな貫通孔から径の小さな貫通孔へ順番に通過させることにより、所定の径以下の粒子を用いて膜を形成することができる。 Thus, in this embodiment, a film can be formed using particles having a predetermined diameter or less by sequentially passing material particles from a through hole having a large diameter to a through hole having a small diameter.

本実施形態の装置１０では、各帯電板の貫通孔は、直線状である。各帯電板の貫通孔は、帯電板を第１面Ｐ１から第２面Ｐ２に向かって直線状に貫通する。ここで、貫通孔の断面積は、貫通孔が帯電板を貫通する方向と直交する向きの面積である。 In the apparatus 10 of this embodiment, the through-hole of each charging plate is linear. The through hole of each charging plate passes through the charging plate linearly from the first surface P1 toward the second surface P2. Here, the cross-sectional area of the through hole is an area in a direction orthogonal to the direction in which the through hole penetrates the charging plate.

直線形状の貫通孔を用いる場合、材料粒子を帯電させる能力が、曲がった形状を有する貫通孔よりも低くなる場合があるので、装置１０では、３つの帯電板を間隔を開けて配置することにより、材料粒子が貫通孔の内壁と衝突して帯電する機会を増やしている。 When linear through holes are used, the ability to charge material particles may be lower than through holes having a bent shape. Therefore, in the apparatus 10, the three charging plates are arranged at intervals. This increases the chance that the material particles will collide with the inner wall of the through hole and become charged.

なお、材料粒子の径が貫通孔の径よりも小さく、貫通孔が閉塞する可能性が低い場合には、上述した第１実施形態と同様に、曲がった形状を有する貫通孔を用いても良い。 In addition, when the diameter of the material particles is smaller than the diameter of the through hole and the possibility that the through hole is blocked is low, a through hole having a bent shape may be used as in the first embodiment described above. .

貫通孔の断面形状は、特に制限されないが、加工が容易である観点からは、例えば、円形又は矩形とすることができる。 The cross-sectional shape of the through hole is not particularly limited, but may be, for example, a circle or a rectangle from the viewpoint of easy processing.

第１帯電板１４ａの厚さＭ４は、材料粒子の帯電を促進すると共に貫通孔の閉塞を防止する観点から、適宜設定され得る。第２帯電板１４ｂ及び第３帯電板１４ｃの厚さについても、同様の観点から決定され得る。 The thickness M4 of the first charging plate 14a can be appropriately set from the viewpoint of promoting charging of the material particles and preventing the through holes from being blocked. The thicknesses of the second charging plate 14b and the third charging plate 14c can also be determined from the same viewpoint.

図５は、上下の帯電板の貫通孔の配置を示す図である。図５に示す例では、貫通孔の断面は、円形としている。 FIG. 5 is a diagram showing the arrangement of the through holes of the upper and lower charging plates. In the example shown in FIG. 5, the cross section of the through hole is circular.

第１帯電板１４ａの貫通孔Ｈａの径Ｎ１は、第２帯電板１４ｂの貫通孔Ｈｂの径Ｎ３よりも大きいことが、分級の効果を高める観点から好ましい。 The diameter N1 of the through hole Ha of the first charging plate 14a is preferably larger than the diameter N3 of the through hole Hb of the second charging plate 14b from the viewpoint of enhancing the classification effect.

図５に示すように、平面視して貫通孔Ｈａ内に貫通孔Ｈｂが位置するように、第１帯電板１４ａを第２帯電板１４ｂに対して配置することが、材料粒子の貫通孔の通過を容易にして成膜速度を高める観点から好ましい。ただし、第１帯電板１４ａと第２帯電板１４ｂとの間の距離Ｎ５（図４参照）を調節して、第１帯電板１４ａの貫通孔Ｈａを通過した材料粒子が、第２帯電板１４ｂの貫通孔Ｈｂに入れるように移動する時間を確保しても良い。 As shown in FIG. 5, it is possible to dispose the first charging plate 14a with respect to the second charging plate 14b so that the through hole Hb is positioned in the through hole Ha in plan view. This is preferable from the viewpoint of facilitating passage and increasing the film formation rate. However, the distance N5 (see FIG. 4) between the first charging plate 14a and the second charging plate 14b is adjusted, and the material particles that have passed through the through hole Ha of the first charging plate 14a become the second charging plate 14b. You may ensure the time which moves so that it may enter into the through-hole Hb.

