JP6087046B2 - 薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 - Google Patents
薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6087046B2 JP6087046B2 JP2011044551A JP2011044551A JP6087046B2 JP 6087046 B2 JP6087046 B2 JP 6087046B2 JP 2011044551 A JP2011044551 A JP 2011044551A JP 2011044551 A JP2011044551 A JP 2011044551A JP 6087046 B2 JP6087046 B2 JP 6087046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- transfer
- thin film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 178
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 147
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 125
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 35
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 2
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0147—Carriers and holders
- H05K2203/0156—Temporary polymeric carrier or foil, e.g. for processing or transferring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0264—Peeling insulating layer, e.g. foil, or separating mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
(1)均一かつ低ダメージで、転写基板40へMIM構造を有する薄膜素子(薄膜キャパシタ30)を転写することができる。
(2)非耐熱性基板である転写基板40上に、高温プロセスを用いることなく、高容量な薄膜キャパシタ30を転写することができるため、回路の小型化,低背化を図ることができる。
(3)支持基板12上に形成された素子の特性を保持したまま、非耐熱性基板である転写基板40上へMIM膜26を転写できる。
(4)MIM膜26を剥離した後の支持基板12の再利用が可能となるため、省資源化及び低コスト化につながる。
(1)前記実施例で示した形状,寸法は一例であり、必要に応じて適宜変更してよい。
(2)前記実施例で示した材質も一例であり、同様の効果を奏する範囲内であれば、適宜変更可能である。例えば、前記実施例では、密着層46としてFeSiを用いたが、AuSiやAlSiなどのように、基板の性質に応じて使用する金属を変更してよい。
(3)前記実施例3で示したビアホール接続も一例であり、公知の各種の接続方法を適用してよい。
(4)前記実施例1では、真空中で基板同士の接合を行うこととしたが、真空度は使用材料によって変更してよく、大気中での接合も可能である。
(5)前記実施例では、転写基板40上にSi膜42を形成することとしたが、Si膜42は、転写基板40や転写するMIM膜26の材料によって、必要に応じて設ければよい。
(6)前記実施例では、MIM構造を有するMIMキャパシタを例に挙げて説明したが、本発明は、MIM構造を有する他の公知の各種の薄膜素子の転写技術全般に適用可能である。
12:支持基板
14:絶縁層(SiO2膜)
15:TiOx層
16,20,24:電極層(Pt膜)
18:層間絶縁層(BST膜)
22:誘電体層(Mn−BST膜)
26:MIM膜
28:絶縁層(SiN膜)
30:MIMキャパシタ
40:転写基板
42:Si膜
46,46A,46B:密着層
48:保護膜
50:回路基板
52:層間絶縁層(SiOF膜)
60:回路基板
62:パッシベーション膜(SiN膜)
64:ビアホール
66:導体
Claims (8)
- MIM構造を有する薄膜素子を、支持基板側から転写基板側に転写する薄膜素子の転写方法であって、
支持基板上に層間絶縁層を介して形成されたMIM構造膜の表面に、絶縁膜を形成する工程と、
前記支持基板側の前記絶縁膜の表面と、前記転写基板側の表面の少なくとも一方の表面に、金属とSiからなる密着層を、10−6〜10−7Paオーダーの超高真空中で形成する工程と、
前記支持基板の前記MIM構造膜が形成された側の表面と、前記転写基板側の表面を、前記密着層を挟むように接触させ、荷重を掛けて接合する工程と、
前記支持基板と転写基板を離し、支持基板側から転写基板側へ前記MIM構造膜を転写する工程と、
を含んでおり、
前記密着層による密着力をFAとし、前記支持基板上の前記層間絶縁層と前記MIM構造膜との界面の密着力をFBとしたときに、前記密着層を形成するイオンビームの照射条件を変更して金属の量を増やすことで、前記FAを増大してFA>FBとすることで、前記剥離・転写を可能としたことを特徴とする薄膜素子の転写方法。 - 前記転写基板側にも密着層を形成する場合には、前記転写基板上にSi膜を形成した後に、該Si膜上に前記密着層を形成することを特徴とする請求項1記載の薄膜素子の転写方法。
- 前記支持基板が耐熱性基板であり、
前記転写基板が非耐熱性基板であるとともに、
前記MIM構造膜が、高誘電率の誘電体薄膜を上部電極と下部電極で挟んだ構造であることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜素子の転写方法。 - 前記支持基板上の前記層間絶縁層がBST膜であり、
水素プラズマ処理もしくは水素インプランテーション処理を行うことで、前記BST膜と前記MIM構造膜との密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。 - 前記支持基板上に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層の表面をフッ素プラズマ処理して低誘電率の層間絶縁層を形成し、その上に前記MIM構造膜を形成することで、前記層間絶縁層と前記MIM構造膜との界面の密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。
- 前記MIM構造膜と前記層間絶縁層の界面に、機械的な剥離起点を形成することで、前記層間絶縁層と前記MIM構造膜の密着力FBを低下させる工程を含むことを特徴とする請求項5記載の薄膜素子の転写方法。
- 前記MIM構造膜の形成後かつ前記絶縁膜の形成前,あるいは、前記MIM構造膜の転写基板側への転写後に、前記MIM構造膜を加工してMIMキャパシタ構造を形成する工程,
を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の薄膜素子の転写方法。 - 転写基板上に、請求項1〜7のいずれかの方法によって、前記密着層を介して薄膜素子を転写する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011044551A JP6087046B2 (ja) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | 薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 |
US13/416,780 US8853544B2 (en) | 2011-03-01 | 2012-03-09 | Method of transferring thin film components and circuit board having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011044551A JP6087046B2 (ja) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | 薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182331A JP2012182331A (ja) | 2012-09-20 |
JP6087046B2 true JP6087046B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=46794496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011044551A Active JP6087046B2 (ja) | 2011-03-01 | 2011-03-01 | 薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8853544B2 (ja) |
JP (1) | JP6087046B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8730647B2 (en) * | 2008-02-07 | 2014-05-20 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board with capacitor |
CN117066793A (zh) * | 2023-09-18 | 2023-11-17 | 扬州日精电子有限公司 | 一种可翻转调节的薄膜电容器生产用焊接装置及其使用方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0262446B1 (en) * | 1986-09-04 | 1993-07-21 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Photosensitive amphiphilic high polymers and process for their production |
JP3129175B2 (ja) | 1995-11-27 | 2001-01-29 | 三菱マテリアル株式会社 | (Ba,Sr)TiO3薄膜コンデンサの製造方法 |
JP2002171009A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Canon Inc | 膜の転写方法 |
JP2002305334A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Canon Inc | 機能性薄膜の転写方法 |
JP2003045874A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 金属配線およびその作製方法、並びに金属配線基板およびその作製方法 |
US7014725B2 (en) * | 2001-10-25 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component manufacturing method including a sintered adhesive layer with a resin and inorganic powder |
JP2003162231A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Sony Corp | 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法 |
JP2003258210A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-09-12 | Canon Inc | 表示装置及びその製造方法 |
JP2003345267A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-03 | Canon Inc | 表示装置及びその製造方法 |
JP4671600B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7230316B2 (en) * | 2002-12-27 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having transferred integrated circuit |
US6777309B1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-17 | Gem Line Technology Co., Ltd. | Method for fabricating thin film transistor display device |
JP3848989B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2006-11-22 | 唯知 須賀 | 基板接合方法および基板接合装置 |
JP2004111400A (ja) | 2003-10-07 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 薄膜誘電体とそれを用いた多層配線板とその製造方法 |
JP2006162231A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Max Co Ltd | 脱衣所空調機 |
WO2007043972A1 (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-19 | Agency For Science, Technology And Research | Device carrying an integrated circuit/components and method of producing the same |
JP5024812B2 (ja) | 2006-06-20 | 2012-09-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 誘電体構造及びその製造方法 |
KR100735339B1 (ko) | 2006-12-29 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 박막 캐패시터 내장형 배선 기판의 제조방법 |
US7749814B2 (en) * | 2008-03-13 | 2010-07-06 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device with integrated passive circuit and method of making the same using sacrificial substrate |
FR2935536B1 (fr) * | 2008-09-02 | 2010-09-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detourage progressif |
KR101644811B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2016-08-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5392105B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-01-22 | ボンドテック株式会社 | 接合装置、接合方法および半導体装置 |
JP5499397B2 (ja) | 2009-04-13 | 2014-05-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 誘電体構造体の製造方法 |
US8298875B1 (en) * | 2011-03-06 | 2012-10-30 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8373230B1 (en) * | 2010-10-13 | 2013-02-12 | Monolithic 3D Inc. | Method for fabrication of a semiconductor device and structure |
US8541819B1 (en) * | 2010-12-09 | 2013-09-24 | Monolithic 3D Inc. | Semiconductor device and structure |
JP5577965B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2014-08-27 | ソニー株式会社 | 半導体装置、および、その製造方法、電子機器 |
-
2011
- 2011-03-01 JP JP2011044551A patent/JP6087046B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-09 US US13/416,780 patent/US8853544B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120228008A1 (en) | 2012-09-13 |
JP2012182331A (ja) | 2012-09-20 |
US8853544B2 (en) | 2014-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5367914B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 | |
US10141284B2 (en) | Method of bonding semiconductor substrates | |
CN108369913A (zh) | 提升直接接合的接触对准容限 | |
WO2015040784A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR101494988B1 (ko) | 회로화되고 유연한 유기성 기판에 고밀도 다중레벨 박막을 전사하고 전기적으로 결합하는 방법 및 연관된 디바이스 | |
TW200803684A (en) | Composite wiring board and manufacturing method thereof | |
US20080292874A1 (en) | Sintered power semiconductor substrate and method of producing the substrate | |
TW200410608A (en) | Co-fired ceramic capacitor and method for forming ceramic capacitors for use in printed wiring boards | |
US9087767B2 (en) | Process for manufacturing a semiconductor structure comprising a functionalized layer on a support substrate | |
WO2017061324A1 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
US20150123263A1 (en) | Two-step method for joining a semiconductor to a substrate with connecting material based on silver | |
JP3775129B2 (ja) | 半導体チップの接続方法 | |
JP2010219513A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP6087046B2 (ja) | 薄膜素子の転写方法及び回路基板の製造方法 | |
JP2008034417A (ja) | キャパシタの製造方法 | |
TWI472282B (zh) | 轉移薄膜元件之方法及具備其之電路板 | |
TW200810640A (en) | Improved electrodes, inner layers, capacitors and printed wiring boards and methods of making thereof-part II | |
JPH01185947A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JP2006049511A (ja) | 誘電体薄膜キャパシタの製造方法、及び誘電体薄膜キャパシタ | |
WO2014097880A1 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6419851B2 (ja) | インターポーザー基板積層体およびその製造方法 | |
JP5686366B2 (ja) | 誘電体構造体、及びその製造方法 | |
TW200818414A (en) | Ceramics substrate structure having embedded semiconductor chip and fabrication method thereof | |
JP2019207929A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
JP4570423B2 (ja) | 電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6087046 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |