JP6093492B1 - 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 - Google Patents
試料支持体、及び試料支持体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6093492B1 JP6093492B1 JP2016574482A JP2016574482A JP6093492B1 JP 6093492 B1 JP6093492 B1 JP 6093492B1 JP 2016574482 A JP2016574482 A JP 2016574482A JP 2016574482 A JP2016574482 A JP 2016574482A JP 6093492 B1 JP6093492 B1 JP 6093492B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- substrate
- sample support
- hole
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 183
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 18
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 17
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 7
- 238000001698 laser desorption ionisation Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000003795 desorption Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 377
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 230000009471 action Effects 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 9
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001269 time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 238000001871 ion mobility spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
- G01N27/64—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode using wave or particle radiation to ionise a gas, e.g. in an ionisation chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/04—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
- H01J49/0409—Sample holders or containers
- H01J49/0418—Sample holders or containers for laser desorption, e.g. matrix-assisted laser desorption/ionisation [MALDI] plates or surface enhanced laser desorption/ionisation [SELDI] plates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/0004—Imaging particle spectrometry
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L2300/00—Additional constructional details
- B01L2300/08—Geometry, shape and general structure
- B01L2300/0809—Geometry, shape and general structure rectangular shaped
- B01L2300/0819—Microarrays; Biochips
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
- B01L3/50—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes
- B01L3/502—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures
- B01L3/5027—Containers for the purpose of retaining a material to be analysed, e.g. test tubes with fluid transport, e.g. in multi-compartment structures by integrated microfluidic structures, i.e. dimensions of channels and chambers are such that surface tension forces are important, e.g. lab-on-a-chip
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
Description
図15に示すように、第1の変形例に係る試料支持体2Aは、基板21に枠体22が設けられておらず、基板21の一面21aに粘着テープTが直接貼り付けられている点で、試料支持体2と主に相違する。粘着テープTは、粘着面Taが基板21の一面21aに対向し、且つ、基板21の外縁よりも外側に延在する部分を有するように、一面21aの外縁部に貼り付けられている。これにより、図15に示すように、粘着面Taを基板21の外縁及び試料台1の載置面1aに貼り付けることができる。その結果、試料支持体2Aは、粘着テープTによって試料台1に対して固定される。試料支持体2Aによれば、例えば表面に凹凸を有する試料10の質量分析を行う場合等において、試料10に対する基板21の追従性を向上させることができる。
図16に示すように、第2の変形例に係る試料支持体2Bは、基板21の外縁よりも外側に延在する部分を有する枠体122を備える点で、試料支持体2と主に相違する。このような枠体122により、試料支持体2Bを持ち運ぶ際等において、基板21の端部の破損を適切に抑制することができる。さらに、図16に示すように、枠体122において基板21の外縁よりも外側に延在する部分には、ネジ30を挿通させるための挿通孔122aが設けられている。この場合、例えば挿通孔122aに対応する位置にネジ孔1bを有する試料台1Aを用いることで、ネジ留めによって試料支持体2Bを試料台1Aに確実に固定することができる。具体的には、挿通孔122a及びネジ孔1bにネジ30を挿通させることで、試料支持体2Bを試料台1Aに固定することができる。
図17に示すように、第3の変形例に係る試料支持体2Cは、基板21の他面21bの外縁部に設けられ、一面21aから他面21bに向かう方向を向く粘着面24aを有する粘着層24を備える点で、試料支持体2と主に相違する。粘着層24は、例えば測定対象の試料10の厚みに応じて予め設定された厚さを有する両面テープ等である。例えば、粘着層24の一方の粘着面24bは、予め基板21の他面21bの外縁部に貼り付けられており、粘着層24の他方の粘着面24aは、試料支持体2Cを試料台1に固定する際に、載置面1aに貼り付けられる。試料支持体2Cによれば、試料支持体2Cを試料台1に固定する構成を単純化することができる。
Claims (14)
- 表面支援レーザ脱離イオン化法用の試料支持体であって、
一面から他面にかけて貫通する複数の貫通孔が設けられた基板と、
導電性材料からなり、少なくとも前記一面において前記貫通孔が設けられていない部分を覆う導電層と、を備え、
前記貫通孔の幅は1〜700nmであり、
前記基板の厚さは1〜50μmである、試料支持体。 - 前記基板の外縁部に取り付けられた枠体を更に備える、
請求項1に記載の試料支持体。 - 前記導電層は、少なくとも前記一面において前記貫通孔が設けられていない部分及び前記枠体の表面を覆っている、
請求項2に記載の試料支持体。 - 前記枠体は、前記基板の外縁よりも外側に延在する部分を有し、
前記外側に延在する部分には、ネジを挿通させるための挿通孔が設けられている、
請求項2又は3に記載の試料支持体。 - 前記基板の前記他面の外縁部に設けられ、前記一面から前記他面に向かう方向を向く粘着面を有する粘着層を更に備える、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 粘着面を有し、前記粘着面が前記基板の前記一面に対向するように前記一面の外縁部に貼り付けられた粘着テープを更に備え、