第１帯電板１４ａの隣接する貫通孔Ｈａ同士の間の距離Ｎ２は、成膜速度又は帯電板の機械的強度等を考慮して適宜決定され得る。例えば、距離Ｎ２は、１０μｍから１０００μｍというようにしても良い。 The distance N2 between the adjacent through holes Ha of the first charging plate 14a can be appropriately determined in consideration of the film forming speed or the mechanical strength of the charging plate. For example, the distance N2 may be 10 μm to 1000 μm.

上述した第１帯電板１４ａと第２帯電板１４ｂとの関係に対する説明は、第２帯電板１４ｂと第３帯電板１４ｃとの関係に対しても適宜適用される。 The above description of the relationship between the first charging plate 14a and the second charging plate 14b is also applied as appropriate to the relationship between the second charging plate 14b and the third charging plate 14c.

上述した本実施形態の装置１０によれば、所定の径以下の粒子を用いて膜を形成できるので、膜質を向上できる。また、上述した第１実施形態と同様の効果が得られる。 According to the apparatus 10 of the present embodiment described above, the film quality can be improved because the film can be formed using particles having a predetermined diameter or less. Further, the same effect as that of the first embodiment described above can be obtained.

以下、本明細書に開示するエアロゾルデポジション装置について、実施例を用いて更に説明する。ただし、本発明の範囲はかかる実施例に制限されるものではない。 Hereinafter, the aerosol deposition apparatus disclosed in the present specification will be further described using examples. However, the scope of the present invention is not limited to such examples.

実施例１
図１に示す装置を用いて、成膜を行った。 Example 1
Film formation was performed using the apparatus shown in FIG.

帯電板１４の形成材料として、酸化アルミニウムを用いた。帯電板１４の厚さは、３ｍｍであった。貫通孔Ｈの螺旋の数は６とした。貫通孔Ｈの直径Ｌ３は、０．２μｍとした。螺旋の外径Ｌ１は１．１ｍｍであり、内径Ｌ２は０．９ｍｍとした。隣接する貫通孔Ｈ同士の間の距離Ｌ４は、５００μｍとした。 Aluminum oxide was used as a material for forming the charging plate 14. The thickness of the charging plate 14 was 3 mm. The number of spirals of the through hole H was six. The diameter L3 of the through hole H was 0.2 μm. The outer diameter L1 of the spiral was 1.1 mm, and the inner diameter L2 was 0.9 mm. The distance L4 between adjacent through holes H was 500 μm.

実施例２
図４に示す装置を用いて、成膜を行った。 Example 2
Film formation was performed using the apparatus shown in FIG.

第１〜３帯電板１４ａ〜１４ｃの形成材料は、酸化アルミニウムであった。第１〜３帯電板１４ａ〜１４ｃの厚さは、２ｍｍとした。帯電板同士の間隔は１ｍｍとした。 The forming material of the first to third charging plates 14a to 14c was aluminum oxide. The thickness of the first to third charging plates 14a to 14c was 2 mm. The interval between the charging plates was 1 mm.

第１〜３帯電板１４ａ〜１４ｃの断面形状は、正方形とした。第１帯電板１４ａの貫通孔Ｈａの正方形の一辺の長さは１ｍｍとした。隣接する貫通孔Ｈａ同士の間の距離は、１ｍｍとした。第２帯電板１４ｂの貫通孔Ｈｂの正方形の一辺の長さは１００μｍとした。隣接する貫通孔Ｈｂ同士の間の距離は、１００μｍとした。第３帯電板１４ｃの貫通孔Ｈｃの正方形の一辺の長さは１０μｍとした。隣接する貫通孔Ｈｃ同士の間の距離は、１０μｍとした。 The cross-sectional shapes of the first to third charging plates 14a to 14c were square. The length of one side of the through hole Ha of the first charging plate 14a was 1 mm. The distance between adjacent through holes Ha was 1 mm. The length of one side of the square of the through hole Hb of the second charging plate 14b was 100 μm. The distance between adjacent through holes Hb was 100 μm. The length of one side of the through hole Hc of the third charging plate 14c was 10 μm. The distance between adjacent through-holes Hc was 10 μm.

その他は、実施例１と同様にして成膜を行い実施例２とした。 Otherwise, film formation was performed in the same manner as in Example 1 to obtain Example 2.

比較例
図１の装置から帯電板及び帯電部を除いた装置を用いた成膜を行い比較例とした。 Comparative Example Film formation was performed using an apparatus in which the charging plate and the charging unit were removed from the apparatus shown in FIG.

図６は、実施例及び比較例の結果を示す図である。 FIG. 6 is a diagram showing the results of Examples and Comparative Examples.

実施例１の成膜速度は、比較例の４倍であり、実施例２の成膜速度は、比較例の４．５倍であった。 The deposition rate of Example 1 was 4 times that of the comparative example, and the deposition rate of Example 2 was 4.5 times that of the comparative example.

また、実施例１の歩留まりは、比較例の３．５倍であり、実施例２の成膜速度は、比較例の４倍であった。 The yield of Example 1 was 3.5 times that of the comparative example, and the film formation rate of Example 2 was 4 times that of the comparative example.

ここで、歩留まりは、以下のようにして求めた。 Here, the yield was obtained as follows.

歩留まりは、成膜前の（基板保持部＋成膜基板の質量：ｘ）と成膜後の（基板保持部＋成膜基板の質量：ｙ）との差（ｙ−ｘ）と、成膜室の内壁に付着した材料粒子の質量ｚとの比（ｙ−ｘ）／ｚを百分率で示した。 The yield is the difference (y−x) between (substrate holding part + film formation substrate mass: x) before film formation and (substrate holding part + film formation substrate mass: y) after film formation. The ratio (yx) / z to the mass z of the material particles adhering to the inner wall of the chamber was shown as a percentage.

本発明では、上述した実施形態のエアロゾルデポジション装置及びエアロゾルデポジション法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。また、一の実施形態が有する構成要件は、他の実施形態にも適宜適用することができる。 In the present invention, the aerosol deposition apparatus and the aerosol deposition method of the above-described embodiment can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. In addition, the configuration requirements of one embodiment can be applied to other embodiments as appropriate.

ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、読者が、発明者によって寄与された発明及び概念を技術を深めて理解することを助けるための教育的な目的を意図する。ここで述べられた全ての例及び条件付きの言葉は、そのような具体的に述べられた例及び条件に限定されることなく解釈されるべきである。また、明細書のそのような例示の機構は、本発明の優越性及び劣等性を示すこととは関係しない。本発明の実施形態は詳細に説明されているが、その様々な変更、置き換え又は修正が本発明の精神及び範囲を逸脱しない限り行われ得ることが理解されるべきである。 All examples and conditional words mentioned herein are intended for educational purposes to help the reader deepen and understand the inventions and concepts contributed by the inventor. All examples and conditional words mentioned herein are to be construed without limitation to such specifically stated examples and conditions. Also, such exemplary mechanisms in the specification are not related to showing the superiority and inferiority of the present invention. While embodiments of the present invention have been described in detail, it should be understood that various changes, substitutions or modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention.

１０エアロゾルデポジション装置
１１成膜室
１１ａ成膜ノズル
１１ｂ基板保持部（別名「ＸＹステージ」）
１１ｃ支柱
１１ｄ連結部
１２エアロゾル発生部
１２ａ超音波振動部
１３キャリアガス供給部
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ帯電板
Ｐ１第１面
Ｐ２第２面
Ｈ、Ｈａ、Ｈｂ、Ｈｃ貫通孔
１５駆動部
１６電荷発生部
１７流量計
１８減圧部
１８ａ真空ポンプ
１８ｂメカニカルブースター
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ配管
２０成膜基板
Ｍ材料粒子
Ｚエアロゾル DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Aerosol deposition apparatus 11 Deposition chamber 11a Deposition nozzle 11b Substrate holding | maintenance part (alias "XY stage")
11c Strut 11d Connecting part 12 Aerosol generating part 12a Ultrasonic vibration part 13 Carrier gas supply part 14, 14a, 14b, 14c Charge plate P1 First surface P2 Second surface H, Ha, Hb, Hc Generation unit 17 Flow meter 18 Decompression unit 18a Vacuum pump 18b Mechanical booster 19a, 19b, 19c Piping 20 Film forming substrate M Material particles Z Aerosol

Claims

成膜基板を保持する基板保持部及び成膜ノズルを有する成膜室と、
前記成膜ノズルにエアロゾル状態の材料粒子を供給するエアロゾル発生部と、
前記エアロゾル発生部にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、
前記成膜ノズル側に向いた第１面と、前記基板保持部側に向いた第２面と、前記第１面から前記第２面に向かって貫通する貫通孔を有し、前記成膜ノズルと前記基板保持部との間に配置される電気絶縁性の帯電板と、
前記貫通孔が前記帯電板を貫通する方向と交差する向きに、前記帯電板を移動させる駆動部と、
を備えるエアロゾルデポジション装置。 A film forming chamber having a substrate holding unit and a film forming nozzle for holding the film forming substrate;
An aerosol generator for supplying material particles in an aerosol state to the film formation nozzle;
A carrier gas supply unit for supplying a carrier gas to the aerosol generating unit;
A first surface facing the film forming nozzle; a second surface facing the substrate holding portion; and a through-hole penetrating from the first surface toward the second surface. And an electrically insulative charging plate disposed between the substrate holding part and
A drive unit that moves the charging plate in a direction that intersects the direction in which the through hole penetrates the charging plate ;
An aerosol deposition apparatus comprising:

前記貫通孔は、曲がっている請求項１に記載のエアロゾルデポジション装置。 The through holes, aerosol deposition apparatus according to claim 1 which is bent.

前記貫通孔は、螺旋形状を有する請求項２に記載のエアロゾルデポジション装置。 The aerosol deposition apparatus according to claim 2 , wherein the through hole has a spiral shape.

間隔を空けて配置された複数の前記帯電板を備える請求項１に記載のエアロゾルデポジション装置。 The aerosol deposition apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of the charging plates arranged at intervals.

前記成膜ノズル側に配置された一の前記帯電板の前記貫通孔の断面積は、前記基板保持部側に配置された他の前記帯電板の前記貫通孔の断面積よりも大きい請求項４に記載のエアロゾルデポジション装置。 Sectional area of the through-hole of one of the charge plate arranged on the film-forming nozzle side, wherein greater than the cross-sectional area of the through-hole claims other of the charge plate arranged on the substrate holding portion 4 The aerosol deposition apparatus described in 1.

前記成膜基板を帯電させる電荷発生部を備え、
前記電荷発生部は、前記帯電板の前記貫通孔を通過した材料粒子が帯電する極性とは反対の極性に、前記成膜基板を帯電させる請求項１〜５の何れか一項に記載のエアロゾルデポジション装置。 A charge generation unit for charging the film formation substrate;
The charge generating section, the opposite polarity to the polarity which the passes through the through hole material particles of the charge plate is charged aerosol according to any one of claim 1 to 5 for charging the deposition substrate Deposition device.

成膜ノズルから、エアロゾル状態の材料粒子を噴射する第１工程と、
噴射した材料粒子を、成膜ノズル側の第１面から前記第１面とは反対側の第２面に向かって貫通する貫通孔を有する電気絶縁性の帯電板の貫通孔を通過させて、材料粒子を帯電させる第２工程であって、前記貫通孔が前記帯電板を貫通する方向と交差する向きに、前記帯電板を移動させながら材料粒子を帯電させる第２工程と、
帯電した材料粒子を、成膜基板上に堆積させて成膜する第３工程と、
を備えるエアロゾルデポジション方法。 A first step of injecting aerosol state material particles from a film forming nozzle;
The ejected material particles are passed through the through hole of the electrically insulating charging plate having a through hole penetrating from the first surface on the film forming nozzle side toward the second surface opposite to the first surface, A second step of charging the material particles, the second step of charging the material particles while moving the charging plate in a direction intersecting the direction in which the through hole penetrates the charging plate ;
A third step of depositing charged material particles on a deposition substrate to form a film;
An aerosol deposition method comprising: