JP6079697B2 - 電子部品の厚さ測定方法、これを用いる電子部品連の製造方法、これによって製造された電子部品連、および、電子部品の検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の厚さ測定方法、これを用いる電子部品連の製造方法、これによって製造された電子部品連、および、電子部品の検査装置に関し、特に、透明板上に載置された電子部品の厚さ測定方法、これを用いる電子部品連の製造方法、これによって製造された電子部品連、および、透明板上に載置された電子部品の検査装置に関する。

電子部品の外観選別装置の構成を開示した先行文献として、特開平４−１０７０００号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された電子部品の外観選別装置においては、連続回転する透明円板上に部品フィーダからの部品を間隔をあけて載せ、透明円板上の部品を撮像自在な位置に配設されたカメラによって部品の瞬間画像を撮像して得た画像信号から部品の外観を検査している。また、電子部品の外観選別装置においては、外観検査結果に基づき、透明円板上の部品軌道の途中に設けられた選別機構により電子部品を選別している。

特開平４−１０７０００号公報

電子部品を外観および厚さによって選別しなければならない場合がある。特許文献１に記載された電子部品の外観選別装置において、カメラを用いて電子部品の厚さを測定する場合、カメラの被写界深度の限界により、電子部品の厚さを正確に測定することが難しい。

電子部品の形状を精密に測定する方法として光切断法がある。光切断法においては、光を電子部品に直上から照射し、その反射光を受光して得た画像から電子部品の形状を測定する。

透明板上に載置された電子部品の厚さを光切断法を用いて測定する場合、光を電子部品および透明板に照射し、電子部品の上面で反射された反射光が受光される位置と、透明板の上面で反射された反射光が受光される位置との間隔から、電子部品の厚さを測定する方法が考えられる。

しかし、この方法においては、照射された光の透明板上での反射率が低く、かつ、照射された光の一部が透明板において多重反射を起こすため、電子部品の厚さを測定するための基準となる、透明板の上面で反射された反射光の受光位置が不明瞭になる。そのため、透明板上に載置された電子部品の厚さを光切断法を用いて測定することは困難であった。

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、透明板上に載置された電子部品の厚さを光切断法を用いて測定することができる、電子部品の厚さ測定方法、これを用いる電子部品連の製造方法、これによって製造された電子部品連、および、電子部品の検査装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の局面に基づく電子部品の厚さ測定方法は、電子部品およびこの電子部品が載置された透明板に対して、斜め上方から第１の電磁波を照射する工程と、第１の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データを形成する工程と、電子部品および透明板において第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する工程と、第２の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データを形成する工程とを備える。また、電子部品の厚さ測定方法は、第１画像データの複数の第２基準ラインと第２画像データの複数の第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、第１基準ラインと抽出された第２基準ラインとを含む第３画像データを形成する工程と、第３画像データの第１基準ラインと第２基準ラインとの間隔から電子部品の厚さを算出する工程とを備える。

本発明の一形態においては、第１の電磁波および第２の電磁波の各々の波長が、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

本発明の一形態においては、電子部品は表面に複数の外部電極を有する。第１の電磁波を照射する工程において、複数の外部電極の少なくともいずれかに第１の電磁波を照射する。

本発明の一形態においては、第１の電磁波を照射する工程において、複数の外部電極の各々に亘るように第１の電磁波を照射する。

本発明の一形態においては、第１の電磁波を照射する工程、第１画像データを形成する工程、第２の電磁波を照射する工程、第２画像データを形成する工程、第３画像データを形成する工程、および、電子部品の厚さを測定する工程の、各工程を１つの電子部品の互いに異なる位置に対して行なう。

本発明の一形態においては、透明板の厚さが、１．２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。
本発明の一形態においては、透明板がガラスからなる。第１の電磁波と第２の電磁波との偏波方向が互いに９０°異なる。第１の電磁波の電子部品の上面への入射角が、１０°以上４３．５°以下である。

本発明の第２の局面に基づく電子部品の厚さ測定方法は、電子部品およびこの電子部品が載置された透明板に対して電磁波を照射する工程と、電子部品および透明板の各々にて反射した電磁波の反射波を受信する工程と、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置と透明板で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から電子部品の厚さを算出する工程とを備える。

本発明の一形態においては、電子部品は表面に複数の外部電極を有する。電磁波を照射する工程において、複数の外部電極の少なくともいずれかに電磁波を照射する。

本発明の一形態においては、電磁波を照射する工程において、複数の外部電極の各々に亘るように電磁波を照射する。

本発明の一形態においては、電磁波を照射する工程、反射波を受信する工程、および、電子部品の厚さを測定する工程の、各工程を１つの電子部品の互いに異なる位置に対して行なう。

本発明の第３の局面に基づく電子部品連の製造方法は、複数の電子部品を梱包して一体にした電子部品連の製造方法である。電子部品連の製造方法は、透明板に載置された電子部品の外観を少なくともこの透明板の下方に配置された撮影装置によって撮影する工程と、電子部品および透明板に対して、斜め上方から第１の電磁波を照射する工程と、第１の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データを形成する工程と、電子部品および透明板において第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する工程と、第２の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データを形成する工程とを備える。また、電子部品連の製造方法は、第１画像データの複数の第２基準ラインと第２画像データの複数の第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、第１基準ラインと抽出された第２基準ラインとを含む第３画像データを形成する工程と、第３画像データの第１基準ラインと第２基準ラインとの間隔から電子部品の厚さを算出する工程と、上記撮影する工程において撮影した各電子部品の外観、および、上記電子部品の厚さを測定する工程において測定した各電子部品の厚さによって、複数の電子部品を選別して複数のグループに分ける工程と、複数のグループのうちのいずれか１つのグループに選別された複数の電子部品をテーピングする工程とを備える。

本発明の第４の局面に基づく電子部品連の製造方法は、複数の電子部品を梱包して一体にした電子部品連の製造方法である。電子部品連の製造方法は、透明板に載置された電子部品の外観を少なくともこの透明板の下方に配置された撮影装置によって撮影する工程と、電子部品および透明板に対して電磁波を照射する工程と、電子部品および透明板の各々にて反射した電磁波の反射波を受信する工程と、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置と透明板で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から電子部品の厚さを算出する工程と、上記撮影する工程において撮影した各電子部品の外観、および、電子部品の厚さを測定する工程において測定した各電子部品の厚さによって、複数の電子部品を選別して複数のグループに分ける工程と、複数のグループのうちのいずれか１つのグループに選別された複数の電子部品をテーピングする工程とを備える。

本発明の第５の局面に基づく電子部品連は、上記のいずれかに記載の電子部品連の製造方法によって製造された電子部品連であって、上記１つのグループに選別された複数の電子部品において、最も厚い電子部品の厚さと最も薄い電子部品の厚さとの差が１０μｍ以下である。

本発明の一形態においては、電子部品が素体と外部電極とを備える。素体は、互いに反対側に位置する１対の主面、１対の主面を結び互いに対向する１対の端面、および、１対の主面を結ぶとともに１対の端面を結ぶ１対の側面を有する。外部電極は、１対の主面の各々に設けられている。電子部品の厚さは、１対の主面の各々に設けられた外部電極の１対の主面を結ぶ方向における外側同士の間隔である。

本発明の一形態においては、上記１つのグループに選別された複数の電子部品において最も厚い電子部品の厚さが０．２５ｍｍ以下である。

本発明の第６の局面に基づく電子部品の検査装置は、電子部品の外観検査および厚さ測定する検査装置である。電子部品の検査装置は、電子部品が載置される透明板と、電子部品の外観を少なくとも透明板の下方から撮影する撮影装置と、電子部品の厚さを測定する厚さ測定器とを備える。厚さ測定器は、照射部と受信部とを含む。照射部は、電子部品および透明板に対して電磁波を照射する。受信部は、電子部品および透明板の各々にて反射した電磁波の反射波を受信する。厚さ測定器は、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置と透明板で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から電子部品の厚さを算出する。

本発明の一形態においては、照射部は、電子部品および透明板に対して、斜め上方から第１の電磁波を照射するとともに、電子部品および透明板において第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する。受信部は、第１の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データを形成するとともに、第２の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データを形成する。厚さ測定器は、第１画像データの複数の第２基準ラインと第２画像データの複数の第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、第１基準ラインと抽出された第２基準ラインとを含む第３画像データを形成し、第３画像データの第１基準ラインと第２基準ラインとの間隔から電子部品の厚さを算出する。

本発明の一形態においては、電子部品は表面に複数の外部電極を有する。照射部は、複数の外部電極の少なくともいずれかに第１の電磁波を照射する。

本発明の一形態においては、照射部は、複数の外部電極の各々に亘るように第１の電磁波を照射する。

本発明の一形態においては、厚さ測定器は、１つの電子部品の互いに異なる位置の厚さを測定する。

本発明の一形態においては、電子部品の検査装置は、複数の電子部品を選別して複数のグループに分ける選別機構をさらに備える。選別機構は、電子部品を収容する複数の容器と、透明板上から電子部品を容器内にそれぞれ移動させる複数の排出機構とを含む。

本発明によれば、透明板上に載置された電子部品の厚さを光切断法を用いて測定することができる。

積層セラミックコンデンサの構成を示す斜視図である。 基板に埋設された積層セラミックコンデンサの実装構造を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る電子部品の厚さ測定方法を行なうための検査装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施形態１に係る厚さ測定器の構成を示す。 本発明の実施形態１に係る厚さ測定器から電磁波を照射している状態を示す斜視図である。 乱反射観察をした場合の電磁波の進行方向を示す側面図である。 正反射観察をした場合の電磁波の進行方向を示す側面図である。 透明板において多重反射が起きた際の電磁波の進行方向を示す側面図である。 受信部の高ダイナミックレンジカメラが撮像した画像データを示す図である。 フレネルの式を説明するための図である。 空気中からガラス板に入射したＰ偏波およびＳ偏波の反射率と入射角との関係を示すグラフである。 Ｐ偏波の反射波を高ダイナミックレンジカメラが撮像した第１画像データを示す図である。 図１２中のラインＬ₁上の電磁波量分布を示す図である。 Ｓ偏波の反射波を高ダイナミックレンジカメラが撮像した第２画像データを示す図である。 図１４中のラインＬ₂上の電磁波量分布を示す図である。 第２基準ライン抽出後に形成される第３画像データを示す図である。 本発明の実施形態１に係る電子部品の厚さ測定方法を示すフローチャートである。 実施例の測定値とマイクロメータの測定値とを比較したグラフである。 積層セラミックコンデンサの長手方向の全体に入射波が照射されている状態を示す斜視図である。 本発明の実施形態１に係電子部品連の製造方法を示すフローチャートである。 テーピングされた電子部品連の外観を示す斜視図である。 本発明の実施形態２に係る電子部品の厚さ測定方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る電子部品連の製造方法を示すフローチャートである。

以下、本発明の各実施形態に係る電子部品の厚さ測定方法、これを用いる電子部品連の製造方法、これによって製造された電子部品連、および、電子部品の検査装置について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。以下の説明においては、電子部品として積層セラミックコンデンサについて説明するが、電子部品は、コンデンサに限られず、圧電部品、サーミスタまたはインダクタなどを含む。

(実施形態１)
まず、電子部品の一例である積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、積層セラミックコンデンサの構成を示す斜視図である。図１に示すように、積層セラミックコンデンサ３は、素体１と外部電極２とを備える。素体１においては、セラミック層と平板状の内部電極とが交互に積層されている。

素体１は、厚さ方向Ｔと直交する１対の主面、長手方向Ｌと直交する１対の端面、および、幅方向Ｗと直交する１対の側面を有する。すなわち、素体１は、互いに反対側に位置する１対の主面、１対の主面を結び互いに対向する１対の端面、および、１対の主面を結ぶとともに１対の端面を結ぶ１対の側面を有する。素体１は、直方体状の外形を有するが、角部および稜線部の少なくとも一方に丸みを有していてもよい。外部電極２は、素体１の長手方向Ｌの両側に１対で設けられている。また、外部電極２は、１対の主面の各々に設けられている。

たとえば、積層セラミックコンデンサ３の長手方向Ｌの寸法は１．０ｍｍ、幅方向Ｗの寸法は０．５ｍｍ、厚さ方向Ｔの寸法は０．１０ｍｍ以上０．１３ｍｍ以下である。本実施形態においては、積層セラミックコンデンサ３の厚さは、１対の主面の各々に設けられた外部電極２の１対の主面を結ぶ方向における外側同士の間隔である。たとえば、厚さが０．２５ｍｍ以下である薄型の積層セラミックコンデンサ３は、基板に埋設されて使用されることがある。

図２は、基板に埋設された積層セラミックコンデンサの実装構造を示す断面図である。図２に示すように、積層セラミックコンデンサ３は、基板４に埋設されて使用される。具体的には、基板４の表面に実装されたＩＣ(Integrated Circuit)チップ６と積層セラミックコンデンサ３とが、ビア５によって電気的に接続される。

上記のように基板４に埋設される積層セラミックコンデンサ３には、厚さのばらつきが小さいことが求められる。たとえば、外部電極２が設けられている部分における積層セラミックコンデンサ３の厚さのばらつきが１０μｍ以内であることが求められる。また、積層セラミックコンデンサ３には、欠けまたは亀裂などが無いことが求められる。そのため、量産された積層セラミックコンデンサ３の全数について外観検査および厚さ測定が行なわれることがある。

以下、量産品の積層セラミックコンデンサ３をインライン方式で外観検査および厚さ測定する本発明の実施形態１に係る電子部品の検査装置の構成について説明する。図３は、本発明の実施形態１に係る電子部品の厚さ測定方法を行なうための検査装置の構成を示す平面図である。

図３に示すように、本発明の実施形態１に係る電子部品である積層セラミックコンデンサ３の厚さ測定方法を行なうための検査装置１００は、積層セラミックコンデンサ３が載置される円板状の透明板１１０を備える。透明板１１０は、電磁波(光)を透過するガラスで形成されている。ただし、透明板１１０は、電磁波(光)を透過する樹脂から形成されていてもよい。

本実施形態においては、透明板１１０の厚さは１．２ｍｍである。透明板１１０の厚さとしては、１．２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下であることが好ましい。透明板１１０の厚さが１．２ｍｍより薄い場合、後述するように透明板１１０を多重反射した反射波の中から透明板１１０の上面で反射した反射波を抽出することが困難となる。透明板１１０の厚さが５．０ｍｍより厚い場合、後述するように透明板１１０を通して積層セラミックコンデンサ３の外観を撮影することが困難となる。

透明板１１０においては、ロータリエンコーダ１１１が取り付けられており、連続回転可能に支持されている。透明板１１０が矢印１１９で示す向きに連続回転することにより、透明板１１０の周縁部に載置された積層セラミックコンデンサ３が、円周状の軌道上を一定速度で搬送される。

検査装置１００は、積層セラミックコンデンサ３を透明板１１０上に供給するためのチップフィーダ１２０を備える。チップフィーダ１２０は、積層セラミックコンデンサ３に振動を与えつつ１列に整列させることにより、複数の積層セラミックコンデンサ３を一定の向きに揃えた状態で互いに間隔を開けて１つずつ透明板１１０上に載置する。本実施形態においては、積層セラミックコンデンサ３の長手方向が進行方向となるように、積層セラミックコンデンサ３が整列させられる。

検査装置１００は、チップフィーダ１２０から透明板１１０上に載置された積層セラミックコンデンサ３を検出するセンサ１３０を備える。センサ１３０としては、赤外線センサなど公知のセンサを用いることができる。

検査装置１００は、積層セラミックコンデンサ３の外観を検査するための撮影装置である４台のカメラを備える。具体的には、透明板１１０より高い位置、かつ、積層セラミックコンデンサ３が搬送される軌道の内側の位置に配置されて、積層セラミックコンデンサ３の一方の側面を撮影する第１カメラ１４１を備える。透明板１１０より高い位置、かつ、積層セラミックコンデンサ３が搬送される軌道の外側の位置に配置されて、積層セラミックコンデンサ３の他方の側面を撮影する第２カメラ１４２を備える。透明板１１０より高い位置、かつ、積層セラミックコンデンサ３が搬送される軌道の上方の位置に配置されて、積層セラミックコンデンサ３の一方の主面を撮影する第３カメラ１４３を備える。透明板１１０より低い位置、かつ、積層セラミックコンデンサ３が搬送される軌道の下方の位置に配置されて、積層セラミックコンデンサ３の他方の主面を撮影する第４カメラ１４４を備える。

このように、透明板１１０を通して積層セラミックコンデンサ３の他方の主面を撮影可能とするために、透明板１１０が用いられている。電磁波(光)を透過させる観点から、透明板１１０の厚さは５ｍｍ以下であることが好ましい。なお、検査装置１００が、積層セラミックコンデンサ３の端面を撮影するカメラをさらに備えていてもよい。

検査装置１００は、積層セラミックコンデンサ３の厚さを検査するための厚さ測定器１５０を備える。厚さ測定器１５０は、透明板１１０より高い位置、かつ、積層セラミックコンデンサ３が搬送される軌道の上方の位置に配置されている。厚さ測定器１５０は、光切断法を用いて積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定する。厚さ測定器１５０の構成および動作については後述する。

検査装置１００は、複数の積層セラミックコンデンサ３を選別して複数のグループに分けるための選別機構を備える。選別機構は、積層セラミックコンデンサ３を収容する複数の容器と、透明板１１０上から積層セラミックコンデンサ３を容器内に移動させる複数の排出機構とから構成されている。本実施形態においては、排出機構として、エアーブロワを用いているが、揺動部材などを用いてもよい。

本実施形態においては、複数の積層セラミックコンデンサ３を選別して３つのグループに分ける。よって、選別機構は、３つの容器と３つのエアーブロワとを含む。

具体的には、選別機構は、外観検査および厚さ検査の両方で良品と判断された第１グループの積層セラミックコンデンサ３を第１容器１６１内に吹き飛ばす第１エアーブロワ１７１と、外観検査で良品と判断されて厚さ検査で不良品と判断された第２グループの積層セラミックコンデンサ３を第２容器１６２内に吹き飛ばす第２エアーブロワ１７２と、外観検査で不良品と判断された第３グループの積層セラミックコンデンサ３を第３容器１６３内に吹き飛ばす第３エアーブロワ１７３とを備える。なお、積層セラミックコンデンサ３を厚さに応じてランク分けする場合には、第１グループの積層セラミックコンデンサ３をさらに複数のグループに分類してもよい。

検査装置１００は、制御部１９０を備える。制御部１９０は、ロータリエンコーダ１１１、センサ１３０、第１カメラ１４１、第２カメラ１４２、第３カメラ１４３、第４カメラ１４４、厚さ測定器１５０、第１エアーブロワ１７１、第２エアーブロワ１７２および第３エアーブロワ１７３の各々と電気的に接続されている。

制御部１９０は、ロータリエンコーダ１１１から、透明板１１０の回転速度を入力される。制御部１９０は、センサ１３０から、積層セラミックコンデンサ３が円周軌道上の所定の位置を通過した時間を入力される。制御部１９０は、ロータリエンコーダ１１１から入力された回転速度とセンサ１３０によって入力された時間とから、時間の経過に伴って変化する各積層セラミックコンデンサ３の位置を常時把握している。なお、制御部１９０は、センサ１３０によって検出された積層セラミックコンデンサ３をナンバーリングしてデータベースに記憶している。

制御部１９０は、第１カメラ１４１、第２カメラ１４２、第３カメラ１４３および第４カメラ１４４の各々から、積層セラミックコンデンサ３の外観画像データを入力される。制御部１９０には積層セラミックコンデンサ３の外観を判定するためのプログラムが予め入力されており、制御部１９０はこのプログラムに従って積層セラミックコンデンサ３に欠けまたは亀裂が無いかを判定する。制御部１９０は、このように行なわれた外観検査の結果を各積層セラミックコンデンサ３のナンバーと関連付けてデータベースに記憶する。

制御部１９０は、厚さ測定器１５０の下方に積層セラミックコンデンサ３が到達した際に、厚さ測定器１５０を稼働させて積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定させる。制御部１９０においては、厚さ測定器１５０の動作条件が予めデータベースに入力されており、制御部１９０はいずれかの動作条件を選択して厚さ測定器１５０に積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定させる。

制御部１９０は、厚さ測定器１５０から、積層セラミックコンデンサ３の厚さの測定データを入力される。制御部１９０においては積層セラミックコンデンサ３の規定の厚さが予めデータベースに入力されており、制御部１９０はこのデータベースに照会して積層セラミックコンデンサ３の厚さが規定の範囲内であるか否かを判定する。制御部１９０は、厚さ検査の結果を各積層セラミックコンデンサ３のナンバーと関連付けてデータベースに記憶する。

制御部１９０は、データベースにおいて、外観検査および厚さ検査の両方で良品と判断された積層セラミックコンデンサ３を第１グループに分類し、外観検査で良品と判断されて厚さ検査で不良品と判断された積層セラミックコンデンサ３を第２グループに分類し、外観検査で不良品と判断された積層セラミックコンデンサ３を第３グループに分類する。

制御部１９０は、第１グループに分類された積層セラミックコンデンサ３が第１エアーブロワ１７１の前に到達した際に、第１エアーブロワ１７１を動作させてその積層セラミックコンデンサ３を第１容器１６１内に吹き飛ばさせる。制御部１９０は、第２グループに分類された積層セラミックコンデンサ３が第２エアーブロワ１７２の前に到達した際に、第２エアーブロワ１７２を動作させてその積層セラミックコンデンサ３を第２容器１６２内に吹き飛ばさせる。制御部１９０は、第３グループに分類された積層セラミックコンデンサ３が第３エアーブロワ１７３の前に到達した際に、第３エアーブロワ１７３を動作させてその積層セラミックコンデンサ３を第３容器１６３内に吹き飛ばさせる。

このようにして、複数の積層セラミックコンデンサ３が３つのグループに選別される。その結果、量産された積層セラミックコンデンサ３の中から、外観検査および厚さ検査の良品のみを選別して使用することが可能となる。

以下、厚さ測定器１５０の構成および動作について説明する。図４は、本実施形態に係る厚さ測定器の構成を示す。図５は、本実施形態に係る厚さ測定器から電磁波を照射している状態を示す斜視図である。図５において、積層セラミックコンデンサ３の幅方向Ｗと平行な方向をＸ方向、積層セラミックコンデンサ３の長手方向Ｌと平行な方向をＹ方向、積層セラミックコンデンサ３の厚さ方向Ｔに平行な方向をＺ方向としている。

図４に示すように、本実施形態に係る厚さ測定器１５０は、照射部１５０ａと受信部１５０ｂとを備える。照射部１５０ａは、第１レーザ発振源１５１と第２レーザ発振源１５２とハーフミラー１５３と投射レンズ１５４とを含む。受信部１５０ｂは、受信レンズ１５５と高ダイナミックレンジカメラ１５６とを含む。

照射部１５０ａにおいて、第１レーザ発振源１５１から出射される電磁波および第２レーザ発振源１５２から出射される電磁波の各々は、直線偏波であり偏波方向が一定である。第１レーザ発振源１５１から出射される電磁波の偏波方向と、第２レーザ発振源１５２から出射される電磁波の偏波方向とは互いに異なる。本実施形態においては、第１レーザ発振源１５１から出射される電磁波の偏波方向と、第２レーザ発振源１５２から出射される電磁波の偏波方向とは互いに９０°異なるが、両者の偏波方向の違いは９０°に限られない。

第１レーザ発振源１５１から出射された電磁波は、ハーフミラー１５３の反射面に対して電場の振動方向が平行なＰ偏波であるため、反射面を透過して投射レンズ１５４に入射する。投射レンズ１５４に入射した電磁波は、扇形に広がるように整形されて厚さ測定器１５０の外部に照射される。

第２レーザ発振源１５２から出射された電磁波は、ハーフミラー１５３の反射面に対して電場の振動方向が垂直なＳ偏波であるため、反射面で直角に反射されて投射レンズ１５４に入射する。投射レンズ１５４に入射した電磁波は、扇形に広がるように整形されて厚さ測定器１５０の外部に照射される。

図４，５に示すように、厚さ測定器１５０の照射部１５０ａから照射された入射波１８０は、積層セラミックコンデンサ３および積層セラミックコンデンサ３が載置された透明板１１０に対して斜め上方から入射する。入射角θで入射した入射波１８０は、反射角θで反射して受信部１５０ｂに到達する。たとえば、入射角θおよび反射角θは、２２．５°である。このように、厚さ測定器１５０は、いわゆる正反射観察を行なう。

受信部１５０ｂにおいて、受信レンズ１５５を通過した反射波１８２がＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)センサを含む高ダイナミックレンジカメラ１５６に入射する。高ダイナミックレンジカメラ１５６によって撮影された画像は、暗部から明部までより多くの階調情報を有している。

ここで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ３の厚さ測定方法において正反射観察を行なう理由について説明する。図６は、乱反射観察をした場合の電磁波の進行方向を示す側面図である。図７は、正反射観察をした場合の電磁波の進行方向を示す側面図である。

上記のように厚さ測定器１５０が光切断法を用いて積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定するためには、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波と、透明板１１０の上面で反射した反射波とを受信する必要がある。

図６に示すように、仮に照射部１５０ａから透明板１１０の上面に対して直交する方向に入射波１８０を照射した場合、入射波１８０は全て透明板１１０を透過して透過波１８１になる。そのため、受信部１５０ｂにおいて、透明板１１０の上面で反射した反射波を受信することができない。

図７に示すように、照射部１５０ａから透明板１１０の上面に対して入射角θ(θ≠０°)で入射波１８０を照射した場合、入射波１８０の一部は透明板１１０を透過して透過波１８１になるが、入射波１８０の他の一部は反射角θで反射して反射波１８２になる。よって、受信部１５０ｂを反射波１８２が入射する位置に配置することにより、受信部１５０ｂにおいて、透明板１１０の上面で反射した反射波１８２を受信することが可能となる。

しかし、正反射観察を行なった場合、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波の強度が、透明板１１０の上面で反射した反射波の強度より著しく低くなる。また、正反射観察を行なった場合、透明板１１０において多重反射が起きる。

図８は、透明板において多重反射が起きた際の電磁波の進行方向を示す側面図である。なお、図８において、透明板１１０の内部で反射した反射波については２つの反射波を例示している。

図８に示すように、照射部１５０ａから照射された入射波１８０ａの一部は、透明板１１０の上面で反射して反射波１８２ａ₁となる。照射部１５０ａから照射された入射波１８０ａの他の一部は、透明板１１０の上面で屈折して透明板１１０内に入射し、透明板１１０の下面で反射した後、透明板１１０の上面で屈折して透明板１１０から出射して反射波１８２ａ₂となる。照射部１５０ａから照射された入射波１８０ａのさらに他の一部は、透明板１１０の上面で屈折して透明板１１０内に入射し、透明板１１０の下面で反射した後、透明板１１０の上面で反射して再び透明板１１０の下面で反射し、最後に透明板１１０の上面で屈折して透明板１１０から出射して反射波１８２ａ₃となる。

照射部１５０ａから照射された入射波１８０ｂは、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射して反射波１８２ｂとなる。反射波１８２ｂの強度は、反射波１８２ａ₁の強度に比較して著しく低い。

上記のように、受信部１５０ｂは、高ダイナミックレンジカメラ１５６を有しているため、反射波１８２ａ₁、反射波１８２ａ₂、反射波１８２ａ₃および反射波１８２ｂを受信して、各反射波の強度ピークを示す画像データを形成することが可能である。

図９は、受信部の高ダイナミックレンジカメラが撮像した画像データを示す図である。図９に示すように、高ダイナミックレンジカメラ１５６が撮像した画像データ２００においては、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波１８２ｂの強度ピークを示す第１基準ライン２２０と、透明板１１０の上面で反射した反射波１８２ａ₁の強度ピークを示す第２基準ライン２１０と、透明板１１０の下面で反射した反射波１８２ａ₂の強度ピークを示す第２基準ライン２１１と、透明板１１０内で３回反射した反射波１８２ａ₃の強度ピークを示す第２基準ライン２１２とが含まれる。

すなわち、高ダイナミックレンジカメラ１５６が撮像した画像データ２００には、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、透明板１１０で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとが含まれる。

図９においては、第２基準ライン２１０と、第２基準ライン２１１と、第２基準ライン２１２とを、互いに間隔を置いて明確に判別できるように示したが、透明板１１０の厚さが５．０ｍｍ以下の程度まで薄い場合には、各第２基準ラインが互いに接近して境界が不明確になる。この場合、複数の第２基準ラインの中から第２基準ライン２１０のみを抽出することが難しい。すなわち、積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定するための基準となる透明板１１０の上面の位置を正確に検出することが困難である場合がある。

この場合、厚さ測定器１５０においては、互いに偏波方向の異なる電磁波を交互に照射することにより、積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定するための基準となる透明板１１０の上面の位置を正確に検出する。本実施形態においては、厚さ測定器１５０の照射部１５０ａは、Ｐ偏波とＳ偏波とを交互に照射する。

ここで、Ｐ偏波とＳ偏波との透明板１１０における反射率の違いについて説明する。図１０は、フレネルの式を説明するための図である。図１０に示すように、Ｐ偏波とＳ偏波とが、媒質Ｉ中を進んで媒質ＩＩとの界面において一部が反射し、他の一部が界面で屈折して媒質ＩＩ中に透過する。媒質Ｉの屈折率をｎ₁、媒質ＩＩの屈折率をｎ₂とする。入射角および反射角をθ₁、屈折角をθ₂とする。

スネルの法則から、ｎ₁ｓｉｎθ₁＝ｎ₂ｓｉｎθ₂の関係が成立する。ここで、相対屈折率ｎ＝ｎ₂／ｎ₁の関係が成立する。さらに、フレネルの式から、Ｐ偏波のエネルギ反射率Ｒ_pは下記の数式(１)で表わされ、Ｓ偏波のエネルギ反射率Ｒ_sは下記の数式(２)で表わされる。

本実施形態においては、媒質Ｉは空気であり、媒質Ｉの屈折率ｎ₁は約１．０である。媒質ＩＩはガラスであり、媒質ＩＩの屈折率ｎ₂は約１．５である。よって、相対屈折率ｎは約１．５である。

上記の数式(１)および数式(２)から、Ｐ偏波およびＳ偏波の反射率と入射角との関係が導き出せる。図１１は、空気中からガラス板に入射したＰ偏波およびＳ偏波の反射率と入射角との関係を示すグラフである。表１は、入射角によるＰ偏波の反射率とＳ偏波の反射率との差をまとめたものである。図１１においては、縦軸に反射率(％)、横軸に入射角(°)を示している。また、Ｐ偏波を実線で、Ｓ偏波を点線で示している。

図１１に示すように、入射角θ₁が０°以上９０°以下の範囲において、Ｓ偏波の反射率は、Ｐ偏波の反射率に比較して同等以上である。Ｐ偏波の反射率においては、反射率が１％より低くなる入射角θ₁が存在している。

本実施形態において、高ダイナミックレンジカメラで撮像した画像から、積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定するための基準となる透明板１１０の上面の位置を正確に検出するためには、１％以上の反射率を確保することが必要である。また、Ｓ偏波の反射率とＰ偏波の反射率とに有意差があることが必要である。

表１に示すように、Ｐ偏波の反射率が１％以上である範囲は、入射角が０°以上４３．５°以下の範囲、および、入射角が６５°以上９０°以下の範囲である。Ｓ偏波の反射率とＰ偏波の反射率とに有意差がある範囲は、入射角が１０°以上８５°以下の範囲である。

さらに、画像処理の分解能の限界から、厚さが１．２ｍｍの透明板１１０で反射した複数の反射波の中から透明板１１０の上面で反射した反射波を抽出するためには、入射角θ₁が６５°より小さいことが必要である。すなわち、入射角θ₁が６５°以上の場合、上記のように高ダイナミックレンジカメラ１５６が撮像した画像データ２００において、第２基準ライン２１０と、第２基準ライン２１１と、第２基準ライン２１２とが互いに接近して重複するようになる。

上記の条件から、厚さ測定器１５０の照射部１５０ａから照射されるＳ偏波およびＰ偏波の入射角θ₁は、１０°以上４３．５°以下であることが好ましい。また、透明板１１０の厚さは、１．２ｍｍ以上であることが好ましい。

以下、本実施形態に係る厚さ測定器１５０において、積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定する方法について説明する。厚さ測定器１５０は、図５に示すように、積層セラミックコンデンサ３の外部電極２に対して第１の電磁波であるＰ偏波を照射して、その反射波を高ダイナミックレンジカメラが撮像する。その後すぐに、厚さ測定器１５０は、積層セラミックコンデンサ３の外部電極２に対して第２の電磁波であるＳ偏波を照射して、その反射波を高ダイナミックレンジカメラが撮像する。なお、Ｓ偏波をＰ偏波より先に照射してもよい。

透明板１１０の回転速度は、たとえば１００ｍｍ／秒とする。高ダイナミックレンジカメラによる１回の撮像時間は、たとえば２４０μ秒とする。よって、Ｓ偏波とＰ偏波とは、積層セラミックコンデンサ３の略同じ位置に照射される。

Ｓ偏波またはＰ偏波である入射波１８０の波長は、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。すなわち、入射波１８０は青色光である。波長の短い青色光を用いることにより、高精度の測定が可能になる。本実施形態においては、入射波１８０は、Ｘ方向に広がる扇形に整形されている。

図４に示すように、厚さ測定器１５０は、入射波１８０の反射波１８２を受信部１５０ｂで受信して高ダイナミックレンジカメラ１５６で撮像する。

図１２は、Ｐ偏波の反射波を高ダイナミックレンジカメラが撮像した第１画像データを示す図である。図１３は、図１２中のラインＬ₁上の電磁波量分布を示す図である。図１４は、Ｓ偏波の反射波を高ダイナミックレンジカメラが撮像した第２画像データを示す図である。図１５は、図１４中のラインＬ₂上の電磁波量分布を示す図である。図１３，１５においては、縦軸に電磁波量、横軸にＹ方向の位置を示している。

図１２に示すように、Ｐ偏波の反射波を高ダイナミックレンジカメラ１５６が撮像した第１画像データ２００ａにおいては、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波１８２ｂの強度ピークを示す第１基準ライン２２０ａと、透明板１１０の上面で反射した反射波１８２ａ₁の強度ピークを示す第２基準ライン２１０ａと、透明板１１０の下面で反射した反射波１８２ａ₂の強度ピークを示す第２基準ライン２１１ａと、透明板１１０内で３回反射した反射波１８２ａ₃の強度ピークを示す第２基準ライン２１２ａとが含まれる。

図１３に示すように、透明板１１０で反射したＰ偏波の反射波の電磁波量分布は、多重反射の回数が多くなるほど減衰して低下している。具体的には、Ｐ偏波の反射波の電磁波量は、第２基準ライン２１０ａ上で最も高くＰ１ａであり、第２基準ライン２１１ａ上のＰ２ａはＰ１ａより低く、第２基準ライン２１２ａ上のＰ３ａはＰ２ａより低い。

図１４に示すように、Ｓ偏波の反射波を高ダイナミックレンジカメラ１５６が撮像した第２画像データ２００ｂにおいては、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波１８２ｂの強度ピークを示す第１基準ライン２２０ｂと、透明板１１０の上面で反射した反射波１８２ａ₁の強度ピークを示す第２基準ライン２１０ｂと、透明板１１０の下面で反射した反射波１８２ａ₂の強度ピークを示す第２基準ライン２１１ｂと、透明板１１０内で３回反射した反射波１８２ａ₃の強度ピークを示す第２基準ライン２１２ｂとが含まれる。

図１５に示すように、透明板１１０で反射したＳ偏波の反射波の電磁波量分布は、多重反射の回数が多くなるほど減衰して低下している。具体的には、Ｓ偏波の反射波の電磁波量は、第２基準ライン２１０ｂ上で最も高くＰ１ｂであり、第２基準ライン２１１ｂ上のＰ２ｂはＰ１ｂより低く、第２基準ライン２１２ｂ上のＰ３ｂはＰ２ｂより低い。

図１３，１５に示すように、Ｐ偏波はＳ偏波に比較して電磁波量の低下率が大きい。これは、Ｐ偏波の反射率がＳ偏波の反射率より低いため、反射回数が多くなるに従ってその反射率の差が重畳されることによる。

厚さ測定器１５０は、上記のＰ偏波とＳ偏波との電磁波量の低下率の違いを利用して、透明板１１０の上面で反射した反射波の第２基準ラインのみを抽出する。そのために、厚さ測定器１５０は、第１画像データ２００ａの複数の第２基準ラインと第２画像データ２００ｂの複数の第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出する。

具体的には、厚さ測定器１５０は、第２基準ライン２１０ｂ上の電磁波量と第２基準ライン２１０ａ上の電磁波量との差(Ｐ１ｂ−Ｐ１ａ)を算出する。厚さ測定器１５０は、第２基準ライン２１１ｂ上の電磁波量と第２基準ライン２１１ａ上の電磁波量との差(Ｐ２ｂ−Ｐ２ａ)を算出する。厚さ測定器１５０は、第２基準ライン２１２ｂ上の電磁波量と第２基準ライン２１２ａ上の電磁波量との差(Ｐ３ｂ−Ｐ３ａ)を算出する。

上記のようにＰ偏波はＳ偏波に比較して電磁波量の低下率が大きいため、(Ｐ１ｂ−Ｐ１ａ)＜(Ｐ２ｂ−Ｐ２ａ)＜(Ｐ３ｂ−Ｐ３ａ)となる。厚さ測定器１５０は、複数の第２基準ラインの中から、Ｐ偏波とＳ偏波との電磁波量差が最も小さい第２基準ライン２１０のみを抽出する。

図１６は、第２基準ライン抽出後に形成される第３画像データを示す図である。図１６に示すように、第３画像データ２００ｃにおいては、積層セラミックコンデンサ３の上面で反射した反射波１８２ｂの強度ピークを示す第１基準ライン２２０ｃと、複数の第２基準ラインの中から抽出された、透明板１１０の上面で反射した反射波１８２ａ₁の強度ピークを示す第２基準ライン２１０ｃとが含まれる。

厚さ測定器１５０は、第３画像データ２００ｃの第１基準ライン２２０ｃと第２基準ライン２１０ｃとの間隔Ｌcの数値を補正して積層セラミックコンデンサ３の厚さを算出する。具体的には、厚さ測定器１５０は、入射波１８０の入射角θ₁に応じて間隔Ｌcの数値を補正する。

このように、複数の第２基準ラインの中から第２基準ライン２１０のみを抽出することにより、積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定するための基準となる透明板１１０の上面の位置を正確に検出することができる。その結果、透明板１１０上に載置された積層セラミックコンデンサ３の厚さを光切断法を用いて正確に測定することができる。

図１７は、本実施形態に係る電子部品の厚さ測定方法を示すフローチャートである。図１７に示すように、本実施形態に係る電子部品の厚さ測定方法は、電子部品およびこの電子部品が載置された透明板１１０に対して、斜め上方から扇形に広がるように第１の電磁波を照射する工程(Ｓ１００)と、第１の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ライン２２０ａと、透明板１１０で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データ２００ａを形成する工程(Ｓ１１０)と、電子部品および透明板１１０において第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から扇形に広がるように第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する工程(Ｓ１２０)と、第２の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ライン２２０ｂと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データ２００ｂを形成する工程(Ｓ１３０)とを備える。

また、電子部品の厚さ測定方法は、第１画像データ２００ａの複数の第２基準ラインと第２画像データ２００ｂの複数の第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、第１基準ライン２２０ｃと抽出された第２基準ライン２１０ｃとを含む第３画像データ２００ｃを形成する工程(Ｓ１４０)と、第３画像データ２００ｃの第１基準ライン２２０ｃと第２基準ライン２１０ｃとの間隔Ｌcから電子部品の厚さを算出する工程(Ｓ１５０)とを備える。

上記の工程を備える本実施形態に係る電子部品の厚さ測定方法により、透明板１１０上に載置された電子部品の厚さを光切断法を用いて正確に測定することができる。

なお、１つの電子部品に対してＰ偏波とＳ偏波との照射を複数回行なってもよい。具体的には、第１の電磁波を照射する上記工程(Ｓ１００)、第１画像データを形成する上記工程(Ｓ１１０)、第２の電磁波を照射する上記工程(Ｓ１２０)、第２画像データを形成する上記工程(Ｓ１３０)、第３画像データを形成する上記工程(Ｓ１４０)、および、電子部品の厚さを測定する上記工程(Ｓ１５０)の、各工程を１つの電子部品の互いに異なる位置に対して行なってもよい。

このようにして電子部品の異なる部分の厚さを測定することにより、各測定値の中から最大の測定値を選択することができる。その結果、測定値を電子部品の最大厚さに近づけることができる。

以下、Ｐ偏波とＳ偏波との照射を複数回行なって積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定した厚さと、マイクロメータを用いて積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定した厚さとを比較した結果について説明する。

具体的には、長さが１．０ｍｍ、幅が０．５ｍｍ、厚さがそれぞれ異なる６品種の積層セラミックコンデンサ３の厚さを、両方の方法で測定した。各品種について１０個の積層セラミックコンデンサ３を準備した。実施例においては、１つの積層セラミックコンデンサ３に対して、Ｐ偏波とＳ偏波との照射をそれぞれ３０回行ない、その測定値の中から最大値を選択した。

図１８は、実施例の測定値とマイクロメータの測定値とを比較したグラフである。図１８においては、縦軸に電子部品の厚さ(μｍ)、横軸にサンプルの品種を示している。実施例の測定値およびマイクロメータの測定値の各々は、１０個の積層セラミックコンデンサ３の厚さの測定値の平均値を示している。また、実施例の測定値については、１０個の積層セラミックコンデンサ３の測定値の最大値と最小値との範囲をエラーバーで示している。

図１８に示すように、サンプルＡ〜Ｆの全てにおいて、実施例の測定値とマイクロメータの測定値との差は２μｍ以下であった。また、実施例の測定値において、１０個の積層セラミックコンデンサ３の厚さの測定値の最大値と最小値との範囲は２μｍ以下であった。

上記の比較結果から、Ｐ偏波とＳ偏波との照射を複数回行なって積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定してその測定値の中から最大値を選択することにより、積層セラミックコンデンサ３の最大厚さを数μｍの精度で測定可能であることが確認できた。

また、積層セラミックコンデンサ３の全体に亘ってＰ偏波とＳ偏波とを照射して積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定することが好ましい。たとえば、照射される電磁波の幅(積層セラミックコンデンサ３の長手方向における電磁波の幅)が３５μｍとすると、長さが１．０ｍｍの積層セラミックコンデンサ３に対して電磁波を２９回以上照射することにより、積層セラミックコンデンサ３の長手方向の全体に亘って電磁波を照射することができる。すなわち、Ｐ偏波とＳ偏波とをそれぞれ２９回以上照射することにより、積層セラミックコンデンサ３の最大厚さを高精度に測定することができる。

さらに、積層セラミックコンデンサ３に対して電磁波が一部重複して照射されることが好ましい。たとえば、積層セラミックコンデンサ３の長手方向において、先に電磁波を照射された部分と、その後で電磁波を照射された部分とが、１０μｍ程度重なっていることが好ましい。このようにすることにより、積層セラミックコンデンサ３の最大厚さをさらに高精度に測定することができる。

また、本実施形態においては、厚さ測定器１５０から照射される入射波１８０の透明板１１０上における長さが１０ｍｍ程度であるため、積層セラミックコンデンサ３の長手方向の全体に入射波１８０が照射されるようにしてもよい。

図１９は、積層セラミックコンデンサの長手方向の全体に入射波が照射されている状態を示す斜視図である。図１９に示すように、積層セラミックコンデンサ３の長手方向の全体に入射波１８０を照射することにより、２つの外部電極２の各々に亘るように入射波１８０を照射することができる。このようにすることにより、電磁波の照射回数を減らしつつ、精度よく積層セラミックコンデンサ３の厚さを測定することができる。

以下、上記の電子部品の厚さ測定方法を用いる電子部品連の製造方法について図を参照して説明する。図２０は、本実施形態に係電子部品連の製造方法を示すフローチャートである。図２１は、テーピングされた電子部品連の外観を示す斜視図である。

図２０に示すように、本実施形態に係る電子部品連の製造方法は、複数の電子部品を梱包して一体にした電子部品連の製造方法である。電子部品連の製造方法は、透明板１１０に載置された電子部品の外観を少なくともこの透明板１１０の下方に配置された撮影装置によって撮影する工程(Ｓ２００)と、電子部品およびこの電子部品が載置された透明板１１０に対して、斜め上方から扇形に広がるように第１の電磁波を照射する工程(Ｓ１００)と、第１の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ライン２２０ａと、透明板１１０で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データ２００ａを形成する工程(Ｓ１１０)と、電子部品および透明板１１０において第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から扇形に広がるように第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する工程(Ｓ１２０)と、第２の電磁波の反射波を受信して、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ライン２２０ｂと、透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データ２００ｂを形成する工程(Ｓ１３０)とを備える。

また、電子部品連の製造方法は、第１画像データ２００ａの複数の第２基準ラインと第２画像データ２００ｂの複数の第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、第１基準ライン２２０ｃと抽出された第２基準ライン２１０ｃとを含む第３画像データ２００ｃを形成する工程(Ｓ１４０)と、第３画像データ２００ｃの第１基準ライン２２０ｃと第２基準ライン２１０ｃとの間隔Ｌcから電子部品の厚さを算出する工程(Ｓ１５０)と、上記撮影する工程において撮影した各電子部品の外観、および、電子部品の厚さを測定する上記工程において測定した各電子部品の厚さによって、複数の電子部品を選別して複数のグループに分ける工程(Ｓ２１０)と、複数のグループのうちのいずれかのグループに選別された複数の電子部品をテーピングする工程(Ｓ２２０)とを備える。

上述したように、本実施形態に係る検査装置１００は、４台のカメラによって積層セラミックコンデンサ３を撮影して外観検査を行なっている。また、検査装置１００は、Ｐ偏波およびＳ偏波を積層セラミックコンデンサ３に照射して、積層セラミックコンデンサ３の厚さ検査を行なっている。

検査装置１００は、選別機構によって複数の積層セラミックコンデンサ３を検査結果に基づいて選別して３つのグループに分ける。具体的には、選別機構は、複数の積層セラミックコンデンサ３を、外観検査および厚さ検査の両方で良品と判断された第１グループと、外観検査で良品と判断されて厚さ検査で不良品と判断された第２グループと、外観検査で不良品と判断された第３グループとに選別する。

図２１に示すように、第１グループに分類された積層セラミックコンデンサ３のみがテーピングされて電子部品連２０が製造される。具体的には、電子部品連２０は、積層セラミックコンデンサ３を包装する包装材であるテープ体２２、および、テープ体２２が巻き付けられるリール体２１を含む。

リール体２１は、樹脂材料で構成されており、軸中心に貫通孔を有する芯部と、芯部の軸方向における両端部からそれぞれ放射状に広がった１対の円板部とを含む。

テープ体２２は、キャリアテープ２３、ボトムテープ２４およびトップテープ２５を含む。キャリアテープ２３は、紙または樹脂から構成され、積層セラミックコンデンサ３を収納するための貫通孔または凹部を有する。

ボトムテープ２４は、紙または樹脂から構成されている。トップテープ２５は、樹脂から構成されている。ボトムテープ２４とトップテープ２５とは、キャリアテープ２３を間に挟んで互いに接着されることにより、キャリアテープ２３の貫通孔または凹部に収納された積層セラミックコンデンサ３を封止する。

テープ体２２は、リール体２１の円板部同士の間において芯部に対して巻き付けられる。この巻き付けは、テーピング装置において行なわれる。

上記のように電子部品連２０を製造することにより、電子部品連２０を、外観検査および厚さ検査の両方で良品と判断された電子部品のみから構成することができる。その結果、欠けおよび亀裂が存在せず、かつ、厚さのばらつきが１０μｍ以内である積層セラミックコンデンサ３のみから構成される電子部品連２０を製造することができる。すなわち、電子部品連２０に含まれる複数の積層セラミックコンデンサ３において、最も厚い積層セラミックコンデンサ３の厚さと最も薄い積層セラミックコンデンサ３の厚さとの差を１０μｍ以下とすることができる。本実施形態においては、電子部品連２０に含まれる複数の積層セラミックコンデンサ３において、最も厚い電子部品の厚さは０．２５ｍｍ以下である。

実施形態１においては、図９に示す第２基準ライン２１０と第２基準ライン２１１と第２基準ライン２１２とが互いに接近して境界が不明確になっていたが、各第２基準ラインの境界が明確である場合がある。その場合には、必ずしも厚さ測定器１５０において、互いに偏波方向の異なる電磁波を交互に照射しなくてもよい。すなわち、偏波方向が同一の電磁波を電子部品および透明板に照射することにより、電子部品の厚さを測定することが可能である。

以下、電磁波を電子部品および透明板に照射することにより電子部品の厚さを測定する実施形態２に係る電子部品の厚さ測定方法、これを用いる電子部品連の製造方法、これによって製造された電子部品連、および、電子部品の検査装置について図を参照して説明する。なお、実施形態１と同様である構成については説明を繰り返さない。

(実施形態２)
図２２は、本発明の実施形態２に係る電子部品の厚さ測定方法を示すフローチャートである。図２２に示すように、本発明の実施形態２に係る電子部品の厚さ測定方法は、電子部品およびこの電子部品が載置された透明板１１０に対して電磁波を照射する工程(Ｓ３００)と、電子部品および透明板１１０の各々にて反射した電磁波の反射波を受信する工程(Ｓ３１０)と、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置と透明板１１０で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から電子部品の厚さを算出する工程(Ｓ３２０)とを備える。

本実施形態においては、厚さ測定器１５０の照射部１５０ａが、たとえばＰ偏波またはＳ偏波を電子部品および透明板１１０に照射する。また、実施形態１のように受信部１５０ｂが画像データを形成することなく、厚さ測定器１５０が反射波の強度ピークの受信位置に基づいて電子部品の厚さを算出する。

具体的には、厚さ測定器１５０は、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置の基準線からの距離を数値で把握し、透明板１１０で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置の基準線からの距離を数値で把握する。なお、基準線は、仮想の基準線であり、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置と、透明板１１０で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置とを最短で結んだ仮想直線と直交している。

上述のとおり、透明板１１０で反射した反射波の電磁波量分布は、多重反射の回数が多くなるほど減衰して低下する。そのため、透明板１１０で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークは、透明板１１０の上面で反射した反射波の強度ピークである。本実施形態においては、各強度ピークの境界が明確であるため、容易に強度ピークの高さを比較することができる。

厚さ測定器１５０は、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置の基準線からの距離と、透明板１１０の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置の基準線からの距離との差分を算出し、その算出結果を入射波の入射角θ₁に応じて補正する。その結果、透明板１１０上に載置された電子部品の厚さを光切断法を用いて正確に測定することができる。

なお、１つの電子部品に対して電磁波の照射を複数回行なってもよい。具体的には、電磁波を照射する上記工程(Ｓ３００)、反射波を受信する工程(Ｓ３１０)、および、電子部品の厚さを測定する上記工程(Ｓ３２０)の、各工程を１つの電子部品の互いに異なる位置に対して行なってもよい。

このようにして電子部品の異なる部分の厚さを測定することにより、各測定値の中から最大の測定値を選択することができる。その結果、測定値を電子部品の最大厚さに近づけることができる。

本実施形態においては、電磁波を照射する工程(Ｓ３００)において、複数の外部電極２の少なくともいずれかに電磁波を照射する。また、電磁波を照射する工程(Ｓ３００)において、複数の外部電極２の各々に亘るように電磁波を照射してもよい。

以下、上記の電子部品の厚さ測定方法を用いる電子部品連の製造方法について図を参照して説明する。図２３は、本実施形態に係る電子部品連の製造方法を示すフローチャートである。

図２３に示すように、本実施形態に係る電子部品連の製造方法は、透明板１１０に載置された電子部品の外観を少なくともこの透明板１１０の下方に配置された撮影装置によって撮影する工程(Ｓ２００)と、電子部品およびこの電子部品が載置された透明板１１０に対して電磁波を照射する工程(Ｓ３００)と、電子部品および透明板１１０の各々にて反射した電磁波の反射波を受信する工程(Ｓ３１０)と、電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークの受信位置と透明板１１０で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から電子部品の厚さを算出する工程(Ｓ３２０)と、上記撮影する工程において撮影した各電子部品の外観、および、電子部品の厚さを測定する上記工程において測定した各電子部品の厚さによって、複数の電子部品を選別して複数のグループに分ける工程(Ｓ２１０)と、複数のグループのうちのいずれかのグループに選別された複数の電子部品をテーピングする工程(Ｓ２２０)とを備える。

本実施形態に係る電子部品連の製造方法においても、電子部品連２０を、外観検査および厚さ検査の両方で良品と判断された電子部品のみから構成することができる。その結果、欠けおよび亀裂が存在せず、かつ、厚さのばらつきが１０μｍ以内である積層セラミックコンデンサ３のみから構成される電子部品連２０を製造することができる。

今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 素体、２ 外部電極、３ 積層セラミックコンデンサ、４ 基板、５ ビア、６ チップ、２０ 電子部品連、２１ リール体、２２ テープ体、２３ キャリアテープ、２４ ボトムテープ、２５ トップテープ、１００ 検査装置、１１０ 透明板、１１１ ロータリエンコーダ、１２０ チップフィーダ、１３０ センサ、１４１ 第１カメラ、１４２ 第２カメラ、１４３ 第３カメラ、１４４ 第４カメラ、１５０ 厚さ測定器、１５０ａ 照射部、１５０ｂ 受信部、１５１ 第１レーザ発振源、１５２ 第２レーザ発振源、１５３ ハーフミラー、１５４ 投射レンズ、１５５ 受信レンズ、１５６ 高ダイナミックレンジカメラ、１７１ 第１エアーブロワ、１７２ 第２エアーブロワ、１７３ 第３エアーブロワ、１８０，１８０ａ，１８０ｂ 入射波、１８１ 透過波、１８２，１８２ａ₁，１８２ａ₂，１８２ａ₃，１８２ｂ 反射波、１９０ 制御部、２００ 画像データ、２００ａ 第１画像データ、２００ｂ 第２画像データ、２００ｃ 第３画像データ、２１０，２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ，２１１，２１１ａ，２１１ｂ，２１２，２１２ａ，２１２ｂ 第２基準ライン、２２０，２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃ 第１基準ライン。

Claims (32)

1. 電子部品および該電子部品が載置された透明板に対して、斜め上方から第１の電磁波を照射する工程と、
   前記第１の電磁波の反射波を受信して、前記電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、前記透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データを形成する工程と、
   前記電子部品および前記透明板において前記第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、前記第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から前記第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する工程と、
   前記第２の電磁波の反射波を受信して、前記電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、前記透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データを形成する工程と、
   前記第１画像データの複数の前記第２基準ラインと前記第２画像データの複数の前記第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある前記第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、前記第１基準ラインと抽出された前記第２基準ラインとを含む第３画像データを形成する工程と、
   前記第３画像データの前記第１基準ラインと前記第２基準ラインとの間隔から前記電子部品の厚さを算出する工程とを備える、電子部品の厚さ測定方法。
2. 前記第１の電磁波および前記第２の電磁波の各々の波長が、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１に記載の電子部品の厚さ測定方法。
3. 前記電子部品は表面に複数の外部電極を有し、
   前記第１の電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の少なくともいずれか１つに前記第１の電磁波を照射する、請求項１または２に記載の電子部品の厚さ測定方法。
4. 前記第１の電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の各々に亘るように前記第１の電磁波を照射する、請求項３に記載の電子部品の厚さ測定方法。
5. 前記第１の電磁波を照射する工程、前記第１画像データを形成する工程、前記第２の電磁波を照射する工程、前記第２画像データを形成する工程、前記第３画像データを形成する工程、および、前記電子部品の厚さを算出する工程の、各工程を１つの前記電子部品の互いに異なる位置に対して行なう、請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品の厚さ測定方法。
6. 前記透明板の厚さが、１．２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である、請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品の厚さ測定方法。
7. 前記透明板がガラスからなり、
   前記第１の電磁波と前記第２の電磁波との偏波方向が互いに９０°異なり、
   前記第１の電磁波の前記電子部品の前記上面への入射角が、１０°以上４３．５°以下である、請求項１から６のいずれか１項に記載の電子部品の厚さ測定方法。
8. 電子部品および該電子部品が載置された透明板に対して電磁波を照射する工程と、
   前記電子部品および前記透明板の各々にて反射した前記電磁波の反射波を受信する工程と、
   前記電子部品の上面で反射した前記反射波の強度ピークの受信位置と前記透明板で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から前記電子部品の厚さを算出する工程とを備え、
   前記電子部品は表面に複数の外部電極を有し、
   前記電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の各々に亘るように前記電磁波を照射する、電子部品の厚さ測定方法。
9. 前記電磁波を照射する工程、前記反射波を受信する工程、および、前記電子部品の厚さを算出する工程の、各工程を１つの前記電子部品の互いに異なる位置に対して行なう、請求項８に記載の電子部品の厚さ測定方法。
10. 複数の電子部品を梱包して一体にした電子部品連の製造方法であって、
    透明板に載置された前記電子部品の外観を少なくとも該透明板の下方に配置された撮影装置によって撮影する工程と、
    前記電子部品および前記透明板に対して、斜め上方から第１の電磁波を照射する工程と、
    前記第１の電磁波の反射波を受信して、前記電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、前記透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データを形成する工程と、
    前記電子部品および前記透明板において前記第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、前記第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から前記第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射する工程と、
    前記第２の電磁波の反射波を受信して、前記電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、前記透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データを形成する工程と、
    前記第１画像データの複数の前記第２基準ラインと前記第２画像データの複数の前記第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある前記第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、前記第１基準ラインと抽出された前記第２基準ラインとを含む第３画像データを形成する工程と、
    前記第３画像データの前記第１基準ラインと前記第２基準ラインとの間隔から前記電子部品の厚さを算出する工程と、
    前記撮影する工程において撮影した各前記電子部品の外観、および、前記電子部品の厚さを算出する工程において算出した各前記電子部品の厚さによって、複数の前記電子部品を選別して複数のグループに分ける工程と、
    前記複数のグループのうちのいずれか１つのグループに選別された複数の前記電子部品をテーピングする工程とを備える、電子部品連の製造方法。
11. 前記第１の電磁波および前記第２の電磁波の各々の波長が、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１０に記載の電子部品連の製造方法。
12. 前記電子部品は表面に複数の外部電極を有し、
    前記第１の電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の少なくともいずれか１つに前記第１の電磁波を照射する、請求項１０または１１に記載の電子部品連の製造方法。
13. 前記第１の電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の各々に亘るように前記第１の電磁波を照射する、請求項１２に記載の電子部品連の製造方法。
14. 前記第１の電磁波を照射する工程、前記第１画像データを形成する工程、前記第２の電磁波を照射する工程、前記第２画像データを形成する工程、前記第３画像データを形成する工程、および、前記電子部品の厚さを算出する工程の、各工程を前記電子部品の互いに異なる位置に対して行なう、請求項１０から１３のいずれか１項に記載の電子部品連の製造方法。
15. 前記透明板の厚さが、１．２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である、請求項１０から１４のいずれか１項に記載の電子部品連の製造方法。
16. 前記透明板がガラスからなり、
    前記第１の電磁波と前記第２の電磁波との偏波方向が互いに９０°異なり、
    前記第１の電磁波の前記電子部品の前記上面への入射角が、１０°以上４３．５°以下である、請求項１０から１５のいずれか１項に記載の電子部品連の製造方法。
17. 複数の電子部品を梱包して一体にした電子部品連の製造方法であって、
    透明板に載置された前記電子部品の外観を少なくとも該透明板の下方に配置された撮影装置によって撮影する工程と、
    前記電子部品および前記透明板に対して電磁波を照射する工程と、
    前記電子部品および前記透明板の各々にて反射した前記電磁波の反射波を受信する工程と、
    前記電子部品の上面で反射した前記反射波の強度ピークの受信位置と前記透明板で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から前記電子部品の厚さを算出する工程と、
    前記撮影する工程において撮影した各前記電子部品の外観、および、前記電子部品の厚さを算出する工程において算出した各前記電子部品の厚さによって、複数の前記電子部品を選別して複数のグループに分ける工程と、
    前記複数のグループのうちのいずれか１つのグループに選別された複数の前記電子部品をテーピングする工程とを備える、電子部品連の製造方法。
18. 前記電子部品は表面に複数の外部電極を有し、
    前記電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の少なくともいずれか１つに前記電磁波を照射する、請求項１７に記載の電子部品連の製造方法。
19. 前記電磁波を照射する工程において、複数の前記外部電極の各々に亘るように前記電磁波を照射する、請求項１８に記載の電子部品連の製造方法。
20. 前記電磁波を照射する工程、前記反射波を受信する工程、および、前記電子部品の厚さを算出する工程の、各工程を１つの前記電子部品の互いに異なる位置に対して行なう、請求項１７から１９のいずれか１項に記載の電子部品連の製造方法。
21. 請求項１０から２０のいずれか１項に記載の電子部品連の製造方法によって製造された電子部品連であって、
    前記１つのグループに選別された複数の前記電子部品において、最も厚い前記電子部品の厚さと最も薄い前記電子部品の厚さとの差が１０μｍ以下である、電子部品連。
22. 前記電子部品が素体と外部電極とを備え、
    前記素体は、互いに反対側に位置する１対の主面、該１対の主面を結び互いに対向する１対の端面、および、該１対の主面を結ぶとともに前記１対の端面を結ぶ１対の側面を有し、
    前記外部電極は、前記１対の主面の各々に設けられ、
    前記電子部品の厚さは、前記１対の主面の各々に設けられた前記外部電極の前記１対の主面を結ぶ方向における外側同士の間隔である、請求項２１に記載の電子部品連。
23. 前記１つのグループに選別された複数の前記電子部品において最も厚い前記電子部品の厚さが０．２５ｍｍ以下である、請求項２１または２２に記載の電子部品連。
24. 電子部品の外観検査および厚さ測定する検査装置であって、
    前記電子部品が載置される透明板と、
    前記電子部品の外観を少なくとも該透明板の下方から撮影する撮影装置と、
    前記電子部品の厚さを測定する厚さ測定器とを備え、
    前記厚さ測定器は、照射部と受信部とを含み、
    前記照射部は、前記電子部品および前記透明板に対して電磁波を照射し、
    前記受信部は、前記電子部品および前記透明板の各々にて反射した前記電磁波の反射波を受信し、
    前記厚さ測定器は、前記電子部品の上面で反射した前記反射波の強度ピークの受信位置と前記透明板で反射した複数の反射波の中で最も高い強度ピークの受信位置との位置関係から前記電子部品の厚さを算出する、電子部品の検査装置。
25. 前記照射部は、前記電子部品および前記透明板に対して、斜め上方から第１の電磁波を照射するとともに、前記電子部品および前記透明板において前記第１の電磁波を照射した位置と略同じ位置に対して、前記第１の電磁波と同一の角度で斜め上方から前記第１の電磁波とは偏波方向が異なる第２の電磁波を照射し、
    前記受信部は、前記第１の電磁波の反射波を受信して、前記電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、前記透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第１画像データを形成するとともに、前記第２の電磁波の反射波を受信して、前記電子部品の上面で反射した反射波の強度ピークを示す第１基準ラインと、前記透明板で反射した複数の反射波の強度ピークを示す複数の第２基準ラインとを含む第２画像データを形成し、
    前記厚さ測定器は、前記第１画像データの複数の前記第２基準ラインと前記第２画像データの複数の前記第２基準ラインとにおいて、互いに同一位置にある前記第２基準ライン同士の強度ピークの差が最も小さい第２基準ラインのみを抽出し、前記第１基準ラインと抽出された前記第２基準ラインとを含む第３画像データを形成し、前記第３画像データの前記第１基準ラインと前記第２基準ラインとの間隔から前記電子部品の厚さを算出する、請求項２４に記載の電子部品の検査装置。
26. 前記第１の電磁波および前記第２の電磁波の各々の波長が、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項２５に記載の電子部品の検査装置。
27. 前記電子部品は表面に複数の外部電極を有し、
    前記照射部は、複数の前記外部電極の少なくともいずれか１つに前記第１の電磁波を照射する、請求項２５または２６に記載の電子部品の検査装置。
28. 前記照射部は、複数の前記外部電極の各々に亘るように前記第１の電磁波を照射する、請求項２７に記載の電子部品の検査装置。
29. 前記透明板がガラスからなり、
    前記第１の電磁波と前記第２の電磁波との偏波方向が互いに９０°異なり、
    前記第１の電磁波の前記電子部品の前記上面への入射角が、１０°以上４３．５°以下である、請求項２５から２８のいずれか１項に記載の電子部品の検査装置。
30. 前記厚さ測定器は、１つの前記電子部品の互いに異なる位置の厚さを測定する、請求項２４から２９のいずれか１項に記載の電子部品の検査装置。
31. 前記透明板の厚さが、１．２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である、請求項２４から３０のいずれか１項に記載の電子部品の検査装置。
32. 複数の電子部品を選別して複数のグループに分ける選別機構をさらに備え、
    前記選別機構は、前記電子部品を収容する複数の容器と、前記透明板上から前記電子部品を前記容器内にそれぞれ移動させる複数の排出機構とを含む、請求項２４から３１のいずれか１項に記載の電子部品の検査装置。

Images