前記粘着テープは、前記基板の外縁よりも外側に延在する部分を有する、
請求項1に記載の試料支持体。 - 前記基板はバルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより形成されている、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 前記導電層は、X線回折測定において、前記導電性材料の結晶の回折ピークを示す、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 表面支援レーザ脱離イオン化法用の試料支持体であって、
導電性材料からなり、一面から他面にかけて貫通する複数の貫通孔が設けられた基板を備え、
前記貫通孔の幅は1〜700nmであり、
前記基板の厚さは1〜50μmである、試料支持体。 - 前記基板の厚さは5〜10μmである、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の試料支持体。 - 表面支援レーザ脱離イオン化法用の試料支持体の製造方法であって、
バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより、一面から他面にかけて貫通する複数の貫通孔が設けられた基板を得る第1工程と、
少なくとも前記一面において前記貫通孔が設けられていない部分を覆うように、導電性材料からなる導電層を設ける第2工程と、を含み、
前記貫通孔の幅は1〜700nmであり、
前記基板の厚さは1〜50μmである、試料支持体の製造方法。 - 前記第2工程の後に、前記基板及び前記導電層を備える前記試料支持体を焼成する焼成工程を更に含む、
請求項11に記載の試料支持体の製造方法。 - 表面支援レーザ脱離イオン化法用の試料支持体の製造方法であって、
バルブ金属又はシリコンを陽極酸化することにより、一面から他面にかけて貫通する複数の貫通孔が設けられた基板を得る第1工程と、
前記第1工程で得られた前記基板の外縁部に枠体を取り付ける第2工程と、
少なくとも前記一面において前記貫通孔が設けられていない部分及び前記枠体の表面を覆うように、導電性材料からなる導電層を設ける第3工程と、を含み、
前記貫通孔の幅は1〜700nmであり、
前記基板の厚さは1〜50μmである、試料支持体の製造方法。 - 前記第3工程の後に、前記基板、前記枠体、及び前記導電層を備える前記試料支持体を焼成する焼成工程を更に含む、
請求項13に記載の試料支持体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015173588 | 2015-09-03 | ||
JP2015173588 | 2015-09-03 | ||
PCT/JP2016/075050 WO2017038710A1 (ja) | 2015-09-03 | 2016-08-26 | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6093492B1 true JP6093492B1 (ja) | 2017-03-08 |
JPWO2017038710A1 JPWO2017038710A1 (ja) | 2017-08-31 |
Family
ID=58188088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016574482A Active JP6093492B1 (ja) | 2015-09-03 | 2016-08-26 | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10103016B2 (ja) |
EP (1) | EP3214437B1 (ja) |
JP (1) | JP6093492B1 (ja) |
CN (2) | CN106796198B (ja) |
WO (1) | WO2017038710A1 (ja) |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019155741A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2019155740A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
WO2019155836A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2019155967A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | イオン化方法及び試料支持体 |
WO2019155803A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体及び試料支持体の製造方法 |
WO2019155834A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2019155835A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2019155759A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
JP2020020587A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
WO2020031729A1 (ja) | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
WO2020188917A1 (ja) | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法、及び質量分析方法 |
WO2020188916A1 (ja) | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法、及び質量分析方法 |
WO2020202729A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2021005849A1 (ja) | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、アダプタ、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2021157169A1 (ja) | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体及び試料支持体の製造方法 |
WO2021176856A1 (ja) | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2021176857A1 (ja) | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2021220835A1 (ja) | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2022038843A1 (ja) | 2020-08-19 | 2022-02-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2022130764A1 (ja) | 2020-12-14 | 2022-06-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
US11442039B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support body, production method for sample support body, and sample ionization method |
WO2023053624A1 (ja) | 2021-10-01 | 2023-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 支持ユニット、支持体及びイオン化方法 |
WO2023157392A1 (ja) | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106796198B (zh) * | 2015-09-03 | 2020-06-30 | 浜松光子学株式会社 | 试样支撑体和试样支撑体的制造方法 |
WO2017038709A1 (ja) | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 表面支援レーザ脱離イオン化法、質量分析方法、及び質量分析装置 |
GB201705981D0 (en) * | 2017-04-13 | 2017-05-31 | Micromass Ltd | MALDI target plate |
JP6908428B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-07-28 | 株式会社豊田中央研究所 | レーザー脱離イオン化質量分析法及びレーザー脱離イオン化質量分析用の有機シリカ多孔膜基板 |
WO2019058857A1 (ja) | 2017-09-21 | 2019-03-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2019058784A1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ脱離イオン化法及び質量分析方法 |
JP7007845B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2022-01-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ脱離イオン化法、質量分析方法、試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
EP3686917A4 (en) * | 2017-09-21 | 2021-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | MASS SPECTROMETERS AND MASS SPECTROMETRY METHODS |
US11355333B2 (en) | 2017-09-21 | 2022-06-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support body |
JP6535150B1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-06-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2019058768A1 (ja) | 2017-09-21 | 2019-03-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ脱離イオン化法及び質量分析方法 |
EP3719489A4 (en) * | 2017-11-28 | 2021-08-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | LASER DESORPTION-IONIZATION PROCESS, MASS SPECTROMETRY PROCESS, SAMPLE HOLDER BODY AND SAMPLE HOLD BODY MANUFACTURING PROCESS |
JP6743224B1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-08-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料支持体の製造方法、イオン化法及び質量分析方法 |
JP7227822B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-02-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | イオン化法及び質量分析方法 |
JP2023092872A (ja) * | 2021-12-22 | 2023-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体ユニット、及び試料のイオン化方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6288390B1 (en) * | 1999-03-09 | 2001-09-11 | Scripps Research Institute | Desorption/ionization of analytes from porous light-absorbing semiconductor |
JP2004500481A (ja) * | 1999-06-03 | 2004-01-08 | ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション | 堆積薄膜ボイド・柱状体網目構造物 |
JP2008061648A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細流動システムの制御装置と微細流動システムの制御方法、及び微細流動システム |
JP2009504161A (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | バイオトローブ インコーポレイティッド | アッセイ、合成及び保管のための装置、並びにその製造法、使用法及び操作法 |
JP2010071727A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 質量分析用デバイス及びそれを用いた質量分析装置、質量分析方法 |
JP2010175338A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
JP5129628B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-01-30 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
JP2014153183A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Nitto Denko Corp | 表面支援レーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置用イオン化支援部材 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071610A (en) * | 1993-11-12 | 2000-06-06 | Waters Investments Limited | Enhanced resolution matrix-laser desorption and ionization TOF-MS sample surface |
US5580434A (en) * | 1996-02-29 | 1996-12-03 | Hewlett-Packard Company | Interface apparatus for capillary electrophoresis to a matrix-assisted-laser-desorption-ionization mass spectrometer |
DE19617011C2 (de) * | 1996-04-27 | 2000-11-02 | Bruker Daltonik Gmbh | Matrixkomponentengemisch für die matrixunterstützte Laserdesorption und Ionisierung sowie Verfahren zur Zubereitung eines Matrixkomponentengemisches |
WO1998009005A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of manufacturing porous anodized alumina film |
US7285422B1 (en) * | 1997-01-23 | 2007-10-23 | Sequenom, Inc. | Systems and methods for preparing and analyzing low volume analyte array elements |
US6399177B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-06-04 | The Penn State Research Foundation | Deposited thin film void-column network materials |
WO2001046695A1 (en) * | 1999-12-08 | 2001-06-28 | Glaxo Group Limited | Novel supports for solid phase synthesis |
US20020151040A1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-10-17 | Matthew O' Keefe | Apparatus and methods for parallel processing of microvolume liquid reactions |
WO2001061054A2 (en) | 2000-02-18 | 2001-08-23 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Apparatus and methods for parallel processing of micro-volume liquid reactions |
US20100261159A1 (en) | 2000-10-10 | 2010-10-14 | Robert Hess | Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof |
US20040096914A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | Ye Fang | Substrates with stable surface chemistry for biological membrane arrays and methods for fabricating thereof |
JP3915677B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-05-16 | 日本電気株式会社 | 質量分析用チップおよびこれを用いたレーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置、質量分析システム |
CA2467131C (en) * | 2003-05-13 | 2013-12-10 | Becton, Dickinson & Company | Method and apparatus for processing biological and chemical samples |
CA2541536A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Protein Discovery, Inc. | Methods and devices for concentration and purification of analytes for chemical analysis including matrix-assisted laser desorption/ionization (maldi) mass spectrometry (ms) |
US7030373B2 (en) | 2003-12-19 | 2006-04-18 | Applera Corporation | MALDI plate construction with grid |
US20090314936A1 (en) * | 2004-02-26 | 2009-12-24 | Yoshinao Okuno | Sample target having sample support surface whose face is treated, production method thereof, and mass spectrometer using the sample target |
EP1756568A1 (en) * | 2004-04-05 | 2007-02-28 | Proteome Systems Intellectual Property Pty Ltd. | Improved diagnostic testing apparatus |
US7619215B2 (en) * | 2005-02-07 | 2009-11-17 | Yangsun Kim | Sample plate for MALDI mass spectrometry and process for manufacture of the same |
US8066961B2 (en) * | 2005-07-20 | 2011-11-29 | Corning Incorporated | Kinematic wellplate mounting method |
WO2007046162A1 (ja) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Japan Science And Technology Agency | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
JP2007192673A (ja) | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Shimadzu Corp | サンプルプレート |
JP4714052B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2011-06-29 | 大日本印刷株式会社 | 水素精製フィルタおよびその製造方法 |
EP2022076A2 (en) * | 2006-05-02 | 2009-02-11 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Masks useful for maldi imaging of tissue sections, processes of manufacture and uses thereof |
JP5147307B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2013-02-20 | キヤノン株式会社 | 質量分析用基板及び質量分析用基板の製造方法 |
EP1879214B1 (en) | 2006-07-11 | 2011-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for mass spectrometry, and method for manufacturing substrate for mass spectrometry |
JP4920342B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | シリコン素子の製造方法 |
JP4861788B2 (ja) | 2006-10-11 | 2012-01-25 | キヤノン株式会社 | 生体標本の処理方法及び解析方法 |
US7695978B2 (en) | 2007-01-31 | 2010-04-13 | Burle Technologies, Inc. | MALDI target plate utilizing micro-wells |
US20090071834A1 (en) * | 2007-06-08 | 2009-03-19 | Protein Discovery, Inc. | Methods and Devices for Concentration and Fractionation of Analytes for Chemical Analysis Including Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization (MALDI) Mass Spectrometry (MS) |
WO2009069816A1 (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | University Of Yamanashi | イオン化方法ならびにイオン化方法を利用した質量分析方法および装置 |
US20090305907A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | James Russell Webster | Method for Creating Distinct Nitrocellulose-based Pads on a Substrate |
EP2318832B1 (en) * | 2008-07-15 | 2013-10-09 | Academia Sinica | Glycan arrays on ptfe-like aluminum coated glass slides and related methods |
US9490113B2 (en) * | 2009-04-07 | 2016-11-08 | The George Washington University | Tailored nanopost arrays (NAPA) for laser desorption ionization in mass spectrometry |
JP5406621B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-02-05 | 勝 堀 | レーザー脱離イオン化質量分析用試料基板、これを用いたレーザー脱離イオン化質量分析方法及び装置 |
CN201477094U (zh) * | 2009-09-08 | 2010-05-19 | 上海铭源数康生物芯片有限公司 | 一种微孔板 |
US8329009B2 (en) * | 2010-04-09 | 2012-12-11 | Molecular Devices, Llc | High throughput screening of ion channels |
WO2012054039A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Article with controlled wettability |
US20130034690A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Agency For Science, Technology And Research | Substrate |
CN202443016U (zh) * | 2011-12-29 | 2012-09-19 | 北京沙屏研科技有限公司 | 一种通用酶联免疫测试板 |
JP2014021048A (ja) | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Jeol Ltd | サンプルプレートおよび質量分析装置 |
CN203816299U (zh) * | 2014-04-15 | 2014-09-10 | 天津市亚东化工有限公司 | 染料稀释加料用过滤筛 |
US9460921B2 (en) * | 2015-04-06 | 2016-10-04 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce | Nanowire article and processes for making and using same |
CN106796198B (zh) * | 2015-09-03 | 2020-06-30 | 浜松光子学株式会社 | 试样支撑体和试样支撑体的制造方法 |
-
2016
- 2016-08-26 CN CN201680002978.9A patent/CN106796198B/zh active Active
- 2016-08-26 EP EP16841742.6A patent/EP3214437B1/en active Active
- 2016-08-26 WO PCT/JP2016/075050 patent/WO2017038710A1/ja active Application Filing
- 2016-08-26 US US15/540,579 patent/US10103016B2/en active Active
- 2016-08-26 CN CN202010487370.8A patent/CN111551627A/zh active Pending
- 2016-08-26 JP JP2016574482A patent/JP6093492B1/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6288390B1 (en) * | 1999-03-09 | 2001-09-11 | Scripps Research Institute | Desorption/ionization of analytes from porous light-absorbing semiconductor |
JP2004500481A (ja) * | 1999-06-03 | 2004-01-08 | ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション | 堆積薄膜ボイド・柱状体網目構造物 |
JP2009504161A (ja) * | 2005-08-11 | 2009-02-05 | バイオトローブ インコーポレイティッド | アッセイ、合成及び保管のための装置、並びにその製造法、使用法及び操作法 |
JP2008061648A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細流動システムの制御装置と微細流動システムの制御方法、及び微細流動システム |
JP5129628B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-01-30 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
JP2010071727A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 質量分析用デバイス及びそれを用いた質量分析装置、質量分析方法 |
JP2010175338A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
JP2014153183A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Nitto Denko Corp | 表面支援レーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置用イオン化支援部材 |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11442039B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support body, production method for sample support body, and sample ionization method |
US11948787B2 (en) | 2018-02-09 | 2024-04-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, and manufacturing method of sample support |
WO2019155836A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2019155967A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | イオン化方法及び試料支持体 |
WO2019155803A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体及び試料支持体の製造方法 |
WO2019155834A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
JPWO2019155835A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2021-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2019155759A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
US11735406B2 (en) | 2018-02-09 | 2023-08-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support |
JPWO2019155834A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2021-03-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
US11404256B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-08-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, ionization method, and mass spectrometry method |
JP7181901B2 (ja) | 2018-02-09 | 2022-12-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2019155741A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
US11251032B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-02-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support |
US11189476B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-11-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, ionization method, and mass spectrometry method |
WO2019155740A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
WO2019155835A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
JPWO2019155836A1 (ja) * | 2018-02-09 | 2021-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
US11189474B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-11-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, ionization method, and mass spectrometry method |
US11393667B2 (en) | 2018-02-09 | 2022-07-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support body and production method for sample support body |
JP7186186B2 (ja) | 2018-02-09 | 2022-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
JP7186187B2 (ja) | 2018-02-09 | 2022-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
JP7051632B2 (ja) | 2018-07-30 | 2022-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
US11521843B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-12-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, sample ionization method, and mass spectrometry method |
US11935733B2 (en) | 2018-07-30 | 2024-03-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, sample ionization method, and mass spectrometry method |
WO2020026629A1 (ja) | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
JP2020020587A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
US11694883B2 (en) | 2018-08-06 | 2023-07-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, sample ionization method, and mass spectrometry method |
CN112534253A (zh) * | 2018-08-06 | 2021-03-19 | 浜松光子学株式会社 | 试样支承体、试样的离子化方法及质谱分析方法 |
US11348772B2 (en) | 2018-08-06 | 2022-05-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Sample support, sample ionization method, and mass spectrometry method |
WO2020031729A1 (ja) | 2018-08-06 | 2020-02-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、試料のイオン化方法、及び質量分析方法 |
EP3835776A4 (en) * | 2018-08-06 | 2022-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | SAMPLE HOLDER, SAMPLE IONIZATION METHOD AND MASS SPECTROMETRY METHOD |
WO2020188916A1 (ja) | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法、及び質量分析方法 |
WO2020188917A1 (ja) | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法、及び質量分析方法 |
WO2020202729A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2021005849A1 (ja) | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、アダプタ、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2021157169A1 (ja) | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体及び試料支持体の製造方法 |
EP4102219A4 (en) * | 2020-02-04 | 2024-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | SAMPLE CARRIER AND METHOD FOR PRODUCING A SAMPLE CARRIER |
JP2021139806A (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2021176856A1 (ja) | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2021176857A1 (ja) | 2020-03-06 | 2021-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
JP2021139807A (ja) * | 2020-03-06 | 2021-09-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2021220835A1 (ja) | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化方法及び質量分析方法 |
WO2022038843A1 (ja) | 2020-08-19 | 2022-02-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
JP7471174B2 (ja) | 2020-08-19 | 2024-04-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体 |
WO2022130764A1 (ja) | 2020-12-14 | 2022-06-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 |
WO2023053624A1 (ja) | 2021-10-01 | 2023-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 支持ユニット、支持体及びイオン化方法 |
WO2023157392A1 (ja) | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170358436A1 (en) | 2017-12-14 |
CN106796198A (zh) | 2017-05-31 |
JPWO2017038710A1 (ja) | 2017-08-31 |
EP3214437A1 (en) | 2017-09-06 |
WO2017038710A1 (ja) | 2017-03-09 |
US10103016B2 (en) | 2018-10-16 |
CN106796198B (zh) | 2020-06-30 |
EP3214437B1 (en) | 2020-02-26 |
EP3214437A4 (en) | 2018-07-04 |
CN111551627A (zh) | 2020-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6093492B1 (ja) | 試料支持体、及び試料支持体の製造方法 | |
JP6463394B2 (ja) | 質量分析装置 | |
WO2018163956A1 (ja) | 質量分析装置及び質量分析方法 | |
JPWO2019155834A1 (ja) | 試料支持体、イオン化法及び質量分析方法 | |
JP7041685B2 (ja) | レーザ脱離イオン化法及び質量分析方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161221 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161221 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20161221 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6093492 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |